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JP3150245B2 - Semiconductor test apparatus and semiconductor test method - Google Patents
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JP3150245B2 - Semiconductor test apparatus and semiconductor test method - Google Patents

Semiconductor test apparatus and semiconductor test method

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JP3150245B2
JP3150245B2 JP30633593A JP30633593A JP3150245B2 JP 3150245 B2 JP3150245 B2 JP 3150245B2 JP 30633593 A JP30633593 A JP 30633593A JP 30633593 A JP30633593 A JP 30633593A JP 3150245 B2 JP3150245 B2 JP 3150245B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路の電
気的特性を試験する半導体試験装置および半導体試験方
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor test apparatus and a semiconductor test method for testing electrical characteristics of a semiconductor integrated circuit.
It is about the law .

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は、従来の半導体試験装置の一例を
示す部分回路図であり、図において、1は被試験半導体
集積回路(以下テストICという)、2aはテストIC
1のVCC電源ピン、2bは同じくVSSグランド電源ピ
ン、3a〜3nはテストIC1の入出力波形を伝えるフ
ァンクションピン、4はトランスファリレー、4a,4
bはトランスファリレー4の各々の端子、5a及び5b
はオペアンプ、6a,6b及び6c,6dはオペアンプ
5a,5bによる電圧増幅率を決める抵抗、7a及び7
bはオペアンプ5a及び5bの出力電圧をコントロール
するD/Aコンバータ、8a及び8bはD/Aコンバー
タ7a及び7bの出力電圧を制御する制御線、9はD/
Aコンバータの出力電圧を決めるデータ線である。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a partial circuit diagram showing an example of a conventional semiconductor test apparatus. In FIG. 5, reference numeral 1 denotes a semiconductor integrated circuit under test (hereinafter referred to as a test IC), and 2a denotes a test IC.
1 is a V CC power supply pin, 2b is a V SS ground power supply pin, 3a to 3n are function pins for transmitting input / output waveforms of the test IC 1, 4 is a transfer relay, 4a, 4
b is each terminal of the transfer relay 4, 5a and 5b
Is an operational amplifier, 6a, 6b and 6c, 6d are resistors for determining the voltage amplification factor of the operational amplifiers 5a, 5b, 7a and 7
b is a D / A converter for controlling the output voltages of the operational amplifiers 5a and 5b, 8a and 8b are control lines for controlling the output voltages of the D / A converters 7a and 7b, and 9 is a D / A converter.
This is a data line that determines the output voltage of the A converter.

【0003】次に動作について説明する。通常のICの
試験はVSSをグランドレベルにし、VCCに規定の電源電
圧を供給して試験をするが、ICによっては、VSS端子
にオフセット電圧を与え、IC全体の対グランド電位を
上げるようなテストが必要とされる。ここでは、上記テ
スト時のオフセット電圧の作り方についてのみ説明す
る。
Next, the operation will be described. In a normal IC test, V SS is set to the ground level and a specified power supply voltage is supplied to V CC to perform the test. However, depending on the IC, an offset voltage is applied to the V SS terminal to raise the entire IC with respect to the ground potential. Such tests are required. Here, only the method of generating the offset voltage at the time of the test will be described.

【0004】前述したようにテストIC1のVCCピン2
bはトランスファリレー4によりグランドに接続されて
いるが、あるテスト項目ではトランスファリレー4の4
a側端子に接続され、オペアンプ5bの出力電圧が供給
される。しかし、試験装置のファンクション波形は、振
幅が限られている(−2〜7V)ため、テストIC1を
そのテスト状態にするためのファンクション入力時はオ
ペアンプ5bを0[V]、オペアンプ5aを5[V]等
にしておく必要がある。ファンクション入力が終了後、
オフセット電圧を供給し、対グランドとの電位を上げれ
ば良いが、テストICは、VCC間の電位差に規定があ
り、その電位差を越えられない。そこで、メインコント
ローラからの指示である。D/Aコンバータ用データ9
と、制御線8a,8bを交互に制御することにより、D
/Aコンバータ7a及び7bの出力電圧を階段式に変化
させ、しいてはVCC及びVSS電圧を変化させる。
As described above, the V CC pin 2 of the test IC 1
b is connected to the ground by the transfer relay 4, but in some test items,
The output voltage of the operational amplifier 5b is supplied to the terminal a. However, since the function waveform of the test apparatus has a limited amplitude (−2 to 7 V), the operational amplifier 5 b is set to 0 [V] and the operational amplifier 5 a is set to 5 [ V] or the like. After completing the function input,
Supplying an offset voltage, may be increased potential between pairs ground, but test the IC, there is defined a potential difference between V CC, not exceed the potential difference. Therefore, it is an instruction from the main controller. Data 9 for D / A converter
And by alternately controlling the control lines 8a and 8b,
The output voltages of the / A converters 7a and 7b are changed in a stepwise manner, thereby changing the V CC and V SS voltages.

【0005】図6は、この電圧変化のようを示すもの
で、10はVSS電圧、11はVCC電圧を示す。
FIG. 6 shows this voltage change, where 10 is the V SS voltage and 11 is the V CC voltage.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来の装置は以上のよ
うに構成されているので、VCC−VSS間の電位差規定を
守りながら階段的に電圧変化をさせる必要があり、その
処理に時間が掛かっていた。又その処理は全てテストプ
ログラマの考慮が必要でテストプログラマの負荷も大き
かった。
Since the conventional device is configured as described above, it is necessary to change the voltage stepwise while observing the regulation of the potential difference between V CC and V SS. Was hanging. In addition, all the processing requires consideration of the test programmer, and the load on the test programmer was large.

【0007】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、テストICの基準電源ピン(V
SSピン)に電圧を供給している電圧発生器を基準とし
て、その基準電圧発生器出力の電圧の変化とともに他の
電圧発生器の出力電圧を変化させることにより、ICの
テスト時間、プログラム開発時間を短縮することを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has been made in consideration of the above problem.
IC test time and program development time by changing the output voltage of the other voltage generator together with the change of the output voltage of the reference voltage generator based on the voltage generator that supplies the voltage to the SS pin) The purpose is to shorten the.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
る半導体試験装置は、ICの複数の電源ピンに対し、そ
れぞれ任意の電圧を供給することができる複数の電圧発
生器と、上記ICの基準電圧となる電圧を発生させる基
準電圧発生器と、上記基準電圧発生器の出力電圧と上記
複数の電圧発生器の電圧との電位差を保ちながら、上記
基準電圧発生器の出力電圧の推移に従って、上記複数の
電圧発生器の出力電圧をシフトする電圧シフト回路とを
備えたものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test apparatus comprising: a plurality of voltage generators each capable of supplying an arbitrary voltage to a plurality of power pins of the IC; A reference voltage generator that generates a voltage that becomes the reference voltage of the reference voltage generator, while maintaining the potential difference between the output voltage of the reference voltage generator and the voltages of the plurality of voltage generators, according to the transition of the output voltage of the reference voltage generator. And a voltage shift circuit for shifting output voltages of the plurality of voltage generators.

【0009】また、この発明の請求項2に係る半導体試
験装置は、ICの入力ピンに任意の電圧振幅の波形を与
えるドライバー回路と、上記ICの基準電圧となる電圧
を発生させる基準電圧発生器と、上記ドライバー回路よ
り出力される振幅電圧を、上記基準電圧発生器の出力基
準電圧との電位差を保ちながら、上記基準電圧発生器の
出力電圧推移に従って変化させる電圧シフト回路とを備
えたものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test apparatus, comprising: a driver circuit for applying a waveform having an arbitrary voltage amplitude to an input pin of an IC; and a reference voltage generator for generating a voltage serving as a reference voltage of the IC. And a voltage shift circuit that changes the amplitude voltage output from the driver circuit according to the transition of the output voltage of the reference voltage generator while maintaining the potential difference from the output reference voltage of the reference voltage generator. is there.

【0010】さらに、この発明の請求項3に係る半導体
試験装置は、ICの出力ピンの電圧と、予め設定された
期待電圧とのレベル比較をする電圧比較器と、上記IC
の基準電圧となる電圧を発生させる基準電圧発生器と、
上記電圧比較器の期待電圧を、上記基準電圧発生器の出
力基準電圧との電位差を保ちながら、上記基準電圧発生
器の出力電圧推移に従って変化させる電圧シフト回路と
を備えたものである。更に、また、この発明の請求項4
に係る半導体試験方法は、ICの複数の電源ピンに対
し、それぞれ任意の電圧を複数の電圧発生器供給すると
共に、上記ICの基準電圧となる電圧を基準電圧発生器
より発生し、上記基準電圧発生器の出力電圧と上記複数
の電圧発生器の電圧との電位差を保ちながら、上記基準
電圧発生器の出力電圧の推移に従って、上記複数の電圧
発生器の出力電圧を電圧シフト回路によりシフトするも
のである。
Further, according to a third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test apparatus, comprising: a voltage comparator for comparing a voltage of an output pin of the IC with a preset expected voltage;
A reference voltage generator that generates a voltage that is a reference voltage of
A voltage shift circuit for changing an expected voltage of the voltage comparator according to an output voltage transition of the reference voltage generator while maintaining a potential difference from an output reference voltage of the reference voltage generator. Furthermore, claim 4 of the present invention
The semiconductor test method according to
And supply an arbitrary voltage to multiple voltage generators.
In both cases, the reference voltage generator
And the output voltage of the reference voltage generator and the plurality of
While maintaining the potential difference with the voltage of the voltage generator of
According to the transition of the output voltage of the voltage generator,
The output voltage of the generator is shifted by a voltage shift circuit.
It is.

【0011】[0011]

【作用】この発明の請求項1乃至請求項における電圧
シフト回路は、もととも電圧発生器より出力されている
電圧に、基準電圧出力器からの出力電圧を加算して出力
する。これによりICの基準電圧ピンに電圧を供給する
電圧発生器の出力電圧を、他の電圧発生器の基準電圧と
することができ、それぞれの電圧発生器出力の電位差を
保ちながら電圧シフトを高速にすることができる。
The voltage shift circuit according to any one of the first to fourth aspects of the present invention adds the output voltage from the reference voltage output device to the voltage originally output from the voltage generator and outputs the sum. As a result, the output voltage of the voltage generator that supplies the voltage to the reference voltage pin of the IC can be used as the reference voltage of another voltage generator, and the voltage shift can be performed at high speed while maintaining the potential difference between the outputs of the respective voltage generators. can do.

【0012】[0012]

【実施例】【Example】

実施例1.以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1は請求項1に係る実施例を示す図であり、図
1において図5と同一符号は同一のものを示している。
5cはオペアンプ5bの出力電圧を反転するオペアン
プ、5dは、オペアンプ5aの出力電圧とオペアンプ5
dの出力電圧の差動増幅用オペアンプ、6e〜6jはそ
れぞれ5c及び5dのオペアンプの増幅率を決める抵抗
である。
Embodiment 1 FIG. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an embodiment according to claim 1, and the same reference numerals in FIG. 1 as those in FIG. 5 indicate the same components.
5c is an operational amplifier for inverting the output voltage of the operational amplifier 5b, and 5d is an operational amplifier for inverting the output voltage of the operational amplifier 5a.
The operational amplifiers for differential amplification of the output voltage d and the resistors 6e to 6j determine the amplification factors of the operational amplifiers 5c and 5d, respectively.

【0013】次に動作について説明する。オペアンプ5
bの出力電圧はテストIC1のVSSピンに供給されると
共に、基準電圧発生器としてのオペアンプ5cの(−)
入力ピンに入力される。今、オペアンプ5cの増幅抵抗
6e及び6fが同一抵抗値である場合、オペアンプ5c
の出力電圧は、オペアンプ5bの出力電圧の反転電圧が
出力される。この出力電圧は、反転基準電圧(AOFFSET)
として、他の複数の電圧発生器に取付けられた電圧シフ
ト回路(図示しない)に送られる。
Next, the operation will be described. Operational amplifier 5
The output voltage of b is supplied to the V SS pin of the test IC 1 and the (−) of the operational amplifier 5c as a reference voltage generator.
Input to the input pin. Now, when the amplification resistors 6e and 6f of the operational amplifier 5c have the same resistance value, the operational amplifier 5c
Is an inverted voltage of the output voltage of the operational amplifier 5b. This output voltage is the inverted reference voltage (AOFFSET)
Is sent to a voltage shift circuit (not shown) attached to another plurality of voltage generators.

【0014】その電圧シフト回路の1つが図1ではオペ
アンプ5dとその周辺回路により構成されている。AOFF
SETは、オペアンプ5dの(−)入力ピンに入力され、
オペアンプ5aの出力電圧は(+)入力ピンに入力され
る。今、オペアンプ5dの増幅抵抗6g〜6jが同一抵
抗値であれば、オペアンプ5dの出力電圧は(+)入力
ピン電圧に(−)入力ピン電圧の反転電圧を加算された
電圧となる。つまり、テストICのVCCピンの入力電圧
は、電圧発生器であるオペアンプ5aの出力電圧に基準
電圧(VSSピン入力電圧)を加算した値となる。
In FIG. 1, one of the voltage shift circuits is constituted by an operational amplifier 5d and its peripheral circuits. AOFF
SET is input to the (-) input pin of the operational amplifier 5d,
The output voltage of the operational amplifier 5a is input to a (+) input pin. If the amplification resistors 6g to 6j of the operational amplifier 5d have the same resistance value, the output voltage of the operational amplifier 5d is a voltage obtained by adding the inverted voltage of the (-) input pin voltage to the (+) input pin voltage. That is, the input voltage of the V CC pin of the test IC is a value obtained by adding the reference voltage ( VSS pin input voltage) to the output voltage of the operational amplifier 5a as the voltage generator.

【0015】従来技術でも述べたように、ファンクショ
ンピンへの入力波形の振幅には試験装置により規定があ
るため、通常はVSSピンO[V]、VCCピン5[V]等
の電圧が入力されている。VSSピン、つまりオペアンプ
5bの出力電圧がO[V]の時、オペアンプ5cの出力
電圧もO[V]。ゆえにオペアンプ5dの出力電圧つま
り、VCCピンの電圧はオペアンプ5aの出力電圧がその
まま入力される。
As described in the prior art, since the amplitude of the input waveform to the function pin is defined by the test equipment, the voltage of the V SS pin O [V], the V CC pin 5 [V], etc. is normally set. Has been entered. When the VSS pin, that is, the output voltage of the operational amplifier 5b is O [V], the output voltage of the operational amplifier 5c is also O [V]. Therefore, as the output voltage of the operational amplifier 5d, that is, the voltage of the V CC pin, the output voltage of the operational amplifier 5a is input as it is.

【0016】次にこの状態から、図には示してないがD
/Aコンバータ7bの入力データ等(従来技術例を同
様)を操作して、オペアンプ5bの出力電圧、つまりV
SSピンの入力電圧を10[V]とすると、その反転電圧
−10[V]がオペアンプ5cから出力され、しいては
オペアンプ5dから、+20[V]が出力される。つま
り、VSSピンの入力電圧を変更するだけでVCCピンの入
力電圧がほぼ同時に変更することができる。
Next, from this state, although not shown in FIG.
By manipulating input data and the like of the A / A converter 7b (similar to the prior art example), the output voltage of the operational amplifier 5b, that is, V
Assuming that the input voltage of the SS pin is 10 [V], the inverted voltage -10 [V] is output from the operational amplifier 5c, and +20 [V] is output from the operational amplifier 5d. That is, the input voltage of the V CC pin can be changed almost simultaneously only by changing the input voltage of the V SS pin.

【0017】図2は本実施例によるVSSピンの入力電圧
及びVCCピンの入力電圧の変化を示している。12はV
CCピンの入力電圧の変化を示し、13はVSSピンの入力
電圧の変化を示す。
FIG. 2 shows changes in the input voltage of the V SS pin and the input voltage of the V CC pin according to the present embodiment. 12 is V
Shows the change of the input voltage of the CC pin, 13 denotes a change in the input voltage V SS pin.

【0018】なお、D/Aコンバータ7a及び7bが反
転出力であればオペアンプ5a〜5dの使い方も変更と
なる。又、電圧シフト回路も他の回路構成を取り得る。
If the D / A converters 7a and 7b have inverted outputs, the usage of the operational amplifiers 5a to 5d is also changed. Also, the voltage shift circuit can take other circuit configurations.

【0019】実施例2.次にこの発明の実施例2を図に
ついて説明する。図3は請求項2に記載した発明の一実
施例を示す部分図であり、図1及び図5と同一部分には
同一符号を付して説明を省く。図において3mはファン
クションピン3a〜3nのうち、1つの入力ピン、14
はファンクション入力ピン3mへ入力波形を規定のレベ
ルで入力するドライバー回路、5e及び5fはドライバ
ー回路14に規定レベルの電圧を与える電圧シフト回路
としてのオペアンプ、6k〜6rはオペアンプ5e及び
5fの増幅率を決める抵抗、7c及び7dはそれぞれオ
ペアンプ5e及び5fに設定電圧を与えるD/Aコンバ
ータ、15はドライバー回路14からハイレベルを出力
するのか、ローレベルを出力するのかの情報を示す。
Embodiment 2 FIG. Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a partial view showing an embodiment of the invention described in claim 2, and the same parts as those in FIG. 1 and FIG. In the figure, 3m is one input pin among the function pins 3a to 3n, 14
Is a driver circuit for inputting an input waveform to the function input pin 3m at a prescribed level, 5e and 5f are operational amplifiers as voltage shift circuits for applying a prescribed level voltage to the driver circuit 14, and 6k to 6r are amplification factors of the operational amplifiers 5e and 5f. , 7c and 7d indicate D / A converters for applying set voltages to the operational amplifiers 5e and 5f, respectively, and 15 indicates information indicating whether the driver circuit 14 outputs a high level or a low level.

【0020】次に動作について説明する。従来の技術で
の例であれば、オペアンプ5e及び5fは図5のオペア
ンプ5a及び5bと同様な回路であったが、図では図1
のオペアンプ5dと同様の差動増幅回路とし、しかもオ
ペアンプ5dと同様にその(−)入力ピンにはAOFFSET
が入力されている。つまり、AOFFSET が0[V]の時、
オペアンプ5eはD/Aコンバータ7c設定の電圧を出
力し、又、オペアンプ5fはD/Aコンバータ7d設定
の電圧を出力するが、AOFFSET が例えば10[V]とな
れば、オペアンプ5e及び5fは、それぞれD/Aコン
バータ7c及び7d設定の電圧にAOFFSET 電圧を加算
し、ドライバー回路14に入力する。
Next, the operation will be described. In the case of the prior art, the operational amplifiers 5e and 5f have the same circuit as the operational amplifiers 5a and 5b in FIG.
The differential amplifier circuit is the same as the operational amplifier 5d, and the (-) input pin is AOFFSET like the operational amplifier 5d.
Is entered. That is, when AOFFSET is 0 [V],
The operational amplifier 5e outputs a voltage set by the D / A converter 7c, and the operational amplifier 5f outputs a voltage set by the D / A converter 7d. If AOFFSET becomes, for example, 10 [V], the operational amplifiers 5e and 5f The AOFFSET voltage is added to the voltages set by the D / A converters 7c and 7d, respectively, and input to the driver circuit 14.

【0021】ドライバー回路14は、HI/LO情報1
5の指示に従い、オペアンプ5e及び5fの出力電圧を
出力する。
The driver circuit 14 outputs the HI / LO information 1
In accordance with the instruction of 5, the output voltages of the operational amplifiers 5e and 5f are output.

【0022】実施例3.次にこの発明の実施例3を図に
ついて説明する。図4は、請求項3に記載した発明の一
実施例を示す部分図であり、図1,図3及び図5と同一
部分には同一符号を付して説明を省く。図において、3
pはファンクションピン3a〜3nのうち1つの出力ピ
ン、16a及び16bは、それぞれテストICからの出
力波形が規定のハイレベルなのか、ローレベルなのかを
比較する電圧比較器としてのハイコンバータ及びローコ
ンバータ、5g及び5hはハイコンバータ16a及びロ
ーコンバータ16bに、規定のハイレベル、ローレベル
を与えるオペアンプ、6s〜6qはオペアンプ5g及び
5hの増幅率を決める抵抗、7e及び7fはそれぞれオ
ペアンプ5g及び5hに設定電圧を与えるD/Aコンバ
ータ、17はハイコンバータ16a及びローコンバータ
16bでの電圧比較結果が正しいかどうかを判定する判
定回路である。
Embodiment 3 FIG. Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a partial view showing an embodiment of the invention described in claim 3, and the same parts as those in FIG. 1, FIG. 3 and FIG. In the figure, 3
p is one output pin among the function pins 3a to 3n, 16a and 16b are high converters and low converters as voltage comparators for comparing whether the output waveform from the test IC is a prescribed high level or a low level, respectively. The converters 5g and 5h are operational amplifiers for providing predetermined high and low levels to the high converter 16a and the low converter 16b, 6s to 6q are resistors for determining the amplification factors of the operational amplifiers 5g and 5h, and 7e and 7f are the operational amplifiers 5g and 5h, respectively. Is a determination circuit for determining whether or not the voltage comparison results of the high converter 16a and the low converter 16b are correct.

【0023】次に動作について説明する。実施例2と同
様、従来技術の例であれば、オペアンプ5g及び5hは
図5のオペアンプ5a及び5bと同様な回路であった
が、図では図1のオペアンプ5dと同様の差動増幅回路
とし、しかもオペアンプ5dと同様、その(−)入力ピ
ンにはAOFFSET が入力されている。つまり、AOFFSET が
0[V]の時、オペアンプ5gはD/Aコンバータ7e
設定の電圧を出力し、又、オペアンプ5hはD/Aコン
バータ7f設定の電圧を出力するが、AOFFSET が0
[V]以外であれば、オペアンプ5g及び5hは、それ
ぞれD/Aコンバータ7e及び7f設定の電圧にAOFFSE
T 電圧を加算し、コンバータ16a及び16bに規定電
圧として入力される。これにより、テストIC1からの
出力波形のレベル判定の規準が変わる。
Next, the operation will be described. As in the second embodiment, the operational amplifiers 5g and 5h are the same circuits as the operational amplifiers 5a and 5b in FIG. 5 in the case of the prior art. Further, similarly to the operational amplifier 5d, AOFFSET is input to its (-) input pin. That is, when AOFFSET is 0 [V], the operational amplifier 5g is connected to the D / A converter 7e.
The set voltage is output, and the operational amplifier 5h outputs the voltage set by the D / A converter 7f.
If the voltage is other than [V], the operational amplifiers 5g and 5h apply AOFFSE to the voltages set by the D / A converters 7e and 7f, respectively.
The T voltage is added and input to the converters 16a and 16b as a specified voltage. As a result, the standard for determining the level of the output waveform from the test IC 1 changes.

【0024】ハイコンバータ16aは与えられた規定電
圧よりもファンクション出力ピン3lの出力電圧が高け
ればその結果を、同じくローコンバータ16bは与えら
れた規定電圧よりも低ければ、その結果を判定回路17
に出力し、判定回路17では上記両コンパレータからの
結果が正しいか否かを判定する。
The high converter 16a determines the result if the output voltage of the function output pin 31 is higher than the given specified voltage, and the low converter 16b determines the result if the output voltage is lower than the given specified voltage.
And the determination circuit 17 determines whether the results from both comparators are correct.

【0025】[0025]

【発明の効果】この発明の請求項1に係る半導体試験装
置は、ICの複数の電源ピンに対し、それぞれ任意の電
圧を供給することができる複数の電圧発生器と、上記I
Cの基準電圧となる電圧を発生させる基準電圧発生器
と、上記基準電圧発生器の出力電圧と上記複数の電圧発
生器の電圧との電位差を保ちながら、上記基準電圧発生
器の出力電圧の推移に従って、上記複数の電圧発生器の
出力電圧をシフトする電圧シフト回路とを備え、テスト
ICの基準電源ピンに電圧を供給している電圧発生器
を、テスト装置内電圧発生器の基準として、その基準電
圧を変化させることで、他の電圧発生器出力の電圧も同
様に電圧シフトさせることができ、装置が安価にできる
と共に、ICのテスト時間及びプログラム開発時間を短
縮することができる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test apparatus comprising: a plurality of voltage generators capable of supplying an arbitrary voltage to a plurality of power supply pins of an IC;
A reference voltage generator for generating a voltage serving as a reference voltage of C; and a transition of the output voltage of the reference voltage generator while maintaining a potential difference between the output voltage of the reference voltage generator and the voltages of the plurality of voltage generators. A voltage shift circuit that shifts the output voltages of the plurality of voltage generators according to the following. The voltage generator that supplies the voltage to the reference power supply pin of the test IC is used as a reference of the voltage generator in the test apparatus. By changing the reference voltage, the voltage of the output of the other voltage generator can be similarly shifted, so that the device can be inexpensive and the IC test time and program development time can be shortened.

【0026】また、この発明の請求項2に係る半導体試
験装置は、ICの入力ピンに任意の電圧振幅の波形を与
えるドライバー回路と、上記ICの基準電圧となる電圧
を発生させる基準電圧発生器と、上記ドライバー回路よ
り出力される振幅電圧を、上記基準電圧発生器の出力基
準電圧との電位差を保ちながら、上記基準電圧発生器の
出力電圧推移に従って変化させる電圧シフト回路とを備
え、テストICの基準電源ピンに電圧を供給している電
圧発生器を、テスト装置内電圧発生器の基準として、そ
の基準電圧を変化させることで、他の電圧発生器出力の
電圧も同様に電圧シフトさせることができ、装置が安価
にできると共に、ICのテスト時間及びプログラム開発
時間を短縮することができる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test apparatus, comprising: a driver circuit for applying a waveform having an arbitrary voltage amplitude to an input pin of an IC; and a reference voltage generator for generating a voltage serving as a reference voltage of the IC. And a voltage shift circuit for changing an amplitude voltage output from the driver circuit according to a transition of an output voltage of the reference voltage generator while maintaining a potential difference from an output reference voltage of the reference voltage generator. By using the voltage generator that supplies the voltage to the reference power supply pin as the reference of the voltage generator in the test equipment and changing the reference voltage, the voltage of the output of the other voltage generators can be shifted in the same way. This makes it possible to reduce the cost of the device and shorten the time required for testing the IC and the time required for developing the program.

【0027】さらに、この発明の請求項3に係る半導体
試験装置は、ICの出力ピンの電圧と、予め設定された
期待電圧とのレベル比較をする電圧比較器と、上記IC
の基準電圧となる電圧を発生させる基準電圧発生器と、
上記電圧比較器の期待電圧を、上記基準電圧発生器の出
力基準電圧との電位差を保ちながら、上記基準電圧発生
器の出力電圧推移に従って変化させる電圧シフト回路と
を備え、テストICの基準電源ピンに電圧を供給してい
る電圧発生器を、テスト装置内電圧発生器の基準とし
て、その基準電圧を変化させることで、他の電圧発生器
出力の電圧も同様に電圧シフトさせることができ、装置
が安価にできると共に、ICのテスト時間及びプログラ
ム開発時間を短縮することができる。更に、また、この
発明の請求項3に係る半導体試験方法は、ICの複数の
電源ピンに対し、それぞれ任意の電圧を複数の電圧発生
器供給すると共に、上記ICの基準電圧となる電圧を基
準電圧発生器より発生し、上記基準電圧発生器の出力電
圧と上記複数の電圧発生器の電圧との電位差を保ちなが
ら、上記基準電圧発生器の出力電圧の推移に従って、上
記複数の電圧発生器の出力電圧を電圧シフト回路により
シフトすることで、ICのテスト時間及びプログラム開
発時間を短縮することができる。
Further, according to a third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test apparatus, comprising: a voltage comparator for comparing a voltage of an output pin of an IC with a preset expected voltage;
A reference voltage generator that generates a voltage that is a reference voltage of
A voltage shift circuit for changing an expected voltage of the voltage comparator according to an output voltage transition of the reference voltage generator while maintaining a potential difference from an output reference voltage of the reference voltage generator; By using the voltage generator that supplies the voltage as a reference of the voltage generator in the test apparatus and changing the reference voltage, the voltage of the output of the other voltage generator can be shifted similarly. Can be made inexpensive, and the IC test time and the program development time can be shortened. In addition, this
The semiconductor test method according to claim 3 of the present invention is a method for testing a plurality of ICs.
Generating multiple voltages for each power pin
And supply a reference voltage to the IC.
Generated by the reference voltage generator, the output voltage of the reference voltage generator
While maintaining the potential difference between the voltage and the voltages of the above-mentioned voltage generators.
According to the transition of the output voltage of the reference voltage generator,
The output voltages of multiple voltage generators are
By shifting, IC test time and program opening
The starting time can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施例1を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】実施例1の電圧シフトグラフを示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a voltage shift graph according to the first embodiment.

【図3】この発明の実施例2を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図4】この発明の実施例3示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図5】従来の半導体試験装置を示すブロック図であ
る。
FIG. 5 is a block diagram showing a conventional semiconductor test apparatus.

【図6】従来の半導体試験装置の動作説明図である。FIG. 6 is an operation explanatory diagram of a conventional semiconductor test apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 被試験IC 2 被試験ICの電源ピン 5 オペアンプ 6 抵抗器 7 D/Aコンバータ 14 ドライバー回路 16 コンパレータ回路 17 判定回路 REFERENCE SIGNS LIST 1 IC under test 2 Power supply pin of IC under test 5 Operational amplifier 6 Resistor 7 D / A converter 14 Driver circuit 16 Comparator circuit 17 Judgment circuit

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 2種以上の電源ピンを有するICの電気
的特性を試験する半導体試験装置において、 上記ICの複数の電源ピンに対し、それぞれ任意の電圧
を供給することができる複数の電圧発生器と、 上記ICの基準電圧となる電圧を発生させる基準電圧発
生器と、 上記基準電圧発生器の出力電圧と上記複数の電圧発生器
の電圧との電位差を保ちながら、上記基準電圧発生器の
出力電圧の推移に従って、上記複数の電圧発生器の出力
電圧をシフトする電圧シフト回路と、 を備えたことを特徴とする半導体試験装置。
1. A semiconductor test apparatus for testing electrical characteristics of an IC having two or more power supply pins, wherein a plurality of voltage generators capable of supplying an arbitrary voltage to the plurality of power supply pins of the IC are provided. A reference voltage generator for generating a voltage to be a reference voltage of the IC; and a reference voltage generator for the reference voltage generator while maintaining a potential difference between an output voltage of the reference voltage generator and voltages of the plurality of voltage generators. And a voltage shift circuit for shifting output voltages of the plurality of voltage generators according to a transition of the output voltage.
【請求項2】 ICの電気的特性を試験する半導体試験
装置において、 上記ICの入力ピンに任意の電圧振幅の波形を与えるド
ライバー回路と、 上記ICの基準電圧となる電圧を発生させる基準電圧発
生器と、 上記ドライバー回路より出力される振幅電圧を、上記基
準電圧発生器の出力基準電圧との電位差を保ちながら、
上記基準電圧発生器の出力電圧推移に従って変化させる
電圧シフト回路と、 を備えたことを特徴とする半導体試験装置。
2. A semiconductor test apparatus for testing electrical characteristics of an IC, comprising: a driver circuit for applying a waveform having an arbitrary voltage amplitude to an input pin of the IC; and a reference voltage generator for generating a voltage serving as a reference voltage of the IC. And the amplitude voltage output from the driver circuit, while maintaining the potential difference between the output reference voltage of the reference voltage generator,
A voltage shift circuit for changing the output voltage of the reference voltage generator in accordance with a change in output voltage of the reference voltage generator.
【請求項3】 ICの電気的特性を試験する半導体試験
装置において、 上記ICの出力ピンの電圧と、予め設定された期待電圧
とのレベル比較をする電圧比較器と、 上記ICの基準電圧となる電圧を発生させる基準電圧発
生器と、 上記電圧比較器の期待電圧を、上記基準電圧発生器の出
力基準電圧との電位差を保ちながら、上記基準電圧発生
器の出力電圧推移に従って変化させる電圧シフト回路
と、 を備えたことを特徴とする半導体試験装置。
3. A semiconductor test apparatus for testing an electrical characteristic of an IC, comprising: a voltage comparator for comparing a level of a voltage of an output pin of the IC with an expected voltage set in advance; A reference voltage generator for generating the following voltage: a voltage shift for changing an expected voltage of the voltage comparator according to an output voltage transition of the reference voltage generator while maintaining a potential difference from an output reference voltage of the reference voltage generator. A semiconductor test apparatus, comprising: a circuit;
【請求項4】 2種以上の電源ピンを有するICの電気
的特性を試験する半導体試験方法において、 上記ICの複数の電源ピンに対し、それぞれ任意の電圧
を複数の電圧発生器供給すると共に、上記ICの基準電
圧となる電圧を基準電圧発生器より発生し、 上記基準電圧発生器の出力電圧と上記複数の電圧発生器
の電圧との電位差を保ちながら、上記基準電圧発生器の
出力電圧の推移に従って、上記複数の電圧発生器の出力
電圧を電圧シフト回路によりシフトすることを特徴とす
る半導体試験方法。
4. The electric power of an IC having two or more power supply pins.
In a semiconductor test method for testing dynamic characteristics, an arbitrary voltage is applied to each of a plurality of power pins of the IC.
Are supplied to a plurality of voltage generators, and the reference voltage of the IC is supplied.
The reference voltage generator generates a voltage that becomes a voltage, and outputs the reference voltage generator and the plurality of voltage generators.
While maintaining the potential difference with the voltage of the reference voltage generator,
According to the transition of the output voltage, the output of the multiple voltage generators
The voltage is shifted by a voltage shift circuit.
Semiconductor testing method.
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