JP3128586B2 - 薄膜成長装置 - Google Patents
薄膜成長装置Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 73
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 17
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 15
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 15
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 13
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 3
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100023111 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) mfc1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン、ガラス等の
基板上に薄膜成長を行なう装置において、高範囲な濃度
分布（比抵抗分布等）を得るための薄膜成長装置に関す
る。
基板上に薄膜成長を行なう装置において、高範囲な濃度
分布（比抵抗分布等）を得るための薄膜成長装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、熱ＣＶＤ等の薄膜成長装置におけ
る濃度制御方式として、
る濃度制御方式として、
【０００３】(1) 反応ガスやドーパントガスなどの原料
ガス（以下ドーパントガスとして説明する）を１つの流
量制御器［以下ＭＦＣ（マスフローコントローラ）とし
て述べる］にて制御する方式。 (2) ドーパントガスを２つのＭＦＣにて制御する方式。 (3) ドーパントガスを３つのＭＦＣにて制御する方式。 がある。以下、これらの方式について図１１、図１２、
図１３を参照して説明する。図１１〜図１３はいずれも
従来のドーパントガスを制御するための系統図である。
ガス（以下ドーパントガスとして説明する）を１つの流
量制御器［以下ＭＦＣ（マスフローコントローラ）とし
て述べる］にて制御する方式。 (2) ドーパントガスを２つのＭＦＣにて制御する方式。 (3) ドーパントガスを３つのＭＦＣにて制御する方式。 がある。以下、これらの方式について図１１、図１２、
図１３を参照して説明する。図１１〜図１３はいずれも
従来のドーパントガスを制御するための系統図である。
【０００４】図１１は、従来から行なわれている濃度分
布を得るための第１の例を示す系統図である。ＤＮ（ド
ーパントＮガス）が入ったボンベ２３から上方へ延びる
管路ＰＬ１Ａには、開閉弁ＰＶ５が設けられ、流量制御
器ＭＦＣ３に通じている。ここで、指定された流量が管
路ＰＬ１Ａ上を流れる。シーケンスの構成上、ベント
（ＶＥＮＴ）ラインへ排出する必要があれば、開閉弁Ｐ
Ｖ１０を通じてベントラインＰＬ６Ａに排出される。
布を得るための第１の例を示す系統図である。ＤＮ（ド
ーパントＮガス）が入ったボンベ２３から上方へ延びる
管路ＰＬ１Ａには、開閉弁ＰＶ５が設けられ、流量制御
器ＭＦＣ３に通じている。ここで、指定された流量が管
路ＰＬ１Ａ上を流れる。シーケンスの構成上、ベント
（ＶＥＮＴ）ラインへ排出する必要があれば、開閉弁Ｐ
Ｖ１０を通じてベントラインＰＬ６Ａに排出される。
【０００５】図１１の方式の場合、濃度分布の安定性、
再現性という観点から見れば、１つのＭＦＣにて制御し
ているため高い。しかし、ＭＦＣの最大流量に対し零〜
５％程度の範囲は制御不可能であるため、大容量のＭＦ
Ｃを用いると小流量側の制御が不可能になるが、高範囲
な濃度分布を得るためには、濃度の違うガスボンベを交
換しなくてはならない。つまり、ＭＦＣ３の流量範囲に
よって一義的に濃度が決定されるため、広範囲の濃度分
布を得るためには、ＭＦＣ３の交換又は濃度の違うボン
ベ２３の交換が必要となる。また、このことと同時に、
現在の様な多品種少量生産の実情に合わなくなってきて
いる。
再現性という観点から見れば、１つのＭＦＣにて制御し
ているため高い。しかし、ＭＦＣの最大流量に対し零〜
５％程度の範囲は制御不可能であるため、大容量のＭＦ
Ｃを用いると小流量側の制御が不可能になるが、高範囲
な濃度分布を得るためには、濃度の違うガスボンベを交
換しなくてはならない。つまり、ＭＦＣ３の流量範囲に
よって一義的に濃度が決定されるため、広範囲の濃度分
布を得るためには、ＭＦＣ３の交換又は濃度の違うボン
ベ２３の交換が必要となる。また、このことと同時に、
現在の様な多品種少量生産の実情に合わなくなってきて
いる。
【０００６】図１２は、図１１の方式の欠点、すなわち
濃度範囲が狭い点を除くことができるようにした方式を
示す系統図である。ＭＦＣ３と開閉弁ＰＶ１１Ａ、ＭＦ
Ｃ４と開閉弁ＰＶ１１Ｂをそれぞれ直列に接続したもの
を、図１１の管路ＰＬ１Ａの開閉弁ＰＶ１０と弁ＰＶ５
の間に並列に接続し、２つの流量範囲の違う設定（指
令）流量値によって、ＭＦＣ３，ＭＦＣ４のいずれを利
用するか判別された後、対象ＭＦＣと対象開閉弁ＰＶ１
１Ａと弁ＰＶ１１Ｂのいずれかを励起するようにしたも
のである。
濃度範囲が狭い点を除くことができるようにした方式を
示す系統図である。ＭＦＣ３と開閉弁ＰＶ１１Ａ、ＭＦ
Ｃ４と開閉弁ＰＶ１１Ｂをそれぞれ直列に接続したもの
を、図１１の管路ＰＬ１Ａの開閉弁ＰＶ１０と弁ＰＶ５
の間に並列に接続し、２つの流量範囲の違う設定（指
令）流量値によって、ＭＦＣ３，ＭＦＣ４のいずれを利
用するか判別された後、対象ＭＦＣと対象開閉弁ＰＶ１
１Ａと弁ＰＶ１１Ｂのいずれかを励起するようにしたも
のである。
【０００７】図１２の方式は、流量範囲の違う設定（指
令）流量値によって、ＭＦＣ３，ＭＦＣ４のいずれを利
用するかの判別を行う必要があり、この場合の複雑さ
と、供給ガス濃度は一義的に決定されるため異なったＭ
ＦＣを用意しても、得られる濃度分布は必然的に限定さ
れるため広範囲な濃度分布が得られない。
令）流量値によって、ＭＦＣ３，ＭＦＣ４のいずれを利
用するかの判別を行う必要があり、この場合の複雑さ
と、供給ガス濃度は一義的に決定されるため異なったＭ
ＦＣを用意しても、得られる濃度分布は必然的に限定さ
れるため広範囲な濃度分布が得られない。
【０００８】図１３は、従来から行なわれている第３の
例であるオートドーパントコントロール（ＡＤＣ）方式
の系統図である。ボンベ２３から上方へ延びる管路ＰＬ
１Ａには、開閉弁ＰＶ５が設けられ、ソースと呼ばれる
流量制御器ＭＦＣ５に通じている。ＭＦＣ５から出る一
定濃度に設定されたドーパントガスは、混合器ＭＸに通
じ、下方の開閉弁ＰＶ１１から供給されるキャリアガス
（ここではＨ2 ガス）と混合されインジェクション側の
ＭＦＣ３と、ベントライン側のＭＦＣ４に接続される。
例であるオートドーパントコントロール（ＡＤＣ）方式
の系統図である。ボンベ２３から上方へ延びる管路ＰＬ
１Ａには、開閉弁ＰＶ５が設けられ、ソースと呼ばれる
流量制御器ＭＦＣ５に通じている。ＭＦＣ５から出る一
定濃度に設定されたドーパントガスは、混合器ＭＸに通
じ、下方の開閉弁ＰＶ１１から供給されるキャリアガス
（ここではＨ2 ガス）と混合されインジェクション側の
ＭＦＣ３と、ベントライン側のＭＦＣ４に接続される。
【０００９】ここで、図１３の方式の場合、図１１の方
式より比較的範囲の広い濃度分布が得られる利点があ
る。それはドーパントガス流量が、仮にＭＦＣ５にて決
定されると、それに応じて、ＭＦＣ３，ＭＦＣ４の流量
が自動的に決定され、それによって濃度が決定される。
その方法は、ＭＦＣ５から流れ出た一定濃度のドーパン
トガスは、混合器ＭＸにおいて、キャリアガス（水素
等）と混合し、混合されたガスの１部は反応部ヘインジ
ェクション（注入）され、ダイリューション（希釈）さ
れた余分なガスはベントラインＰＬ６Ａに排出される
が、この時、前記混合ガスの濃度はＭＦＣ３とＭＦＣ４
の流量比によって決定される。
式より比較的範囲の広い濃度分布が得られる利点があ
る。それはドーパントガス流量が、仮にＭＦＣ５にて決
定されると、それに応じて、ＭＦＣ３，ＭＦＣ４の流量
が自動的に決定され、それによって濃度が決定される。
その方法は、ＭＦＣ５から流れ出た一定濃度のドーパン
トガスは、混合器ＭＸにおいて、キャリアガス（水素
等）と混合し、混合されたガスの１部は反応部ヘインジ
ェクション（注入）され、ダイリューション（希釈）さ
れた余分なガスはベントラインＰＬ６Ａに排出される
が、この時、前記混合ガスの濃度はＭＦＣ３とＭＦＣ４
の流量比によって決定される。
【００１０】ＭＦＣ３とＭＦＣ４の設定流量の関係式
は、ＭＦＣ３の最大流量に対するＭＦＣ３の設定流量の
割合をｘとしたとき、ＭＦＣ４の設定流量はその最大流
量に対し１−ｘの割合となる。例えば、インジェクショ
ン側のＭＦＣ３の最大流量が３００ｃｃ／ｍｉｎとし、
ベントライン側のＭＦＣ４の最大流量を３０Ｌ／ｍｉｎ
とした場合、インジェクションの設定流量を１００ｃｃ
／ｍｉｎとすると、ベントライン側に流れる流量は、１
−ｘより２０Ｌ／ｍｉｎとなる制御方式である。通常Ｍ
ＦＣ３はＭＦＣ５と等しい流量に設定されるため、ボン
ベ２３からのドーパントガスは、ｘ／（１−ｘ）の割合
に希釈され、ＭＦＣ３を介して反応部へ供給される。こ
こで開閉弁ＰＶ１０と弁ＰＶ１１は混合すべきシーケン
スが実行されると励起され、しかも反応炉Ｒ１へ供給す
るシーケンスとなれば、開閉弁ＰＶ１０は閉じる。
は、ＭＦＣ３の最大流量に対するＭＦＣ３の設定流量の
割合をｘとしたとき、ＭＦＣ４の設定流量はその最大流
量に対し１−ｘの割合となる。例えば、インジェクショ
ン側のＭＦＣ３の最大流量が３００ｃｃ／ｍｉｎとし、
ベントライン側のＭＦＣ４の最大流量を３０Ｌ／ｍｉｎ
とした場合、インジェクションの設定流量を１００ｃｃ
／ｍｉｎとすると、ベントライン側に流れる流量は、１
−ｘより２０Ｌ／ｍｉｎとなる制御方式である。通常Ｍ
ＦＣ３はＭＦＣ５と等しい流量に設定されるため、ボン
ベ２３からのドーパントガスは、ｘ／（１−ｘ）の割合
に希釈され、ＭＦＣ３を介して反応部へ供給される。こ
こで開閉弁ＰＶ１０と弁ＰＶ１１は混合すべきシーケン
スが実行されると励起され、しかも反応炉Ｒ１へ供給す
るシーケンスとなれば、開閉弁ＰＶ１０は閉じる。
【００１１】図１３の方法は、ＭＦＣ３，ＭＦＣ４，Ｍ
ＦＣ５の構成数が増えるという欠点を有するが、比較的
広範囲な濃度分布が得られるという点で、利用されてい
るが、現在においては、さらに広範囲な濃度分布が得ら
れないかとの要望が高まってきた。
ＦＣ５の構成数が増えるという欠点を有するが、比較的
広範囲な濃度分布が得られるという点で、利用されてい
るが、現在においては、さらに広範囲な濃度分布が得ら
れないかとの要望が高まってきた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、薄膜成長装
置は、それによって得られる成長膜の厚さや比抵抗又
は、シート抵抗等の特定を均一にすることと、多品種少
量生産に対応した製品を製造することが要求されてい
る。その中で、生産性、歩留まりを向上するため、装置
上にて、保守時間、故障時間等のダウンタイムを極力押
える必要がある。特に、製品の品種が多岐に渡る場合、
品種毎にガスボンベの交換が必要になれば、生産性に大
きな障害となり、製品価格にも大きな影響を与えること
となる。又、品種においても、比抵抗値又は濃度分布
が、低抵抗から高抵抗の製品を製造できる装置が要求さ
れてきている。
置は、それによって得られる成長膜の厚さや比抵抗又
は、シート抵抗等の特定を均一にすることと、多品種少
量生産に対応した製品を製造することが要求されてい
る。その中で、生産性、歩留まりを向上するため、装置
上にて、保守時間、故障時間等のダウンタイムを極力押
える必要がある。特に、製品の品種が多岐に渡る場合、
品種毎にガスボンベの交換が必要になれば、生産性に大
きな障害となり、製品価格にも大きな影響を与えること
となる。又、品種においても、比抵抗値又は濃度分布
が、低抵抗から高抵抗の製品を製造できる装置が要求さ
れてきている。
【００１３】このようなことから、本発明では、必要な
濃度のガスが反応炉へ導かれ、薄膜成長する上で１つの
装置にて広範囲の濃度分布の製品が得られる薄膜成長装
置を提供することを目的とする。
濃度のガスが反応炉へ導かれ、薄膜成長する上で１つの
装置にて広範囲の濃度分布の製品が得られる薄膜成長装
置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、反応炉内にシリコン、ガラス等の基板を
配置し、ガス供給源からの少なくとも１種類の原料ガス
とキャリアガスを混合器により混合して所定濃度に希釈
された前記原料ガスの所定流量を、別に送られてくるキ
ャリアガスに合流させて前記反応炉内へ供給し、気相成
長により前記基板上に薄膜を形成する薄膜成長装置であ
って、前記ガス供給源と前記混合器の間、前記反応炉と
前記混合器の間、前記混合器とベントラインとの間にそ
れぞれ配設され、前記ガス流量を制御可能な第１，第
２，第３の流量制御器を有し、前記第１の流量制御器に
より流量を制御され前記第２及び第３の流量制御器の設
定値に応じて前記混合器によりキャリアガスで所望濃度
に希釈された原料ガスを、前記第２の流量制御器を介し
て前記の別に送られてくるキャリアガスに合流させて反
応炉へ供給可能にした薄膜成長装置において、前記ベン
トラインに通じる第３の流量制御器のガス流を独立して
しゃ断可能に構成すると共に、混合器への前記キャリア
ガスの供給をしゃ断可能に構成し、前記ガス供給源から
の原料ガスを希釈することなく前記第１，第２の流量制
御器により流量を制御して前記の別に送られてくるキャ
リアガスに合流させて反応炉へ供給可能にした薄膜成長
装置である。
め、本発明は、反応炉内にシリコン、ガラス等の基板を
配置し、ガス供給源からの少なくとも１種類の原料ガス
とキャリアガスを混合器により混合して所定濃度に希釈
された前記原料ガスの所定流量を、別に送られてくるキ
ャリアガスに合流させて前記反応炉内へ供給し、気相成
長により前記基板上に薄膜を形成する薄膜成長装置であ
って、前記ガス供給源と前記混合器の間、前記反応炉と
前記混合器の間、前記混合器とベントラインとの間にそ
れぞれ配設され、前記ガス流量を制御可能な第１，第
２，第３の流量制御器を有し、前記第１の流量制御器に
より流量を制御され前記第２及び第３の流量制御器の設
定値に応じて前記混合器によりキャリアガスで所望濃度
に希釈された原料ガスを、前記第２の流量制御器を介し
て前記の別に送られてくるキャリアガスに合流させて反
応炉へ供給可能にした薄膜成長装置において、前記ベン
トラインに通じる第３の流量制御器のガス流を独立して
しゃ断可能に構成すると共に、混合器への前記キャリア
ガスの供給をしゃ断可能に構成し、前記ガス供給源から
の原料ガスを希釈することなく前記第１，第２の流量制
御器により流量を制御して前記の別に送られてくるキャ
リアガスに合流させて反応炉へ供給可能にした薄膜成長
装置である。
【００１５】
【作用】本発明によれば、ダイリューション用のＭＦＣ
のガス流をしゃ断して、ガス供給源からの供給量を制御
するＭＦＣに設定された流量値に等価な指令信号を与え
ることによって、キャリアガスによって希釈されない必
要な濃度の原料ガスが反応部へ導かれる。これにより１
つの装置により広範囲の濃度分布の製品が得られる。
のガス流をしゃ断して、ガス供給源からの供給量を制御
するＭＦＣに設定された流量値に等価な指令信号を与え
ることによって、キャリアガスによって希釈されない必
要な濃度の原料ガスが反応部へ導かれる。これにより１
つの装置により広範囲の濃度分布の製品が得られる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、縦型気相成長装置の斜視図であ
り、高周波発生部１１と、反応炉Ｒ１，Ｒ２を備えた気
相成長装置の本体１２，１３と、各反応炉（反応部）内
へのガス流量、温度等を制御するための制御部１４と、
操作パネルであり、操作キー入力部やディスプレイユニ
ットを含んでいる操作パネル１４Ａと、反応炉Ｒ１，Ｒ
２の開閉等の操作を行なうための操作盤１２Ａ，１３Ａ
と、工場ライン（ボンベ含）より供給される各種ガスの
流量を制御する流量制御器及び開閉弁等を備えたガス制
御装置１５から構成されている。
て説明する。図１は、縦型気相成長装置の斜視図であ
り、高周波発生部１１と、反応炉Ｒ１，Ｒ２を備えた気
相成長装置の本体１２，１３と、各反応炉（反応部）内
へのガス流量、温度等を制御するための制御部１４と、
操作パネルであり、操作キー入力部やディスプレイユニ
ットを含んでいる操作パネル１４Ａと、反応炉Ｒ１，Ｒ
２の開閉等の操作を行なうための操作盤１２Ａ，１３Ａ
と、工場ライン（ボンベ含）より供給される各種ガスの
流量を制御する流量制御器及び開閉弁等を備えたガス制
御装置１５から構成されている。
【００１７】図２は、ガス制御装置１５の各構成部品に
よる系統図である。図２において反応炉Ｒ１，Ｒ２に対
し供給されるガスは、同図下方において左側よりＮ2 、
Ｈ2、ＳｉＣｌ4 、ＤＮ、ＨＣｌの各流体ボンベ２０，
２１，２２，２３，２４として示される。ボンベ２２
は、バブリングチャンバーを構成し、四塩化シリコンＳ
ｉＣｌ4 又はトリクロロシランＳｉＨＣｌ3 等の流体が
入っている。ボンベ２０から上方へ延びる管路ＰＬ１に
は圧力スイッチＰＳ１、常時開状態の弁ＰＶ１（以下常
開弁とする）が設けられ常開弁ＰＶ７に通じている。
よる系統図である。図２において反応炉Ｒ１，Ｒ２に対
し供給されるガスは、同図下方において左側よりＮ2 、
Ｈ2、ＳｉＣｌ4 、ＤＮ、ＨＣｌの各流体ボンベ２０，
２１，２２，２３，２４として示される。ボンベ２２
は、バブリングチャンバーを構成し、四塩化シリコンＳ
ｉＣｌ4 又はトリクロロシランＳｉＨＣｌ3 等の流体が
入っている。ボンベ２０から上方へ延びる管路ＰＬ１に
は圧力スイッチＰＳ１、常時開状態の弁ＰＶ１（以下常
開弁とする）が設けられ常開弁ＰＶ７に通じている。
【００１８】ボンベ２１から上方へ延びる管路ＰＬ２に
は、圧力スイッチＰＳ２、弁ＰＶ２が設けられ、弁ＰＶ
８に通じている。弁ＰＶ７と弁ＰＶ８の出口ポートは合
流して、それぞれの流量制御器ＭＦＣ１及びＭＦＣ２を
介して管路ＰＬ１，ＰＬ２に接続されている。管路ＰＬ
１上には、さらにガス合流弁ＰＶ２３，ＰＶ１９，ＰＶ
２０が反応炉Ｒ１との間に設けられており、管路ＰＬ１
Ａ，ＰＬ２Ａ，ＰＬ３Ａより供給されるガスを、弁ＰＶ
１９，ＰＶ２０，ＰＶ２３を励起せしめることにより混
合できるようになっている。
は、圧力スイッチＰＳ２、弁ＰＶ２が設けられ、弁ＰＶ
８に通じている。弁ＰＶ７と弁ＰＶ８の出口ポートは合
流して、それぞれの流量制御器ＭＦＣ１及びＭＦＣ２を
介して管路ＰＬ１，ＰＬ２に接続されている。管路ＰＬ
１上には、さらにガス合流弁ＰＶ２３，ＰＶ１９，ＰＶ
２０が反応炉Ｒ１との間に設けられており、管路ＰＬ１
Ａ，ＰＬ２Ａ，ＰＬ３Ａより供給されるガスを、弁ＰＶ
１９，ＰＶ２０，ＰＶ２３を励起せしめることにより混
合できるようになっている。
【００１９】さらに、管路ＰＬ２上には、ガス合流弁Ｐ
Ｖ２４，ＰＶ２１，ＰＶ２２が反応路Ｒ２との間に設け
られており、管路ＰＬ１Ａ，ＰＬ２Ａ，ＰＬ３Ａにより
供給されるガスを弁ＰＶ２１，ＰＶ２２，ＰＶ２４を励
起せしめることにより混合できるようになっている。バ
ブリングチャンバー２２からは２本の管路ＰＬ３Ａ，Ｐ
Ｌ３Ｂが延設されており、弁ＶＣに接続されている。同
弁ＶＣのポートＰＯには管路ＰＬ５を介してＨ2 ガス
（キャリアガス）が入り、管路ＰＬ４Ａ，弁ＰＶ３を通
ってバブリングチャンバー２２に入り、液体のＳｉＣｌ
4 に対してバブリングが行われる。
Ｖ２４，ＰＶ２１，ＰＶ２２が反応路Ｒ２との間に設け
られており、管路ＰＬ１Ａ，ＰＬ２Ａ，ＰＬ３Ａにより
供給されるガスを弁ＰＶ２１，ＰＶ２２，ＰＶ２４を励
起せしめることにより混合できるようになっている。バ
ブリングチャンバー２２からは２本の管路ＰＬ３Ａ，Ｐ
Ｌ３Ｂが延設されており、弁ＶＣに接続されている。同
弁ＶＣのポートＰＯには管路ＰＬ５を介してＨ2 ガス
（キャリアガス）が入り、管路ＰＬ４Ａ，弁ＰＶ３を通
ってバブリングチャンバー２２に入り、液体のＳｉＣｌ
4 に対してバブリングが行われる。
【００２０】従って、バブリングチャンバー２２内の空
間には、蒸気化したＳｉＣｌ4 とＨ2 の混合気体がで
き、これが管路ＰＬ４Ｂ上の弁ＰＶ３を通って弁ＶＣに
接続され、指定量の混合気体が出力ポートＰ１を通り、
管路ＰＬ３Ａに接続されている。ＤＮのボンベ２３と接
続された管路ＰＬ１Ａには、弁ＰＶ５を介して制御ユニ
ットＸが接続され、制御ユニットＸから出たＤＮガス
は、管路ＰＬ１Ａに接続されている。
間には、蒸気化したＳｉＣｌ4 とＨ2 の混合気体がで
き、これが管路ＰＬ４Ｂ上の弁ＰＶ３を通って弁ＶＣに
接続され、指定量の混合気体が出力ポートＰ１を通り、
管路ＰＬ３Ａに接続されている。ＤＮのボンベ２３と接
続された管路ＰＬ１Ａには、弁ＰＶ５を介して制御ユニ
ットＸが接続され、制御ユニットＸから出たＤＮガス
は、管路ＰＬ１Ａに接続されている。
【００２１】また、チャンバー２４と接続された管路Ｐ
Ｌ２Ａには、弁ＰＶ６Ａ、流量制御器ＭＦＣ７が設けら
れ、管路ＰＬ２Ａを介してそれぞれ合流弁ＰＶ２０，Ｐ
Ｖ２２の混合ポートに接続されている。さらに、ＭＦＣ
７から出るガスは、シーケンスの構成から常開弁ＰＶ２
６より、流量の安定化と、ラインをパージするためベン
トラインＰＬ６Ａを介して図示しない排気ガス処理装置
に接続されている。管路ＰＬ３Ａに接続されている常開
弁ＰＶ２５も常開弁ＰＶ２６と同様な役割を担ってい
る。
Ｌ２Ａには、弁ＰＶ６Ａ、流量制御器ＭＦＣ７が設けら
れ、管路ＰＬ２Ａを介してそれぞれ合流弁ＰＶ２０，Ｐ
Ｖ２２の混合ポートに接続されている。さらに、ＭＦＣ
７から出るガスは、シーケンスの構成から常開弁ＰＶ２
６より、流量の安定化と、ラインをパージするためベン
トラインＰＬ６Ａを介して図示しない排気ガス処理装置
に接続されている。管路ＰＬ３Ａに接続されている常開
弁ＰＶ２５も常開弁ＰＶ２６と同様な役割を担ってい
る。
【００２２】ここで、制御ユニットＸについて説明する
が、図３ないし図５を参照して配管系統について説明す
る。図３は制御ユニットＸの第１の例を示すもので、従
来方式の図１３との相違点は弁ＰＶ１２を、ベントライ
ンＰＬ６ＡとＭＦＣ４との間に設けたことである。
が、図３ないし図５を参照して配管系統について説明す
る。図３は制御ユニットＸの第１の例を示すもので、従
来方式の図１３との相違点は弁ＰＶ１２を、ベントライ
ンＰＬ６ＡとＭＦＣ４との間に設けたことである。
【００２３】このような構成のものにおいて、弁ＰＶ１
２及び弁ＰＶ１１を閉じることにより、ＭＦＣ５（ソー
ス）とＭＦＣ３（インジェクション）のみを利用した系
統が構成される。従って、図１３の従来の方式のように
ＭＦＣ３，ＭＦＣ４，ＭＦＣ５を全て使用して無条件に
キャリアガスにて希釈するＡＤＣ方式とは違って、一定
濃度のドーパントガスが供給されることとなる。この方
式をダイリューションカット方式と呼ぶ。
２及び弁ＰＶ１１を閉じることにより、ＭＦＣ５（ソー
ス）とＭＦＣ３（インジェクション）のみを利用した系
統が構成される。従って、図１３の従来の方式のように
ＭＦＣ３，ＭＦＣ４，ＭＦＣ５を全て使用して無条件に
キャリアガスにて希釈するＡＤＣ方式とは違って、一定
濃度のドーパントガスが供給されることとなる。この方
式をダイリューションカット方式と呼ぶ。
【００２４】なお、弁ＰＶ１２を設ける代りに、ＭＦＣ
４自身をしゃ断可能な構造としてもよいことは言うまで
もない。このことは、ＭＦＣ５と弁ＰＶ５のようにＭＦ
Ｃと弁を対で設けている他のＭＦＣについても同様であ
る。
４自身をしゃ断可能な構造としてもよいことは言うまで
もない。このことは、ＭＦＣ５と弁ＰＶ５のようにＭＦ
Ｃと弁を対で設けている他のＭＦＣについても同様であ
る。
【００２５】この方式を採用することによって、従来の
ＡＤＣ方式＋ダイリューションカット方式の２方式が１
つの装置で実現できるため、より広範囲な濃度分布の製
品が得られることになる。このことは、図６に示す流量
と比抵抗の特性図から明らかである。従来の制御範囲が
Ｐであったものが、本実施例ではＱだけ拡がっているか
らである。なお、図４は、制御ユニットＸの第２の例を
示すもので、図３の系統図と同様のドーパントＰガス
（ＤＰ）等の系統を並列に複数組設け、管路ＰＬ１Ａ′
を管路ＰＬ１Ａに接続して図２に示す弁ＰＶ１９，ＰＶ
２１に選択的に導く例を示している。弁ＰＶ１４，ＰＶ
１４′は前記選択のための開閉弁であり、弁ＰＶ１０は
各系統に対し共通に用いられる。
ＡＤＣ方式＋ダイリューションカット方式の２方式が１
つの装置で実現できるため、より広範囲な濃度分布の製
品が得られることになる。このことは、図６に示す流量
と比抵抗の特性図から明らかである。従来の制御範囲が
Ｐであったものが、本実施例ではＱだけ拡がっているか
らである。なお、図４は、制御ユニットＸの第２の例を
示すもので、図３の系統図と同様のドーパントＰガス
（ＤＰ）等の系統を並列に複数組設け、管路ＰＬ１Ａ′
を管路ＰＬ１Ａに接続して図２に示す弁ＰＶ１９，ＰＶ
２１に選択的に導く例を示している。弁ＰＶ１４，ＰＶ
１４′は前記選択のための開閉弁であり、弁ＰＶ１０は
各系統に対し共通に用いられる。
【００２６】図５は、制御ユニットＸの第３の例を示す
もので、図３における系統図に、キャリアガスの管路
と、混合器ＭＸと弁ＰＶ１１の接続点間に絞り部Ｔ１と
弁ＰＶ１３を設けたものである。この絞り部Ｔ１と弁Ｐ
Ｖ１３の役割は、ソースガスの停止時に弁ＰＶ１１を閉
じているとき、ＭＦＣ３，ＭＦＣ４をキャリアガス（Ｈ
2 ガス又はＨ2 ガス又はその他ガス）にてパージし、配
管及びＭＦＣをクリーン化し、清純度を高めるために比
較的小流量のキャリアガスを流すものである。本系統を
採用することにより、再現性の高い濃度の製品が得られ
るようになった。その理由は、混合器ＭＸを含めて、ラ
イン上に不純物が残留しているからである。なお、絞り
部Ｔ１は弁ＰＶ１３中に組込んでもよい。
もので、図３における系統図に、キャリアガスの管路
と、混合器ＭＸと弁ＰＶ１１の接続点間に絞り部Ｔ１と
弁ＰＶ１３を設けたものである。この絞り部Ｔ１と弁Ｐ
Ｖ１３の役割は、ソースガスの停止時に弁ＰＶ１１を閉
じているとき、ＭＦＣ３，ＭＦＣ４をキャリアガス（Ｈ
2 ガス又はＨ2 ガス又はその他ガス）にてパージし、配
管及びＭＦＣをクリーン化し、清純度を高めるために比
較的小流量のキャリアガスを流すものである。本系統を
採用することにより、再現性の高い濃度の製品が得られ
るようになった。その理由は、混合器ＭＸを含めて、ラ
イン上に不純物が残留しているからである。なお、絞り
部Ｔ１は弁ＰＶ１３中に組込んでもよい。
【００２７】次に、図７のブロック図を参照して制御ユ
ニットＸの制御部について説明する。図中５０は主計算
機の中央処理ユニット（以下ＣＰＵという）で、このＣ
ＰＵ５０にはデータバス５１とＩ／Ｏバス５２が接続さ
れている。データバス５１には、各反応炉Ｒ１又はＲ２
において遂行される一連のプロセスに関する、例えば加
熱温度、ガス流量、圧力などのデータを貯蔵する第１記
憶部５４が接続されている。
ニットＸの制御部について説明する。図中５０は主計算
機の中央処理ユニット（以下ＣＰＵという）で、このＣ
ＰＵ５０にはデータバス５１とＩ／Ｏバス５２が接続さ
れている。データバス５１には、各反応炉Ｒ１又はＲ２
において遂行される一連のプロセスに関する、例えば加
熱温度、ガス流量、圧力などのデータを貯蔵する第１記
憶部５４が接続されている。
【００２８】さらに、データバス５１には、ＲＯＭから
なる固定データを登録する第２記憶部５３と、本装置を
働かせるためのプロセス処理プログラム５５ａと前記プ
ロセス処理プログラム５５ａの管理下にあり、ダイリュ
ーションカット制御を行なうか否かの情報に従い、図
３，図４，図５のＭＦＣ３，４，５及び弁ＰＶ５，１
０，１１，１２，１３を制御するフロープログラム５５
ｂ（本フロープログラムは、プロセス処理プログラム５
５ａの中に組込まれても良い）と、ダイリューションカ
ット制御を行なうか否かを決定する選択プログラム５５
ｃと、シーケンス等のプロセス情報を入出力機器５８の
中の１つの構成要素であるキーボード（図示せず）に
て、修正・編集・登録作業を行ない、かつ、その内容
を、同じ構成要素の１つである表示器（図示せず）に表
示したりするその他処理プログラム５５ｄを貯蔵してあ
る第３記憶部５５が接続されている。
なる固定データを登録する第２記憶部５３と、本装置を
働かせるためのプロセス処理プログラム５５ａと前記プ
ロセス処理プログラム５５ａの管理下にあり、ダイリュ
ーションカット制御を行なうか否かの情報に従い、図
３，図４，図５のＭＦＣ３，４，５及び弁ＰＶ５，１
０，１１，１２，１３を制御するフロープログラム５５
ｂ（本フロープログラムは、プロセス処理プログラム５
５ａの中に組込まれても良い）と、ダイリューションカ
ット制御を行なうか否かを決定する選択プログラム５５
ｃと、シーケンス等のプロセス情報を入出力機器５８の
中の１つの構成要素であるキーボード（図示せず）に
て、修正・編集・登録作業を行ない、かつ、その内容
を、同じ構成要素の１つである表示器（図示せず）に表
示したりするその他処理プログラム５５ｄを貯蔵してあ
る第３記憶部５５が接続されている。
【００２９】前記第１記憶部５４は、本装置の稼動中に
おいて使用されるデータ例えば前述キーボード及び各種
スイッチ及び検出器からのアナログ／デジタル信号情報
とか、実際の薄膜成長を行うためのプロセス情報及びダ
イリューションカット制御を行なうか否かを示す情報等
を貯える領域である。前記Ｉ／Ｏバス５２には、ＭＦＣ
及び弁５９を駆動する入出力モジュール５６が接続され
ている。入出力モジュール５６は、各弁を駆動するデジ
タル出力部（図示せず）と、ＭＦＣへ指令信号を与える
出力部（Ｄ／Ａコンバータ：図示せず）とＭＦＣからの
実流量信号を取込む入力部（Ａ／Ｄコンバータ：図示せ
ず）から構成されている。又、Ｉ／Ｏバス５２には、入
出力機器５８と接続されたその他インターフェイスモジ
ュール５７が接続されている。尚、前記入出力機器５８
は、前述キーボード及び表示器及び各種スイッチ、検出
器、モータ等から構成されている。
おいて使用されるデータ例えば前述キーボード及び各種
スイッチ及び検出器からのアナログ／デジタル信号情報
とか、実際の薄膜成長を行うためのプロセス情報及びダ
イリューションカット制御を行なうか否かを示す情報等
を貯える領域である。前記Ｉ／Ｏバス５２には、ＭＦＣ
及び弁５９を駆動する入出力モジュール５６が接続され
ている。入出力モジュール５６は、各弁を駆動するデジ
タル出力部（図示せず）と、ＭＦＣへ指令信号を与える
出力部（Ｄ／Ａコンバータ：図示せず）とＭＦＣからの
実流量信号を取込む入力部（Ａ／Ｄコンバータ：図示せ
ず）から構成されている。又、Ｉ／Ｏバス５２には、入
出力機器５８と接続されたその他インターフェイスモジ
ュール５７が接続されている。尚、前記入出力機器５８
は、前述キーボード及び表示器及び各種スイッチ、検出
器、モータ等から構成されている。
【００３０】図８（ａ）は、プロセスを実行する上で必
要なシーケンス（プロセスプログラム）情報Ｉｐｐを表
わし、図８（ｂ）は図８（ａ）のデータビットコードを
表わしている。この表は、特公昭６３−２８４９５号公
報での図１３（イ）と構成はほぼ同じであるが、同公報
はドーパントガスの制御を行なう上で、ダイリューショ
ンカット制御を行なうか否かの情報は含まれていない。
この情報は、データビットコード内に組込まれている
が、別出しＩｐｐの他の場所に組込んでも良い。
要なシーケンス（プロセスプログラム）情報Ｉｐｐを表
わし、図８（ｂ）は図８（ａ）のデータビットコードを
表わしている。この表は、特公昭６３−２８４９５号公
報での図１３（イ）と構成はほぼ同じであるが、同公報
はドーパントガスの制御を行なう上で、ダイリューショ
ンカット制御を行なうか否かの情報は含まれていない。
この情報は、データビットコード内に組込まれている
が、別出しＩｐｐの他の場所に組込んでも良い。
【００３１】図９は、プロセス制御（図７の５５ａに相
当する）の詳細を説明するためのフローチャートであ
る。同図において、ステップ１（以下ＳＴ１−１と称す
る）で図１の反応炉Ｒ１のスタートスイッチが押されて
いると、ＳＴ１−２に移り、ここでＲ1 に関係するプロ
セスプログラムＰＰ（ｉ）のシーケンス残り時間＝０か
否かチェックする。このシーケンス残り時間は、図７の
５５ｄに示されるその他の処理プログラムの中の１つで
ある秒処理プログラムによって減算される。
当する）の詳細を説明するためのフローチャートであ
る。同図において、ステップ１（以下ＳＴ１−１と称す
る）で図１の反応炉Ｒ１のスタートスイッチが押されて
いると、ＳＴ１−２に移り、ここでＲ1 に関係するプロ
セスプログラムＰＰ（ｉ）のシーケンス残り時間＝０か
否かチェックする。このシーケンス残り時間は、図７の
５５ｄに示されるその他の処理プログラムの中の１つで
ある秒処理プログラムによって減算される。
【００３２】さて、ＳＴ１−２において、シーケンス残
り時間＝０であるならば、ＳＴ１−３において、次のプ
ロセスプログラムＰＰ（ｉ）が指定されそのデータを取
込む。ＳＴ１−４，ＳＴ１−５，ＳＴ１−６において、
登録されているＰＰ（ｉ）情報のシーケンス時間、流
量、温度のパラメータをセットして出力し、ガスバルブ
を開閉する。続いて、ＳＴ１−７において、ダイリュー
ションカット制御要求の情報があるか有無を調べ、有る
ならばＳＴ１−８にて、フロープログラム（図７にて示
される５５ｂ）を呼び出す。
り時間＝０であるならば、ＳＴ１−３において、次のプ
ロセスプログラムＰＰ（ｉ）が指定されそのデータを取
込む。ＳＴ１−４，ＳＴ１−５，ＳＴ１−６において、
登録されているＰＰ（ｉ）情報のシーケンス時間、流
量、温度のパラメータをセットして出力し、ガスバルブ
を開閉する。続いて、ＳＴ１−７において、ダイリュー
ションカット制御要求の情報があるか有無を調べ、有る
ならばＳＴ１−８にて、フロープログラム（図７にて示
される５５ｂ）を呼び出す。
【００３３】このフロープログラムは、図３に示す常開
弁ＰＶ１２とＰＶ１１を閉にすべき動作と、ＭＦＣ４の
流量モニターを中止する様に指令を与える。この指令に
基づいて、その他の処理プログラム５５ｄの中の１つで
ある流量比較プログラム（図示せず）は、ＭＦＣ４のサ
ンプリング及び流量比較を中止する。
弁ＰＶ１２とＰＶ１１を閉にすべき動作と、ＭＦＣ４の
流量モニターを中止する様に指令を与える。この指令に
基づいて、その他の処理プログラム５５ｄの中の１つで
ある流量比較プログラム（図示せず）は、ＭＦＣ４のサ
ンプリング及び流量比較を中止する。
【００３４】ここで、本来の制御では、ＳＴ１−７及び
ＳＴ１−８は、ガスバルブの開閉のタイミング上、ＳＴ
１−５及びＳＴ１−６の中に組込まれるものであるが、
動作を理解し易くするために、この様に表記した。次い
でＳＴ１−９において次のシーケンスセットの準備とし
て、ｉ←ｉ＋１にインクリメントされる。ＳＴ１−１で
Ｒ１のスタートスイッチがＯＦＦのときは、ＳＴ１−１
０に移り、ここで反応炉Ｒ２のスタートスイッチのＯ
Ｎ，ＯＦＦをチェックする。以降の流れは、Ｒ１と同じ
流れなので、ここでは省略する。
ＳＴ１−８は、ガスバルブの開閉のタイミング上、ＳＴ
１−５及びＳＴ１−６の中に組込まれるものであるが、
動作を理解し易くするために、この様に表記した。次い
でＳＴ１−９において次のシーケンスセットの準備とし
て、ｉ←ｉ＋１にインクリメントされる。ＳＴ１−１で
Ｒ１のスタートスイッチがＯＦＦのときは、ＳＴ１−１
０に移り、ここで反応炉Ｒ２のスタートスイッチのＯ
Ｎ，ＯＦＦをチェックする。以降の流れは、Ｒ１と同じ
流れなので、ここでは省略する。
【００３５】図１０は、以上述べたプロセスを実行する
上で、ダイリューションカット制御を行なうか否かを決
定する選択プログラム（図７の５５ｃ）である。ここ
で、指定された情報が、図９のＳＴ１−７の判断に利用
される。さて、同図においてＳＴ２−１では、ダイリュ
ーションカット制御を行ないたいシーケンス番号を入力
する。ＳＴ２−２において、入力された値が、ダイリュ
ーションカットを行なって良いシーケンスであるかチェ
ックをし、違っていればＳＴ２−７にて終了要求である
かチェックする。終了要求であった場合機能終了とな
り、違っていれば、シーケンス番号が間違ったとのフォ
ルトメッセージを出力し、注意を喚起した上で（ＳＴ２
−８）、再度入力を捉がす。さて、対象となるシーケン
ス番号が入力されたならば、ＳＴ２−３にて、そのシー
ケンスにおいて、ダイリューションカット制御を行なう
か、質問する。その入力としては、ＹＥＳ又はＮＯのい
づれかのキー入力となる。ＳＴ２−４にて、入力される
と、ＳＴ２−５にてチェックする。ＹＥＳであるなら
ば、ＳＴ２−５に移り、図８に示すデータビットコード
の「ＤＮ（ダイリューションカット）」フラグを１に
し、「ＤＮ（ＡＤＣ）」フラグを０にする。ＮＯである
ならば、ＳＴ２−９に移り、データビットコードの「Ｄ
Ｎ（ダイリューションカット）」フラグを０にし、「Ｄ
Ｎ（ＡＤＣ）」フラグを１にする。それぞれの条件が、
セットされたならば、次の変更すべきシーケンスがある
か、最初の質問に戻ることとなる。
上で、ダイリューションカット制御を行なうか否かを決
定する選択プログラム（図７の５５ｃ）である。ここ
で、指定された情報が、図９のＳＴ１−７の判断に利用
される。さて、同図においてＳＴ２−１では、ダイリュ
ーションカット制御を行ないたいシーケンス番号を入力
する。ＳＴ２−２において、入力された値が、ダイリュ
ーションカットを行なって良いシーケンスであるかチェ
ックをし、違っていればＳＴ２−７にて終了要求である
かチェックする。終了要求であった場合機能終了とな
り、違っていれば、シーケンス番号が間違ったとのフォ
ルトメッセージを出力し、注意を喚起した上で（ＳＴ２
−８）、再度入力を捉がす。さて、対象となるシーケン
ス番号が入力されたならば、ＳＴ２−３にて、そのシー
ケンスにおいて、ダイリューションカット制御を行なう
か、質問する。その入力としては、ＹＥＳ又はＮＯのい
づれかのキー入力となる。ＳＴ２−４にて、入力される
と、ＳＴ２−５にてチェックする。ＹＥＳであるなら
ば、ＳＴ２−５に移り、図８に示すデータビットコード
の「ＤＮ（ダイリューションカット）」フラグを１に
し、「ＤＮ（ＡＤＣ）」フラグを０にする。ＮＯである
ならば、ＳＴ２−９に移り、データビットコードの「Ｄ
Ｎ（ダイリューションカット）」フラグを０にし、「Ｄ
Ｎ（ＡＤＣ）」フラグを１にする。それぞれの条件が、
セットされたならば、次の変更すべきシーケンスがある
か、最初の質問に戻ることとなる。
【００３６】以上述べた様に、本発明の実施例によれ
ば、従来の装置において得られていた濃度分布ではな
く、より広範囲な分布が得られることになり、ダウンタ
イムを少なくし装置の稼動率も向上し、しかも多品種に
渡る製品の製造も１つの装置にて可能になった。
ば、従来の装置において得られていた濃度分布ではな
く、より広範囲な分布が得られることになり、ダウンタ
イムを少なくし装置の稼動率も向上し、しかも多品種に
渡る製品の製造も１つの装置にて可能になった。
【００３７】なお、本発明は、前述した実施例に限定さ
れるものではなく、低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）、
プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）、光化学気相成長
（光ＣＶＤ）、スパッター等の薄膜成長装置にも同様に
適用し得るものである。
れるものではなく、低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）、
プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）、光化学気相成長
（光ＣＶＤ）、スパッター等の薄膜成長装置にも同様に
適用し得るものである。
【００３８】
【発明の効果】以上述べた本発明によれば、必要な濃度
のガスが反応部へ導かれ、薄膜成長する上で１つの装置
にて広範囲の濃度分布の製品が得られる薄膜成長装置を
提供できる。
のガスが反応部へ導かれ、薄膜成長する上で１つの装置
にて広範囲の濃度分布の製品が得られる薄膜成長装置を
提供できる。
【図１】本発明による縦型薄膜成長装置の概略構成を示
す斜視図。
す斜視図。
【図２】図１のガス制御装置の一例を示すブロック図。
【図３】図１のガスを制御するための第１の例を示す配
管系統図。
管系統図。
【図４】図１のガスを制御するための第２の例を示す配
管系統図。
管系統図。
【図５】図１のガスを制御するための第３の例を示す配
管系統図。
管系統図。
【図６】図１の流量と比抵抗の特性図。
【図７】図２の制御ユニットのブロック図。
【図８】図２のプロセス制御を実行する上で必要なシー
ケンス情報を示す図。
ケンス情報を示す図。
【図９】図７のプロセス制御の詳細を示すフローチャー
ト。
ト。
【図１０】図７のプロセスを実行する上のダイリューシ
ョンカット制御を行うか否かを決定する選択プログラ
ム。
ョンカット制御を行うか否かを決定する選択プログラ
ム。
【図１１】従来の薄膜成長装置における濃度制御方式の
第１の例を説明するためのブロック図。
第１の例を説明するためのブロック図。
【図１２】従来の薄膜成長装置における濃度制御方式の
第２の例を説明するためのブロック図。
第２の例を説明するためのブロック図。
【図１３】従来の薄膜成長装置における濃度制御方式の
第３の例を説明するためのブロック図。
第３の例を説明するためのブロック図。
Ｒ１，Ｒ２…反応炉、ＰＬ６Ａ…ベントライン、ＭＦＣ
３〜ＭＦＣ５…流量制御器、１１…高周波発生部、１
２，１３…気相成長装置の本体、１２，１３，１２Ａ，
１３Ａ…操作盤、１４…制御部、１４Ａ…操作パネル、
１５…ガス制御装置、２３…ガス供給源。
３〜ＭＦＣ５…流量制御器、１１…高周波発生部、１
２，１３…気相成長装置の本体、１２，１３，１２Ａ，
１３Ａ…操作盤、１４…制御部、１４Ａ…操作パネル、
１５…ガス制御装置、２３…ガス供給源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 赤井 賢治 山口県徳山市大字徳山字江口開作8231番 地５ 徳山セラミックス株式会社内 (72)発明者 宮本 俊和 山口県徳山市大字徳山字江口開作8231番 地５ 徳山セラミックス株式会社内 (72)発明者 野村 尚生 山口県徳山市大字徳山字江口開作8231番 地５ 徳山セラミックス株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−44012（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205
Claims (1)
- 【請求項１】 反応炉内にシリコン、ガラス等の基板を
配置し、ガス供給源からの少なくとも１種類の原料ガス
とキャリアガスを混合器により混合して所定濃度に希釈
された前記原料ガスの所定流量を、別に送られてくるキ
ャリアガスに合流させて前記反応炉内へ供給し、気相成
長により前記基板上に薄膜を形成する薄膜成長装置であ
って、 前記ガス供給源と前記混合器の間、前記反応炉と前記混
合器の間、前記混合器とベントラインとの間にそれぞれ
配設され、前記ガス流量を制御可能な第１，第２，第３
の流量制御器を有し、 前記第１の流量制御器により流量を制御され前記第２及
び第３の流量制御器の設定値に応じて前記混合器により
キャリアガスで所望濃度に希釈された原料ガスを、前記
第２の流量制御器を介して前記の別に送られてくるキャ
リアガスに合流させて反応炉へ供給可能にした薄膜成長
装置において、 前記ベントラインに通じる第３の流量制御器のガス流を
独立してしゃ断可能に構成すると共に、混合器への前記
キャリアガスの供給をしゃ断可能に構成し、前記ガス供
給源からの原料ガスを希釈することなく前記第１，第２
の流量制御器により流量を制御して前記の別に送られて
くるキャリアガスに合流させて反応炉へ供給可能にした
ことを特徴とする薄膜成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04123553A JP3128586B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 薄膜成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04123553A JP3128586B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 薄膜成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326406A JPH05326406A (ja) | 1993-12-10 |
| JP3128586B2 true JP3128586B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=14863454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04123553A Expired - Lifetime JP3128586B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 薄膜成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3128586B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6314234B1 (en) | 1993-12-18 | 2001-11-06 | Sony Corporation | System for storing and reproducing multiplexed data |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6573559B2 (ja) * | 2016-03-03 | 2019-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化原料供給装置及びこれを用いた基板処理装置 |
-
1992
- 1992-05-15 JP JP04123553A patent/JP3128586B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6314234B1 (en) | 1993-12-18 | 2001-11-06 | Sony Corporation | System for storing and reproducing multiplexed data |
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|---|---|
| JPH05326406A (ja) | 1993-12-10 |
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