JP3138997B2 - 光電子集積回路 - Google Patents
光電子集積回路Info
- Publication number
- JP3138997B2 JP3138997B2 JP05115008A JP11500893A JP3138997B2 JP 3138997 B2 JP3138997 B2 JP 3138997B2 JP 05115008 A JP05115008 A JP 05115008A JP 11500893 A JP11500893 A JP 11500893A JP 3138997 B2 JP3138997 B2 JP 3138997B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- integrated circuit
- optoelectronic integrated
- layer
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバ通信などで
使用する、光を受信して電気信号に変換する光電子集積
回路に関するものである。
使用する、光を受信して電気信号に変換する光電子集積
回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信の発展に伴い、この分野
で使用される光受信器は高速性が要求される。この高速
性の要求を満たし、且つ小型化を実現するため様々な受
光素子とトランジスタとを組み合わせた光電子集積回路
が研究・試作されている。この様な光電子集積回路の代
表的な一例として、「S.Chandrasekhar, et al. : IEEE
Photon. Technol. Lett., vol.3, No.9, 1991, pp.823-
825」に示されるような、ｐｉｎ型フォトダイオードと
ヘテロ接合型バイポーラトランジスタとを含んで構成さ
れる受光回路を実装した光電子集積回路がある。
で使用される光受信器は高速性が要求される。この高速
性の要求を満たし、且つ小型化を実現するため様々な受
光素子とトランジスタとを組み合わせた光電子集積回路
が研究・試作されている。この様な光電子集積回路の代
表的な一例として、「S.Chandrasekhar, et al. : IEEE
Photon. Technol. Lett., vol.3, No.9, 1991, pp.823-
825」に示されるような、ｐｉｎ型フォトダイオードと
ヘテロ接合型バイポーラトランジスタとを含んで構成さ
れる受光回路を実装した光電子集積回路がある。
【０００３】図３は、この光電子集積回路の構成図であ
る。図３（ａ）は回路構成図であり、図３（ｂ）はｐｉ
ｎ型フォトダイオードとヘテロ接合型バイポーラトラン
ジスタ（以下、ＨＢＴと呼ぶ）とを形成する材料物質を
示す表である。図示のように、この光集積回路はＩｎＰ
結晶から成る半絶縁性基板の上に、ＩｎＰとＩｎＧａＡ
ｓとのヘテロ接合を利用して、受光素子であるｐｉｎ型
フォトダイオードとＨＢＴとを形成している。ここで、
ヘテロ接合する層を形成するにあたっては化学的ビーム
・エピタキシを使用している。こうして、この光電子集
積回路では、遮断周波数（ｆT ）＝３２ＧＨｚ、最大発
振周波数（ｆMAX ）＝２８ＧＨｚの特性を有し、受信情
報速度＝５Ｇｂ／ｓで動作可能な光受信用の光電子集積
回路を実現している。
る。図３（ａ）は回路構成図であり、図３（ｂ）はｐｉ
ｎ型フォトダイオードとヘテロ接合型バイポーラトラン
ジスタ（以下、ＨＢＴと呼ぶ）とを形成する材料物質を
示す表である。図示のように、この光集積回路はＩｎＰ
結晶から成る半絶縁性基板の上に、ＩｎＰとＩｎＧａＡ
ｓとのヘテロ接合を利用して、受光素子であるｐｉｎ型
フォトダイオードとＨＢＴとを形成している。ここで、
ヘテロ接合する層を形成するにあたっては化学的ビーム
・エピタキシを使用している。こうして、この光電子集
積回路では、遮断周波数（ｆT ）＝３２ＧＨｚ、最大発
振周波数（ｆMAX ）＝２８ＧＨｚの特性を有し、受信情
報速度＝５Ｇｂ／ｓで動作可能な光受信用の光電子集積
回路を実現している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の光電子集積回路
は上記のように構成され、受光素子の光吸収層とＨＢＴ
のベース層とが同一の物質をもとに形成され、そのバン
ドギャップは同一であった。したがって、ＨＢＴの動作
時にベース層の内部において電流に起因する発光性再結
合によって生じる光は、受光素子の光吸収層に吸収され
ノイズ電流を発生し、高感度な光受信用の光電子集積回
路が実現できないという問題点があった。
は上記のように構成され、受光素子の光吸収層とＨＢＴ
のベース層とが同一の物質をもとに形成され、そのバン
ドギャップは同一であった。したがって、ＨＢＴの動作
時にベース層の内部において電流に起因する発光性再結
合によって生じる光は、受光素子の光吸収層に吸収され
ノイズ電流を発生し、高感度な光受信用の光電子集積回
路が実現できないという問題点があった。
【０００５】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたものであり、ノイズ電流を抑制した高感度な光
受信用の光電子集積回路を提供することを目的とする。
なされたものであり、ノイズ電流を抑制した高感度な光
受信用の光電子集積回路を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の光電子集積回路
は、半絶縁性の基板上に、（ａ）第１の半導体物質から
成る光吸収部を有する受光素子と、（ｂ）第１の半導体
物質のバンドギャップ幅よりも小さいバンドギャップ幅
を有する第２の半導体物質からなるベース部を挟んで相
対する領域にエミッタ部とコレクタ部とを形成して構成
されるヘテロ接合型バイポーラトランジスタと、をモノ
リシックに含んで構成されることを特徴とする。
は、半絶縁性の基板上に、（ａ）第１の半導体物質から
成る光吸収部を有する受光素子と、（ｂ）第１の半導体
物質のバンドギャップ幅よりも小さいバンドギャップ幅
を有する第２の半導体物質からなるベース部を挟んで相
対する領域にエミッタ部とコレクタ部とを形成して構成
されるヘテロ接合型バイポーラトランジスタと、をモノ
リシックに含んで構成されることを特徴とする。
【０００７】ここで、第１の半導体物質はＧａＩｎＡｓ
Ｐであり、第２の半導体物質はＧａＩｎＡｓである、こ
とを特徴としてもよい。
Ｐであり、第２の半導体物質はＧａＩｎＡｓである、こ
とを特徴としてもよい。
【０００８】また、受光素子はｐｉｎ型フォトダイオー
ド、金属−半導体−金属フォトディテクタ、およびアバ
ランシ・フォトダイオードのいずれかである、ことを特
徴としてもよい。
ド、金属−半導体−金属フォトディテクタ、およびアバ
ランシ・フォトダイオードのいずれかである、ことを特
徴としてもよい。
【０００９】
【作用】本発明の光電子集積回路では、外部からの受光
が無い時にベース部を電流が流れるＨＢＴが受光素子の
近傍に存在し、発光性再結合によりベース部のバンドギ
ャップに応じた光を発生することがある。しかし、この
光が受光素子の光吸収部に照射されても、受光素子の光
吸収部のバンドギャップがＨＢＴのベース部のバンドギ
ャップよりも大きいので、光吸収部でのこの光の吸収は
発生しない。
が無い時にベース部を電流が流れるＨＢＴが受光素子の
近傍に存在し、発光性再結合によりベース部のバンドギ
ャップに応じた光を発生することがある。しかし、この
光が受光素子の光吸収部に照射されても、受光素子の光
吸収部のバンドギャップがＨＢＴのベース部のバンドギ
ャップよりも大きいので、光吸収部でのこの光の吸収は
発生しない。
【００１０】また、外部からの受光が有る時にも、ベー
ス部を電流が流れるＨＢＴが受光素子の近傍に存在し
（例えば、発光素子の出力を入力する初段のＨＢＴな
ど）、発光性再結合によりベース部のバンドギャップに
応じた光を発生することがある。この場合においても、
この光が受光素子の光吸収部に照射されても、受光素子
の光吸収部のバンドギャップがＨＢＴのベース部のバン
ドギャップよりも大きいので、光吸収部でのこの光の吸
収は発生しない。
ス部を電流が流れるＨＢＴが受光素子の近傍に存在し
（例えば、発光素子の出力を入力する初段のＨＢＴな
ど）、発光性再結合によりベース部のバンドギャップに
応じた光を発生することがある。この場合においても、
この光が受光素子の光吸収部に照射されても、受光素子
の光吸収部のバンドギャップがＨＢＴのベース部のバン
ドギャップよりも大きいので、光吸収部でのこの光の吸
収は発生しない。
【００１１】こうして、外部から受光した光のみが受光
素子の光吸収部に吸収され、この吸収量に応じた電気信
号が光電子集積回路から出力される。
素子の光吸収部に吸収され、この吸収量に応じた電気信
号が光電子集積回路から出力される。
【００１２】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら、本発明の実
施例を説明する。図１は実施例に係る光電子集積回路の
回路構成図であり、図２は受光素子と初段のＨＢＴとを
含む部分の断面構造図である。
施例を説明する。図１は実施例に係る光電子集積回路の
回路構成図であり、図２は受光素子と初段のＨＢＴとを
含む部分の断面構造図である。
【００１３】図１に示す通りこの装置は、受光によって
導電性を発現するｐｉｎ型フォトダイオード１００と、
ｐｉｎ型フォトダイオード１００の導電性の有無の変化
によって生じる電気信号を受信し、増幅し、整形するＨ
ＢＴ２１０1 〜２１０5 からなるトランジスタ群２００
と、ＨＢＴ２１０1 〜２１０5 の動作条件設定する抵
抗、コンデンサなどの電気的受動素子群から構成され、
ｐｉｎ型フォトダイオード１００への外部から入射した
光量に応じた電気信号を出力する。
導電性を発現するｐｉｎ型フォトダイオード１００と、
ｐｉｎ型フォトダイオード１００の導電性の有無の変化
によって生じる電気信号を受信し、増幅し、整形するＨ
ＢＴ２１０1 〜２１０5 からなるトランジスタ群２００
と、ＨＢＴ２１０1 〜２１０5 の動作条件設定する抵
抗、コンデンサなどの電気的受動素子群から構成され、
ｐｉｎ型フォトダイオード１００への外部から入射した
光量に応じた電気信号を出力する。
【００１４】この装置の構成要素は、ＩｎＰ結晶から成
る半絶縁性の基板３００の上に形成される（図２参
照）。ｐｉｎ型フォトダイオード１００は、基板３００
の上に形成され、ｎ型の不純物を高濃度に含むＩｎＰ結
晶からなるカソード層１１０と、カソード層１１０の表
面上に形成され、不純物の含有度が低いあるいは実質的
に不純物を含まないＧａＩｎＡｓＰ混晶から成る光吸収
層１２０と、光吸収層１２０の表面上に形成されたｐ型
の不純物を高濃度に含むＩｎＰ結晶からなるアノード層
１３０と、の３層構造を有する。カソード層１１０およ
びアノード層１２０の表面の一部には電極４１１および
電極４１２が夫々形成され、さらに配線が施されてい
る。
る半絶縁性の基板３００の上に形成される（図２参
照）。ｐｉｎ型フォトダイオード１００は、基板３００
の上に形成され、ｎ型の不純物を高濃度に含むＩｎＰ結
晶からなるカソード層１１０と、カソード層１１０の表
面上に形成され、不純物の含有度が低いあるいは実質的
に不純物を含まないＧａＩｎＡｓＰ混晶から成る光吸収
層１２０と、光吸収層１２０の表面上に形成されたｐ型
の不純物を高濃度に含むＩｎＰ結晶からなるアノード層
１３０と、の３層構造を有する。カソード層１１０およ
びアノード層１２０の表面の一部には電極４１１および
電極４１２が夫々形成され、さらに配線が施されてい
る。
【００１５】ＨＢＴ２１０1 〜２１０5 は同様な構造を
有する。この構造を、図２に示すｐｉｎ型フォトダイオ
ード１００の出力信号をベース端子に入力し、信号増幅
する機能を有するＨＢＴ２１０1 で代表して説明する。
ＨＢＴ２１０1 は、基板３００の表面上に形成され、ｎ
型の不純物を高濃度に含むＧａＩｎＡｓ混晶から成るサ
ブコレクタ層２１１と、サブコレクタ層２１１の表面に
形成されたｎ型の導電性を有するＧａＩｎＡｓ混晶から
成るコレクタ層２１２と、コレクタ層の表面上に形成さ
れ、ｐ型の導電性を有するＧａＩｎＡｓ混晶から成るベ
ース層２１３と、ベ−ス層２１３の表面上に形成され、
ｎ型の不純物を高濃度に含むＧａＩｎＡｓ混晶から成る
エミッタ層２１４と、の４層構造を有する。サブコレク
タ層２１１、ベース層２１３、およびエミッタ層２１４
の表面には電極４２１、電極４２２、および電極４２３
が夫々形成され、さらに配線が施されている。
有する。この構造を、図２に示すｐｉｎ型フォトダイオ
ード１００の出力信号をベース端子に入力し、信号増幅
する機能を有するＨＢＴ２１０1 で代表して説明する。
ＨＢＴ２１０1 は、基板３００の表面上に形成され、ｎ
型の不純物を高濃度に含むＧａＩｎＡｓ混晶から成るサ
ブコレクタ層２１１と、サブコレクタ層２１１の表面に
形成されたｎ型の導電性を有するＧａＩｎＡｓ混晶から
成るコレクタ層２１２と、コレクタ層の表面上に形成さ
れ、ｐ型の導電性を有するＧａＩｎＡｓ混晶から成るベ
ース層２１３と、ベ−ス層２１３の表面上に形成され、
ｎ型の不純物を高濃度に含むＧａＩｎＡｓ混晶から成る
エミッタ層２１４と、の４層構造を有する。サブコレク
タ層２１１、ベース層２１３、およびエミッタ層２１４
の表面には電極４２１、電極４２２、および電極４２３
が夫々形成され、さらに配線が施されている。
【００１６】電気的受動素子群は、基板上に既知の方法
で形成された抵抗、コンデデンサなどから成り、以上の
ｐｉｎ型フォトダイオード１００およびトランジスタ群
２００という能動素子と配線により接続し、これらの能
動素子と協調して装置の機能を実現する。
で形成された抵抗、コンデデンサなどから成り、以上の
ｐｉｎ型フォトダイオード１００およびトランジスタ群
２００という能動素子と配線により接続し、これらの能
動素子と協調して装置の機能を実現する。
【００１７】なお、図２ではｐｉｎ型フォトダイオード
１００は、基板３００の表面上に直接形成されていな
い。これは、基板３００の表面上にＨＢＴ２００の各層
を形成後に、ｐｉｎ型フォトダイオードの各層を形成す
る方法を採用したことによる。基板３００の表面上に直
接形成しても本実施例と同様の作用・効果を有する。
１００は、基板３００の表面上に直接形成されていな
い。これは、基板３００の表面上にＨＢＴ２００の各層
を形成後に、ｐｉｎ型フォトダイオードの各層を形成す
る方法を採用したことによる。基板３００の表面上に直
接形成しても本実施例と同様の作用・効果を有する。
【００１８】ｐｉｎ型フォトダイオード１００には逆バ
イアス電圧が印加され、受光していいない状態で光吸収
層１２０は空乏化している。このｐｉｎ型フォトダイオ
ード１００に外部から入射した光は、光の吸収係数にし
たがって指数関数的に減衰しながら、光キャリアを励起
する。空乏層で発生した光キャリアは、空乏層電界によ
り加速され、アノード層１３０からカソード層１１０へ
流れる電流を生じる。なお、光の吸収は、アノード層１
３０およびカソード層１１０でも発生して光キャリアを
励起するが、これらの層が薄いので光キャリアの励起確
率が低いこと、および光キャリアの移動は拡散によるこ
とから、これらの層における光吸収に起因する発生電流
の量は空乏層における光吸収に起因する発生電流の量に
比べて非常に小さくなる。
イアス電圧が印加され、受光していいない状態で光吸収
層１２０は空乏化している。このｐｉｎ型フォトダイオ
ード１００に外部から入射した光は、光の吸収係数にし
たがって指数関数的に減衰しながら、光キャリアを励起
する。空乏層で発生した光キャリアは、空乏層電界によ
り加速され、アノード層１３０からカソード層１１０へ
流れる電流を生じる。なお、光の吸収は、アノード層１
３０およびカソード層１１０でも発生して光キャリアを
励起するが、これらの層が薄いので光キャリアの励起確
率が低いこと、および光キャリアの移動は拡散によるこ
とから、これらの層における光吸収に起因する発生電流
の量は空乏層における光吸収に起因する発生電流の量に
比べて非常に小さくなる。
【００１９】こうして発生した入射光に伴う電流は、後
段に設置されたトランジスタ群２００および電気的受動
素子群によって構成される増幅・整形回路に入力し、最
終的に入射光量を反映した電気信号が出力される。
段に設置されたトランジスタ群２００および電気的受動
素子群によって構成される増幅・整形回路に入力し、最
終的に入射光量を反映した電気信号が出力される。
【００２０】上記の増幅・整形動作時には、各ＨＢＴに
はベース電流が流れる。各ＨＢＴのベース層２１３はＧ
ａＩｎＡｓ混晶から成るので、ベース電流によって発光
性再結合が起こり、ベース層２１３のバンドギャップ値
に対応する波長の光を発生する。この光は光吸収層１２
０に達することがあるが、光吸収層１２０はＧａＩｎＡ
ｓＰ混晶から成るので、そのバンドギャップ値はベース
層２１３のバンドギャップ値よりも大きく、この光は吸
収されない。したがって、ｐｉｎ型フォトダイオード１
００では、外部から受光した光量に忠実な電流を発生
し、ひいては光電子集積回路の出力として受光量に忠実
な電気信号を得ることができる。
はベース電流が流れる。各ＨＢＴのベース層２１３はＧ
ａＩｎＡｓ混晶から成るので、ベース電流によって発光
性再結合が起こり、ベース層２１３のバンドギャップ値
に対応する波長の光を発生する。この光は光吸収層１２
０に達することがあるが、光吸収層１２０はＧａＩｎＡ
ｓＰ混晶から成るので、そのバンドギャップ値はベース
層２１３のバンドギャップ値よりも大きく、この光は吸
収されない。したがって、ｐｉｎ型フォトダイオード１
００では、外部から受光した光量に忠実な電流を発生
し、ひいては光電子集積回路の出力として受光量に忠実
な電気信号を得ることができる。
【００２１】本発明は上記の実施例に限定されるわけで
はなく、様々な変形が可能である。例えば、実施例では
受光素子としてｐｉｎ型フォトダイオードを使用した
が、アバランシ・フォトダイオードあるいは金属−半導
体−金属フォトディテクタなどを使用してもよい。ま
た、実施例で使用した半導体物質以外の半導体物質をバ
ンドギャップ値を考慮の上で採用してもよい。
はなく、様々な変形が可能である。例えば、実施例では
受光素子としてｐｉｎ型フォトダイオードを使用した
が、アバランシ・フォトダイオードあるいは金属−半導
体−金属フォトディテクタなどを使用してもよい。ま
た、実施例で使用した半導体物質以外の半導体物質をバ
ンドギャップ値を考慮の上で採用してもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上詳細に説明した通り、本発明の光電
子集積回路は、受光素子の光吸収部をＨＢＴのベース部
を形成する材料よりもバンドギャップの大きな材料で形
成したので、ＨＢＴの動作によって生じるベース部の発
光性再結合による光を受光素子の光吸収部が吸収せず、
ノイズを抑制した高感度の光電子集積回路を実現でき
る。
子集積回路は、受光素子の光吸収部をＨＢＴのベース部
を形成する材料よりもバンドギャップの大きな材料で形
成したので、ＨＢＴの動作によって生じるベース部の発
光性再結合による光を受光素子の光吸収部が吸収せず、
ノイズを抑制した高感度の光電子集積回路を実現でき
る。
【図１】本発明の実施例に係る光電子集積回路の回路構
成図である。
成図である。
【図２】本発明の実施例に係る光電子集積回路の構造図
である。
である。
【図３】従来の光電子集積回路の説明図である。
１００…ｐｉｎ型フォトダイオード、１１０…カソード
層、１２０…光吸収層、１３０…アノード層、２００…
ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ、２１０…サブコ
レクタ層、２１１…コレクタ層、２１２…ベース層、２
１３…エミッタ層、３００…基板、４１０，４２０，４
３０，４４０，４５０…電極
層、１２０…光吸収層、１３０…アノード層、２００…
ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ、２１０…サブコ
レクタ層、２１１…コレクタ層、２１２…ベース層、２
１３…エミッタ層、３００…基板、４１０，４２０，４
３０，４４０，４５０…電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/10 - 31/119 H01L 27/14 - 27/15
Claims (5)
- 【請求項１】 半絶縁性の基板上に、 第１の半導体物質から成る光吸収部を有する受光素子
と、 前記第１の半導体物質のバンドギャップ幅よりも小さい
バンドギャップ幅を有する第２の半導体物質からなるベ
ース部を挟んで相対する領域にエミッタ部とコレクタ部
とを形成して構成されるヘテロ接合型バイポーラトラン
ジスタと、 をモノリシックに含んで構成されることを特徴とする光
電子集積回路。 - 【請求項２】 前記第１の半導体物質はＧａＩｎＡｓＰ
であり、前記第２の半導体物質はＧａＩｎＡｓである、
ことを特徴とする請求項１記載の光電子集積回路。 - 【請求項３】 前記受光素子はｐｉｎ型フォトダイオー
ドである、ことを特徴とする請求項１記載の光電子集積
回路。 - 【請求項４】 前記受光素子は金属−半導体−金属フォ
トディテクタである、ことを特徴とする請求項１記載の
光電子集積回路。 - 【請求項５】 前記受光素子はアバランシ・フォトダイ
オードである、ことを特徴とする請求項１記載の光電子
集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05115008A JP3138997B2 (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 光電子集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05115008A JP3138997B2 (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 光電子集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326343A JPH06326343A (ja) | 1994-11-25 |
| JP3138997B2 true JP3138997B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=14651999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05115008A Expired - Fee Related JP3138997B2 (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 光電子集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3138997B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3191835B2 (ja) | 1993-05-17 | 2001-07-23 | 住友電気工業株式会社 | 光電子集積回路 |
-
1993
- 1993-05-17 JP JP05115008A patent/JP3138997B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3191835B2 (ja) | 1993-05-17 | 2001-07-23 | 住友電気工業株式会社 | 光電子集積回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06326343A (ja) | 1994-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ito et al. | Monolithic integration of a metal—semiconductor—metal photodiode and a GaAs preamplifier | |
| US20070096240A1 (en) | Doped Absorption For Enhanced Responsivity For High Speed Photodiodes | |
| US5063426A (en) | InP/InGaAs monolithic integrated photodetector and heterojunction bipolar transistor | |
| Garrett et al. | A silicon-based integrated NMOS-pin photoreceiver | |
| JP3191835B2 (ja) | 光電子集積回路 | |
| Campbell et al. | Small‐area high‐speed InP/InGaAs phototransistor | |
| Sridhara et al. | Performance enhancement of GaInP/GaAs heterojunction bipolar phototransistors using DC base bias | |
| JP2001313415A (ja) | 受光装置 | |
| Brain et al. | Optical receivers for lightwave communication systems | |
| US4969152A (en) | Photo-lasertransistor | |
| JP3138997B2 (ja) | 光電子集積回路 | |
| JPH0451988B2 (ja) | ||
| US20040036146A1 (en) | Phototransistor device with fully depleted base region | |
| JPS63233563A (ja) | 光電子集積回路 | |
| JPS63181371A (ja) | 光電子集積回路 | |
| JPS5948963A (ja) | フオトトランジスタ | |
| EP0164604B1 (en) | Integrated light emitting/receiving amplifier element | |
| KR100444820B1 (ko) | 광검출기와 이종접합 바이폴라 트랜지스터가 집적된 장파장 반도체 광수신 칩 | |
| KR100540554B1 (ko) | 이종접합 광트랜지스터를 검출소자로 하는 광수신기 광전집적회로 | |
| JP2007274127A (ja) | 電子回路 | |
| JPH0529642A (ja) | 半導体光検出素子 | |
| WO2002049120A1 (en) | Optoelectronic detector and related circuit | |
| JPH06132511A (ja) | 受光集積素子 | |
| JPS62176175A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0637294A (ja) | 受光器及び光電子集積回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071215 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081215 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101215 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |