JP3131789B2 - Memory card - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、電子スチルカ
メラ、パ−ソナルコンピュ−タ、ワ−ドプロセッサ等の
情報機器の外部メモリ装置として使用されるメモリカ−
ドに関し、特に、静止画像デ−タや多量のデ−タを記憶
できるメモリカ−ドに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory card used as an external memory device of information equipment such as an electronic still camera, a personal computer, and a word processor.
More particularly, the present invention relates to a memory card capable of storing still image data and a large amount of data.
【0002】[0002]
【従来の技術】最近、ICメモリカ−ドは、各種の技術
分野で多用されるようになってきており、例えば電子ス
チルカメラ、パ−ソナルコンピュ−タ、ワ−ドプロセッ
サ等の情報機器の外部メモリ装置として使用されてい
る。このICメモリカ−ドに関しては、例えば「社団法
人日本電子工業振興協会」から「ICメモリカ−ドガイ
ドライン(パソコン用・メモリカ−ド/ピン・コネクタ
の標準仕様)、バ−ジョン3(平成元年5月)」が最新
のものとして提唱されている。従来、ICメモリカ−ド
は、その内部のICメモリチップの入出力ピンを直接イ
ンタ−フェ−ス信号として仕様できる直結バス方式と、
マイクロコンピュ−タの入出力バスに容易に接続できる
I/Oバス方式とを採用しているが、前者はピン数が多
いことと入出力バスとの接続が困難なことから、I/O
バス方式がよく利用されている。2. Description of the Related Art Recently, IC memory cards have been widely used in various technical fields. For example, IC memory cards may be used outside of information devices such as electronic still cameras, personal computers, and word processors. Used as a memory device. Regarding this IC memory card, for example, from the "Japan Electronics Industry Development Association", "IC Memory Card Guidelines (standard specification of memory card / pin connector for personal computer)", version 3 (May 1989) Mon) is proposed as the latest one. Conventionally, an IC memory card has a direct connection bus system in which input / output pins of an internal IC memory chip can be directly specified as interface signals.
An I / O bus system that can be easily connected to the input / output bus of the microcomputer is adopted. However, the former has a large number of pins and is difficult to connect to the input / output bus.
The bus system is often used.
【0003】このI/Oバス方式のメモリカ−ドは、そ
の内部のメモリチップの任意の番地を指し示すためにア
ドレス用のレジスタを内蔵している。上記したガイドラ
インのバ−ジョン3に示されたI/Oバス方式では、こ
のレジスタは3バイトあり、この3バイトのレジスタを
指定するために2ビツトが割り当てられていた。この2
ビットについて、メモリカ−ドの外部からみて第0番地
(“0”“0”)が下位アドレス用レジスタ、第1番地
(“0”“1”)が中位アドレス用レジスタ、第2番地
(“1”“0”)が上位アドレス用レジスタを指定する
ために使用されている。また、第3番地(“1”
“1”)は、メモリアクセス用のレジスタであって、こ
のレジスタに対して「読み出し」、「書き込み」の指定
を行うことによって、アドレス用レジスタで指示された
番地のメモリに対して読み出し、書き込みを行うことが
できる。The I / O bus type memory card has a built-in address register for indicating an arbitrary address of the internal memory chip. In the I / O bus system shown in version 3 of the above-mentioned guideline, this register has three bytes, and two bits are assigned to specify the three-byte register. This 2
Regarding the bits, address 0 (“0” “0”) is the lower address register, address 1 (“0” “1”) is the middle address register, and address 2 (“ 1 "" 0 ") are used to specify the upper address register. In addition, the third address (“1”
"1") is a memory access register, which is designated as "read" or "write" to read and write to the memory at the address specified by the address register. It can be performed.
【0004】ところが、従来のアドレス用レジスタは上
述したように3バイト(1バイト=8ビツト)であるた
め、表現できる最大の番地は「2」の24乗であり、1
6,777,216番地までしか指定することができな
い。つまり、このメモリカ−ドでは、16メガバイトの
記憶容量のものしか搭載できない。なお、上述したよう
に上記3バイトのレジスタを指定するには、アドレス線
としては2本の線があればよいことになる。However, since the conventional address register is 3 bytes (1 byte = 8 bits) as described above, the maximum address that can be represented is "2" to the 24th power, and 1
You can only specify up to addresses 6,777,216. In other words, this memory card can only have a storage capacity of 16 megabytes. As described above, in order to specify the 3-byte register, only two lines are required as the address lines.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】このように上記したガ
イドラインにおける従来のI/Oバス方式のメモリカ−
ドの場合、最大16メガバイトの記憶容量しかないた
め、例えば電子スチルカメラのように大容量のデ−タを
記憶する媒体として使用するときに容量不足になるとい
う欠点があった。そこで、最大16メガバイト以上の記
憶容量を確保するために、ICメモリカ−ド内にアドレ
ス用レジスタを増設することが考えられる。例えば、ア
ドレス用レジスタを4バイトにすれば、これより扱える
最大の番地は、2の32乗=4,294,967,29
6番地までとなって多量のメモリ容量を扱えることにな
る。しかしながら、このようにすると制御用レジスタの
数が5個必要となり、結局ピン数が3本必要となって、
ICメモリカ−ドのピン数が増加してしまうという欠点
があった。As described above, the conventional I / O bus type memory card according to the above guideline is used.
In the case of the flash memory, there is only a storage capacity of a maximum of 16 megabytes, and there is a disadvantage that the capacity becomes insufficient when used as a medium for storing a large amount of data such as an electronic still camera. In order to secure a storage capacity of 16 megabytes or more, it is conceivable to add an address register in the IC memory card. For example, if the address register is 4 bytes, the maximum address that can be handled is 2 32 = 4,294,967,29
Up to address 6, a large memory capacity can be handled. However, in this case, the number of control registers is required five, and eventually the number of pins is required three.
There is a disadvantage that the number of pins of the IC memory card increases.
【0006】本発明の目的は、上記欠点を解消し、ピン
数を増すことなく、記憶容量を大幅に増加させることの
できるメモリカ−ドを提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a memory card which solves the above-mentioned drawbacks and can greatly increase the storage capacity without increasing the number of pins.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明では、一定の情報機器に接続されて使用さ
れるメモリカ−ドにおいて、各種のデ−タを記憶させる
コモンメモリと、このコモンメモリのメモリ容量を含む
カ−ドの物理的な情報を格納するアトリビュ−トメモリ
と、前記したコモンメモリとアトリビュ−トメモリのア
ドレスを指定するためのアドレス用レジスタを含み、こ
れら2つのメモリの書き込み/読み出しを制御する制御
回路とを備え、さらに、前記制御回路は、入力する制御
信号C0、C1、読み出し信号RD、書込み信号WRに
したがい、C1”ロウ”ではアトリビュ−トメモリを、
C1”ハイ”ではコモンメモリを選択し、C0”ロウ”
ではアトリビュ−トメモリまたはコモンメモリのアドレ
スを指定するアドレス用レジスタの書き込み/読み出し
モ−ド、C0”ハイ”ではアトリビュ−トメモリまたは
コモンメモリの書き込み/読み出しモ−ドとし、C1”
ロウ”、C0”ロウ”と共に入力するRD/WRにより
アトリビュ−トメモリのアドレスを指定し、C1”ロ
ウ”、C0”ハイ”と共に入力するRD/WRによりア
トリビュ−トメモリの書き込み/読み出し、C1”ハ
イ”、C0”ロウ”と共に入力するRD/WRによりコ
モンメモリのアドレスを指定し、C1”ハイ”、C0”
ハイ”と共に入力するRD/WRによりコモンメモリの
書き込み/読み出しに各々切換える構成としたことを特
徴とするメモリカ−ドを提案する。To achieve the above object Means for Solving the Problems] In the present invention, Memorika is used by connecting to a fixed information device - in de various de - make storing data <br/> common A memory, an attribute memory for storing physical information of a card including a memory capacity of the common memory, and an attribute of the common memory and the attribute memory.
It includes an address register for specifying a dress, this
A control circuit for controlling writing / reading of these two memories , and further comprising:
For signals C0 and C1, read signal RD, and write signal WR
Therefore, the attribute memory is stored in C1 "low",
C1 “High” selects the common memory and C0 “Low”
In the address of attribute memory or common memory
Write / read address register to specify address
Mode, C0 "High" means attribute memory or
In the write / read mode of the common memory, C1 "
RD / WR input together with row ", C0" row "
Specify the address of attribute memory, and
C, RD / WR input with C0 “high”
Writing / reading of tributary memory, C1 "
B) RD / WR input with “0” and C0 “low”
Specify the address of the memory, C1 "high", C0 "
RD / WR input with "high"
A memory card is proposed which is configured to switch between writing and reading .
【0008】[0008]
【作用】本発明では、制御信号の組合せを代え、アトリ
ビュ−トメモリにコモンメモリの容量を含むカ−ドの物
理的な情報を予め格納しておき、コモンメモリを読み出
しあるいは書き込みのアクセスをするときに、前記アト
リビュ−トメモリから物理的な情報を基にコモンメモリ
のアドレスをアドレス用レジスタに設定する。すなわ
ち、コモンメモリを書き込み/読み出しするときには、
制御信号C0”ロウ”、C1”ハイ”としてRD/WR
により、アトリビュ−トメモリの物理的な情報にしたが
いアドレス用レジスタを設定し、コモンメモリのアドレ
スを指定する。この状態でC0”ハイ”、C1”ハイ”
とすることにより、コモンメモリがアドレス用レジスタ
の指定にしたがってRD/WRにより書き込まれ、ま
た、読み出される。また、アドレス用レジスタは、メモ
リ容量に応じたバスと等しいビット幅としてある。した
がって、コモンメモリが論理的に無限のメモリ容量で
も、外部からアクセスできることになる。According to the present invention, when the combination of control signals is changed and physical information of the card including the capacity of the common memory is stored in advance in the attribute memory, and the common memory is accessed for reading or writing. Then, the address of the common memory is set in the address register based on the physical information from the attribute memory. Sand
That is, when writing / reading the common memory,
RD / WR as control signals C0 "low" and C1 "high"
According to the physical information of attribute memory,
Register for the new address, and
Specify the service. In this state, C0 “high” and C1 “high”
By setting the common memory to the address register
Is written by RD / WR according to the specification of
Read. The address register is a bit width equal to the bus in accordance with Note <br/> Li capacity. Therefore, even if the common memory has a logically infinite memory capacity, it can be accessed from the outside.
【0009】[0009]
【実施例】次に、本発明の実施例について図面に沿って
説明する。図1は、本発明のメモリカ−ドの内部構造を
示すブロック図である。図2は同メモリカ−ドのピンに
対する信号の対応図であって、基本的には上記したガイ
ドラインに沿ったものである。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the internal structure of a memory card according to the present invention. FIG. 2 is a diagram showing the correspondence of signals to the pins of the memory card, and basically follows the above guidelines.
【0010】図1に示すメモリカ−ド1は、アトリビュ
−トメモリ2、コモンメモリ3、これらを制御する制御
回路4、電源制御回路5、バックアップ電池6からな
る。アトリビュ−トメモリ2は、例えば、アトリビュ−
トメモリ2及びコモンメモリ3のメモリの種類(RO
M、RAM、EEPROMなど)、読み書きの速度、コ
モンメモリ3の容量等のカ−ドの物理的な情報を格納す
るメモリであり、制御回路4に対して制御線、アドレス
線、デ−タバスラインで接続されている。The memory card 1 shown in FIG. 1 comprises an attribute memory 2, a common memory 3, a control circuit 4 for controlling these, a power supply control circuit 5, and a backup battery 6. The attribute memory 2 is, for example, an attribute memory.
Memory type (RO)
M, RAM, EEPROM, etc.), a memory for storing card physical information such as a read / write speed, a capacity of the common memory 3, etc., and a control line, an address line, and a data bus line for the control circuit 4. It is connected.
【0011】コモンメモリ3は、主にデ−タを格納する
メモリであり、上記同様に制御回路4に対して制御線、
アドレス線、デ−タバスラインで接続されている。制御
回路4は、外部回路(例えば、カ−ドコントロ−ラ)
に、カ−ドイネ−ブルCE、制御信号C0、C1、読み
出し信号RD、書き込み信号WR、レディ信号RDY/
BSY、書き込み禁止信号WP、デ−タ・アドレスバス
D0〜D7が入出力できるように接続されている。ま
た、この制御回路4は、上記コモンメモリ3の容量に応
じたアドレスを設定できるアドレス用レジスタを備えて
いる。The common memory 3 is a memory mainly for storing data, and has a control line,
They are connected by address lines and data bus lines. The control circuit 4 is an external circuit (for example, a card controller).
In addition, the card enable CE, the control signals C0 and C1, the read signal RD, the write signal WR, and the ready signal RDY /
BSY, a write inhibit signal WP, and data / address buses D0 to D7 are connected so as to be able to input and output. The control circuit 4 has an address register that can set an address according to the capacity of the common memory 3.
【0012】ここで、上記メモリカ−ド1は、図2に示
すように、ピン番号「1、20」にGND、番号「2〜
9」にデ−タ・アドレスバスD0〜D7、番号「10」
に電源Vcc、番号「11」にプログラムサプライVp
p、番号「12」にレディ信号RDY/BSY、番号
「13」にカ−ドイネ−ブルCE、番号「14、15」
に制御信号C0、C1、番号「16」に読み出し信号R
D、番号「17」に書き込み信号WR、番号「18」に
書き込み禁止信号WP、番号「19」にバッテリチェッ
クVbatが割当てられている。また、図2において、
番号「14、15」の制御信号C0、C1が本発明の実
施例で使用する制御信号であり、以下の図4の説明にお
いてその制御内容の詳細を説明する。なお、電源制御回
路5は、外部電源に電源線VccとGNDで接続され、
また、バッテリの状態を示す信号Vbatを外部回路に
与えられるようになっており、さらに、内部でバツクア
ップ電池6と接続されていて、アトリビュ−トメモリ
2、コモンメモリ3、制御回路4に電力を供給する。As shown in FIG. 2, the memory card 1 has a pin number "1, 20" and a GND number "2".
Data address bus D0 to D7, number "10" at "9"
To power supply Vcc and number “11” to program supply Vp
p, ready signal RDY / BSY at number "12", card enable CE at number "13", numbers "14, 15"
Control signals C0 and C1, and the read signal R
D, a write signal WR is assigned to the number “17”, a write inhibit signal WP is assigned to the number “18”, and a battery check Vbat is assigned to the number “19”. Also, in FIG.
The control signals C0 and C1 of numbers "14 and 15" are control signals used in the embodiment of the present invention, and the details of the control contents will be described in the following description of FIG. The power supply control circuit 5 is connected to an external power supply via a power supply line Vcc and GND.
Also, a signal Vbat indicating the state of the battery is supplied to an external circuit, and further connected internally to a backup battery 6 to supply power to the attribute memory 2, the common memory 3, and the control circuit 4. Supply.
【0013】図3は、本発明の実施例を模式的に示す説
明図である。図3に示す回路は制御回路4の内部で構成
されており、コモンメモリ3の容量に応じた複数個のア
ドレス用レジスタ41、42、43・・・・・とからな
る。このアドレス用レジスタ41、42、43・・・・
は、コモンメモリ3の容量のアドレスを指定できるだけ
の大きさを持っている。FIG. 3 is an explanatory view schematically showing an embodiment of the present invention. The circuit shown in FIG. 3 is configured inside the control circuit 4, and includes a plurality of address registers 41, 42, 43,... According to the capacity of the common memory 3. The address registers 41, 42, 43,...
Is large enough to specify the address of the capacity of the common memory 3.
【0014】図4は、本発明の制御信号C0、C1の機
能割当を説明するために示す説明図である。制御信号C
1が「“0”」でアトリビュ−トメモリ2を指定し、
「“1”」でコモンメモリ3を指定できるようになって
いる。そして、制御信号C0、C1、R/Wが「“0”
“0”“R”」でアトリビュ−トメモリ2のアドレス用
レジスタを読み出し、制御信号C0、C1、R/Wが
「“0”“0”“W”」でアトリビュ−トメモリ2のア
ドレス用レジスタに書き込みできる。また、制御信号C
0、C1、R/Wが「“1”“0”“R”」でアトリビ
ュ−トメモリ2からデ−タを読み出し、制御信号C0、
C1、R/Wが「“1”“0”“W”」でアトリビュ−
トメモリ2にデ−タを書き込む。さらに、制御信号C
0、C1、R/Wが「“0”“1”“R”」なら、コモ
ンメモリ3のアドレス用レジスタを読み出し、制御信号
C0、C1、R/Wが「“0”“1”“W”」ならばコ
モンメモリ3のアドレス用レジスタに書き込みできる。
制御信号C0、C1、R/Wが「“1”“1”“R”」
ならばコモンメモリ3からデ−タを読み出し、制御信号
C0、C1、R/Wが「“1”“1““W”」ならば、
コモンメモリ3にデ−タを書き込むことができる。FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining the function assignment of the control signals C0 and C1 according to the present invention. Control signal C
1 designates attribute memory 2 with "0",
The common memory 3 can be designated by “1”. Then, the control signals C0, C1, and R / W are "0".
The address register of the attribute memory 2 is read by "0""R", and the control signals C0, C1, and R / W are read by the address register of the attribute memory 2 by "0""0""W". Can write. The control signal C
When 0, C1, and R / W are "1", "0", and "R", data is read from the attribute memory 2 and control signals C0,
C1 and R / W are "1""0""W" and attribute
Data is written to the memory 2. Further, the control signal C
If 0, C1, and R / W are "0", "1", and "R", the address register of the common memory 3 is read, and the control signals C0, C1, and R / W are set to "0", "1", and "W". If "", it is possible to write to the address register of the common memory 3.
The control signals C0, C1, R / W are "" 1 "" 1 "" R ""
If so, the data is read from the common memory 3 and if the control signals C0, C1, R / W are "" 1 "" 1 "" W "",
Data can be written to the common memory 3.
【0015】このような実施例の作用を説明する。図5
はメモリカ−ドのアトリビュ−トメモリ2の読み出しタ
イミングを、図6はメモリカ−ドのアトリビュ−トメモ
リ2の書き込みタイミングを各々説明するために示した
タイムチャ−トである。また、図7はメモリカ−ドのコ
モンメモリ3の読み出しタイミングを示すタイムチャ−
トであり、図8はメモリカ−ドのコモンメモリ3の書き
込みタイミングを示すタイムチャ−トである。The operation of the embodiment will be described. FIG.
FIG. 6 is a time chart for explaining the read timing of the attribute memory 2 of the memory card, and FIG. 6 is a time chart for explaining the write timing of the attribute memory 2 of the memory card. FIG. 7 is a time chart showing the read timing of the common memory 3 of the memory card.
FIG. 8 is a time chart showing the write timing of the common memory 3 of the memory card.
【0016】{アトリビュ−トメモリ2の読み出し動
作}先ず、図5を参照しながらアトリビュ−トメモリ2
の読み出し動作について説明する。カ−ドコントロ−ラ
(図示せず)は、メモリカ−ド1に対してカ−ドイネ−
ブルCE“1”を入力する(時点t0)。{Read Operation of Attribute Memory 2} First, referring to FIG.
Will be described. A card controller (not shown) is provided for the memory card 1 with respect to the cardine.
The bull CE “1” is input (time t 0 ).
【0017】続いて、そのカ−ドコントロ−ラは、図5
に示すように制御信号C0、C1、R/Wを「“0”
“0”“WR(図4も参照、以下同じ)」とすることに
より、(時点t1〜t2)、アトリビュ−トメモリ2のア
ドレス用レジスタ41、42にアドレスを設定する(時
点t1〜t2)。Subsequently, the card controller is shown in FIG.
As shown in the figure, the control signals C0, C1, and R / W are set to "0".
"0""WR (see also FIG. 4, hereinafter the same) by a" (time t 1 ~t 2), Atoribyu - sets an address in the address register 41 and 42 of Tomemori 2 (time point t 1 ~ t 2).
【0018】続いて、カ−ドコントロ−ラは、制御信号
C0、C1、R/Wが「“0”“1”“R”」とし
((時点t3〜)、アトリビュ−トメモリ2の内容を前
記設定されたアドレスから順次読み出す(時点t
3〜)。これにより、カ−ドコントロ−ラは、アトリビ
ュ−トメモリ2及びコモンメモリ3の容量、種類、読み
書き等の速度を知ることができる。[0018] Subsequently, mosquito - Dokontoro - La, the control signal C0, C1, R / W is the "" 0 "" 1 "" R "" ((time t 3 ~), Atoribyu - the contents of the Tomemori 2 Read sequentially from the set address (time t
3 ~). Thus, the card controller can know the capacity, type, reading / writing speed, etc. of the attribute memory 2 and the common memory 3.
【0019】{アトリビュ−トメモリ2の書き込み動
作}カ−ドコントロ−ラは、上記情報からアトリビュ−
トメモリ2に対して書き込みが必要なときには、図6に
示すように、メモリカ−ド1に対してカ−ドイネ−ブル
CE“1”を入力する(時点t10)。{Write operation of attribute memory 2} The card controller obtains an attribute from the above information.
When writing is required for the Tomemori 2, as shown in FIG. 6, Memorika - mosquito against de 1 - Doine - entering Bull CE "1" (time t 10).
【0020】続いて、そのカ−ドコントロ−ラは、図6
に示すように制御信号C0、C1、R/Wを「“0”
“0”“W”」(図4も参照、以下同じ)」とすること
により、(時点t11〜t12)、アトリビュ−トメモリ2
のアドレス用レジスタ41、42、43・・・・にアド
レスを設定する(時点t11〜t12)。Subsequently, the card controller is shown in FIG.
As shown in the figure, the control signals C0, C1, and R / W are set to "0".
"0""W""(see also FIG. 4, hereinafter the same) by a" (time t 11 ~t 12), Atoribyu - Tomemori 2
Setting an address in the register for the address 41, 42, 43 ... (time t 11 ~t 12).
【0021】続いて、カ−ドコントロ−ラは、制御信号
C0、C1、R/Wを「“1”“0”“W”」とし、
(時点t13〜)、アトリビュ−トメモリ2に対して前記
設定されたアドレスから順次書き込み制御する。(時点
t13〜)。これより、アトリビュ−トメモリ2には、必
要なデ−タが書き込まれる。Subsequently, the card controller sets the control signals C0, C1, and R / W to "1", "0" and "W".
(Time t 13 ~), Atoribyu - sequentially writing control from the set address for Tomemori 2. (Time t 13 ~). Thus, necessary data is written into the attribute memory 2.
【0022】{コモンメモリ3の読み出し動作}次に、
図7を参照しながらコモンメモリ3の読み出し動作につ
いて説明する。カ−ドコントロ−ラ(図示せず)は、メ
モリカ−ド1に対してカ−ドイネ−ブルCE“1”を入
力する(時点t20)。<< Read Operation of Common Memory 3 >>
The read operation of the common memory 3 will be described with reference to FIG. Ca - Dokontoro - La (not shown), Memorika - mosquito against de 1 - Doine - entering Bull CE "1" (time t 20).
【0023】続いて、そのカ−ドコントロ−ラは、図7
に示すように制御信号C0、C1、R/Wを「“0”
“1”“R”(図4も参照、以下同じ)」とすることに
より(時点t21〜t22)、コモンメモリ3のアドレス用
レジスタ41、42、43・・・・にアドレスを設定す
る(時点t21〜t22)。これにより、アドレス用レジス
タ41、42、43・・・・のいずれかが指定される。Subsequently, the card controller is shown in FIG.
As shown in the figure, the control signals C0, C1, and R / W are set to "0".
.. (At times t 21 to t 22 ), the address is set in the address registers 41, 42, 43,... Of the common memory 3. (time t 21 ~t 22). Thus, one of the address registers 41, 42, 43,... Is designated.
【0024】続いて、カ−ドコントロ−ラにより、図7
に示すように制御信号C0、C1、R/Wが「“1”
“1”“R”」になると(時点t23〜)、アドレス用レ
ジスタ41、42、43・・・・に書き込まれたアドレ
スにしたがって、コモンメモリ3からデ−タが読み出さ
れる(時点t23〜)。これにより、アトリビュ−トメモ
リ2に記憶されているコモンメモリ3の容量のデ−タに
より、アドレス用レジスタ41、42、43・・・・・
に必要なアドレスを設定できるから、理論的に容量を無
限に拡張できる。このとき、アドレス用レジスタ41、
42、43・・・・・は、そのアドレスを指定できるだ
けの個数が必要である。Subsequently, FIG.
As shown in FIG. 3, the control signals C0, C1, and R / W are "1".
"1""it becomes the R""(time t 23 ~), according to the address written in the address register 41, 42, 43 ..., the common memory 3 Karade - data is read out (time t 23 ~). As a result, the address registers 41, 42, 43,... Are obtained based on the data of the capacity of the common memory 3 stored in the attribute memory 2.
Since the required addresses can be set, the capacity can be theoretically expanded indefinitely. At this time, the address register 41,
, 42, 43,... Need to have as many as can specify the address.
【0025】{メモリカ−ドのコモンメモリ3への書き
込み動作}次に、図8を参照しながらメモノカ−ド1の
コモンメモリ3の書き込み動作について説明する。カ−
ドコントロ−ラ(図示せず)は、図8に示すようにメモ
リカ−ド1にカ−ドイネ−ブルCE“1”を入力する
(時点t30)。<< Writing Operation of Memory Card to Common Memory 3 >> Next, a writing operation of the common memory 3 of the memory card 1 will be described with reference to FIG. Car
Dokontoro - La (not shown), Memorika 8 - force to de 1 - Doine - entering Bull CE "1" (time t 30).
【0026】続いて、そのカ−ドコントロ−ラは、図8
に示すように制御信号C0、C1、R/Wを「“0”
“1”“W”(図4も参照、以下同じ)」とすることに
より(時点t31〜t32)、アドレス用レジスタ41、4
2、43・・・・にアドレスが書き込まれる(時点t31
〜t32)。それは、大きなメモリ容量ほど、8ビット単
位で何回も書き込む必要があるからである。Subsequently, the card controller is shown in FIG.
As shown in the figure, the control signals C0, C1, and R / W are set to "0".
"1""W" (FIG. 4 See also, hereinafter the same) by a "(time t 31 ~t 32), the address register 41 and 42
Addresses are written in 2, 43,... (Time t 31
~t 32). This is because the larger the memory capacity, the more the data needs to be written in 8-bit units.
【0027】続いて、カ−ドコントロ−ラにより、図8
に示すように制御信号C0、C1、R/Wが「“1”
“1”“W”」とし(時点t33〜)、アドレス用レジス
タ41、42、43・・・・に書き込まれているアドレ
スにしたがって、コモンメモリ3に対してデ−タを書き
込む(時点33〜)。Next, FIG.
As shown in FIG. 3, the control signals C0, C1, and R / W are "1".
"1""W""and then (time t 33 ~), according to the address written in the address register 41, 42, 43 ..., de with respect to the common memory 3 - Write data (time 33 ~).
【0028】このようにコモンメモリ3のアドレスを設
定するのに、アトリビュ−トメモリ2からの情報により
そのコモンメモリ3の容量が分かっており、その容量に
応じたアドレス用レジスタ41、42、43・・・・に
必要なアドレスを、その大きさに応じて複数回に分割し
て書き込むことができるようにしたので、コモンメモリ
3の容量が論理的に無限であってもコモンメモリ3をア
クセスすることができる。In setting the address of the common memory 3 in this manner, the capacity of the common memory 3 is known from the information from the attribute memory 2, and the address registers 41, 42, 43,. .. Can be written a plurality of times according to the size of the address, so that the common memory 3 is accessed even if the capacity of the common memory 3 is logically infinite. be able to.
【0029】本実施例はこのように動作し、ピン数を増
加させることなく、また、電気的になんら問題なく、理
論的に無限大までメモリ容量を拡張することができる。The present embodiment operates in this way, and can theoretically expand the memory capacity to infinity without increasing the number of pins and without any electrical problems.
【0030】[0030]
【発明の効果】上記した通り、本発明によれば、制御信
号の組合せを代えてアトリビュ−トメモリのアドレス用
レジスタを書き込み/読み出し、また、アトリビュ−ト
メモリに記憶させた情報に基づいてコモンメモリのアド
レスを指定するアドレス用レジスタを設定する構成とし
たので、メモリカ−ドのピン数を増加させることなく、
理論的に無限のメモリ容量まで増加することができると
いう効果がある。As described above, according to the present invention, the combination of the control signals is replaced with the address for the attribute memory.
Write / read registers and attribute
Based on the information stored in the memory,
Address register that specifies the address
Therefore, without increasing the number of pins of the memory card,
The effect is that the memory capacity can be theoretically increased to an infinite memory capacity.
【図1】本発明のメモリカ−ドの実施例を示すブロック
図である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a memory card according to the present invention.
【図2】本発明のメモリカ−ドのピンに対する信号の対
応関係を説明するための説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining the correspondence of signals to pins of a memory card according to the present invention.
【図3】本発明の実施例の要部を説明するための図であ
る。FIG. 3 is a diagram for explaining a main part of an embodiment of the present invention.
【図4】本発明の実施例に使用する制御信号の構成例を
示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a configuration example of a control signal used in the embodiment of the present invention.
【図5】アトリビュ−トメモリの書き込み動作を説明す
るためのタイムチャ−ト図である。FIG. 5 is a time chart for explaining a write operation of the attribute memory.
【図6】アトリビュ−トメモリの読み出し動作を説明す
るためのタイムチャ−ト図である。FIG. 6 is a time chart for explaining a read operation of the attribute memory.
【図7】コモンメモリの書き込み動作を説明するための
タイムチャ−ト図である。FIG. 7 is a time chart for explaining a write operation of the common memory.
【図8】コモンメモリの読み出し動作を説明するための
タイムチャ−ト図である。FIG. 8 is a time chart for explaining a read operation of the common memory.
1 メモリカ−ド 2 アトリビュ−トメモリ 3 コモンメモリ 4 制御回路 5 電源制御回路 6 バックアップ電池 41、42、43・・・ アドレス用レジスタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Memory card 2 Attribute memory 3 Common memory 4 Control circuit 5 Power supply control circuit 6 Backup battery 41, 42, 43 ... Address register
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11C 7/00 315 G06F 3/08 G06K 19/07 WPI(DIALOG)────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) G11C 7/00 315 G06F 3/08 G06K 19/07 WPI (DIALOG)
Claims (1)
メモリカ−ドにおいて、各種のデ−タを記憶させるコモ
ンメモリと、このコモンメモリのメモリ容量を含むカ−
ドの物理的な情報を格納するアトリビュ−トメモリと、
前記したコモンメモリとアトリビュ−トメモリのアドレ
スを指定するためのアドレス用レジスタを含み、これら
2つのメモリの書き込み/読み出しを制御する制御回路
とを備え、さらに、前記制御回路は、入力する制御信号
C0、C1、読み出し信号RD、書込み信号WRにした
がい、C1”ロウ”ではアトリビュ−トメモリを、C
1”ハイ”ではコモンメモリを選択し、C0”ロウ”で
はアトリビュ−トメモリまたはコモンメモリのアドレス
を指定するアドレス用レジスタの書き込み/読み出しモ
−ド、C0”ハイ”ではアトリビュ−トメモリまたはコ
モンメモリの書き込み/読み出しモ−ドとし、C1”ロ
ウ”、C0”ロウ”と共に入力するRD/WRによりア
トリビュ−トメモリのアドレスを指定し、C1”ロ
ウ”、C0”ハイ”と共に入力するRD/WRによりア
トリビュ−トメモリの書き込み/読み出し、C1”ハ
イ”、C0”ロウ”と共に入力するRD/WRによりコ
モンメモリのアドレスを指定し、C1”ハイ”、C0”
ハイ”と共に入力するRD/WRによりコモンメモリの
書き込み/読み出しに各々切換える構成としたことを特
徴とするメモリカ−ド。In de various de - - 1. A Memorika used by being connected to a constant information equipment mosquitoes including a Como <br/> Nmemori which makes storing data, the memory capacity of the common memory -
Attribute memory for storing physical information of the
Addresses of the common memory and attribute memory described above.
Includes an address register for designating the scan, these
A control circuit for controlling writing / reading of the two memories , further comprising a control signal to be inputted
C0, C1, read signal RD, write signal WR
In C1 "low", the attribute memory is
1 "High" selects common memory, C0 "Low"
Is the address of attribute memory or common memory
Write / read mode of the address register that specifies
-Mode, C0 "High" means attribute memory or
In the write / read mode of the flash memory,
C, RD / WR input together with C0 "low"
Specify the address of tributary memory, and
C, RD / WR input with C0 “high”
Writing / reading of tributary memory, C1 "
B) RD / WR input with “0” and C0 “low”
Specify the address of the memory, C1 "high", C0 "
RD / WR input with "high"
A memory card characterized by being configured to switch between writing and reading .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03135246A JP3131789B2 (en) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | Memory card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03135246A JP3131789B2 (en) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | Memory card |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04337595A JPH04337595A (en) | 1992-11-25 |
| JP3131789B2 true JP3131789B2 (en) | 2001-02-05 |
Family
ID=15147225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03135246A Expired - Fee Related JP3131789B2 (en) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | Memory card |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3131789B2 (en) |
-
1991
- 1991-05-13 JP JP03135246A patent/JP3131789B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04337595A (en) | 1992-11-25 |
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