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JP3211325B2 - An electronic component manufacturing method and apparatus, and a mounting method. - Google Patents
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JP3211325B2 - An electronic component manufacturing method and apparatus, and a mounting method. - Google Patents

An electronic component manufacturing method and apparatus, and a mounting method.

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    • H10W90/721Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/724Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板上に実装し易いI
Cチップ等の電子部品,その製造方法,その実装方法お
よびその製造装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
The present invention relates to an electronic component such as a C chip, a method of manufacturing the same, a method of mounting the same, and a device for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ICチップを基板上に実装する方
法として、基板上の電極にフェイスダウン実装するCO
B(CHIP ON BOARD)実装が注目を浴びて
いる。
2. Description of the Related Art In recent years, as a method for mounting an IC chip on a substrate, a CO that is face-down mounted on an electrode on the substrate has been used.
B (CHIP ON BOARD) implementation is receiving attention.

【0003】従来のCOB実装技術としては、基板上の
電極にクリーム状の半田を印刷法により形成し、その印
刷された半田上にICチップをフェイスダウン実装する
ものであった。
As a conventional COB mounting technique, a creamy solder is formed on electrodes on a substrate by a printing method, and an IC chip is mounted face-down on the printed solder.

【0004】以下図面を参照にしながら、上述した従来
のCOB実装技術の一例について説明する。図5,図6
はICチップの基板への実装方法を示すものである。図
5,図6において、1は基板、2は基板上の電極、3は
ICチップ、4はアルミニウム電極、5は金バンプ、1
6はクリーム半田、17はスキージ、18はスクリーン
マスクである。
An example of the above-mentioned conventional COB mounting technology will be described below with reference to the drawings. 5 and 6
Shows a method of mounting an IC chip on a substrate. 5 and 6, 1 is a substrate, 2 is an electrode on the substrate, 3 is an IC chip, 4 is an aluminum electrode, 5 is a gold bump, 1
6 is a cream solder, 17 is a squeegee, and 18 is a screen mask.

【0005】以上のように構成された基板上への実装方
法について、以下その動作について説明する。
[0005] The operation of the mounting method on the substrate configured as described above will be described below.

【0006】図5は基板上の電極2に半田を形成するた
めの方法を示す図である。基板上の電極2に対応した開
口部をもつスクリーンマスク18を基板1上に位置合わ
せ後重ね合わせ、クリーム半田16をスクリーンマスク
18上でのスキージ17を用いて移動させることにより
開口部にはクリーム半田16が残り、スクリーンマスク
18を取り外すことにより、基板上の電極2にクリーム
半田16が形成される。
FIG. 5 is a view showing a method for forming solder on the electrode 2 on the substrate. A screen mask 18 having an opening corresponding to the electrode 2 on the substrate is positioned on the substrate 1 and then superposed, and the cream solder 16 is moved by using a squeegee 17 on the screen mask 18 so that the opening has a cream. The solder 16 remains, and the cream mask 16 is formed on the electrode 2 on the substrate by removing the screen mask 18.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、ICチップと、そのICチップ上に形成さ
れたアルミニウム電極と、そのアルミニウム電極上に順
次積層された金バンプおよび半田バンプとを有する半田
バンプの形成方法として、酸素防止用ガスを供給しなが
ら、ワイヤーボンディング方式により半田を供給し、そ
の半田バンプに光照射して、昇温、溶融により接合強度
を図っている。
In order to achieve the above object, the present invention provides an IC chip, an aluminum electrode formed on the IC chip, and gold bumps and solder bumps sequentially laminated on the aluminum electrode. As a method for forming a solder bump having the following characteristics, while supplying an oxygen-preventing gas, solder is supplied by a wire bonding method, and the solder bump is irradiated with light to increase the bonding strength by heating and melting. ing.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の構成では、ICチップのアルミニウム電極の
間隔が狭くなると、スクリーンマスクの開口部の形成が
困難であると同時に、クリーム半田の微量印刷も困難で
あり、接合の歩留まりが低下する。
However, in the above-described conventional structure, when the interval between the aluminum electrodes of the IC chip becomes narrow, it is difficult to form the opening of the screen mask, and at the same time, a small amount of cream solder is printed. It is difficult, and the yield of bonding decreases.

【0009】また半田の溶融後に電気的接合不良をやり
直す場合、やり直しの方法は半田を溶融しICチップを
取り外し新たなICチップを実装するが、基板の上に多
数の電子部品を半田付けしている場合、スクリーンマス
クを基板に重ね合わせることが不可能なため、印刷によ
る新たな半田の供給は不可能である。
In the case where the electrical connection failure is redone after the solder is melted, the redo method is to melt the solder, remove the IC chip, and mount a new IC chip. However, many electronic components are soldered on the substrate. In such a case, it is impossible to superimpose the screen mask on the substrate, so that it is impossible to supply new solder by printing.

【0010】本発明は以上の課題を解決するもので、電
極の間隔が狭くなっても半田の安定供給が可能であり、
実装のやり直しの場合でも基板上に半田を供給する必要
のない電子部品およびその製造方法を提供することを目
的としている。
The present invention solves the above-mentioned problems, and enables a stable supply of solder even when the distance between the electrodes is reduced.
It is an object of the present invention to provide an electronic component which does not need to supply solder onto a substrate even in the case of re-mounting, and a method of manufacturing the same.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、ICチップと、そのICチップ上に形成さ
れたアルミニウム電極と、そのアルミニウム電極上に順
次積層された金バンプおよび半田バンプとを有する構成
よりなる。またその半田バンプ形成方法は、酸化防止用
ガスを供給しながら、ワイヤーボンディング方式により
半田を供給し、その半田バンプに光照射して昇温,溶融
により接合強度を図っている。
In order to achieve the above object, the present invention provides an IC chip, an aluminum electrode formed on the IC chip, and gold bumps and solder bumps sequentially laminated on the aluminum electrode. And a configuration having: In the method of forming solder bumps, solder is supplied by a wire bonding method while supplying an antioxidant gas, and the solder bumps are irradiated with light to increase the bonding strength by heating and melting.

【0012】[0012]

【作用】上記構成によりICチップ上の電極が狭い間隔
になっても安定した半田供給と半田バンプ形成が可能と
なり、ICチップ上に半田バンプを形成するために基板
上に半田の供給が不必要となり、印刷用のメタルマスク
を作成する必要がなく、また実装のやり直しの場合に半
田の基板上への再供給の必要性もなくなる。
According to the above configuration, stable solder supply and solder bump formation can be achieved even when the electrodes on the IC chip are at a narrow interval, and it is not necessary to supply solder on the substrate to form solder bumps on the IC chip. This eliminates the need to create a metal mask for printing, and eliminates the need to resupply the solder on the substrate in the case of re-mounting.

【0013】[0013]

【実施例】以下、本発明の一実施例であるICチップ3
上への半田供給について図面を参照にしながら説明す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An IC chip 3 according to an embodiment of the present invention will be described below.
The supply of solder to the upper side will be described with reference to the drawings.

【0014】図1は本発明の第1の実施例における、半
田を供給したICチップ3を基板1上に実装する工程を
表わす図である。図1において、6は半田バンプ、7は
フラックスである。
FIG. 1 is a diagram showing a process of mounting an IC chip 3 supplied with solder on a substrate 1 in a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 6 denotes a solder bump, and 7 denotes a flux.

【0015】以上のように構成されたICチップ3上へ
の半田供給方法および実装方法について、図2より図4
を用いてその動作を説明する。
FIGS. 2 to 4 show a method of supplying solder and a method of mounting on the IC chip 3 configured as described above.
The operation will be described with reference to FIG.

【0016】図2はICチップ3上への金バンプ5の形
成工程を表わし、8は吸着台、9はキャピラリー、10
は金ワイヤーである。図2の工程はICチップ3をワイ
ヤーボンディング装置の180℃に加熱された吸着台8
に真空テンションにより固定し、ICチップ3上のアル
ミニウム電極4上に一般のワイヤーボンディング装置を
用い、スタッドバンプボンディング方式によりキャピラ
リー9と金ワイヤー10により金の突起物を形成する。
その金の突起物を金バンプ5と呼ぶ。金バンプ5の高さ
ばらつきは20ミクロン程度あるために、高さを一定に
するために平らな金属を上面より押し当てて高さを揃え
るレベリング工程を行う。
FIG. 2 shows a process of forming the gold bumps 5 on the IC chip 3; 8 is a suction table; 9 is a capillary;
Is a gold wire. In the process of FIG. 2, the IC chip 3 is attached to a suction table 8 heated to 180 ° C. by a wire bonding apparatus.
Is fixed to the aluminum electrode 4 on the IC chip 3 by using a general wire bonding apparatus, and a gold protrusion is formed by a capillary 9 and a gold wire 10 by a stud bump bonding method.
The gold protrusion is called a gold bump 5. Since the height variation of the gold bumps 5 is about 20 μm, a leveling step of pressing a flat metal from the upper surface to make the heights uniform is performed to keep the height constant.

【0017】図3は金バンプ5上への半田バンプ6の形
成工程を表わし、11は半田ワイヤー、12はガス供給
装置、13は光照射装置、14は半田ボールである。図
3の工程は図2と同じように180℃に加熱された吸着
台8に真空テンションにより固定し、ICチップ3上の
高さを揃えた金バンプ5上に一般のワイヤーボンディン
グ工法を用いキャピラリー9と半田ワイヤー11により
半田の突起物を形成する。その半田の突起物を半田バン
プ6と呼ぶ。金ワイヤー10を用いたワイヤーボンディ
ングと変更した点は、スパーク電圧を2100ボルトに
上げ、アルゴン90%+水素10%の半田酸化防止用ガ
スを供給しながら半田ボール14を形成した点である。
半田バンプ6の形成方法は半田ワイヤー11上にスパー
クにより形成した半田ボール14を金バンプ5上に押し
当て接合し、そのまま半田ボール14と半田ワイヤー1
1を引きちぎる工法で行う。
FIG. 3 shows a process of forming the solder bumps 6 on the gold bumps 5, 11 is a solder wire, 12 is a gas supply device, 13 is a light irradiation device, and 14 is a solder ball. In the process shown in FIG. 3, a capillary is fixed to the suction table 8 heated to 180.degree. C. by vacuum tension in the same manner as in FIG. 9 and the solder wire 11 form a solder protrusion. The solder protrusion is referred to as a solder bump 6. The difference from the wire bonding using the gold wire 10 is that the spark voltage is increased to 2100 volts and the solder balls 14 are formed while supplying a solder oxidation preventing gas of 90% argon + 10% hydrogen.
The method for forming the solder bumps 6 is as follows. A solder ball 14 formed by sparking on the solder wire 11 is pressed and joined onto the gold bump 5, and the solder ball 14 and the solder wire 1
1 is torn off.

【0018】金バンプ5上の半田バンプ6の接合強度は
30グラム程度であるので、このままの状態では何かの
拍子に外れてしまう。また半田ボール14と半田ワイヤ
ー11の引きちぎられる点がばらつくために、半田バン
プの高さばらつきが40ミクロン程度存在する。このた
めに半田バンプ6の形成直後に半田を溶融する。
Since the bonding strength of the solder bumps 6 on the gold bumps 5 is about 30 grams, they will come off in some form in this state. Also, since the points where the solder balls 14 and the solder wires 11 are torn apart vary, the height variation of the solder bumps is about 40 microns. Therefore, the solder is melted immediately after the formation of the solder bumps 6.

【0019】半田の溶融工程は図3に示すように、半田
バンプ6を金バンプ5上に接合し引きちぎった直後にア
ルゴン90%+水素10%の半田酸化防止用ガスを供給
しながら光照射装置13により赤外線を含む光を照射
し、半田を230℃に加熱し溶融する。半田の溶融によ
り金と錫の合金が形成され接合強度が増加し簡単に外れ
ることはない。
In the solder melting step, as shown in FIG. 3, immediately after the solder bumps 6 are bonded to the gold bumps 5 and cut off, a light irradiating apparatus is supplied while supplying a solder oxidation preventing gas of 90% argon + 10% hydrogen. 13 irradiates light including infrared rays to heat and melt the solder to 230 ° C. The melting of the solder forms an alloy of gold and tin, which increases the bonding strength and does not easily come off.

【0020】また半田バンプ6は溶融することにより引
きちぎった部分を吸収し半球の形状になる。半田バンプ
6の量は引きちぎった部分が半田ボール14に比べ非常
に小さいため、半田ボール14の量とほぼ等しい。また
半田ボール14の量はスパーク電圧に依存するため、今
回のようにスパーク電圧が一定であれば半田ボール14
の量も一定になり半田バンプ6の量も一定になる。この
ように半田バンプ6の量が一定のために溶融後の半球の
形状の場合は高さが等しくなる。実際の場合でもスパー
ク電圧2100ボルトで半田バンプ6の溶融後の高さば
らつきは3ミクロン程度であった。
Further, the solder bump 6 becomes hemispherical by absorbing the torn portion by melting. The amount of the solder bump 6 is substantially equal to the amount of the solder ball 14 because the torn portion is much smaller than the solder ball 14. Also, since the amount of the solder ball 14 depends on the spark voltage, if the spark voltage is constant as in this case,
And the amount of the solder bump 6 is also constant. As described above, since the amount of the solder bump 6 is constant, the height becomes equal in the case of a hemispherical shape after melting. Even in the actual case, the height variation after melting of the solder bump 6 at the spark voltage of 2100 volts was about 3 μm.

【0021】上記のような図2,図3の工程を行いIC
チップ3上に半田を供給し実装可能な電子部品を製造す
る。
By performing the steps shown in FIGS. 2 and 3 as described above, the IC
Solder is supplied onto the chip 3 to manufacture an electronic component that can be mounted.

【0022】図4は半田バンプ6上にフラックス7を転
写する工程を表わす図であり、15は転写皿である。図
4の工程は、転写皿15上で、溶剤を含んだペースト状
のフラックス7を一定の厚さに引き伸ばし、ICチップ
3を図のようにフラックス7上に降下し、半田バンプ6
および金バンプ5をフラックス7の中に浸す。次にIC
チップ3を上昇させ、半田バンプ6を転写皿15上のフ
ラックス7より離す。この時に一部のフラックス7はI
Cチップ3上の半田バンプ6上に転写される。
FIG. 4 is a view showing a step of transferring the flux 7 onto the solder bumps 6, and 15 is a transfer plate. In the process shown in FIG. 4, the paste-like flux 7 containing a solvent is stretched to a certain thickness on the transfer plate 15, and the IC chip 3 is lowered onto the flux 7 as shown in FIG.
Then, the gold bump 5 is immersed in the flux 7. Next, IC
The chip 3 is raised, and the solder bump 6 is separated from the flux 7 on the transfer plate 15. At this time, some flux 7
It is transferred onto the solder bump 6 on the C chip 3.

【0023】図1はフラックス7を転写したICチップ
3を基板1に実装する工程を表わす図である。図1の工
程はフラックス7を転写した直後のICチップ3を基板
1上の基板上の電極2に位置合わせし実装する。この時
ICチップ3はフラックス7の粘度により保持される。
実装後は基板1を含め全体を230℃程度に加熱し、半
田バンプ6を溶融することにより基板上の電極2と合金
を形成し、基板上の電極2と金バンプ6とに電気的接合
を得ることができる。電気的接合終了後、信頼性の向上
のために応力緩和用樹脂および防水用封止樹脂を塗布お
よび硬化することにより、ICチップ3の基板1への実
装は全て終了する。
FIG. 1 is a diagram showing a process of mounting the IC chip 3 onto which the flux 7 has been transferred on the substrate 1. In the process shown in FIG. 1, the IC chip 3 immediately after the transfer of the flux 7 is aligned with the electrode 2 on the substrate 1 and mounted. At this time, the IC chip 3 is held by the viscosity of the flux 7.
After mounting, the entire structure including the substrate 1 is heated to about 230 ° C., and the solder bumps 6 are melted to form an alloy with the electrodes 2 on the substrate. Obtainable. After the completion of the electrical bonding, a resin for stress relaxation and a sealing resin for waterproofing are applied and cured for improving reliability, whereby the mounting of the IC chip 3 on the substrate 1 is completed.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上の説明より明らかなように本発明
は、金バンプに半田バンプを重ねた構成とワイヤーボン
ディング方式による半田供給を行う構成によるので、I
Cチップ上に狭い間隔で半田バンプが形成でき、基板上
に半田を供給する必要がなく、実装不良の場合でも半田
供給済みのICチップを交換するだけで再び実装が可能
である等、安定した実装ができる電子部品およびその製
造方法を提供できる。
As is clear from the above description, the present invention has a structure in which solder bumps are stacked on gold bumps and a structure in which solder is supplied by a wire bonding method.
Solder bumps can be formed at small intervals on the C chip, and there is no need to supply solder on the board. Even if mounting is defective, it can be mounted again simply by replacing the IC chip that has been supplied with solder. An electronic component that can be mounted and a method for manufacturing the electronic component can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例における電子部品とその電子
部品を実装する基板の断面図
FIG. 1 is a cross-sectional view of an electronic component and a substrate on which the electronic component is mounted according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の電子部品の製造工程である金バンプ形成
工程の断面図
FIG. 2 is a sectional view of a gold bump forming step which is a manufacturing step of the electronic component of FIG. 1;

【図3】図2の金バンプ形成工程後の半田バンプ形成工
程の断面図
FIG. 3 is a sectional view of a solder bump forming step after the gold bump forming step of FIG. 2;

【図4】図3の半田バンプ形成工程後のフラックス転写
工程の断面図
FIG. 4 is a sectional view of a flux transfer step after the solder bump forming step of FIG. 3;

【図5】従来の電子部品を実装する基板上の電極に半田
を形成する方法を示す断面図
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a conventional method for forming solder on an electrode on a substrate on which electronic components are mounted.

【図6】図5の基板上に従来の電子部品を実装する方法
を示す断面図
FIG. 6 is a sectional view showing a method for mounting a conventional electronic component on the substrate of FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 基板上の電極 3 ICチップ 4 アルミニウム電極 5 金バンプ 6 半田バンプ 7 フラックス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Electrode on substrate 3 IC chip 4 Aluminum electrode 5 Gold bump 6 Solder bump 7 Flux

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】(1) 加熱台上にICチップを吸着しそのICThe IC chip is adsorbed on the heating table
チップの所定部に金バンプを形成する工程と、その金バForming a gold bump on a predetermined portion of the chip;
ンプの上に酸化防止用ガスを供給しながら半田を供給しSupply solder while supplying antioxidant gas onto the pump.
半田バンプを形成する工程と、その半田バンプに前記酸Forming a solder bump, and applying the acid to the solder bump;
化防止用ガスの供給を続けながら前記半田バンプに光照Illuminate the solder bumps while continuing to supply
射を行い昇温溶融による接合強度増大を図る工程とを少To increase the bonding strength by heating and melting.
なくとも有することを特徴とする電子部品の製造方法。A method for manufacturing an electronic component, comprising:
【請求項2】(2) 加熱台上にICチップを吸着しそのICThe IC chip is adsorbed on the heating table
チップの所定部に金バンプを形成する工程と、その金バForming a gold bump on a predetermined portion of the chip;
ンプの上に酸化防止用ガスを供給しながら半田を供給しSupply solder while supplying antioxidant gas onto the pump.
半田バンプを形成する工程と、その半田バンプに前記酸Forming a solder bump, and applying the acid to the solder bump;
化防止用ガスの供給を続けながら前記半田バンプに光照Illuminate the solder bumps while continuing to supply
射を行い、昇温溶融による接合強度増大を図る工程と、And increasing the bonding strength by heating and melting,
前記半田バンプをフラックスの薄い膜上に浸し、前記半The solder bump is immersed on a thin film of flux,
田バンプ表面にフラックスを転写する工程と、そのフラThe step of transferring flux to the bump surface and the flux
ックスが転写された半田バンプを電極形成された基板上Solder bumps with solder transferred on the substrate on which electrodes are formed
に接合する工程とを有することを特徴とする電子部品のAnd bonding to the electronic component.
実装方法。Implementation method.
【請求項3】(3) ICチップを吸着する吸着装置と、前記An adsorption device for adsorbing an IC chip;
ICチップの所定部に酸化防止用ガスを供給するガス供A gas supply for supplying an antioxidant gas to a predetermined portion of an IC chip.
給装置と、前記ICチップの所定部にワイヤーボンディFeeding device and a wire bonder at a predetermined portion of the IC chip.
ング方式で半田を供給し半田バンプを形成する装置と、A device that supplies solder in a soldering method and forms solder bumps;
前記半田バンプに光照射して昇温,溶融により接合強度The solder bumps are irradiated with light to raise the temperature and melt to increase the bonding strength.
の増加を図るための光照射装置とを少なくとも有するこAt least a light irradiation device for increasing
とを特徴とする電子部品の製造装置。An electronic component manufacturing apparatus, characterized in that:
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