JP3160420B2 - Ｙ１２３型結晶膜・多層膜積層体の作製方法 - Google Patents
Ｙ１２３型結晶膜・多層膜積層体の作製方法Info
- Publication number
- JP3160420B2 JP3160420B2 JP10857193A JP10857193A JP3160420B2 JP 3160420 B2 JP3160420 B2 JP 3160420B2 JP 10857193 A JP10857193 A JP 10857193A JP 10857193 A JP10857193 A JP 10857193A JP 3160420 B2 JP3160420 B2 JP 3160420B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- type crystal
- crystal
- film
- melt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｙ１２３型結晶構造を
有する酸化物結晶の膜または多層膜積層体（多層構造
体）の作製方法に関するものである。
有する酸化物結晶の膜または多層膜積層体（多層構造
体）の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来において、Ｙ１２３型結晶構造を有
した酸化物結晶の薄膜または多層構造体を作製する場
合、基板上に蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法など
の薄膜形成技術により薄膜または多層膜積層体を作製し
ていた。
した酸化物結晶の薄膜または多層構造体を作製する場
合、基板上に蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法など
の薄膜形成技術により薄膜または多層膜積層体を作製し
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、前記
従来の技術では、薄膜または多層膜積層体を作製するた
めには、真空蒸着装置、スパッタリング装置、ＣＶＤ装
置、分子線エピタキシー装置等の高価で操作性の悪い装
置を使わなければならないという問題があった。
従来の技術では、薄膜または多層膜積層体を作製するた
めには、真空蒸着装置、スパッタリング装置、ＣＶＤ装
置、分子線エピタキシー装置等の高価で操作性の悪い装
置を使わなければならないという問題があった。
【０００４】本発明は、前記問題点を解決するためにな
されたものであり、本発明の目的は、比較的安価な装置
で簡便に良質なＹ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶
膜または良質なＹ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶
多層膜積層体を作製することが可能な技術を提供するこ
とにある。
されたものであり、本発明の目的は、比較的安価な装置
で簡便に良質なＹ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶
膜または良質なＹ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶
多層膜積層体を作製することが可能な技術を提供するこ
とにある。
【０００５】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】前記目的を達成するた
めに、本発明のＹ１２３型結晶膜または請求項２に記載
の多層膜積層体の作製方法は、溶剤としてＢａＯ融液ま
たはＣｕＯ融液あるいはＢａＯとＣｕＯとの混合融液を
用い、前記酸化物結晶を構成している元素により構成さ
れた沈殿物であり、イットリウム元素に相当する構成元
素が、前記酸化物結晶中の濃度と同濃度もしくはそれよ
り高濃度に含有した物質である溶質供給物質から溶質を
溶剤を通して基板にまで輸送させ、Ｙ１２３型結晶構造
を有する酸化物結晶膜を、Ｙ１２３型結晶の沈殿物から
融液相を通した初晶で、基板上に成長させることを最も
主要な特徴とする。
めに、本発明のＹ１２３型結晶膜または請求項２に記載
の多層膜積層体の作製方法は、溶剤としてＢａＯ融液ま
たはＣｕＯ融液あるいはＢａＯとＣｕＯとの混合融液を
用い、前記酸化物結晶を構成している元素により構成さ
れた沈殿物であり、イットリウム元素に相当する構成元
素が、前記酸化物結晶中の濃度と同濃度もしくはそれよ
り高濃度に含有した物質である溶質供給物質から溶質を
溶剤を通して基板にまで輸送させ、Ｙ１２３型結晶構造
を有する酸化物結晶膜を、Ｙ１２３型結晶の沈殿物から
融液相を通した初晶で、基板上に成長させることを最も
主要な特徴とする。
【０００７】前記ＢａＯとＣｕＯとの混合融液のＣｕＯ
のモル比は、６０％から８０％であることを特徴とす
る。
のモル比は、６０％から８０％であることを特徴とす
る。
【０００８】前記溶質供給物質は、前記酸化物結晶を構
成している元素により構成された物質であり、イットリ
ウム元素に相当する構成元素が、前記酸化物結晶中の濃
度と同濃度またはそれより高濃度に含有した物質、また
はＹ２１１型結晶構造を有した物質であることを特徴と
する。
成している元素により構成された物質であり、イットリ
ウム元素に相当する構成元素が、前記酸化物結晶中の濃
度と同濃度またはそれより高濃度に含有した物質、また
はＹ２１１型結晶構造を有した物質であることを特徴と
する。
【０００９】前記基板は、アルカリ土類金属を構成元素
として含む酸化物またはＹ１２３型結晶構造を有した酸
化物結晶であることを特徴とする。
として含む酸化物またはＹ１２３型結晶構造を有した酸
化物結晶であることを特徴とする。
【００１０】
【作用】前記手段によれば、溶剤としてＢａＯ融液また
はＣｕＯ融液あるいはＢａＯとＣｕＯの混合融液を用
い、前記酸化物結晶を構成している元素により構成され
た沈殿物であり、イットリウム元素に相当する構成元素
が、前記酸化物結晶中の濃度と同濃度もしくはそれより
高濃度に含有した物質である溶質供給物質から溶質を溶
剤を通して基板にまで輸送させ、Ｙ１２３型結晶構造を
有する酸化物結晶膜を、Ｙ１２３型結晶の沈殿物から融
液相を通した初晶で、基板上に成長させることにより、
良質のＹ系１２３型結晶構造を有する酸化物結晶膜を融
液相から成長させるので、良質のＹ系１２３結晶構造を
有する酸化物結晶膜を比較的安価な装置で操作性良く簡
便に作製することができる。
はＣｕＯ融液あるいはＢａＯとＣｕＯの混合融液を用
い、前記酸化物結晶を構成している元素により構成され
た沈殿物であり、イットリウム元素に相当する構成元素
が、前記酸化物結晶中の濃度と同濃度もしくはそれより
高濃度に含有した物質である溶質供給物質から溶質を溶
剤を通して基板にまで輸送させ、Ｙ１２３型結晶構造を
有する酸化物結晶膜を、Ｙ１２３型結晶の沈殿物から融
液相を通した初晶で、基板上に成長させることにより、
良質のＹ系１２３型結晶構造を有する酸化物結晶膜を融
液相から成長させるので、良質のＹ系１２３結晶構造を
有する酸化物結晶膜を比較的安価な装置で操作性良く簡
便に作製することができる。
【００１１】また、作製されたＹ１２３型結晶構造を有
する酸化物結晶膜の上にＹ系１２３型結晶構造を有する
酸化物結晶膜を成長させるので、良質のＹ系１２３型結
晶構造を有する酸化物結晶多層膜積層体を比較的安価な
装置で操作性良く簡便に作製することができる。
する酸化物結晶膜の上にＹ系１２３型結晶構造を有する
酸化物結晶膜を成長させるので、良質のＹ系１２３型結
晶構造を有する酸化物結晶多層膜積層体を比較的安価な
装置で操作性良く簡便に作製することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１３】（実施例１）図１は、本発明によるＹ１２
３型結晶構造を有する酸化物結晶の膜を作製する方法の
実施例を説明するための実施装置の概略構成を示す模式
図を示す。
３型結晶構造を有する酸化物結晶の膜を作製する方法の
実施例を説明するための実施装置の概略構成を示す模式
図を示す。
【００１４】図１において、１は内径３０ｍｍ，高さ５
０ｍｍのイットリアるつぼであり、このるつぼ１１の材
質は、前記イットリアに限らず、マグネシア、アルミ
ナ、安定化ジルコニア等耐蝕性のある材質が使用でき
る。２は溶質供給物質としてＹ2ＢａＣｕＯ5、３は溶剤
とするＢａＯとＣｕＯとの混合融液としてＢａとＣｕの
モル比が３：５となるように炭酸バリウムと酸化銅を混
合し８８０度で４０時間仮焼した後の物質（液相）、４
はＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-dからなる基板、５は引き上げ
棒、７は白金サセプタ、８は加熱用の高周波誘導コイル
である。
０ｍｍのイットリアるつぼであり、このるつぼ１１の材
質は、前記イットリアに限らず、マグネシア、アルミ
ナ、安定化ジルコニア等耐蝕性のある材質が使用でき
る。２は溶質供給物質としてＹ2ＢａＣｕＯ5、３は溶剤
とするＢａＯとＣｕＯとの混合融液としてＢａとＣｕの
モル比が３：５となるように炭酸バリウムと酸化銅を混
合し８８０度で４０時間仮焼した後の物質（液相）、４
はＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-dからなる基板、５は引き上げ
棒、７は白金サセプタ、８は加熱用の高周波誘導コイル
である。
【００１５】本実施例のＢａＯとＣｕＯとの混合融液を
用いて、液相から初晶で、Ｙ１２３型結晶構造を有する
酸化物結晶の膜を作製する方法は、図１に示すように、
まず、るつぼ１内の下部に、溶質供給物質としてＹ2Ｂ
ａＣｕＯ5２を入れ、その上部に、溶剤とするＢａＯと
ＣｕＯとの混合融液として、ＢａとＣｕのモル比が３：
５となるように炭酸バリウムと酸化銅を混合し８８０℃
で４０時間仮焼した後の物質３を入れる。前記ＢａとＣ
ｕのモル比は、３：５に限らず３：５から３：８程度ま
での量比でもよい。
用いて、液相から初晶で、Ｙ１２３型結晶構造を有する
酸化物結晶の膜を作製する方法は、図１に示すように、
まず、るつぼ１内の下部に、溶質供給物質としてＹ2Ｂ
ａＣｕＯ5２を入れ、その上部に、溶剤とするＢａＯと
ＣｕＯとの混合融液として、ＢａとＣｕのモル比が３：
５となるように炭酸バリウムと酸化銅を混合し８８０℃
で４０時間仮焼した後の物質３を入れる。前記ＢａとＣ
ｕのモル比は、３：５に限らず３：５から３：８程度ま
での量比でもよい。
【００１６】前記るつぼ１内の下部に入れた物質と、そ
の上部に入れた物質の重量比は１：４である。この重量
比は１：２から１：１０程度でもよい。これらの溶質と
溶媒を入れたるつぼ１を約１０００℃に加熱し、溶剤を
溶解させた。この段階で、下部に溶質供給物質であるＹ
2ＢａＣｕＯ5が沈殿しており、上部に溶媒であるＢａＯ
とＣｕＯの混合物が液体状態を保っていた。この状態の
液相部分に基板として用いたＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-d、ま
たは酸化マグネシウムの単結晶構造の表面を接触させ、
るつぼ１の温度を２０℃程度低下させることにより、基
板表面にＹ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶の一種
であるＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-dの膜を析出させることができ
た。
の上部に入れた物質の重量比は１：４である。この重量
比は１：２から１：１０程度でもよい。これらの溶質と
溶媒を入れたるつぼ１を約１０００℃に加熱し、溶剤を
溶解させた。この段階で、下部に溶質供給物質であるＹ
2ＢａＣｕＯ5が沈殿しており、上部に溶媒であるＢａＯ
とＣｕＯの混合物が液体状態を保っていた。この状態の
液相部分に基板として用いたＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-d、ま
たは酸化マグネシウムの単結晶構造の表面を接触させ、
るつぼ１の温度を２０℃程度低下させることにより、基
板表面にＹ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶の一種
であるＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-dの膜を析出させることができ
た。
【００１７】（実施例２）本実施例２は、前記実施例１
において作製したＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-dの膜を基板とし
て、同様の方法を用いて、その基板の上にＰrＢａ2Ｃｕ
3Ｏ7-dの膜を作製した。このようにすることにより、単
一の膜のみならず、膜積層体を形成することができる。
また、本発明によれば、三層以上の多層膜積層体を作製
することが可能であることは、容易に推測できるであろ
う。また、各層は同種または異種であっても良い。
において作製したＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-dの膜を基板とし
て、同様の方法を用いて、その基板の上にＰrＢａ2Ｃｕ
3Ｏ7-dの膜を作製した。このようにすることにより、単
一の膜のみならず、膜積層体を形成することができる。
また、本発明によれば、三層以上の多層膜積層体を作製
することが可能であることは、容易に推測できるであろ
う。また、各層は同種または異種であっても良い。
【００１８】前記本実施例１，２では、基板物質として
Ｙ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶の一種であるＳ
ｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-d結晶または酸化マグネシウムの結晶
を用いたが、結晶構造を有しない物質でも良い。また、
るつぼ１の温度を低下させるのではなく、基板４を１ｍ
ｍ程度上方に引き上げて基板４の温度だけを低下させる
ような手段によっても良い。
Ｙ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶の一種であるＳ
ｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-d結晶または酸化マグネシウムの結晶
を用いたが、結晶構造を有しない物質でも良い。また、
るつぼ１の温度を低下させるのではなく、基板４を１ｍ
ｍ程度上方に引き上げて基板４の温度だけを低下させる
ような手段によっても良い。
【００１９】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得
ることはいうまでもない。
明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得
ることはいうまでもない。
【００２０】また、本発明のＹ系１２３結晶構造を有す
る酸化物膜またはＹ系１２３結晶構造を有する酸化物多
層膜積層体の作製方法は、特に、超電導デバイス，超電
導磁気シールド等に適用すると有効である。
る酸化物膜またはＹ系１２３結晶構造を有する酸化物多
層膜積層体の作製方法は、特に、超電導デバイス，超電
導磁気シールド等に適用すると有効である。
【００２１】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、良質のＹ系１２３結晶構造を有する酸化物結晶膜を
融液相から成長させることが可能となるので、良質の酸
化物結晶膜を比較的安価な装置で操作性良く簡便に作製
することができる。
ば、良質のＹ系１２３結晶構造を有する酸化物結晶膜を
融液相から成長させることが可能となるので、良質の酸
化物結晶膜を比較的安価な装置で操作性良く簡便に作製
することができる。
【００２２】また、作製されたＹ１２３型結晶構造を有
する酸化物結晶膜の上にＹ系１２３結晶構造を有する酸
化物結晶膜を成長させるので、良質のＹ系１２３結晶構
造を有する酸化物結晶多層膜積層体を比較的安価な装置
で操作性良く簡便に作製することができる。
する酸化物結晶膜の上にＹ系１２３結晶構造を有する酸
化物結晶膜を成長させるので、良質のＹ系１２３結晶構
造を有する酸化物結晶多層膜積層体を比較的安価な装置
で操作性良く簡便に作製することができる。
【図１】 本発明によるＹ１２３型結晶構造を有する酸
化物結晶膜を作製する方法の実施例１を説明するための
実施装置の概略構成を示す模式図。
化物結晶膜を作製する方法の実施例１を説明するための
実施装置の概略構成を示す模式図。
１…内径３０ｍｍ，高さ５０ｍｍのイットリアるつぼ、
２…Ｙ2ＢａＣｕＯ5（溶質供給物質）、３…ＢａＯとＣ
ｕＯとの混合融液（溶剤）、４…ＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-d
からなる基板、５…引き上げ棒、７…白金サセプタ、８
…加熱用の高周波誘導コイル。
２…Ｙ2ＢａＣｕＯ5（溶質供給物質）、３…ＢａＯとＣ
ｕＯとの混合融液（溶剤）、４…ＳｍＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-d
からなる基板、５…引き上げ棒、７…白金サセプタ、８
…加熱用の高周波誘導コイル。
フロントページの続き (73)特許権者 000003263 三菱電線工業株式会社 兵庫県尼崎市東向島西之町８番地 (72)発明者 山田 容士 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 田上 稔 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 中村 優 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 塩原 融 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (72)発明者 田中 昭二 東京都江東区東雲１丁目14番３ 財団法 人 国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所内 (56)参考文献 特開 昭64−28300（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−63247（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−894（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−310798（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−310799（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−249691（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−257107（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 C01G 3/00 C01G 1/00 ＣＡ（ＳＴＮ) ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (5)
- 【請求項１】 溶剤としてＢａＯ融液またはＣｕＯ融液
あるいはＢａＯとＣｕＯの混合融液を用い、溶質供給物
質から溶質を溶剤を通して基板にまで輸送させ、Ｙ１２
３型結晶構造を有する酸化物結晶膜を、Ｙ１２３型結晶
の沈殿物から融液相を通した初晶で、基板上に成長させ
るＹ１２３型結晶膜の作製方法であって、前記溶質供給
物質は、前記酸化物結晶を構成している元素により構成
された沈殿物であり、イットリウム元素に相当する構成
元素が、前記酸化物結晶中の濃度と同濃度もしくはそれ
より高濃度に含有した物質であることを特徴とするＹ１
２３型結晶膜の作製方法。 - 【請求項２】 溶剤としてＢａＯ融液またはＣｕＯ融液
あるいはＢａＯとＣｕＯの混合融液を用い、溶質供給物
質から溶質を溶剤を通して基板にまで輸送させ、Ｙ１２
３型結晶構造を有する酸化物結晶膜を、Ｙ１２３型結晶
の沈殿物から融液相を通した初晶で、基板上に成長さ
せ、この酸化物結晶膜上にＹ１２３型結晶構造を有する
酸化物結晶膜を成長させるＹ１２３型結晶多層膜積層体
の作製方法であって、前記溶質供給物質は、前記酸化物
結晶を構成している元素により構成された物質であり、
イットリウム元素に相当する構成元素が、前記酸化物結
晶中の濃度と同濃度もしくはそれより高濃度に含有した
物質であることを特徴とするＹ１２３型結晶多層膜積層
体の作製方法。 - 【請求項３】 前記ＢａＯとＣｕＯとの混合融液のＣｕ
Ｏのモル比は、６０％から８０％であることを特徴とす
る請求項１に記載のＹ１２３型結晶膜または請求項２に
記載の多層膜積層体の作製方法。 - 【請求項４】 前記溶質供給物質は、Ｙ２１１型結晶構
造を有した物質であることを特徴とする請求項１に記載
のＹ１２３型結晶膜または請求項２に記載の多層膜積層
体の作製方法。 - 【請求項５】 前記基板は、アルカリ土類金属を構成元
素として含む酸化物であることを特徴とする請求項１に
記載のＹ１２３型結晶膜または請求項２に記載の多層膜
積層体の作製方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10857193A JP3160420B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | Ｙ１２３型結晶膜・多層膜積層体の作製方法 |
| US08/240,068 US5602081A (en) | 1993-05-10 | 1994-05-09 | Method of preparing metal oxide crystal |
| EP94303318A EP0624664B1 (en) | 1993-05-10 | 1994-05-09 | Method of preparing metal oxide crystal |
| DE69415716T DE69415716T2 (de) | 1993-05-10 | 1994-05-09 | Verfahren zur Herstellung eines Metalloxid-Kristalls |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10857193A JP3160420B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | Ｙ１２３型結晶膜・多層膜積層体の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06321694A JPH06321694A (ja) | 1994-11-22 |
| JP3160420B2 true JP3160420B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=14488198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10857193A Expired - Fee Related JP3160420B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | Ｙ１２３型結晶膜・多層膜積層体の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3160420B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3881732B2 (ja) * | 1996-10-16 | 2007-02-14 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 酸化物超電導体複合体の製造方法 |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP10857193A patent/JP3160420B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06321694A (ja) | 1994-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0584410A1 (en) | Superconducting electronic structures and methods of preparing same | |
| JP3008970B2 (ja) | Ｙ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶膜 | |
| Qi et al. | Liquid-phase epitaxial growth of REBa2Cu3O7− δ (RE= Y, Yb, Er) thick films at reduced temperatures | |
| US5407907A (en) | Method of preparing metal oxide crystal | |
| JP3160420B2 (ja) | Ｙ１２３型結晶膜・多層膜積層体の作製方法 | |
| EP0433337A1 (en) | EPITAXIAL Ba-Y-Cu-O SUPERCONDUCTOR FILM ON PEROVSKITE STRUCTURE SUBSTRATE | |
| JPH04300292A (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法 | |
| EP0624663B1 (en) | Composite material and method of preparing same | |
| KR20050118294A (ko) | 산화물 초전도 선재용 금속 기판, 산화물 초전도 선재 및그 제조방법 | |
| Nakamura et al. | LaSrGaO4 substrate for epitaxial high-Tc superconducting thin films | |
| EP1443131B1 (en) | Oxide high-temperature superconductor and its production method | |
| US6929695B2 (en) | Method for preparing single crystal oxide thin film | |
| US20040142824A1 (en) | Method for the manufacture of a high temperature superconducting layer | |
| JPH02306508A (ja) | 超伝導酸化物をベースとするテープ及びその製造方法 | |
| JP3135755B2 (ja) | 希土類系酸化物超電導体単結晶膜及びその製造方法 | |
| JP2963604B2 (ja) | ＲｅＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ結晶を融液から作製する方法 | |
| JPH01101677A (ja) | 電子装置 | |
| Grant et al. | Epitaxial CeO2 buffer layers and cross-overs for YBa2Cu3O7 thin films | |
| Chrisey | Progress in the first ten years of HTS film growth | |
| Yamada et al. | Liquid phase epitaxy of YBa2Cu3O7− x film: exploration of new seed layer materials and additives in the solvent | |
| JP2000264788A (ja) | 酸化物超電導膜体及び該膜体を用いた電気素子、並びにそれらの製造方法 | |
| JPH06334228A (ja) | 多層構造の超伝導素子及びその製造方法 | |
| JP2833640B2 (ja) | Ｐｒ１２３結晶の作製法 | |
| JP3205646B2 (ja) | Ｓｍ系１２３結晶の作製法 | |
| Abrutis et al. | MOCVD “DIGITAL” GROWTH OF HIGH-TC SUPERCONDUCTORS, RELATED |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080216 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080216 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080216 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090216 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |