JP3132212B2 - Crystal oscillation circuit - Google Patents
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims description 86
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 69
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は水晶発振回路に関し、特
に相補型MSOトランジスタにより構成される低消費電
力型の水晶発振回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a crystal oscillation circuit, and more particularly to a low power consumption type crystal oscillation circuit constituted by complementary MSO transistors.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の水晶発振回路の基本的の回路構成
を図5(a)に示す。図5(a)に示されるように、P
チャネルMOSトランジスタ51およびNチャネルMO
Sトランジスタ52より成るCMOSインバータを増幅
器として用い、水晶発振子53と容量54および55と
抵抗56により形成される帰還回路を、前記CMOSイ
ンバータの入出力端子に連結して水晶発振回路が構成さ
れている。図5(a)において、当該水晶発振回路は、
上述のようにPチャネルMOSトランジスタ51および
NチャネルMOSトランジスタ52等のCMOSトラン
ジスタにより構成されているが、前記CMOSインバー
タのゲート電圧VG が略々正弦波の状態の振動波形とな
っているため、PチャネルMOSトランジスタ51およ
びNチャネルMOSトランジスタ52には、それぞれ図
5(b)に示されるような貫通電流IC (PチャネルM
OSトランジスタ51→401、NチャネルMOSトラ
ンジスタ52→402)が流れて、水晶発振回路の消費
電流が増大するという欠点がある。この貫通電流I
C は、電源電圧VD の2乗に略々比例して増加するた
め、電源電圧が上昇するとともに消費電力も急激に増大
する。2. Description of the Related Art FIG. 5A shows a basic circuit configuration of a conventional crystal oscillation circuit. As shown in FIG.
Channel MOS transistor 51 and N-channel MO
A CMOS inverter composed of an S transistor 52 is used as an amplifier, and a feedback circuit formed by a crystal oscillator 53, capacitors 54 and 55, and a resistor 56 is connected to the input / output terminal of the CMOS inverter to form a crystal oscillation circuit. I have. In FIG. 5A, the crystal oscillation circuit includes:
Are constituted by CMOS transistors, such as P-channel MOS transistor 51 and N-channel MOS transistor 52 as described above, since the gate voltage V G of the CMOS inverter has a vibration waveform of a state of substantially sinusoidal, Each of the P-channel MOS transistor 51 and the N-channel MOS transistor 52 has a through current I C (P-channel M
(OS transistors 51 → 401 and N-channel MOS transistors 52 → 402) flow, thereby increasing the current consumption of the crystal oscillation circuit. This through current I
C, in order to increase by approximately proportional to the square of the supply voltage V D, the power consumption also increases rapidly with the power supply voltage rises.
【0003】この消費電力の増大を抑制するために、定
電圧源を設けて、水晶発振回路に印加される電圧を制限
する方法が用いられている。水晶発振回路においては、
一般に立ち上がり時における発振振幅が小さいので、短
時間にて発振を成長させるためには、水晶発振回路に電
源電圧VD を直接印加するする方が有利である。図6
は、この点に着目して考えられた特公昭第60−281
62号公報に記載されている低消費電力型の水晶発振回
路である。図6において、電源が投入されると、フリッ
プフロップ64をリセットするために、スイッチ69が
オンとなり、水晶発振回路61には電源電圧VD が印加
される。これにより水晶発振回路61の発振は、急速に
安定な状態になる。第1分周回路62および第2分周回
路63においては、水晶発振回路61の発振出力信号が
計数され、所定数の計数後にフリップフロップ64に入
力されて、当該フリップフロップ64がセットされる。In order to suppress the increase in power consumption, a method of providing a constant voltage source and limiting the voltage applied to the crystal oscillation circuit has been used. In a crystal oscillation circuit,
Since generally the oscillation amplitude at the time of rising is small, in order to grow the oscillation in a short time, it is advantageous to directly apply the power supply voltage V D to the crystal oscillation circuit. FIG.
Is the Japanese Patent Publication No. 60-281
This is a low power consumption type crystal oscillation circuit described in Japanese Patent Publication No. 62-62. In FIG. 6, when the power is turned on, the switch 69 is turned on to reset the flip-flop 64, and the power supply voltage V D is applied to the crystal oscillation circuit 61. As a result, the oscillation of the crystal oscillation circuit 61 rapidly becomes stable. In the first frequency dividing circuit 62 and the second frequency dividing circuit 63, the oscillation output signal of the crystal oscillation circuit 61 is counted, inputted to the flip-flop 64 after a predetermined number is counted, and the flip-flop 64 is set.
【0004】フリップフロップ64がセットされると、
第1のスイッチ69はオフとなり、水晶発振回路61に
対してはダイオード67および68の順方向電圧低下分
だけ低い低電源電圧VDLが供給され、これにより水晶発
振回路61に流入する電流が低減されて、低消費電力化
が図られている。また、電源電圧VD が電源変動等によ
り低下した場合には、このことが電圧検出回路65によ
り検出され、OR回路66を介して再度スイッチ69が
オンとなり、水晶発振回路61に電源電圧VDが供給さ
れて、自動的に安定動作状態が維持されている。When the flip-flop 64 is set,
The first switch 69 is turned off, and the low power supply voltage VDL which is lower by the forward voltage drop of the diodes 67 and 68 is supplied to the crystal oscillation circuit 61, thereby reducing the current flowing into the crystal oscillation circuit 61. As a result, low power consumption has been achieved. Also, when the power supply voltage V D is lowered by the power supply fluctuation or the like, this is detected by the voltage detection circuit 65, the switch 69 again via the OR circuit 66 is turned on, the power supply voltage V D to the crystal oscillation circuit 61 Is supplied, and the stable operation state is automatically maintained.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の図6に
示される水晶発振回路においては、水晶発振回路の出力
を計数して、所定時間後に当該水晶発振回路に印加され
る電圧を低電圧に切換えているが、このために、切換え
時における計数値を低目に設定すると、発振振幅が十分
安定しない内に電源が切換えられて、発振が安定するま
でに或る時間を要するという欠点がある。In the conventional crystal oscillation circuit shown in FIG. 6, the output of the crystal oscillation circuit is counted, and after a predetermined time, the voltage applied to the crystal oscillation circuit is reduced to a low voltage. However, if the count value at the time of switching is set to a low value, the power supply is switched while the oscillation amplitude is not sufficiently stabilized, and a certain time is required until oscillation stabilizes. .
【0006】また、切換え時における計数値を高目に設
定すると、発振振幅が十分安定してからも、暫くの間高
い電源電圧が直接水晶発振回路に印加されて、消費電力
が増大するという欠点があり、前記計数値の設定を介し
て、適切に切換えのタイミングを設定することが困難で
あるという欠点がある。If the count value at the time of switching is set to a high value, a high power supply voltage is directly applied to the crystal oscillation circuit for a while even after the oscillation amplitude is sufficiently stabilized, so that power consumption increases. There is a drawback that it is difficult to appropriately set the switching timing through the setting of the count value.
【0007】そして、更に、ダイオード67および68
の順方向低下電圧分だけの電源電圧低下しか得られず、
電源電圧が高くなった場合には、図4に示されるよう
に、電源電流が増加するとともに、水晶発振回路に印加
される電圧も上昇し、前記CMOSインバータ、水晶発
振子および容量等の電圧依存性が現われて、高精度の周
波数安定度が得られないという欠点がある。Further, diodes 67 and 68
Power supply voltage drop by the forward drop voltage of
When the power supply voltage increases, as shown in FIG. 4, as the power supply current increases, the voltage applied to the crystal oscillation circuit also increases, and the voltage dependence of the CMOS inverter, crystal oscillator, capacitance, etc. However, there is a drawback that high-precision frequency stability cannot be obtained.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の水晶発振回路
は、CMOSインバータ、抵抗および水晶発振子により
形成される水晶発振器と、所定の電源電圧源と前記水晶
発振器の電源供給端子との間に挿入接続されるNチャネ
ル・デプレッションMOSトランジスタと、前記電源電
圧源による前記水晶発振器に対する電源投入時におい
て、当該水晶発振器の発振出力に対応して、当該水晶発
振器が正常な発振状態に到達する以前の発振立ち上がり
状態を含む発振停止状態を検出して第1の制御信号を出
力し、当該水晶発振器が正常な発振状態に到達した時点
における発振状態を検出して第2の制御信号を出力し
て、前記第1および第2の制御信号を介して前記Nチャ
ネル・デプレッションMOSトランジスタの導通状態を
制御する発振停止検出器と、を少なくとも備えて構成さ
れる。A crystal oscillation circuit according to the present invention comprises a crystal oscillator formed by a CMOS inverter, a resistor and a crystal oscillator, and a predetermined power supply voltage source and a power supply terminal of the crystal oscillator. N channels inserted and connected
Comprising a Le depletion MOS transistor, at the time of power-on for the crystal oscillator by the power supply voltage source, in response to the oscillation output of the crystal oscillator, the previous oscillation rising state in which the crystal oscillator reaches a normal oscillation state Detecting the oscillation stop state and outputting a first control signal, detecting the oscillation state when the crystal oscillator reaches a normal oscillation state and outputting a second control signal, and outputting the first and second control signals. the N Cha via two control signals
An oscillation stop detector for controlling the conduction state of the flannel depletion MOS transistor.
【0009】[0009]
【0010】[0010]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
【0011】図1は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。図1に示されるように、本実施例は、PチャネルM
OSトランジスタ14、NチャネルMOSトランジスタ
15、抵抗16、水晶発振子17、容量18および19
により形成される水晶発振器11と、発振停止検出器1
2と、Nチャネル・デプレッションMOSトランジスタ
13とを備えて構成される。本実施例と従来例(図5
(a)参照)との相違点は、水晶発振器11に対する電
源供給が、本発明においては、Nチャネル・デプレッシ
ョンMOSトランジスタ13を介して行われていること
と、当該Nチャネル・デプレッションMOSトランジス
タ13と出力端子71との間に発振停止検出器12が接
続されていることである。FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, this embodiment employs a P-channel M
OS transistor 14, N-channel MOS transistor 15, resistor 16, crystal oscillator 17, capacitors 18 and 19
Oscillator Stop Detector 1
2 and an N-channel depletion MOS transistor 13. This embodiment and a conventional example (FIG. 5)
(Refer to (a)) is that the power supply to the crystal oscillator 11 is performed via the N-channel depletion MOS transistor 13 in the present invention. That is, the oscillation stop detector 12 is connected to the output terminal 71.
【0012】図1において、Nチャネル・デプレッショ
ンMOSトランジスタ13のしきい値電圧VTDは、その
絶対値がPチャネルMOSトランジスタ14とNチャネ
ルMOSトランジスタ15のしきい値電圧の和よりも少
し大き目の値に設定される。これは、水晶発振回路が安
定に発振するために必要な電圧であり、通常2V前後の
値である。電源電圧VD が投入された直後においては、
水晶発振器11は未だ発振停止状態にあるため、発振停
止検出器12よりは“H”レベルが出力されている。ま
た、Nチャネル・デプレッションMOSトランジスタ1
3は、ゲートに電圧VD が印加されるために常にオンの
状態となり、従って節点Aの電位はVDとなる。これに
より水晶発振器11には電源電圧VD が直接に印加され
る状態となり、急速に発振が開始される。水晶発振器1
1における発振開始に伴ない、発振停止検出器12から
は即“L”レベルが出力されて、Nチャネル・デプレッ
ションMOSトランジスタ13のゲートには、一転して
0Vの電位が印加される。Nチャネル・デプレッション
MOSトランジスタ13は、ドレインが電源に接続され
たソースフォロア形式によっているために、ソースの電
位即ち節点Aの電位は、Nチャネル・デプレッションM
OSトランジスタ13のしきい値電圧VTD(約2V)ま
で低下する。これにより、水晶発振器11に印加される
電圧が低下するために、当該水晶発振器11における消
費電力は低い値に抑制される。In FIG. 1, the threshold voltage V TD of N-channel depletion MOS transistor 13 has an absolute value slightly larger than the sum of the threshold voltages of P-channel MOS transistor 14 and N-channel MOS transistor 15. Set to value. This is a voltage necessary for the crystal oscillation circuit to oscillate stably, and is usually around 2V. Immediately after the power supply voltage V D is turned on,
Since the crystal oscillator 11 is still in the oscillation stop state, the oscillation stop detector 12 outputs an “H” level. Also, an N-channel depletion MOS transistor 1
No. 3 is always on because the voltage V D is applied to the gate, so that the potential of the node A becomes V D. Thus a state in which the power supply voltage V D is applied directly to the crystal oscillator 11, a rapid oscillation is started. Crystal oscillator 1
With the start of the oscillation at 1, the oscillation stop detector 12 immediately outputs the "L" level, and the potential of 0 V is applied to the gate of the N-channel depletion MOS transistor 13 for a while. Since the N-channel depletion MOS transistor 13 is of a source follower type in which the drain is connected to the power supply, the potential of the source, that is, the potential of the node A is equal to the N-channel depletion M
The voltage drops to the threshold voltage V TD (about 2 V) of the OS transistor 13. As a result, the voltage applied to the crystal oscillator 11 decreases, so that the power consumption of the crystal oscillator 11 is suppressed to a low value.
【0013】図2は、上記の発振停止検出器12の構成
例を示す回路図であるが、本回路は、本願発明者により
創作された回路例(特願平3−9872)であり、低消
費電力にて安定に発振停止を検出することのできる発振
停止検出器の回路を示している。図2において、水晶発
振器1の発振停止時(電源投入後の発振立ち上がり時を
含む)においては、クロック入力端子28より発振出力
のクロックが入力されないために、インバータ21、容
量22、ダイオード接続されるNチャネルMOSトラン
ジスタ23および24より構成される昇圧回路は動作せ
ず、抵抗25および容量26により構成される平滑回路
を介して、インバータ27の入力側の電位は“L”レベ
ルとなり、インバータ28の出力レベルは“H”レベル
となって、発振停止検出出力端子29からは“H”レベ
ルの電位が出力される。そして、水晶発振器1の発振が
開始されると、クロック入力端子28より発振出力に対
応するクロックが入力されるために、前記昇圧回路が作
動して前記平滑回路に充電され、これによりインバータ
27の入力側の電位が“H”レベルとなり、発振停止検
出出力端子29には、インバータ27を介して“L”レ
ベルの電位が出力される。FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration example of the oscillation stop detector 12 described above. This circuit is a circuit example created by the inventor of the present invention (Japanese Patent Application No. 3-9872). 2 shows a circuit of an oscillation stop detector that can stably detect an oscillation stop with power consumption. In FIG. 2, when the oscillation of the crystal oscillator 1 is stopped (including when the oscillation rises after the power is turned on), since the clock of the oscillation output is not input from the clock input terminal 28, the inverter 21, the capacitor 22, and the diode are connected. The booster circuit composed of the N-channel MOS transistors 23 and 24 does not operate, and the potential on the input side of the inverter 27 becomes “L” level via the smoothing circuit composed of the resistor 25 and the capacitor 26, The output level becomes “H” level, and an “H” level potential is output from the oscillation stop detection output terminal 29. When the oscillation of the crystal oscillator 1 starts, a clock corresponding to the oscillation output is input from the clock input terminal 28, so that the booster circuit operates to charge the smoothing circuit. The potential on the input side becomes “H” level, and an “L” level potential is output to the oscillation stop detection output terminal 29 via the inverter 27.
【0014】図3は、図1における水晶発振器11に直
接供給される電源電圧(節点Aの電圧)の時間的変化を
示す図である。図3において、時間軸のT=0の時点は
電源電圧VD のオンのタイミングを示しており、T=T
S は発振停止検出器13の発振停止検出出力端子の出力
レベルが、0Vに保持されていた状態の終止点に対応す
るタイミングを示している。図3に示されるように、電
源電圧VD が印加されて正常の発振状態に到達するまで
の時間帯(T=0〜TS )においては発振停止検出器1
2の出力レベルは“H”レベルとして出力されており、
この“H”レベルの電位が図1におけるNチャネル・デ
プレションMOSトランジスタ13のゲートに印加され
るために、当該Nチャネル・デプレションMOSトラン
ジスタ13はオンの状態となり、節点Aの電位はVD と
なる。即ち、T=0〜TS の発振停止時間帯において
は、水晶発振器11に対しては、図3に示されるよう
に、電源電圧VD が直接的に印加される。これにより発
振が開始され正常の発振状態になると、発振停止検出器
12の出力レベルは“L”レベルとなり、この“L”レ
ベルの電位が図1におけるNチャネル・デプレションM
OSトランジスタ13のゲートに印加される。これによ
り当該Nチャネル・デプレションMOSトランジスタ1
3のインピーダンスが高目となり、節点Aの電位、即ち
水晶発振器11に対する供給電源電圧は、図3に示され
るように、Nチャネル・デプレションMOSトランジス
タ13のしきい値電圧VTDの絶対値に略等しい電位(約
2V)に低下する。FIG. 3 is a diagram showing a temporal change of the power supply voltage (the voltage at the node A) directly supplied to the crystal oscillator 11 in FIG. 3, the time of T = 0 of the time axis shows the timing of on of the power supply voltage V D, T = T
S indicates the timing corresponding to the end point when the output level of the oscillation stop detection output terminal of the oscillation stop detector 13 is kept at 0V. As shown in FIG. 3, in the time zone (T = 0 to T S ) from when the power supply voltage V D is applied to when a normal oscillation state is reached, the oscillation stop detector 1
2 is output as "H" level,
Since this "H" level potential is applied to the gate of the N-channel depletion MOS transistor 13 in FIG. 1, the N-channel depletion MOS transistor 13 is turned on, and the potential of the node A becomes V D Becomes That is, in the oscillation stop time zone of T = 0 to T S , the power supply voltage V D is directly applied to the crystal oscillator 11 as shown in FIG. As a result, when the oscillation is started and a normal oscillation state is set, the output level of the oscillation stop detector 12 becomes "L" level, and the potential of this "L" level becomes N-channel depletion M in FIG.
Applied to the gate of the OS transistor 13. Thereby, the N-channel depletion MOS transistor 1
3, the potential at the node A, that is, the power supply voltage to the crystal oscillator 11 becomes equal to the absolute value of the threshold voltage V TD of the N-channel depletion MOS transistor 13 as shown in FIG. The potential drops to approximately the same potential (about 2 V).
【0015】図4は、消費電流低減対策が為されていな
い水晶発振回路、消費電流低減対策が為されている従来
の水晶発振回路および本発明による水晶発振回路におけ
る電源電流対電源電圧特性を、それぞれ401、402
および403として明示し、相互の水晶発振回路間の特
性差異を比較対照する形で示した図である。図4におい
て、対策が為されていない水晶発振回路の場合には、特
性401より明らかなように、電源電流の値は、電源電
圧の2乗に比例して増加してゆく。また、従来例の場合
には、その特性402に見られるように、前記特性40
1に対して、ダイオード接続のNチャネルMOSトラン
ジスタ23および24の順電圧(2VF)分だけ電源電
圧が高い方にシフトし、その分低消費電力化が実現され
てはいるものの、電源電圧の上昇とともに電源電流が上
昇する度合が極めて大きい。しかしながら、本発明の特
性403の場合には、図3に見られるように、電源電圧
がNチャネル・デプレションMOSトランジスタ13の
しきい値電圧VTDの絶対値になる時点以降においては、
電源電圧が上昇しても、電源電流の値は一定値に保持さ
れている。即ち、本発明においては、広い電源電圧範囲
に亘り水晶発振回路の低消費電力化が実現されているこ
とが分かる。また、広い電源電圧範囲において、水晶発
振回路に対して直接に供給される電源電圧が一定に保持
されるために、図1において、水晶発振器11を構成す
るPチャネルMOSトランジスタ14およびNチャネル
MOSトランジスタ15を含むCMOSインバータ、水
晶発振子17、容量18および19等の回路構成要素に
おいて、供給電源電圧に対する依存性が現われることが
ない。また、これにより、発振周波数の電源電圧依存性
も抑制されて、発振周波数精度の高い水晶発振器が実現
される。FIG. 4 is a graph showing the relationship between the power supply current and the power supply voltage in a crystal oscillation circuit in which no measures are taken to reduce current consumption, a conventional crystal oscillation circuit in which measures are taken to reduce current consumption, and a crystal oscillation circuit according to the invention. 401, 402 respectively
FIGS. 4A and 4B are diagrams clearly shown as 403 and are shown in a manner to compare and contrast the characteristic difference between the crystal oscillation circuits. In FIG. 4, in the case of a crystal oscillation circuit for which no countermeasures are taken, the value of the power supply current increases in proportion to the square of the power supply voltage, as is clear from the characteristic 401. In the case of the conventional example, as seen from the characteristic 402, the characteristic 40
1, the power supply voltage shifts to the higher side by the forward voltage (2V F ) of the diode-connected N-channel MOS transistors 23 and 24, and although the power consumption is reduced by that amount, the power supply voltage is reduced. The degree to which the power supply current increases with the rise is extremely large. However, in the case of the characteristic 403 of the present invention, as shown in FIG. 3, after the power supply voltage reaches the absolute value of the threshold voltage V TD of the N-channel depletion MOS transistor 13,
Even if the power supply voltage rises, the value of the power supply current is kept at a constant value. That is, in the present invention, it can be seen that low power consumption of the crystal oscillation circuit is realized over a wide power supply voltage range. In addition, since the power supply voltage directly supplied to the crystal oscillation circuit is kept constant over a wide power supply voltage range, the P-channel MOS transistor 14 and the N-channel MOS transistor In the circuit components such as the CMOS inverter 15 including the crystal oscillator 17, the crystal oscillator 17, the capacitors 18 and 19, the dependency on the supply power voltage does not appear. This also suppresses the power supply voltage dependence of the oscillation frequency, thereby realizing a crystal oscillator with high oscillation frequency accuracy.
【0016】[0016]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、発振出
力の停止を検出する発振停止検出回路を備え、水晶発振
器の発振開始に伴ない、当該水晶発振器に供給される電
源電圧を所定の定電位に保持することにより、広い電源
電圧範囲に亘り低消費電力化を図ることができるととも
に、発振周波数を高精度に維持することができるという
効果がある。As described above, the present invention includes the oscillation stop detecting circuit for detecting the stop of the oscillation output, and the power supply voltage supplied to the crystal oscillator is controlled by a predetermined value when the oscillation of the crystal oscillator starts. By maintaining the potential at a constant potential, power consumption can be reduced over a wide power supply voltage range, and the oscillation frequency can be maintained with high accuracy.
【図1】本発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention.
【図2】本実施例における発振停止検出器を示す回路図
である。FIG. 2 is a circuit diagram showing an oscillation stop detector according to the embodiment.
【図3】前記発振停止検出器を含む動作を示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing an operation including the oscillation stop detector.
【図4】電源電圧対電源電流特性の比較図である。FIG. 4 is a comparison diagram of power supply voltage versus power supply current characteristics.
【図5】水晶発振器の回路図および水晶発振器の貫通電
流特性を示す図である。5A and 5B are a circuit diagram of a crystal oscillator and a diagram showing a through current characteristic of the crystal oscillator.
【図6】従来例を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing a conventional example.
11 水晶発振器 12 発振停止検出器 13 Nチャネル・デプレッションMOSトランジス
タ 14 PチャネルMOSトランジスタ 15、23、24 NチャネルMOSトランジスタ 16、25 抵抗 17 水晶発振子 18、19、22、26 容量 21、27 インバータ 61 水晶発振回路 62 第1分周回路 63 第2分周回路 64 フリップフロップ 65 電圧検出回路 66 OR回路 67、68 ダイオード 69、70 スイッチReference Signs List 11 crystal oscillator 12 oscillation stop detector 13 N-channel depletion MOS transistor 14 P-channel MOS transistor 15, 23, 24 N-channel MOS transistor 16, 25 resistor 17 crystal oscillator 18, 19, 22, 26 capacity 21, 27 inverter 61 Crystal oscillation circuit 62 First frequency divider 63 Second frequency divider 64 Flip-flop 65 Voltage detector 66 OR circuit 67, 68 Diode 69, 70 Switch
Claims (1)
振子により形成される水晶発振器と、 所定の電源電圧源と前記水晶発振器の電源供給端子との
間に挿入接続されるNチャネル・デプレッションMOS
トランジスタと、 前記電源電圧源による前記水晶発振器に対する電源投入
時において、当該水晶発振器の発振出力に対応して、当
該水晶発振器が正常な発振状態に到達する以前の発振立
ち上がり状態を含む発振停止状態を検出して第1の制御
信号を出力し、当該水晶発振器が正常な発振状態に到達
した時点における発振状態を検出して第2の制御信号を
出力して、前記第1および第2の制御信号を介して前記
Nチャネル・デプレッションMOSトランジスタの導通
状態を制御する発振停止検出器と、を少なくとも備える
ことを特徴とする水晶発振回路。1. A crystal oscillator formed by a CMOS inverter, a resistor and a crystal oscillator, and an N-channel depletion MOS inserted and connected between a predetermined power supply voltage source and a power supply terminal of the crystal oscillator.
When the power supply to the crystal oscillator is turned on by the transistor and the power supply voltage source, in response to the oscillation output of the crystal oscillator, an oscillation stop state including an oscillation rising state before the crystal oscillator reaches a normal oscillation state is set. And outputs a first control signal, detects an oscillation state when the crystal oscillator reaches a normal oscillation state, and outputs a second control signal, and outputs the first and second control signals. Through the
An oscillation stop detector for controlling a conduction state of the N-channel depletion MOS transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05003720A JP3132212B2 (en) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | Crystal oscillation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05003720A JP3132212B2 (en) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | Crystal oscillation circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216644A JPH06216644A (en) | 1994-08-05 |
| JP3132212B2 true JP3132212B2 (en) | 2001-02-05 |
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ID=11565142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05003720A Expired - Fee Related JP3132212B2 (en) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | Crystal oscillation circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3132212B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411169B1 (en) | 1996-12-27 | 2002-06-25 | Seiko Epson Corporation | Oscillation circuit, electronic circuit using the same, and semiconductor device, electronic equipment, and timepiece using the same |
| KR100598088B1 (en) * | 1999-06-03 | 2006-07-07 | 삼성전자주식회사 | Oscillation Detection Circuit of Semiconductor Device |
| JP5140944B2 (en) * | 2006-05-12 | 2013-02-13 | 株式会社リコー | Oscillation circuit and control method thereof |
-
1993
- 1993-01-13 JP JP05003720A patent/JP3132212B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06216644A (en) | 1994-08-05 |
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