JP3199556B2 - Cooled amplifier - Google Patents
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- Microwave Amplifiers (AREA)
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、冷却型増幅器に関し、
特にマイクロ波又はミリ波で使用される冷却型増幅器に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cooled amplifier,
In particular, it relates to a cooled amplifier used in microwave or millimeter waves.
【0002】[0002]
【従来の技術】マイクロ波帯域又はミリ波帯域で使用さ
れる低雑音増幅器においては増幅器自体が冷却され、低
雑音化が図られる。この種の低雑音増幅器は一般に冷却
型低雑音増幅器と呼ばれ、種々の提案がなされている。
また、高出力型増幅器においても増幅器自体が冷却さ
れ、高出力化や高効率化が図られる。2. Description of the Related Art In a low-noise amplifier used in a microwave band or a millimeter wave band, the amplifier itself is cooled to reduce noise. This kind of low noise amplifier is generally called a cooled low noise amplifier, and various proposals have been made.
Further, even in a high-output type amplifier, the amplifier itself is cooled, and high output and high efficiency are achieved.
【0003】図7は電子情報通信学会技術研究報告MW
92−149「HEMT直接冷却型低雑音増幅器」にお
いて報告された冷却型低雑音増幅器の構造を示す。この
図7に示す冷却型低雑音増幅器において電子冷却素子1
の冷却面に低雑音増幅器(HEMTデバイス)2が装荷
される。電子冷却素子1はペルティエ効果を利用したデ
バイスであり、電圧の供給により冷却作用が得られる。FIG. 7 is a technical report MW of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers.
9 shows the structure of a cooled low noise amplifier reported in 92-149 “HEMT Direct Cooled Low Noise Amplifier”. In the cooled low noise amplifier shown in FIG.
A low-noise amplifier (HEMT device) 2 is loaded on the cooling surface. The electronic cooling element 1 is a device using the Peltier effect, and a cooling effect is obtained by supplying a voltage.
【0004】前記電子冷却素子1及び低雑音増幅器2は
増幅器筐体3の中央部キャビティ内に取付けられる。増
幅器筐体3の周辺部には互いに対向する位置において外
部入力端子4及び外部出力端子5が配設される。外部入
力端子4と低雑音増幅器2の入力端子との間には短冊形
状を有するマイクロストリップ線路基板6が配設され
る。同様に、外部出力端子5と低雑音増幅器2の出力端
子との間には短冊形状を有するマイクロストリップ線路
基板7が配設される。The thermoelectric cooler 1 and the low noise amplifier 2 are mounted in a central cavity of an amplifier housing 3. An external input terminal 4 and an external output terminal 5 are provided in a peripheral portion of the amplifier housing 3 at positions facing each other. A microstrip line substrate 6 having a strip shape is disposed between the external input terminal 4 and the input terminal of the low noise amplifier 2. Similarly, a strip-shaped microstrip line substrate 7 is provided between the external output terminal 5 and the output terminal of the low noise amplifier 2.
【0005】前記冷却型低雑音増幅器においては外部入
力端子4からマイクロ波又はミリ波の伝送波が入力され
る。この伝送波はマイクロストリップ線路基板6の金属
導体6Cを伝達し、伝達された伝送波は低雑音増幅器2
に入力される。入力された伝送波は低雑音増幅器2で増
幅される。増幅された伝送波は低雑音増幅器2から出力
され、この伝送波はマイクロストリップ線路基板7の金
属導体7C及び外部出力端子5を通して出力される。[0005] In the cooled low-noise amplifier, a microwave or millimeter wave transmission wave is input from an external input terminal 4. This transmission wave is transmitted through the metal conductor 6C of the microstrip line substrate 6, and the transmitted transmission wave is transmitted to the low noise amplifier 2
Is input to The input transmission wave is amplified by the low noise amplifier 2. The amplified transmission wave is output from the low-noise amplifier 2, and this transmission wave is output through the metal conductor 7C of the microstrip line substrate 7 and the external output terminal 5.
【0006】このとき、低雑音増幅器2で発生する熱、
及び外部からマイクロストリップ線路6、7の各々を伝
達して低雑音増幅器2に流入する熱が電子冷却素子1の
冷却面で吸収され、低雑音増幅器2が冷却される。電子
冷却素子1の冷却面と増幅器筐体3との間には中央部キ
ャビティで空間が形成されており、電子冷却素子1の冷
却面に流込む熱量が減少され、低雑音増幅器2の冷却効
率が高められる。At this time, heat generated in the low noise amplifier 2
Also, the heat that is transmitted to the microstrip lines 6 and 7 from the outside and flows into the low-noise amplifier 2 is absorbed by the cooling surface of the electronic cooling element 1, and the low-noise amplifier 2 is cooled. A space is formed in the central cavity between the cooling surface of the electronic cooling element 1 and the amplifier housing 3, the amount of heat flowing into the cooling surface of the electronic cooling element 1 is reduced, and the cooling efficiency of the low noise amplifier 2 is reduced. Is enhanced.
【0007】さらに、マイクロストリップ線路基板6及
び7が短冊形状で形成され、電子冷却素子1の冷却面と
増幅器筐体3との間に橋渡し構造において連結がなされ
ている。つまり、電子冷却素子1の冷却面に流込む熱量
が減少され、この点においても低雑音増幅器2の冷却効
率が高められている。Further, the microstrip line substrates 6 and 7 are formed in a strip shape, and are connected between the cooling surface of the electronic cooling element 1 and the amplifier housing 3 in a bridge structure. That is, the amount of heat flowing into the cooling surface of the electronic cooling element 1 is reduced, and also in this regard, the cooling efficiency of the low noise amplifier 2 is improved.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
冷却型低雑音増幅器においては以下の点の配慮がなされ
ていない。However, the following points are not taken into consideration in the above-mentioned cooled low noise amplifier.
【0009】第1に、マイクロストリップ線路基板6が
短冊形状に形成されているが、増幅器筐体3の外部入力
端子4と低雑音増幅器2の入力端子との間が金属導体6
Cで接続される。このため、金属導体6Cを通して低雑
音増幅器2に流込む熱量が大きくなり、低雑音増幅器2
の冷却が充分に行えない。First, although the microstrip line substrate 6 is formed in a strip shape, a metal conductor 6 is provided between the external input terminal 4 of the amplifier housing 3 and the input terminal of the low noise amplifier 2.
Connected with C. Therefore, the amount of heat flowing into the low noise amplifier 2 through the metal conductor 6C increases, and
Cannot be cooled sufficiently.
【0010】第2に、マイクロストリップ線路基板6の
長さを長くし、またマイクロストリップ線路基板6の幅
を小さくすれば、前記低雑音増幅器2に流込む熱量が減
少でき、低雑音増幅器2の冷却が充分に行える。ところ
が、逆に金属導体6Cの電気抵抗が増大し、伝送波の伝
送損失が増大する。Second, if the length of the microstrip line substrate 6 is increased and the width of the microstrip line substrate 6 is reduced, the amount of heat flowing into the low-noise amplifier 2 can be reduced, and the low-noise amplifier 2 Cooling can be performed sufficiently. However, conversely, the electric resistance of the metal conductor 6C increases, and the transmission loss of the transmission wave increases.
【0011】本発明は、このような問題点を解決するこ
とを課題としてなされたものであり、線路基板を伝送す
る伝送波の伝送損失を増大せずに、増幅器に流込む熱量
が減少できる冷却型増幅器の提供を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has been made in order to reduce the amount of heat flowing into an amplifier without increasing the transmission loss of a transmission wave transmitted through a line substrate. The purpose is to provide a type amplifier.
【0012】さらに、本発明は小型化された冷却型増幅
器の提供を目的とする。Another object of the present invention is to provide a miniaturized cooled amplifier.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、請求項1に記載された発明は、冷却機能を有
する電子冷却素子の冷却面に配設された増幅器を備え、
マイクロストリップ線路を通して前記増幅器に伝送波が
入力され、又は前記増幅器から増幅された伝送波が出力
される冷却型増幅器において、前記マイクロストリップ
線路が熱伝達経路を遮断する形状で分割され、前記分割
されたマイクロストリップ線路間が波長結合線路を介し
て接続されたことを特徴とする。In order to achieve the above object, the invention described in claim 1 comprises an amplifier disposed on a cooling surface of an electronic cooling element having a cooling function,
In a cooled amplifier in which a transmission wave is input to the amplifier through a microstrip line or a transmission wave amplified from the amplifier is output, the microstrip line is divided in a shape that interrupts a heat transfer path, and the divided The microstrip lines are connected via a wavelength coupling line.
【0014】請求項2に記載された発明は、前記請求項
1に記載される冷却型増幅器において、前記波長結合線
路が直流カット機能を有する1/4波長結合線路で構成
されることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the cooled amplifier according to the first aspect, the wavelength coupling line is formed of a quarter wavelength coupling line having a DC cut function. I do.
【0015】請求項3に記載された発明は、冷却機能を
有する電子冷却素子の冷却面に配設された増幅器を備
え、マイクロストリップ線路を通して前記増幅器に伝送
波が入力され、又は前記増幅器から増幅された伝送波が
出力される冷却型増幅器において、前記マイクロストリ
ップ線路が熱伝達経路を遮断する形状で分割され、前記
分割されたマイクロストリップ線路間がインタデジタル
キャパシタを介して接続されたことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided an amplifier provided on a cooling surface of an electronic cooling element having a cooling function, and a transmission wave is input to the amplifier through a microstrip line or amplified from the amplifier. Wherein the microstrip line is divided so as to cut off a heat transfer path, and the divided microstrip lines are connected via an interdigital capacitor. And
【0016】請求項4に記載された発明は、冷却機能を
有する電子冷却素子の冷却面に配設された増幅器を備
え、マイクロストリップ線路を通して前記増幅器に伝送
波が入力され、又は前記増幅器から増幅された伝送波が
出力される冷却型増幅器において、前記マイクロストリ
ップ線路の一部分に線路幅が細く形成されたインダクタ
部が設けられたことを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an amplifier provided on a cooling surface of an electronic cooling element having a cooling function, and a transmission wave is input to the amplifier through a microstrip line or amplified from the amplifier. In the cooled amplifier outputting the transmitted transmission wave, an inductor having a narrow line width is provided in a part of the microstrip line.
【0017】請求項5に記載された発明は、冷却機能を
有する電子冷却素子の冷却面に配設された増幅器を備
え、前記増幅器に伝送波が入力され、又は前記増幅器か
ら増幅された伝送波が出力される冷却型増幅器におい
て、前記増幅器への伝送波の入力、又は前記増幅器から
増幅された伝送波の出力を行うコプレーナ線路基板を前
記冷却面に接着剤で接合したことを特徴とする。The invention described in claim 5 has a cooling function.
An amplifier provided on the cooling surface of the electronic cooling element
The transmission wave is input to the amplifier or the amplifier
-Type amplifier that outputs amplified transmission waves
Input of the transmission wave to the amplifier, or from the amplifier
In front of the coplanar line substrate that outputs the amplified transmission wave
The cooling surface is bonded with an adhesive .
【0018】請求項6に記載された発明は、冷却機能を
有する電子冷却素子の冷却面に配設された増幅器を備
え、前記増幅器に伝送波が入力され、又は前記増幅器か
ら増幅された伝送波が出力される冷却型増幅器におい
て、前記増幅器への伝送波の入力、又は前記増幅器から
増幅された伝送波の出力を行うスロット線路基板を設け
たことを特徴とする。The invention described in claim 6 has a cooling function.
An amplifier provided on the cooling surface of the electronic cooling element
The transmission wave is input to the amplifier or the amplifier
-Type amplifier that outputs amplified transmission waves
Input of the transmission wave to the amplifier, or from the amplifier
A slot line board that outputs the amplified transmission wave is provided.
Characterized in that was.
【0019】請求項7に記載された発明は、冷却機能を
有する電子冷却素子の冷却面に配設された増幅器を備
え、前記増幅器に伝送波が入力され、又は前記増幅器か
ら増幅された伝送波が出力される冷却型増幅器におい
て、前記増幅器への伝送波の入力、又は前記増幅器から
増幅された伝送波の出力を行うスロット線路基板を設
け、前記スロット線路基板のスロット線路に熱伝達経路
を遮断する形状でチョーク部が設けられたことを特徴と
する。The invention described in claim 7 has a cooling function.
An amplifier provided on the cooling surface of the electronic cooling element
The transmission wave is input to the amplifier or the amplifier
-Type amplifier that outputs amplified transmission waves
Input of the transmission wave to the amplifier, or from the amplifier
Install a slot line board to output the amplified transmission wave.
Heat transfer path through the slot line of the slot line substrate.
Characterized in that a choke portion is provided so as to block the air flow .
【0020】請求項8に記載される発明は、前記請求項
7に記載される冷却型増幅器において、前記チョーク部
が1/4波長チョーク部で構成されることを特徴とす
る。[0020] The invention described in claim 8 is the above-described claim.
7. The cooled amplifier according to 7, wherein the choke portion is
Is constituted by a quarter-wave choke section .
【0021】[0021]
【作用】[Action]
請求項1に記載された発明においては、第1In the invention described in claim 1, the first
に、前記マイクロストリップ線路の分割で熱伝達経路がIn addition, the heat transfer path is divided by dividing the microstrip line.
遮断され、マイクロストリップ線路を通じて増幅器に流Is interrupted and flows to the amplifier through the microstrip line.
込む熱量が減少されるので、前記冷却型増幅器の冷却性Since the amount of heat entering is reduced, the cooling performance of the cooled amplifier
能が向上できる。Performance can be improved.
【0022】また、請求項1に記載された発明において
は、第2に、前記分割されたマイクロストリップ線路は
波長結合線路を介して相互に接続され、マイクロストリ
ップ線路を伝送する伝送波の電気的特性に影響を及ぼさ
ないので、前記伝送波の損失が防止できる。 Further , in the invention described in claim 1,
Second, the divided microstrip line is
Interconnected through a wavelength coupling line,
Affects the electrical characteristics of the transmission wave transmitted through the
Since there is no transmission wave, loss of the transmission wave can be prevented.
【0023】請求項2に記載された発明においては、前
記波長結合線路が直流カット機能を有する1/4波長結
合線路で構成されるので、冷却型増幅器の小型化ができ
る。請求項3に記載された発明においては、第1に、前
記インタデジタルキャパシタで前記マイクロストリップ
線路の熱伝達経路が遮断され、マイクロストリップ線路
を通じて増幅器に流込む熱量が減少されるので、前記冷
却型増幅器の冷却性能が向上できる。第2に、前記マイ
クロストリップ線路はインタデジタルキャパシタを介し
て相互に接続され、マイクロストリップ線路を伝送する
伝送波の電気的特性に影響を及ぼさないので、前記伝送
波の損失が防止できる。第3に、前記インタデジタルキ
ャパシタにおいては、直流カット機能を有し、容量値を
適宜選択することで増幅器の整合回路の一部として使用
できるので、増幅器自体が小型化され、結果的に冷却型
増幅器の小型化ができる。According to the second aspect of the present invention, since the wavelength coupling line is formed of a quarter wavelength coupling line having a DC cut function, the size of the cooled amplifier can be reduced. In the invention described in claim 3, first, the heat transfer path of the microstrip line is cut off by the interdigital capacitor, and the amount of heat flowing into the amplifier through the microstrip line is reduced. The cooling performance of the amplifier can be improved. Second, since the microstrip lines are connected to each other via an interdigital capacitor and do not affect the electrical characteristics of the transmission wave transmitted through the microstrip line, loss of the transmission wave can be prevented. Third, the interdigital capacitor has a direct current cut function and can be used as a part of a matching circuit of the amplifier by appropriately selecting a capacitance value. The size of the amplifier can be reduced.
【0024】請求項4に記載された発明においては、第
1に、前記マイクロストリップ線路に形成されたインダ
クタ部で熱伝達経路の抵抗値が増加され、マイクロスト
リップ線路を通じて増幅器に流込む熱量が減少されるの
で、前記冷却型増幅器の冷却性能が向上できる。第2
に、前記インダクタ部は増幅器の整合回路の一部として
使用できるので、増幅器自体が小型化され、結果的に冷
却型増幅器の小型化ができる。In the invention described in claim 4, first, the resistance value of the heat transfer path is increased in the inductor portion formed in the microstrip line, and the amount of heat flowing into the amplifier through the microstrip line is reduced. Therefore, the cooling performance of the cooling amplifier can be improved . The second
In addition, since the inductor section can be used as a part of a matching circuit of the amplifier, the size of the amplifier itself is reduced, and as a result, the size of the cooled amplifier can be reduced.
【0025】請求項5に記載された発明においては、第
1に、マイクロストリップ線路基板と比較してコプレー
ナ線路基板の基板裏面には導体が存在しないので、前記
コプレーナ線路基板を通じて増幅器に流込む熱量が減少
され、前記冷却型増幅器の冷却性能が向上できる。第2
に、マイクロストリップ線路を伝送する伝送波の電気的
特性には影響がないので、前記伝送波の損失が防止でき
る。 According to the fifth aspect of the present invention, first, as compared with a microstrip line substrate,
Since there is no conductor on the backside of the substrate,
Reduces the amount of heat flowing into the amplifier through the coplanar line substrate
Thus, the cooling performance of the cooling amplifier can be improved. Second
In addition, the electrical characteristics of the transmission wave transmitted through the microstrip line
Since the characteristics are not affected, loss of the transmission wave can be prevented.
You.
【0026】また、請求項5に記載された発明において
は、第3に、前記コプレーナ線路基板と電子冷却素子の
冷却面又は増幅器筐体との間の接合に半田等の導電性接
着剤を使用する必要がなくなる。すなわち、導電性接着
剤を使用しない結果、前記熱伝達経路の抵抗値がより一
層増加できるので、冷却型増幅器の冷却性能が一段と向
上できる。さらに、導電性接着剤に比較して接着作業が
簡単な絶縁性接着剤が使用できる。 Further, in the invention described in claim 5,
Third, the coplanar waveguide substrate and the electronic cooling element
Conductive connection such as solder to the connection between the cooling surface and the amplifier housing
There is no need to use an adhesive. That is, conductive bonding
As a result of using no agent, the resistance value of the heat transfer path is more reduced.
Since the number of layers can be increased, the cooling performance of the cooled amplifier is further improved.
I can do it. In addition, the bonding work is
A simple insulating adhesive can be used.
【0027】請求項6に記載された発明においては、第
1に、マイクロストリップ線路基板と比較してスロット
線路基板の基板裏面には導体が存在しないので、前記ス
ロット線路基板を通じて増幅器に流込む熱量が減少さ
れ、前記冷却型増幅器の冷却性能が向上できる。第2
に、マイクロストリップ線路を伝送する伝送波の電気的
特性には影響がないので、前記伝送波の損失が防止でき
る。第3に、前記スロット線路基板と電子冷却素子の冷
却面又は増幅器筐体との間の接合に半田等の導電性接着
剤を使用する必要がなくなる。すなわち、導電性接着剤
を使用しない結果、前記熱伝達経路の抵抗値がより一層
増加できるので、冷却型増幅器の冷却性能が一段と向上
できる。さらに、導電性接着剤に比較して接着作業が簡
単な絶縁性接着剤が使用できる。In the invention according to claim 6 , first, since no conductor is present on the back surface of the slot line substrate compared to the microstrip line substrate, the amount of heat flowing into the amplifier through the slot line substrate is reduced. And the cooling performance of the cooled amplifier can be improved. Second
In addition, since the electrical characteristics of the transmission wave transmitted through the microstrip line are not affected, loss of the transmission wave can be prevented. Third, it is not necessary to use a conductive adhesive such as solder for joining between the slot line substrate and the cooling surface of the electronic cooling element or the amplifier housing. That is, as a result of not using the conductive adhesive, the resistance value of the heat transfer path can be further increased, so that the cooling performance of the cooling amplifier can be further improved. Further, an insulative adhesive that can be easily bonded as compared to a conductive adhesive can be used.
【0028】請求項7に記載された発明においては、前
記請求項6に記載された発明で得られる作用効果の他
に、第1に、前記スロット線路基板のスロット線路に形
成されたチョーク部で熱伝達経路が遮断され、スロット
線路を通じて増幅器に流込む熱量が減少されるので、前
記冷却型増幅器の冷却性能が向上できる。第2に、前記
スロット線路はチョーク部を介して相互に接続され、ス
ロット線路を伝送する伝送波の電気的特性に影響を及ぼ
さないので、前記伝送波の損失が防止できる。According to the invention described in claim 7 , in addition to the operation and effect obtained by the invention described in claim 6 , first, the choke portion formed in the slot line of the slot line substrate may be used. Since the heat transfer path is cut off and the amount of heat flowing into the amplifier through the slot line is reduced, the cooling performance of the cooled amplifier can be improved. Second, since the slot lines are connected to each other via a choke portion and do not affect the electrical characteristics of a transmission wave transmitted through the slot line, loss of the transmission wave can be prevented.
【0029】請求項8に記載された発明においては、前
記請求項2に記載された発明で得られる作用効果と同様
の作用効果が得られる。According to the eighth aspect of the invention, the same operation and effect as those obtained by the second aspect of the invention can be obtained.
【0030】[0030]
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について、図面
に基づき説明する。本実施例に係る冷却型低雑音増幅器
の全体の基本的構成は前述の図7に示す冷却型低雑音増
幅器と同一である。実施例1、実施例2、実施例3及び
実施例6においては冷却型低雑音増幅器の要部だけを示
し、説明が重複する場合にはこの重複する説明は省略す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The overall basic configuration of the cooled low noise amplifier according to the present embodiment is the same as that of the cooled low noise amplifier shown in FIG. In the first, second, third, and sixth embodiments, only the main part of the cooled low-noise amplifier is shown, and in the case where the description is duplicated, the duplicate description will be omitted.
【0031】実施例1 請求項1及び請求項2に係る発明である冷却型低雑音増
幅器のマイクロストリップ線路基板の構成を図1に示
す。 Embodiment 1 FIG. 1 shows the configuration of a microstrip line substrate of a cooled low noise amplifier according to the first and second aspects of the present invention.
【0032】図1に示すように、冷却型低雑音増幅器の
マイクロストリップ線路基板8の表面上にマイクロスト
リップ線路としての金属導体9が構成される。マイクロ
ストリップ線路基板8は伝送波が伝達される方向に沿っ
て細長い短冊形状で形成される。金属導体9は前述の図
7に示す外部入力端子4と低雑音増幅器2の入力端子と
の間の入力間又は外部出力端子5と低雑音増幅器2の出
力端子との間の出力間において伝送波を伝送する。伝送
波としてはマイクロ波又はミリ波が使用される。As shown in FIG. 1, a metal conductor 9 as a microstrip line is formed on the surface of a microstrip line substrate 8 of a cooled low noise amplifier. The microstrip line substrate 8 is formed in an elongated strip shape along the direction in which the transmission wave is transmitted. The metal conductor 9 is transmitted between the input between the external input terminal 4 and the input terminal of the low-noise amplifier 2 or between the output between the external output terminal 5 and the output terminal of the low-noise amplifier 2 shown in FIG. Is transmitted. Microwaves or millimeter waves are used as transmission waves.
【0033】前記金属導体9の中央部分には波長結合線
路10が構成され、金属導体9自体で形成される熱伝達
経路が遮断される形状において波長結合線路10が形成
される。すなわち、入力間の波長結合線路10において
は、金属導体9が外部入力端子4側及び低雑音増幅器2
側に分割され、金属導体9の分割された一部分が伝送波
が伝達される方向に沿って一定間隔を保持しつつ離隔さ
れる。同様に、出力間の波長結合線路10においては、
金属導体9が外部出力端子5側及び低雑音増幅器2側に
分割され、金属導体9の分割された一部分が伝送波が伝
達される方向に沿って一定間隔を保持しつつ離隔され
る。この波長結合線路10は直流カット機能を有する概
略1/4波長の結合線路で構成される。A wavelength coupling line 10 is formed at the center of the metal conductor 9, and the wavelength coupling line 10 is formed in such a shape that a heat transfer path formed by the metal conductor 9 itself is cut off. That is, in the wavelength coupling line 10 between inputs, the metal conductor 9 is connected to the external input terminal 4 side and the low noise amplifier 2.
The divided portions of the metal conductor 9 are separated from each other while maintaining a constant interval along the direction in which the transmission wave is transmitted. Similarly, in the wavelength coupling line 10 between outputs,
The metal conductor 9 is divided into the external output terminal 5 side and the low noise amplifier 2 side, and the divided portions of the metal conductor 9 are separated from each other while maintaining a constant interval along the direction in which the transmission wave is transmitted. The wavelength coupling line 10 is constituted by a coupling line of approximately 1/4 wavelength having a DC cut function.
【0034】以上説明したように、請求項1に記載され
た発明においては、第1に、前記マイクロストリップ線
路としての金属導体9の分割で熱伝達経路が遮断され、
金属導体9を通じて低雑音増幅器2に流込む熱量が減少
されるので、前記冷却型増幅器の冷却性能が向上でき
る。As described above, in the first aspect of the present invention, first, the heat transfer path is cut off by dividing the metal conductor 9 as the microstrip line,
Since the amount of heat flowing into the low noise amplifier 2 through the metal conductor 9 is reduced, the cooling performance of the cooling amplifier can be improved.
【0035】第2に、前記分割された金属導体9は波長
結合線路10を介して相互に接続され、金属導体9を伝
送する伝送波の電気的特性に影響を及ぼさないので、前
記伝送波の損失が防止できる。Second, the divided metal conductors 9 are connected to each other via a wavelength coupling line 10 and do not affect the electrical characteristics of the transmission wave transmitted through the metal conductor 9. Loss can be prevented.
【0036】さらに、請求項2に記載された発明におい
ては、前記波長結合線路10が直流カット機能を有する
1/4波長結合線路で構成されるので、冷却型増幅器の
小型化ができる。Further, according to the second aspect of the present invention, since the wavelength coupling line 10 is formed of a quarter wavelength coupling line having a DC cut function, the size of the cooled amplifier can be reduced.
【0037】実施例2 請求項3に係る発明である冷却型低雑音増幅器のマイク
ロストリップ線路基板の構成を図2に示す。 Embodiment 2 FIG. 2 shows the configuration of a microstrip line substrate of a cooled low noise amplifier according to a third embodiment of the present invention.
【0038】図2に示すように、冷却型低雑音増幅器の
マイクロストリップ線路基板8の表面上にマイクロスト
リップ線路として形成された金属導体9において、中央
部分にインタデジタルキャパシタ11が構成される。基
本的な構成は前述の実施例1の波長結合線路10と同様
で、金属導体9自体で形成される熱伝達経路が遮断され
る形状においてインタデジタルキャパシタ11が形成さ
れる。すなわち、インタデジタルキャパシタ11におい
ては、金属導体9が分割され、金属導体9の分割された
双方の一部分がインタデジタルキャパシタ11の電極と
して構成される。双方の電極間は一定間隔で離隔され
る。また、双方の電極は各々櫛型形状で構成され、双方
の電極は相互に食込む配置がなされる。As shown in FIG. 2, in a metal conductor 9 formed as a microstrip line on the surface of a microstrip line substrate 8 of a cooled low-noise amplifier, an interdigital capacitor 11 is formed at the center. The basic configuration is the same as that of the wavelength coupling line 10 of the first embodiment, and the interdigital capacitor 11 is formed in a shape in which the heat transfer path formed by the metal conductor 9 itself is cut off. That is, in the interdigital capacitor 11, the metal conductor 9 is divided, and both divided portions of the metal conductor 9 are configured as electrodes of the interdigital capacitor 11. The two electrodes are separated at a constant interval. Further, both electrodes are each formed in a comb shape, and both electrodes are arranged so as to bite each other.
【0039】さらに、インタデジタルキャパシタ11は
直流カット機能を有し、また容量値が適宜選択され、低
雑音増幅器2の整合回路の一部としてインタデジタルキ
ャパシタ11が使用される。Further, the interdigital capacitor 11 has a DC cut function, the capacitance value is appropriately selected, and the interdigital capacitor 11 is used as a part of the matching circuit of the low noise amplifier 2.
【0040】以上説明したように、請求項3に記載され
た発明においては、第1に、前記インタデジタルキャパ
シタ11で前記マイクロストリップ線路としての金属導
体9の熱伝達経路が遮断され、金属導体9を通じて低雑
音増幅器2に流込む熱量が減少されるので、前記冷却型
増幅器の冷却性能が向上できる。As described above, in the third aspect of the present invention, first, the heat transfer path of the metal conductor 9 as the microstrip line is cut off by the interdigital capacitor 11, The amount of heat flowing into the low-noise amplifier 2 through the filter is reduced, so that the cooling performance of the cooling amplifier can be improved.
【0041】第2に、前記金属導体9はインタデジタル
キャパシタ11を介して相互に接続され、金属導体9を
伝送する伝送波の電気的特性に影響を及ぼさないので、
前記伝送波の損失が防止できる。Second, since the metal conductors 9 are connected to each other via an interdigital capacitor 11 and do not affect the electrical characteristics of a transmission wave transmitted through the metal conductor 9,
The transmission wave loss can be prevented.
【0042】第3に、前記インタデジタルキャパシタ1
1においては、直流カット機能を有し、容量値を適宜選
択することで低雑音増幅器2の整合回路の一部として使
用できるので、低雑音増幅器2自体が小型化され、結果
的に冷却増幅器の小型化ができる。Third, the interdigital capacitor 1
1 has a DC cut function, and can be used as a part of a matching circuit of the low noise amplifier 2 by appropriately selecting a capacitance value. Therefore, the low noise amplifier 2 itself is reduced in size, and as a result, a cooling amplifier is used. Can be downsized.
【0043】実施例3 請求項4に係る発明である冷却型低雑音増幅器のマイク
ロストリップ線路基板の構成を図3に示す。 Embodiment 3 FIG. 3 shows the configuration of a microstrip line substrate of a cooled low noise amplifier according to the fourth aspect of the present invention.
【0044】図3に示すように、冷却型低雑音増幅器の
マイクロストリップ線路基板8の表面上にマイクロスト
リップ線路として形成された金属導体9において、中央
部分にインダクタ部12が構成される。インダクタ部1
2は金属導体9の一部分の線路幅を細く形成したもので
あり、金属導体9の線路幅に比べてインダクタ部12の
線路幅が細く形成される。金属導体9は例えば50Ωの
抵抗値に設定されるが、インダクタ部12はこの数値に
比べて高いインピーダンスに設定される。前記インダク
タ部12は熱伝達経路の抵抗値を増加し、低雑音増幅器
2又は電子冷却素子1に流込む熱量が減少できる。As shown in FIG. 3, an inductor portion 12 is formed at the center of a metal conductor 9 formed as a microstrip line on the surface of a microstrip line substrate 8 of a cooled low noise amplifier. Inductor part 1
Reference numeral 2 denotes a portion in which the line width of a portion of the metal conductor 9 is formed to be small. The line width of the inductor portion 12 is formed to be smaller than the line width of the metal conductor 9. The metal conductor 9 is set to have a resistance value of, for example, 50Ω, while the inductor section 12 is set to have a higher impedance than this numerical value. The inductor section 12 can increase the resistance value of the heat transfer path and reduce the amount of heat flowing into the low noise amplifier 2 or the electronic cooling element 1.
【0045】さらに、前記インダクタ部12は直列のイ
ンダクタとして低雑音増幅器2の整合回路の一部に使用
され、冷却型低雑音増幅器の小型化が図れる。Further, the inductor section 12 is used as a series inductor in a part of the matching circuit of the low noise amplifier 2, so that the cooling type low noise amplifier can be downsized.
【0046】以上説明したように、請求項4に記載され
た発明においては、第1に、前記マイクロストリップ線
路としての金属導体9の一部に形成されたインダクタ部
12で熱伝達経路の抵抗値が増加され、マイクロストリ
ップ線路を通じて低雑音増幅器2に流込む熱量が減少さ
れるので、前記冷却型増幅器の冷却性能が向上できる。As described above, in the invention according to the fourth aspect, first, the resistance value of the heat transfer path is determined by the inductor portion 12 formed on a part of the metal conductor 9 as the microstrip line. Is increased, and the amount of heat flowing into the low noise amplifier 2 through the microstrip line is reduced, so that the cooling performance of the cooled amplifier can be improved.
【0047】第2に、前記マイクロストリップ線路とし
ての金属導体9はインダクタ部12を介して相互に接続
され、金属導体9を伝送する伝送波の電気的特性に影響
を及ぼさないので、前記伝送波の損失が防止できる。Second, since the metal conductors 9 as the microstrip lines are connected to each other via the inductor section 12 and do not affect the electrical characteristics of the transmission wave transmitted through the metal conductor 9, the transmission wave Loss can be prevented.
【0048】第3に、前記インダクタ部12は低雑音増
幅器2の整合回路の一部として使用できるので、低雑音
増幅器2自体が小型化され、結果的に冷却型低雑音増幅
器の小型化ができる。Third, since the inductor section 12 can be used as a part of the matching circuit of the low-noise amplifier 2, the low-noise amplifier 2 itself is reduced in size, and as a result, the cooled low-noise amplifier can be reduced in size. .
【0049】実施例4 他の実施例の 冷却型低雑音増幅器の構成を図4に示す。Embodiment 4 FIG. 4 shows the configuration of a cooled low-noise amplifier according to another embodiment .
【0050】図4に示すように、冷却型低雑音増幅器に
おいてはマイクロストリップ線路基板6と電子冷却素子
1の冷却面との間及びマイクロストリップ線路基板7と
電子冷却素子1の冷却面との間に各々チップコンデンサ
14が配設される。前記マイクロストリップ線路基板6
の裏面上、マイクロストリップ線路基板7の裏面上には
各々金属導体13が形成される。前記電子冷却素子1の
冷却面上には金属キャリア15が配設され、この金属キ
ャリア15の表面上に低雑音増幅器2が配設される。As shown in FIG. 4, in the cooled low noise amplifier, between the microstrip line substrate 6 and the cooling surface of the electronic cooling element 1, and between the microstrip line substrate 7 and the cooling surface of the electronic cooling element 1. Are each provided with a chip capacitor 14. The microstrip line substrate 6
And a metal conductor 13 is formed on the back surface of the microstrip line substrate 7, respectively. A metal carrier 15 is disposed on a cooling surface of the electronic cooling element 1, and a low noise amplifier 2 is disposed on a surface of the metal carrier 15.
【0051】前記チップコンデンサ14は金属導体13
に比べて熱伝導率が小さく形成される。詳細には、チッ
プコンデンサ14はマイクロストリップ線路基板6、7
の各々の金属導体13と金属キャリア15との間に配置
される。従って、金属導体13から金属キャリア15ま
での熱伝達経路においてチップコンデンサ14が熱抵抗
体として作用し、熱伝達経路の抵抗値が増加できるの
で、金属導体13から金属キャリア15に達する熱量が
減少できる。The chip capacitor 14 is a metal conductor 13
The thermal conductivity is formed to be smaller than that of. Specifically, the chip capacitor 14 is connected to the microstrip line substrates 6, 7
Are arranged between each metal conductor 13 and the metal carrier 15. Accordingly, in the heat transfer path from the metal conductor 13 to the metal carrier 15, the chip capacitor 14 acts as a thermal resistor, and the resistance value of the heat transfer path can be increased, so that the amount of heat reaching the metal carrier 15 from the metal conductor 13 can be reduced. .
【0052】前記金属導体13を伝送する伝送波は損失
を生じないでチップコンデンサ14を通過できる。さら
に、前記チップコンデンサ14は低雑音増幅器2の整合
回路の一部に使用され、冷却型低雑音増幅器の小型化が
図れる。The transmission wave transmitted through the metal conductor 13 can pass through the chip capacitor 14 without causing any loss. Further, the chip capacitor 14 is used as a part of a matching circuit of the low noise amplifier 2, and the size of the cooled low noise amplifier can be reduced.
【0053】以上説明したように、この実施例において
は、第1に、前記熱伝導率が小さいチップコンデンサ1
4でマイクロストリップ線路としての金属導体13から
電子冷却素子1への熱伝達経路の抵抗値が増加され、前
記電子冷却素子1に流込む熱量が減少されるので、前記
低雑音増幅器2の冷却性能が向上できる。As described above, in this embodiment , first, the chip capacitor 1 having a low thermal conductivity is used.
4, the resistance value of the heat transfer path from the metal conductor 13 as a microstrip line to the thermoelectric cooler 1 is increased, and the amount of heat flowing into the thermoelectric cooler 1 is reduced. Can be improved.
【0054】第2に、金属導体13を伝送する伝送波の
電気的特性には影響がないので、前記伝送波の損失が防
止できる。Second, since the electrical characteristics of the transmission wave transmitted through the metal conductor 13 are not affected, the loss of the transmission wave can be prevented.
【0055】第3に、前記チップコンデンサ14は低雑
音増幅器2の整合回路の一部として使用できるので、低
雑音増幅器2自体が小型化され、結果的に冷却型低雑音
増幅器の小型化ができる。Third, since the chip capacitor 14 can be used as a part of the matching circuit of the low-noise amplifier 2, the low-noise amplifier 2 itself is reduced in size, and as a result, the cooled low-noise amplifier can be reduced in size. .
【0056】実施例5 請求項5に係る発明である冷却型低雑音増幅器の構成を
図5に示す。[0056] The configuration of the invention in which cooled low-noise amplifier according to a fifth embodiment according to claim 5 shown in FIG.
【0057】図5に示すように、冷却型低雑音増幅器に
おいては、前記実施例1乃至実施例4で説明したマイク
ロストリップ線路基板6及び7に代えてコプレーナ線路
基板16及び17が使用される。コプレーナ線路基板1
6は増幅器筐体3に配置された外部入力端子4と低雑音
増幅器2の入力端子との間の入力側に配設される。コプ
レーナ線路基板17は外部出力端子5と低雑音増幅器2
の出力端子との間の出力側に配設される。マイクロスト
リップ線路基板の基板裏面には金属部分が設けられる
が、コプレーナ線路基板16及び17においては基板裏
面の金属部分がない。従って、前記金属部分がない分、
コプレーナ線路基板16又は17で形成される熱伝達経
路の熱抵抗値が増加され、低雑音増幅器2、電子冷却素
子1のいずれかに流込む熱量が減少される。As shown in FIG. 5, in the cooled low noise amplifier, coplanar line substrates 16 and 17 are used in place of the microstrip line substrates 6 and 7 described in the first to fourth embodiments. Coplanar line board 1
Reference numeral 6 is provided on the input side between the external input terminal 4 arranged on the amplifier housing 3 and the input terminal of the low noise amplifier 2. The coplanar line substrate 17 includes the external output terminal 5 and the low noise amplifier 2.
Is disposed on the output side between the output terminals. Although a metal portion is provided on the back surface of the microstrip line substrate, the coplanar line substrates 16 and 17 have no metal portion on the back surface of the substrate. Therefore, because there is no metal part,
The thermal resistance of the heat transfer path formed by the coplanar waveguide substrate 16 or 17 is increased, and the amount of heat flowing into either the low noise amplifier 2 or the electronic cooling element 1 is reduced.
【0058】前記マイクロストリップ線路基板が使用さ
れる場合には、マイクロストリップ線路基板と増幅器筐
体3又は電子冷却素子1の冷却面との間の接合が半田等
の導電性接着剤で行われる。ところが、コプレーナ線路
基板16及び17が使用される場合には、基板材料に絶
縁性材料が使用されるので、前記接合が絶縁性接着剤で
行える。When the microstrip line substrate is used, the bonding between the microstrip line substrate and the amplifier housing 3 or the cooling surface of the electronic cooling element 1 is performed using a conductive adhesive such as solder. However, when the coplanar waveguide substrates 16 and 17 are used, since the insulating material is used as the substrate material, the joining can be performed with the insulating adhesive.
【0059】また、前記コプレーナ線路基板16及び1
7に代えてスロット線路基板16及び17が使用でき
る。スロット線路基板16及び17の使用による効果は
基本的にはコプレーナ線路基板16及び17の使用で得
られる効果と同一である。The coplanar waveguide substrates 16 and 1
Instead of 7, slot line substrates 16 and 17 can be used. The effects obtained by using the slot line substrates 16 and 17 are basically the same as those obtained by using the coplanar line substrates 16 and 17.
【0060】以上説明したように、請求項5に記載され
た発明においては、第1に、マイクロストリップ線路基
板と比較してコプレーナ線路基板16、17のいずれの
基板裏面にも金属導体が存在しないので、前記コプレー
ナ線路基板16、17のいずれかを通じて低雑音増幅器
2に流込む熱量が減少され、前記低雑音増幅器2の冷却
性能が向上できる。As described above, in the invention described in claim 5 , first, no metal conductor exists on the back surface of any of the coplanar line substrates 16 and 17 as compared with the microstrip line substrate. Therefore, the amount of heat flowing into the low noise amplifier 2 through one of the coplanar line substrates 16 and 17 is reduced, and the cooling performance of the low noise amplifier 2 can be improved.
【0061】第2に、前記コプレーナ線路基板16、1
7のいずれかを伝送する伝送波の電気的特性には影響が
ないので、前記伝送波の損失が防止できる。Second, the coplanar waveguide substrates 16, 1
7, since there is no effect on the electrical characteristics of the transmission wave transmitting any of the transmission waves 7, loss of the transmission wave can be prevented.
【0062】第3に、前記コプレーナ線路基板16と電
子冷却素子1の冷却面又は増幅器筐体3との間の接合、
コプレーナ線路基板17と電子冷却素子1の冷却面又は
増幅器筐体3との間の接合のいずれにおいても半田等の
導電性接着剤を使用する必要がなくなる。すなわち、導
電性接着剤を使用しない結果、前記熱伝達経路の抵抗値
がより一層増加できるので、低雑音増幅器2の冷却性能
が一段と向上できる。さらに、導電性接着剤に比較して
接着作業が簡単な絶縁性接着剤が使用できる。また、請
求項6に記載された発明においては、スロット線路基板
16及び17の使用によって前記請求項5に記載された
発明と同様の効果が得られる。Third, bonding between the coplanar waveguide substrate 16 and the cooling surface of the electronic cooling element 1 or the amplifier housing 3,
It is not necessary to use a conductive adhesive such as solder for joining between the coplanar waveguide substrate 17 and the cooling surface of the electronic cooling element 1 or the amplifier housing 3. That is, as a result of not using the conductive adhesive, the resistance value of the heat transfer path can be further increased, so that the cooling performance of the low noise amplifier 2 can be further improved. Further, an insulative adhesive that can be easily bonded as compared to a conductive adhesive can be used. Further, in the invention described in claim 6 , the same effect as the invention described in claim 5 can be obtained by using the slot line substrates 16 and 17.
【0063】実施例6 請求項7及び請求項8に係る発明である冷却型低雑音増
幅器のスロット線路基板の構成を図6に示す。 Embodiment 6 FIG. 6 shows a configuration of a slot line substrate of a cooled low noise amplifier according to the seventh and eighth aspects of the present invention.
【0064】図6に示すように、冷却型低雑音増幅器に
おいてはマイクロストリップ線路基板に代えてスロット
線路基板18が使用され、このスロット線路基板18の
表面上に配設された金属導体9にはチョーク部19が構
成される。チョーク部19は1/4波長のチョーク構造
で構成される。チョーク部19は金属導体9で形成され
る熱伝達経路を遮断する形状において分割され、スロッ
ト線路基板18を通じて低雑音増幅器2又は電子冷却素
子1に流込む熱量が減少される。また、前記分割された
双方の金属導体9の間はチョーク部19を介して相互に
接続されているので、金属導体9を伝送する伝送波の損
失が生じない。As shown in FIG. 6, in the cooled low noise amplifier, a slot line substrate 18 is used instead of the microstrip line substrate, and the metal conductor 9 provided on the surface of the slot line substrate 18 has The choke section 19 is configured. The choke 19 has a quarter-wave choke structure. The choke portion 19 is divided in a shape that blocks a heat transfer path formed by the metal conductor 9, and the amount of heat flowing into the low noise amplifier 2 or the electronic cooling element 1 through the slot line substrate 18 is reduced. Further, since the two divided metal conductors 9 are connected to each other via the choke portion 19, loss of the transmission wave transmitted through the metal conductor 9 does not occur.
【0065】以上説明したように、請求項7に記載され
た発明においては、前記請求項6に記載された発明で得
られる作用効果の他に、第1に、前記スロット線路基板
18のスロット線路としての金属導体9に形成されたチ
ョーク部19で熱伝達経路が遮断され、金属導体9を通
じて低雑音増幅器2に流込む熱量が減少されるので、前
記低雑音増幅器2の冷却性能が向上できる。As described above, according to the seventh aspect of the present invention, in addition to the functions and effects obtained by the sixth aspect of the present invention, first, the slot line of the slot line substrate 18 Since the heat transfer path is cut off by the choke portion 19 formed in the metal conductor 9 as a function, and the amount of heat flowing into the low noise amplifier 2 through the metal conductor 9 is reduced, the cooling performance of the low noise amplifier 2 can be improved.
【0066】第2に、前記金属導体9はチョーク部19
を介して相互に接続され、金属導体9を伝送する伝送波
の電気的特性に影響を及ぼさないので、前記伝送波の損
失が防止できる。Second, the metal conductor 9 is connected to the choke 19
And does not affect the electrical characteristics of the transmission wave transmitted through the metal conductor 9, so that the loss of the transmission wave can be prevented.
【0067】さらに、請求項8に記載された発明におい
ては、前記請求項2に記載された発明で得られる作用効
果と同様の作用効果が得られる。Further, according to the eighth aspect of the invention, the same operation and effect as those obtained by the second aspect of the invention can be obtained.
【0068】なお、本発明は、前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種
々変更できる。The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified without departing from the gist thereof.
【0069】[0069]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
線路基板を伝送する伝送波の損失を増大せずに、増幅器
に流込む熱量が減少できる冷却型増幅器が提供できる。As described above, according to the present invention,
It is possible to provide a cooled amplifier capable of reducing the amount of heat flowing into the amplifier without increasing the loss of the transmission wave transmitted through the line board.
【0070】さらに、本発明によれば、前記効果の他
に、小型化された冷却型増幅器が提供できる。Further, according to the present invention, in addition to the above effects, a downsized cooled amplifier can be provided.
【図1】請求項1及び請求項2に記載された発明に係る
冷却型低雑音増幅器のマイクロストリップ線路基板の斜
視図である。FIG. 1 is a perspective view of a microstrip line substrate of a cooled low noise amplifier according to the first and second aspects of the present invention.
【図2】請求項3に記載された発明に係るマイクロスト
リップ線路基板の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a microstrip line substrate according to the invention described in claim 3;
【図3】請求項4に記載された発明に係るマイクロスト
リップ線路基板の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a microstrip line substrate according to the invention described in claim 4;
【図4】他の実施例の冷却型低雑音増幅器の断面図であ
る。FIG. 4 is a sectional view of a cooled low noise amplifier according to another embodiment .
【図5】請求項5及び請求項6に記載された発明に係る
冷却型低雑音増幅器の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a cooled low-noise amplifier according to the invention described in claims 5 and 6 ;
【図6】請求項7及び請求項8に記載された発明に係る
冷却型低雑音増幅器のスロット線路基板の斜視図であ
る。FIG. 6 is a perspective view of a slot line substrate of a cooled low-noise amplifier according to the invention described in claims 7 and 8 ;
【図7】従来の冷却型低雑音増幅器の斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a conventional cooled low noise amplifier.
1 電子冷却素子 2 低雑音増幅器 3 増幅器筐体 4 外部入力端子 5 外部出力端子 6、7、8 マイクロストリップ線路基板 9、13 金属導体 10 波長結合線路 11 インタデジタルキャパシタ 12 インダクタ部 14 チップコンデンサ 15 金属キャリア 16、17、18 コプレーナ線路基板又はスロット線
路基板 19 チョーク部DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electro-cooling element 2 Low noise amplifier 3 Amplifier case 4 External input terminal 5 External output terminal 6, 7, 8 Microstrip line board 9, 13 Metal conductor 10 Wavelength coupling line 11 Interdigital capacitor 12 Inductor part 14 Chip capacitor 15 Metal Carrier 16, 17, 18 Coplanar line substrate or slot line substrate 19 Choke portion
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−13509(JP,A) 特開 昭61−23346(JP,A) 特開 昭64−17456(JP,A) 特開 昭59−143406(JP,A) 特開 平6−216673(JP,A) 特開 平5−191156(JP,A) 実開 昭64−54412(JP,U) 実開 平5−82129(JP,U) 実開 平1−72716(JP,U) 実開 昭62−2254(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01P 1/30 H01L 23/38 H01P 3/08 H01P 5/02 H03F 3/60 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-6-13509 (JP, A) JP-A-61-23346 (JP, A) JP-A-64-17456 (JP, A) JP-A-59-23 143406 (JP, A) JP-A-6-216673 (JP, A) JP-A-5-191156 (JP, A) JP-A 64-54412 (JP, U) JP-A 5-82129 (JP, U) Japanese Utility Model 1-72716 (JP, U) Japanese Utility Model 62-2254 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01P 1/30 H01L 23/38 H01P 3/08 H01P 5/02 H03F 3/60
Claims (8)
に配設された増幅器を備え、マイクロストリップ線路を
通して前記増幅器に伝送波が入力され、又は前記増幅器
から増幅された伝送波が出力される冷却型増幅器におい
て、 前記マイクロストリップ線路が熱伝達経路を遮断する形
状で分割され、 前記分割されたマイクロストリップ線路間が波長結合線
路を介して接続された、 ことを特徴とする冷却型増幅器。An amplifier is provided on a cooling surface of an electronic cooling element having a cooling function, and a transmission wave is input to the amplifier through a microstrip line, or an amplified transmission wave is output from the amplifier. In the cooled amplifier, the microstrip line is divided in a shape that blocks a heat transfer path, and the divided microstrip lines are connected via a wavelength coupling line.
において、 前記波長結合線路が直流カット機能を有する1/4波長
結合線路で構成される、 ことを特徴とする冷却型増幅器。2. The cooled amplifier according to claim 1, wherein said wavelength coupling line is a quarter wavelength coupling line having a DC cut function.
に配設された増幅器を備え、マイクロストリップ線路を
通して前記増幅器に伝送波が入力され、又は前記増幅器
から増幅された伝送波が出力される冷却型増幅器におい
て、 前記マイクロストリップ線路が熱伝達経路を遮断する形
状で分割され、 前記分割されたマイクロストリップ線路間がインタデジ
タルキャパシタを介して接続された、 ことを特徴とする冷却型増幅器。3. An amplifier provided on a cooling surface of an electronic cooling element having a cooling function, wherein a transmission wave is input to the amplifier through a microstrip line, or an amplified transmission wave is output from the amplifier. In the cooled amplifier, the microstrip line is divided in a shape that blocks a heat transfer path, and the divided microstrip lines are connected via an interdigital capacitor.
に配設された増幅器を備え、マイクロストリップ線路を
通して前記増幅器に伝送波が入力され、又は前記増幅器
から増幅された伝送波が出力される冷却型増幅器におい
て、 前記マイクロストリップ線路の一部分に線路幅が細く形
成されたインダクタ部が設けられた、 ことを特徴とする冷却型増幅器。4. An amplifier provided on a cooling surface of an electronic cooling element having a cooling function, wherein a transmission wave is input to the amplifier through a microstrip line, or an amplified transmission wave is output from the amplifier. In the cooled amplifier, an inductor portion having a narrow line width is provided in a part of the microstrip line.
に配設された増幅器を備え、前記増幅器に伝送波が入力
され、又は前記増幅器から増幅された伝送波が出力され
る冷却型増幅器において、 前記増幅器への伝送波の入力、又は前記増幅器から増幅
された伝送波の出力を行うコプレーナ線路基板を前記冷
却面に接着剤で接合したことを特徴とする冷却型増幅
器。5. A cooling amplifier comprising an amplifier disposed on a cooling surface of an electronic cooling element having a cooling function, wherein a transmission wave is input to the amplifier or a transmission wave amplified from the amplifier is output. A coplanar line substrate for inputting a transmission wave to the amplifier or outputting a transmission wave amplified from the amplifier,
A cooled amplifier characterized by being bonded to the mounting surface with an adhesive .
に配設された増幅器を備え、前記増幅器に伝送波が入力
され、又は前記増幅器から増幅された伝送波が出力され
る冷却型増幅器において、 前記増幅器への伝送波の入力、又は前記増幅器から増幅
された伝送波の出力を行うスロット線路基板を設けた、 ことを特徴とする冷却型増幅器。6. A cooling amplifier comprising an amplifier disposed on a cooling surface of an electronic cooling element having a cooling function, wherein a transmission wave is input to the amplifier or a transmission wave amplified from the amplifier is output. And a slot line board for inputting a transmission wave to the amplifier or outputting a transmission wave amplified from the amplifier.
に配設された増幅器を備え、前記増幅器に伝送波が入力
され、又は前記増幅器から増幅された伝送波が出力され
る冷却型増幅器において、 前記増幅器への伝送波の入力、又は前記増幅器から増幅
された伝送波の出力を行うスロット線路基板を設け、 前記スロット線路基板のスロット線路に熱伝達経路を遮
断する形状でチョーク部が設けられた、 ことを特徴とする冷却型増幅器。7. A cooling amplifier comprising an amplifier disposed on a cooling surface of an electronic cooling element having a cooling function, wherein a transmission wave is input to the amplifier or a transmission wave amplified from the amplifier is output. A slot line substrate for inputting a transmission wave to the amplifier or outputting a transmission wave amplified from the amplifier is provided, and a choke portion is provided in a slot line of the slot line substrate in a shape for blocking a heat transfer path. A cooled amplifier characterized by the following.
において、 前記チョーク部が1/4波長チョーク部で構成される、 ことを特徴とする冷却型増幅器。8. The cooled amplifier according to claim 7 , wherein the choke section is constituted by a quarter-wave choke section.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02853294A JP3199556B2 (en) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | Cooled amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02853294A JP3199556B2 (en) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | Cooled amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240605A JPH07240605A (en) | 1995-09-12 |
| JP3199556B2 true JP3199556B2 (en) | 2001-08-20 |
Family
ID=12251286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02853294A Expired - Fee Related JP3199556B2 (en) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | Cooled amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3199556B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004289590A (en) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Kyocera Corp | Transmission line for high frequency |
-
1994
- 1994-02-25 JP JP02853294A patent/JP3199556B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07240605A (en) | 1995-09-12 |
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