JP3184682B2

JP3184682B2 - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JP3184682B2
Application number: JP26820193A
Authority: JP
Inventors: 洋一出口
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1993-09-30
Filing date: 1993-09-30
Publication date: 2001-07-09
Anticipated expiration: 2016-07-09
Also published as: JPH07106311A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体製造工程において、ガスを
プラズマ化し、被処理体を処理するプラズマ処理装置、
例えばプラズマエッチング装置では、被処理体、例えば
半導体ウエハ上に形成された集積回路のエッチングの均
一性を向上させる手段として例えば反応ガスのガス流動
を最適化する技術が実開昭５９−１８９２３８号公報，
実開昭６０−１１８２３６号公報，特開昭６０−４６０
２９号公報等に開示されている。これらの技術は、半導
体ウエハを載置する載置側の電極と対向する電極に反応
ガスを半導体ウエハ方向に噴出させる複数のガス吹出孔
を設け、このガス吹出孔の位置や大きさを変えることに
よってエッチングの均一性が最適になるよう設定するも
のであった。

【０００３】また、エッチングの均一性を向上させる他
の手段として半導体ウエハの周囲にフォーカスリング、
例えば絶縁性のリングを配置するものがあり、このよう
な技術としては、例えば特開昭６３−１３３３３号公報
等に開示されている。この技術は半導体ウエハ上に生起
するプラズマの密度を局所的に調整することによりエッ
チングの均一性を向上させるものであった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体産業
においては益々被処理体、例えば半導体ウエハの大口径
化及び半導体ウエハ上に形成される集積回路等の微細化
が図られている。しかしながら、前述のガス吹出孔の位
置や大きさを変えることによってエッチングの均一性を
図る技術においては、半導体ウエハの周縁方向より排気
が行なわれるので、ガス吹出孔から噴出した反応ガスの
流動速度は、半導体ウエハの中心部に比べ半導体ウエハ
の周縁部に進むにつれ早くなり、その反応ガスの流動速
度を半導体ウエハ面上で均一化することは困難であっ
た。この反応ガスの流動速度の不均一により、半導体面
の上方に生起するプラズマ密度も不均一になり、エッチ
ングの均一性が困難であった。そして、このプラズマ密
度の不均一は、半導体ウエハが大口径、例えば１２イン
チ以上の大きさである場合、６インチ等の大きさに比べ
ると更に半導体ウエハの中央部と周縁部でのエッチング
速度のムラが益々多大なものとなり、集積回路の不留ま
りが低下してしまうという問題がある。

【０００５】また、前述のプラズマの密度を局所的に調
整することによりエッチングの均一性を向上させる技術
においては、半導体ウエハの周囲にフォーカスリングを
配置しているが、本来この種のフォーカスリングは、プ
ラズマをフォーカスリング内側に閉じ込めることが目的
であり、このフォーカスリング近傍、つまり半導体ウエ
ハの周縁部に中央部に比べて密度の濃いプラズマが生起
することになり、前述同様半導体ウエハの大口化が進む
につれ半導体ウエハの中央部と周縁部でのエッチング速
度のムラが益々多大なものとなり、集積回路の不留まり
が低下してしまうという問題がある。

【０００６】本発明の目的は、局所プラズマを生成し，
その局所プラズマを適宜移動することにより，被処理体
の処理範囲の全面に渡って同一状態のプラズマを作用さ
せ、被処理体のプラズマ処理の均一性を向上することが
できるプラズマ処理装置を提供することにある。

【０００７】上記課題を解決するために、本発明の第１
の観点によれば、請求項１に記載のように、気密に構成
された処理室内に被処理体を載置台に載置し、プラズマ
を発生させ前記被処理体を処理するプラズマ処理装置に
おいて、前記載置台と対向して配置され、前記被処理体
に部分的にプラズマを作用するための局所プラズマ発生
手段と、この局所プラズマ発生手段を移動させる移動手
段とを備え、さらに前記載置台に高周波電力を印加する
高周波電源と電力制御手段を備えたことを特徴とするプ
ラズマ処理装置が提供される。かかる構成によれば、局
所プラズマ発生手段により、載置台と対向して配置され
た被処理体に部分的にプラズマを作用させ、さらに局所
プラズマ発生手段を移動手段により適宜移動させること
により、被処理体の処理範囲の全面に渡って、同一状態
の局所プラズマを作用させて、均一な処理を行うことが
できる。上記プラズマ処理装置には、さらに前記載置台
に高周波電力を印加する高周波電源と電力制御手段を備
えているので、局所プラズマ発生手段の移動時には、前
記局所プラズマは発生させたまま、電力制御手段により
高周波電力の電力量を下げることにより被処理体に対す
るプラズマの作用のみを抑えることができる。また、前
記局所プラズマ発生手段により生起したプラズマを前記
被処理体に作用する部分は、請求項２に記載のように、
少なくとも前記被処理体に形成される１つの集積回路の
範囲以上であることが好ましい。さらに、請求項３に記
載のように、前記局所プラズマ発生手段にプラズマ化ガ
スを供給するガス供給管は前記プラズマ発生手段の移動
に追随して伸縮自在であるように構成することが好まし
い。

【０００８】上記課題を解決するために本発明の第２の
観点によれば、気密に構成された処理室内に被処理体を
載置台を載置し、プラズマを発生させ前記被処理体を処
理するプラズマ処理方法が提供される。このプラズマ処
理方法は、請求項４に記載のように、局所プラズマを発
生させる局所プラズマ発生手段を、前記被処理体の未処
理の集積回路上に移動して位置決めする第１工程と、前
記局所プラズマ発生手段により局所プラズマを生成する
第２工程と、前記載置台に載置された前記被処理体に対
して、前記局所プラズマを引き込む電力量の高周波電力
を前記載置台に印加して、前記未処理の集積回路に対し
て前記局所プラズマを作用させて所定の処理を行う第３
工程と、前記未処理集積回路に対する処理の終了後に前
記載置台に印加される高周波電力を前記局所プラズマが
引き込まない電力量に下げる第４工程と、前記第１〜第
４工程を前記被処理体上に未処理集積回路がなくなるま
で反復する第５工程と、前記被処理体のすべての処理が
終了した後に前記局所プラズマを停止する第６工程とか
ら成ることを特徴とする。かかる構成によれば、局所プ
ラズマ発生手段により、載置台と対向して配置された被
処理体に部分的にプラズマを作用させ、さらに局所プラ
ズマ発生手段を移動手段により適宜移動させることによ
り、被処理体の処理範囲の全面に渡って、同一状態の局
所プラズマを作用させて、均一な処理を行うことができ
る。また、局所プラズマ発生手段を移動させる際に、い
ちいち局所プラズマを切る必要がないので高スループッ
トの処理が可能である。

【０００９】

【実施例】以下に、本発明に基づくプラズマ処理装置を
プラズマエッチング装置に適用した一実施例を、添付図
面を参照しながら説明する。

【００１０】まず図１に示すようにプラズマエッチング
装置１は、導電性材料、例えばアルミニウム製の略円筒
形状の気密に構成された処理室２を有している。この処
理室２内の底部３には、この底部３から電気的に絶縁さ
れて被処理体、例えば半導体ウエハＷを載置するための
載置台４が配置されている。この載置台４は、導電部
材、例えばアルミニウム等により形成されたサセプタ支
持台５と、この上にボルト６により着脱自在に設けられ
た下部電極としてのサセプタ７とにより構成されてい
る。

【００１１】前記サセプタ支持台５には、冷媒、例えば
液体窒素を流通循環させるための冷媒収容部、例えば冷
却ジャケット８が設けられ、この冷却ジャケット８に
は、液体窒素９を供給及び排出するための冷媒供給／排
出路１０が接続されている。

【００１２】前記サセプタ７は、中央部に凸部を有する
円板形状をしており、その中央凸部の載置面には、半導
体ウェハＷを載置固定するための固定手段、例えば静電
チャック１１が設けられている。この静電チャック１１
は、例えば２枚のポリイミドフィルム間に銅箔等の導電
膜１２が挟持されて構成され、そして、この導電膜１２
は、電圧供給リード線１３を介して直流高電圧源１４に
接続されている。従って、この直流高電圧源１４から導
電膜１２に高電圧を印加することにより、チャック面に
クーロン力を発生させ、半導体ウェハＷを載置面に吸着
保持することが可能である。さらに前記サセプタ７には
半導体ウェハＷの裏面に伝熱媒体、例えばヘリウムガス
などを供給するための伝熱ガス供給路１５が設けられて
いる。

【００１３】また、前記サセプタ７には、中空に形成さ
れた導電体よりなる給電棒１６が前記底部３，前記サセ
プタ支持台５を貫通して接続され、この給電棒１６は、
配線１７によりブロッキングコンデンサ１８を介して高
周波、例えば３８０ＫＨｚ，１ＭＨｚ等の第一の高周波
電源１９（ＲＦ）に接続されている。

【００１４】また、前記サセプタ７と前記サセプタ支持
台５との間には、温調用ヒータ２０が設けられて、この
温調用ヒータ２０には、温調用ヒータ２０に電力を供給
するための電力供給リード線２１が接続され、この電力
供給リード線２１は前記給電棒１６内を貫入して配線さ
れ、電力源２２に接続されている。

【００１５】さらに前記サセプタ７の前記静電チャック
１１との接合部近傍には半導体ウエハＷの温度を検出す
るための温度検出手段２３、例えばラクストロンや熱電
対などが設けられており、この温度検出手段２３は、温
度検出手段２３により検出された温度信号を伝達する温
度検出リード線２４により高周波ノイズを除去するフィ
ルタ２５を介して装置全体を制御する制御器２６に接続
されている。また、この制御器２６は、所定のプログラ
ムにより前記高周波電源１９，電力源２２，直流高電圧
源１４を制御するよう構成されている。

【００１６】また、前記処理室２の下部側部付近には排
気管２７を介して排気手段、例えば真空ポンプ２８が接
続されており、前記処理室２内を所望の減圧雰囲気に真
空引き可能なように構成され、また、前記処理室２の側
壁には供給管２９を介してガスユニット３０が接続され
ており、このガスユニット３０から不活性ガス、例えば
窒素ガスを前記処理室２内に所定流量供給するよう構成
されている。

【００１７】そして、前記半導体ウエハＷを挟んでサセ
プタ７と対向する位置には、前記半導体ウエハＷに対し
て局所的或いは部分的にプラズマを生起するための局所
プラズマ発生手段３１が設けられており、この局所プラ
ズマ発生手段３１は、図２に示すように互いに対向する
一対の電極板３２ａ，３２ｂと、これらの電極板３２
ａ，３２ｂを固定するとともに上部及び側部を覆うブロ
ック３３とにより構成されている。このブロック３３の
材質は、導電材料例えばアルミニウムで形成され、その
表面には被覆処理、例えばアルマイト処理が施されると
ともに電気的に接地されている。尚、ブロック３３の下
部かつ前記一対の電極板３２ａ，３２ｂ間には、開口部
４０を有している。

【００１８】そして、ブロック３３には、前記電極板３
２ａ，３２ｂに穿設されたガス噴出孔３４よりプラズマ
化するガスを噴出するために、前記ガスユニット３０か
ら供給されるプラズマ化ガス、例えばＣＦ４等のガス
を輸送するためのガス供給管３５が接続されている。
尚、このガス供給管３５は、前記処理室２内では図１に
示すようにスパイラル状に形成され伸縮自在に構成され
ている。さらに、ブロック３３には、加熱／冷却機構３
６、例えばペルチェ素子等の加熱又は冷却自在な機構が
設けられ、この加熱／冷却機構３６は、温度制御器３７
に接続され、この温度制御器３７により前記制御器２６
の指示信号基づいて前記電極板３２ａ，３２ｂの温度及
びブロック３３自体の温度を所定温度に設定可能に構成
されている。

【００１９】そして、前記一対の電極板３２ａ，３２ｂ
には、一方は接地され、他方は、ブロッキングコンデン
サ３８を介して高周波、例えば１３．５６ＭＨｚ，４０
ＭＨｚ等の第二の高周波電源３９（ＲＦ）に接続されて
いる。

【００２０】また、前記ブロック３３は、図１に示すよ
うに図中のＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動可能な移動手段４１に
絶縁材料、例えばセラミックスより形成された固定具４
２を介して接続され、前記ブロック３３が図中のＸ，
Ｙ，Ｚ方向に移動可能に構成されている。

【００２１】次に、以上のように構成されたプラズマエ
ッチング装置１の作用について説明する。

【００２２】まず、図１に示すように真空ポンプ２８に
て所定圧力、例えば１０ ^−３Ｔｏｒｒ以下の減圧雰囲気
とされ処理室２内の静電チャック１１上に半導体ウエハ
Ｗを載置し、直流高電圧源１４にて導電膜１２に高電圧
を印加し、静電チャック１１に生起するクーロン力によ
り半導体ウエハＷを保持する。

【００２３】次に、制御部２６は、予め記憶されたプロ
グラムに従って熱電対２３による温度情報を監視しなが
らヒータ２０へ電力を供給している電力源２２の電力量
と、冷却ジャケット８に冷媒供給／排出路１０を介し液
体窒素９を供給する冷媒供給量を制御しながら半導体ウ
エハＷの温度を所定温度、例えば−２０℃以下に設定す
る。

【００２４】この後、移動手段４１により局所プラズマ
発生手段３１を図中のＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動し所定位置
に設定する。この所定位置は、例えば図３に示す半導体
ウエハＷ上に形成された集積回路素子４３の１チップ位
置４４である。

【００２５】次に、制御器２６は、ガスユニット３０に
ガス供給量を指示し、このガスユニット３０からプラズ
マ化ガスをガス供給管３５を介してブロック３３に輸送
し、ガス噴出孔３４より所定流量噴出する。そして、制
御器２６は第二の高周波電源３９をＯＮし、電極板３２
ａ，３２ｂに高周波電力を印加し、図４−ａに示すよう
に電極板３２ａ，３２ｂ間にプラズマ４５を生起させ
る。この後、図４−ｂに示すように制御器２６によって
第一の高周波電源１９に指示し、サセプタ７に所定電力
量の高周波電力を印加する。この印加により、電極板３
２ａ，３２ｂ間に生起したプラズマ４５は、集積回路素
子４３上まで引き出され、プラズマ４５中の活性種によ
りエッチング処理を行なう。尚、電極板３２ａ，３２ｂ
間に生起したプラズマの引き出し量はサセプタ７に印加
する高周波電力の電力量の大きさによって変化する。

【００２６】これらの処理の手順は、例えば図５に示す
ように、処理を施す集積回路素子に位置決めしてスタ
ートする，第二の高周波電源をｏｎし、電極板３２
ａ，３２ｂ間にプラズマ４５を生起する，第一の高周
波電源をｏｎまたは電極板３２ａ，３２ｂ間に生起した
プラズマ４５を引き込む電力量まで電力値を上げる，
半導体ウエハＷ上の所定の集積回路を処理する，第一
の高周波電源をｏｆｆまたは電極板３２ａ，３２ｂ間に
生起したプラズマ４５を引き込まない電力量まで電力値
を下げる，半導体ウエハ上に形成された全ての集積回
路の処理が終了したか否かを判断し、終了していれば
の処理を行なう，移動手段４１により局所プラズマ発
生手段３１を次の未処理の集積回路に移動しの処理よ
り順に繰り返す，第二の高周波電源をｏｆｆし、電極
板３２ａ，３２ｂ間に生起するプラズマ４５を停止す
る，処理を終了し次の半導体ウエハと入れ替えの処
理からスタートする。

【００２７】前述の、の処理において移動手段４１に
より局所プラズマ発生手段３１を次の未処理の集積回路
に移動する際、図３に示すようにチップ位置４４から処
理をスタートする場合集積回路のチップ配列の一列置き
に移動手段４１により右移動４７と左移動４８を繰り返
し隣合うチップの順に処理を施せばより処理のスループ
ットが向上する。

【００２８】以上のように構成された本実施例の効果に
ついて説明する。

【００２９】半導体ウエハＷの局所又は部分にプラズマ
を作用する局所プラズマ発生手段３１を移動手段４１に
より、半導体ウエハＷの処理範囲の全面に渡って各局所
又は部分ごとに同一状態の均一のプラズマを移動手段に
より作用させることができるので、半導体ウエハを被処
理体の処理範囲内における処理の誤差を抑制でき、被処
理体のプラズマ処理の均一性を向上するとともに、被処
理体の歩留りを向上することができる。また、局所プラ
ズマ発生手段３１で生起させるプラズマを同一状態かつ
均一にしておけば、半導体ウエハＷが８インチ以上の大
口系が進んでもプラズマ源を変更することなく対応が可
能である。さらに、局所プラズマ発生手段３１で生起し
たプラズマの引き出し量を引き出し用電極としてのサセ
プタ７に高周波電力を印加する第一の高周波電源１９の
電力量によって調整できるので、半導体ウエハの処理を
重複して行なう場合、例えば、最初にエッチングレート
２０００Åでエッチング処理を行ない、その後５００Å
で処理したい場合、容易に重複処理が可能となる。

【００３０】次に、第２の実施例について説明を行なう
が、第１の実施例同一部分については同一符合を付けて
説明を省略する。図６に示すように、局所プラズマ発生
手段３１のブロック３３を複数個連設し、移動手段４１
により半導体ウエハＷを一方向、例えば図中Ｘ方向に移
動させるよう構成したものである。このように構成した
ことにより、半導体ウエハＷ上に形成される複数の集積
回路を同時にプラズマ処理可能となり、処理のスループ
ットを向上することができる。

【００３１】次に、第３の実施例について説明を行なう
が、第１の実施例同一部分については同一符合を付けて
説明を省略する。図７に示すように、局所プラズマ発生
手段３１は、平行平板型ではなく第二の高周波電源３９
からの印加側としての棒状の電極３２ａと、この棒状の
電極３２ａの周囲に接地側としての円筒状の電極３２ｂ
を配置し、この電極３２ｂにプラズマ化ガスを導入する
ガス噴出孔３４が穿設され構成されている。このように
構成したことにより、半導体ウエハＷ上に形成される集
積回路又はプラズマの作用域が円状であっても処理を行
なうことができる。

【００３２】次に、第４の実施例について説明を行なう
が、第１の実施例同一部分については同一符合を付けて
説明を省略する。図８に示すように、局所プラズマ発生
手段３１は、筒状の絶縁材料、例えば石英ガラス又はセ
ラミックスで形成された部材７０の上部に渦巻き状のア
ンテナ７１を配置し、このアンテナ７１の両端に高周波
電力を第二の高周波電源３９より供給するよう構成さ
れ、そのアンテナ７１の周囲かつ部材７０の上部にプラ
ズマ化ガスを導入するガス噴出孔３４が穿設されてい
る。このように構成したことにより、局所プラズマ発生
手段３１を並設して設ける場合、部材７０の側方からプ
ラズマ化ガスを導入しないので隙間なく密に局所プラズ
マ発生手段３１を並設することができ、半導体ウエハに
対して処理ムラを生ぜす均一に処理できる。

【００３３】次に、第５の実施例について説明を行なう
が、第１の実施例同一部分については同一符合を付けて
説明を省略する。図９に示すように、局所プラズマ発生
手段３１は、釣り鐘状の絶縁材料、例えば石英ガラス又
はセラミックスで形成された部材７０の側部に渦巻き状
のアンテナ７１を巻き付けて配置し、このアンテナ７１
の両端に高周波電力を第二の高周波電源３９より供給す
るよう構成され、その釣り鐘状の絶縁材料の上部に設け
られた一ヵ所のプラズマ化ガスを導入するガス噴出孔３
４が穿設されている。このように構成したことにより、
プラズマ化ガスを導入するガス噴出孔３４を複数設ける
必要がなく装置のスペースの簡略化を行なうことができ
る。

【００３４】なお、実施例では、被処理体として半導体
ウエハを用いた場合を説明したが、これに限定されず、
例えばＬＣＤ基板でもよく、また加熱／冷却機構として
ペルチェ素子を用いたが冷却機構として液体ヘリウム等
を用いても良いし、また、加熱機構としてヒータを使用
しても良い。さらに、被処理体を載置する載置台は固定
し、局所プラズマ発生手段を移動手段により移動し処理
したが、局所プラズマ発生手段を固定し、被処理体を載
置する載置台を移動手段により移動しても良い。また、
局所プラズマ発生手段のガス噴出孔を一対の電極板の両
方に設けたが他方の電極板だけでも良く、どちらの電極
板にも設けず電極板間にプラズマ化ガスを供給すればど
のような手段でも良い。また、局所プラズマ発生手段の
電極板の片方は高周波電源（ＲＦ）の接地側を接続した
が、位相の異なる、例えば１８０度高周波電力を印加し
ても良い。さらに、移動手段により局所プラズマ発生手
段を移動したが、被処理体上部かつ全面に渡って複数の
局所プラズマ発生手段を固定配置しそれぞれ高周波電力
を独立又は連通させても良い。

【００３５】さらに、実施例では、一例として本発明に
基づくプラズマ処理装置をプラズマエッチング装置に適
用した例を示したが、かかる装置に限定されることな
く、ＣＶＤ装置、アッシング装置、ＬＣＤ装置等のプラ
ズマを生起させ被処理体を処理する装置にも適用するこ
とできる。

【００３６】

【発明の効果】本発明は、被処理体の処理範囲の全面に
渡って部分的に生起した同一状態の均一のプラズマを順
次作用させるので、被処理体の処理範囲内における処理
の誤差を抑制でき、被処理体のプラズマ処理の均一性を
向上するとともに、被処理体の歩留りを向上することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１の実施例が適用されるプラズ
マエッチング装置の概略的な断面図である。

【図２】図１の局所プラズマ発生手段の部分斜視図であ
る。

【図３】図１の局所プラズマ発生手段の移動手段による
移動及び処理の作用を説明する被処理体の概略図であ
る。

【図４】図１の局所プラズマ発生手段の作用を説明する
部分断面図である。

【図５】図１の局所プラズマ発生手段の作用を説明する
流れ図である。

【図６】第２の実施例を説明する局所プラズマ発生手段
の部分斜視図である。

【図７】第３の実施例を説明する局所プラズマ発生手段
の部分斜視図である。

【図８】第４の実施例を説明する局所プラズマ発生手段
の部分斜視図である。

【図９】第５の実施例を説明する局所プラズマ発生手段
の部分斜視図である。

【符号の説明】

１プラズマエッチング装置（プラズマ処理装置）２処理室４載置台１９第一の高周波電源２６制御器３１局所プラズマ発生手段３３ブロック３４ガス噴出孔３９第二の高周波電源Ｗ被処理体（半導体ウエハ）

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23F 4/00 H05H 1/46

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】気密に構成された処理室内に被処理体を
載置台に載置し、プラズマを発生させ前記被処理体を処
理するプラズマ処理装置において、前記載置台と対向し
て配置され、前記被処理体に部分的にプラズマを作用す
るための局所プラズマ発生手段と、この局所プラズマ発
生手段を移動させる移動手段とを備え、さらに前記載置
台に高周波電力を印加する高周波電源と電力制御手段を
備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】前記局所プラズマ発生手段により生起し
たプラズマを前記被処理体に作用する部分は少なくとも
前記被処理体に形成される１つの集積回路の範囲以上で
あることを特徴とする請求項１のプラズマ処理装置。
【請求項３】前記局所プラズマ発生手段にプラズマ化
ガスを供給するガス供給管は前記プラズマ発生手段の移
動に追随して伸縮自在であることを特徴とする請求項１
または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】気密に構成された処理室内に被処理体を
載置台に載置し、プラズマを発生させ前記被処理体を処
理するプラズマ処理方であって、局所プラズマを発生させる局所プラズマ発生手段を、前
記被処理体の未処理集積回路上に移動して位置決めする
第１工程と、前記局所プラズマ発生手段により局所プラズマを生成す
る第２工程と、前記載置台に載置された前記被処理体に対して、前記局
所プラズマを引き込む電力量の高周波電力を前記載置台
に印加して、前記未処理集積回路に対して所定の処理を
行う第３工程と、前記未処理集積回路に対する処理の終了後に前記載置台
に印加される高周波電力を前記局所プラズマが引き込ま
ない電力量に下げる第４工程と、前記第１〜第４工程を前記被処理体上に未処理集積回路
がなくなるまで反復する第５工程と、前記被処理体のすべての処理が終了した後に前記局所プ
ラズマを停止する第６工程と、から成ることを特徴とす
るプラズマ処理方法。