JP3204082B2 - 金属バンプの製造方法 - Google Patents
金属バンプの製造方法Info
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3478—Application of solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベアチップ、ＣＳ
Ｐ（Chip Scale Package）、ＢＧＡ（Ball GridArray
）パッケージ、およびＴＣＰ（Tape Carrier Packag
e）等への金属バンプの製造方法に関する。
Ｐ（Chip Scale Package）、ＢＧＡ（Ball GridArray
）パッケージ、およびＴＣＰ（Tape Carrier Packag
e）等への金属バンプの製造方法に関する。
【０００２】近年の電子装置の小型軽量化への要求に伴
い、ＩＣ，ＬＳＩ等の電子デバイスは、高集積化されて
その入出力端子（電極端子）数は、数百にも及ぶ。この
ような多端子の電子デバイスを回路基板に高密度に搭載
する方法として、チップの表面に金属バンプを形成し、
その金属バンプを電子デバイスのパッドに転写して電子
デバイスを回路基板に実装することが行われている。
い、ＩＣ，ＬＳＩ等の電子デバイスは、高集積化されて
その入出力端子（電極端子）数は、数百にも及ぶ。この
ような多端子の電子デバイスを回路基板に高密度に搭載
する方法として、チップの表面に金属バンプを形成し、
その金属バンプを電子デバイスのパッドに転写して電子
デバイスを回路基板に実装することが行われている。
【０００３】
【従来の技術】ベアチップ、ＣＳＰおよびＢＧＡに対す
る金属バンプの形成方法として、特開平７−２４９６３
１号（はんだバンプ及びはんだボールの製造方法及び半
導体装置の製造方法）に開示されている方法がある。こ
の特開平７−２４９６３１号には、「Ｓi ウェハを異方
性エッチングして、電子部品の電極パッドに対応する位
置に凹部を形成し、この凹部にはんだペーストを充填し
て加熱することによって該凹部の中に金属ボールを成形
する。次に金属ボールと電極パッドを位置合わせした
後、加熱リフローすることによって、電極パッドに金属
ボールを転写して金属バンプを形成する。」という技術
が開示されている。
る金属バンプの形成方法として、特開平７−２４９６３
１号（はんだバンプ及びはんだボールの製造方法及び半
導体装置の製造方法）に開示されている方法がある。こ
の特開平７−２４９６３１号には、「Ｓi ウェハを異方
性エッチングして、電子部品の電極パッドに対応する位
置に凹部を形成し、この凹部にはんだペーストを充填し
て加熱することによって該凹部の中に金属ボールを成形
する。次に金属ボールと電極パッドを位置合わせした
後、加熱リフローすることによって、電極パッドに金属
ボールを転写して金属バンプを形成する。」という技術
が開示されている。
【０００４】以下図２と図３に基づいて従来の金属バン
プの製造方法を説明する。なお、これら図２と図３に開
示されている技術は、上記特開平７−２４９６３１に開
示されている技術と類似の技術である。
プの製造方法を説明する。なお、これら図２と図３に開
示されている技術は、上記特開平７−２４９６３１に開
示されている技術と類似の技術である。
【０００５】先ず、図２(a) と(b) と(c) と(d) および
(e) に開示されている技術について説明する。なお、図
２において、(a) と(c) は模式的要部平面図であり、
(b) と(d) と(e) は模式的要部側断面図である。
(e) に開示されている技術について説明する。なお、図
２において、(a) と(c) は模式的要部平面図であり、
(b) と(d) と(e) は模式的要部側断面図である。
【０００６】この図２に開示されている方法は、「Ｓi
ウェハからなる金属ボール形成部材10Ａの（１００）面
を異方性エッチングして形成された四角錐形状の凹部11
Ａの中にはんだペースト１を充填する工程、充填された
はんだペースト１を加熱して凹部11Ａ内に金属ボール２
を生成する工程、この金属ボール２を電子部品50の電極
パッド51に転写する工程、をシーケンス的に実行して電
子部品50の電極パッド51上に金属バンプ３を形成す
る。」というものである。図中、１ははんだ粒子と粘稠
性フラックスから成るはんだペースト、２ははんだペー
スト１中のはんだ粒子が溶融して生成された金属ボー
ル、３は金属ボール２が電極パッド51に融着してできた
金属バンプ、10Ａは所定数の凹部11Ａが所定位置に形成
されたＳi ウェハからなる金属ボール形成部材、をそれ
ぞれ示す。
ウェハからなる金属ボール形成部材10Ａの（１００）面
を異方性エッチングして形成された四角錐形状の凹部11
Ａの中にはんだペースト１を充填する工程、充填された
はんだペースト１を加熱して凹部11Ａ内に金属ボール２
を生成する工程、この金属ボール２を電子部品50の電極
パッド51に転写する工程、をシーケンス的に実行して電
子部品50の電極パッド51上に金属バンプ３を形成す
る。」というものである。図中、１ははんだ粒子と粘稠
性フラックスから成るはんだペースト、２ははんだペー
スト１中のはんだ粒子が溶融して生成された金属ボー
ル、３は金属ボール２が電極パッド51に融着してできた
金属バンプ、10Ａは所定数の凹部11Ａが所定位置に形成
されたＳi ウェハからなる金属ボール形成部材、をそれ
ぞれ示す。
【０００７】図２に開示した方法によって生成された金
属ボール２は、金属ボール形成部材10Ａの（１００）面
からの突出量が、金属ボール２の直径ｄの約10％（0.1
d）と少ない。このため、この方法を用いて製造した金
属ボール２は、電子部品50の電極パッド51に転写される
ときに欠損（転写洩れ）が生じる危険性がある。
属ボール２は、金属ボール形成部材10Ａの（１００）面
からの突出量が、金属ボール２の直径ｄの約10％（0.1
d）と少ない。このため、この方法を用いて製造した金
属ボール２は、電子部品50の電極パッド51に転写される
ときに欠損（転写洩れ）が生じる危険性がある。
【０００８】次に図３(a) と(b) と(c) と(d) と(e) と
(f) と(g) 及び(h) に開示されている技術について説明
する。なお、図３において、(a) と(d) と(e) は模式的
要部平面図であり、(b) と(c) と(f) と(g) と(h) は模
式的要部側断面図である。
(f) と(g) 及び(h) に開示されている技術について説明
する。なお、図３において、(a) と(d) と(e) は模式的
要部平面図であり、(b) と(c) と(f) と(g) と(h) は模
式的要部側断面図である。
【０００９】この図３に開示されている方法は、「Ｓi
ウェハからなる金属ボール形成部材10Ｂの（１１０）面
を異方性エッチングして形成された開口の夾角が70.53
°の菱形形状の凹部11Ｂの中にはんだペースト１を充填
する工程、このはんだペースト１を加熱することによっ
て凹部11Ｂ内に金属ボール２を形成する工程、該金属ボ
ール２を電子部品50の電極パッド51に転写する工程〔前
記図２(e) 参照〕、をシーケンス的に実行して金属バン
プ３を形成する。」というものである。
ウェハからなる金属ボール形成部材10Ｂの（１１０）面
を異方性エッチングして形成された開口の夾角が70.53
°の菱形形状の凹部11Ｂの中にはんだペースト１を充填
する工程、このはんだペースト１を加熱することによっ
て凹部11Ｂ内に金属ボール２を形成する工程、該金属ボ
ール２を電子部品50の電極パッド51に転写する工程〔前
記図２(e) 参照〕、をシーケンス的に実行して金属バン
プ３を形成する。」というものである。
【００１０】以上の説明から明らかなように、（１１
０）面を異方性エッチングした場合、開口が70.53 °の
菱形であると、短対角線直下に対角線長さの１／２の深
さを有する凹部11Ｂを得ることができる〔図３(b) 参
照〕。従ってこの凹部11Ｂにはんだペースト１を充填し
て加熱したときには金属ボール形成部材10Ｂからの金属
ボール２の突出量は直径ｄの20％と（１００）面のとき
と比較して２倍になる。しかし、この方法によって形成
される凹部11Ｂは、底面を構成している２面の交線が
（１１０）面と平行，即ち水平になっていることから、
金属ボール２の移動可能範囲は短対角線の両側の壁面で
規制される範囲内まで拡大されてしまう。このように金
属ボール２の移動範囲が拡大されてしまうと、金属ボー
ル２の形成位置は図３(d) と(e) 或いは(f) と(h) に開
示されているように安定しない。
０）面を異方性エッチングした場合、開口が70.53 °の
菱形であると、短対角線直下に対角線長さの１／２の深
さを有する凹部11Ｂを得ることができる〔図３(b) 参
照〕。従ってこの凹部11Ｂにはんだペースト１を充填し
て加熱したときには金属ボール形成部材10Ｂからの金属
ボール２の突出量は直径ｄの20％と（１００）面のとき
と比較して２倍になる。しかし、この方法によって形成
される凹部11Ｂは、底面を構成している２面の交線が
（１１０）面と平行，即ち水平になっていることから、
金属ボール２の移動可能範囲は短対角線の両側の壁面で
規制される範囲内まで拡大されてしまう。このように金
属ボール２の移動範囲が拡大されてしまうと、金属ボー
ル２の形成位置は図３(d) と(e) 或いは(f) と(h) に開
示されているように安定しない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】今後、ＵＬＳＩ（ウル
トラ級のＬＳＩ）では、金属バンプ３の間隔が150 μｍ
前後になると共に、バンプの数が数千にも及ぶことが予
想される。このとき、凹部内に形成されるはんだボール
（金属ボール２）の大きさは80〜90μｍとなる。
トラ級のＬＳＩ）では、金属バンプ３の間隔が150 μｍ
前後になると共に、バンプの数が数千にも及ぶことが予
想される。このとき、凹部内に形成されるはんだボール
（金属ボール２）の大きさは80〜90μｍとなる。
【００１２】このため、（１００）面で形成される前記
凹部11Ａでは、金属ボール形成部材10Ａからの金属ボー
ル２の平均突出量が前記の理由から10μｍ以下（80〜90
μｍの約10％）となり、凹部へのはんだペースト１の充
填が不充分であるときには、この突出量がさらに減少す
ることも考えられる。従って、（１００）面で形成され
る凹部11Ａ内の全ての金属ボール２を電子部品50の電極
パッド51に欠損無く転写することは極めて困難となる。
凹部11Ａでは、金属ボール形成部材10Ａからの金属ボー
ル２の平均突出量が前記の理由から10μｍ以下（80〜90
μｍの約10％）となり、凹部へのはんだペースト１の充
填が不充分であるときには、この突出量がさらに減少す
ることも考えられる。従って、（１００）面で形成され
る凹部11Ａ内の全ての金属ボール２を電子部品50の電極
パッド51に欠損無く転写することは極めて困難となる。
【００１３】一方、（１１０）面で形成される凹部11Ｂ
においては、金属ボール形成部材10Ｂからの金属ボール
２の突出量は金属ボール２の直径の約２０％（金属ボー
ル２の直径が９０μm の場合は約１８μｍ）となる。こ
のため、金属ボール２を電子部品50の電極パッド51に欠
損無く転写することは比較的容易である。しかしなが
ら、この凹部11Ｂの場合は、前記図３で説明したように
金属ボール２の位置が不揃いとなる可能性があるため、
（１１０）面の凹部に形成した数千にも及ぶ金属ボール
２を電子部品50の電極パッド51（図１，図２参照）上に
位置ズレを生じないように正確に転写して金属バンプ３
を形成することは極めて困難である。
においては、金属ボール形成部材10Ｂからの金属ボール
２の突出量は金属ボール２の直径の約２０％（金属ボー
ル２の直径が９０μm の場合は約１８μｍ）となる。こ
のため、金属ボール２を電子部品50の電極パッド51に欠
損無く転写することは比較的容易である。しかしなが
ら、この凹部11Ｂの場合は、前記図３で説明したように
金属ボール２の位置が不揃いとなる可能性があるため、
（１１０）面の凹部に形成した数千にも及ぶ金属ボール
２を電子部品50の電極パッド51（図１，図２参照）上に
位置ズレを生じないように正確に転写して金属バンプ３
を形成することは極めて困難である。
【００１４】特に、パッド間隔が150 μｍ前後で且つ数
千にも及ぶＵＬＳＩの電極パッド51上に金属バンプを欠
損なく形成するためには、金属ボール形成部材からの金
属ボール２の突出量が大きく、しかもこれら金属ボール
２の位置が揃っていることが重要である。
千にも及ぶＵＬＳＩの電極パッド51上に金属バンプを欠
損なく形成するためには、金属ボール形成部材からの金
属ボール２の突出量が大きく、しかもこれら金属ボール
２の位置が揃っていることが重要である。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明による金属バンプ
の製造方法は、図１(a) 〜(f) に示すように、面方位が
（１１０）面に対して或る角度傾斜した（Ｘ1 Ｙ1 ０）
〔Ｘ1 ≠Ｙ1 ，Ｘ1 ≠０，Ｙ1 ≠０〕で表されるＳi ウ
ェハからなる金属ボール形成部材10を異方性エッチング
して凹部11を形成し、この凹部11に充填されたはんだペ
ースト１を加熱して生成された金属ボール２を電子部品
50の電極パッド51に転写することで上記課題を解決して
いる。この技術は、前記特開平７−２４９６３１に開示
されている技術とは異なる新しい発想に基づく技術であ
る。
の製造方法は、図１(a) 〜(f) に示すように、面方位が
（１１０）面に対して或る角度傾斜した（Ｘ1 Ｙ1 ０）
〔Ｘ1 ≠Ｙ1 ，Ｘ1 ≠０，Ｙ1 ≠０〕で表されるＳi ウ
ェハからなる金属ボール形成部材10を異方性エッチング
して凹部11を形成し、この凹部11に充填されたはんだペ
ースト１を加熱して生成された金属ボール２を電子部品
50の電極パッド51に転写することで上記課題を解決して
いる。この技術は、前記特開平７−２４９６３１に開示
されている技術とは異なる新しい発想に基づく技術であ
る。
【００１６】図１(a) と(b) と(c) と(d) と(e) および
(f) は本発明の原理説明図を兼ねた実施例図である。図
中、10は（１１０）面からθ傾斜した（Ｘ1 Ｙ1 ０）面
を有するＳi ウェハからなる金属ボール形成部材であ
り、11は異方性エッチングによって形成された凹部であ
る。
(f) は本発明の原理説明図を兼ねた実施例図である。図
中、10は（１１０）面からθ傾斜した（Ｘ1 Ｙ1 ０）面
を有するＳi ウェハからなる金属ボール形成部材であ
り、11は異方性エッチングによって形成された凹部であ
る。
【００１７】前記（１１０）面を開口の夾角が70.53 °
の菱形形状に異方性エッチングして凹部11を形成した場
合、この凹部11は、（１１０）面に垂直な４側面、及び
Ｓi結晶のＸ−Ｙ面との夾角が54.74 °である２つの底
面によって形成された凹部となる。そしてこれら６面
は、いずれも原子密度の点で（１１１）面と等価な面で
ある。
の菱形形状に異方性エッチングして凹部11を形成した場
合、この凹部11は、（１１０）面に垂直な４側面、及び
Ｓi結晶のＸ−Ｙ面との夾角が54.74 °である２つの底
面によって形成された凹部となる。そしてこれら６面
は、いずれも原子密度の点で（１１１）面と等価な面で
ある。
【００１８】したがって、面方位が（１１０）面からθ
傾斜したＳi ウェハからなる金属ボール形成部材10（Ｘ
1 Ｙ1 ０）〔Ｘ1 ≠Ｙ1 ，Ｘ1 ≠０，Ｙ1 ≠０〕面を異
方性エッチングした場合には、従来底面を構成していた
２面もＳi ウェハ（金属ボール形成部材10）に対してθ
傾斜し、この２面と（１１０）面に垂直な２面の計４面
によって最深部αが形成されることになる。
傾斜したＳi ウェハからなる金属ボール形成部材10（Ｘ
1 Ｙ1 ０）〔Ｘ1 ≠Ｙ1 ，Ｘ1 ≠０，Ｙ1 ≠０〕面を異
方性エッチングした場合には、従来底面を構成していた
２面もＳi ウェハ（金属ボール形成部材10）に対してθ
傾斜し、この２面と（１１０）面に垂直な２面の計４面
によって最深部αが形成されることになる。
【００１９】本発明は、図１に開示しているように、面
方位が（１１０）面に対してθ傾斜した面方位（Ｘ1 Ｙ
1 ０）〔Ｘ1 ≠Ｙ1 ，Ｘ1 ≠０，Ｙ1 ≠０〕で表される
金属ボール形成部材10を異方性エッチングすることによ
って底面を構成している２面を（Ｘ1 Ｙ1 ０）面に対し
てθ傾斜させ、この２面と（１１０）面に垂直な２面の
計４面によって最深部αを一箇所だけ有する凹部11が形
成されるようにしたものである。
方位が（１１０）面に対してθ傾斜した面方位（Ｘ1 Ｙ
1 ０）〔Ｘ1 ≠Ｙ1 ，Ｘ1 ≠０，Ｙ1 ≠０〕で表される
金属ボール形成部材10を異方性エッチングすることによ
って底面を構成している２面を（Ｘ1 Ｙ1 ０）面に対し
てθ傾斜させ、この２面と（１１０）面に垂直な２面の
計４面によって最深部αを一箇所だけ有する凹部11が形
成されるようにしたものである。
【００２０】このようにして、最深部αが一箇所だけ形
成された金属ボール形成部材10を用いることで、該凹部
11内で成形される金属ボール２の位置を揃えることがで
きるとともに、金属ボール２を転写する上で重要な金属
ボール２の凹部11からの突出量を確保することができ
る。
成された金属ボール形成部材10を用いることで、該凹部
11内で成形される金属ボール２の位置を揃えることがで
きるとともに、金属ボール２を転写する上で重要な金属
ボール２の凹部11からの突出量を確保することができ
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下実施例図に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１(a) と(b) と(c) と(d) と(e) お
よび(f) は本発明の原理説明図を兼ねた実施例図であ
る。図中、１ははんだペースト、２は金属ボール、10は
金属ボール形成部材、11は凹部、をそれぞれ示す。
詳細に説明する。図１(a) と(b) と(c) と(d) と(e) お
よび(f) は本発明の原理説明図を兼ねた実施例図であ
る。図中、１ははんだペースト、２は金属ボール、10は
金属ボール形成部材、11は凹部、をそれぞれ示す。
【００２２】本発明による金属バンプの製造方法は、
「面方位が（１１０）面に対してθ傾斜した（Ｘ1 Ｙ1
０）〔Ｘ1 ≠Ｙ1 ，Ｘ1 ≠０，Ｙ1 ≠０〕面で表される
Ｓi ウェハからなる金属ボール形成部材10を異方性エッ
チングして凹部11を形成し、この凹部11に充填されたは
んだペースト１を加熱して生成された金属ボール２を電
子部品50の電極パッド51に転写して金属バンプ３を形成
する。」ようにしたことを特徴とする。
「面方位が（１１０）面に対してθ傾斜した（Ｘ1 Ｙ1
０）〔Ｘ1 ≠Ｙ1 ，Ｘ1 ≠０，Ｙ1 ≠０〕面で表される
Ｓi ウェハからなる金属ボール形成部材10を異方性エッ
チングして凹部11を形成し、この凹部11に充填されたは
んだペースト１を加熱して生成された金属ボール２を電
子部品50の電極パッド51に転写して金属バンプ３を形成
する。」ようにしたことを特徴とする。
【００２３】図１に開示した実施例は、「面方位（Ｘ1
＝10 Ｙ1 ＝12 Ｚ1 ＝０）のＳiウェハからなる金属
ボール形成部材10〔（１１０）面との夾角θ＝11.31
°〕を異方性エッチングして、一箇所の最深部αを備え
た凹部11を150 μｍピッチ（図示せず）で形成し、この
凹部11に充填したはんだペースト１を加熱することによ
って生成された金属ボール２を電子部品50の電極パッド
51に転写して金属バンプ３を形成する。」というもので
ある。
＝10 Ｙ1 ＝12 Ｚ1 ＝０）のＳiウェハからなる金属
ボール形成部材10〔（１１０）面との夾角θ＝11.31
°〕を異方性エッチングして、一箇所の最深部αを備え
た凹部11を150 μｍピッチ（図示せず）で形成し、この
凹部11に充填したはんだペースト１を加熱することによ
って生成された金属ボール２を電子部品50の電極パッド
51に転写して金属バンプ３を形成する。」というもので
ある。
【００２４】この方法を用いて形成された凹部11は、図
１からも明らかなように、底面を形成する２面の交線が
（Ｘ1 Ｙ1 ０）面に対してθ＝11.31 °傾斜しているこ
とから最深部αが一箇所にのみ形成される。従って、こ
の方法を適用すると金属ボール２を電極パッド51に転写
して金属バンプ３を形成するときの信頼性が著しく向上
する。
１からも明らかなように、底面を形成する２面の交線が
（Ｘ1 Ｙ1 ０）面に対してθ＝11.31 °傾斜しているこ
とから最深部αが一箇所にのみ形成される。従って、こ
の方法を適用すると金属ボール２を電極パッド51に転写
して金属バンプ３を形成するときの信頼性が著しく向上
する。
【００２５】なお、異方性エッチングによって金属ボー
ル形成部材10を作るのは大変だから電鋳法等を用いてこ
の金属ボール形成部材10の複製品を作ることも考えられ
る。但し、この金属ボール形成部材10の複製品は、はん
だを撥かなければならないので、はんだが付着しない材
料（例えばアルミニウム，クロム，合成樹脂等）で構成
される。
ル形成部材10を作るのは大変だから電鋳法等を用いてこ
の金属ボール形成部材10の複製品を作ることも考えられ
る。但し、この金属ボール形成部材10の複製品は、はん
だを撥かなければならないので、はんだが付着しない材
料（例えばアルミニウム，クロム，合成樹脂等）で構成
される。
【００２６】以上の説明から明らかなように本発明によ
る金属バンプの製造方法は、面方位が（１１０）面に対
して或る角度傾斜した（Ｘ1 Ｙ1 ０）〔Ｘ1 ≠Ｙ1 ，Ｘ
1 ≠０，Ｙ1 ≠０〕面を有するＳi ウェハを異方性エッ
チングして一か所にのみ最深部αを有する凹部11を形成
し、この凹部11の中にはんだペースト１を充填して金属
ボール２を生成する方法を採用している。このため、生
成された金属ボール２の位置がよく揃うので金属バンプ
３の位置ズレ現象が生じない。また、本方法を適用する
と金属バンプ３の金属ボール形成部材10からの突出量が
大きくなるので金属バンプ３の欠損現象が発生し難い。
る金属バンプの製造方法は、面方位が（１１０）面に対
して或る角度傾斜した（Ｘ1 Ｙ1 ０）〔Ｘ1 ≠Ｙ1 ，Ｘ
1 ≠０，Ｙ1 ≠０〕面を有するＳi ウェハを異方性エッ
チングして一か所にのみ最深部αを有する凹部11を形成
し、この凹部11の中にはんだペースト１を充填して金属
ボール２を生成する方法を採用している。このため、生
成された金属ボール２の位置がよく揃うので金属バンプ
３の位置ズレ現象が生じない。また、本方法を適用する
と金属バンプ３の金属ボール形成部材10からの突出量が
大きくなるので金属バンプ３の欠損現象が発生し難い。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ベアチップ、ＣＳＰ、およびＢＧＡパッケー
ジ等への金属バンプ形成を欠損なく、且つ安定的に行う
ことができる。
によれば、ベアチップ、ＣＳＰ、およびＢＧＡパッケー
ジ等への金属バンプ形成を欠損なく、且つ安定的に行う
ことができる。
【図１】 本発明の原理説明図を兼ねた実施例図、
【図２】 従来の金属バンプの製造方法（その１）を説
明するための図、
明するための図、
【図３】 従来の金属バンプの製造方法（その２）を説
明するための図、
明するための図、
１ はんだペースト、 ２ 金属ボール、 ３ 金属バンプ、 10，10Ａ，10Ｂ 金属ボール形成部材、 11，11Ａ，11Ｂ 凹部、 50 電子部品、 51 電極パッド、 α 最深部、
Claims (1)
- 【請求項１】 異方性エッチングによって凹部の形成が
可能なシリコン板の凹部に形成された金属ボールを電子
部品の電極パッドに転写する金属バンプの製造方法であ
って、 面方位が（１１０）面に対して或る角度傾斜した（ａ
ｂ ０）〔ａ≠ｂ，ａ≠０，ｂ≠０〕で表される前記結
晶板を異方性エッチングして底面が一定方向に傾斜した
凹部を形成し、 この凹部に充填されたはんだ粒子含有ペーストを加熱し
て生成された金属ボールを前記電子部品の電極パッドに
転写して該電極パッド上に金属バンプを形成するように
したことを特徴とする金属バンプの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09652596A JP3204082B2 (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 金属バンプの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP09652596A JP3204082B2 (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 金属バンプの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH09283565A JPH09283565A (ja) | 1997-10-31 |
| JP3204082B2 true JP3204082B2 (ja) | 2001-09-04 |
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ID=14167564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP09652596A Expired - Fee Related JP3204082B2 (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 金属バンプの製造方法 |
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| JP (1) | JP3204082B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3276539B2 (ja) * | 1995-07-24 | 2002-04-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置製造方法及び半導体装置 |
-
1996
- 1996-04-18 JP JP09652596A patent/JP3204082B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH09283565A (ja) | 1997-10-31 |
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