JP3133676B2 - Liquid crystal display - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置、とり
わけ薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いた
アクティブマトリクス型液晶表示装置に関するものであ
る。The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to an active matrix type liquid crystal display device using thin film transistors as switching elements.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、微細加工技術と液晶材料の進歩に
より、液晶パネルを用いたテレビ画像表示装置が商用ベ
ースで提供されている。その方式としては画像毎にスイ
ッチング素子を内蔵させた、いわゆるアクティブマトリ
クス方式が高コントラスト、高解像度等の利点から主流
になりつつある。2. Description of the Related Art In recent years, with the advance of fine processing technology and liquid crystal materials, television image display devices using liquid crystal panels have been provided on a commercial basis. As such a system, a so-called active matrix system in which a switching element is incorporated for each image is becoming mainstream because of advantages such as high contrast and high resolution.
【０００３】以下、図面を用いてこの従来のアクティブ
マトリクス型の液晶パネルの一例について説明する。図
３はアクティブマトリクス型の液晶パネルの等価回路を
示すものである。走査線群１と信号線群２との交差点毎
に、例えば電界効果型の薄膜トランジスタ（以下、電界
効果型トランジスタと呼ぶ）のスイッチング素子３と、
液晶セル４が配置される。５は全ての液晶セル４に共通
する透明導電層よりなる対向電極である。図４は一般的
なアクティブマトリクス方式の単位画素を示す平面配置
図である。図５は図４のＡ−Ａ´線における断面図であ
る。Hereinafter, an example of this conventional active matrix type liquid crystal panel will be described with reference to the drawings. FIG. 3 shows an equivalent circuit of an active matrix type liquid crystal panel. A switching element 3 of, for example, a field effect thin film transistor (hereinafter, referred to as a field effect transistor) at each intersection of the scanning line group 1 and the signal line group 2;
A liquid crystal cell 4 is provided. Reference numeral 5 denotes a common electrode made of a transparent conductive layer common to all the liquid crystal cells 4. FIG. 4 is a plan view showing a unit pixel of a general active matrix system. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
【０００４】以下、製造工程順に説明する。まず、透明
性絶縁基板１４の一主面上には画素電極６が形成され
る。透明性絶縁基板１４には、例えばガラス基板が用い
られ、画素電極６には例えばＩＴＯが用いられる。次に
透明性絶縁基板１４上に、走査線と電界効果型トランジ
スタのゲートを兼ねる走査配線（導電層）７が設けられ
る。この走査配線７は、第一の導電層７ａと第二の導電
層７ｂとの連続的な積層によって被着形成される。第一
の導電層７ａには例えばＣｒ薄膜が、第二の導電層７ｂ
には例えばＭｏＳｉ2薄膜が用いられる。さらにその上
には第一の絶縁層１５と、不純物をほとんど含まない第
一の非晶質シリコン層１１、そして第二の絶縁層１３が
被着される。これらは、連続的に被着されることが好ま
しい。第一の絶縁層１５と第二の絶縁層１３には、例え
ばＳｉ3Ｎ4が用いられる。第二の絶縁層１３はソース配
線及びドレイン配線時のエッチングストッパとして電界
効果型トランジスタのチャンネル部に島状にパタニング
される。[0004] The steps will be described below in the order of manufacturing steps. First, the pixel electrode 6 is formed on one main surface of the transparent insulating substrate 14. For example, a glass substrate is used for the transparent insulating substrate 14, and for example, ITO is used for the pixel electrode 6. Next, on the transparent insulating substrate 14, a scanning wiring (conductive layer) 7 serving as a scanning line and a gate of a field effect transistor is provided. The scanning wiring 7 is formed by continuous lamination of a first conductive layer 7a and a second conductive layer 7b. For example, a Cr thin film is formed on the first conductive layer 7a, and a second conductive layer 7b is formed on the first conductive layer 7a.
For example, a MoSi 2 thin film is used. Furthermore, a first insulating layer 15, a first amorphous silicon layer 11 containing almost no impurities, and a second insulating layer 13 are deposited thereon. These are preferably applied continuously. For the first insulating layer 15 and the second insulating layer 13, for example, Si 3 N 4 is used. The second insulating layer 13 is patterned in an island shape on the channel portion of the field effect transistor as an etching stopper at the time of the source wiring and the drain wiring.
【０００５】第一の非晶質シリコン層１１とソース配線
８の電極部とドレイン配線９の電極部との間のオーミッ
ク性を改善する目的で、例えば燐を含んだ第二の非晶質
シリコン層１２が、前記第一の非晶質シリコン層１１が
被着されるのと同時に電界効果型トランジスタのチャン
ネル部に島状にパタニングされる。最後にソース配線
８、及びドレイン配線９が形成される。これら配線に
は、例えばＡｌ薄膜が用いられる。以上のような工程を
経て、液晶表示装置のアレイが完成する。For the purpose of improving the ohmic properties between the first amorphous silicon layer 11 and the electrode portion of the source wiring 8 and the electrode portion of the drain wiring 9, for example, the second amorphous silicon containing phosphorus is used. A layer 12 is patterned in the form of an island on the channel of the field effect transistor at the same time as the first amorphous silicon layer 11 is deposited. Finally, a source wiring 8 and a drain wiring 9 are formed. For these wires, for example, an Al thin film is used. Through the above steps, an array of the liquid crystal display device is completed.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】液晶パネルのさらなる
高密度化、及び大画面化を達成するために画像表示上の
無点欠陥化が切望されている。しかしながら前記のよう
な構成では構造、及び製造プロセスが複雑であるため、
この無点欠陥化の実現は非常に困難である。この無点欠
陥化を困難にしている原因の一つに、信号配線もしくは
ドレイン電極と蓄積容量用電極との電気的短絡がある。
電気的短絡（膜残り）は、信号配線層のパタニング時の
ダスト付着によるパタン不良が主な原因である。走査配
線とドレイン電極及び蓄積容量用電極とが同一層で形成
されるものについては信号配線、もしくはドレイン電極
と、蓄積容量用電極との距離が数ミクロンであるため膜
残りによる欠陥が発生し易い。液晶パネルを画像表示さ
せた際には、この電気的短絡は点欠陥として画像に表
れ、著しく画像性能を低下させることになる。In order to further increase the density of the liquid crystal panel and to increase the screen size, it is desired to reduce the number of defects in image display. However, since the structure and the manufacturing process are complicated in the above configuration,
It is very difficult to realize this pointless defect. One of the factors that makes the astigmatism defect difficult is an electrical short circuit between the signal wiring or drain electrode and the storage capacitor electrode.
The main cause of the electric short circuit (residual film) is a pattern failure due to dust adhesion at the time of patterning of the signal wiring layer. In the case where the scanning wiring, the drain electrode, and the electrode for the storage capacitor are formed in the same layer, the distance between the signal wiring or the drain electrode and the electrode for the storage capacitor is several microns, so that a defect due to film residue easily occurs. . When an image is displayed on the liquid crystal panel, the electric short circuit appears in the image as a point defect, which significantly reduces the image performance.
【０００７】本発明は上記課題を解消し、信号配線もし
くはドレイン電極と、蓄積容量用電極との電気的短絡に
よる点欠陥発生を防止できる液晶表示装置を提供するこ
とを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device which can solve the above-mentioned problems and can prevent the occurrence of point defects due to an electrical short circuit between a signal wiring or a drain electrode and an electrode for a storage capacitor.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の第１番目の液晶表示装置は基板上にマトリ
クス状に配置された画素電極と、前記画素電極に近接し
て配置される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジス
タに信号を入力するための信号配線と、前記薄膜トラン
ジスタから画素電極へ電流を通すドレイン電極と、前記
薄膜トランジスタを走査するための走査配線と、前記走
査配線と絶縁体を介して対向する蓄積容量用電極とを備
えた液晶表示装置であって、前記蓄積容量用電極は、前
記走査配線の幅方向のいづれの両端部からもはみ出す延
長部分を有し、さらに前記蓄積容量用電極には前記走査
配線を横断する開口部が設けられ、この開口部の両端部
は前記蓄積容量用電極の両側の延長部分を含み、前記両
端部における前記蓄積容量用電極を切断することによ
り、前記蓄積容量用電極を複数の部分に分割することが
可能なことを特徴とする。In order to achieve the above object, a first liquid crystal display device according to the present invention comprises a pixel electrode arranged in a matrix on a substrate and a pixel electrode arranged in close proximity to the pixel electrode. A thin film transistor, a signal line for inputting a signal to the thin film transistor, a drain electrode for passing a current from the thin film transistor to a pixel electrode, a scan line for scanning the thin film transistor, and the scan line and an insulator. A liquid crystal display device having opposed storage capacitor electrodes, wherein the storage capacitor electrodes have extended portions protruding from both ends in the width direction of the scanning wiring, and further include the storage capacitor electrodes. Is provided with an opening traversing the scanning wiring, both ends of this opening include extensions on both sides of the storage capacitor electrode, By cutting the product capacitor electrodes, it characterized that it is possible to divide the storage capacitance electrodes into a plurality of parts.
【０００９】以上のような構成によれば、蓄積容量用電
極と信号配線とのパタニング不良による電気的な短絡が
発生しても、蓄積容量用電極にあらかじめ設けた開口部
を切断することにより、蓄積容量用電極を前記短絡部を
含む部分と含まない部分とに分割することが可能である
ため、点欠陥発生を防止した高品位な表示性能の液晶表
示装置を提供することができる。さらに点欠陥発生によ
る製造時の不良率を大幅に低下させることができるた
め、大幅な製造歩留りの向上及びそれに伴うコスト低減
が可能となる。According to the above configuration, even if an electrical short circuit occurs due to poor patterning between the storage capacitor electrode and the signal wiring, the opening provided in advance in the storage capacitor electrode is cut off. Since the storage capacitor electrode can be divided into a portion including the short-circuit portion and a portion not including the short-circuit portion, it is possible to provide a liquid crystal display device having high-quality display performance in which point defects are prevented from occurring. Furthermore, since the defect rate at the time of manufacturing due to the point defect can be significantly reduced, the manufacturing yield can be greatly improved and the cost can be reduced accordingly.
【００１０】次に、本発明の第２番目の液晶表示装置は
基板上にマトリクス状に配置された画素電極と、前記画
素電極に近接して配置される薄膜トランジスタと、前記
薄膜トランジスタに信号を入力するための信号配線と、
前記薄膜トランジスタから画素電極へ電流を通すドレイ
ン電極と、前記薄膜トランジスタを走査するための走査
配線と、前記走査配線と絶縁体を介して対向する蓄積容
量用電極とを備えた液晶表示装置であって、前記蓄積容
量用電極は、前記走査配線の幅方向の両端部のうちドレ
イン電極側の端部からはみ出す延長部分を有し、さらに
前記蓄積容量用電極には開口部が設けられ、この開口部
は前記蓄積容量用電極のドレイン電極側の前記延長部分
を含み、前記開口部の周囲における前記蓄積容量用電極
を切断することにより、前記蓄積容量用電極を複数の部
分に分割することが可能なことを特徴とする。Next, a second liquid crystal display device of the present invention provides a pixel electrode arranged in a matrix on a substrate, a thin film transistor arranged close to the pixel electrode, and a signal input to the thin film transistor. Signal wiring for
A liquid crystal display device comprising: a drain electrode for passing a current from the thin film transistor to a pixel electrode; a scan line for scanning the thin film transistor; and a storage capacitor electrode opposed to the scan line via an insulator. The storage capacitor electrode has an extended portion that protrudes from an end on the drain electrode side of both ends in the width direction of the scanning wiring, and an opening is further provided in the storage capacitor electrode, and the opening is It is possible to divide the storage capacitor electrode into a plurality of portions by cutting the storage capacitor electrode around the opening, including the extension of the storage capacitor electrode on the drain electrode side. It is characterized by.
【００１１】以上のような構成によれば、蓄積容量用電
極とドレイン電極とのパタニング不良による電気的な短
絡が発生しても、蓄積容量用電極にあらかじめ設けた開
口部を切断することにより、蓄積容量用電極を前記短絡
部を含む部分と含まない部分とに分割することが可能で
あるため、点欠陥発生を防止した高品位な表示性能の液
晶表示装置を提供することができる。さらに点欠陥発生
による製造時の不良率を大幅に低下させることができる
ため、大幅な製造歩留りの向上及びそれに伴うコスト低
減が可能となる。According to the above-described structure, even if an electrical short circuit occurs due to poor patterning between the storage capacitor electrode and the drain electrode, the opening provided in the storage capacitor electrode is cut off by cutting. Since the storage capacitor electrode can be divided into a portion including the short-circuit portion and a portion not including the short-circuit portion, it is possible to provide a liquid crystal display device having high-quality display performance in which point defects are prevented from occurring. Furthermore, since the defect rate at the time of manufacturing due to the point defect can be significantly reduced, the manufacturing yield can be greatly improved and the cost can be reduced accordingly.
【００１２】第１番目の液晶表示装置においては、蓄積
容量用電極の内、信号配線と電気的な短絡部のある蓄積
容量用電極は、蓄積容量用電極に形成されている開口部
の両端部における前記蓄積容量用電極がレーザ等により
切断されていることにより、前記蓄積容量用電極が前記
短絡部を含む部分と含まない部分とに分割されているこ
とが好ましい。In the first liquid crystal display device, of the storage capacitor electrodes, the storage capacitor electrode having an electrical short-circuit with the signal wiring is connected to both ends of an opening formed in the storage capacitor electrode. It is preferable that the storage capacitor electrode is divided into a portion including the short-circuited portion and a portion not including the short-circuited portion by cutting the storage capacitor electrode by laser or the like.
【００１３】以上のような構成によれば、蓄積容量用電
極と信号配線とのパタニング不良による電気的な短絡が
ある画素であっても、正常動作が可能な画素となる。According to the above-described configuration, even if the pixel has an electrical short due to poor patterning between the storage capacitor electrode and the signal wiring, the pixel can operate normally.
【００１４】第２番目の液晶表示装置においては、蓄積
容量用電極の内、ドレイン配線と電気的な短絡のある蓄
積容量用電極は、蓄積容量用電極に形成されている開口
部の周囲における前記蓄積容量用電極がレーザ等により
切断されていることにより、前記蓄積容量用電極が前記
短絡部を含む部分と含まない部分とに分割されているこ
とが好ましい。In the second liquid crystal display device, of the storage capacitor electrodes, the storage capacitor electrode having an electrical short circuit with the drain wiring is provided around the opening formed in the storage capacitor electrode. It is preferable that the storage capacitor electrode is divided into a portion including the short-circuit portion and a portion not including the short-circuit portion by cutting the storage capacitor electrode with a laser or the like.
【００１５】以上のような構成によれば、蓄積容量用電
極とドレイン電極とのパタニング不良による電気的な短
絡がある画素であっても、正常動作が可能な画素とな
る。According to the above-described configuration, even if the pixel has an electrical short circuit due to a poor patterning between the storage capacitor electrode and the drain electrode, the pixel can operate normally.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図面を用いて説明する。図１は本発明の一実施形態
によるアクティブマトリクス型の液晶表示装置の単位画
素を示す平面配置図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing a unit pixel of an active matrix type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
【００１７】この液晶表示装置の構成を製造工程順に説
明する。まず、ガラス基板上（図示せず）に透明電極か
らなる画素電極２２をパターン形成し、前記画素電極２
２とは電気的に分離して、ゲートとなる走査配線２３
（Ｃｒ、Ａｌ等）をパターン形成する。次に走査配線２
３と信号配線１６との絶縁を保つための第一の絶縁層
（図示せず）が形成され、さらに電界効果型トランジス
タ部には不純物をほとんど含まない第一の非晶質シリコ
ン層２１、及び第二の絶縁層２０が連続的に被着され
る。第二の絶縁層２０は、後に形成される信号配線１６
のエッチングストッパーとして電界トランジスタのチャ
ンネル部に島状にパタニングされる。次に第一の非晶質
シリコン層２１と信号配線１６との間にオーミック性を
改善する目的で、例えば燐を含んだ第二の非晶質シリコ
ン層（図示せず）が第一の非晶質シリコン層２１と同様
の位置に島状にパタニングされる。次に信号配線１６、
ドレイン電極１９、及び蓄積容量用電極１７がそれぞれ
電気的に独立した平面的な電極（Ｍｏ、Ａｌ等）として
形成される。ドレイン電極１９は画素電極２２と開口コ
ンタクト部１８によって電気的に接続され、蓄積容量用
電極１７も同様に開口コンタクト部によって画素電極２
２に電気的に接続される。The structure of the liquid crystal display device will be described in the order of manufacturing steps. First, a pixel electrode 22 made of a transparent electrode is formed in a pattern on a glass substrate (not shown).
2 is electrically separated from the scanning wiring 23 serving as a gate.
(Cr, Al, etc.) is patterned. Next, scan wiring 2
A first insulating layer (not shown) for maintaining insulation between the semiconductor device 3 and the signal wiring 16; a first amorphous silicon layer 21 containing almost no impurities in the field effect transistor portion; and A second insulating layer 20 is continuously applied. The second insulating layer 20 is formed on the signal wiring 16 to be formed later.
Is patterned in an island shape on the channel portion of the electric field transistor as an etching stopper. Next, for the purpose of improving ohmic properties between the first amorphous silicon layer 21 and the signal wiring 16, for example, a second amorphous silicon layer (not shown) containing phosphorus is applied to the first non-conductive layer. It is patterned in the same position as the crystalline silicon layer 21 in an island shape. Next, the signal wiring 16,
The drain electrode 19 and the storage capacitor electrode 17 are formed as electrically independent planar electrodes (Mo, Al, etc.). The drain electrode 19 is electrically connected to the pixel electrode 22 by the opening contact portion 18, and the storage capacitor electrode 17 is similarly connected to the pixel electrode 2 by the opening contact portion.
2 is electrically connected.
【００１８】ここで、信号配線部層を形成する方法に
は、金属層（Ｍｏ、Ａｌ等）となる材料をスパッタリン
グ法等により薄膜形成し、次にフォトリソ（フォトレジ
スト塗布、乾燥、露光、現像、並びにベーキング工
程）、エッチング（酸、アルカリ液によるウエットエッ
チング法もしくはプラズマ中ガス反応によるドライエッ
チング法）プロセスを経てパターン加工するものがあ
る。Here, as a method of forming the signal wiring portion layer, a material to be a metal layer (Mo, Al, or the like) is formed into a thin film by a sputtering method or the like, and then photolithography (photoresist coating, drying, exposure, and development) is performed. And a baking step) and an etching (wet etching method using an acid or alkali solution or a dry etching method using a gas reaction in plasma).
【００１９】これらの製造工程を経てアレイ基板が完成
する。従来例と同様に本実施形態においても、例えばダ
スト付着等のプロセスの異常によって、パターンの一部
が残存し、例えば蓄積容量用電極１７と信号配線１６が
短絡部２５を通じて電気的な短絡が発生する。この電気
的短絡部２５がある画素は、液晶表示した際には、点欠
陥として画像に表れるため画質を著しく低下させる。An array substrate is completed through these manufacturing steps. In this embodiment as well as in the conventional example, a part of the pattern remains due to a process abnormality such as dust adhesion, for example, and an electrical short circuit occurs between the storage capacitor electrode 17 and the signal wiring 16 through the short circuit portion 25. I do. The pixel having the electrical short-circuit portion 25 appears as a point defect in a liquid crystal display image, so that the image quality is significantly reduced.
【００２０】この問題を解決するために蓄積容量用電極
１７には、開口部２４が信号配線層２３をパタニングす
る際に同時に形成されている。この開口部２４は図示の
ように前記走査配線２３を横断するように形成されてい
る。さらに、開口部２４の両端部は、蓄積容量用電極１
７の走査電極２３からはみ出した延長部を含んでいる。
蓄積容量用電極１７は、開口部２４の走査配線２３の幅
方向の両端部で一体化されている。図１はレーザによる
切断後の状態を示している。前記の短絡部２５が発生し
ている画素部分にはレーザ装置等を使用して前記両端部
を切断する。２６が切断部を示す。この切断部２６によ
って、蓄積容量用電極１７は、電気的短絡部部２５ａを
含む部分と含まない部分とに分割される。このため、電
気的短絡部２５がある画素であっても、正常動作が可能
な画素となる。In order to solve this problem, an opening 24 is formed in the storage capacitor electrode 17 at the same time when the signal wiring layer 23 is patterned. The opening 24 is formed so as to cross the scanning wiring 23 as shown. Further, both ends of the opening 24 are connected to the storage capacitor electrode 1.
7 includes an extension protruding from the scanning electrode 23.
The storage capacitor electrode 17 is integrated at both ends of the opening 24 in the width direction of the scanning wiring 23. FIG. 1 shows a state after cutting by a laser. A laser device or the like is used to cut both ends of the pixel portion where the short-circuit portion 25 has occurred. 26 indicates a cutting portion. The cut portion 26 divides the storage capacitor electrode 17 into a portion including the electrical short-circuit portion 25a and a portion not including the electrical short-circuit portion 25a. Therefore, even if the pixel has the electrical short-circuit portion 25, the pixel can operate normally.
【００２１】以上、前記実施形態においては、蓄積容量
用電極１７と信号配線１６について電気的短絡２５のあ
る場合について説明をした。蓄積容量用電極１７とドレ
イン電極１９が電気的に短絡した場合についても、この
電気的短絡部のある画素を前記のように正常動作させる
ことも可能である。この場合の蓄積容量用電極１７の開
口部の配置を図２に示す。開口部２４ａは、ドレイン電
極１９側の走査配線２３からの延長部分を含んでいる。
図２はレーザによる切断後の状態を示している。２５ａ
はドレイン電極１９と蓄積容量用電極１７との電気的短
絡部である。この電気的短絡部２５ａが発生している画
素部分については、レーザ装置等を使用して前記開口部
２４ａの両端部を切断する。２６ａが切断部を示す。こ
の切断部２６ａによって、蓄積容量用電極１７は、電気
的短絡部２５ａを含む部分と含まない部分とに分割され
る。このため、この電気的短絡部２５ａがある画素であ
っても、正常動作が可能な画素となる。また、開口部２
４、２４ａを複数個形成し、パターンの短絡状態に応じ
て蓄積容量用電極１７を分割しても本発明は適用でき
る。In the above embodiment, the case where the storage capacitor electrode 17 and the signal wiring 16 are electrically short-circuited 25 has been described. Even when the storage capacitor electrode 17 and the drain electrode 19 are electrically short-circuited, it is possible to normally operate the pixel having the electrically short-circuited portion as described above. FIG. 2 shows the arrangement of the openings of the storage capacitor electrode 17 in this case. The opening 24a includes an extension from the scanning line 23 on the drain electrode 19 side.
FIG. 2 shows a state after cutting by laser. 25a
Denotes an electrical short circuit between the drain electrode 19 and the storage capacitor electrode 17. With respect to the pixel portion where the electrical short-circuit portion 25a occurs, both ends of the opening 24a are cut using a laser device or the like. 26a shows a cutting part. The cut portion 26a divides the storage capacitor electrode 17 into a portion including the electrical short-circuit portion 25a and a portion not including the electrical short-circuit portion 25a. Therefore, even if the pixel has the electrical short-circuit portion 25a, the pixel can operate normally. Opening 2
The present invention can be applied to a case where a plurality of the electrodes 4 and 24a are formed and the storage capacitor electrode 17 is divided according to the short-circuit state of the pattern.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上のような構成によれば、アクティブ
マトリクス型の液晶表示装置において、蓄積容量用電極
と信号配線、もしくは蓄積容量用電極とドレイン電極と
のパタニング不良による電気的な短絡が発生しても、蓄
積容量用電極にあらかじめ設けた開口部を切断すること
により、蓄積容量用電極を前記短絡部を含む部分と含ま
ない部分とに分割することが可能であるため、点欠陥発
生を防止した高品位な表示性能の液晶表示装置を提供す
ることができる。さらに点欠陥発生による製造時の不良
率を大幅に低下させることができるため、大幅な製造歩
留りの向上及びそれに伴うコスト低減が可能となる。According to the above configuration, in an active matrix type liquid crystal display device, an electrical short circuit occurs due to poor patterning between the storage capacitor electrode and the signal wiring or between the storage capacitor electrode and the drain electrode. Even by cutting the opening provided in the storage capacitor electrode in advance, it is possible to divide the storage capacitor electrode into a portion including the short-circuit portion and a portion not including the short-circuit portion. It is possible to provide a liquid crystal display device having a high-quality display performance with prevention. Furthermore, since the defect rate at the time of manufacturing due to the point defect can be significantly reduced, the manufacturing yield can be greatly improved and the cost can be reduced accordingly.
【図１】本発明の一実施形態における液晶表示装置の要
部平面図FIG. 1 is a plan view of a main part of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施形態における液晶表示装置の要
部平面図FIG. 2 is a plan view of a main part of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
【図３】一般的アクティブマトリクス型液晶パネルの等
価回路FIG. 3 is an equivalent circuit of a general active matrix type liquid crystal panel.
【図４】従来例の液晶表示装置の要部平面図FIG. 4 is a plan view of a main part of a conventional liquid crystal display device.
【図５】図４のＡ−Ａ´線における断面図FIG. 5 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. 4;
１６ 信号配線 １７ 蓄積容量用電極 １８ 開口コンタクト部 １９ ドレイン電極 ２０ 絶縁層 ２１ 非晶質シリコン層 ２２ 画素電極 ２３ 走査配線 ２４，２４ａ 開口部 ２５，２５ａ 短絡部 ２６，２６ａ 切断部 Reference Signs List 16 signal wiring 17 electrode for storage capacitor 18 opening contact part 19 drain electrode 20 insulating layer 21 amorphous silicon layer 22 pixel electrode 23 scanning wiring 24, 24a opening 25, 25a short-circuit part 26, 26a cutting part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1362 G02F 1/1343 H01L 29/78 G09F 9/00 - 9/46 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/1362 G02F 1/1343 H01L 29/78 G09F 9/00-9/46
Claims (4)
電極と、前記画素電極に近接して配置される薄膜トラン
ジスタと、前記薄膜トランジスタに信号を入力するため
の信号配線と、前記薄膜トランジスタから画素電極へ電
流を通すドレイン電極と、前記薄膜トランジスタを走査
するための走査配線と、前記走査配線と絶縁体を介して
対向する蓄積容量用電極とを備えた液晶表示装置であっ
て、前記蓄積容量用電極は、前記走査配線の幅方向のい
づれの両端部からもはみ出す延長部分を有し、さらに前
記蓄積容量用電極には前記走査配線を横断する開口部が
設けられ、この開口部の両端部は前記蓄積容量用電極の
両側の前記延長部分を含み、前記両端部における前記蓄
積容量用電極を切断することにより、前記蓄積容量用電
極を複数の部分に分割することが可能なことを特徴とす
る液晶表示装置。1. A pixel electrode arranged in a matrix on a substrate, a thin film transistor arranged close to the pixel electrode, a signal line for inputting a signal to the thin film transistor, and a thin film transistor to the pixel electrode. A liquid crystal display device comprising: a drain electrode through which a current flows; a scan line for scanning the thin film transistor; and a storage capacitor electrode opposed to the scan line via an insulator, wherein the storage capacitor electrode is An extended portion protruding from both ends in the width direction of the scanning wiring, and the storage capacitor electrode is provided with an opening traversing the scanning wiring. Including the extended portions on both sides of the capacitor electrode, the storage capacitor electrode is cut into the plurality of portions by cutting the storage capacitor electrode at both ends. A liquid crystal display device which can be divided.
電極と、前記画素電極に近接して配置される薄膜トラン
ジスタと、前記薄膜トランジスタに信号を入力するため
の信号配線と、前記薄膜トランジスタから画素電極へ電
流を通すドレイン電極と、前記薄膜トランジスタを走査
するための走査配線と、前記走査配線と絶縁体を介して
対向する蓄積容量用電極とを備えた液晶表示装置であっ
て、前記蓄積容量用電極は、前記走査配線の幅方向の両
端部のうちドレイン電極側の端部からはみ出す延長部分
を有し、さらに前記蓄積容量用電極には開口部が設けら
れ、この開口部は前記蓄積容量用電極のドレイン電極側
の前記延長部分を含み、前記開口部の周囲における前記
蓄積容量用電極を切断することにより、前記蓄積容量用
電極を複数の部分に分割することが可能なことを特徴と
する液晶表示装置。2. A pixel electrode arranged in a matrix on a substrate, a thin film transistor arranged in close proximity to the pixel electrode, a signal wiring for inputting a signal to the thin film transistor, and a signal from the thin film transistor to the pixel electrode. A liquid crystal display device comprising: a drain electrode through which a current flows; a scan line for scanning the thin film transistor; and a storage capacitor electrode opposed to the scan line via an insulator, wherein the storage capacitor electrode is An end extending from the end on the drain electrode side of both ends in the width direction of the scanning wiring, and an opening is further provided in the storage capacitor electrode, and the opening is provided for the storage capacitor electrode. Including the extension on the drain electrode side, by cutting the storage capacitor electrode around the opening, the storage capacitor electrode into a plurality of portions A liquid crystal display device which can be divided.
と電気的な短絡部のある蓄積容量用電極は、蓄積容量用
電極に形成されている開口部の両端部における前記蓄積
容量用電極がレーザ等により切断されていることによ
り、前記蓄積容量用電極が前記短絡部を含む部分と含ま
ない部分とに分割されている請求項１記載の液晶表示装
置。3. An electrode for a storage capacitor having an electrical short-circuit with the signal line among the electrodes for a storage capacitor, wherein the electrode for a storage capacitor is provided at both ends of an opening formed in the electrode for a storage capacitor. 2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the storage capacitor electrode is divided into a portion including the short-circuit portion and a portion not including the short-circuit portion by being cut by a laser or the like.
配線と電気的な短絡のある蓄積容量用電極は、蓄積容量
用電極に形成されている開口部の周囲における前記蓄積
容量用電極がレーザ等により切断されていることによ
り、前記蓄積容量用電極が前記短絡部を含む部分と含ま
ない部分とに分割されている請求項２記載の液晶表示装
置。4. A storage capacitor electrode having an electrical short circuit with the drain wiring among the storage capacitor electrodes, wherein the storage capacitor electrode around an opening formed in the storage capacitor electrode is a laser. 3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the storage capacitor electrode is divided into a portion including the short-circuited portion and a portion not including the short-circuited portion by being cut by, for example, the cutting.
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| JP16419596A JP3133676B2 (en) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | Liquid crystal display |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP16419596A JP3133676B2 (en) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | Liquid crystal display |
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1996
- 1996-06-25 JP JP16419596A patent/JP3133676B2/en not_active Expired - Fee Related
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