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JP3129274B2 - High frequency circuit impedance conversion circuit - Google Patents
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JP3129274B2 - High frequency circuit impedance conversion circuit - Google Patents

High frequency circuit impedance conversion circuit

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JP3129274B2
JP3129274B2 JP10035459A JP3545998A JP3129274B2 JP 3129274 B2 JP3129274 B2 JP 3129274B2 JP 10035459 A JP10035459 A JP 10035459A JP 3545998 A JP3545998 A JP 3545998A JP 3129274 B2 JP3129274 B2 JP 3129274B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波信号と共に
バイアス電圧が供給される高周波能動素子の信号入力端
子におけるインピーダンスを変換する回路に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit for converting impedance at a signal input terminal of a high-frequency active element to which a bias voltage is supplied together with a high-frequency signal.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は高周波能動素子により構成した増
幅回路の周辺を示す平面図である。高周波能動素子10
2は具体的には例えば電界効果トランジスタ(FET)
であり、高周波信号の増幅回路を構成している。その信
号入力端子104(ゲート)は、絶縁材料から成る回路
基板106上に形成されたストリップライン108に接
続されている。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a plan view showing the periphery of an amplifier circuit constituted by high-frequency active elements. High frequency active element 10
2 is, for example, a field effect transistor (FET)
And constitutes a high-frequency signal amplifier circuit. The signal input terminal 104 (gate) is connected to a strip line 108 formed on a circuit board 106 made of an insulating material.

【0003】回路基板106上にはまたバイアス回路1
10が形成されており、このバイアス回路110は、イ
ンダクタンス素子112、チップコンデンサ114、な
らびに1/4波長オープンスタブ116により構成され
ている。インダクタンス素子112は回路基板106上
に形成した導電性を有する材料によるパターン(導電性
パターンともいう)から成り、その長さは上記高周波信
号の1/4波長にほぼ等しい。そして、インダクタンス
素子112の一端はストリップライン108の信号入力
端子104近傍の箇所に接続され、他端は電源接続点1
18に接続されている。チップコンデンサ114は低周
波用のものであって低周波数において十分に低インピー
ダンスとなるよう比較的大きい容量を有し、一端が電源
接続点118に接続され、他端は、回路基板106上に
形成されたグランドパターン120に接続されている。
1/4波長オープンスタブ116は、回路基板106上
に形成された導電性パターンから成り、その長さは高周
波信号の1/4波長にほぼ等しく、一端が電源接続点1
18に接続されている。
A bias circuit 1 is also provided on a circuit board 106.
The bias circuit 110 includes an inductance element 112, a chip capacitor 114, and a 1/4 wavelength open stub 116. The inductance element 112 is formed of a pattern made of a conductive material (also referred to as a conductive pattern) formed on the circuit board 106, and has a length substantially equal to a quarter wavelength of the high-frequency signal. One end of the inductance element 112 is connected to a location near the signal input terminal 104 of the strip line 108, and the other end is connected to the power supply connection point 1.
18. The chip capacitor 114 is for a low frequency, has a relatively large capacitance so as to have a sufficiently low impedance at a low frequency, and has one end connected to the power supply connection point 118 and the other end formed on the circuit board 106. Connected to the ground pattern 120.
The 波長 wavelength open stub 116 is formed of a conductive pattern formed on the circuit board 106, has a length substantially equal to 1 / wavelength of the high frequency signal, and has one end connected to the power supply connection point 1.
18.

【0004】このような構成において、高周波能動素子
102の信号入力端子104にはストリップライン10
8を通じてバイアス回路110より適切なバイアス電圧
が印加され、そしてストリップライン108を介して供
給された高周波信号が高周波能動素子102により増幅
される。
In such a configuration, a strip line 10 is connected to a signal input terminal 104 of the high-frequency active element 102.
An appropriate bias voltage is applied from the bias circuit 110 through 8, and the high-frequency signal supplied via the strip line 108 is amplified by the high-frequency active element 102.

【0005】ここで、インダクタンス素子112はバイ
アス電圧に対しては低インピーダンスであり、またチッ
プコンデンサ114はバイアス電圧に対しては高インピ
ーダンスであるため、電源接続点118に供給されたバ
イアス電圧は、インダクタンス素子112、チップコン
デンサ114、さらには1/4波長オープンスタブ11
6の影響を受けることなくそのまま高周波能動素子10
2の信号入力端子に供給される。一方、インダクタンス
素子112は高周波信号に対しては高インピーダンスで
あり、またオープンスタブ116の作用により高周波信
号に対して電源接続点118は等価的に開放されている
ことになり、さらに、チップコンデンサ114は低周波
用のものであって高周波信号に対しては性能的にコンデ
ンサとしての機能が低下し高インピーダンスとなるの
で、バイアス回路110が高周波信号に影響を与えるこ
とはない。
Here, since the inductance element 112 has a low impedance with respect to the bias voltage and the chip capacitor 114 has a high impedance with respect to the bias voltage, the bias voltage supplied to the power supply connection point 118 is Inductance element 112, chip capacitor 114, and 1/4 wavelength open stub 11
High-frequency active element 10 without being affected by 6
2 signal input terminals. On the other hand, the inductance element 112 has a high impedance with respect to the high-frequency signal, and the power supply connection point 118 is equivalently opened with respect to the high-frequency signal by the action of the open stub 116. Is for low frequency, and the function as a capacitor deteriorates for high frequency signals and becomes high impedance, so that the bias circuit 110 does not affect high frequency signals.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、電源接続点1
18より供給されるバイアス電圧に低周波ノイズが混入
している場合、低周波ノイズはチップコンデンサ114
だけでは必ずしも十分には抑圧されず、低周波ノイズに
対して低インピーダンスのインダクタンス素子112を
通じて高周波能動素子102に入力されて悪影響を及ぼ
すことがある。特に近年、高周波能動素子102の高出
力化が進み、バイアス電流が大きくなっているため、バ
イアスに混入する低周波ノイズの電力レベルも大きく、
その結果、バイアス回路110および高周波能動素子1
02の共振により高周波能動素子102に印加されるバ
イアス電圧が低周波数で振動し、高周波信号に対して悪
影響を与えるという問題が生じている。この問題を解決
する1つの方法は、電源接続点118から信号入力端子
104までのインピーダンスをできるだけ下げることで
あるが、一方、このインピーダンスは高周波信号に対し
ては高くなければならず、この条件を満たしつつ電源接
続点118から信号入力端子104までのインピーダン
スを下げることは困難である。
However, the power supply connection point 1
When low-frequency noise is mixed in the bias voltage supplied from the
Is not always sufficiently suppressed, and low-frequency noise may be input to the high-frequency active element 102 through the low-impedance inductance element 112 and adversely affect the low-frequency noise. In particular, in recent years, since the output of the high-frequency active element 102 has been increased and the bias current has been increased, the power level of low-frequency noise mixed into the bias has also been increased.
As a result, the bias circuit 110 and the high-frequency active element 1
There is a problem that the bias voltage applied to the high-frequency active element 102 oscillates at a low frequency due to the resonance 02, and adversely affects the high-frequency signal. One way to solve this problem is to reduce the impedance from the power supply connection point 118 to the signal input terminal 104 as much as possible, while this impedance must be high for high frequency signals. It is difficult to lower the impedance from the power supply connection point 118 to the signal input terminal 104 while satisfying the conditions.

【0007】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、その目的は、バイアス電圧に混入して
いる低周波ノイズを抑えてバイアス電圧が低周波数で振
動することを防止する高周波回路のインピーダンス変換
回路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to suppress a low frequency noise mixed in a bias voltage and prevent a bias voltage from oscillating at a low frequency. An object of the present invention is to provide an impedance conversion circuit for a circuit.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、高周波信号と共にバイアス電圧が供給される
高周波能動素子の信号入力端子におけるインピーダンス
を変換する回路であって、インダクタンス素子とコンデ
ンサとの1つまたは複数の直列回路から成り、前記直列
回路は前記信号入力端子とグランドとの間に接続され、
前記インダクタンス素子は、絶縁材料から成る回路基板
上に形成された導電性パターンにより構成され、前記導
電性パターンの長さは前記高周波信号の1/4波長にほ
ぼ等しく、前記コンデンサは、前記高周波信号より低い
周波数でほぼ短絡に等しいインピーダンスを呈するとと
もに一端が前記インダクタンス素子の一端に接続され、
前記信号入力端子には、前記回路基板上に形成されたス
トリップラインを通じて前記高周波信号が供給され、前
記バイアス電圧はバイアス回路より供給され、前記バイ
アス回路は、前記回路基板上に設けられた電源接続点
と、前記回路基板上に形成されて前記電源接続点と前記
ストリップラインとを接続し長さが前記高周波信号の1
/4波長にほぼ等しい第2の導電性パターンと、前記回
路基板上に形成されたグランドパターンと前記電源接続
点との間に接続された第2のコンデンサとにより構成さ
れていることを特徴とする。インダクタンス素子は高周
波信号に対しては高インピーダンスであるため、上記直
列回路が高周波能動素子の信号入力端子に接続されてい
ても、高周波信号にはなんら影響はない。また、上記直
列回路はコンデンサを含み、したがってバイアス電流は
流れないので、バイアス電圧が変動するなどの影響も生
じない。しかし、低周波ノイズに対してはインダクタン
ス素子は低インピーダンスであり、コンデンサも同様に
低インピーダンスであるため、信号入力端子は低周波ノ
イズに対しては低インピーダンスとなり、グランドにシ
ョートされている状態と等価になる。その結果、低周波
ノイズが高周波能動素子へ入力されることが阻止され、
低周波ノイズにより引き起こされる低周波数の振動を防
止することができる。
In order to achieve the above object, the present invention provides a circuit for converting impedance at a signal input terminal of a high-frequency active element to which a bias voltage is supplied together with a high-frequency signal. Comprising one or more series circuits, wherein the series circuit is connected between the signal input terminal and ground,
The inductance element is formed of a conductive pattern formed on a circuit board made of an insulating material, the length of the conductive pattern is substantially equal to a quarter wavelength of the high-frequency signal, and the capacitor is connected to the high-frequency signal. Exhibiting an impedance substantially equal to a short circuit at a lower frequency and having one end connected to one end of the inductance element,
The signal input terminal is supplied with the high-frequency signal through a strip line formed on the circuit board, the bias voltage is supplied from a bias circuit, and the bias circuit is connected to a power supply provided on the circuit board. A point, which is formed on the circuit board, connects the power supply connection point to the strip line, and has a length of one of the high-frequency signals.
A second conductive pattern substantially equal to パ タ ー ン wavelength, and a second capacitor connected between the ground pattern formed on the circuit board and the power supply connection point. I do. Since the inductance element has a high impedance with respect to a high-frequency signal, even if the series circuit is connected to the signal input terminal of the high-frequency active element, there is no effect on the high-frequency signal. Further, since the series circuit includes a capacitor and does not flow a bias current, there is no influence such as a fluctuation of a bias voltage. However, since the inductance element has low impedance for low-frequency noise and the capacitor has low impedance as well, the signal input terminal has low impedance for low-frequency noise, and it is shorted to ground. Become equivalent. As a result, low frequency noise is prevented from being input to the high frequency active element,
Low frequency vibration caused by low frequency noise can be prevented.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を実施例
にもとづき図面を参照して説明する。図1は本発明によ
る高周波回路のインピーダンス変換回路の一例が接続さ
れた高周波能動素子の周辺を示す平面図である。図中、
図3と同一の要素には同一の符号が付されており、それ
らに関する詳しい説明はここでは省略する。図1が図3
と異なるのは高周波能動素子102のインピーダンス変
換回路2が追加されている点である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described based on embodiments with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing the periphery of a high-frequency active element to which an example of an impedance conversion circuit of a high-frequency circuit according to the present invention is connected. In the figure,
The same elements as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted here. FIG. 1 is FIG.
The difference is that the impedance conversion circuit 2 of the high-frequency active element 102 is added.

【0010】この高周波回路のインピーダンス変換回路
2は、高周波信号と共にバイアス電圧が供給される高周
波能動素子102の信号入力端子104におけるインピ
ーダンスを変換する回路であって、インダクタンス素子
4とチップコンデンサ6との直列回路8から成り、直列
回路8は高周波能動素子102の信号入力端子104
と、回路基板106上に形成されたグランドパターン1
0との間に接続されている。高周波信号は例えばマイク
ロ波帯やミリ波帯の信号であり、高周波能動素子102
は本実施例では例えば電界効果トランジスタであって本
実施例では増幅回路を構成している。そして上記信号入
力端子104は、高周波能動素子102のゲートであ
る。なお、高周波能動素子102はバイポーラトランジ
スタであってもよく、その場合、信号入力端子104は
ベースとなる。
The impedance conversion circuit 2 of this high-frequency circuit is a circuit for converting the impedance at the signal input terminal 104 of the high-frequency active element 102 to which the bias voltage is supplied together with the high-frequency signal. The series circuit 8 includes a signal input terminal 104 of the high-frequency active element 102.
And the ground pattern 1 formed on the circuit board 106
0. The high-frequency signal is, for example, a signal in a microwave band or a millimeter-wave band.
Is a field effect transistor in this embodiment, and constitutes an amplifier circuit in this embodiment. The signal input terminal 104 is a gate of the high-frequency active element 102. Note that the high-frequency active element 102 may be a bipolar transistor, in which case the signal input terminal 104 serves as a base.

【0011】そして、インダクタンス素子4は、絶縁材
料から成る回路基板106上に形成された導電性パター
ンにより構成され、導電性パターンの長さは、高周波能
動素子102に入力される高周波信号の1/4波長にほ
ぼ等しい。また、チップコンデンサ6は低周波数におい
て十分に低インピーダンスとなるよう比較的大きい容量
を有している。
The inductance element 4 is formed of a conductive pattern formed on a circuit board 106 made of an insulating material, and the length of the conductive pattern is 1 / the length of a high-frequency signal input to the high-frequency active element 102. It is almost equal to 4 wavelengths. The chip capacitor 6 has a relatively large capacitance so as to have a sufficiently low impedance at a low frequency.

【0012】このような構成において、インダクタンス
素子4は高周波信号に対しては高インピーダンスである
ため、上記直列回路8(すなわち高周波能動素子102
のインピーダンス変換回路2)が高周波能動素子102
の信号入力端子104に接続されていても、高周波信号
にはなんら影響はない。また、上記直列回路はチップコ
ンデンサ6を含み、したがってバイアス電流は流れない
ので、バイアス電圧が変動するなどの影響も生じない。
しかし、バイアス回路110からのバイアス電圧に含ま
れる低周波ノイズに対してはインダクタンス素子4は低
インピーダンスであり、チップコンデンサ6も同様に低
インピーダンスであるため、信号入力端子104におけ
るインピーダンスは低周波ノイズに対しては低インピー
ダンスとなり、信号入力端子104はグランドにショー
トされている状態と等価になる。その結果、低周波ノイ
ズが高周波能動素子102へ入力されることが阻止さ
れ、低周波ノイズにより引き起こされる低周波数の振動
を防止することができる。
In such a configuration, since the inductance element 4 has a high impedance to a high-frequency signal, the series circuit 8 (that is, the high-frequency active element 102
Of the high-frequency active element 102
Connected to the signal input terminal 104 has no effect on the high-frequency signal. Further, since the series circuit includes the chip capacitor 6 and therefore does not flow the bias current, there is no influence such as a change in the bias voltage.
However, since the inductance element 4 has low impedance and the chip capacitor 6 also has low impedance with respect to low frequency noise included in the bias voltage from the bias circuit 110, the impedance at the signal input terminal 104 is low frequency noise. , And becomes equivalent to a state in which the signal input terminal 104 is short-circuited to the ground. As a result, low-frequency noise is prevented from being input to the high-frequency active element 102, and low-frequency vibration caused by low-frequency noise can be prevented.

【0013】なお、本実施例では、インダクタンス素子
4とチップコンデンサ6との直列回路が1つのみ接続さ
れているとしたが、図2に示したように、ストリップラ
イン108とグランドパターン10との間に複数の直列
回路8を接続することで、低周波ノイズに対する信号入
力端子104におけるインピーダンスをさらに低下さ
せ、一層の振動防止効果を得ることができる。
In this embodiment, only one series circuit of the inductance element 4 and the chip capacitor 6 is connected, but as shown in FIG. By connecting a plurality of series circuits 8 therebetween, the impedance at the signal input terminal 104 against low-frequency noise can be further reduced, and a further vibration prevention effect can be obtained.

【0014】[0014]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、高周波信
号と共にバイアス電圧が供給される高周波能動素子の信
号入力端子におけるインピーダンスを変換する回路であ
って、インダクタンス素子とコンデンサとの1つまたは
複数の直列回路から成り、前記直列回路は前記信号入力
端子とグランドとの間に接続され、前記インダクタンス
素子は、絶縁材料から成る回路基板上に形成された導電
性パターンにより構成され、前記導電性パターンの長さ
は前記高周波信号の1/4波長にほぼ等しく、前記コン
デンサは、前記高周波信号より低い周波数でほぼ短絡に
等しいインピーダンスを呈するとともに一端が前記イン
ダクタンス素子の一端に接続され、前記信号入力端子に
は、前記回路基板上に形成されたストリップラインを通
じて前記高周波信号が供給され、前記バイアス電圧はバ
イアス回路より供給され、前記バイアス回路は、前記回
路基板上に設けられた電源接続点と、前記回路基板上に
形成されて前記電源接続点と前記ストリップラインとを
接続し長さが前記高周波信号の1/4波長にほぼ等しい
第2の導電性パターンと、前記回路基板上に形成された
グランドパターンと前記電源接続点との間に接続された
第2のコンデンサとにより構成されていることを特徴と
する。そして、インダクタンス素子は高周波信号に対し
ては高インピーダンスであるため、上記直列回路が高周
波能動素子の信号入力端子に接続されていても、高周波
信号にはなんら影響はない。また、上記直列回路はコン
デンサを含み、したがってバイアス電流は流れないの
で、バイアス電圧が変動するなどの影響も生じない。し
かし、低周波ノイズに対してはインダクタンス素子は低
インピーダンスであり、コンデンサも同様に低インピー
ダンスであるため、信号入力端子は低周波ノイズに対し
ては低インピーダンスとなり、グランドにショートされ
ている状態と等価になる。その結果、低周波ノイズが高
周波能動素子へ入力されることが阻止され、低周波ノイ
ズにより引き起こされる低周波数の振動を防止すること
ができる。
As described above, the present invention relates to a circuit for converting impedance at a signal input terminal of a high-frequency active element to which a bias voltage is supplied together with a high-frequency signal, wherein one or more of an inductance element and a capacitor are provided. Wherein the series circuit is connected between the signal input terminal and the ground, and the inductance element is formed by a conductive pattern formed on a circuit board made of an insulating material; The length of the capacitor is substantially equal to a quarter wavelength of the high-frequency signal, the capacitor has an impedance substantially equal to a short circuit at a lower frequency than the high-frequency signal, and one end is connected to one end of the inductance element. The high-frequency signal through a strip line formed on the circuit board. The bias voltage is supplied from a bias circuit, and the bias circuit includes a power supply connection point provided on the circuit board, a power supply connection point formed on the circuit board, and the strip line. A second conductive pattern connected and having a length substantially equal to a quarter wavelength of the high frequency signal, and a second capacitor connected between a ground pattern formed on the circuit board and the power supply connection point And characterized in that: Since the inductance element has a high impedance with respect to the high-frequency signal, even if the series circuit is connected to the signal input terminal of the high-frequency active element, there is no effect on the high-frequency signal. Further, since the series circuit includes a capacitor and does not flow a bias current, there is no influence such as a change in a bias voltage. However, since the inductance element has low impedance for low-frequency noise and the capacitor has low impedance as well, the signal input terminal has low impedance for low-frequency noise, and it is shorted to ground. Become equivalent. As a result, low-frequency noise is prevented from being input to the high-frequency active element, and low-frequency vibration caused by low-frequency noise can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による高周波回路のインピーダンス変換
回路の一例が接続された高周波能動素子の周辺を示す平
面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a periphery of a high-frequency active element to which an example of an impedance conversion circuit of a high-frequency circuit according to the present invention is connected.

【図2】本発明の他の実施例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing another embodiment of the present invention.

【図3】高周波能動素子により構成した増幅回路の周辺
を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing the periphery of an amplifier circuit constituted by high-frequency active elements.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2……インピーダンス変換回路、4……インダクタンス
素子、6……チップコンデンサ、8……直列回路、10
……グランドパターン、102……高周波能動素子、1
04……信号入力端子、106……回路基板、108…
…ストリップライン、110……バイアス回路、112
……インダクタンス素子、114……チップコンデン
サ、116……1/4波長オープンスタブ、118……
電源接続点、120……グランドパターン。
2 ... impedance conversion circuit, 4 ... inductance element, 6 ... chip capacitor, 8 ... series circuit, 10
... Ground pattern, 102 high-frequency active element, 1
04 ... signal input terminal, 106 ... circuit board, 108 ...
... strip line, 110 ... bias circuit, 112
...... Inductance element 114 114 Chip capacitor 116 1/4 wavelength open stub 118
Power supply connection point, 120: ground pattern.

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 高周波信号と共にバイアス電圧が供給さ
れる高周波能動素子の信号入力端子におけるインピーダ
ンスを変換する回路であって、 インダクタンス素子とコンデンサとの1つまたは複数の
直列回路から成り、 前記直列回路は前記信号入力端子とグランドとの間に接
続され 前記インダクタンス素子は、絶縁材料から成る回路基板
上に形成された導電性パターンにより構成され、前記導
電性パターンの長さは前記高周波信号の1/4波長にほ
ぼ等しく、 前記コンデンサは、前記高周波信号より低い周波数でほ
ぼ短絡に等しいインピーダンスを呈するとともに一端が
前記インダクタンス素子の一端に接続され、 前記信号入力端子には、前記回路基板上に形成されたス
トリップラインを通じて前記高周波信号が供給され、 前記バイアス電圧はバイアス回路より供給され、前記バ
イアス回路は、前記回路基板上に設けられた電源接続点
と、前記回路基板上に形成されて前記電源接続点と前記
ストリップラインとを接続し長さが前記高周波信号の1
/4波長にほぼ等しい第2の導電性パターンと、前記回
路基板上に形成されたグランドパターンと前記電源接続
点との間に接続された第2のコンデンサとにより構成
れていることを特徴とする高周波回路のインピーダンス
変換回路。
1. A circuit for converting impedance at a signal input terminal of a high-frequency active element to which a bias voltage is supplied together with a high-frequency signal, comprising: one or more series circuits of an inductance element and a capacitor; is connected between said signal input terminal and ground, the inductance element, the circuit board made of an insulating material
The conductive pattern formed on the conductive pattern,
The length of the conductive pattern is approximately 1/4 wavelength of the high frequency signal.
The capacitors are approximately equal at a lower frequency than the high frequency signal.
Has the same impedance as a short circuit and one end
The signal input terminal is connected to one end of the inductance element, and the signal input terminal is connected to a switch formed on the circuit board.
The high-frequency signal is supplied through a trip line, and the bias voltage is supplied from a bias circuit.
The bias circuit is a power supply connection point provided on the circuit board.
And the power supply connection point formed on the circuit board and the
Connected to a strip line and the length is one of the high frequency signals
A second conductive pattern substantially equal to 4 wavelength;
Ground pattern formed on the circuit board and the power connection
An impedance conversion circuit for a high-frequency circuit, comprising a second capacitor connected between the point and a second capacitor .
【請求項2】 前記高周波信号はマイクロ波帯またはミ
リ波帯の信号であることを特徴とする請求項1記載の高
周波回路のインピーダンス変換回路。
2. The impedance conversion circuit according to claim 1, wherein the high-frequency signal is a signal in a microwave band or a millimeter wave band.
【請求項3】 前記高周波能動素子はトランジスタであ
ることを特徴とする請求項1記載の高周波回路のインピ
ーダンス変換回路。
3. The impedance conversion circuit according to claim 1, wherein the high-frequency active element is a transistor.
【請求項4】 前記信号入力端子は前記トランジスタの
ベースまたはゲートであることを特徴とする請求項3記
載の高周波回路のインピーダンス変換回路。
4. The impedance conversion circuit according to claim 3, wherein the signal input terminal is a base or a gate of the transistor.
【請求項5】 前記トランジスタは増幅回路を構成して
いることを特徴とする請求項3記載の高周波回路のイン
ピーダンス変換回路。
5. The impedance conversion circuit according to claim 3, wherein the transistor forms an amplification circuit.
【請求項6】 前記コンデンサはチップコンデンサであ
ることを特徴とする請求項1記載の高周波回路のインピ
ーダンス変換回路。
6. The impedance conversion circuit according to claim 1, wherein said capacitor is a chip capacitor.
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