JP3203452B2 - 回路実装容器 - Google Patents
回路実装容器Info
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- JP3203452B2 JP3203452B2 JP18953293A JP18953293A JP3203452B2 JP 3203452 B2 JP3203452 B2 JP 3203452B2 JP 18953293 A JP18953293 A JP 18953293A JP 18953293 A JP18953293 A JP 18953293A JP 3203452 B2 JP3203452 B2 JP 3203452B2
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、低温動作する電子回
路、特に、高周波電気信号を処理する回路の実装容器に
関する。
路、特に、高周波電気信号を処理する回路の実装容器に
関する。
【0002】
【従来の技術】室温以下の低温で動作するGaAs半導
体素子やSi半導体素子の中のMOS構造半導体素子
等、または臨界温度以下の温度で動作する超伝導体素子
等を使用した回路をクライオスタットの試料収容空間や
低温環境雰囲気の影響を受けずに安定に動作させるため
には、回路の周囲を気密にすることが必要である。
体素子やSi半導体素子の中のMOS構造半導体素子
等、または臨界温度以下の温度で動作する超伝導体素子
等を使用した回路をクライオスタットの試料収容空間や
低温環境雰囲気の影響を受けずに安定に動作させるため
には、回路の周囲を気密にすることが必要である。
【0003】また、電磁遮蔽を要する電子回路、特に高
周波電気信号(高周波電磁界)を処理する回路では、電
磁遮蔽をする要素と回路構成要素との位置関係により回
路の動作特性が影響を受けることが一般的に予想される
ので、回路要素とゝもに電磁遮蔽要素も含めた回路設計
(電磁場モード等に関する設計)が重要なことがしばし
ばである。
周波電気信号(高周波電磁界)を処理する回路では、電
磁遮蔽をする要素と回路構成要素との位置関係により回
路の動作特性が影響を受けることが一般的に予想される
ので、回路要素とゝもに電磁遮蔽要素も含めた回路設計
(電磁場モード等に関する設計)が重要なことがしばし
ばである。
【0004】電磁遮蔽に加えて気密性を確保する方法と
しては、上方に開口を有する導電性の材料(銅、アルミ
系の材料等)からなる箱状体の容器の側壁に気密性を有
する電気コネクタを装着し、この容器の中に回路を収容
して容器と同質材料からなる蓋を溶接やろう付け等の方
法で容器の開口部に気密接続する方法がある。
しては、上方に開口を有する導電性の材料(銅、アルミ
系の材料等)からなる箱状体の容器の側壁に気密性を有
する電気コネクタを装着し、この容器の中に回路を収容
して容器と同質材料からなる蓋を溶接やろう付け等の方
法で容器の開口部に気密接続する方法がある。
【0005】なお、気密性は必要とせずに電磁遮蔽のみ
が求められる場合は、回路の周囲を導電性の板や網等の
部材で覆う方法が知られている。なお、導電性の網を使
用する場合は、網のメッシュの寸法を電磁遮蔽したい回
路の動作周波数より高い遮断周波数となるように選定す
ることが必要である。例えば、上方に開口を有する導電
性の材料(銅、アルミ系の材料等)よりなる箱状体の容
器の側壁に電気コネクタを接続し、この容器に回路を収
容して容器の開口部に導電性の蓋をねじ止めにより固定
する方法が一般に使用されている。
が求められる場合は、回路の周囲を導電性の板や網等の
部材で覆う方法が知られている。なお、導電性の網を使
用する場合は、網のメッシュの寸法を電磁遮蔽したい回
路の動作周波数より高い遮断周波数となるように選定す
ることが必要である。例えば、上方に開口を有する導電
性の材料(銅、アルミ系の材料等)よりなる箱状体の容
器の側壁に電気コネクタを接続し、この容器に回路を収
容して容器の開口部に導電性の蓋をねじ止めにより固定
する方法が一般に使用されている。
【0006】気密性を確保する方法としては、上方に開
口を有する導電性の材料(銅、アルミ系の材料等)より
なる箱状体の容器に気密性を有する電気コネクタを装着
し、この容器の中に回路を収容して、開口部に変形性の
大きいシール部材(Oリング等)やシール材(銅、アル
ミニウム、インジュウム、グリース等)を介して導電性
の蓋をねじ等で固定する方法がある。この方法では、通
常の気密シール溝やねじ止め構造を使用することがで
き、特に、低温ではシール材としてインジュウム等の材
料を使用することが可能である。
口を有する導電性の材料(銅、アルミ系の材料等)より
なる箱状体の容器に気密性を有する電気コネクタを装着
し、この容器の中に回路を収容して、開口部に変形性の
大きいシール部材(Oリング等)やシール材(銅、アル
ミニウム、インジュウム、グリース等)を介して導電性
の蓋をねじ等で固定する方法がある。この方法では、通
常の気密シール溝やねじ止め構造を使用することがで
き、特に、低温ではシール材としてインジュウム等の材
料を使用することが可能である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】蓋を容器に溶接やろう
付け等の方法で気密接続する方法は、電磁遮蔽と気密性
の両方を満足することができるが、蓋の繰り返し開閉が
困難な場合が多く、開閉できる場合も、容器封止のため
に溶接部やろう付け部を再溶融する際に容器の温度が上
昇し、容器内に収容されている回路部品に特性劣化が発
生する可能性がある。
付け等の方法で気密接続する方法は、電磁遮蔽と気密性
の両方を満足することができるが、蓋の繰り返し開閉が
困難な場合が多く、開閉できる場合も、容器封止のため
に溶接部やろう付け部を再溶融する際に容器の温度が上
昇し、容器内に収容されている回路部品に特性劣化が発
生する可能性がある。
【0008】また、蓋を容器にシール部材やシール材を
介して固着して気密性を確保する方法は、シール部材や
シール材が蓋と容器との間に介在するため、蓋と容器の
電位の安定度がシール部材やシール材に影響され、ま
た、蓋と容器内に収容されている回路との距離を再現よ
く安定して確保することが容易ではないので、回路の動
作の安定性が問題になることがある(例えば、マイクロ
ストリップ型フィルタの高Q化回路に対して)。
介して固着して気密性を確保する方法は、シール部材や
シール材が蓋と容器との間に介在するため、蓋と容器の
電位の安定度がシール部材やシール材に影響され、ま
た、蓋と容器内に収容されている回路との距離を再現よ
く安定して確保することが容易ではないので、回路の動
作の安定性が問題になることがある(例えば、マイクロ
ストリップ型フィルタの高Q化回路に対して)。
【0009】本発明の目的は、これらの欠点を解消する
ことにあり、再現性が高く、安定した電磁遮蔽効果と低
温環境に適した気密性とを有し、収容される低温動作電
子回路の動作特性を安定させ、かつ収容される回路の保
守を容易にする回路実装容器を提供することにある。
ことにあり、再現性が高く、安定した電磁遮蔽効果と低
温環境に適した気密性とを有し、収容される低温動作電
子回路の動作特性を安定させ、かつ収容される回路の保
守を容易にする回路実装容器を提供することにある。
【0010】
【課題を解決する手段】上記の目的は、1方向に開口を
有し、壁面には金属薄膜が貼着されて、該箱状体の内部
は電磁遮蔽されており、内部には配線基板等の電子部品
が収納されることゝされている、導電性の箱状体よりな
り、前記箱状体には電磁遮蔽能を有する中側蓋(4)が
気密的になされており、さらに、前記中側蓋(4)を覆
って外側蓋(2)が、シール部材(3)をもって気密的
になされている回路実装容器によって達成される。
有し、壁面には金属薄膜が貼着されて、該箱状体の内部
は電磁遮蔽されており、内部には配線基板等の電子部品
が収納されることゝされている、導電性の箱状体よりな
り、前記箱状体には電磁遮蔽能を有する中側蓋(4)が
気密的になされており、さらに、前記中側蓋(4)を覆
って外側蓋(2)が、シール部材(3)をもって気密的
になされている回路実装容器によって達成される。
【0011】また、前記の内側蓋(4)は少なくとも一
部領域が導電性のメッシュ構造よりなるか、または、誘
電体の板よりなり、この誘電体の板の少なくとも一部領
域にメッシュ状の導電パターンが被着された構造でもよ
く、この場合の内側蓋(4)の電磁波通過遮断周波数は
前記の回路実装容器に収容される電子回路の動作最高周
波数より高くするものとする。
部領域が導電性のメッシュ構造よりなるか、または、誘
電体の板よりなり、この誘電体の板の少なくとも一部領
域にメッシュ状の導電パターンが被着された構造でもよ
く、この場合の内側蓋(4)の電磁波通過遮断周波数は
前記の回路実装容器に収容される電子回路の動作最高周
波数より高くするものとする。
【0012】なお、前記のシール部材(3)はインジュ
ウムであることが好ましく、また、前記の容器(1)に
少なくとも1個の開口(16)が形成される場合は、開
口(16)の電磁波通過遮断周波数を前記の回路実装容
器に収容される電子回路の動作最高周波数より高くする
ものとする。
ウムであることが好ましく、また、前記の容器(1)に
少なくとも1個の開口(16)が形成される場合は、開
口(16)の電磁波通過遮断周波数を前記の回路実装容
器に収容される電子回路の動作最高周波数より高くする
ものとする。
【0013】
【作用】一部または全部が導電性を有する内側蓋4を容
器1にねじ止め等により固着することによって電磁遮蔽
をすると、内側蓋4と容器1内に収容されている回路と
の間の距離が再現性よく確保されるので、電磁的干渉が
一定になって回路の動作特性が安定する。また、外側蓋
2は内側蓋4とは別に独立して設けられるので、低温環
境に適したシール構造を採用することができ、低温環境
で良好な気密性を確保することができる。
器1にねじ止め等により固着することによって電磁遮蔽
をすると、内側蓋4と容器1内に収容されている回路と
の間の距離が再現性よく確保されるので、電磁的干渉が
一定になって回路の動作特性が安定する。また、外側蓋
2は内側蓋4とは別に独立して設けられるので、低温環
境に適したシール構造を採用することができ、低温環境
で良好な気密性を確保することができる。
【0014】なお、場合によっては容器外部と通じる開
口16を容器に形成することによって、容器内部の減圧
やヘリウム、アルゴン、窒素等のガスの封入またはフロ
ーを可能にすることができる。
口16を容器に形成することによって、容器内部の減圧
やヘリウム、アルゴン、窒素等のガスの封入またはフロ
ーを可能にすることができる。
【0015】また、内側蓋4をメッシュ構造にしたり、
容器に穴16を形成しても、内側蓋4や穴16の電磁波
通過遮断周波数が容器1に収容される回路の動作最高周
波数より高くなるようにメッシュと穴の寸法を選定すれ
ば電磁遮蔽が可能である。
容器に穴16を形成しても、内側蓋4や穴16の電磁波
通過遮断周波数が容器1に収容される回路の動作最高周
波数より高くなるようにメッシュと穴の寸法を選定すれ
ば電磁遮蔽が可能である。
【0016】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
係る回路実装容器について説明する。
係る回路実装容器について説明する。
【0017】図1参照 図1に回路実装容器の断面図を示す。図において、1は
金メッキが施された銅製の容器であり、2は外側蓋であ
り、容器1とシール部材3を介してねじ止めされてい
る。4は内側蓋であり、容器1にねじ止めされている。
5は容器1の側壁に気密に装着された同軸コネクタであ
り、6は配線基板であり、配線基板6上に形成された回
路7と同軸コネクタ5とが相互に接続される。
金メッキが施された銅製の容器であり、2は外側蓋であ
り、容器1とシール部材3を介してねじ止めされてい
る。4は内側蓋であり、容器1にねじ止めされている。
5は容器1の側壁に気密に装着された同軸コネクタであ
り、6は配線基板であり、配線基板6上に形成された回
路7と同軸コネクタ5とが相互に接続される。
【0018】図2参照 図2に、内側蓋4の斜視図を示す。金メッキされた銅製
の蓋よりなり、周囲に容器1にねじ止めする穴8が形成
されている。
の蓋よりなり、周囲に容器1にねじ止めする穴8が形成
されている。
【0019】図3参照 図3に、内側蓋4の他の例の斜視図を示す。ステンレス
鋼製網よりなり、周囲にねじ止め用穴8が形成されてい
る。網のメッシュは、網の電磁波通過遮断周波数が収容
される回路の動作最高周波数より高くなるように選定さ
れる。
鋼製網よりなり、周囲にねじ止め用穴8が形成されてい
る。網のメッシュは、網の電磁波通過遮断周波数が収容
される回路の動作最高周波数より高くなるように選定さ
れる。
【0020】図4参照 図4に、内側蓋4の他の例の斜視図を示す。アルミナ等
の誘電体材料からなる板9の周囲に金属膜10を形成
し、中央部にメッシュ状の金属パターン11を形成した
ものであり、周囲にねじ止め用穴8が形成されている。
なお、メッシュ状の金属パターン11のメッシュの大き
さは、電磁波通過遮断周波数が収容される回路の動作最
高周波数より高くなるように選定される。
の誘電体材料からなる板9の周囲に金属膜10を形成
し、中央部にメッシュ状の金属パターン11を形成した
ものであり、周囲にねじ止め用穴8が形成されている。
なお、メッシュ状の金属パターン11のメッシュの大き
さは、電磁波通過遮断周波数が収容される回路の動作最
高周波数より高くなるように選定される。
【0021】図5参照 図5に、容器1の外側蓋取り付け面12に形成されるシ
ール部材用溝13の形成図を示す。このシール部材用溝
13にインジュウム等が充填される。なお、14は外側
蓋2を取り付けるねじ穴である。
ール部材用溝13の形成図を示す。このシール部材用溝
13にインジュウム等が充填される。なお、14は外側
蓋2を取り付けるねじ穴である。
【0022】図6参照 図6に、同軸コネクタ5と容器1に収容された回路7と
の接続部の詳細図を示す。図において、5は同軸コネク
タであり、同軸コネクタ5のピン15が容器1に収容さ
れた回路7の一部と接続される。なお、16は容器内を
減圧したり、ヘリウム等のガスを導入するのに使用され
る穴であり、この穴の大きさは電磁波通過遮断周波数が
収容される回路の動作最高周波数より高くなるように選
定される。
の接続部の詳細図を示す。図において、5は同軸コネク
タであり、同軸コネクタ5のピン15が容器1に収容さ
れた回路7の一部と接続される。なお、16は容器内を
減圧したり、ヘリウム等のガスを導入するのに使用され
る穴であり、この穴の大きさは電磁波通過遮断周波数が
収容される回路の動作最高周波数より高くなるように選
定される。
【0023】この回路実装容器を使用すれば、低温動作
に有用なヘリウムガス等の雰囲気中で77Kや4.2K
等の低温環境でも気密性が確保され、しかも再現性よく
電磁遮蔽することが可能である。
に有用なヘリウムガス等の雰囲気中で77Kや4.2K
等の低温環境でも気密性が確保され、しかも再現性よく
電磁遮蔽することが可能である。
【0024】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る回路
実装容器においては、容器の蓋が二層構造となってお
り、内側蓋で電磁遮蔽がなされ、外側蓋で気密性が確保
されるというように、電磁遮蔽と気密性確保とがそれぞ
れ独立した二つの蓋によってなされているので、再現性
がある安定した電磁遮蔽と低温環境に適したシール部材
の使用による良好な気密性の確保とが両立して達成さ
れ、しかも収容される回路の保守が容易である。
実装容器においては、容器の蓋が二層構造となってお
り、内側蓋で電磁遮蔽がなされ、外側蓋で気密性が確保
されるというように、電磁遮蔽と気密性確保とがそれぞ
れ独立した二つの蓋によってなされているので、再現性
がある安定した電磁遮蔽と低温環境に適したシール部材
の使用による良好な気密性の確保とが両立して達成さ
れ、しかも収容される回路の保守が容易である。
【図1】回路実装容器の断面図である。
【図2】内側蓋の斜視図である。
【図3】内側蓋の斜視図である。
【図4】内側蓋の斜視図である。
【図5】容器の外側蓋取り付け面の詳細図である。
【図6】同軸コネクタと回路との接続部詳細図である。
1 容器 2 外側蓋 3 シール部材 4 内側蓋 5 同軸コネクタ 6 配線基板 7 回路 8 ねじ止め用穴 9 誘電体の板 10 金属膜 11 メッシュ状金属パターン 12 容器の外側蓋取り付け面 13 シール部材用溝 14 外側蓋取り付け用ねじ穴 15 同軸コネクタのピン 16 ガス導入用等の穴
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−100554(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/00
Claims (4)
- 【請求項1】 1方向に開口を有し、壁面には金属薄膜
が貼着されて、該箱状体の内部は電磁遮蔽されてなり、
内部には配線基板等の電子部品が収納されることゝされ
てなる、導電性の箱状体よりなり、前記箱状体には電磁
遮蔽能を有する中側蓋(4)が気密的になされてなり、
さらに、前記中側蓋(4)を覆って外側蓋(2)が、シ
ール部材(3)をもって気密的になされてなることを特
徴とする回路実装容器。 - 【請求項2】 前記中側蓋(4)の面の少なくとも一部
領域には、導電材のメッシュが設けられてなり、該導電
材のメッシュの電磁波通過遮断周波数は、前記回路実装
容器に実装される電子部品の動作最高周波数より高くさ
れてなることを特徴とする請求項1記載の回路実装容
器。 - 【請求項3】 前記中側蓋(4)の主材は誘電体の板よ
りなり、該誘電体の板の少なくとも一部領域には、導電
材のメッシュが設けられてなり、該導電材のメッシュの
電磁波通過遮断周波数は、前記回路実装容器に実装され
る電子部品の動作最高周波数より高くされてなることを
特徴とする請求項1記載の回路実装容器。 - 【請求項4】 前記シール部材(3)は、インジュウム
であることを特徴とする請求項1、2、または、3記載
の回路実装容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18953293A JP3203452B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 回路実装容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18953293A JP3203452B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 回路実装容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745738A JPH0745738A (ja) | 1995-02-14 |
| JP3203452B2 true JP3203452B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=16242879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18953293A Expired - Fee Related JP3203452B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 回路実装容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3203452B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4519099B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2010-08-04 | 三菱電機株式会社 | 高周波モジュール |
| JP4844287B2 (ja) * | 2006-04-26 | 2011-12-28 | ソニー株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP6215574B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2017-10-18 | 京セラ株式会社 | 電子部品搭載用基板およびそれを用いた電子部品実装パッケージ |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP18953293A patent/JP3203452B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0745738A (ja) | 1995-02-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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