JP3154672B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP3154672B2 JP3154672B2 JP01431597A JP1431597A JP3154672B2 JP 3154672 B2 JP3154672 B2 JP 3154672B2 JP 01431597 A JP01431597 A JP 01431597A JP 1431597 A JP1431597 A JP 1431597A JP 3154672 B2 JP3154672 B2 JP 3154672B2
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- Die Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、特にそのダイボンディング工程におけるペー
ストの熱硬化方法に関するものであ。
法に関し、特にそのダイボンディング工程におけるペー
ストの熱硬化方法に関するものであ。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、リード
フレームと半導体ペレットをＡgペーストを介して接合
する工程の後工程に、ＳＯＰ(small out line package)
等のチップ部品をリードフレームに搭載し、これを高温
下(100℃〜250℃)に置くことによってリードフレーム上
に塗布されたＡgペーストを硬化させ、前記チップ部品
と半導体ペレットをリードフレームに接着する工程があ
る。
フレームと半導体ペレットをＡgペーストを介して接合
する工程の後工程に、ＳＯＰ(small out line package)
等のチップ部品をリードフレームに搭載し、これを高温
下(100℃〜250℃)に置くことによってリードフレーム上
に塗布されたＡgペーストを硬化させ、前記チップ部品
と半導体ペレットをリードフレームに接着する工程があ
る。
【０００３】図３はこの工程を実施する一般的な硬化装
置の基本構成を示す平面図であり、図中、１は前記Ａg
ペーストの硬化装置で、その内部は酸化を防止するため
にＮ2雰囲気となっている。２は加熱ゾーンで、横長の
ヒーターブロック３が第１ゾーンから第８ゾーンまで８
分割されて配設されており、各ブロックはそれぞれ所定
の温度に制御されるよう構成されている。硬化装置１の
端部にはＳＯＰ４を搭載した例えばＦe／ＮiまたはＣu
製のリードフレーム５(半導体ペレットを接合したもの)
を搬入、搬出するための多数のローラ６を備えたローダ
部７およびアンローダ部８が設けられている。搬送され
るリードフレーム５はローダ部７によって加熱ゾーン２
の図面下方位置に搬送され、更にステップアーム９によ
って加熱ゾーン２の上を通って第１ゾーンから第８ゾー
ン迄順次加熱されながら、図面上方位置に搬送されてア
ンローダ部８により搬出される。
置の基本構成を示す平面図であり、図中、１は前記Ａg
ペーストの硬化装置で、その内部は酸化を防止するため
にＮ2雰囲気となっている。２は加熱ゾーンで、横長の
ヒーターブロック３が第１ゾーンから第８ゾーンまで８
分割されて配設されており、各ブロックはそれぞれ所定
の温度に制御されるよう構成されている。硬化装置１の
端部にはＳＯＰ４を搭載した例えばＦe／ＮiまたはＣu
製のリードフレーム５(半導体ペレットを接合したもの)
を搬入、搬出するための多数のローラ６を備えたローダ
部７およびアンローダ部８が設けられている。搬送され
るリードフレーム５はローダ部７によって加熱ゾーン２
の図面下方位置に搬送され、更にステップアーム９によ
って加熱ゾーン２の上を通って第１ゾーンから第８ゾー
ン迄順次加熱されながら、図面上方位置に搬送されてア
ンローダ部８により搬出される。
【０００４】上記のように構成された搬送装置における
加熱ゾーン２の第１ゾーンから第８ゾーン迄の温度変化
(温度勾配)は図２の温度プロファイル図に示すようにな
っており、比較的短時間に、比較的高い温度が加えられ
るようになっている。
加熱ゾーン２の第１ゾーンから第８ゾーン迄の温度変化
(温度勾配)は図２の温度プロファイル図に示すようにな
っており、比較的短時間に、比較的高い温度が加えられ
るようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の製造方法では、特にペレットサイズの小さい
ものは接着面積が小さく、硬化時においてこのような急
激な温度変化が加わるとペレットが剥がれるという問題
点がある。
うな従来の製造方法では、特にペレットサイズの小さい
ものは接着面積が小さく、硬化時においてこのような急
激な温度変化が加わるとペレットが剥がれるという問題
点がある。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
のであり、小さなペレットサイズを採用した場合でもペ
レットの剥離不良の発生を抑えることができる半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
のであり、小さなペレットサイズを採用した場合でもペ
レットの剥離不良の発生を抑えることができる半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ペーストを介
して半導体ペレットを搭載したリードフレームの加熱温
度を小幅に段階的に上昇させると共に、リードフレーム
の加熱時間を長くして、ペーストを熱硬化させる半導体
装置の製造方法であって、リードフレームを、先ず第１
の温度の１５０℃まで急激に上昇させると共に、第１の
温度で第１の時間、次に第１の温度よりも高い第２の温
度で第１の時間と略同一の第２の時間、次に第２の温度
よりも高いピーク温度で第２の時間よりも長い第３の時
間それぞれ時間をかけて加熱して、ペーストを徐々に熱
硬化させた上、ピーク温度から第１の温度よりも低い第
３の温度まで第１の時間より短い時間で下降させるよう
にしたものである。
して半導体ペレットを搭載したリードフレームの加熱温
度を小幅に段階的に上昇させると共に、リードフレーム
の加熱時間を長くして、ペーストを熱硬化させる半導体
装置の製造方法であって、リードフレームを、先ず第１
の温度の１５０℃まで急激に上昇させると共に、第１の
温度で第１の時間、次に第１の温度よりも高い第２の温
度で第１の時間と略同一の第２の時間、次に第２の温度
よりも高いピーク温度で第２の時間よりも長い第３の時
間それぞれ時間をかけて加熱して、ペーストを徐々に熱
硬化させた上、ピーク温度から第１の温度よりも低い第
３の温度まで第１の時間より短い時間で下降させるよう
にしたものである。
【０００８】この本発明によれば、小さなペレットサイ
ズを採用した場合でも、前記の加熱に基づくペレットの
剥離不良の発生を抑えることができる半導体装置の製造
方法が得られる。
ズを採用した場合でも、前記の加熱に基づくペレットの
剥離不良の発生を抑えることができる半導体装置の製造
方法が得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態について図
面を参照しながら説明するが、本発明の半導体装置の製
造方法を実施するための硬化装置の構成としては従来の
ものと別段変わる所はなく、図３に示されたものを使用
することができるので、以下これを参照しながら説明す
る。リードフレーム５の搬送についても従来のものと同
様に行われ、ローダ部７によって加熱ゾーン２の図面下
方位置に搬送され、更にステップアーム９によって加熱
ゾーン２の上を通って第１ゾーンから第８ゾーン迄順次
加熱されながら図面上方位置に搬送されてアンローダ部
８により搬出されることになる。
面を参照しながら説明するが、本発明の半導体装置の製
造方法を実施するための硬化装置の構成としては従来の
ものと別段変わる所はなく、図３に示されたものを使用
することができるので、以下これを参照しながら説明す
る。リードフレーム５の搬送についても従来のものと同
様に行われ、ローダ部７によって加熱ゾーン２の図面下
方位置に搬送され、更にステップアーム９によって加熱
ゾーン２の上を通って第１ゾーンから第８ゾーン迄順次
加熱されながら図面上方位置に搬送されてアンローダ部
８により搬出されることになる。
【００１０】ここで、加熱ゾーン２の第１ゾーンから第
８ゾーン迄の温度変化(温度勾配)は図１の温度プロファ
イル図に示すようになっている。まず、第１ゾーンへは
0.02分で温度150℃迄立上げ、第２ゾーン迄0.5分間この
温度を継続する。以下第３ゾーン，第４ゾーンは温度18
0℃で0.5分間、第５ゾーン乃至第８ゾーンは温度200℃
で1.0分間加熱した後、0.25分で温度25℃迄立下げると
いう温度プロファイルである。このように、加熱温度を
上昇させる際にピークまでの温度上昇幅を小さくし、加
熱温度がピークに達した後、これを降下させることを特
徴としており、これにより、半導体ペレットを急激な温
度上昇の変化から守ることができ、接着強度の低下を抑
えることができる。更に、加熱温度を上昇させていく際
の時間を長くすることにより、より効果的にＡｇペース
トの熱分解を防ぐことができ、接着不良を抑制すること
ができる。この温度プロファイルによりＡｇペーストの
硬化を行った場合と、前記従来例の場合との接着強度お
よびボイドを比較すると、前者は接着強度およびボイド
共に良好であるのに反し、後者は接着強度低下、ボイド
多発という結果となり、本発明の優位性が明白となっ
た。
８ゾーン迄の温度変化(温度勾配)は図１の温度プロファ
イル図に示すようになっている。まず、第１ゾーンへは
0.02分で温度150℃迄立上げ、第２ゾーン迄0.5分間この
温度を継続する。以下第３ゾーン，第４ゾーンは温度18
0℃で0.5分間、第５ゾーン乃至第８ゾーンは温度200℃
で1.0分間加熱した後、0.25分で温度25℃迄立下げると
いう温度プロファイルである。このように、加熱温度を
上昇させる際にピークまでの温度上昇幅を小さくし、加
熱温度がピークに達した後、これを降下させることを特
徴としており、これにより、半導体ペレットを急激な温
度上昇の変化から守ることができ、接着強度の低下を抑
えることができる。更に、加熱温度を上昇させていく際
の時間を長くすることにより、より効果的にＡｇペース
トの熱分解を防ぐことができ、接着不良を抑制すること
ができる。この温度プロファイルによりＡｇペーストの
硬化を行った場合と、前記従来例の場合との接着強度お
よびボイドを比較すると、前者は接着強度およびボイド
共に良好であるのに反し、後者は接着強度低下、ボイド
多発という結果となり、本発明の優位性が明白となっ
た。
【００１１】以上のように本実施の形態によれば、加熱
温度を徐々に上昇させピークに達した後、加熱温度を降
下させていくことにより半導体ペレットを急激な温度上
昇の変化から守ることができ、半導体ペレットとリード
フレームの接着強度の低下を抑えることができる。
温度を徐々に上昇させピークに達した後、加熱温度を降
下させていくことにより半導体ペレットを急激な温度上
昇の変化から守ることができ、半導体ペレットとリード
フレームの接着強度の低下を抑えることができる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ペースト
を介して半導体ペレットを搭載したリードフレームに対
する加熱温度プロファイルとして、温度を徐々に上昇さ
せ、ピークに達した後これを降下させていく形をとるこ
とにより、半導体ペレットとリードフレームの接着不良
を抑えることができるという有利な効果が得られる。
を介して半導体ペレットを搭載したリードフレームに対
する加熱温度プロファイルとして、温度を徐々に上昇さ
せ、ピークに達した後これを降下させていく形をとるこ
とにより、半導体ペレットとリードフレームの接着不良
を抑えることができるという有利な効果が得られる。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の一実施の形態
におけるＡｇペーストの加熱温度プロファイル図でき
る。
におけるＡｇペーストの加熱温度プロファイル図でき
る。
【図２】従来の半導体装置の製造方法におけるＡｇペー
ストの加熱温度プロファイル図である。
ストの加熱温度プロファイル図である。
【図３】一般的なＡｇペーストの硬化装置の基本構成を
示す平面図である。
示す平面図である。
１…硬化装置、 ２…加熱ゾーン、 ３…ヒータブロッ
ク、 ４…ＳＯＰ、 ５…リードフレーム、 ６…ロー
ラ、 ７…ローダ部、 ８…アンローダ部、 ９…ステ
ップアーム。
ク、 ４…ＳＯＰ、 ５…リードフレーム、 ６…ロー
ラ、 ７…ローダ部、 ８…アンローダ部、 ９…ステ
ップアーム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/52 H01L 21/58
Claims (1)
- 【請求項１】 ペーストを介して半導体ペレットを搭載
したリードフレームの加熱温度を小幅に段階的に上昇さ
せると共に、前記リードフレームの加熱時間を長くし
て、前記ペーストを熱硬化させる半導体装置の製造方法
であって、前記リードフレームを、先ず第１の温度の１５０℃まで
急激に上昇させると共に、前記第１の温度で第１の時
間、次に前記第１の温度よりも高い第２の温度で前記第
１の時間と略同一の第２の時間、次に前記第２の温度よ
りも高いピーク温度で前記第２の時間よりも長い第３の
時間それぞれ時間をかけて加熱して、前記ペーストを徐
々に熱硬化させた上、前記ピーク温度から前記第１の温
度よりも低い第３の温度まで前記第１の時間より短い時
間で下降させる ことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01431597A JP3154672B2 (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01431597A JP3154672B2 (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10214851A JPH10214851A (ja) | 1998-08-11 |
| JP3154672B2 true JP3154672B2 (ja) | 2001-04-09 |
Family
ID=11857671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01431597A Expired - Fee Related JP3154672B2 (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3154672B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7054315B2 (ja) * | 2020-07-27 | 2022-04-13 | キヤノンマシナリー株式会社 | 搬送装置、搬送方法、ダイボンダ、およびボンディング方法 |
-
1997
- 1997-01-28 JP JP01431597A patent/JP3154672B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10214851A (ja) | 1998-08-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |