JP3130802B2 - Liquid crystal display - Google Patents
Liquid crystal displayInfo
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- JP3130802B2 JP3130802B2 JP21872796A JP21872796A JP3130802B2 JP 3130802 B2 JP3130802 B2 JP 3130802B2 JP 21872796 A JP21872796 A JP 21872796A JP 21872796 A JP21872796 A JP 21872796A JP 3130802 B2 JP3130802 B2 JP 3130802B2
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置、特
に薄膜トランジスタ(以下、TFTという)を使用した
アクティブマトリクス方式液晶表示装置に関する。The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to an active matrix type liquid crystal display device using thin film transistors (hereinafter, referred to as TFTs).
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶表示装置は、液晶を2枚の電極で挾
み、2枚の電極間に電界を印加することにより液晶を駆
動し、液晶パネルに表示を行うものであり、電極に与え
た電荷を次フレームまで保持するアクティブマトリクス
方式液晶表示装置が開発されている。2. Description of the Related Art In a liquid crystal display device, a liquid crystal is sandwiched between two electrodes, an electric field is applied between the two electrodes to drive the liquid crystal, and display is performed on a liquid crystal panel. An active matrix type liquid crystal display device which retains the charged electric charge until the next frame has been developed.
【0003】図6を参照して、アクティブマトリクス方
式液晶表示装置の一般的な構成について説明する。図6
(a),(b)に示すように、アクティブマトリクス方
式液晶表示装置は、液晶パネル102と、光源306
と、駆動用回路402とから構成されている。液晶パネ
ル102は図6(a)に示すように、表示部106と、
引き出し配線部103と、端子ブロック104とからな
っている。光源306は、図6(b)に示すように、蛍
光管101と、リフレクタ107と、導光板110とか
らなっている。With reference to FIG. 6, a general configuration of an active matrix type liquid crystal display device will be described. FIG.
As shown in (a) and (b), the active matrix type liquid crystal display device includes a liquid crystal panel 102 and a light source 306.
And a driving circuit 402. As shown in FIG. 6A, the liquid crystal panel 102 includes a display unit 106,
It is composed of a lead wiring section 103 and a terminal block 104. As shown in FIG. 6B, the light source 306 includes the fluorescent tube 101, the reflector 107, and the light guide plate 110.
【0004】図7(a)は、図6(a)のII部を拡大
した拡大図、図7(b)は、図7(a)のh−h’線断
面図である。図7(a)に示すように、図6(a)の端
子ブロック104には、液晶パネル102への電圧印加
のための端子109が短冊状に設置されており、図6
(a)の液晶パネル102の表示部106と端子109
を接続するため、図6(a)の引き出し配線部103に
は、複数の引き出し配線108が設置されている。FIG. 7A is an enlarged view of a portion II in FIG. 6A, and FIG. 7B is a sectional view taken along the line hh 'in FIG. 7A. As shown in FIG. 7A, terminals 109 for applying a voltage to the liquid crystal panel 102 are provided in a strip shape in the terminal block 104 of FIG.
Display unit 106 of the liquid crystal panel 102 (a) and the terminal 109
6A, a plurality of lead wirings 108 are provided in the lead wiring part 103 of FIG. 6A.
【0005】図8は、図6(a)のd−d’線断面図で
ある。TFT側ガラス基板301上には、透明画素電極
303がマトリクス状に形成され、対向側ガラス基板3
08上には、透明対向電極302が形成されている。FIG. 8 is a sectional view taken along the line dd 'of FIG. On the TFT side glass substrate 301, transparent pixel electrodes 303 are formed in a matrix, and the opposite side glass substrate 3
On 08, a transparent counter electrode 302 is formed.
【0006】これらTFT側ガラス基板301,対向側
ガラス基板308の周辺部がシール304で貼り合わさ
れ、基板301,308間に液晶305が封入され、T
FT側ガラス基板301の下にTFT側偏光板307
が、対向側ガラス基板308上に対向側偏光板309が
貼り付けられ、液晶パネル102が完成されている。[0006] The peripheral portions of the TFT side glass substrate 301 and the opposite side glass substrate 308 are bonded together with a seal 304, and a liquid crystal 305 is sealed between the substrates 301 and 308.
A TFT-side polarizing plate 307 is provided under the FT-side glass substrate 301.
However, the opposing polarizing plate 309 is attached on the opposing glass substrate 308, and the liquid crystal panel 102 is completed.
【0007】光源306の蛍光管101から発せられた
光がリフレクタ107で導光坂110側に反射され、導
光坂110から光が液晶パネル102に放射される。ま
た液晶パネル102は、外周縁部、すなわち電極30
2,303より外側がシールド701により覆われてお
り、シールド701で覆われていない領域が表示部10
0として機能するようになっている。The light emitted from the fluorescent tube 101 of the light source 306 is reflected by the reflector 107 toward the light guide slope 110, and the light is emitted from the light guide slope 110 to the liquid crystal panel 102. The liquid crystal panel 102 has an outer peripheral portion, that is, the electrode 30.
2,303 and outside covered by the shield 701 than a region not covered by the seal de 701 display unit 10
It functions as zero.
【0008】図9は、図6(a)のe−e’線断面図で
ある。透明画素電極303は、引き出し配線108を介
して端子109に接続され、端子109には、駆動用ド
ライバを搭載したTCP401が接続されている。FIG. 9 is a sectional view taken along line ee ′ of FIG. The transparent pixel electrode 303 is connected to a terminal 109 via a lead wiring 108, and the terminal 109 is connected to a TCP 401 on which a driving driver is mounted.
【0009】次に、液晶表示装置の動作につき説明す
る。図6に示すように、液晶パネル102内の表示部1
06に、駆動用回路402からの電気信号が駆動用ドラ
イバを搭載したTCP401を介して電圧印加される。
図8に示すように液晶パネル表示部106の対向電極3
02と透明画素電極303間に電圧が印加されると、対
向電極302と画素電極303間の電位差により液晶3
05に電界が作用する。この際、液晶305の電気工学
的特性と偏光板307,309の特性により、液晶パネ
ル102の光透過率が変化する。すなわち、光源306
からの光が液晶パネル102を透過する光量は、駆動用
回路402からの電気信号により制御される。Next, the operation of the liquid crystal display device will be described. As shown in FIG. 6, the display unit 1 in the liquid crystal panel 102
At 06, an electric signal from the driving circuit 402 is applied with a voltage via the TCP 401 equipped with a driving driver.
As shown in FIG. 8, the counter electrode 3 of the liquid crystal panel display unit 106
02 and the transparent pixel electrode 303, the potential difference between the counter electrode 302 and the pixel electrode 303 causes the liquid crystal 3.
An electric field acts on 05. At this time, the light transmittance of the liquid crystal panel 102 changes depending on the electric characteristics of the liquid crystal 305 and the characteristics of the polarizing plates 307 and 309. That is, the light source 306
The amount of light transmitted from the liquid crystal panel 102 is controlled by an electric signal from the driving circuit 402.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る液晶表示装置は、対をなす基板と、液
晶と、遮光パターンとを有する液晶表示装置であって、
対をなす一方の基板は、ガラス基板上にマトリクス状に
透明画素電極が配置され、その透明画素電極に電圧を印
加するために設けられた引き出し配線部及び端子ブロッ
クを有するものであり、前記引き出し配線部及び端子ブ
ロックは、遮光性を有するものであり、対をなす他方の
基板は、ガラス基板上に対向電極が形成されたものであ
り、液晶は、対をなす基板間に封入されたものであり、
遮光パターンは、前記引き出し配線部に設けられる引き
出し配線及び端子ブロックに設けられる端子とは異なる
導体層からなり、前記引き出し配線部の引き出し配線間
及び前記端子ブロック間に形成され、引き出し配線間及
び端子ブロック間の通過光を遮光するものである。In order to achieve the above object, a liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device having a pair of substrates, a liquid crystal, and a light-shielding pattern,
One substrate of the pair is disposed a matrix on the transparent pixel electrode on a glass substrate, which has a lead-out wiring portion and the terminal block is provided for applying a voltage to the transparent pixel electrodes, the drawer Wiring section and terminal block
The lock has a light-shielding property, the other substrate forming a pair has a counter electrode formed on a glass substrate, and the liquid crystal is sealed between the paired substrates.
The light-shielding pattern is formed of a conductor layer different from a lead provided in the lead-out wiring part and a terminal provided in the terminal block. The light-shielding pattern is formed between lead-out wirings in the lead-out wiring part and between the terminal blocks. It blocks light passing between the blocks.
【0011】このため、図6(a)に示す表示部106
の外縁部f−f’で前記光漏れによる輝度ムラが生ず
る。特に、遮光部分のない端子ブロック104間の付近
では、遮光部分が密である引き出し配線部103付近よ
りも表示画面に漏れる光量が多いため、より強い輝度ム
ラとなる。For this reason, the display unit 106 shown in FIG.
At the outer edge ff ′ of the light-emitting device causes uneven brightness due to the light leakage. In particular, a larger amount of light leaks to the display screen in the vicinity between the terminal blocks 104 where there is no light-shielding portion than in the vicinity of the lead-out wiring portion 103 where the light-shielding portion is dense.
【0012】図5(b)に、従来例における表示部10
6の周辺から漏れる光量分布を示す。f1〜f6は図6
の外縁部f−f’の各位置に相当する。FIG. 5B shows a display unit 10 according to a conventional example.
6 shows a light amount distribution leaking from the vicinity of No. 6; f1 to f6 are shown in FIG.
Corresponds to each position of the outer edge ff ′.
【0013】この輝度ムラの改善策をした公知例として
は、図8及び図9のシール304を黒色に着色し遮光す
る方式(特開平7−13171号公報),対向側ガラス
基板308上にシール304の形成部分を覆うように遮
光膜を形成する方式(特開平5−224196号公報)
がある。As a known example of the measure for improving the luminance unevenness, a method of coloring the seal 304 of FIGS. 8 and 9 black and shielding light (Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 7-13171) is known. A method of forming a light-shielding film so as to cover a portion where 304 is formed (Japanese Patent Laid-Open No. 5-224196).
There is.
【0014】しかしながら、図8及び図9のシール30
4を黒色に着色し遮光する方式では、その遮光効果は、
シール304に入射する光に限られる。又、対向側ガラ
ス基板308上にシール304の形成部分を覆うように
遮光膜を形成する方式では、TFT側ガラス基板301
を透過しシールド701と対向側ガラス基板308で反
射して表示部106へ漏れる光を遮光できないという問
題があった。However, the seal 30 of FIGS.
In the method in which 4 is colored black to block light, the light blocking effect is as follows.
The light is limited to light incident on the seal 304. In a method in which a light-shielding film is formed on the opposing glass substrate 308 so as to cover the portion where the seal 304 is formed, the TFT glass substrate 301
There is a problem that it is not possible to block light leaking to the display unit 106 by transmitting the light through the shield 701 and the opposite glass substrate 308.
【0015】本発明の目的は、アクティブマトリクス方
式液晶表示装置において、特別なプロセス・材料を追加
せずに、液晶表示装置の光源設置部付近の表示部外縁で
の明るさバラツキを改善した液晶表示装置を提供するこ
とにある。An object of the present invention is to provide an active matrix type liquid crystal display device in which the brightness variation at the outer edge of the display portion near the light source installation portion of the liquid crystal display device is improved without adding any special process or material. It is to provide a device.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る液晶表示装置は、対をなす基板と、液
晶と、遮光パターンとを有する液晶表示装置であって、
対をなす一方の基板は、ガラス基板上にマトリクス状に
透明画素電極が配置され、その透明画素電極に電圧を印
加するために設けられた引き出し配線部及び端子ブロッ
クを有するものであり、対をなす他方の基板は、ガラス
基板上に対向電極が形成されたものであり、液晶は、対
をなす基板間に封入されたものであり、遮光パターン
は、前記引き出し配線部に設けられる引き出し配線及び
端子ブロックに設けられる端子とは異なる導体層からな
り、前記引き出し配線間及び前記端子ブロック間に形成
され、引き出し配線間及び端子ブロック間の通過光を遮
光するものである。In order to achieve the above object, a liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device having a pair of substrates, a liquid crystal, and a light-shielding pattern,
One of the substrates forming a pair has transparent pixel electrodes arranged in a matrix on a glass substrate, and has a lead wiring portion and a terminal block provided for applying a voltage to the transparent pixel electrode. The other substrate to be formed is a substrate in which a counter electrode is formed on a glass substrate, the liquid crystal is sealed between the paired substrates, and the light-shielding pattern is a wiring provided in the wiring wiring portion. It is made of a conductor layer different from the terminals provided in the terminal blocks, and is formed between the lead wirings and between the terminal blocks, and blocks light passing between the lead wirings and between the terminal blocks.
【0017】また前記引き出し配線及び端子と遮光パタ
ーンは、液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタの導
体層で形成されているものである。Further, the lead-out wiring, the terminal and the light-shielding pattern are formed by a conductor layer of a thin-film transistor constituting a liquid crystal display device.
【0018】[0018]
【作用】本発明においては、図3に示すように、蛍光管
101から発して表示部106の周辺から表示部106
に斜めに侵入する漏れ光線601と、TFT側ガラス基
板301を透過しシールド701と対向側ガラス基板3
08で反射して表示部106へ侵入する漏れ光線601
は、端子109・引き出し配線108と、端子109聞
及び引き出し配線108間に設置した遮光パターン10
5とで遮光され、表示部106側に漏れることはない。
このため、図1のc−c’部での表示部への漏れ光量の
位置バラツキは、従来例と比較して減少・改善される。According to the present invention, as shown in FIG.
Ray 601 obliquely penetrates into the glass substrate 301 and the shield 701 that passes through the glass substrate 301 on the TFT side and the glass substrate 3 on the opposite side.
08 and leaked light 601 that enters the display unit 106
The light-shielding pattern 10 provided between the terminal 109 and the lead-out wiring 108 and the terminal 109 and the lead-out wiring 108
5 does not leak to the display unit 106 side.
For this reason, the position variation of the amount of light leaked to the display section at the section cc ′ in FIG. 1 is reduced and improved as compared with the conventional example.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図1(a)は、本発明の
一実施形態を示す平面図、図1(b)は、同側面図であ
る。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a plan view showing an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a side view thereof.
【0020】図に示すように本発明に係る液晶表示装置
は、液晶パネル102と、光源306と、駆動用回路4
02とから構成されている。As shown in the drawing, the liquid crystal display device according to the present invention comprises a liquid crystal panel 102, a light source 306, and a driving circuit 4.
02.
【0021】液晶パネル102は、表示部106と、引
き出し配線部103と駆動用回路402とからなってい
る。液晶パネル102の表示部106は、上下に重ね合
わされた対向側ガラス基板308と、TFT側ガラス基
板301とを有している。The liquid crystal panel 102 includes a display section 106, a lead wiring section 103, and a driving circuit 402. The display section 106 of the liquid crystal panel 102 has an opposite glass substrate 308 and a TFT glass substrate 301 that are vertically stacked.
【0022】TFT側ガラス基板301には、裏面側に
TFT側偏光板307が形成され、表面側に透明画素電
極304がマトリクス状に形成されている。また対向側
ガラス基板308には、裏面側に対向透明電極302が
形成され、表面側に対向側偏光板309が形成されてい
る。On the TFT side glass substrate 301, a TFT side polarizing plate 307 is formed on the back side, and transparent pixel electrodes 304 are formed in a matrix on the front side. On the opposite side glass substrate 308, an opposite transparent electrode 302 is formed on the back side, and an opposite side polarizing plate 309 is formed on the front side.
【0023】また、対向側がラス基板308とTFT側
ガラス基板301との間は、シール304により外縁側
が封止され、その隙間内に液晶305が封入されてい
る。The outer edge side is sealed by a seal 304 between the lath substrate 308 and the TFT-side glass substrate 301 on the opposite side, and a liquid crystal 305 is sealed in the gap.
【0024】また液晶パネル102は、その周辺側がシ
ールド701で覆われており、シールド701によって
画像表示が可能な表示部106が画成されている。シー
ルド701により被覆された液晶パネル102の外縁側
には、引き出し配線部103及び端子ブロック104が
設けられている。The peripheral side of the liquid crystal panel 102 is covered with a shield 701, and the shield 701 defines a display section 106 capable of displaying an image. On the outer edge side of the liquid crystal panel 102 covered by the shield 701, a lead wiring portion 103 and a terminal block 104 are provided.
【0025】図2(a),(b)に示すように引き出し
配線部103には、複数の引き出し配線108が設けら
れ、端子ブロック104には、各引き出し配線108に
接続された複数の端子109が設けられている。引き出
し配線108間及び端子ブロック104間には、隙間が
あり、此部に光源306からの光線601が透過する余
地がある。As shown in FIGS. 2A and 2B, the lead wiring portion 103 is provided with a plurality of lead wires 108, and the terminal block 104 is provided with a plurality of terminals 109 connected to each lead wire 108. Is provided. There is a gap between the lead wirings 108 and between the terminal blocks 104, and there is room for the light rays 601 from the light source 306 to pass therethrough.
【0026】そこで、本発明は、図2(a),(b)に
示すように引き出し配線108間及び端子ブロック10
4間に、導電層からなる遮光パターン105を設け、遮
光パターン105で漏れ光線を遮光するようにしたもの
である。また、遮光パターン105は、引き出し配線1
08及び端子109とは異なる導体層からなり、引き出
し配線108及び端子109と遮光パターン105は、
液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタの導体層で形
成されている。尚、隣接する端子109間の領域A、端
子ブロック104とTCP401が連なる領域Bは、T
CP401等により遮光されるため、遮光パターン10
5を設ける必要性がない。Therefore, according to the present invention, as shown in FIG. 2A and FIG.
A light-shielding pattern 105 made of a conductive layer is provided between the four light-shielding layers 4, and the light-shielding pattern 105 shields leaked light. Further, the light-shielding pattern 105 is formed by the lead-out wiring 1.
08 and the terminal 109 are made of a different conductor layer, and the lead-out wiring 108 and the terminal 109 and the light-shielding pattern 105 are
It is formed of a conductor layer of a thin film transistor constituting a liquid crystal display device. The area A between the adjacent terminals 109 and the area B where the terminal block 104 and the TCP 401 are connected
Since the light is shielded by the CP 401 or the like, the light shielding pattern 10
There is no need to provide 5.
【0027】次に本発明におけるTFTの導体層と配線
を形成する製造過程を図4により説明する。Next, a manufacturing process for forming a conductive layer and a wiring of a TFT according to the present invention will be described with reference to FIG.
【0028】図4(a)は、液晶パネルに使用されるT
FT構造の一例を示す断面図である。TFTの構成要素
として、ドレイン電極503,ソース電極502,ゲー
ト電極501があり、絶縁層504,a-Si層50
5,n+a-Si層506と共にMOSトランジスタを構
成する。透明画素電極303はソース電極502に接続
されており、MOSトランジスタの動作により、透明画
素電極303に電圧が印加される。パッシベイション層
507により、上記各パターンが保護される。FIG. 4 (a) shows the T used for the liquid crystal panel.
It is sectional drawing which shows an example of FT structure. The TFT includes a drain electrode 503, a source electrode 502, a gate electrode 501, an insulating layer 504, and an a - Si layer 50.
5, together with the n + a - Si layer 506, constitute a MOS transistor. The transparent pixel electrode 303 is connected to the source electrode 502, and a voltage is applied to the transparent pixel electrode 303 by the operation of the MOS transistor. Each of the above patterns is protected by the passivation layer 507.
【0029】以下、表示部106のTFTと周辺部の配
線の形成につき、順を追って説明する。まず、図4
(b)に示すように、ガラス基板301上にCrのスパ
ッタ膜1400Åを成膜し、フォトリソグラフィとエッ
チングの技術により、ゲート電極501と遮光パターン
105をパターン形成する。Hereinafter, the formation of the TFT of the display unit 106 and the wiring of the peripheral part will be described in order. First, FIG.
As shown in (b), a Cr sputtered film 1400 # is formed on the glass substrate 301, and the gate electrode 501 and the light-shielding pattern 105 are formed by photolithography and etching.
【0030】次に、SiO2のスパッタ膜1000Åと
Si3N4のP-CVD膜4000Åを成膜し、絶縁層5
04をパターン形成する。次に、a-SiのP-CVD膜
3000Å,n+a-siのP-CVD膜500Åを成膜
し、a-Si層パターン505,n+a-Si層パターン
506をパターン形成し、更に、絶縁層504に電極と
の電気的接続のためのコンタクトホールを形成する。Next, a sputtered film 1000 of SiO 2 and a P - CVD film 4000 of Si 3 N 4 are formed.
04 is patterned. Next, an a - Si P - CVD film 3000 # , an n + a - si P - CVD film 500 # are formed, and an a - Si layer pattern 505 and an n + a - Si layer pattern 506 are formed. Then, a contact hole for electrical connection with an electrode is formed in the insulating layer 504.
【0031】次に、図4(c)に示すようにCrのスパ
ッタ膜1400Åを成膜し、ドレイン電極503・ソー
ス電極502と、引き出し配線108・端子109とを
パターン形成する。次に、ドレイン電極503・ソース
電極502間の、n+a-Si膜505をドライエッチン
グで除去する。Next, as shown in FIG. 4C, a sputtered Cr film 1400 # is formed, and the drain electrode 503, the source electrode 502, the lead wiring 108, and the terminal 109 are patterned. Next, the n + a - Si film 505 between the drain electrode 503 and the source electrode 502 is removed by dry etching.
【0032】次に、ITOスパッタ膜400Åを成膜
し、透明画素電極303をパターン形成する。最後にS
i3N4のP-CVD膜6000Åを成膜してパッシベイ
ション層507を形成し、更に、フォトリソグラフィの
技術により電極との電気的接続のためのコンタクトホー
ルを形成する。以上により、表示部のTFTと周辺部の
配線の形成が完成する。Next, an ITO sputtered film 400 # is formed, and the transparent pixel electrode 303 is patterned. Finally S
P of i 3 N 4 - the CVD film 6000Å was deposited to form a passivation layer 507, further, to form a contact hole for electrical connection with the electrode by a photolithography technique. As described above, the formation of the TFT of the display portion and the wiring of the peripheral portion is completed.
【0033】上記説明では、引き出し配線108・端子
109をドレイン電極503・ソース電極502と同じ
導体層で形成したが、引き出し配線108・端子109
をゲート電極501と同じ導体層で形成した場合は、遮
光パターン105をドレイン電極503・ソース電極5
02と同じ導体層で形成することで、同じ効果が得られ
る。In the above description, the lead wiring 108 and the terminal 109 are formed of the same conductor layer as the drain electrode 503 and the source electrode 502.
Are formed of the same conductor layer as the gate electrode 501, the light-shielding pattern 105 is formed by the drain electrode 503 and the source electrode 5
The same effect can be obtained by forming with the same conductor layer as 02.
【0034】本発明では、遮光パターン105は、図2
(b)に示すように、絶縁層504を挿んで引き出し配
線108・端子109とは異なる導体層で形成してい
る。このため、遮光パターン105間のショートに起因
する遮光パターン105間のスペース基準を、同一平面
内での30μ以上から5μ以上へと縮小できる。ここ
で、端子109,引き出し配線108の幅は約40〜7
0μである。According to the present invention, the light-shielding pattern 105 is formed as shown in FIG.
As shown in (b), the insulating layer 504 is inserted and the lead wiring 108 and the terminal 109 are formed of a different conductor layer. For this reason, the space reference between the light shielding patterns 105 caused by the short circuit between the light shielding patterns 105 can be reduced from 30 μm or more in the same plane to 5 μm or more. Here, the width of the terminal 109 and the lead wiring 108 is about 40 to 7
0μ.
【0035】尚、遮光パターン105を全面に設置する
と、絶縁層504に欠陥が生じた場合に遮光パターン1
05を通して引き出し配線108間でショ−トが発生す
る、遮光パターン105を介して引き出し配線108相
互で容量結合を生じ、表示画面の乱れが発生する等の不
具合が生ずるため、不適当である。When the light-shielding pattern 105 is provided on the entire surface, if a defect occurs in the insulating layer 504, the light-shielding pattern 1
Cane between lead wiring through 05 10 8 - DOO occurs, resulting capacitive coupling with lead wiring 108 each other via the light-shielding pattern 105, because caused the problems such as disturbance of the display screen is generated, it is unsuitable.
【0036】次に、本発明の実施形態の動作について、
図面を参照して説明する。本発明の構造では、従来技術
で存在していた図7(b)での光源からTFT側ガラス
基板301を透過する光線601は、図2(a)・
(b)に示すように引き出し配線108・端子109と
遮光パターン105により反射される。このため、遮光
パターン105の追加により、端子109・引き出し配
線108間のスペースからの漏れ光量を大幅に低減でき
る。この効果は、特に図2(a)のTCP401間の遮
光パターン105の追加部分に顕著に現れる。Next, the operation of the embodiment of the present invention will be described.
This will be described with reference to the drawings. In the structure of the present invention, the light beam 601 transmitted through the TFT-side glass substrate 301 from the light source in FIG.
As shown in (b), the light is reflected by the lead wiring 108 / terminal 109 and the light shielding pattern 105. Therefore, by adding the light-shielding pattern 105, the amount of light leaked from the space between the terminal 109 and the lead-out wiring 108 can be greatly reduced. This effect is particularly noticeable in the additional portion of the light-shielding pattern 105 between the TCPs 401 in FIG.
【0037】以上示したように、図2(a)・(b)の
遮光パターン105を絶縁層504を挿んで引き出し配
線108・端子109とは異なる配線層で形成すること
で、図3の光源306から表示部106に侵入する光線
106の漏れ光量を減少でき、図1(a)のc−c’部
での表示部への漏れ光量の位置バラツキは、従来例と比
較して大きく改善される。図1c−c’部での明るさの
バラツキを図5(a)に示す。図5(a)において、c
1〜c6は図1の各箇所に相当する。As described above, the light-shielding pattern 105 shown in FIGS. 2A and 2B is formed of a wiring layer different from the lead wiring 108 and the terminal 109 by inserting the insulating layer 504, thereby obtaining the light source shown in FIG. The leakage light amount of the light beam 106 that enters the display unit 106 from the display unit 306 can be reduced, and the position variation of the leakage light amount to the display unit at the cc ′ section in FIG. 1A is greatly improved as compared with the conventional example. You. FIG. 5 (a) shows the variation in brightness in the section of FIG. 1c-c '. In FIG. 5A, c
1 to c6 correspond to the respective portions in FIG.
【0038】以上説明したように遮光パターン105
は、引き出し配線108及び端子109と同様に、TF
Tの導体層形成の際(導体層はドレイン電極・ソース電
極と、ゲート電極の2層必要)に、フォトリソグラフィ
の技術により形成することができるため、本構造の採用
によりTFT製造プロセスは増加しない。As described above, the light shielding pattern 105
Is the same as TF
When a conductor layer of T is formed (the conductor layer requires two layers of a drain electrode / source electrode and a gate electrode), it can be formed by a photolithography technique. Therefore, adoption of this structure does not increase the TFT manufacturing process. .
【0039】[0039]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、引き出し
配線及び端子間からの光漏れが、遮光パターンにより減
少することができるため、表示部での明るさの差を改善
でき、良好な表示を得ることができる。As described above, according to the present invention, the light leakage from between the lead wiring and the terminal can be reduced by the light-shielding pattern. You can get the display.
【図1】(a)は、本発明の一実施形態に係る液晶表示
装置を示す平面図、(b)は、同側面図である。FIG. 1A is a plan view showing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a side view thereof.
【図2】(a)は、図1(a)のI部を拡大した拡大
図、(b)は、図2(a)のg−g’線断面図である。FIG. 2A is an enlarged view of a portion I of FIG. 1A, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line gg ′ of FIG. 2A.
【図3】図1(a)のa−a’線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line a-a ′ of FIG.
【図4】(a)は、本発明に係る液晶表示装置の液晶パ
ネルに使用される薄膜トランジスタ(TFT)を示す断
面図、(b),(c)は、薄膜トランジスタと配線及び
遮光パターンとを形成する製造過程を示す断面図であ
る。FIG. 4A is a cross-sectional view showing a thin film transistor (TFT) used for a liquid crystal panel of a liquid crystal display device according to the present invention, and FIGS. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing process to be performed.
【図5】(a)は、本発明の実施形態における表示部内
周辺から表示部内への漏れ光量を示す図、(b)は、従
来例における表示部内周辺から表示部内への漏れ光量を
示す図である。5A is a diagram showing the amount of leaked light from the periphery of the display unit to the inside of the display unit according to the embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a diagram showing the amount of leaked light from the periphery of the display unit to the inside of the display unit in a conventional example; It is.
【図6】(a)は、従来例に係る液晶表示装置を示す平
面図、(b)は、同側面図である。6A is a plan view showing a liquid crystal display device according to a conventional example, and FIG. 6B is a side view thereof.
【図7】(a)は、図6のII部を拡大した拡大図、
(b)は、(a)のh−h’線断面図である。FIG. 7A is an enlarged view of an enlarged part II in FIG. 6;
(B) is a sectional view taken along the line hh 'of (a).
【図8】図6(a)のd−d’線断面図である。FIG. 8 is a sectional view taken along line d-d ′ of FIG.
【図9】図6(a)のe−e’線断面図である。FIG. 9 is a sectional view taken along line e-e ′ in FIG.
101 蛍光管 102 液晶パネル 103 引き出し配線部 104 端子ブロック 105 遮光パターン 106 表示部 107 リフレクタ 108 引き出し配線 109 端子 110 導光板 301 TFT側ガラス基板 302 透明対向電極 303 透明画素電極 304 シール 305 液晶 306 光源 307 TFT側偏光板 308 対向側ガラス基板 309 対向側偏光板 401 TCP 402 駆動用回路 501 ゲート電極 502 ソース電極 503 ドレイン電極 504 絶縁層 505 a-siパターン 506 n+a-Siパターン 507 パッシベイション層 601 光線 701 シールドDESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Fluorescent tube 102 Liquid crystal panel 103 Lead-out wiring part 104 Terminal block 105 Light-shielding pattern 106 Display part 107 Reflector 108 Lead-out wiring 109 Terminal 110 Light guide plate 301 TFT side glass substrate 302 Transparent counter electrode 303 Transparent pixel electrode 304 Seal 305 Liquid crystal 306 Light source 307 TFT Side polarizing plate 308 Opposite side glass substrate 309 Opposing side polarizing plate 401 TCP 402 Driving circuit 501 Gate electrode 502 Source electrode 503 Drain electrode 504 Insulating layer 505 a - si pattern 506 n + a - Si pattern 507 Passivation layer 601 Light beam 701 shield
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/136 G02F 1/1345 G09F 9/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/136 G02F 1/1345 G09F 9/00
Claims (1)
とを有する液晶表示装置であって、 対をなす一方の基板は、ガラス基板上にマトリクス状に
透明画素電極が配置され、その透明画素電極に電圧を印
加するために設けられた引き出し配線部及び端子ブロッ
クを有するものであり、 前記引き出し配線部及び端子ブロックは、遮光性を有す
るものであり、 対をなす他方の基板は、ガラス基板上に対向電極が形成
されたものであり、 液晶は、対をなす基板間に封入されたものであり、 遮光パターンは、前記引き出し配線部に設けられる引き
出し配線及び端子ブロックに設けられる端子とは異なる
導体層からなり、前記引き出し配線部の引き出し配線間
及び前記端子ブロック間にこれらと交差しないように形
成され、引き出し配線間及び端子ブロック間の通過光を
遮光するものであることを特徴とする液晶表示装置。1. A liquid crystal display device comprising a pair of substrates, a liquid crystal, and a light-shielding pattern, wherein one of the paired substrates has a matrix of transparent pixel electrodes on a glass substrate, A lead wiring portion and a terminal block provided for applying a voltage to the pixel electrode; and the lead wiring portion and the terminal block have a light-shielding property. A counter electrode is formed on the substrate, the liquid crystal is sealed between the paired substrates, and the light-shielding pattern is formed of a lead wire provided in the lead wire portion and a terminal provided in the terminal block. different made conductive layer, it and is so made form <br/> as not to intersect the lead wire and between the terminal block of the lead-out wiring portion, the lead wires and between end is A liquid crystal display device, characterized in that for blocking passing light between the blocks.
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