JP3155191B2 - Low light measurement device - Google Patents
Low light measurement deviceInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、散乱極微弱光の測
定に好適な微弱光測定装置および微弱光測定方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a weak light measuring device and a weak light measuring method suitable for measuring extremely weak scattered light.
【0002】[0002]
【従来の技術】極微弱光の検出技術は生物学、医療分
野、天文分野など広範囲な応用が期待され、これを実現
していくための高感度受光素子の開発が進められてい
る。従来、極微弱光の検出には、光電子倍増管(PM
T)が使用されていたが、量子効率が数パーセント以下
と小さく、また電子管であるので寸法も大きく、また冷
却を必要とする用途が多いが、マイナス80度以下に冷
却するのは困難であった。2. Description of the Related Art Ultra-low light detection technology is expected to be applied to a wide range of fields such as biology, medical field, and astronomy field, and the development of high-sensitivity light receiving elements for realizing this is being pursued. Conventionally, to detect extremely weak light, a photomultiplier tube (PM
T) has been used, but the quantum efficiency is as small as several percent or less, and since it is an electron tube, its dimensions are large, and there are many applications that require cooling, but it is difficult to cool it to below minus 80 degrees. Was.
【0003】このようなことから、最近では量子効率が
容易に90%程度を達成できる半導体受光素子の開発が
重要になっている。一方、例えば生体からでる極微弱光
を検出するような用途では、生体光源は光を特定の方向
にのみ放射することはなく、その表面からあらゆる方向
に放射する。このため、レンズのようなもので集光する
ことが出来ない。従って、高感度化のためには例えば数
十ミリの大口径受光素子を用いることが好ましい。この
ような受光素子では、素子の不完全性のために、光を検
出していない時でも相当な電流(暗電流)が流れる。こ
の暗電流を減少させると同時に、背景光の影響を減らす
ために、素子および装置を冷却することが行われる。こ
のような対策を施した現状であっても、生体からの微弱
光を十分な精度で検出するまでの十分な特性に達してい
ない。また、発光波長が0.5〜1.7μmの光の検出
にはGaAs,InGaAs,InP等の化合物半導体
が使用されることが多いが、現在の段階では、世界的に
見ても直径10mmφ程度の受口径が最大でそれ以上の
素子は作製されていない。[0003] For these reasons, recently, it has become important to develop a semiconductor light receiving element capable of easily achieving a quantum efficiency of about 90%. On the other hand, for example, in an application for detecting extremely weak light emitted from a living body, the living body light source does not emit light only in a specific direction, but emits light in all directions from its surface. For this reason, it is not possible to condense light with a lens. Therefore, it is preferable to use a large-diameter light receiving element of, for example, several tens of millimeters in order to increase sensitivity. In such a light receiving element, a considerable current (dark current) flows even when light is not detected due to imperfections of the element. In order to reduce this dark current and at the same time reduce the effects of background light, cooling of the elements and devices is performed. Even under the current situation where such measures are taken, the characteristics have not yet reached sufficient to detect weak light from a living body with sufficient accuracy. In addition, compound semiconductors such as GaAs, InGaAs, and InP are often used for detecting light having an emission wavelength of 0.5 to 1.7 μm, but at the present stage, the diameter is about 10 mmφ even in the world. No element having a maximum receiving diameter of the maximum was manufactured.
【0004】上記のように受光素子自体の開発も重要で
あるが、一方では、その受光素子の能力を最大限に引き
出すための回路上の工夫も重要である。半導体受光素子
を用いて、その半導体受光素子に入射する入射光を測定
する受光回路として、従来、大別して高抵抗型受光回路
と電荷蓄積型受光回路が知られている。As described above, the development of the light receiving element itself is important, but on the other hand, it is also important to devise a circuit for maximizing the performance of the light receiving element. 2. Description of the Related Art Conventionally, a high-resistance type light-receiving circuit and a charge storage type light-receiving circuit are known as light-receiving circuits that measure incident light incident on the semiconductor light-receiving element using the semiconductor light-receiving element.
【0005】図12は、高抵抗型受光回路の原理回路図
(a)、その等価回路図(b)、およびその特性を示す
図(c)である。高抵抗型受光回路は光通信をはじめ多
くの光受信器に採用されているもので、ここではその基
本となるところのみ示されている。図12(a)に示す
ように、フォトダイオード(ここではPINフォトダイ
オードとする)1と直列に、高抵抗(ここでは100M
Ω)の負荷抵抗2を接続し、それらの両端に、バイアス
電源3により、フォトダイオードに対し逆向きにバイア
ス電圧を印加する。こうしておいて、t=0(sec)
よりフォトダイオード1に所定光量を入射し、それによ
ってこの回路にiTなる一定電流が流れたものとする。FIG. 12 is a principle circuit diagram (a) of a high resistance type light receiving circuit, its equivalent circuit diagram (b), and a diagram (c) showing its characteristics. The high-resistance type light receiving circuit is employed in many optical receivers including optical communication, and here only the basic part is shown. As shown in FIG. 12A, a high resistance (here, 100M) is connected in series with a photodiode (here, PIN photodiode) 1.
Ω), and a bias voltage is applied to both ends of the load resistors 2 in opposite directions to the photodiodes by a bias power supply 3. Then, t = 0 (sec)
It is assumed that a predetermined amount of light is incident on the photodiode 1 and a constant current of iT flows through this circuit.
【0006】このときの等価回路は図12(b)のよう
に表わされる。すなわち、フォトダイオード1は抵抗1
aと接合容量1bで表わされ、そのフォトダイオード1
(抵抗1aと接合容量1b)に負荷抵抗2が並列に接続
され、それらの並列回路に定電流源3’からt=0を起
点として一定電流iTが流れ込む。このとき、この並列
回路両端の電圧(出力電圧Vout )は図12(c)のグ
ラフのように変化する。出力電圧Vout は、主に、負荷
抵抗2の抵抗値と流れる電流iTで定まる。したがっ
て、立ち上がった後の出力電圧Vout を測定することに
より、フォトダイオード1への入射光量が測定される。The equivalent circuit at this time is represented as shown in FIG. That is, the photodiode 1 is connected to the resistor 1
a and the junction capacitance 1b.
The load resistor 2 is connected in parallel to the (resistor 1a and the junction capacitor 1b), and a constant current iT flows from the constant current source 3 'to the parallel circuit starting from t = 0. At this time, the voltage (output voltage V out ) between both ends of the parallel circuit changes as shown in the graph of FIG. The output voltage V out is mainly determined by the resistance value of the load resistor 2 and the flowing current iT. Therefore, by measuring the output voltage V out after rising, the amount of light incident on the photodiode 1 is measured.
【0007】この高抵抗型受光回路は、以下に説明する
電荷蓄積型受光回路と比べ応答性に優れているという長
所はあるが、負荷抵抗が熱雑音を発生し、ノイズに弱い
という欠点を合わせ持っている。 図13は、電荷蓄積
型受光回路の原理回路図(a)、その等価回路図
(b)、およびその特性を示す図(c)である。図12
に示す高抵抗型受光回路との相違点について説明する。Although this high-resistance type light receiving circuit has an advantage that it has superior responsiveness as compared with the charge storage type light receiving circuit described below, it also has the disadvantage that the load resistance generates thermal noise and is susceptible to noise. have. FIG. 13 is a principle circuit diagram (a) of the charge storage type light receiving circuit, its equivalent circuit diagram (b), and a diagram (c) showing its characteristics. FIG.
The difference from the high-resistance type light receiving circuit shown in FIG.
【0008】この電荷蓄積型受光回路では、フォトダイ
オード1と直列に、図12(b)に示す負荷抵抗2に代
え、負荷容量(ここでは3pF)4が接続されている。
このため、t=0の時点以降一定電流iTが流れたと
き、図13(c)に示すように、出力電圧Vout は高抵
抗型受光回路の場合と比べはるかに大きな値となる。こ
の電荷蓄積型の場合、主に負荷容量4と接合容量1b、
そして電流値iTによって出力電圧Vout の上昇速度が
定まり、したがってこの電荷蓄積型では、積分された電
圧を、t=0以降の、所定の測定時間経過した時点で観
測することにより、フォトダイオード1への入射光量が
測定される。この電荷蓄積型受光回路の場合、高抵抗型
受光回路と比べ応答性は劣るがパルス性ノイズは時間平
均され、したがって微弱光の測定には有利である。In this charge storage type light receiving circuit, a load capacitance (here, 3 pF) 4 is connected in series with the photodiode 1 instead of the load resistor 2 shown in FIG.
Therefore, when the constant current iT flows after the time point of t = 0, as shown in FIG. 13C, the output voltage V out has a value much larger than that of the high-resistance type light receiving circuit. In the case of this charge storage type, mainly the load capacitance 4 and the junction capacitance 1b,
The rising speed of the output voltage Vout is determined by the current value iT. Therefore, in the charge storage type, the integrated voltage is observed at a time after a predetermined measurement time has elapsed since t = 0, so that the photodiode 1 Is measured. In the case of the charge storage type light receiving circuit, the responsiveness is inferior to that of the high resistance type light receiving circuit, but the pulse noise is averaged over time, which is advantageous for measuring weak light.
【0009】図14は、電荷蓄積型の受光回路を採用し
た微弱光検出回路の一構成例を示す回路図である。特性
の揃った2つのジャンクションFET21a,21bか
らなるデュアルジャンクションFET21と、それら2
つのジャンクションFET21a,21bの各ソースと
グランドライン5との間に接続された2つの抵抗22
a,22bにより差動増幅器20が構成されている。こ
れら2つのジャンクションFET21a,21bの各ド
レインは互いに接続され、そのドレインとグランドライ
ン5との間に電源6が配置され、所定の電源電圧(ここ
では5V)が印加されている。FIG. 14 is a circuit diagram showing a configuration example of a weak light detection circuit employing a charge storage type light receiving circuit. A dual junction FET 21 composed of two junction FETs 21a and 21b having uniform characteristics;
Two resistors 22 connected between the respective sources of the junction FETs 21 a and 21 b and the ground line 5.
The differential amplifier 20 is constituted by a and 22b. The drains of these two junction FETs 21a and 21b are connected to each other, a power supply 6 is arranged between the drain and the ground line 5, and a predetermined power supply voltage (here, 5V) is applied.
【0010】また、この差動増幅器20の一方の信号入
力端子20aであるジャンクションFET21aのゲー
トとグランドライン5との間には、ゲート側がカソー
ド、グランドライン5側がアノードとなる向きにPIN
フォトダイオード1が接続されている。また、このPI
Nフォトダイオード1と並列にMOSFET7が接続さ
れている。このMOSFET7は、PINフォトダイオ
ード1のアノードとカソードとの間を短絡するスイッチ
の役割りを有しており、MOSFET7のゲートにリセ
ット信号が入力されるとPINフォトダイオード1が短
絡され、測定開始時刻t=0でリセット信号が解除さ
れ、その時刻t=0以降、光学フィルタ8を透過してP
INフォトダイオード1に信号光が入射されることによ
る光電流が差動増幅器20の一方の第1の信号入力端子
20aに入力される。また、この差動増幅器20のもう
一方の第2の信号入力端子20bであるジャンクション
FET21bのゲートには、所定の参照信号が入力され
る。差動増幅器20では、2つの信号入力端子20a,
20bから入力された2つの信号の差分が増幅されて出
力される。この出力信号は、例えば図示しない次段の差
動増幅器に入力されてさらに増幅される。Further, between the gate of the junction FET 21a, which is one of the signal input terminals 20a of the differential amplifier 20, and the ground line 5, the PIN is arranged such that the gate side is a cathode and the ground line 5 side is an anode.
The photodiode 1 is connected. Also, this PI
A MOSFET 7 is connected in parallel with the N photodiode 1. The MOSFET 7 has a role of a switch for short-circuiting between the anode and the cathode of the PIN photodiode 1. When a reset signal is input to the gate of the MOSFET 7, the PIN photodiode 1 is short-circuited, and the measurement start time At t = 0, the reset signal is released, and after the time t = 0, the reset signal is transmitted through the optical filter 8 and P
The photocurrent caused by the signal light incident on the IN photodiode 1 is input to one first signal input terminal 20 a of the differential amplifier 20. Further, a predetermined reference signal is input to the gate of the junction FET 21b, which is the other second signal input terminal 20b of the differential amplifier 20. In the differential amplifier 20, two signal input terminals 20a,
The difference between the two signals input from 20b is amplified and output. This output signal is input to, for example, a next-stage differential amplifier (not shown) and further amplified.
【0011】この図14に示す微弱光検出回路には、P
INフォトダイオード1で発生した光電流を蓄える負荷
容量は図示されていないが、PINフォトダイオード1
の接合容量(図13に示す接合容量1b)、MOSFE
T7のドレイン・ソース間容量、ジャンクションFET
21aのゲート・ソース間容量が、図13に示す負荷容
量4(接合容量1bを含む)に相当する。The weak light detection circuit shown in FIG.
Although the load capacitance for storing the photocurrent generated in the IN photodiode 1 is not shown, the PIN photodiode 1
(Junction capacitance 1b shown in FIG. 13), MOSFE
T7 drain-source capacitance, junction FET
The gate-source capacitance 21a corresponds to the load capacitance 4 (including the junction capacitance 1b) shown in FIG.
【0012】図15は、図14に示すPINフォトダイ
オード1を、互いに直列に接続された複数(ここでは3
個)のPINフォトダイオード1a,1b,1cで構成
した微弱光検出回路を示す回路図、図16は、図14に
PINフォトダイオード1を、互いに並列に接続された
複数(ここでは3個)のPINフォトダイオード1a,
1b,1cで構成した微弱検出回路を示す回路図であ
る。FIG. 15 shows a plurality of PIN photodiodes 1 shown in FIG.
FIG. 16 is a circuit diagram showing a weak light detection circuit composed of three PIN photodiodes 1a, 1b, and 1c. FIG. 16 shows a plurality (three in this case) of PIN photodiodes 1 shown in FIG. PIN photodiode 1a,
FIG. 3 is a circuit diagram showing a weak detection circuit constituted by 1b and 1c.
【0013】図15,図16に示すように、複数のPI
Nフォトダイオードを互いに直列ないし並列に接続する
と、各PINフォトダイオードに同相で入力される信号
光・背景光に対してPINフォトダイオード内で無相関
に発生するパルス性ノイズが相対的に小さくなり、S/
N(信号対雑音比)が向上し、微弱光の検出に有利とな
る。複数のPINフォトダイオードを直列に接続するか
あるいは並列に接続するかは、信号光の性質(高出力・
短時間信号が低出力・長時間信号)によって変化する。As shown in FIG. 15 and FIG.
When N photodiodes are connected in series or in parallel with each other, pulse noise generated uncorrelatedly in the PIN photodiode with respect to the signal light and the background light input to each PIN photodiode in the same phase becomes relatively small, S /
N (signal-to-noise ratio) is improved, which is advantageous for detecting weak light. Whether a plurality of PIN photodiodes are connected in series or in parallel depends on the nature of the signal light (high output and
The short-time signal changes depending on the low output / long time signal.
【0014】[0014]
【発明が解決しようとする課題】PINフォトダイオー
ド1には、例えば生体サンプル等の被測定体から発せら
れた極微弱な信号光が入射されるが、この被測定体から
は、信号光のみでなく、熱輻射による背景光も発せられ
ており、その背景光もPINフォトダイオード1に入射
する。信号光の波長成分の光のみがPINフォトダイオ
ード1に入射されるよう、PINフォトダイオード1の
前面に光学フィルタ8を備えても、熱輻射による背景光
は広い波長領域に広がっており、背景光のうち、信号光
の波長と同一の波長成分は信号光とともに光学フィルタ
8を通過してPINフォトダイオード1に入射する。こ
のとき、信号光の強度が、光学フィルタ8で除去しきれ
ない背景光の強度と比べ十分大きい場合は問題はない
が、例えば生体サンプルから発せられる極微弱光を信号
光とする場合などは、光学フィルタ8を透過してくる背
景光にすら信号光が埋もれてしまい、信号光を十分な精
度で測定することができないという問題がある。A very weak signal light emitted from an object to be measured, such as a biological sample, is incident on the PIN photodiode 1, but from the object to be measured, only the signal light is emitted. However, background light is also emitted due to heat radiation, and the background light also enters the PIN photodiode 1. Even if an optical filter 8 is provided on the front surface of the PIN photodiode 1 so that only the light of the wavelength component of the signal light is incident on the PIN photodiode 1, the background light due to heat radiation is spread over a wide wavelength region, and the background light Among them, the wavelength component that is the same as the wavelength of the signal light passes through the optical filter 8 together with the signal light and enters the PIN photodiode 1. At this time, there is no problem if the intensity of the signal light is sufficiently higher than the intensity of the background light that cannot be completely removed by the optical filter 8, but, for example, if the extremely weak light emitted from the biological sample is used as the signal light, There is a problem that the signal light is buried even in the background light transmitted through the optical filter 8, and the signal light cannot be measured with sufficient accuracy.
【0015】本発明は、上記事情に鑑み、上記のよう
な、同一の波長領域の背景光成分に埋もれてしまうほど
の微弱な信号光であっても、その信号光の測定が可能な
微弱光測定装置、およびその微弱光測定装置を用いた微
弱光測定方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and as described above, even if the signal light is weak enough to be buried in the background light component in the same wavelength region, the weak light capable of measuring the signal light can be measured. It is an object of the present invention to provide a measuring device and a method for measuring weak light using the weak light measuring device.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の第1の微弱光測定装置は、 (1−1)2つの信号入力端子を有しそれら2つの信号
入力端子から入力された2つの信号の差分を増幅して出
力する差動増幅器 (1−2)差動増幅器の2つの信号入力端子それぞれ
に、それら2つの信号入力端子それぞれから見たときに
同一の向きに接続された各フォトダイオードを有する2
つの受光回路を備えたことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a low-light-level measuring apparatus comprising: (1-1) two signal input terminals having two signal input terminals; A differential amplifier that amplifies the difference between two signals and outputs the amplified signal. (1-2) Each of the two signal input terminals of the differential amplifier that are connected in the same direction when viewed from each of the two signal input terminals 2 with photodiode
And two light receiving circuits.
【0017】また、上記目的を達成する本発明の第2の
微弱光測定装置は、 (2−1)2つの信号入力端子を有しそれら2つの信号
入力端子から入力された2つの信号の差分を増幅して出
力する差動増幅器 (2−2)差動増幅器の2つの信号入力端子のうちのい
ずれか一方の信号入力端子に、その一方の信号入力端子
から見て互いに逆向きに接続された2つのダイオードを
有する受光回路を備えたことを特徴とする。According to a second embodiment of the present invention, there is provided a low-light level measuring apparatus according to the present invention, comprising: (2-1) two signal input terminals having a difference between two signals input from the two signal input terminals. Amplifier that amplifies and outputs the signal. (2-2) One of the two signal input terminals of the differential amplifier is connected to one of the two signal input terminals in opposite directions as viewed from the one of the signal input terminals. And a light receiving circuit having two diodes.
【0018】ここで、上記本発明の第1ないし第2の微
弱光測定装置において、上記受光回路が、その受光回路
に備えられたフォトダイオードに流れる電荷を蓄積して
その電荷の蓄積により発生した電圧を差動増幅回路の信
号入力端子に伝える電荷蓄積型の受光回路であることが
好ましい。微弱光の測定には、ノイズに強い電荷蓄積型
が有利だからである。Here, in the first and second weak light measuring devices according to the present invention, the light receiving circuit accumulates electric charge flowing through a photodiode provided in the light receiving circuit and is generated by the accumulation of the electric charge. It is preferably a charge storage type light receiving circuit that transmits a voltage to a signal input terminal of a differential amplifier circuit. This is because a charge storage type that is resistant to noise is advantageous for measuring weak light.
【0019】また、上記フォトダイオードとしては、受
光感度が高いことから、典型的には、PINフォトダイ
オードを好適に採用することができる。フォトダイオー
ドとしてPINフォトダイオードを採用した場合、上記
受光回路が、その受光回路に備えられたフォトダイオー
ドに逆バイアス電圧を印加するバイアス回路を備えたも
のであることが好ましい。PINフォトダイオードに逆
バイアスを印加すると、そのi層にp型の不純物もn型
の不純物もほとんど存在しない空乏層が形成され、入射
光に対し一層高感度となるからである。As the photodiode, a PIN photodiode can be typically preferably used because of its high light receiving sensitivity. When a PIN photodiode is used as the photodiode, it is preferable that the light receiving circuit includes a bias circuit that applies a reverse bias voltage to the photodiode provided in the light receiving circuit. This is because, when a reverse bias is applied to the PIN photodiode, a depletion layer in which the p-type impurity and the n-type impurity hardly exist is formed in the i-layer, and the sensitivity to incident light is further increased.
【0020】尚、上記フォトダイオードそれぞれは、互
いに直列に接続された複数のフォトダイオードからなる
ものであってもよく、あるいは、互いに並列に接続され
た複数のフォトダイオードからなるものであってもよ
い。これらの場合、前述したようにS/N(信号対雑音
比)が向上するからである。また、上記フォトダイオー
ドの受光面前面側に、所望の波長の光を該フォトダイオ
ードに導くとともに該所望の波長以外の波長の光を除去
する光学フィルタを備えることが好ましい。できるだけ
S/Nの良い信号光をフォトダイオードに入射すること
が好ましいからである。Each of the photodiodes may be composed of a plurality of photodiodes connected in series with each other, or may be composed of a plurality of photodiodes connected in parallel with each other. . In these cases, the S / N (signal-to-noise ratio) is improved as described above. In addition, it is preferable that an optical filter for guiding light having a desired wavelength to the photodiode and removing light having a wavelength other than the desired wavelength be provided on the front side of the light receiving surface of the photodiode. This is because it is preferable that signal light having as high an S / N ratio as possible is incident on the photodiode.
【0021】さらに、上記本発明の第1ないし第2の微
弱光測定装置において、上記受光回路および上記差動増
幅器が、内部が冷却される容器に収納され、その容器
が、その容器外部から、その容器に収納された受光回路
に備えられたフォトダイオードに向けて入射しようとす
る入射光のうち所望の波長の光を入射させるとともにそ
の入射光のうち所望の波長以外の波長の光を吸収ないし
反射する光学フィルタを備えた入射窓を有することが好
ましい。前述したように、フォトダイオード等を冷却す
ることにより暗電流を減らすことができ、S/Nのよい
受光が可能となるからである。Further, in the first and second weak light measuring devices according to the present invention, the light receiving circuit and the differential amplifier are housed in a container whose inside is cooled. A light having a desired wavelength among incident lights to be incident on a photodiode provided in a light receiving circuit housed in the container is made incident, and light having a wavelength other than the desired wavelength among the incident lights is not absorbed or absorbed. It is preferred to have an entrance window with a reflective optical filter. As described above, by cooling the photodiode or the like, the dark current can be reduced, and light reception with good S / N can be performed.
【0022】さらに、上記本発明の第1ないし第2の微
弱光測定装置において、上記受光回路、上記差動増幅
器、および上記光学フィルタが、内部が冷却される容器
に収納され、その容器が、その容器外部から、その容器
に収納された光学フィルタに向けて入射しようとする入
射光のうちの少なくとも信号の波長である所望の波長の
光を入射させる入射窓を有することが好ましい。入射窓
に光学フィルタを用いるのではなく、あるいは入射窓に
光学フィルタを用いるとともに、光学フィルタを容器の
内部に収納して光学フィルタ自身も冷却することによ
り、その光学フィルタ自身から発せられる熱輻射による
背景光を低減することができるからである。Further, in the first and second weak light measuring devices of the present invention, the light receiving circuit, the differential amplifier, and the optical filter are housed in a container whose inside is cooled. It is preferable to have an entrance window through which light of a desired wavelength, which is at least the wavelength of a signal, of the incident light to be incident from the outside of the container toward the optical filter accommodated in the container. Instead of using an optical filter for the entrance window, or using an optical filter for the entrance window, storing the optical filter inside the container and cooling the optical filter itself, the heat radiation generated from the optical filter itself This is because the background light can be reduced.
【0023】また、上記本発明の第1ないし第2の微弱
光測定装置において、上記フォトダイオードの、そのフ
ォトダイオードに入射する入射光に対する相対位置を、
フォトダイオードどうしで交互に交代させる位置交代手
段を備えることが好ましい。位置を交代しながら測定す
ることで、フォトダイオード、そのフォトダイオードを
含む受光回路等のばらつきによる誤差を抑えることがで
きるからである。In the first and second weak light measuring devices according to the present invention, the relative position of the photodiode with respect to the incident light incident on the photodiode is determined by:
It is preferable to include a position changing unit that alternates between the photodiodes. This is because an error due to a variation in the photodiode, a light receiving circuit including the photodiode, or the like can be suppressed by performing the measurement while changing the position.
【0024】また、上記目的を達成する本発明の第1の
微弱光測定方法は、本発明の第1の微弱光測定装置、す
なわち、2つの入力信号端子を有しそれら2つの信号入
力端子から入力された2つの信号の差分を増幅して出力
する差動増幅器、および前記差動増幅器の2つの信号入
力端子それぞれに、該2つの信号入力端子それぞれから
見たときに同一の向きに接続された各フォトダイオード
を有する2つの受光回路を備えた微弱光測定装置を用意
し、所定の信号光の発光レベルが相互に異なる被測定体
および参照体それぞれから発せられた第1の光および第
2の光を、上記2つの受光回路の各フォトダイオードそ
れぞれに同時に入射させることを特徴とする。Further, the first method for measuring weak light according to the present invention, which achieves the above object, has a first weak light measuring apparatus according to the present invention, that is, having two input signal terminals, A differential amplifier that amplifies and outputs a difference between two input signals, and is connected to each of two signal input terminals of the differential amplifier in the same direction as viewed from each of the two signal input terminals. A weak light measuring device provided with two light receiving circuits having respective photodiodes. The first light and the second light emitted from the measured object and the reference object, respectively, having different emission levels of predetermined signal light from each other. Is simultaneously incident on each photodiode of the two light receiving circuits.
【0025】また、上記目的を達成する本発明の第2の
微弱光測定装置は、本発明の第2の微弱光測定装置、す
なわち、2つの入力信号端子を有しそれら2つの信号入
力端子から入力された2つの信号の差分を増幅して出力
する差動増幅器、および前記差動増幅器の2つの信号入
力端子のうちのいずれか一方の信号入力端子に、該一方
の信号入力端子から見て互いに逆向きに接続された2つ
のダイオードを有する受光回路を備えた微弱光測定装置
を用意し、所定の信号光の発光レベルが相互に異なる被
測定体および参照体それぞれから発せられた第1の光お
よび第2の光を、上記受光回路の2つの各フォトダイオ
ードそれぞれに同時に入射させることを特徴とする。Further, a second weak light measuring device of the present invention for achieving the above object has a second weak light measuring device of the present invention, that is, having two input signal terminals and having two input signal terminals. A differential amplifier that amplifies and outputs a difference between two input signals, and a signal input terminal of one of the two signal input terminals of the differential amplifier as viewed from the one signal input terminal. A weak light measuring device including a light receiving circuit having two diodes connected in opposite directions to each other is prepared, and first and second light emitting levels of a predetermined signal light emitted from the measured object and the reference object, respectively, are different from each other. The light and the second light are simultaneously incident on each of the two photodiodes of the light receiving circuit.
【0026】ここで典型的には、被測定体は、自らが測
定の対象となる信号光を発するとともに、所定の光量
(所定の温度)の熱輻射による背景を発するものであ
り、参照体としては、被測定体と比べ熱輻射による背景
光の発光レベルは被測定体と同等であって、信号光は発
しない材料のものが選択される。ここで、上記本発明の
第1ないし第2の微弱光測定方法において、上記第1の
光を入射するフォトダイオードと、上記第2の光を入射
するフォトダイオードを、交互に交代させることが好ま
しい。フォトダイオード等のばらつきによる誤差の低減
化を図るためである。Here, typically, the measured object itself emits a signal light to be measured and emits a background by heat radiation of a predetermined light amount (predetermined temperature). Is selected from materials whose background light emission level due to thermal radiation is equal to that of the object to be measured, and which does not emit signal light. Here, in the first and second methods for measuring weak light of the present invention, it is preferable that the photodiode to which the first light is incident and the photodiode to which the second light is incident are alternately changed. . This is to reduce errors due to variations in photodiodes and the like.
【0027】[0027]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図1は、本発明の微弱光測定装置の一実施形
態に組み込まれる微弱光測定回路の第1の例を示す回路
図である。前述した従来例(図18、図19参照)との
相違点について説明する。Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a circuit diagram showing a first example of a weak light measurement circuit incorporated in an embodiment of the weak light measurement device of the present invention. Differences from the above-described conventional example (see FIGS. 18 and 19) will be described.
【0028】図1に示す微弱検出回路では、電源61
は、ジャンクションFET21a,21bのドレイン
と、マイナス電源ライン51との間に配置されており、
抵抗12a,22bは、ジャンクションFET21a,
21bとマイナス電源ライン51との間に配置されてい
る。ジャンクションFET21a,21bからデュアル
ジャンクションFET21が構成されている。In the weak detection circuit shown in FIG.
Is disposed between the drains of the junction FETs 21a and 21b and the negative power supply line 51,
The resistors 12a and 22b are connected to the junction FET 21a,
It is arranged between 21b and the minus power supply line 51. A dual junction FET 21 is constituted by the junction FETs 21a and 21b.
【0029】また、差動増幅器20の第2の信号入力端
子20bにも、この第2の信号入力端子20bから見た
ときに、第1の信号入力端子20aから見たときのPI
Nフォトダイオード1の向きと同じ向きとなるようにP
INフォトダイオード11が接続され、また、このPI
Nフォトダイオード11と並列にMOSFET71が接
続されている。このMOSFET71は、MOSFET
7と同じタイミングでリセット信号が入力される。ま
た、PINフォトダイオード11の前面には、光学フィ
ルタ81が配置されている。この光学フィルタ81は光
学フィルタ8と同一特性のものであり、参照体(後述す
る)から発せられた、背景光が入射し、その背景光のう
ちの、信号光の波長と同一波長成分が透過してPINフ
ォトダイオード11に入射する。この図1に示す微弱光
検出回路には2個のPINフォトダイオード1,11が
備えられており、PINフォトダイオード1には、被測
定体から発せられた背景光と信号光との双方、PINフ
ォトダイオード11には参照体から発せられた背景光の
みが入射させ、差動増幅器20でそれらの差分が増幅さ
れて出力されるため、背景光が存在していてもその背景
光の影響がキャンセルされ、信号光のみを高感度に測定
することができる。The second signal input terminal 20b of the differential amplifier 20 also has a PI when viewed from the second signal input terminal 20b and a PI when viewed from the first signal input terminal 20a.
P should be the same as the direction of N photodiode 1
IN photodiode 11 is connected, and this PI
A MOSFET 71 is connected in parallel with the N photodiode 11. This MOSFET 71 is a MOSFET
7, a reset signal is input at the same timing. An optical filter 81 is provided on the front surface of the PIN photodiode 11. The optical filter 81 has the same characteristics as the optical filter 8 and receives a background light emitted from a reference body (described later), and transmits the same wavelength component of the background light as the wavelength of the signal light. Then, the light enters the PIN photodiode 11. The weak light detection circuit shown in FIG. 1 is provided with two PIN photodiodes 1 and 11, and the PIN photodiode 1 has both the background light and the signal light emitted from the object to be measured, and the PIN photodiode. Only the background light emitted from the reference body is made incident on the photodiode 11 and the difference between them is amplified and output by the differential amplifier 20, so that the influence of the background light is canceled even if the background light exists. Thus, only the signal light can be measured with high sensitivity.
【0030】図2は、PINフォトダイオードを冷却し
ながらその端子電圧を測定した結果を示す図である。図
1に示す微弱光検出回路では、PINフォトダイオード
1,11には、積極的にバイアス電圧を印加していない
が、このPINフォトダイオード1,11を例えば50
Kに冷却すると約0.7Vの電圧が発生しこの電圧でP
INフォトダイオードがバイアスされより高感度の動作
が可能となる。あるいは、後述するように、積極的にバ
イアス電圧を印加する場合であっても、冷却温度を考慮
し、その冷却温度で発生する端子電圧を考慮したバイア
ス電圧が設定される。FIG. 2 is a diagram showing the result of measuring the terminal voltage of the PIN photodiode while cooling it. In the weak light detection circuit shown in FIG. 1, a bias voltage is not positively applied to the PIN photodiodes 1 and 11;
When cooled to K, a voltage of about 0.7 V is generated.
The IN photodiode is biased to enable higher sensitivity operation. Alternatively, as described later, even when a bias voltage is positively applied, a bias voltage is set in consideration of a cooling temperature and a terminal voltage generated at the cooling temperature.
【0031】図3は、図1に示す微弱光測定回路を含む
微弱光測定装置の構成構造図である。PINフォトダイ
オード1,11、差動増幅器20、及び光学フィルタ
8,81が容器100内に収納され、その容器100の
内部が例えば50Kにまで冷却される。この容器100
は、入射窓101を有している。また、この容器100
の入射窓101に対向する位置にもう1つの容器110
が配置され、この容器110内には、生体サンプル、例
えば白血球と、その白血球を刺激する薬品等の水溶液か
らなる被測定体120と、ダミー用の参照体130とが
配置される。被測定体120からは、熱輻射による背景
光のほか、刺激された白血球からの信号光も発せられ
る。一方、参照体130からなる温度環境上には被測定
体120と同一の環境に置かれ、被測定体120が発す
る背景光と同一の分光分布、同一の光量レベルの背景光
が発せられる。ただし、参照体130には、ここの例で
は白血球は含まれておらず信号光は発せられない。FIG. 3 is a structural diagram of a weak light measuring device including the weak light measuring circuit shown in FIG. The PIN photodiodes 1, 11, the differential amplifier 20, and the optical filters 8, 81 are housed in a container 100, and the inside of the container 100 is cooled down to, for example, 50K. This container 100
Has an entrance window 101. In addition, this container 100
Another container 110 is located at a position facing the entrance window 101 of FIG.
In the container 110, a living body sample, for example, a white blood cell, an object to be measured 120 made of an aqueous solution of a drug or the like that stimulates the white blood cell, and a dummy reference body 130 are arranged. The measured object 120 emits signal light from stimulated white blood cells in addition to background light due to thermal radiation. On the other hand, in the temperature environment composed of the reference body 130, it is placed in the same environment as the measured body 120, and emits background light having the same spectral distribution and the same light level as the background light emitted from the measured body 120. However, the reference body 130 does not include white blood cells in this example, and does not emit signal light.
【0032】容器110の底部には、信号光および背景
光を透過する光学材料で構成された出射窓111が形成
されており、被測定体120から発せられた信号光およ
び背景光は、容器110の出射窓111を透過し、容器
100の入射窓101から容器100内に入射し、光学
フィルタ8により、信号光はそのまま透過するとともに
背景光は信号光の波長と同一の波長成分のみが透過して
PINフォトダイオード1に入射する。一方参照体13
0から発せられた背景光は出射窓111から出射し入射
窓101から入射し、光学フィルタ81により信号光の
波長と同一の波長成分のみが透過してPINフォトダイ
オード11に入射する。各フォトダイオード1,11に
はそれらのPINフォトダイオード1,11の各入射光
により各光電流が発生しそれら各光電流による信号の差
分に対応する信号が差動増幅器20から出力される。An emission window 111 made of an optical material that transmits signal light and background light is formed at the bottom of the container 110, and the signal light and the background light emitted from the body 120 to be measured are transmitted through the container 110. Through the exit window 111 of the container 100, enters the container 100 from the entrance window 101 of the container 100, and the optical filter 8 allows the signal light to pass through as it is and the background light allows only the wavelength component equal to the wavelength of the signal light to pass through. Incident on the PIN photodiode 1. On the other hand, reference body 13
The background light emitted from 0 exits from the exit window 111 and enters from the entrance window 101, and only the wavelength component equal to the wavelength of the signal light is transmitted by the optical filter 81 and enters the PIN photodiode 11. Each photocurrent is generated in each of the photodiodes 1 and 11 by the respective incident light of the PIN photodiodes 1 and 11, and a signal corresponding to a difference between signals due to the respective photocurrents is output from the differential amplifier 20.
【0033】ここで、容器100ないし、容器100に
収納された微弱光検出回路(少なくともPINフォトダ
イオード1,11)を回転させてそれらPINフォトダ
イオード1,11の配置位置を交互に交代させ、あるい
は、PINフォトダイオード1,11の位置は固定され
ていても容器110の方を回転させて被測定体120か
ら発せられた信号光および参照光をPINフォトダイオ
ード11に入射するとともに参照体130から発せられ
た背景光をPINフォトダイオード1に入射すると、そ
れらのPINフォトダイオード1,11等のばらつきに
よる誤差をキャンセルし、より高精度の測定を行なうこ
とができる。Here, the container 100 or the weak light detection circuit (at least the PIN photodiodes 1, 11) accommodated in the container 100 is rotated to alternately change the arrangement positions of the PIN photodiodes 1, 11 or Even if the positions of the PIN photodiodes 1 and 11 are fixed, the signal light and the reference light emitted from the measured object 120 are incident on the PIN photodiode 11 and emitted from the reference body 130 by rotating the container 110. When the obtained background light is incident on the PIN photodiode 1, errors due to variations in the PIN photodiodes 1, 11 and the like are cancelled, and more accurate measurement can be performed.
【0034】尚、ここでは、出射窓111,入射窓10
1は、信号光だけでなく背景光に関してもフィルタの役
割りはなさず透明であることを前提として説明したが、
背景光をできるだけカットするよう出射窓111ないし
入射窓101として光学フィルタを備えてもよい。その
とき、その出射窓111ないし入射窓101として備え
た光学フィルタで背景光が十分にカットされ、かつその
出射窓111ないし入射窓101自体から発せられる熱
輻射による背景光が問題にならないレベルであれば、図
3に示す光学フィルタ8,81は取り除いてもよい。Here, the exit window 111 and the entrance window 10 are used.
1 is described on the assumption that the filter does not play a role not only for the signal light but also for the background light and is transparent,
An optical filter may be provided as the exit window 111 or the entrance window 101 so as to cut back light as much as possible. At this time, the background light is sufficiently cut by the optical filter provided as the exit window 111 or the entrance window 101, and the background light due to the heat radiation emitted from the exit window 111 or the entrance window 101 itself does not cause a problem. For example, the optical filters 8 and 81 shown in FIG. 3 may be omitted.
【0035】以下、本発明に用い得る微弱光測定回路の
種々の例について説明する。図4,図5は、微弱光測定
回路の、第2の例,第3の例を示す回路図である。図4
に示す回路例では、図1に示す回路例におけるPINフ
ォトダイオード1,11が、それぞれ直列に接続された
複数(ここでは各3個)のPINフォトダイオード1
a,1b,1c;11a,11b,11cで構成されて
おり、図5に示す回路例では、図1に示す回路例におけ
るPINフォトダイオード1,11が、それぞれ並列に
接続された複数(ここでは各3個)のPINフォトダイ
オード1a,1b,1c;11a,11b,11cで構
成されている。前述したように複数のPINフォトダイ
オードを直列ないし並列に接続するとS/Nが向上し一
層高精度の微弱光測定が可能となる。Hereinafter, various examples of the weak light measurement circuit that can be used in the present invention will be described. 4 and 5 are circuit diagrams showing a second example and a third example of the weak light measurement circuit. FIG.
In the circuit example shown in FIG. 1, the PIN photodiodes 1 and 11 in the circuit example shown in FIG. 1 are each composed of a plurality of (three in this case) PIN photodiodes 1 connected in series.
a, 1b, 1c; 11a, 11b, 11c. In the circuit example shown in FIG. 5, a plurality of PIN photodiodes 1 and 11 in the circuit example shown in FIG. (Three each) PIN photodiodes 1a, 1b, 1c; 11a, 11b, 11c. As described above, when a plurality of PIN photodiodes are connected in series or in parallel, the S / N ratio is improved, and it becomes possible to measure the weak light with higher accuracy.
【0036】図6は、微弱光測定回路の第4の例を示す
回路図である。図1に示す回路例として比べバイアス電
源31,32が付加されている。このようにバイアス電
源31,32を備えPINフォトダイオード1,11に
逆バイアス電源を付加すると、純粋なi層(空乏層)が
形成され一層高感度の測定が可能となる。FIG. 6 is a circuit diagram showing a fourth example of the weak light measuring circuit. Compared with the circuit example shown in FIG. 1, bias power supplies 31 and 32 are added. When the bias power supplies 31 and 32 are provided and a reverse bias power supply is added to the PIN photodiodes 1 and 11, a pure i-layer (depletion layer) is formed and measurement with higher sensitivity becomes possible.
【0037】図7,図8は、微弱光測定回路の第5の
例,第6の例を示す回路図である。図1に示す回路例と
比べ、図6に示す回路例と同様にバイアス電源31,3
2を備えるとともに、図4,図5に示す回路例と同様
に、各PINフォトダイオード1,11が、それぞれ、
直列ないし並列に接続された複数のPINフォト1a,
1b,1c;11a,11b,11cで構成されてい
る。FIGS. 7 and 8 are circuit diagrams showing fifth and sixth examples of the weak light measuring circuit. Compared with the circuit example shown in FIG. 1, the bias power supplies 31 and 3 are similar to the circuit example shown in FIG.
2 and each of the PIN photodiodes 1 and 11, respectively, as in the circuit examples shown in FIGS.
A plurality of PIN photos 1a connected in series or in parallel,
1b, 1c; 11a, 11b, 11c.
【0038】バイアス電源31,32;31a,31
b,31c;32a,32b,32cを配置したことに
よる作用および各PINフォトダイオード1,11をそ
れぞれ複数のPINフォトダイオード1a,1b,1
c;11a,11b,11cで構成したことによる作用
は、それぞれ前述のとおりであり、重複説明を省略す
る。図9は、微弱光測定回路の第7の例を示す回路図で
ある。Bias power supplies 31, 32; 31a, 31
b, 31c; action of arranging 32a, 32b, 32c, and replacing each PIN photodiode 1, 11 with a plurality of PIN photodiodes 1a, 1b, 1;
c; the effects of the configuration of 11a, 11b, and 11c are as described above, and redundant description will be omitted. FIG. 9 is a circuit diagram showing a seventh example of the weak light measurement circuit.
【0039】この回路例では、差動増幅器20の2つの
信号入力端子20a,20bのうちの一方の、第1の信
号入力端子20aに、この第1の信号入力端子20aか
ら見て互いに逆向きに接続された2つのPINフォトダ
イオード1,11が備えられており、もう一方の第2の
信号入力端子20bには参照信号が入力されるよう構成
されている。In this circuit example, one of the two signal input terminals 20a and 20b of the differential amplifier 20 is connected to the first signal input terminal 20a in a direction opposite to each other when viewed from the first signal input terminal 20a. Are connected to each other, and the other second signal input terminal 20b is configured to receive a reference signal.
【0040】これまでに説明した、図1および図4〜図
8に示す回路例では被測定体から発せられた背景光と信
号光を入射するPINフォトダイオード1と参照体から
発せられた背景光を入射するPINフォトダイオード1
1を、互いに異なる信号入力端子20a,20bに接続
し、差動増幅器20で差分(背景光のキャンセル)を行
なっていたが、この図9に示す回路例では、PINフォ
トダイオード1の入射光のうちの背景光成分とPINフ
ォトダイオード11の入射光、すなわち背景光が差動増
幅器20に入力される前にキャンセルされ、信号光によ
る信号成分のみが差動増幅器20に入力される。In the circuit examples shown in FIGS. 1 and 4 to 8 described above, the PIN photodiode 1 which receives the background light and the signal light emitted from the measured object and the background light emitted from the reference body PIN photodiode 1 with incident light
1 are connected to different signal input terminals 20a and 20b, and the difference (background light cancellation) is performed by the differential amplifier 20, but in the circuit example shown in FIG. The background light component and the incident light of the PIN photodiode 11, that is, the background light, are canceled before being input to the differential amplifier 20, and only the signal component due to the signal light is input to the differential amplifier 20.
【0041】図10,図11は、微弱光測定回路の第8
の例,第9の例を示す回路図である。それぞれ直列(図
10の場合)ないし並列(図11の場合)に接続された
複数(ここでは3個)のPINフォトダイオード1a,
1b,1c;11a,11b,11cで構成されてい
る。FIGS. 10 and 11 show an eighth example of the weak light measuring circuit.
FIG. 15 is a circuit diagram showing a ninth example. A plurality (three in this case) of PIN photodiodes 1a, connected in series (in the case of FIG. 10) or in parallel (in the case of FIG. 11), respectively.
1b, 1c; 11a, 11b, 11c.
【0042】これらの回路列に示すように、本発明にお
いては、種々に構成された回路を採用することができ
る。As shown in these circuits, in the present invention, variously configured circuits can be employed.
【0043】[0043]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
微弱な信号光を背景光の影響を排除して高感度に測定す
ることができる。As described above, according to the present invention,
Weak signal light can be measured with high sensitivity while eliminating the influence of background light.
【図1】本発明の微弱光測定装置の一実施形態に組み込
まれる微弱光測定回路の第1の例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first example of a weak light measurement circuit incorporated in an embodiment of the weak light measurement device of the present invention.
【図2】PINフォトダイオードを冷却しながらその端
子電圧を測定した結果を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a result of measuring a terminal voltage of a PIN photodiode while cooling the PIN photodiode.
【図3】図1に示す微弱光測定回路を含む微弱光測定装
置の構成構造図である。FIG. 3 is a structural diagram of a weak light measuring device including the weak light measuring circuit shown in FIG. 1;
【図4】微弱光測定回路の第2の例を示す回路図であ
る。FIG. 4 is a circuit diagram showing a second example of the weak light measurement circuit.
【図5】微弱光測定回路の第3の例を示す回路図であ
る。FIG. 5 is a circuit diagram showing a third example of the weak light measurement circuit.
【図6】微弱光測定回路の第4の例を示す回路図であ
る。FIG. 6 is a circuit diagram showing a fourth example of the weak light measurement circuit.
【図7】微弱光測定回路の第5の例を示す回路図であ
る。FIG. 7 is a circuit diagram showing a fifth example of the weak light measurement circuit.
【図8】微弱光測定回路の第6の例を示す回路図であ
る。FIG. 8 is a circuit diagram showing a sixth example of the weak light measurement circuit.
【図9】微弱光測定回路の第7の例を示す回路図であ
る。FIG. 9 is a circuit diagram showing a seventh example of the weak light measurement circuit.
【図10】微弱光測定回路の第8の例を示す回路図であ
る。FIG. 10 is a circuit diagram illustrating an eighth example of the weak light measurement circuit.
【図11】微弱光測定回路の第9の例を示す回路図であ
る。FIG. 11 is a circuit diagram showing a ninth example of the weak light measurement circuit.
【図12】高抵抗型受光回路の原理回路図(a)、その
等価回路図(b)、およびその特性を示す図(c)であ
る。12A is a principle circuit diagram of a high-resistance type light receiving circuit, FIG. 12B is an equivalent circuit diagram thereof, and FIG. 12C is a diagram showing its characteristics.
【図13】電荷蓄積型受光回路の原理回路図(a)、そ
の等価回路図(b)、およびその特性を示す図(c)で
ある。13A is a principle circuit diagram of a charge storage type light receiving circuit, FIG. 13B is an equivalent circuit diagram thereof, and FIG. 13C is a diagram showing its characteristics.
【図14】電荷蓄積型の受光回路を採用した微弱光検出
回路の一構成例を示す回路図である。FIG. 14 is a circuit diagram showing a configuration example of a weak light detection circuit employing a charge storage type light receiving circuit.
【図15】図14に示すPINフォトダイオード1を、
互いに直列に接続された複数(ここでは3個)のPIN
フォトダイオード1a,1b,1cで構成した微弱光検
出回路を示す回路図である。FIG. 15 shows a PIN photodiode 1 shown in FIG.
A plurality (three in this case) of PINs connected in series to each other
FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a weak light detection circuit including photodiodes 1a, 1b, and 1c.
【図16】図14にPINフォトダイオード1を、互い
に並列に接続された複数(ここでは3個)のPINフォ
トダイオード1a,1b,1cで構成した微弱検出回路
を示す回路図である。FIG. 16 is a circuit diagram showing a weak detection circuit in which the PIN photodiode 1 is composed of a plurality (three in this case) of PIN photodiodes 1a, 1b, and 1c connected in parallel to each other.
1,1a,1b,1c,11,11a,11b,11c
PINフォトダイオード 7,71 MOSFET 8,81 光学フィルタ 20 差動増幅器 20a 第1の信号入力端子 20b 第2の信号入力端子 21 デュアルジャンクションFET 21a,21b ジャンクションFET 22a,22b 抵抗 31,31a,31b,31c,32,32a,32
b,32c バイアス電源 51 マイナス電源ライン 61 電源 100,110 容器 101 入射窓 111 出射窓 120 被測定体 130 参照体1, 1a, 1b, 1c, 11, 11a, 11b, 11c
PIN photodiode 7, 71 MOSFET 8, 81 Optical filter 20 Differential amplifier 20a First signal input terminal 20b Second signal input terminal 21 Dual junction FET 21a, 21b Junction FET 22a, 22b Resistance 31, 31a, 31b, 31c , 32,32a, 32
b, 32c Bias power supply 51 Negative power supply line 61 Power supply 100, 110 Container 101 Incident window 111 Exit window 120 DUT 130 Reference object
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−186127(JP,A) 特開 昭62−192635(JP,A) 特開 平3−111724(JP,A) 特開 昭61−108931(JP,A) 特開 平6−29567(JP,A) 実開 昭61−195428(JP,U) 実開 昭62−153531(JP,U) 国際公開90/8946(WO,A1) 国際公開90/6597(WO,A1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01J 1/16 G01J 1/42 - 1/46 G01N 21/00 - 21/01 G01N 21/17 - 21/74 Continuation of front page (56) References JP-A-4-186127 (JP, A) JP-A-62-192635 (JP, A) JP-A-3-111724 (JP, A) JP-A-61-108931 (JP, A) JP-A-6-29567 (JP, A) Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 61-195428 (JP, U) Japanese Utility Model Application Laid-open No. 62-155351 (JP, U) International Publication 90/8946 (WO, A1) International Publication 90 / 6597 (WO, A1) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G01J 1/16 G01J 1/42-1/46 G01N 21/00-21/01 G01N 21/17-21/74
Claims (10)
信号入力端子から入力された2つの信号の差分を増幅し
て出力する差動増幅器、 前記差動増幅器の2つの信号入力端子それぞれに、該2
つの信号入力端子それぞれから見たときに同一の向きに
接続された、それぞれ被測定体および参照体から発せら
れる各光を受光する各フォトダイオードを有する2つの
受光回路、および前記フォトダイオードの、該フォトダ
イオードに入射する入射光に対する相対位置を、該フォ
トダイオードどうしで交互に交代させる位置交代手段を
備えたことを特徴とする微弱光測定装置。A differential amplifier having two signal input terminals for amplifying and outputting a difference between two signals input from the two signal input terminals; and a differential amplifier for each of two signal input terminals of the differential amplifier. , Said 2
Two light receiving circuits each having a photodiode connected to the same direction when viewed from each of the two signal input terminals and receiving each light emitted from the measured object and the reference body; and A weak light measuring device comprising a position changing means for alternately changing a relative position with respect to incident light incident on a photodiode between the photodiodes.
信号入力端子から入力された2つの信号の差分を増幅し
て出力する差動増幅器、 前記差動増幅器の2つの信号入力端子のうちのいずれか
一方の信号入力端子に、該一方の信号入力端子から見て
互いに逆向きに接続された、それぞれ被測定体および参
照体から発せられる各光を受光する2つのフォトダイオ
ードを有する受光回路、および前記フォトダイオード
の、該フォトダイオードに入射する入射光に対する相対
位置を、該フォトダイオードどうしで交互に交代させる
位置交代手段を備えたことを特徴とする微弱光測定装
置。2. A differential amplifier having two signal input terminals and amplifying a difference between two signals input from the two signal input terminals and outputting the amplified signal, of the two signal input terminals of the differential amplifier A light receiving circuit having two photodiodes respectively connected to one of the signal input terminals in opposite directions as viewed from the one signal input terminal and receiving light emitted from the measured object and the reference body, respectively. And a position changing means for alternately changing the relative position of the photodiode with respect to the incident light incident on the photodiode between the photodiodes.
たフォトダイオードに流れる電荷を蓄積して該電荷の蓄
積により発生した電圧を前記信号入力端子に伝える電荷
蓄積型の受光回路であることを特徴とする請求項1又は
2記載の微弱光測定装置。3. The light-receiving circuit is a charge-storage-type light-receiving circuit that accumulates a charge flowing through a photodiode provided in the light-receiving circuit and transmits a voltage generated by the accumulation of the charge to the signal input terminal. The weak light measuring device according to claim 1 or 2, wherein:
イオードであることを特徴とする請求項1又は2記載の
微弱光測定装置。4. The weak light measuring device according to claim 1, wherein the photodiode is a PIN photodiode.
たフォトダイオードに逆バイアス電圧を印加するバイア
ス回路を備えたことを特徴とする請求項4記載の微弱光
測定装置。5. An apparatus according to claim 4, wherein said light receiving circuit includes a bias circuit for applying a reverse bias voltage to a photodiode provided in said light receiving circuit.
に直列に接続された複数のフォトダイオードからなるこ
とを特徴とする請求項1又は2記載の微弱光測定装置。6. The weak light measuring device according to claim 1, wherein each of the photodiodes comprises a plurality of photodiodes connected in series.
に並列に接続された複数のフォトダイオードからなるこ
とを特徴とする請求項1又は2記載の微弱光測定装置。7. The weak light measuring device according to claim 1, wherein each of the photodiodes comprises a plurality of photodiodes connected in parallel with each other.
に、所望の波長の光を該フォトダイオードに導くととも
に該所望の波長以外の波長の光を除去する光学フィルタ
を備えたことを特徴とする請求項1又は2記載の微弱光
測定装置。8. An optical filter for guiding light having a desired wavelength to the photodiode and removing light having a wavelength other than the desired wavelength is provided on a front surface side of a light receiving surface of the photodiode. Item 6. The weak light measuring device according to item 1 or 2.
内部が冷却される容器に収納され、該容器が、該容器外
部から、該容器に収納された前記受光回路に備えられた
前記フォトダイオードに向けて入射しようとする入射光
のうち所望の波長の光を入射させるとともに該入射光の
うち該所望の波長以外の波長の光を吸収ないし反射する
光学フィルタを備えた入射窓を有することを特徴とする
請求項1又は2記載の微弱光測定装置。9. The light receiving circuit and the differential amplifier,
The inside is stored in a container to be cooled, and the container has a desired wavelength of incident light from the outside of the container, which is to be incident on the photodiode provided in the light receiving circuit stored in the container. The weak light measuring device according to claim 1 or 2, further comprising an incident window provided with an optical filter that receives light and absorbs or reflects light having a wavelength other than the desired wavelength out of the incident light.
び前記光学フィルタが、内部が冷却される容器に収納さ
れ、該容器が、該容器外部から、該容器に収納された前
記光学フィルタに向けて入射しようとする入射光のうち
の少なくとも前記所望の波長の光を入射させる入射窓を
有することを特徴とする請求項8記載の微弱光測定装
置。10. The light receiving circuit, the differential amplifier, and the optical filter are housed in a container whose inside is cooled, and the container is directed from the outside of the container to the optical filter housed in the container. 9. The weak light measuring device according to claim 8, further comprising an incident window through which at least the light having the desired wavelength out of the incident light to be incident.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03223596A JP3155191B2 (en) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | Low light measurement device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03223596A JP3155191B2 (en) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | Low light measurement device |
Related Child Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000328336A Division JP2001159563A (en) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | Low light measurement device |
Publications (2)
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| JPH09229769A JPH09229769A (en) | 1997-09-05 |
| JP3155191B2 true JP3155191B2 (en) | 2001-04-09 |
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ID=12353329
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP03223596A Expired - Lifetime JP3155191B2 (en) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | Low light measurement device |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP3155191B2 (en) |
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|---|---|---|---|---|
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-
1996
- 1996-02-20 JP JP03223596A patent/JP3155191B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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