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JP3149965B2 - Optical semiconductor module - Google Patents
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JP3149965B2 - Optical semiconductor module - Google Patents

Optical semiconductor module

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JP3149965B2
JP3149965B2 JP14568391A JP14568391A JP3149965B2 JP 3149965 B2 JP3149965 B2 JP 3149965B2 JP 14568391 A JP14568391 A JP 14568391A JP 14568391 A JP14568391 A JP 14568391A JP 3149965 B2 JP3149965 B2 JP 3149965B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光半導体モジュ−ルに
関し、特に、半導体レ−ザと光ファイバピグテ−ルとを
光軸調整し、これをパッケ−ジに搭載した構造を持つ光
半導体モジュ−ルに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical semiconductor module, and more particularly, to an optical semiconductor module having a structure in which a semiconductor laser and an optical fiber pigtail are optically adjusted and mounted on a package. Related to

【0002】[0002]

【従来の技術】光ファイバ通信等に用いられる光半導体
モジュ−ルは、光出力用の光ファイバピグテ−ルを備え
たモジュ−ルとして、従来より提供されている。そし
て、この光半導体モジュ−ルとして、半導体レ−ザがレ
ンズを介して光ファイバと光学調整されている構造のも
のが多い。
2. Description of the Related Art Optical semiconductor modules used for optical fiber communication and the like have been conventionally provided as modules having an optical fiber pigtail for optical output. In many cases, the optical semiconductor module has a structure in which a semiconductor laser is optically adjusted to an optical fiber via a lens.

【0003】従来のこの種光半導体モジュ−ルを図2に
基づいて説明する。図2は、従来の光半導体モジュ−ル
の縦断面図であって、これは、半導体レ−ザ1、ヒ−ト
シンク2、チップキャリア3、モニタホトダイオ−ド
4、セルフォックマイクロレンズ21、ホルダ22、ス
ライドリング8、フェル−ル9、光ファイバ10、ペル
チェ素子12、パッケ−ジ13より構成されている。
A conventional optical semiconductor module of this type will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a conventional optical semiconductor module, which includes a semiconductor laser 1, a heat sink 2, a chip carrier 3, a monitor photo diode 4, a selfoc microlens 21, It comprises a holder 22, a slide ring 8, a ferrule 9, an optical fiber 10, a Peltier element 12, and a package 13.

【0004】そして、セルフォックマイクロレンズ21
は、ハ−ドソルダ20によりホルダ22に固定されてお
り、また、半導体レ−ザ1は、セルフォックマイクロレ
ンズ21を介してフェル−ル9と光学調整され、このフ
ェル−ル9は、スライドリング8を介してホルダ7とY
AG溶接により固定されている。更に、上記ホルダ7
は、ペルチェ素子12をはさんでパッケ−ジ13にハン
ダ付けで固定されており、また、上記フェル−ル9は、
ハンダ11でパッケ−ジ13の側面に固定され、同時に
気密封止した構造を有している。
The selfoc microlens 21
Are fixed to a holder 22 by a hard solder 20. The semiconductor laser 1 is optically adjusted to a ferrule 9 via a SELFOC microlens 21, and the ferrule 9 is a slide ring. 8 and the holder 7 and Y
It is fixed by AG welding. Further, the holder 7
Is fixed to the package 13 by soldering with the Peltier element 12 interposed therebetween, and the ferrule 9 is
It is fixed to the side surface of the package 13 by the solder 11, and has a structure hermetically sealed at the same time.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来の光半導体モジュ
−ルは、図2に示すように、通常、半導体レ−ザ1、セ
ルフォックマイクロレンズ21及びフェル−ル9を保持
するため、ホルダ22を有している。ところで、セルフ
ォックマイクロレンズ21の熱膨張係数は、Hレンズで
115×10-7deg-1である。このような熱膨張係数
を持つセルフォックマイクロレンズ21をホルダ22に
固定する際、このレンズ21のクラックを防止するため
に、ハ−ドソルダ20とホルダ22の各材料として、そ
の熱膨張係数が上記レンズ21の熱膨張係数に近いもの
を選択して使用されている。
As shown in FIG. 2, a conventional optical semiconductor module generally has a holder 22 for holding a semiconductor laser 1, a selfoc microlens 21 and a ferrule 9. have. Incidentally, the coefficient of thermal expansion of the SELFOC microlens 21 is 115 × 10 −7 deg −1 for the H lens. When fixing the SELFOC microlens 21 having such a coefficient of thermal expansion to the holder 22, in order to prevent the lens 21 from cracking, the materials of the hard solder 20 and the holder 22 have the above-mentioned coefficients of thermal expansion. A lens having a coefficient of thermal expansion close to that of the lens 21 is selected and used.

【0006】選択されるホルダ22の材料として、従
来、熱膨張係数が117×10-7deg-1のSS41が
用いられている。しかしながら、SS41のホルダ22
を使用した従来の光半導体モジュ−ルは、その冷却能力
としては、環境温度が65℃であり、市場から要求され
る環境温度70℃に適応できないという問題点が存在す
る。
Conventionally, SS41 having a thermal expansion coefficient of 117 × 10 −7 deg −1 has been used as a material of the selected holder 22. However, SS22 holder 22
The conventional optical semiconductor module using the above has a problem that the ambient temperature of the cooling capacity is 65 ° C. and cannot be adapted to the environmental temperature 70 ° C. required from the market.

【0007】そこで、本発明は上記問題点を解消するこ
とを技術的課題とし、特に、非球面レンズのクラックを
防止することができ、また、冷却能力を向上させる光半
導体モジュールを提供することを目的とする。
Therefore, the present invention has a technical object to solve the above-mentioned problems, and in particular, to reduce cracks in an aspherical lens.
It is an object of the present invention to provide an optical semiconductor module that can prevent the occurrence of a cooling problem and improve the cooling capacity.

【0008】[0008]

【発明が解決するための手段】そして、本発明は、半導
体レーザと光ファイバピグテールがホルダに固定された
レンズを介して光軸調整された光半導体モジュールにお
いて、前記ホルダをCuWで構成し、かつ、前記レンズ
を熱膨張係数がCuWの熱膨張係数に近い値を取るよう
な非球面レンズとすることによりレンズとホルダとの熱
膨張係数差に起因するレンズのクラックを防止すると共
に、光半導体モジュールとしての冷却能力を向上させる
ようにしたものである。
According to the present invention, there is provided an optical semiconductor module in which an optical axis is adjusted via a lens in which a semiconductor laser and an optical fiber pigtail are fixed to a holder , wherein the holder is made of CuW. Comprising and said lens
So that the coefficient of thermal expansion takes a value close to that of CuW.
Heat of the lens and the holder
Prevent lens cracks caused by differences in expansion coefficients
In addition, the cooling capacity of the optical semiconductor module is improved.

【0009】即ち、本発明は、半導体レーザと光ファイ
バピグテールがホルダに固定されたレンズを介して光軸
調整された光半導体モジュールにおいて、前記ホルダを
CuWで構成し、かつ、前記レンズを熱膨張係数がCu
Wの熱膨張係数に近い値を取るような非球面レンズとし
ことを特徴とする光半導体モジュールである。
That is, the present invention provides an optical semiconductor module in which the optical axis is adjusted via a lens in which a semiconductor laser and an optical fiber pigtail are fixed to a holder.
CuW and the lens has a coefficient of thermal expansion of Cu
An aspherical lens that takes a value close to the coefficient of thermal expansion of W
An optical semiconductor module, characterized in that the.

【0010】[0010]

【作用】従来の光半導体モジュ−ルは、前記したとお
り、セルフォックマイクロレンズを使用するものであ
り、この熱膨張係数が115×10-7deg-1であると
ころから、この熱膨張係数に近似のSS41(熱膨張係
数117×10-7deg-1)製ホルダを使用しなければ
ならない。
The conventional optical semiconductor module uses the SELFOC microlens as described above. Since the coefficient of thermal expansion is 115 × 10 −7 deg −1 , the coefficient of thermal expansion is An approximate SS41 (coefficient of thermal expansion 117 × 10 −7 deg −1 ) holder must be used.

【0011】これに対して、本発明は、ホルダの材質と
して、従来のSS41に代えてCuWを使用するもので
あり、そして、このCuWは、その熱膨張係数が70×
10ー7degー1であるから、SS41に比し、熱伝
導率が優れており、そのため、ホルダの熱を効率良く放
出することができ、光半導体モジュールとしての冷却能
力を向上させる作用が生じると共に、レンズのクラック
を防止することができる。本発明において、このCuW
製ホルダの使用を可能とし、レンズのクラックを防止す
ることができるとする理由は、従来のセルフォックマイ
クロレンズに代えて非球面レンズを使用することにより
起因する。即ち、非球面レンズの熱膨張係数は、その材
料成分を選択することにより、ホルダの材質であるCu
Wの上記熱膨張係数に近づけることができるからであ
る。
On the other hand, the present invention uses CuW instead of the conventional SS41 as the material of the holder, and this CuW has a thermal expansion coefficient of 70 ×.
Because it is 10 @ 7 deg-1, compared to the SS41, has excellent thermal conductivity, therefore, the heat of the holder can be efficiently released, it acts to improve the cooling capacity of the optical semiconductor module is produced Along with the lens crack
Can be prevented. In the present invention, this CuW
Of the lens holder to prevent cracking of the lens.
The reason for this is that an aspheric lens is used instead of the conventional Selfoc microlens. That is, the coefficient of thermal expansion of the aspherical lens can be adjusted by selecting the material component of the lens.
This is because the coefficient of thermal expansion of W can be approximated.

【0012】[0012]

【実施例】次に、図1に基づいて、本発明を詳細に説明
する。図1は、本発明の一実施例である光半導体モジュ
−ルの縦断面図であり、半導体レ−ザ1は、ヒ−トシン
ク2にAuSnを用いて固定し、このヒ−トシンク2
は、チップキャリア3に同じくAuSnで固定する。一
方、レンズとして、非球面レンズ6を使用し、この非球
面レンズ6をCuW製ホルダ7に低融点ガラス5により
固定する。
Next, the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an optical semiconductor module according to an embodiment of the present invention. A semiconductor laser 1 is fixed to a heat sink 2 using AuSn.
Are fixed to the chip carrier 3 with AuSn. On the other hand, an aspherical lens 6 is used as a lens, and this aspherical lens 6 is fixed to a CuW holder 7 with a low melting point glass 5.

【0013】次に、チップキャリア3をCuW製ホルダ
7にPbSnとYAG溶接で固定し、また、モニタホト
ダイオ−ド4も同じくPbSnを用いてCuW製ホルダ
7に固定する。光ファイバ10の先端であるフェル−ル
9は、スライドリング8を介してCuW製ホルダ7と光
学調整し、YAG溶接で固定する。ペルチェ素子12
は、パッケ−ジ13にInSnで固定し、CuW製ホル
ダ7は、ペルチェ素子13上に同じくInSnを用いて
固定する。また、フェル−ル9は、パッケ−ジ12とハ
ンダ11により固定し、同時に気密封止する。
Next, the chip carrier 3 is fixed to the CuW holder 7 by PbSn and YAG welding, and the monitor photodiode 4 is also fixed to the CuW holder 7 using PbSn. The ferrule 9 which is the tip of the optical fiber 10 is optically adjusted with the CuW holder 7 via the slide ring 8 and fixed by YAG welding. Peltier device 12
Is fixed to the package 13 with InSn, and the CuW holder 7 is fixed on the Peltier element 13 with InSn. The ferrule 9 is fixed by the package 12 and the solder 11, and is hermetically sealed at the same time.

【0014】非球面レンズの熱膨張係数は、その材料成
分を選択することにより、ホルダ7の材質であるCuW
の熱膨張係数7×10ー7degー1に近づけることが
可能であり、このCuW製ホルダ7を使用することによ
って、光半導体モジュールとしての冷却能力が格段に向
上する。即ち、環境温度70℃で比較すると、ペルチェ
素子の消費電流は、5%から10%少なくなり、冷却能
力の限界は、70℃から75℃へ改善される。さらに、
非球面レンズの熱膨張係数がCuW製のホルダのCuW
の熱膨張係数に近い値を取るような非球面レンズとした
ことにより、レンズとホルダとの熱膨張係数差に起因す
るレンズのクラックを防止することができる。
The coefficient of thermal expansion of the aspherical lens is determined by selecting the material component of the lens.
Can be made close to 7 × 10 −7 deg −1 , and by using the CuW holder 7, the cooling capacity as an optical semiconductor module is remarkably improved. That is, when compared at an environmental temperature of 70 ° C., the current consumption of the Peltier element is reduced by 5% to 10%, and the limit of the cooling capacity is improved from 70 ° C. to 75 ° C. further,
The thermal expansion coefficient of the aspherical lens is CuW for the holder made of CuW.
Aspherical lens that takes a value close to the coefficient of thermal expansion of
Is caused by the difference in the thermal expansion coefficient between the lens and the holder.
Cracks in the lens can be prevented.

【0015】[0015]

【発明の効果】本発明は、以上説明したように、非球面
レンズを採用することにより、CuW製のホルダを使用
することができるようになり、そして、このCuW材
は、従来のセルフォックマイクロレンズの使用で限定さ
れていた材料のSS41に比べ、熱伝導率が優れている
ので、ペルチェ素子上の最大のヒートマスであるホルダ
の熱を効率良く放出することができ、そのため、光半導
体モジュールとしての冷却能力を向上させることができ
る効果が生じる。さらに、非球面レンズの熱膨張係数が
CuW製のホルダのCuWの熱膨張係数に近い値を取る
ような非球面レンズとしたことにより、レンズとホルダ
との熱膨張係数差に起因するレンズのクラックを防止す
ることができるという優れた効果を奏する。
As described above, the present invention makes it possible to use a holder made of CuW by employing an aspherical lens. Compared to SS41, which is a material limited by the use of lenses, its heat conductivity is excellent, so it is possible to efficiently release the heat of the holder, which is the largest heat mass on the Peltier element, and therefore, as an optical semiconductor module This has the effect of improving the cooling capacity of the device. Furthermore, the coefficient of thermal expansion of the aspherical lens is
Take a value close to the thermal expansion coefficient of CuW of the CuW holder
By using an aspheric lens like this, the lens and holder
To prevent lens cracking due to the difference in thermal expansion coefficient between
It has an excellent effect that it can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例である光半導体モジュ−ルの
縦断面図である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an optical semiconductor module according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来の光半導体モジュ−ルの縦断面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a conventional optical semiconductor module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レ−ザ 2 ヒ−トシンク 3 チップキャリア 4 モニタホトダイオ−ド 5 低融点ガラス 6 非球面レンズ 7 CuW製ホルダ 8 スライドリング 9 フェル−ル 10 光ファイバ 11 ハンダ 12 ペルチェ素子 13 パッケ−ジ 20 ハ−ドソルダ 21 セルフォックマイクロレンズ 22 ホルダ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor laser 2 Heat sink 3 Chip carrier 4 Monitor photo diode 5 Low melting glass 6 Aspherical lens 7 CuW holder 8 Slide ring 9 Ferrule 10 Optical fiber 11 Solder 12 Peltier element 13 Package 20 Hard solder 21 Selfoc microlens 22 Holder

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−305587(JP,A) 特開 平1−261601(JP,A) 特開 平3−120884(JP,A) 実開 平4−63669(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01S 5/00 - 5/50 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-1-305587 (JP, A) JP-A-1-261601 (JP, A) JP-A-3-120884 (JP, A) 63669 (JP, U) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01S 5/00-5/50

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体レーザと光ファイバピグテールが
ホルダに固定されたレンズを介して光軸調整された光半
導体モジュールにおいて、前記ホルダをCuWで構成
し、かつ、前記レンズを熱膨張係数がCuWの熱膨張係
数に近い値を取るような非球面レンズとしたことを特徴
とする光半導体モジュール。
1. A semiconductor laser and an optical fiber pigtail are
In an optical semiconductor module whose optical axis has been adjusted via a lens fixed to a holder , the holder is made of CuW
And the lens has a coefficient of thermal expansion of CuW.
An optical semiconductor module comprising an aspheric lens having a value close to a number .
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JPH10190131A (en) * 1996-12-27 1998-07-21 Fuji Photo Film Co Ltd Semiconductor laser
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