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JP3200857B2 - Manufacturing method of micromachine - Google Patents
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JP3200857B2 - Manufacturing method of micromachine - Google Patents

Manufacturing method of micromachine

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JP3200857B2
JP3200857B2 JP05425191A JP5425191A JP3200857B2 JP 3200857 B2 JP3200857 B2 JP 3200857B2 JP 05425191 A JP05425191 A JP 05425191A JP 5425191 A JP5425191 A JP 5425191A JP 3200857 B2 JP3200857 B2 JP 3200857B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばロータなどの摺
動部を有するマイクロマシンの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a micromachine having a sliding portion such as a rotor.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、マイクロマシン、あるいはマイク
ロメカニクスと称される微小なメカニズムの形成が注目
されている。
2. Description of the Related Art Recently, attention has been paid to formation of minute mechanisms called micromachines or micromechanics.

【0003】例えば、「電学誌」(J.IEE Jap
an)110巻4号(平成2年)289〜296頁に
は、IC製造用プロセスを利用してμmオーダーの機械
部品や静電モータを形成する超小型機械システムの製造
技術であるマイクロメカトロニクスについて記載がなさ
れている。また、月間Semiconductor W
orldの1990年No.8の60〜62頁には、S
iウェハプロセス等集積回路の製造プロセスを利用した
静電モータ等のマイクロマシン技術について記載されて
いる。また、NIKKEI ELECTRONICS
1989年8月21日号(日経マグロウヒル社)には、
シリコンモータなどのシリコンアクチュエータ等のシリ
コンマイクロマシンについて特集されている。
[0003] For example, "Electronic Journal" (J. IEEE Japan)
An) Vol. 110, No. 4 (Heisei 2), pp. 289-296, describes micromechatronics, a technology for manufacturing micro-mechanical systems that form mechanical parts and electrostatic motors on the order of μm using IC manufacturing processes. The description has been made. In addition, Monthly Semiconductor W
orld, 1990 No. 8 on pages 60-62, S
A micromachine technology such as an electrostatic motor using an integrated circuit manufacturing process such as an i-wafer process is described. Also, NIKKEI ELECTRONICS
In the August 21, 1989 issue (Nikkei McGraw-Hill),
Special attention is given to silicon micromachines such as silicon actuators such as silicon motors.

【0004】図25〜図30は、マイクロマシン、例え
ば静電Siモータの回転ロータ部分の製造工程を示して
いる。
FIG. 25 to FIG. 30 show a process of manufacturing a rotating portion of a micromachine, for example, an electrostatic Si motor.

【0005】即ち、図25に示すように、先ず、シリコ
ン基板1上に多結晶シリコン膜2をCVD法にて堆積さ
せる。次に、図26に示すように、リソグラフィー技術
を用いて、ロータ軸となる多結晶シリコン軸2aをパタ
ーニングする。次に、図27に示すように、全面にSi
2薄膜3をCVD法により堆積させる。その後、図2
8に示すように、SiO2薄膜3上に所望のロータと同
じ厚さ寸法の膜厚で多結晶シリコン膜4を堆積させる。
次に、図29に示すように、多結晶シリコン膜4をリソ
グラフィー法を用いてパターニングを行ない回転ロータ
4Aを形成する。そして、図30に示すように、例えば
希釈フッ酸によりSiO2薄膜3を選択的に(ウェッ
ト)エッチングさせることにより、回転ロータ4Aと多
結晶シリコン軸2aを分離して、回転ロータ4Aを回転
にする。
That is, as shown in FIG. 25, first, a polycrystalline silicon film 2 is deposited on a silicon substrate 1 by a CVD method. Next, as shown in FIG. 26, the polycrystalline silicon axis 2a serving as the rotor axis is patterned using lithography technology. Next, as shown in FIG.
An O 2 thin film 3 is deposited by a CVD method. Then, FIG.
As shown in FIG. 8, a polycrystalline silicon film 4 is deposited on the SiO 2 thin film 3 so as to have the same thickness as the desired rotor.
Next, as shown in FIG. 29, the polycrystalline silicon film 4 is patterned by lithography to form a rotating rotor 4A. Then, as shown in FIG. 30, the SiO 2 thin film 3 is selectively (wet) etched with, for example, diluted hydrofluoric acid to separate the rotating rotor 4A from the polycrystalline silicon shaft 2a and rotate the rotating rotor 4A. I do.

【0006】上記の各文献にも記載されているように、
上述のような超小型のメカニズムは非常に注目すべき技
術であり、今後その重要性はきわめて大きくなると考え
られる。
As described in the above documents,
The ultra-small mechanism described above is a very remarkable technology, and its importance is expected to become extremely large in the future.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような微
小なマイクロマシンの形成には、未だ解決すべき数々の
問題点がある。
However, there are still many problems to be solved in the formation of such a minute micromachine.

【0008】例えばSiマイクロマシーニング技術によ
り、LSI製造の技術を応用して数μm〜数百μmレベ
ルのメカニズム形成しようとする場合、これだけ小さい
と、良い軸受けがないのが実際のところである。このた
め、摩擦が大きく、エネルギーの損失が多くなって、ま
た、焼付いたり、破損の原因ともなるという問題を解決
できず、さらに、応答速度の低下も生じる。
For example, in the case where a mechanism of several μm to several hundred μm is to be formed by applying the LSI manufacturing technology by the Si micromachining technology, if it is so small, there is actually no good bearing. For this reason, the problem that friction is large, energy loss is increased, and the problem of seizure or breakage cannot be solved, and the response speed also decreases.

【0009】即ち、マイクロマシンの摺動部であるベア
リングや軸受けについては、例えば図31に示すように
回転ロータ4Aと多結晶シリコン軸3との間に摩擦が生
じ、上述の問題が避けられなかった。
That is, with respect to bearings and bearings, which are sliding portions of the micromachine, friction occurs between the rotating rotor 4A and the polycrystalline silicon shaft 3 as shown in FIG. 31, for example, and the above-mentioned problem cannot be avoided. .

【0010】かつ、摩擦の小さいロータ付きのマイクロ
マシンを形成しようとしても、これをμmオーダーない
し数百μmオーダーのような微細な構造でしかも確実に
メカニカルな作用をも呈し得るように形成しようとする
と、その加工・形成は容易ではない。
Further, even if a micromachine with a rotor having a small friction is to be formed, it is required to form the micromachine with a fine structure of the order of μm to several hundreds of μm and to surely exhibit a mechanical action. Processing and forming are not easy.

【0011】本発明は、このような従来の問題点に着目
して創案されたものであって、摺動部の耐久性が高く、
しかも円滑な摺動を可能にするマイクロマシンを得んと
するものである。
The present invention has been made in consideration of such conventional problems, and has high durability of a sliding portion.
Moreover, a micromachine capable of smooth sliding is obtained.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、シリ
コンを用いたマイクロマシンの製造方法において、シリ
コン基板上に円柱状のシリコン軸を形成する工程と、前
記シリコン基板とシリコン軸の全面にダイヤモンド膜
形成する工程と、前記ダイヤモンド膜上に絶縁膜を堆積
して上記シリコン軸の周囲に多結晶シリコンからなる
転ロータを形成する工程、および上記絶縁膜を除去して
上記シリコン軸と上記回転ロータを分離して該ロータを
回転可能にする工程、を含むことを、その解決手段とし
ている。
Accordingly, the present invention provides a method of manufacturing a micromachine using silicon, comprising the steps of forming a columnar silicon axis on a silicon substrate, and forming a diamond on the entire surface of the silicon substrate and the silicon axis. forming a film to form a round <br/> rolling rotor of polysilicon around the silicon shaft by depositing an insulating film on the diamond film, and the removed the insulating film A method of solving the problem includes a step of separating the silicon shaft and the rotating rotor to make the rotor rotatable.

【0013】[0013]

【作用】摺動部に高融点金属又はカーボンを用いること
により、耐摩耗性が高くなり、また、摺動の円滑化を図
ることが可能となる。
By using a high melting point metal or carbon for the sliding portion, the abrasion resistance is enhanced and the sliding can be smoothly performed.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明に係るマイクロマシン製造方法
を、摺動部としての回転ロータを有する静電モータに適
用して図面に示す実施例に基づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for manufacturing a micromachine according to the present invention will be described based on an embodiment shown in the drawings, applied to an electrostatic motor having a rotating rotor as a sliding portion.

【0015】(第1実施例) 図1〜図6は、本発明の第1実施例の各製造工程を示す
断面図である。
(First Embodiment) FIGS. 1 to 6 are sectional views showing respective manufacturing steps of a first embodiment of the present invention.

【0016】先ず、本実施例は、図1に示すように、シ
リコン基板1上にCVD法により多結晶シリコン膜2を
堆積させた後、リソグラフィー法によりパターニングを
行ない円柱状の多結晶シリコン軸2aを形成する。
First, in this embodiment, as shown in FIG. 1, a polycrystalline silicon film 2 is deposited on a silicon substrate 1 by a CVD method and then patterned by a lithography method to form a columnar polycrystalline silicon shaft 2a. To form

【0017】次に、図2に示すように、全面にSiO2
薄膜をCVD法にて堆積させる。さらに、図3に示す
ように、このSiO2薄膜3の上に多結晶シリコン膜4
をCVD法にて所望の厚さに堆積させた後、図4に示す
ように、リソグラフィー法により多結晶シリコン膜4の
パターニングを行ない回転ロータ4Aを形成する。
[0017] Next, as shown in FIG. 2, SiO 2 on the entire surface
A thin film 3 is deposited by a CVD method. Further, as shown in FIG. 3, a polycrystalline silicon film 4 is formed on the SiO 2 thin film 3.
Is deposited to a desired thickness by a CVD method, and then, as shown in FIG. 4, the polycrystalline silicon film 4 is patterned by a lithography method to form a rotating rotor 4A.

【0018】次に、図5に示すように、多結晶シリコン
で形成された回転ロータ4Aを、Si還元法を用いてタ
ングステンに置換する。この場合、六フッ化タングステ
ン(WF6)を用いて、下記反応を生じさせる。
Next, as shown in FIG. 5, the rotating rotor 4A formed of polycrystalline silicon is replaced with tungsten by using a Si reduction method. In this case, the following reaction is caused by using tungsten hexafluoride (WF 6 ).

【0019】 2WF6+3Si→2W+3SiF4↑ その後、図6に示すように、SiO2薄膜3を希釈フッ
酸により選択的にエッチングすることにより、多結晶シ
リコン軸2aと、タングステン化した回転ロータ4Aと
を分離し、回転ロータ4Aが回転可能となる。
2WF 6 + 3Si → 2W + 3SiF 4 ↑ Then, as shown in FIG. 6, the SiO 2 thin film 3 is selectively etched with dilute hydrofluoric acid to form a polycrystalline silicon shaft 2a and a tungsten rotor 4A. Is separated, and the rotating rotor 4A becomes rotatable.

【0020】このように回転ロータ4Aをタングステン
で形成したことにより、従来の多結晶シリコンで成る回
転ロータに比べてその耐久性を2倍以上に向上すること
ができる。
Since the rotating rotor 4A is made of tungsten in this way, its durability can be more than doubled as compared with the conventional rotating rotor made of polycrystalline silicon.

【0021】(第2実施例) 図7〜図12は、本発明の第2実施例を示している。Second Embodiment FIGS. 7 to 12 show a second embodiment of the present invention.

【0022】本実施例においては、図7〜図10に示す
工程は、上記第1実施例と同様である。この次に、図1
1に示すように、SiO2薄膜3を希釈フッ酸により選
択的に除去し、次に、この結果露出した多結晶シリコン
2aと、回転ロータ(多結晶シリコン)4Aの表面
に、タングステン膜5を形成する(図12)。この場
合、CVD選択タングステン法を行なえば露出した多結
晶シリコンの表面にタングステン膜5が形成される。
In this embodiment, the steps shown in FIGS. 7 to 10 are the same as those in the first embodiment. Next to FIG.
As shown in 1, is selectively removed by dilute hydrofluoric acid SiO 2 film 3, then, polycrystalline silicon exposed result
A tungsten film 5 is formed on the shaft 2a and the surface of the rotating rotor (polycrystalline silicon) 4A (FIG. 12). In this case, if the CVD selective tungsten method is performed, a tungsten film 5 is formed on the exposed surface of the polycrystalline silicon.

【0023】本実施例のマイクロマシンの製造方法にあ
っては、多結晶シリコン軸2a及び回転ロータ4Aにタ
ングステン膜5を形成することができるため、双方の耐
摩耗性,耐衝撃性等の耐久性を飛躍的に向上させること
ができる。
In the method of manufacturing a micromachine according to the present embodiment, since the tungsten film 5 can be formed on the polycrystalline silicon shaft 2a and the rotating rotor 4A, the durability such as wear resistance and impact resistance of both can be obtained. Can be dramatically improved.

【0024】(第3実施例) 図13〜図18は、本発明の第3実施例を示す工程断面
図である。
(Third Embodiment) FIGS. 13 to 18 are process sectional views showing a third embodiment of the present invention.

【0025】本実施例においては、先ず、上記各実施例
と同様に、図13に示すように、シリコン基板1上に多
結晶シリコン軸2aを形成する。その後、マイクロ波C
VD装置を用いて、例えば、マイクロ波出力300W
で、0.5%程度のメタン(CH4)を水素(H2)ガス
に希釈し、ガス圧30Torr,基板温度800℃の条
件設定で、全面にダイヤモンド薄膜6を0.05μm程
度の厚みに形成する(図14)。
In this embodiment, first, a polycrystalline silicon shaft 2a is formed on a silicon substrate 1 as shown in FIG. After that, microwave C
Using a VD device, for example, a microwave output of 300 W
Then, about 0.5% of methane (CH 4 ) is diluted with hydrogen (H 2 ) gas, and the diamond thin film 6 is formed to a thickness of about 0.05 μm on the entire surface under the conditions of a gas pressure of 30 Torr and a substrate temperature of 800 ° C. (FIG. 14).

【0026】さらに、図15に示すように、ダイヤモン
ド薄膜6の上に、SiO2薄膜3をCVD法にて堆積さ
せた後、図16に示すように、回転ロータを形成するた
めの多結晶シリコン膜4を形成する。
Further, as shown in FIG. 15, after depositing an SiO 2 thin film 3 on the diamond thin film 6 by a CVD method, as shown in FIG. 16, polycrystalline silicon for forming a rotating rotor is formed. The film 4 is formed.

【0027】次いで、図17に示すように、多結晶シリ
コン膜4をリソグラフィー法によりパターニングを行な
って、回転ロータ4Aを形成する。そして、図18に示
すように、希釈フッ酸等を用いてウェットエッチングを
施すことにより、SiO2薄膜3を選択的に除去し、回
転ロータ4Aを回転可能にする。
Next, as shown in FIG. 17, the polycrystalline silicon film 4 is patterned by lithography to form a rotating rotor 4A. Then, as shown in FIG. 18, by performing wet etching using diluted hydrofluoric acid or the like, the SiO 2 thin film 3 is selectively removed, and the rotating rotor 4A is made rotatable.

【0028】本実施例においては、多結晶シリコン軸2
aをダイヤモンド薄膜6で被覆したため、軸の耐久性を
飛躍的に向上することができる。
In this embodiment, the polycrystalline silicon shaft 2
Since a is coated with the diamond thin film 6, the durability of the shaft can be significantly improved.

【0029】なお、本実施例において、多結晶シリコン
膜2aをダイヤモンド薄膜6で被覆する構成としたが
他のカーボン、例えばグラファイト系のカーボンで被覆
する構成としても、充分な耐久性を得ることが可能であ
る。
[0029] In the present embodiment, the polycrystalline silicon film 2a has a structure covering with a diamond thin film 6,
Sufficient durability can be obtained even with a structure coated with another carbon, for example, graphite-based carbon.

【0030】また、図18に示した構造において、回転
ロータ4Aの表面に、上記第2実施例と同様にタングス
テン膜を形成しても勿論よい。
In the structure shown in FIG. 18, a tungsten film may be formed on the surface of the rotary rotor 4A in the same manner as in the second embodiment.

【0031】(第4実施例) 図19〜図24は、本発明の第4実施例を示している。(Fourth Embodiment) FIGS. 19 to 24 show a fourth embodiment of the present invention.

【0032】先ず、本発明においては、図19〜図23
に示すように、従来例と同様に、回転ロータ4Aを多結
晶シリコン軸2aに分離した状態で嵌合するように形成
した後、例えば(CH3)Si(OH)2で表わされる化
合物を潤滑材7を約100℃に熱し液体状にし、回転コ
ーターを用いて、図24に示すように、多結晶シリコン
軸2a及び回転ロータ4Aの表面に回転塗布する。
First, in the present invention, FIGS.
As shown in FIG. 5, as in the conventional example, after the rotary rotor 4A is formed so as to be fitted to the polycrystalline silicon shaft 2a in a separated state, for example, a compound represented by (CH 3 ) Si (OH) 2 is lubricated. The material 7 is heated to about 100 ° C. to be in a liquid state, and is rotationally applied to the surface of the polycrystalline silicon shaft 2a and the surface of the rotary rotor 4A using a rotary coater as shown in FIG.

【0033】本実施例においては、このような構成とす
ることにより、摺動部、即ち回転ロータ4Aと多結晶シ
リコン軸2aとの回転を円滑なものとなし、耐久性を向
上することができる。
In this embodiment, by adopting such a structure, the sliding portion, that is, the rotation of the rotary rotor 4A and the polycrystalline silicon shaft 2a can be smoothly rotated, and the durability can be improved. .

【0034】以上、各実施例について説明したが、本発
明は、これらに限定されるものではなく各種の設計変更
が可能である。
Although the embodiments have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and various design changes are possible.

【0035】例えば、上記実施例では、本発明を回転ロ
ータを有する静電モータに適用して説明したが、この
他、例えばポンプに用いる回転子としての回転ロータを
有するマイクロマシンや、他の摺動部を有するマイクロ
マシンに適用することも勿論可能である。
For example, in the above embodiment, the present invention has been described by applying the present invention to an electrostatic motor having a rotating rotor. In addition, for example, a micromachine having a rotating rotor as a rotor used in a pump, or another sliding machine may be used. It is of course possible to apply the present invention to a micromachine having a section.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係るマイクロマシンの製造方法によれば、絶縁膜の除
去に際して、多結晶シリコンの回転ロータがエッチング
されることはなく、寸法精度が高くなると共に、マイク
ロマシンの摺動部の耐摩耗性等の耐久性が飛躍的に向上
する効果がある。
As is apparent from the above description, according to the method of manufacturing a micromachine according to the present invention, the insulating film is removed.
At the time of departure, the rotating rotor of polycrystalline silicon is etched
The dimensional accuracy is increased, and the durability such as the wear resistance of the sliding portion of the micromachine is significantly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施例の製造工程を示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing a manufacturing process of a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施例の製造工程を示す断面図。FIG. 2 is a sectional view showing a manufacturing process of the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1実施例の製造工程を示す断面図。FIG. 3 is a sectional view showing the manufacturing process of the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1実施例の製造工程を示す断面図。FIG. 4 is a sectional view showing the manufacturing process of the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1実施例の製造工程を示す断面図。FIG. 5 is a sectional view showing the manufacturing process of the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1実施例の製造工程を示す断面図。FIG. 6 is a sectional view showing the manufacturing process of the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2実施例の製造工程を示す断面図。FIG. 7 is a sectional view showing a manufacturing process according to a second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2実施例の製造工程を示す断面図。FIG. 8 is a sectional view showing a manufacturing process according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第2実施例の製造工程を示す断面図。FIG. 9 is a sectional view showing a manufacturing process according to the second embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第2実施例の製造工程を示す断面
図。
FIG. 10 is a sectional view showing a manufacturing process according to the second embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第2実施例の製造工程を示す断面
図。
FIG. 11 is a sectional view showing a manufacturing process according to a second embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第2実施例の製造工程を示す断面
図。
FIG. 12 is a sectional view showing a manufacturing process according to the second embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第3実施例の製造工程を示す断面
図。
FIG. 13 is a sectional view showing a manufacturing process according to a third embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第3実施例の製造工程を示す断面
図。
FIG. 14 is a sectional view showing a manufacturing process according to a third embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第3実施例の製造工程を示す断面
図。
FIG. 15 is a sectional view showing a manufacturing process according to a third embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第3実施例の製造工程を示す断面
図。
FIG. 16 is a sectional view showing a manufacturing process according to a third embodiment of the present invention.

【図17】本発明の第3実施例の製造工程を示す断面
図。
FIG. 17 is a sectional view showing a manufacturing step according to a third embodiment of the present invention.

【図18】本発明の第3実施例の製造工程を示す断面
図。
FIG. 18 is a sectional view showing a manufacturing process according to a third embodiment of the present invention.

【図19】本発明の第4実施例の製造工程を示す断面
図。
FIG. 19 is a sectional view showing a manufacturing step according to a fourth embodiment of the present invention.

【図20】本発明の第4実施例の製造工程を示す断面
図。
FIG. 20 is a sectional view showing the manufacturing process of the fourth embodiment of the present invention.

【図21】本発明の第4実施例の製造工程を示す断面
図。
FIG. 21 is a sectional view showing a manufacturing step according to a fourth embodiment of the present invention.

【図22】本発明の第4実施例の製造工程を示す断面
図。
FIG. 22 is a sectional view showing a manufacturing step according to a fourth embodiment of the present invention.

【図23】本発明の第4実施例の製造工程を示す断面
図。
FIG. 23 is a sectional view showing the manufacturing process of the fourth embodiment of the present invention.

【図24】本発明の第4実施例の製造工程を示す断面
図。
FIG. 24 is a sectional view showing a manufacturing step according to a fourth embodiment of the present invention.

【図25】従来例の製造工程を示す断面図。FIG. 25 is a sectional view showing a manufacturing process of a conventional example.

【図26】従来例の製造工程を示す断面図。FIG. 26 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a conventional example.

【図27】従来例の製造工程を示す断面図。FIG. 27 is a sectional view showing a manufacturing process of a conventional example.

【図28】従来例の製造工程を示す断面図。FIG. 28 is a sectional view showing a manufacturing process of a conventional example.

【図29】従来例の製造工程を示す断面図。FIG. 29 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a conventional example.

【図30】従来例の製造工程を示す断面図。FIG. 30 is a sectional view showing a manufacturing process of a conventional example.

【図31】マイクロマシンの回転ロータの状態を示す斜
視図。
FIG. 31 is a perspective view showing a state of a rotating rotor of the micro machine.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…シリコン基板、2…多結晶シリコン、2a…多結晶
シリコン軸、3…SiO2薄膜、4…多結晶シリコン
膜、4A…回転ロータ、5…タングステン膜、6…ダイ
ヤモンド薄膜、7…潤滑剤。
1 ... silicon substrate, 2 ... polycrystalline silicon, 2a ... polycrystalline silicon shaft, 3 ... SiO 2 thin film, 4 ... polycrystalline silicon film, 4A ... rotating rotor, 5 ... tungsten film, 6 ... diamond thin film, 7 ... lubricant .

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 シリコンを用いたマイクロマシンの製造
方法において、 シリコン基板上に円柱状のシリコン軸を形成する工程
と、 前記シリコン基板とシリコン軸の全面にダイヤモンド膜
を形成する工程と、前記ダイヤモンド膜上に 絶縁膜を堆積して上記シリコン
軸の周囲に多結晶シリコンからなる回転ロータを形成す
る工程、および上記絶縁膜を除去して上記シリコン軸と
上記回転ロータを分離して該ロータを回転可能にする工
程、 を含むことを特徴とするマイクロマシンの製造方法。
1. A method of manufacturing a micromachine using silicon, comprising: forming a cylindrical silicon axis on a silicon substrate; and forming a diamond film on the entire surface of the silicon substrate and the silicon axis. Depositing an insulating film on the diamond film to form a rotating rotor made of polycrystalline silicon around the silicon axis, and removing the insulating film to separate the silicon shaft and the rotating rotor. A method for manufacturing a micromachine, comprising: a step of making a rotor rotatable.
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