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JP3137969B2 - Optical pickup device - Google Patents
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JP3137969B2 - Optical pickup device - Google Patents

Optical pickup device

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JP3137969B2
JP3137969B2 JP02196710A JP19671090A JP3137969B2 JP 3137969 B2 JP3137969 B2 JP 3137969B2 JP 02196710 A JP02196710 A JP 02196710A JP 19671090 A JP19671090 A JP 19671090A JP 3137969 B2 JP3137969 B2 JP 3137969B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、記録媒体に記録された情報を光学的に再生
し、または、記録媒体に情報を光学的に記録する光ヘッ
ド装置に係り、特にCD(Compact Disc)プレーヤ、LVD
(Laser Vision Disc)プレーヤ等において光ディスク
上に記録された情報を再生する光ピックアップ装置に関
する。
The present invention relates to an optical head device that optically reproduces information recorded on a recording medium or optically records information on a recording medium. Especially CD (Compact Disc) players, LVD
(Laser Vision Disc) The present invention relates to an optical pickup device for reproducing information recorded on an optical disc in a player or the like.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、この種の光ピックアップ装置としては、半導体
レーザ、偏光プリズム、集光レンズ、光検出器等の多く
の個別部品要素を組合せて構成されるものがあり、上記
多くの個別部品要素の位置調整が困難であった。
Conventionally, as an optical pickup device of this type, there is an optical pickup device configured by combining many individual component elements such as a semiconductor laser, a polarizing prism, a condenser lens, and a photodetector. Was difficult.

近年、上記従来装置の他に対物レンズ以外を単一半導
体基板上に作成するタイプが種々開発されている。
In recent years, in addition to the above-described conventional apparatus, various types in which components other than the objective lens are formed on a single semiconductor substrate have been developed.

このタイプの従来光ピックアップ装置として第15図、
第16図に示すものがあった(特開昭64−33734号公報に
記載)。この第15図は従来装置の概略斜視図、第16図は
要部側面図を示す。
Fig. 15 shows a conventional optical pickup device of this type,
There was one shown in FIG. 16 (described in JP-A-64-33734). FIG. 15 is a schematic perspective view of a conventional apparatus, and FIG. 16 is a side view of a main part.

上記各図において従来の光ピックアップ装置は、半導
体基板10上に載置され、光ディスク20に対して照射する
レーザ光を発光する半導体レーザ1と、上記半導体レー
ザ1からのレーザ光を一側面21で光ディスク20側に反射
し、上記光ディスク20で反射された反射レーザ光を上記
一側面21で透過して他側面22へ入射し、当該入射した反
射レーザ光の一部が他側面22で反射すると共に当該反射
した一部反射レーザ光がその他の側面23で反射した後に
再度他側面22へ入射する光分割器2と、上記光分割器2
の他側面22に当接する上記半導体基板10面上に埋設さ
れ、上記他側面22に入射する光ディスク反射光を受光す
る第1受光素子5と、上記第1受光素子5と同様に半導
体基板10面上に埋設され、上記他側面22に入射する光デ
ィスク一部反射光を受光する第2受光素子6とを備える
構成である。
In each of the above figures, the conventional optical pickup device is mounted on a semiconductor substrate 10 and emits a laser beam for irradiating an optical disk 20 with a laser beam from the semiconductor laser 1 on one side 21. Reflected on the optical disk 20 side, the reflected laser light reflected on the optical disk 20 is transmitted through the one side surface 21 and is incident on the other side surface 22, and a part of the incident reflected laser light is reflected on the other side surface 22 and A light splitter 2 in which the reflected partially reflected laser light is reflected on the other side face 23 and then incident on the other side face 22 again;
A first light receiving element 5 buried on the surface of the semiconductor substrate 10 abutting on the other side surface 22 for receiving reflected light from the optical disk incident on the other side surface 22; And a second light receiving element 6 that is embedded on the upper surface and receives the partially reflected light of the optical disk incident on the other side surface 22.

次に、上記構成に基づく従来装置の動作について説明
する。まず、半導体レーザ1で発光出射されたレーザ光
は光分割器2の一側面21で反射され、対物レンズ(図示
を省略)を介して光ディスク20面へ投射される。この投
射されたレーザ光が光ディスク20で反射され、この光情
報としての反射レーザ光が上記光ディスク20へ投射され
るレーザ光と同一経路で上記一側面21に入射される。
Next, the operation of the conventional device based on the above configuration will be described. First, laser light emitted and emitted by the semiconductor laser 1 is reflected by one side surface 21 of the light splitter 2 and projected onto the surface of the optical disk 20 via an objective lens (not shown). The projected laser light is reflected by the optical disc 20, and the reflected laser light as the optical information is incident on the one side face 21 along the same path as the laser light projected onto the optical disc 20.

上記入射された反射レーザ光が一側面21を屈折透過し
て光分割器2内を導波して他側面22入射し、この他側面
22下の第1受光素子5に受光検知されると共に、上記反
射レーザ光の一部が他側面22で反射され、この一部反射
レーザ光がその他の側面23で全反射されて他側面22下の
第2受光素子6に受光検知される。
The incident reflected laser light is refracted and transmitted through one side 21, guided in the light splitter 2, and incident on the other side 22.
While the first light receiving element 5 below the first light receiving element 5 detects light, a part of the reflected laser light is reflected by the other side surface 22, and the partially reflected laser light is totally reflected by the other side surface 23 and is Is detected by the second light receiving element 6.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

従来の光ピックアップ装置は以上のように構成されて
いたことから、光分割器2の3つの側面21、22、23で反
射する必要があり、この3つの側面21、22、23中の一側
面21及びその他の側面23を平滑面とするために研磨しな
ければならず、さらにこの研磨平滑面の一側面21を半透
鏡とする誘電体多層膜等の蒸着を必要とすると共に、研
磨平滑面のその他の側面23に反射膜を形成しなければな
らず、光分割器2の加工が複雑化し、装置全体が大型化
するという課題を有していた。
Since the conventional optical pickup device is configured as described above, it is necessary to reflect on the three side surfaces 21, 22, and 23 of the optical splitter 2, and one of the three side surfaces 21, 22, and 23 21 and the other side surface 23 must be polished in order to make it smooth, and furthermore, one side 21 of this polished smooth surface requires deposition of a dielectric multilayer film or the like having a semi-transparent mirror, and the polished smooth surface A reflection film must be formed on the other side surface 23 of the light-emitting device, and the processing of the light splitter 2 is complicated, and there is a problem that the entire device becomes large.

本発明は上記課題を解消するためになされたもので、
光分割器の製造時における加工を容易にでき、装置全体
を小型化できる光ピックアップ装置を提供することを目
的とする。
The present invention has been made to solve the above problems,
An object of the present invention is to provide an optical pickup device capable of easily processing at the time of manufacturing an optical splitter and reducing the size of the entire device.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

第1図は本発明の原理説明図を示す。 FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.

同図において、本発明に係る光ピックアップ装置は、
発光手段1から出射された光を記録情報が記録された光
情報記録担体に照射すると共に、当該光情報記録担体に
より反射された前記光を半導体基板10の内部に設けられ
た受光手段5、6により受光する光ピックアップ装置に
おいて、前記半導体基板10の基板上には、前記発光手段
1からの前記光を一の側面を用いて前記光情報記録担体
に照射し、且つ当該光情報記録担体により反射された前
記光を当該一の側面を用いて前記半導体基板10の内部に
導く光分割手段2を載置し、前記半導体基板10の内部に
は、前記光分割手段2からの入射光を透過光と回折光と
に分離する光回折手段3と、前記回折光を所定距離導波
させるための光導波手段4とを備え、前記受光手段5、
6は、前記透過光を受光する第1の受光素子5と、前記
回折光を前記光導波手段4を介して受光する第2の受光
素子6とからなり、前記第1の受光素子は、前記透過光
を受光して少なくともトラック信号を生成し、前記第2
の受光素子は、前記回折光を受光して少なくともフォー
カス信号を生成することを特徴とするものである。
In the figure, the optical pickup device according to the present invention comprises:
The light emitted from the light emitting means 1 is applied to the optical information recording carrier on which the record information is recorded, and the light reflected by the optical information recording carrier is received by the light receiving means 5, 6 provided inside the semiconductor substrate 10. In the optical pickup device for receiving light by the optical information recording medium, the light from the light emitting means 1 is irradiated onto the optical information recording medium using one side surface, and is reflected by the optical information recording medium. The light splitting means 2 for guiding the emitted light to the inside of the semiconductor substrate 10 using the one side surface is mounted, and the incident light from the light splitting means 2 is transmitted light inside the semiconductor substrate 10. Light diffracting means 3 for separating the diffracted light into light and diffracted light; and light guiding means 4 for guiding the diffracted light to a predetermined distance.
6 comprises a first light receiving element 5 for receiving the transmitted light, and a second light receiving element 6 for receiving the diffracted light via the optical waveguide means 4, wherein the first light receiving element is Receiving the transmitted light to generate at least a track signal;
Is characterized by receiving the diffracted light and generating at least a focus signal.

〔作用〕[Action]

本発明においては、発光手段1から出射された光を記
録情報が記録された光情報記録担体に照射すると共に、
当該光情報記録担体により反射された前記光を半導体基
板10の内部に設けられた受光手段5、6により受光する
光ピックアップ装置において、前記半導体基板10の基板
上には、前記発光手段1からの前記光を一の側面を用い
て前記光情報記録担体に照射し、且つ当該光情報記録担
体により反射された前記光を当該一の側面を用いて前記
半導体基板10の内部に導く光分割手段2を載置し、前記
半導体基板10の内部には、前記光分割手段2からの入射
光を透過光と回折光に分離する光回折手段3と、前記回
折光を所定距離導波させるための光導波手段4とを備
え、前記受光手段5、6は、前記透過光を受光する第1
の受光素子5と、前記回折光を前記光導波手段4を介し
て受光する第2の受光素子6とからり、結果として一の
側面21のみを精密に加工するのみで光分割手段2を形成
することができるので、光分割手段2の製造時における
加工作業を容易化することができる。
In the present invention, while irradiating the light emitted from the light emitting means 1 to the optical information record carrier on which the record information is recorded,
In an optical pickup device that receives the light reflected by the optical information recording carrier by light receiving means 5 and 6 provided inside the semiconductor substrate 10, the light from the light emitting means 1 is provided on the substrate of the semiconductor substrate 10. Light splitting means 2 for irradiating the optical information recording carrier with the light by using one side surface and guiding the light reflected by the optical information recording carrier to the inside of the semiconductor substrate 10 by using the one side surface And a light diffracting means 3 for separating incident light from the light dividing means 2 into transmitted light and diffracted light, and an optical waveguide for guiding the diffracted light for a predetermined distance. Wave means 4, wherein the light receiving means 5, 6 is a first light receiving means for receiving the transmitted light.
And the second light receiving element 6 for receiving the diffracted light through the optical waveguide means 4, and as a result, the light splitting means 2 is formed only by precisely processing only one side surface 21. Therefore, the processing operation at the time of manufacturing the light dividing means 2 can be facilitated.

また、一の側面21以外の他の面を用いた反射のための
光路を光分割手段2内に別に設ける必要がないので、光
分割手段2を小型化することができ、従って光ピックア
ップ装置全体を小型化することができる。
Further, since it is not necessary to separately provide an optical path for reflection using a surface other than the one side surface 21 in the light splitting means 2, the light splitting means 2 can be reduced in size, and therefore the entire optical pickup device can be provided. Can be reduced in size.

更に、半導体基板10の内部に受光素子及び光導波手段
4が形成されているので、半導体基板10を用いて光ピッ
クアップ装置を形成する場合に光ピックアップ装置全体
を小型化することができる。
Furthermore, since the light receiving element and the optical waveguide means 4 are formed inside the semiconductor substrate 10, when the optical pickup device is formed using the semiconductor substrate 10, the entire optical pickup device can be downsized.

〔実施例〕〔Example〕

(a)本発明の一実施例 以下、本発明の一実施例を第2図ないし第4図に基づ
いて説明する。この第2図は本実施例装置の全体側面
図、第3図は本実施例装置の要部構成図、第4図は第3
図記載要部構成の半導体基板平面図を示す。
(A) One Embodiment of the Present Invention Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is an overall side view of the apparatus of this embodiment, FIG. 3 is a configuration diagram of a main part of the apparatus of this embodiment, and FIG.
FIG. 2 is a plan view of a semiconductor substrate having a main configuration shown in FIG.

上記各図において本実施例に係る光ピックアップ装置
は、半導体基板10上にレーザ光射出端面を傾斜させて載
置され、光ディスク20に照射するレーザ光を発光する半
導体レーザ1と、上記半導体レーザ1の前側端面からの
レーザ光を光ディスク20に対して一側面21で反射し、上
記光ディスク20で反射された反射レーザ光を一側面21を
透過して他側面22へ入射し、当該入射した反射レーザ光
を接着剤層24を介して半導体基板10側へ出射する光分割
器2と、上記半導体基板10のクラッド層25下に形成さ
れ、上記光分割器2から半導体基板10へ出射された反射
レーザ光を透過光(放射光)と回折導波光とに回折分離
する回折格子3と、上記回折格子3の下面に積層形成さ
れ、上記透過光を下方へ透過すると共に、回折導波光を
側方に導波する光導波路4と、上記透過の反射レーザ光
を受光してトラック信号、FR信号等の情報を読取る第1
受光素子5と、上記回折導波光を受光してフォーカス信
号等の情報を読取る第2受光素子6と、上記半導体レー
ザ1の後側端面から出射されるレーザ光を受光するモニ
タ受光素子7とを備える構成である。
In each of the above drawings, an optical pickup device according to the present embodiment includes a semiconductor laser 1 mounted on a semiconductor substrate 10 with a laser light emitting end face inclined and emitting laser light to irradiate an optical disc 20; The laser light from the front end surface of the optical disk 20 is reflected by the one side surface 21 with respect to the optical disk 20, and the reflected laser light reflected by the optical disk 20 is transmitted through the one side surface 21 and is incident on the other side surface 22. A light splitter 2 for emitting light toward the semiconductor substrate 10 via the adhesive layer 24, and a reflected laser formed below the clad layer 25 of the semiconductor substrate 10 and emitted from the light splitter 2 to the semiconductor substrate 10 A diffraction grating 3 for diffracting and separating light into transmitted light (emitted light) and diffracted guided light; and a laminated structure formed on the lower surface of the diffraction grating 3 to transmit the transmitted light downward and to transmit the diffracted guided light to the side. An optical waveguide 4 for guiding, Serial track signal by receiving the reflected laser beam transmitted through the first reading the information such as the FR signal
A light receiving element 5, a second light receiving element 6 for receiving the diffracted guided light and reading information such as a focus signal, and a monitor light receiving element 7 for receiving the laser light emitted from the rear end face of the semiconductor laser 1. It is a configuration provided.

上記半導体レーザ1のチップは、ウエハから切出すと
きに劈開面に対して斜めに切出すことにより作成するこ
とができる。
The chip of the semiconductor laser 1 can be formed by cutting obliquely with respect to a cleavage plane when cutting from a wafer.

上記回折格子3は入射光を光ディスク20のトラックに
対して垂直方向に二分割するような二つの領域を持ち、
上記光分割器2を透過する際に発生した収差を取り除
き、フォーカス信号を生成する第2受光素子6の各々に
集光する格子パターンとする構成である。
The diffraction grating 3 has two regions that divide the incident light into two in a direction perpendicular to the track of the optical disc 20.
The aberration generated when the light passes through the light splitter 2 is removed, and a grating pattern is formed to be focused on each of the second light receiving elements 6 that generate a focus signal.

上記半導体レーザ1及び光分割器2は、半導体基板10
上に基準となる取付マークを予め製作しておき、この取
付マークに基づいて取付けられることとなる。
The semiconductor laser 1 and the optical splitter 2 include a semiconductor substrate 10
A reference mounting mark is prepared in advance on the upper side, and mounted based on the mounting mark.

また、本実施例装置は半導体レーザ1、光分割器2及
び半導体基板10をピックアップボディ30内に収納固着
し、当該ピックアップボディ30の一側端に設けられた対
物レンズ31を光ディスク20に対向配置する構成である。
In the apparatus of this embodiment, the semiconductor laser 1, the beam splitter 2, and the semiconductor substrate 10 are housed and fixed in the pickup body 30, and the objective lens 31 provided at one end of the pickup body 30 is arranged to face the optical disc 20. It is a configuration to do.

次に、上記構成に基づく本実施例装置の動作について
説明する。
Next, the operation of the apparatus of this embodiment based on the above configuration will be described.

まず、半導体レーザ1は前側及び後側の各端面からレ
ーザ光を出射する。上記前側端面から出射されたレーザ
光は光分割器2の一側面21で約半分が反射し、対物レン
ズ31を介して光ディスク20の情報面に集光照射される。
この照射されたレーザ光が光ディスク20の記録情報で回
折・反射し、この回折・反射した反射レーザ光は上記レ
ーザ光と同一経路で光分割器2の一側面21に入射されて
光分割器2内を透過して光分割器2の他側面22側へ導波
する。
First, the semiconductor laser 1 emits laser light from the front and rear end faces. About half of the laser light emitted from the front end face is reflected by one side face 21 of the light splitter 2, and is condensed and irradiated on the information surface of the optical disc 20 via the objective lens 31.
The irradiated laser light is diffracted / reflected by the recorded information on the optical disc 20, and the diffracted / reflected reflected laser light is incident on one side face 21 of the light splitter 2 along the same path as the laser light, and The light passes through the inside and is guided to the other side surface 22 side of the light splitter 2.

また、上記半導体レーザ1のレーザ光のうち直接に光
分割器2の一側面21を透過した光は、光分割器2を半導
体基板10に接合する接着剤層24下のクラッド層25の表面
で臨界角以上の入射角度に設定されていることから、上
記他側面22を透過することなく全反射される。他方、上
記光ディスク20の反射レーザ光は、一側面21を透過して
上記クラッド層25で全反射されない角度に設定されるこ
とから、不要な光が第1受光素子5に入射することを防
止すると共に、レーザ光の有効利用が図られることとな
る。
Also, of the laser light of the semiconductor laser 1, light that has passed directly through one side surface 21 of the light splitter 2 is applied to the surface of the cladding layer 25 under the adhesive layer 24 that joins the light splitter 2 to the semiconductor substrate 10. Since the incident angle is set to be equal to or larger than the critical angle, the light is totally reflected without passing through the other side surface 22. On the other hand, the reflected laser light from the optical disc 20 is set at an angle that passes through one side surface 21 and is not totally reflected by the cladding layer 25, thereby preventing unnecessary light from being incident on the first light receiving element 5. At the same time, effective use of laser light is achieved.

この反射レーザ光は他側面22から接着剤層24、クラッ
ド層25を介して回折格子3に入射され、この回折格子3
で透過光と回折導波光とに回折分離される。上記反射レ
ーザ光の大部分が透過光となり、この透過光が下側の第
1受光素子5に入射してトラック信号、RF信号等に生成
される。上記回折格子3により反射レーザ光の大部分が
透過光となることから、透過光量より回折導波光量を少
なくするための回折格子の条件、特に格子深さを浅くで
きるため、設計構造の条件が厳しくなくなる。
The reflected laser light is incident on the diffraction grating 3 from the other side surface 22 via the adhesive layer 24 and the cladding layer 25, and the diffraction grating 3
Is diffracted and separated into transmitted light and diffracted waveguide light. Most of the reflected laser light is transmitted light, and this transmitted light is incident on the lower first light receiving element 5 and is generated as a track signal, an RF signal, and the like. Since most of the reflected laser light is transmitted light by the diffraction grating 3, the condition of the diffraction grating for reducing the amount of diffracted waveguide light from the transmitted light amount, particularly the grating depth can be made shallow, so that the design structure condition is reduced. It will be less severe.

また、上記回折分離された回折導波光は光導波路4を
導波して端面に設けられた第2受光素子6に入射され
る。この第2受光素子6は一対の光検知部61・62、63・
64を二組備えて形成され、入射した回折導波光からフォ
ーカス信号等を生成する。
Further, the diffracted and guided diffracted light is guided through the optical waveguide 4 and is incident on the second light receiving element 6 provided on the end face. The second light receiving element 6 includes a pair of photodetectors 61, 62, 63,
A focus signal and the like are generated from the incident diffracted waveguide light.

さらに、上記半導体レーザ2の後側端面から出射した
レーザ光は、半導体基板10表面に設けられたモニタ受光
素子7で受光されてAPC(Automatic Power Control)信
号として出力される。上記半導体レーザ1が温度ととも
に光出力が変化した場合に、APC信号に基づいて半導体
レーザ1の駆動電流を制御して光出力を一定値とする。
Further, the laser light emitted from the rear end face of the semiconductor laser 2 is received by a monitor light receiving element 7 provided on the surface of the semiconductor substrate 10 and output as an APC (Automatic Power Control) signal. When the optical output of the semiconductor laser 1 changes with the temperature, the drive current of the semiconductor laser 1 is controlled based on the APC signal to make the optical output a constant value.

第4図に示すように上記半導体基板10上には、半導体
レーザ1を搭載接続する取付用ランド11と、半導体レー
ザ1を製造する時における最適点の動作状態に調整する
レーザトリミング部14と、半導体レーザ1の出力制御、
各受光素子5、6、7の受光信号処理等を行なう電気回
路部13と、外部とのワイヤボンディング接続に用いられ
るボンディングパッド12と、第1受光素子5を形成する
4分割の光検知部51〜54とが形成される。
As shown in FIG. 4, on the semiconductor substrate 10, a mounting land 11 for mounting and connecting the semiconductor laser 1, a laser trimming unit 14 for adjusting the operation state of an optimum point when the semiconductor laser 1 is manufactured, Output control of the semiconductor laser 1,
An electric circuit section 13 for performing light receiving signal processing of each of the light receiving elements 5, 6, 7; a bonding pad 12 used for wire bonding connection with the outside; and a four-divided light detecting section 51 forming the first light receiving element 5 To 54 are formed.

上記第1受光素子5の4分割光検知部51〜54で検出さ
れた各トラック信号51a〜54aに基づいて上記電気回路部
13はプッシュプル法で信号の演算を行なう。このプッシ
ュプル法は(51a+53a)−(52a+54a)の演算を行なう
ことによりなされる。
The electric circuit unit based on the track signals 51a to 54a detected by the quadrant light detection units 51 to 54 of the first light receiving element 5.
13 performs the signal operation by the push-pull method. This push-pull method is performed by performing an operation of (51a + 53a)-(52a + 54a).

また、上記第2受光素子6の光検知部61・62、63・64
で検出されたフォーカス信号61a・62a、63a・64aに基づ
いて、上記電気回路部13はフーコー法で信号の演算を行
なう。このフーコー法は(61a−62a)+(64a−63a)の
演算を行なうことによりなされる。
In addition, the light detection units 61 and 62, 63 and 64 of the second light receiving element 6
Based on the focus signals 61a and 62a and 63a and 64a detected in the above, the electric circuit unit 13 calculates a signal by the Foucault method. This Foucault method is performed by performing an operation of (61a-62a) + (64a-63a).

さらに、電気回路部13中のAPC回路は上記モニタ受光
素子7で受光されたAPC信号に基づいてレーザ出力調整
を行なう。
Further, the APC circuit in the electric circuit section 13 adjusts the laser output based on the APC signal received by the monitor light receiving element 7.

上記取付用ランド11は半導体基板10上に設けられてい
ることから、半導体レーザ11を直接に光集積回路の半導
体基板10にダイボンディングできることとなり、従来行
なわれていたワイヤボンディングやシリコンパット等の
部品を削減でき、取付精度の向上が可能となる。
Since the mounting lands 11 are provided on the semiconductor substrate 10, the semiconductor laser 11 can be directly die-bonded to the semiconductor substrate 10 of the optical integrated circuit. Can be reduced, and the mounting accuracy can be improved.

なお、半導体基板10の各層における設計例を以下に示
す。
The design example of each layer of the semiconductor substrate 10 is shown below.

(b)本発明の一実施例の製造方法 第5図は本実施例に係る光ピックアップ装置における
光分割器2の製造方法説明図である。
(B) Manufacturing method of one embodiment of the present invention FIG. 5 is an explanatory diagram of a manufacturing method of the optical splitter 2 in the optical pickup device according to the present embodiment.

同図において、透明板体のA面又はB面のいずれか一
面を研磨して平滑面とし、この研磨した平滑面に誘電体
多層膜等を蒸着して半透鏡を形成する。この半透鏡が形
成された板体は図中鎖線で示すように各A、B面に対し
て角度θで切断される。
In the figure, one of the A surface and the B surface of the transparent plate is polished to a smooth surface, and a dielectric multilayer film or the like is deposited on the polished smooth surface to form a semi-transparent mirror. The plate on which the semi-transparent mirror is formed is cut at an angle θ with respect to each of the A and B planes as shown by the chain line in the figure.

このように、透明板体の単一の面のみを研磨して半透
鏡とするのみで光分割器2が形成される。
Thus, the light splitter 2 is formed only by polishing a single surface of the transparent plate to form a semi-transparent mirror.

この光分割器2は半透鏡とされた面(第3図において
は一側面21)に対して角度θで切断された切断面(第3
図においては他側面22)が半導体基板10上に載置され、
上記切断面を半導体基板10に接着剤により接着固定され
る。この接着剤は透明媒質であり、光分割器2と同等の
屈折率を有するもの例えばUV硬化タイプのものを選択す
る。従って、上記切断面を特に研磨しなくても凹凸部分
が接着剤で埋まり、切断面(他側面22)における光の散
乱、反射がなくなる。
The light splitter 2 has a cut surface (third surface) cut at an angle θ with respect to a surface which is a semi-transparent mirror (one side surface 21 in FIG. 3).
In the figure, the other side surface 22) is placed on the semiconductor substrate 10,
The cut surface is bonded and fixed to the semiconductor substrate 10 with an adhesive. This adhesive is a transparent medium, and one having a refractive index equivalent to that of the light splitter 2, for example, a UV-curable adhesive is selected. Therefore, even if the cut surface is not particularly polished, the uneven portion is filled with the adhesive, and scattering and reflection of light on the cut surface (the other side surface 22) are eliminated.

(c)本発明の一実施例構成に係る発光素子の取付態様 第6図は半導体レーザの概略斜視図を示す。この半導
体レーザ1を半導体基板10上に取付ける状態を第7図
(A)、(B)に示す。
(C) Attachment Mode of Light-Emitting Element According to Embodiment of the Present Invention FIG. 6 is a schematic perspective view of a semiconductor laser. FIGS. 7A and 7B show a state in which the semiconductor laser 1 is mounted on a semiconductor substrate 10. FIG.

上記各図において半導体レーザ1は半導体基板10上に
蒸着形成されるアルミ電極の取付用ランド11上に載置さ
れ、側部電極1a、1bと取付用ランド11とがはんだ付で接
合固定される。このはんだ付がされた半導体レーザ1と
半導体基板10との間の間隙11bは、取付用ランド11の突
出により形成されるもので、半導体基板10自体に半導体
レーザ1が直接接触して短絡状態となることを防止して
いる。また、上記取付用ランド11の突出以外に上記間隙
11bに絶縁物質を蒸着して半導体レーザの短絡状態を防
止することもできる。
In each of the above figures, the semiconductor laser 1 is mounted on a mounting land 11 of an aluminum electrode formed by vapor deposition on a semiconductor substrate 10, and the side electrodes 1a and 1b and the mounting land 11 are fixed by soldering. . The gap 11b between the soldered semiconductor laser 1 and the semiconductor substrate 10 is formed by the projection of the mounting land 11, so that the semiconductor laser 1 directly contacts the semiconductor substrate 10 itself and a short circuit occurs. It is preventing that. In addition, besides the protrusion of the mounting land 11,
An insulating material can be deposited on 11b to prevent a short circuit state of the semiconductor laser.

第8図は取付用ランド11上に取付ける半導体レーザ1
の取付位置を示すもので、アルミ電極を形成する取付用
ランド11は半導体レーザ1の接合・固定に要する面積よ
りも大きく形成される。このように大きな面積で取付用
ランド11を形成することにより、半導体レーザ1の放熱
特性を向上させている。
FIG. 8 shows a semiconductor laser 1 mounted on a mounting land 11.
The mounting lands 11 forming the aluminum electrodes are formed larger than the area required for bonding and fixing the semiconductor laser 1. By forming the mounting land 11 with such a large area, the heat radiation characteristics of the semiconductor laser 1 are improved.

第9図は半導体レーザ1を取付下面の半導体基板10の
平面図を示し、同図において半導体レーザ1の取付下面
にモニタ受光素子7を形成する構成である。
FIG. 9 is a plan view of the semiconductor substrate 10 on the lower surface where the semiconductor laser 1 is mounted. In FIG. 9, the monitor light receiving element 7 is formed on the lower surface where the semiconductor laser 1 is mounted.

第10図(A)、(B)は第9図と同様に半導体基板10
の平面図を示す。同図(A)において半導体レーザ1の
取付下面に回折格子3を形成し、また同図(B)におい
て半導体レーザ1の取付下面に回折格子3及びモニタ受
光素子7を形成する構成である。
FIGS. 10A and 10B show a semiconductor substrate 10 similar to FIG.
FIG. 1A, the diffraction grating 3 is formed on the lower surface of the semiconductor laser 1, and in FIG. 2B, the diffraction grating 3 and the monitor light receiving element 7 are formed on the lower surface of the semiconductor laser 1.

第11図は半導体基板10への半導体レーザ1の要部取付
説明図を示し、同図において半導体基板10上に段差部11
aを有する取付用ランド11として形成される。このよう
に取付用ランド11の段差部11aにより、半導体レーザ1
を段差部11aに当接させて取付位置出しが容易となり、
高精度かつ迅速に取付作業を行なうことができる。
FIG. 11 is an explanatory view of the attachment of the main part of the semiconductor laser 1 to the semiconductor substrate 10, in which a step 11 is provided on the semiconductor substrate 10.
It is formed as a mounting land 11 having a. As described above, the stepped portion 11a of the mounting land 11 allows the semiconductor laser 1 to be mounted.
Abuts the step portion 11a to facilitate mounting position determination.
Mounting work can be performed with high accuracy and speed.

第12図(A)、(B)、(C)は半導体基板10側面へ
の半導体基板10の要部取付説明図を示す。同図(A)に
示すように半導体基板10側面に半導体レーザ1を接着剤
15で接続固定していたのに対して、同図(B)、(C)
に示すように半導体基板10側面まで電極としての取付用
ランド11を延出形成し、この延出形成した取付用ランド
11に半導体レーザ1の電極1a、1bを当接固定する構成と
することもできる。
12 (A), (B), and (C) are views for explaining main parts of the semiconductor substrate 10 attached to the side surfaces of the semiconductor substrate 10. FIG. As shown in FIG. 1A, the semiconductor laser 1 is bonded to the side surface of the semiconductor substrate 10 with an adhesive.
15 (B), (C)
As shown in FIG. 5, a mounting land 11 as an electrode is formed so as to extend to the side surface of the semiconductor substrate 10, and the mounting land thus formed is formed.
It is also possible to adopt a configuration in which the electrodes 1a and 1b of the semiconductor laser 1 are abutted and fixed to 11.

第13図(A)、(B)は半導体レーザの取付基台概略
斜視図を示す。同図(A)、(B)において取付基台10
0は非導電性物質101を導電性物質101a、101bで挟んで形
成する。この取付基台100に半導体レーザ1を載置し、
又は挟込んではんだ付することにより接着固定する。こ
のように取付基台100を介して半導体レーザ1を他の部
材、例えば半導体基板10に容易に取付けることができる
こととなる。
FIGS. 13A and 13B are schematic perspective views of a mounting base for a semiconductor laser. In the figures (A) and (B), the mounting base 10
0 is formed by sandwiching the non-conductive substance 101 between the conductive substances 101a and 101b. The semiconductor laser 1 is mounted on the mounting base 100,
Alternatively, it is bonded and fixed by being sandwiched and soldered. As described above, the semiconductor laser 1 can be easily attached to another member, for example, the semiconductor substrate 10 via the attachment base 100.

第14図は第13図記載取付基台100の変形取付態様図を
示し、半導体レーザ1の光出力方向により取付基台100
の非導電性物質101に貫通口101cを形成するか又は透明
物質で形成し、矢印方向にレーザ光を射出できることと
なる。また、取付基台100の上面又は下面を傾斜して形
成してレーザ光出力を上下斜め方向に射出できることと
なる。
FIG. 14 shows a modified mounting mode of the mounting base 100 described in FIG. 13, and shows the mounting base 100 depending on the light output direction of the semiconductor laser 1.
The through-hole 101c is formed in the non-conductive substance 101 or a transparent substance is formed, and laser light can be emitted in the direction of the arrow. Further, the upper surface or the lower surface of the mounting base 100 is formed to be inclined, so that the laser light output can be emitted vertically and obliquely.

(d)本発明の他の実施例 上記光分割器2は一側面21のみを研磨して半透鏡とす
る構成としたが、その他の側面23、26(第3図参照)に
反射防止膜を形成することもできる。この反射防止膜は
散乱光等の迷光を光分割器2の外部へ射出して不要なレ
ーザ光(光ディスク20からの反射光以外のレーザ光)が
第1受光素子5へ入射することを阻止し、レーザ光の有
効利用をより向上させる。
(D) Another embodiment of the present invention Although the light splitter 2 has a configuration in which only one side surface 21 is polished to be a semi-transparent mirror, an antireflection film is provided on the other side surfaces 23 and 26 (see FIG. 3). It can also be formed. This anti-reflection film emits stray light such as scattered light to the outside of the light splitter 2 to prevent unnecessary laser light (laser light other than light reflected from the optical disc 20) from entering the first light receiving element 5. In addition, the effective use of laser light is further improved.

上記光分割器2、接着剤層24、クラッド層25及び回折
格子3の各層の関係は、次のようにすることもできる。
The relationship among the light splitter 2, the adhesive layer 24, the cladding layer 25, and the diffraction grating 3 may be as follows.

n2>n20>n24>n3 ここで、n2は光分割器2の屈折率、n20は接着剤層の
屈折率、n24はクラッド層24の屈折率、n3は回折格子の
屈折率である。
n 2> n 20> n 24 > n 3 where, n 2 is the refractive index of the optical splitter 2, n 20 is the refractive index of the adhesive layer, n 24 is the refractive index of the cladding layer 24, n 3 is a diffraction grating Is the refractive index of

このように、反射レーザ光の入射方向に向って順次屈
折率が小さく設定することにより、各境界面における反
射を有効に防止して有効光線の透過効率をより向上させ
ることができる。
As described above, by sequentially setting the refractive index to be smaller toward the incident direction of the reflected laser light, reflection at each boundary surface can be effectively prevented, and the transmission efficiency of the effective light beam can be further improved.

上記各実施例において光回折手段を2つの領域から形
成される領域で構成したが、2以上の領域で構成するこ
ともできる。
In each of the above embodiments, the light diffracting means is constituted by a region formed from two regions, but may be constituted by two or more regions.

上記各実施例において光回折手段を回折格子で構成し
たが、段階格子その他の回折手段又は入射光を光導波路
及び下面の第1受光素子に分岐出射する各種光学素子で
構成することもできる。
In the above embodiments, the light diffraction means is constituted by a diffraction grating. However, it may be constituted by a step grating or other diffraction means or various optical elements for branching and emitting incident light to the optical waveguide and the first light receiving element on the lower surface.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明においては、発光手段1
から出射された光を記録情報が記録された光情報記録担
体に照射すると共に、当該光情報記録担体により反射さ
れた前記光を半導体基板10の内部に設けられた受光手段
5、6により受光する光ピックアップ装置において、前
記半導体基板10の基板上には、前記発光手段1からの前
記光を一の側面を用いて前記光情報記録担体に照射し、
且つ当該光情報記録担体により反射された前記光を当該
一の側面を用いて前記半導体基板10の内部に導く光分割
手段2を載置し、前記半導体基板10の内部には、前記光
分割手段2からの入射光を透過光と回折光とに分離する
光回折手段3と、前記回折光を所定距離導波させるため
の光導波手段4とを備え、前記受光手段5、6は、前記
透過光を受光する第1の受光素子5と、前記回折光を前
記光導波手段4を介して受光する第2の受光素子6とか
らなるので、結果として一の側面のみを精密に加工する
のみで光分割手段を形成することができるので、光分割
手段の製造時における加工作業を容易化することができ
る。
As described above, in the present invention, the light emitting means 1
Irradiates the light emitted from the optical information recording medium on which the recording information is recorded, and receives the light reflected by the optical information recording carrier by light receiving means 5, 6 provided inside the semiconductor substrate 10. In the optical pickup device, on the substrate of the semiconductor substrate 10, the light from the light emitting means 1 is irradiated on the optical information recording carrier using one side surface,
The light splitting means 2 for guiding the light reflected by the optical information recording carrier into the semiconductor substrate 10 using the one side surface is mounted, and the light splitting means is provided inside the semiconductor substrate 10. A light diffracting means 3 for separating incident light from the light source 2 into transmitted light and diffracted light; and an optical waveguide means 4 for guiding the diffracted light by a predetermined distance. Since it is composed of the first light receiving element 5 for receiving light and the second light receiving element 6 for receiving the diffracted light via the optical waveguide means 4, as a result, only one side is precisely processed. Since the light dividing means can be formed, the processing operation at the time of manufacturing the light dividing means can be facilitated.

従って、光ピックアップ装置全体の製造工程も簡略化
できる。
Therefore, the manufacturing process of the entire optical pickup device can be simplified.

また、当該一の側面以外の他の面を用いた反射のため
の光路を光分割手段内に別に設ける必要がないので、光
分割手段を小型化することができ、従って光ピックアッ
プ装置全体を小型化することができる。
Further, since it is not necessary to separately provide an optical path for reflection using another surface other than the one side surface in the light splitting unit, the light splitting unit can be reduced in size, and therefore the entire optical pickup device can be reduced in size. Can be

更に、半導体基板の内部に受光素子及び光導波手段が
形成されているので、半導体基板を用いて光ピックアッ
プ装置を形成する場合に光ピックアップ装置全体を小型
化することができる。
Further, since the light receiving element and the optical waveguide means are formed inside the semiconductor substrate, the size of the entire optical pickup device can be reduced when the optical pickup device is formed using the semiconductor substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の原理説明図、 第2図は本発明の一実施例の全体側面図、 第3図は本発明の一実施例の要部構成図、 第4図は第3図記載要部構成の半導体基板平面図、 第5図は本発明の一実施例における光分割器の製造方法
説明図、 第6図は本発明の一実施例設置される半導体レーザの概
略斜視図、 第7図(A)、(B)は半導体レーザの取付状態説明
図、 第8図及び第9図は取付用ランド形成部分の半導体基板
平面図、 第10図(A)、(B)は半導体基板平面の形成説明図、
同図(A)は回折格子形成部分説明図、同図(B)は回
折格子、取付用ランド形成部分の半導体基板平面図、 第11図、第12図(A)、(B)、(C)は半導体基板へ
の半導体レーザ取付説明図、 第13図(A)、(B)、第14図は半導体レーザを取付け
る取付基台説明図、 第15図は従来の光ピックアップ装置の概略斜視図、 第16図は従来の光ピックアップ装置の要部側面図を示
す。 1……半導体レーザ(発光手段) 2……光分割器(光分割手段) 3……回折格子(光回折手段) 4……光導波路 5……第1受光素子 6……第2受光素子 7……モニタ受光素子 10……半導体基板 20……光ディスク 30……ピックアップボディ 31……対物レンズ
FIG. 1 is a view for explaining the principle of the present invention, FIG. 2 is an overall side view of one embodiment of the present invention, FIG. 3 is a configuration diagram of a main part of one embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 5 is an explanatory view of a method of manufacturing an optical splitter in one embodiment of the present invention, FIG. 6 is a schematic perspective view of a semiconductor laser installed in one embodiment of the present invention, FIG. 7 (A) and 7 (B) are views for explaining a mounting state of a semiconductor laser, FIGS. 8 and 9 are plan views of a semiconductor substrate showing a mounting land forming portion, and FIGS. 10 (A) and 10 (B) are semiconductor substrates. Illustration of formation of a plane,
(A) is an explanatory view of a diffraction grating forming portion, (B) is a plan view of a semiconductor substrate of a diffraction grating and a mounting land forming portion, and FIGS. 11 and 12 (A), (B), (C). ) Is an explanatory view of mounting a semiconductor laser on a semiconductor substrate, FIGS. 13 (A) and (B), FIG. 14 is an explanatory view of a mounting base for mounting a semiconductor laser, and FIG. 15 is a schematic perspective view of a conventional optical pickup device. FIG. 16 shows a side view of a main part of a conventional optical pickup device. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor laser (light emitting means) 2 ... Light splitter (light splitting means) 3 ... Diffraction grating (light diffraction means) 4 ... Optical waveguide 5 ... 1st light receiving element 6 ... 2nd light receiving element 7 …… Monitor light receiving element 10 …… Semiconductor substrate 20 …… Optical disk 30 …… Pickup body 31 …… Objective lens

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】発光手段から出射された光を記録情報が記
録された光情報記録担体に照射すると共に、当該光情報
記録担体により反射された前記光を半導体基板の内部に
設けられた受光手段により受光する光ピックアップ装置
において、 前記半導体基板の基板上には、前記発光手段からの前記
光を一の側面を用いて前記光情報記録担体に照射し、且
つ当該光情報記録担体により反射された前記光を当該一
の側面を用いて前記半導体基板の内部に導く光分割手段
を載置し、 前記半導体基板の内部には、前記光分割手段からの入射
光を透過光と回折光とに分離する光回折手段と、前記回
折光を所定距離導波させるための光導波手段とを備え、 前記受光手段は、前記透過光を受光する第1の受光素子
と、前記回折光を前記光導波手段を介して受光する第2
の受光素子とからなり、 前記第1の受光素子は、前記透過光を受光して少なくと
もトラック信号を生成し、 前記第2の受光素子は、前記回折光を受光して少なくと
もフォーカス信号を生成することを特徴とする光ピック
アップ装置。
An optical information recording carrier on which recording information is recorded is irradiated with light emitted from a light emitting device, and the light reflected by the optical information recording carrier is provided inside a semiconductor substrate. In the optical pickup device receiving the light, the light from the light emitting unit is irradiated on the optical information recording carrier by using one side surface, and is reflected by the optical information recording carrier on the substrate of the semiconductor substrate. A light dividing unit that guides the light into the semiconductor substrate using the one side surface is mounted, and inside the semiconductor substrate, incident light from the light dividing unit is separated into transmitted light and diffracted light. Light diffracting means, and light guiding means for guiding the diffracted light for a predetermined distance, wherein the light receiving means comprises: a first light receiving element for receiving the transmitted light; and the light guiding means for diffracting the diffracted light. Receive through The second
Wherein the first light receiving element receives the transmitted light and generates at least a track signal, and the second light receiving element receives the diffracted light and generates at least a focus signal. An optical pickup device, characterized in that:
【請求項2】請求項1に記載の光ピックアップ装置にお
いて、 前記第2の受光素子は、一対の光検知部を備え、 前記光回折手段は回折格子により構成され、 当該回折格子は、前記一対の光検知部の各々に光を集光
させる格子パターンにて形成されていることを特徴とす
る光ピックアップ装置。
2. The optical pickup device according to claim 1, wherein the second light receiving element includes a pair of light detectors, wherein the light diffraction unit includes a diffraction grating, and the diffraction grating includes the pair of light detectors. An optical pickup device, which is formed in a lattice pattern for condensing light on each of the light detecting units.
【請求項3】請求項1乃至2のいずれか一項に記載の光
ピックアップ装置において、 前記光回折手段は、前記光回折手段に入射する光を2分
割するような2つの領域にて構成されることを特徴とす
る光ピックアップ装置。
3. The optical pickup device according to claim 1, wherein the light diffracting means is constituted by two regions which divide light incident on the light diffracting means into two. An optical pickup device characterized in that:
【請求項4】請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光
ピックアップ装置において、 前記第1の受光素子は、前記光回折手段の下方部に形成
され、前記第2の受光素子は、前記光導波手段の端部に
形成されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
4. The optical pickup device according to claim 1, wherein the first light receiving element is formed below the optical diffraction means, and the second light receiving element is An optical pickup device formed at an end of the optical waveguide means.
【請求項5】請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光
ピックアップ装置において、 前記光分割手段と前記半導体基板の間には、当該光分割
手段とほぼ同じ屈析率の透明媒質からなる接着材層が介
在されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
5. The optical pickup device according to claim 1, wherein a transparent medium having substantially the same refractive index as the light splitting means is provided between the light splitting means and the semiconductor substrate. An optical pickup device comprising an adhesive layer interposed therebetween.
【請求項6】請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光
ピックアップ装置において、 前記発光手段は、前記光情報記録担体に照射するために
出射する端面とは逆の端面からも光を出射し、 前記逆の端面から出射した光を受光する第3の受光素子
を備え、 前記発光手段は、前記第3の受光素子に基づいて、出射
する光の出力制御を行なうことを特徴とする光ピックア
ップ装置。
6. The optical pickup device according to claim 1, wherein said light emitting means emits light also from an end face opposite to an end face which is emitted to irradiate said optical information recording carrier. A third light receiving element for receiving light emitted from the opposite end face, and wherein the light emitting unit controls output of the emitted light based on the third light receiving element. Optical pickup device.
【請求項7】請求項5に記載の光ピックアップ装置にお
いて、 前記光分割手段、前記接着剤層及び光回折格子の各屈折
率を、前記前記光情報記録担体からの反射光の入射方向
に向かって順次屈折率が小さくなるように設定すること
を特徴とする光ピックアップ装置。
7. The optical pickup device according to claim 5, wherein the refractive indices of the light splitting means, the adhesive layer, and the optical diffraction grating are set in a direction of incidence of reflected light from the optical information recording carrier. An optical pickup device wherein the refractive index is set so as to decrease sequentially.
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