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JP3203259B2 - Method and apparatus for preventing adhesion of active substance to inner wall surface of reaction tank - Google Patents
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JP3203259B2 - Method and apparatus for preventing adhesion of active substance to inner wall surface of reaction tank - Google Patents

Method and apparatus for preventing adhesion of active substance to inner wall surface of reaction tank

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JP3203259B2
JP3203259B2 JP21160291A JP21160291A JP3203259B2 JP 3203259 B2 JP3203259 B2 JP 3203259B2 JP 21160291 A JP21160291 A JP 21160291A JP 21160291 A JP21160291 A JP 21160291A JP 3203259 B2 JP3203259 B2 JP 3203259B2
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central axis
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文雄 成瀬
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日本真空技術株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、反応槽の内壁面への活
性物質の付着防止方法及び装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for preventing an active substance from adhering to an inner wall surface of a reaction vessel.

【0002】[0002]

【従来の技術及びその問題点】反応槽には各種構造のも
のが知られているが、この反応槽において、例えばター
ゲットと、これから飛出される分子又は原子の薄膜を形
成されるウエハとを対向して配設させており、これによ
って反応系を形成させたものが知られているが、この反
応系から各種の活性物質が周囲に飛散し、これが反応槽
を構成する内壁面に付着する。従来はこれに対し定期的
に何らかの手段によりその内壁面をクリーニングさせて
いるか、あるいはこの内壁面に沿って付着防止用の気体
を流すかしている。
2. Description of the Related Art Various types of reactors are known in the art. In this reactor, for example, a target is opposed to a wafer on which a thin film of molecules or atoms ejected from the target is formed. It is known that a reaction system is formed by this. Various active substances are scattered around from the reaction system and adhere to the inner wall surface constituting the reaction tank. Conventionally, the inner wall surface is periodically cleaned by some means, or a gas for preventing adhesion is caused to flow along the inner wall surface.

【0003】しかしながら、後者の方法においても活性
物質の内壁面への付着を防止する機構が未だ理論的に解
明されておらず、不当に上記気体の質量流量を増大させ
ているか、活性物質の付着を充分に防止させていないの
が現状である。
However, even in the latter method, the mechanism for preventing the active substance from adhering to the inner wall surface has not been theoretically elucidated yet, and the mass flow rate of the gas is unduly increased or the active substance is not adhered. The situation is that they are not sufficiently prevented.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする問題点】本発明は上記問題に
鑑みてなされ、付着防止用の気体を理想的な状態で内部
空間に流し、反応系から発生する種々の活性物質が該反
応槽の内壁面に付着するのを理想的な条件で防止するこ
とのできる反応槽の内壁面への活性物質の付着防止方法
及び装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and a gas for preventing adhesion is caused to flow in an internal space in an ideal state, and various active substances generated from a reaction system are generated in the reaction tank. A method for preventing the adhesion of active substances to the inner wall surface of a reaction tank that can prevent adhesion to the inner wall surface under ideal conditions
And an apparatus .

【0005】[0005]

【問題点を解決するための手段】以上の目的は、円筒形
状の内部空間を有し、その中心軸線に沿って、かつこの
近傍に反応系を配設させた反応槽の前記中心軸線より径
方向において第1の所定距離に多数の気体噴出口を形成
させた円筒形状の気体噴出用壁体を配設し、前記中心軸
線より径方向において、前記第1の所定距離より小さい
第2の所定距離で一方の端壁部に環状の気体噴出用手段
を配設し、前記気体噴出用壁体の気体噴出口から前記
心軸線に向かう方向に不活性の第1の気体を第1の所定
速度で噴出させ、前記気体噴出用手段から前記中心軸線
に沿って不活性の第2の気体を第2の所定速度で噴出さ
せるようにしたことを特徴とする反応槽の内壁面への活
性物質の付着防止方法、によって達成される。又は円筒
形状の内部空間を有する反応槽と、前記反応槽の中心軸
線に沿ってかつその近傍に配設された反応系と、前記中
心軸線より径方向において第1の所定距離に多数の気体
噴出口を形成させた円筒形状の気体噴出用壁体と、前記
中心軸線より径方向において前記第1の所定距離よりも
小さい第2の所定距離で一方の端壁部に配設された環状
の気体噴出用手段とを有し、前記気体噴出出口から前記
中心軸線に向かう方向に不活性の第1の気体を第1の所
定速度で噴出させ、前記気体噴出用手段から前記中心軸
線に沿って不活性の第2の気体を第2の所定の速度で噴
出させたことを特徴とする反応槽の内壁面への活性物質
の付着防止装置、によって達成される。
SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to provide a reaction vessel having a cylindrical internal space and having a reaction system disposed along and near the central axis thereof. A cylindrical gas ejection wall having a plurality of gas ejection ports formed at a first predetermined distance in a direction, and a second predetermined distance smaller than the first predetermined distance in a radial direction from the center axis; a gas for jetting means cyclic disposed on one end wall at a distance, the in the gas outlet of the gas ejection wall member
An inert first gas is ejected at a first predetermined speed in a direction toward a core axis, and an inert second gas is ejected at a second predetermined speed from the gas ejection means along the central axis. This is achieved by a method for preventing the active substance from adhering to the inner wall surface of the reaction tank, wherein Or cylindrical
A reaction vessel having an internal space having a shape, and a central axis of the reaction vessel
A reaction system disposed along and near the line;
A large number of gases at a first predetermined distance in the radial direction from the center axis
A cylindrical gas ejection wall having an ejection port formed therein;
More than the first predetermined distance in the radial direction from the center axis
An annular arrangement at one end wall at a small second predetermined distance
Means for ejecting gas, and
A first gas that is inert in a direction toward the central axis is moved to a first location.
The gas is ejected at a constant speed, and the center axis is
Injects an inert second gas at a second predetermined speed along the line
Active substance on the inner wall of the reaction tank characterized by having been discharged
Achieved by the anti-adhesion device.

【0006】[0006]

【作用】円筒形状の気体噴出用壁体から第1の気体及び
環状の気体噴出用手段から第2の気体が、それぞれ中心
軸線に向かう方向及び中心軸線方向に噴出されるのであ
るが、第2の気体は第1の気体の流れを整えると共に中
心軸の近傍にある反応系での反応に悪影響を及ぼすこと
を防ぐ役目をもち、場合によっては反応に用いられる気
体と同一であってもよいし、また異なる気体であっても
よい。
The first gas from the cylindrical gas ejection wall and the second gas from the annular gas ejection means are respectively centered.
Although the second gas is ejected in the direction toward the axis and in the direction of the central axis, the second gas serves to regulate the flow of the first gas and to prevent the reaction in the reaction system near the central axis from being adversely affected. In some cases, the gas may be the same as the gas used for the reaction, or may be a different gas.

【0007】これら気体の噴出速度及び第1の所定距離
と第2の所定距離との差が適当に取られるとき、以下に
詳述する理論的な濃度方程式から導出された減少率、す
なわち、第1の気体及び第2の気体を上記方法で内部空
間に流入した場合の内壁面への活性物質の付着量と、第
1の気体及び第2の気体が静止している場合の内壁面へ
の付着量との比は従来の如何なる形状の反応槽及びこれ
に導入される付着防止用のガスの流れによるものと比べ
ても、本発明の場合の方が最小の値となっている。すな
わち、ほぼ同一のディメンジョンの反応槽に対し、壁の
単位面積当たりのガス導入量を一定とした場合、最小の
減少率が得られる。また、円筒状容器の採用は、円筒状
になることが多い反応系を納める容器として、壁の面積
が最小になるから、ガス導入量を減少させる効果も大き
い。
When the jet velocity of these gases and the difference between the first predetermined distance and the second predetermined distance are appropriately taken, the reduction rate derived from the theoretical concentration equation described in detail below, The amount of the active substance attached to the inner wall surface when the first gas and the second gas flow into the internal space by the above method, and the amount of the active substance adhered to the inner wall surface when the first gas and the second gas are stationary. In the case of the present invention, the ratio to the amount of adhesion is the smallest in the case of the conventional reaction tank having any shape and the flow of the gas for preventing adhesion introduced into the reaction tank. That is, when the gas introduction amount per unit area of the wall is constant for a reaction tank having substantially the same dimensions, the minimum reduction rate is obtained. In addition, the adoption of the cylindrical container has a large effect of reducing the gas introduction amount since the wall area is minimized as a container for accommodating the reaction system which often becomes cylindrical.

【0008】よって、本願発明の構造の反応槽におい
て、何らかの反応系を配設した場合、これから発生する
活性物質の周囲に飛散して内壁面に付着する付着量を、
従来の各種の反応槽に対し、同一の反応系を内蔵させた
ものと比べ、減少させる効果が著しい。
Therefore, when any reaction system is provided in the reaction tank having the structure of the present invention, the amount of the scattered active substance generated from the reaction system and adhered to the inner wall surface is calculated as follows.
The effect of the reduction is remarkable as compared with the case where the same reaction system is incorporated in various conventional reaction tanks.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の付着防止方法及び装置を具体
化する反応槽について図面を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A reaction tank embodying the method and apparatus for preventing adhesion of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0010】図1において反応槽全体は1で示され、そ
の槽本体2は円筒形状を呈し、その上方開口は蓋部材3
の外周縁部には環状の開口3a及びこれと同心的に、そ
の内方には更に環状の開口3bが形成されており、これ
らにそれぞれ相連通するように環状の中間タンク4及び
これに同心的に小径の環状タンク5が設けられている。
又、これらは図2に示すような形状を呈しているのであ
るが、それぞれその周壁部の一部にはその内部と連通し
てガス供給管6及び7がそれぞれ接続されており、又そ
の内部には図2に示されるように蓋部材3の環状の開口
3a及び3bに相連通するように、これらに整列して多
数の小孔13及び14が形成されている。
In FIG. 1, the whole reaction tank is indicated by 1. The tank main body 2 has a cylindrical shape.
A ring-shaped opening 3a and a ring-shaped opening 3b are formed concentrically with the outer peripheral edge of the ring-shaped opening 3b. An annular tank 5 having a small diameter is provided.
Further, these have shapes as shown in FIG. 2, and gas supply pipes 6 and 7 are respectively connected to a part of the peripheral wall portion thereof so as to communicate with the inside thereof. As shown in FIG. 2, a number of small holes 13 and 14 are formed so as to communicate with the annular openings 3a and 3b of the lid member 3 so as to communicate therewith.

【0011】すなわちガス供給管6及び7から供給され
る圧縮ガスは中間タンク4、5に一旦供給され、ここか
ら一様な流れ速度として後述するように槽本体2内にそ
の軸心方向に導出されるようになっている。
That is, the compressed gas supplied from the gas supply pipes 6 and 7 is once supplied to the intermediate tanks 4 and 5, from which the compressed gas is discharged at a uniform flow velocity into the tank body 2 in the axial direction as described later. It is supposed to be.

【0012】反応槽1は、全体として円筒形状を呈する
が、その中心軸C−C線の周りに同心的に多数の小孔8
aを所定の間隔で形成されたガス噴出壁体8が槽本体2
の内周壁面から、わずかな距離hをおいて配設されてい
る。
The reaction tank 1 has a cylindrical shape as a whole, but has a large number of small holes 8 concentrically around its central axis CC line.
a is formed at a predetermined interval from the gas ejection wall 8 to the tank body 2.
Are arranged at a slight distance h from the inner peripheral wall surface of the.

【0013】中間タンク4に配管6を介して供給された
圧縮ガスは、ここで均一化され、同タンク4の底壁部に
形成されている多数の小孔13及び蓋部材3の環状の開
口3aを介して、hの厚さの環状の空間H内へ軸C−C
方向の速度をもって噴出するが、その噴出速度は円周方
向全体に亘って均一となっている。
The compressed gas supplied to the intermediate tank 4 through the pipe 6 is homogenized here, and is provided with a number of small holes 13 formed in the bottom wall of the tank 4 and an annular opening of the lid member 3. 3a into an annular space H of thickness h, axis CC
The gas is jetted at a speed in the direction, and the jet speed is uniform over the entire circumferential direction.

【0014】また同様に、ガス導入管7を介して中間タ
ンク5に供給される圧縮ガスは、タンク5の底壁部に形
成されている多数の小孔14及び蓋部材3の環状の開口
3bを通って、この開口3bの全域に亘って一様な流速
で槽本体2内に軸心C−C方向と平行に噴出されるよう
になっている。
Similarly, the compressed gas supplied to the intermediate tank 5 through the gas introduction pipe 7 is supplied to the small holes 14 formed in the bottom wall of the tank 5 and the annular opening 3 b of the lid member 3. Through the opening 3b, and is jetted into the tank main body 2 at a uniform flow rate in a direction parallel to the axis CC.

【0015】槽本体2内には、又反応系としてスパッタ
リング装置11が設けられており、公知のように構成さ
れるが、その主たる構成を図示するものとする。すなわ
ち、軸心C−Cに沿って上方にはターゲット部材9が配
設されており、これに対向して下方にターゲット部材か
ら飛出する原子又は分子の薄膜が形成されるウエハ10
が、その載置台15に保持されている。
A sputtering apparatus 11 is provided in the tank main body 2 as a reaction system, and is configured in a known manner. The main configuration is illustrated. That is, a target member 9 is disposed above along the axis C-C, and a wafer 10 on which a thin film of atoms or molecules protruding from the target member is formed below and opposed thereto.
Are held by the mounting table 15 .

【0016】又、槽本体2の底壁部にはガス排出口部1
2が形成され、これには公知の排気系が接続されるが、
それによって槽本体2の上方から導入されたガスは一様
な流れとして排出口部12に向かって流れるような構造
になっている。本発明による反応槽1は以上のように構
成されるが、次にこの作用について説明する。
A gas outlet 1 is provided on the bottom wall of the tank body 2.
2 is formed, to which a known exhaust system is connected,
Thereby, the gas introduced from above the tank body 2 has a structure in which the gas flows toward the outlet 12 as a uniform flow. The reaction tank 1 according to the present invention is configured as described above. Next, this operation will be described.

【0017】本実施例によれば、第1の気体及び第2の
気体としてアルゴンガスが用いられ、これがガス供給管
6、7を介してそれぞれ中間タンク4、5に供給され
る。ここで均一な速度分布とされて蓋部材3に形成され
た環状の開口3a、3bを介して、それぞれ円筒形状の
ガス噴出壁体8と槽本体2の内壁との間に形成される環
状の空間H内、あるいは、槽本体2内の第2の所定距離
付近に所定の速度で軸心方向に沿って下方に噴出され
る。
According to the present embodiment, argon gas is used as the first gas and the second gas, which are supplied to the intermediate tanks 4 and 5 via the gas supply pipes 6 and 7, respectively. Here, through the annular openings 3a and 3b formed in the lid member 3 with a uniform velocity distribution, annular annular portions formed between the cylindrical gas ejection wall 8 and the inner wall of the tank body 2 are formed. It is jetted downward along the axial direction at a predetermined speed in the space H or near a second predetermined distance in the tank body 2.

【0018】図3は図1に示す反応槽1の各部のディメ
ンジョンを模式的に表すものであるが、図3に示される
ように、上述のH内に噴出されたアルゴンガス流aはガ
ス噴出壁体8に形成される多数の小孔8aから、矢印
1 の方向、すなわち中心軸線に向かう方向に噴出され、
その後方向を変えながら、前述の開口3bを通過して軸
心方向に流れるアルゴンガス流bと平行になり、排気口
12に導かれる。この流れによって反応系11から放出
された活性分子がどの程度防止されるかを解析的に調べ
るために、次のような記号を設定する。
FIG. 3 schematically shows the dimensions of each part of the reaction tank 1 shown in FIG. 1. As shown in FIG. 3, the argon gas flow a jetted into the H is a gas jet as shown in FIG. From the many small holes 8a formed in the wall body 8, an arrow v
Spouted in the direction of 1 , that is, the direction toward the central axis ,
Thereafter, while changing the direction, the direction becomes parallel to the argon gas flow b flowing in the axial direction through the above-described opening 3 b and is guided to the exhaust port 12. The following symbols are set in order to analytically examine how active molecules released from the reaction system 11 are prevented by this flow.

【0019】今、軸心C−Cの方向をz軸方向とする円
筒座標r、θ、zを用い、軸心からそれぞれ、噴出壁体
8までの距離r=r1 (第1の所定距離)、蓋部材3に
設けられた開口3bの外端、すなわちガス流bの外端ま
での距離をr=r2 (第2の所定距離)とし、更に、ガ
ス流aの巾ともいうべきr1 −r2 、すなわちガス流b
の外端からガス噴出壁体8までの距離をdとする。
Now, using the cylindrical coordinates r, θ, and z with the direction of the axis CC being the z-axis direction, the distance r from the axis to the ejection wall 8 is defined as r = r 1 (first predetermined distance). ), the outer end of the opening 3b provided in the lid member 3, i.e. the distance to the outer end of the gas stream b and r = r 2 (second predetermined distance), should be further referred to as the width of the gas flow a r 1 -r 2, i.e. gas stream b
Is a distance from the outer end of the gas ejection wall 8 to d.

【0020】また、ガス噴出壁体8から噴出されるアル
ゴンガスは、r=r1 、すなわち同壁体8の面上におい
て、z方向の速度は零であるが、中心軸線C−Cに向か
方向の速度は一様で、−r方向にv1 の速度をもち、
r=r2 においては流れは軸心に平行な流れ、すなわち
中心軸線C−Cに向かう方向の速度は零とする。
The argon gas ejected from the gas ejection wall 8 has a velocity of r = r 1 , that is, zero velocity in the z direction on the surface of the wall 8, but is directed toward the central axis CC. Or
Cormorant direction of the velocity is uniform, has a speed of v 1 in the -r direction,
At r = r 2 the flow is parallel to the axis, ie
The speed in the direction toward the central axis CC is set to zero.

【0021】なお、図1あるいは図3で示されるよう
に、ガス流bより内側に、軸zに沿って、かつ、これの
近傍にスパッタリング装置の反応系11が設けられてい
て、同系11からは種々の活性分子pが周囲に飛散する
のであるが、この濃度nは、r=r1 において、すなわ
ち、ガス噴出壁体8の面上においてはn=0、また、r
=r2 においてはn=n1 とする。
As shown in FIG. 1 or FIG. 3, a reaction system 11 of a sputtering apparatus is provided inside the gas flow b, along the axis z and in the vicinity of the axis z. Scatters various active molecules p around, but this concentration n is at r = r 1 , that is, n = 0 on the surface of the gas ejection wall 8, and r
= In r 2 and n = n 1.

【0022】さて、この境界条件を満たすべき濃度nに
対する濃度方程式を考えるとき、ガス流aは連続体の流
れとして取り扱ってよいことが示されるから、(通常、
ガス流aの巾dが平均自由行程λより大きくなると考え
られるため)ガス流aのr、z方向の速度成分をvr
z 、この流れの中を拡散する活性分子の拡散係数をD
とするとき、下記の数式1のようになる。
Now, when considering a concentration equation for a concentration n that satisfies the boundary condition, it is shown that the gas flow a may be treated as a continuum flow.
Since the width d of the gas flow a is considered to be larger than the mean free path λ), the velocity components of the gas flow a in the r and z directions are represented by v r ,
v z , the diffusion coefficient of active molecules diffusing in this stream
Then, Equation 1 below is obtained.

【0023】[0023]

【数1】 (Equation 1)

【0024】ここで、ガス流aの境界における前述の振
舞を考える時、vr 、vz に対する境界条件はr=r1
でvr 1 、r=r2 でvr =0である。この境界条
件は非粘性流的な境界条件であるから、非粘性の流れと
して取り扱うことで、よい近似解が得られることが期待
される。このようにして得られたvr 、vz を濃度方程
式に代入すれば、前述の濃度nの境界条件を満たす濃度
方程式の解が得られ、この解から、ガス噴出壁体8の単
位面積に単位時間当たり到着する活性分子の数、すなわ
ち、フラックスJを求めることができる。今、特にガス
流aの速度が零、すなわちv1 =0であるときのフラッ
クスをJ0 とし、α=J/J0 で減少率を定義すると
き、αは1より小さい値であり、壁体の単位面積あたり
で換算されたガスの流量を一定としたとき、αが、より
小さくなるほど、活性分子の壁面への付着を防止する能
高いと考えられる。
Here, when considering the above-described behavior at the boundary of the gas flow a, the boundary condition for v r and v z is r = r 1
And v r = v 1 , R = r 2 and v r = 0. Since this boundary condition is a non-viscous flow boundary condition, it is expected that a good approximation solution can be obtained by treating it as a non-viscous flow. By substituting the thus obtained v r and v z into the concentration equation, a solution of the concentration equation satisfying the boundary condition of the concentration n described above is obtained. From this solution, the unit area of the gas ejection wall 8 is calculated. The number of active molecules arriving per unit time, that is, the flux J can be determined. Now, especially zero velocity of the gas stream a, i.e. the flux when v 1 = 0 and J 0, when defining the reduction rate at α = J / J 0, α is a value smaller than 1, the wall when the flow rate of gas converted per unit area of the body is constant, alpha is, the more smaller, is believed to have a high ability to prevent adhesion to the wall surface of the active molecule.

【0025】現在の場合、求められたフラックスからこ
の減少率αが求まり、これをα1 とするとき下記の数式
2となる。
In the present case, the reduction rate α is obtained from the obtained flux, and when this is α 1 , the following equation 2 is obtained.

【0026】[0026]

【数2】 (Equation 2)

【0027】ここで、数式2で用いられた記号は数式3
で説明されている。
Here, the symbol used in Equation 2 is Equation 3
Is described in.

【0028】[0028]

【数3】 (Equation 3)

【0029】以上のようにして求められた減少率αはr
1 、r2 、pe の関数であるが、特に、pe =v1 d/
Dによって大きく変化し、pe が大きいほど減少率が小
さくなる。すなわち、拡散係数Dは小さければ小さいほ
ど、ガス流aの噴出速度v1は大きければ大きいほど、
又、ガス流aの巾とも言うべきd=(r1 −r2 )も大
きければ大きいほど減少率αは小さくなる。
The decrease rate α obtained as described above is r
1, r 2, is a function of p e, in particular, p e = v 1 d /
D greatly changes depending on D, and the reduction rate decreases as p e increases. That is, the smaller the diffusion coefficient D, the greater the ejection velocity v 1 of the gas flow a,
Also, the larger the d = (r 1 -r 2 ), which is also the width of the gas flow a, the smaller the reduction rate α.

【0030】ここで本願発明の効果を明らかにするた
め、他の形状の反応槽及びこれに対するガス流の各流し
方における減少率を比較する。
Here, in order to clarify the effect of the present invention, a reduction ratio in a reaction vessel having another shape and a flow rate of a gas flow with respect to the reaction vessel are compared.

【0031】図4は従来例の反応槽の一例である。この
場合の反応槽は全体としてほぼ直線形状を呈し、内部に
は反応系を収容する空間Qが画成されており、これから
Nで示す活性分子が周囲に飛散するわけであるが、この
活性分子が壁に到達するのを防止するために、例えば、
アルゴンガスがdの巾で壁50の壁面に並行に一様な流
速Uで流されるものとする。
FIG. 4 shows an example of a conventional reaction tank. In this case, the reaction tank has a substantially linear shape as a whole, and a space Q for accommodating the reaction system is defined therein. From this, the active molecules indicated by N are scattered around. For example, in order to prevent
It is assumed that the argon gas flows at a uniform flow rate U in parallel with the wall surface of the wall 50 with a width d.

【0032】今、座標系として、この壁面に沿ってx
軸、垂直にy軸を設け、活性分子の濃度nに対する境界
条件として、図3の場合と同じように、y=0でn=
0、y=dでn=n1 とする。この場合の活性分子の濃
度nに対する濃度方程式はアルゴンガス中での活性分子
の拡散係数をDとするとき、下記の数式4となる。
Now, as a coordinate system, x along this wall surface
The y-axis is provided vertically to the axis, and as a boundary condition for the concentration n of the active molecule, as in the case of FIG.
0, and n = n 1 in y = d. In this case, the concentration equation with respect to the concentration n of the active molecule is given by the following Expression 4 when the diffusion coefficient of the active molecule in the argon gas is D.

【0033】[0033]

【数4】 (Equation 4)

【0034】上述のnに対する境界条件を用いて、これ
を解くことにより本願発明の場合と同様に減少率が計算
され、この場合の減少率をα2 とするとき、α2 =1−
exp(−π2 x/pe d)となり、ここでpe =Ud
/Dである。
By using the above boundary condition for n and solving it, the reduction rate is calculated in the same manner as in the present invention. When the reduction rate in this case is α 2 , α 2 = 1−1
exp (-π 2 x / p e d) next, where p e = Ud
/ D.

【0035】図5は他の従来例の反応槽におけるガス流
を示すものであるが、本従来例でも反応槽は直方形状を
呈し、この壁51に沿ってガス噴出板52が配設されて
おり、これに形成される多数のガス噴出口52aから、
ガス(例えばアルゴン)が壁に垂直方向にv3 の速度で
噴出され、また、この噴出体52からdだけ離れた位置
にガス噴出ノズル口53が形成され、ここから成膜に必
要な反応ガス(例えばSi4 )が壁面51に平行に噴
出される。この場合も、ガス噴出孔52aから、噴出板
に垂直に噴出されたガスは、その後流れの方向を変え、
y=dでx軸に平行な方向に流れるものとする。
FIG. 5 shows a gas flow in another conventional reaction tank. In this conventional example, the reaction tank also has a rectangular shape, and a gas ejection plate 52 is provided along the wall 51. And a large number of gas ejection ports 52a formed therein,
A gas (for example, argon) is ejected to the wall at a speed of v 3 in the vertical direction, and a gas ejection nozzle port 53 is formed at a position separated by d from the ejection body 52, and a reaction gas necessary for film formation is formed therefrom. (For example, S i H 4 ) is ejected in parallel to the wall surface 51. Also in this case, the gas ejected perpendicularly to the ejection plate from the gas ejection holes 52a thereafter changes the flow direction,
Let y = d and flow in the direction parallel to the x-axis.

【0036】図5で示されるように、壁面51に、平行
又は垂直な方向を、それぞれx又はyとし、活性分子の
濃度nに対する境界条件をy=0でn=0、y=dでn
=n1 にとる。今u、vをx、y軸方向の流れの速度と
するとき、この場合の濃度方程式は、Dを活性分子の拡
散係数とするとき、下記の数式5が得られる。
As shown in FIG. 5, the direction parallel or perpendicular to the wall surface 51 is x or y, respectively, and the boundary condition for the concentration n of the active molecule is n = 0 when y = 0 and n when y = d.
= Take n 1. Assuming that u and v are flow velocities in the x and y axis directions, the concentration equation in this case is as follows, where D is the diffusion coefficient of active molecules.

【0037】[0037]

【数5】 (Equation 5)

【0038】u、vには前例と同じように非粘性流の解
を代入し、上述の境界条件のもとに解くことにより、本
従来例の減少率α3 が下記の数式6のように得られる。
[0038] u, v just as substitutes solution of inviscid flow precedent for, by solving the original boundary conditions described above, reduction rate alpha 3 of the conventional example as Equation 6 below can get.

【0039】[0039]

【数6】 (Equation 6)

【0040】以上のようにして、側壁を保護する阻止流
の3つの場合(図3、図4、図5)に対する減少率が求
められたが、これらの優劣を比較するために、同一面積
の壁を保護するための同一の質量流量が流された時、各
場合の減少率が、どう異なるかを調べる。同一面積の壁
として、図4、図5ではz方向は単位長さ、x方向は長
さL=10cmで指定される面積を、また本願発明の図
3では、r1 =40cmの円周面上に、円周方向に単位
長さ、z方向にL=10cmで指定される面積を考え、
また、dはいずれの場合も5cmとする。
As described above, the reduction ratios for the three cases (FIGS. 3, 4, and 5) of the blocking flow for protecting the side wall were obtained. Examine how the rate of reduction in each case is different when the same mass flow is applied to protect the wall. In FIGS. 4 and 5, a wall having the same area has an area designated by a unit length in the z direction and a length L = 10 cm in the x direction, and a circumferential surface of r 1 = 40 cm in FIG. 3 of the present invention. Above, consider the area specified by the unit length in the circumferential direction and L = 10 cm in the z direction,
D is 5 cm in each case.

【0041】今、阻止流の流量は図5でpe =10とな
る流量、すなわち145SCCMを流し、また拡散係数
Dは、いずれの場合も、同じ値(大気圧でD=0.12
cm2 /sec)が用いられる時、3つの場合の減少率
αは本願発明の反応槽で0.013、図4、図5の反応
槽で、それぞれ0.351、0.017となり(図4の
場合は平均値をとる)、本願発明のαが最も小さい。こ
のことは、本願発明において、壁面に付着する活性分子
の量が最も小さいことを意味する。この他、(i)ウエ
ハなどが円形であることを考慮する時、反応系は円筒状
になることが多い。従って、容器壁を円筒形にすると
き、同じ大きさの反応系を納める容器として面積が最小
となる。このことは、阻止流の流量を減少させる効果が
ある。(ii)均一な成膜を得るために必要な流れの対
称性が壁を円筒状にするときに得られ易いなどの利点を
併せ考えるとき、本願発明における方法が、壁面に対す
る活性分子の付着防止効果が最も大きいことがわかる。
Now, the flow rate of the blocking flow is such that p e = 10 in FIG. 5, ie, 145 SCCM, and the diffusion coefficient D is the same value (D = 0.12 at atmospheric pressure) in each case.
cm 2 / sec), the reduction rates α in the three cases are 0.013 in the reactor of the present invention and 0.351 and 0.017 in the reactors of FIGS. 4 and 5 (FIG. 4). In the case of (1), an average value is taken), and α of the present invention is the smallest. This means that in the present invention, the amount of active molecules attached to the wall surface is the smallest. In addition, when the (i) wafer or the like is considered to be circular, the reaction system is often cylindrical. Therefore, when the vessel wall is formed in a cylindrical shape, the area for the vessel containing the same size reaction system is minimized. This has the effect of reducing the flow of the blocking flow. (Ii) In consideration of the advantage that the symmetry of the flow necessary for obtaining a uniform film is easily obtained when the wall is formed into a cylindrical shape, the method of the invention of the present application is intended to prevent the adhesion of active molecules to the wall. It can be seen that the effect is greatest.

【0042】以上は本願発明の実施例の反応槽と従来例
の反応槽での減少率、所要流量などについての比較であ
ったが、次に本願発明の実施例に特有な効果について説
明する。
The above is a comparison of the reduction rate, required flow rate, and the like between the reaction tank of the embodiment of the present invention and the conventional reaction tank. Next, effects unique to the embodiment of the present invention will be described.

【0043】本願発明の実施例では、反応槽2の上端部
分から下端部分の全域に亘って、ガス噴出壁体8の各噴
出孔8aから噴出するガスの噴出速度が一定であるとし
て、減少率が求められたが、hが小さい場合には上端部
分におけるガス噴出速度の方が大きくなる。従って、こ
れを全域に亘って一様にするためには、このhを、ある
程度以上に大きくしなければならない。然るに本願発明
によれば、このガス噴出壁体8は反応槽本体2の壁面か
らの距離、すなわち、hが調節可能とされており(本体
2の内径を変更可能にすればよい)、これを調節して、
上壁部分と下壁部分におけるガス噴出速度の差を適当に
小さくできるから、上述の減少率が有効に使用できる。
また、場合によっては、上壁部分の方が活性分子の到来
が多く、活性分子の付着がより高い場合には、かえって
hを小さくして上壁部分におけるガス噴出速度の方を、
より大とした方が効果的である。
In the embodiment of the present invention, assuming that the jet velocity of the gas ejected from each ejection hole 8a of the gas ejection wall 8 is constant over the entire range from the upper end portion to the lower end portion of the reaction tank 2, the reduction rate is assumed to be constant. However, when h is small, the gas ejection speed at the upper end portion is higher. Therefore, in order to make this uniform over the entire area, h must be increased to a certain degree or more. However, according to the present invention, the gas jetting wall 8 has a distance from the wall surface of the reaction tank main body 2, that is, h, which can be adjusted (the inner diameter of the main body 2 may be changed). Adjust,
Since the difference between the gas ejection speeds of the upper wall portion and the lower wall portion can be appropriately reduced, the above-described reduction rate can be effectively used.
In some cases, the arrival of active molecules is higher in the upper wall portion, and when the adhesion of the active molecules is higher, the gas ejection speed in the upper wall portion is reduced by decreasing h instead of
Larger values are more effective.

【0044】更に、本実施例は、その底部に多数の小孔
13、14をもつ中間タンク4、5を設けてあり、これ
を介してアルゴンガスが反応槽本体2の内部空間内に導
入されるので、環状の空間には一様な噴出速度でガスが
導入され、円周方向においてほぼ均一な状態で下方に流
されるように工夫されているから、上記理論式とほぼ一
致した減少率が実現されると考えられる。なお、本願発
明の減少率は、r1 、r2 、pe (=v1 d/D)の関
数であるが、pe 数による影響を大きく受け、この値を
大きくすればするほど小さくなるから、拡散係数Dは小
さくすればするほど、また、ガス流の噴出速度v1 は大
きくすればするほど、更に、阻止流の巾dも大きくすれ
ばするほど小さくなる特徴をもつが、実際、この減少率
を使って、以下のようにして反応槽の大きさや付着防止
用のガス流量を決定できる。まず、使用ガスの種類によ
って拡散係数Dの値が、更に反応槽本体の中心軸線の近
傍に配設される反応系の大きさからr2 の値が、それぞ
れ決まる。ここで、減少率を所望の値に設定するとき、
この理論式から反応槽の大きさ及びガス流量を決めるた
めに必要なr1 及びv1 の値の関係がわかるから、この
反応槽を設置するスペースや減圧するのに必要な真空ポ
ンプの能力などを考えて、r1 及びv1 、すなわち、反
応槽の大きさや使用ガスの流量を決定することができ
る。
Further, in this embodiment, intermediate tanks 4 and 5 having a large number of small holes 13 and 14 are provided at the bottom thereof, and argon gas is introduced into the internal space of the reaction tank main body 2 through this. Therefore, gas is introduced into the annular space at a uniform ejection speed and is devised so as to flow downward in a substantially uniform state in the circumferential direction. It is considered to be realized. Incidentally, the reduction rate of the present invention is a function of r 1, r 2, p e (= v 1 d / D), greatly influenced by p e number becomes smaller The larger this value Thus, the smaller the diffusion coefficient D, the larger the jet velocity v 1 of the gas flow, and the larger the width d of the blocking flow, the smaller the diffusion coefficient. Using this reduction rate, the size of the reaction tank and the gas flow rate for preventing adhesion can be determined as follows. First, the value of the diffusion coefficient D is determined depending on the type of gas used, and the value of r 2 is determined from the size of the reaction system disposed near the center axis of the reaction vessel body. Here, when setting the reduction rate to a desired value,
From this theoretical formula, the relationship between the values of r 1 and v 1 required to determine the size of the reaction tank and the gas flow rate can be understood, so that the space for installing this reaction tank and the capacity of the vacuum pump required to reduce the pressure In consideration of the above, it is possible to determine r 1 and v 1 , that is, the size of the reaction tank and the flow rate of the gas used.

【0045】なお、ガスの温度を冷却すれば、拡散係数
Dが小さくなるので、反応槽の大きさの縮小化、あるい
は使用ガスの流量の減少化に役立つから、場合によって
は、付着防止用のガスを冷却して使用することが望まし
い。
If the temperature of the gas is cooled, the diffusion coefficient D becomes smaller, which helps to reduce the size of the reaction tank or the flow rate of the gas used. It is desirable to use the gas after cooling.

【0046】以上、本発明の実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明
の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this, and various modifications can be made based on the technical concept of the present invention.

【0047】例えば以上の実施例では、反応系としてス
パッタリング装置11を説明したが、勿論、これに限る
ことなく一般のCVD装置や、あるいは何らかの化学的
気相成長装置にも本発明は適用可能である。また、付着
を防止するために流すガスは上記実施例ではアルゴンガ
スで説明したが、勿論これに限ることなく、他の不活性
ガスであってもよい(例えばクセノンXe)。あるい
は、いわゆる元素周期律表における元素としての活性ガ
スでなくともよく、本明細書は反応槽が内蔵する反応系
から発生する活性分子と反応しないガスであれば、全て
これを不活性のガスと定義する。
For example, in the above embodiments, the sputtering apparatus 11 was described as a reaction system. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to a general CVD apparatus or any chemical vapor deposition apparatus. is there. In the above embodiment, the gas flowing to prevent the adhesion is described as argon gas. However, the gas is not limited to this, and may be another inert gas (for example, xenon Xe). Alternatively, the gas may not be an active gas as an element in the so-called periodic table of elements, and in the present specification, any gas that does not react with an active molecule generated from a reaction system built in a reaction tank is referred to as an inert gas. Define.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上、述べたように本発明の反応槽の内
壁面への活性物質の付着防止方法及び装置によれば、従
来の各構造の反応槽における各ガス流による反応槽の内
壁面への活性物質の付着防止方法と比べ、はるかに優れ
た、壁面への活性物質の付着防止効果を有し、又その付
着防止のためのガス流を極力少なくして、この効果を得
ることができる。又円筒形状内部空間を有するのである
が、この径方向の大きさや付着を防止するためのガス流
の速度などを減少率が一定となるように調節することが
できるので、その装置設計に大きな自由度と指針を与え
ることができる。
As described above, according to the method and the apparatus for preventing the adhesion of the active substance to the inner wall surface of the reaction tank according to the present invention, the inner wall surface of the reaction tank due to each gas flow in the conventional reaction tank of each structure. It has a much better effect of preventing the adhesion of the active substance to the wall surface than the method of preventing the adhesion of the active substance to the wall, and it is possible to obtain this effect by minimizing the gas flow for preventing the adhesion of the active substance. it can. Although it has a cylindrical internal space, the size in the radial direction and the speed of the gas flow for preventing adhesion can be adjusted so that the reduction rate is constant, so that there is great freedom in designing the device. Can give degree and guidance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例による反応槽の部分破断側面図
である。
FIG. 1 is a partially broken side view of a reaction vessel according to an embodiment of the present invention.

【図2】同部分破断平面図である。FIG. 2 is a partially broken plan view of the same.

【図3】同実施例の作用を説明するための要部の模式図
である。
FIG. 3 is a schematic view of a main part for explaining the operation of the embodiment.

【図4】図3で示す作用と比較するための従来例の反応
槽の一部及びガス流を示す模式図である。
FIG. 4 is a schematic view showing a part of a conventional reaction vessel and a gas flow for comparison with the operation shown in FIG.

【図5】他従来例の反応槽の要部及びガス流を示すため
の模式図である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a main part and a gas flow of another conventional reaction tank.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 反応槽 8 ガスの噴出壁体 11 スパッタリング装置 V1 ガス流 V2 ガス流 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reaction tank 8 Gas ejection wall body 11 Sputtering apparatus V 1 gas flow V 2 gas flow

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C30B 25/14 C23C 14/00 - 14/58 C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/203 - 21/205 H01L 21/302 H01L 21/31 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) C30B 25/14 C23C 14/00-14/58 C23C 16/00-16/56 H01L 21/203-21/205 H01L 21 / 302 H01L 21/31

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 円筒形状の内部空間を有し、その中心軸
線に沿って、かつこの近傍に反応系を配設させた反応槽
の前記中心軸線より径方向において第1の所定距離に多
数の気体噴出口を形成させた円筒形状の気体噴出用壁体
を配設し、前記中心軸線より径方向において、前記第1
の所定距離より小さい第2の所定距離で一方の端壁部に
環状の気体噴出用手段を配設し、前記気体噴出用壁体の
気体噴出口から前記中心軸線に向かう方向に不活性の第
1の気体を第1の所定速度で噴出させ、前記気体噴出用
手段から前記中心軸線に沿って不活性の第2の気体を第
2の所定速度で噴出させるようにしたことを特徴とする
反応槽の内壁面への活性物質の付着防止方法。
1. A reaction vessel having a cylindrical internal space and having a reaction system disposed along and near a central axis thereof, a large number of which are arranged at a first predetermined distance in the radial direction from the central axis of the reaction tank. A cylindrical gas ejection wall having a gas ejection port formed therein is provided, and the first gas ejection wall is formed in a radial direction from the center axis.
An annular gas ejection means is disposed at one end wall portion at a second predetermined distance smaller than the predetermined distance, and is inert in a direction from the gas ejection port of the gas ejection wall toward the central axis. A reaction in which the first gas is jetted at a first predetermined speed, and the inert gas is jetted from the gas jetting means at a second predetermined speed along the central axis. A method for preventing the adhesion of active substances to the inner wall surface of the tank.
【請求項2】 前記第1の気体及び/又は前記第2の気
体を冷却して前記内部空間内へ噴出するようにした請求
項1に記載の反応槽の内壁面への活性物質の付着防止方
法。
2. The method according to claim 1, wherein the first gas and / or the second gas are cooled and jetted into the internal space. Method.
【請求項3】 前記第1の所定速度を調節可能とした請
求項1又は請求項2に記載の反応槽の内壁面への活性物
質の付着防止方法。
3. The method according to claim 1, wherein the first predetermined speed is adjustable.
【請求項4】 前記第1の所定の距離と前記第2の所定
距離との差をできるだけ大きくして活性分子の壁面への
付着を少なくするようにした請求項1乃至請求項3のい
ずれか1項に記載の反応槽の内壁面への活性物質の付着
防止方法。
4. The method according to claim 1, wherein the difference between the first predetermined distance and the second predetermined distance is made as large as possible to reduce the adhesion of the active molecule to the wall surface. 2. The method for preventing an active substance from adhering to an inner wall surface of a reaction vessel according to claim 1.
【請求項5】 前記端壁部の外方に比較的大きい容積の
環状の内部空間を有する第1及び第2の容積形成手段を
設け、該容積形成手段内に各々、前記第1及び第2の気
体を外部より導入し、次いで前記気体噴出用壁体側及び
前記気体噴出用手段側に導くようにした請求項1乃至請
求項4のいずれか1項に記載の反応槽の内壁面への活性
物質の付着防止方法。
5. A relatively large volume outside said end wall.
First and second volume forming means having an annular internal space;
And the first and second gas are respectively provided in the volume forming means.
The body is introduced from the outside, and then the gas ejection wall side and
4. The method according to claim 1, wherein the guide is directed to the gas ejection means.
The activity on the inner wall surface of the reaction tank according to any one of claim 4
How to prevent substance adhesion.
【請求項6】6. 円筒形状の内部空間を有する反応槽と、A reaction vessel having a cylindrical internal space;
前記反応槽の中心軸線に沿ってかつその近傍に配設されDisposed along and near the central axis of the reaction vessel
た反応系と、前記中心軸線より径方向において第1の所And a first point in the radial direction from the central axis.
定距離に多数の気体噴出口を形成させた円筒形状の気体Cylindrical gas with multiple gas outlets formed at a fixed distance
噴出用壁体と、前記中心軸線より径方向において前記第A wall for ejection, and the second wall in a radial direction from the center axis.
1の所定距離よりも小さい第2の所定距離で一方の端壁One end wall at a second predetermined distance smaller than the first predetermined distance
部に配設された環状の気体噴出用手段とを有し、前記気Means for ejecting an annular gas provided in the section,
体噴出出口から前記中心軸線に向かう方向に不活性の第Inactive in the direction from the body ejection outlet toward the central axis
1の気体を第1の所定速度で噴1 gas at a first predetermined speed 出させ、前記気体噴出用Let out the gas
手段から前記中心軸線に沿って不活性の第2の気体を第Displacing an inert second gas along said central axis from the means
2の所定の速度で噴出させたことを特徴とする反応槽の2. The reaction tank characterized in that it is jetted at a predetermined speed.
内壁面への活性物質の付着防止装置。A device to prevent active substances from adhering to the inner wall.
【請求項7】 前記第1の気体及び/又は前記第2の気
体を冷却して前記内部空間内へ噴出するようにした請求
項6に記載の反応槽の内壁面への活性物質の付着防止装
置。
7. The first gas and / or the second gas.
Claims to cool the body and squirt into said interior space
Item 6. A device for preventing adhesion of an active substance to an inner wall surface of a reaction vessel according to Item 6.
Place.
【請求項8】 前記第1の所定速度を調節可能とした請
求項6又は請求項7に記載の反応槽の内壁面への活性物
質の付着防止装置。
8. A contractor for adjusting said first predetermined speed.
An active substance on the inner wall surface of the reaction vessel according to claim 6 or 7.
Quality anti-adhesion device.
【請求項9】 前記端壁部の外方に比較的大きい容積の
環状の内部空間を有する第1及び第2の容積形成手段を
設け、該容積形成手段内に各々、前記第1及び第2の気
体を外部より導入し、次いで前記気体噴出用壁体側及び
前記気体噴出用手段側に導くようにした請求項6乃至請
求項8のいずれか1項に記載の反応槽の内壁面への活性
物質の付着防止装置。
9. A relatively large volume outside said end wall.
First and second volume forming means having an annular internal space;
And the first and second gas are respectively provided in the volume forming means.
The body is introduced from the outside, and then the gas ejection wall side and
7. The gas injection means according to claim 6, wherein said gas ejection means is guided to said gas ejection means.
Item 9. Activity on the inner wall surface of the reaction vessel according to any one of claim 8
Substance adhesion prevention device.
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