Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP3217482B2 - Apparatus for peeling semiconductor chips from wafer sheet - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP3217482B2 - Apparatus for peeling semiconductor chips from wafer sheet - Google Patents

Apparatus for peeling semiconductor chips from wafer sheet

Info

Publication number
JP3217482B2
JP3217482B2 JP23454492A JP23454492A JP3217482B2 JP 3217482 B2 JP3217482 B2 JP 3217482B2 JP 23454492 A JP23454492 A JP 23454492A JP 23454492 A JP23454492 A JP 23454492A JP 3217482 B2 JP3217482 B2 JP 3217482B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
wafer sheet
semiconductor chips
sheet
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP23454492A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0685058A (en
Inventor
光明 岡
克啓 平松
義夫 村上
哲郎 沖
崇人 小田原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP23454492A priority Critical patent/JP3217482B2/en
Publication of JPH0685058A publication Critical patent/JPH0685058A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3217482B2 publication Critical patent/JP3217482B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップの製造に
際して、当該半導体チップを接着したウエハシートから
半導体チップを剥離するための装置に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for peeling a semiconductor chip from a wafer sheet to which the semiconductor chip is adhered when manufacturing the semiconductor chip.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体チップの製造に際して
は、図1に示すように、金属板製にてドーナッツ状に形
成したフレーム1の下面に、合成樹脂製のウエハシート
2を接着剤にて接着し、このウエハシート2の上面に、
予め多数個の半導体チップ3を形成したシリコン製のウ
エハ4をアクリル系等の熱可塑性合成樹脂製の接着剤に
て接着し、この状態で、前記ウエハ4を各半導体チップ
3ごとにダイシングにて分割したのち、各半導体チップ
3を、前記ウエハシート2より剥離すると言う方法が採
用されている。
2. Description of the Related Art Generally, when manufacturing a semiconductor chip, as shown in FIG. 1, a synthetic resin wafer sheet 2 is bonded to a lower surface of a donut-shaped frame 1 made of a metal plate with an adhesive. Then, on the upper surface of the wafer sheet 2,
A silicon wafer 4 on which a number of semiconductor chips 3 are formed in advance is bonded with an adhesive made of a thermoplastic synthetic resin such as an acrylic resin. In this state, the wafer 4 is diced into each semiconductor chip 3 by dicing. After dividing, each semiconductor chip 3 is separated from the wafer sheet 2.

【0003】そして、従来、各半導体チップ3を、ウエ
ハシート2より剥離するに際しては、半導体チップ3付
きウエハシート2を、フレーム1より剥離するか、或い
は、フレーム1と一緒に、トリクレン等の有機溶剤液に
浸漬して、熱可塑性合成樹脂製の接着剤を溶かすように
している。
Conventionally, when each semiconductor chip 3 is peeled off from the wafer sheet 2, the wafer sheet 2 with the semiconductor chip 3 is peeled off from the frame 1, or together with the frame 1, an organic material such as trichlene is used. It is immersed in a solvent solution to dissolve the adhesive made of thermoplastic synthetic resin.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】この有機溶剤による剥
離方法は、半導体チップを損傷するおそれがきわめて少
ないから、歩留り率が高いと言う利点を有する。
The method of stripping with an organic solvent has the advantage that the yield is high because there is very little risk of damaging the semiconductor chip.

【0005】しかし、その反面、有機溶剤を多量に使用
することに加えて、有機溶剤による剥離後において、洗
浄工程を必要とすることに加えて、有機溶剤への浸漬、
及び有機溶剤からの引き上げ及び洗浄工程への移行を必
要として、工程がきわめて複雑化するから、剥離に要す
るコストが大幅にアップするのであった。
However, on the other hand, in addition to using a large amount of the organic solvent, a cleaning step is required after peeling off with the organic solvent, and immersion in the organic solvent,
In addition, the process is extremely complicated because it requires pulling up from an organic solvent and shifting to a cleaning step, so that the cost required for peeling is greatly increased.

【0006】本発明は、ウエハシートの上面に接着した
多数個の半導体チップをウエハシートから剥離すること
を、有機溶剤を使用することなく、且つ、半導体チップ
に損傷を及ぼすことなく、機械的に確実に行うことがで
きるようにした装置を提供することを技術的課題とする
ものである。
According to the present invention, the wafer is bonded to the upper surface of a wafer sheet .
Provided is an apparatus capable of mechanically and reliably separating a large number of semiconductor chips from a wafer sheet without using an organic solvent and without damaging the semiconductor chips. Is a technical issue.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「上面に多数個の半導体チップを接着
して成るウエハシートを載せる第1テーブルの側部に、
上面を前記第1テーブルの上面と略同一平面に形成した
第2テーブルを、当該第2テーブルにおける一端縁と前
記第1テーブルにおける一端縁との間に比較的狭い隙間
をあけて配設し、前記両テーブルにおける一端縁のうち
少なくとも第1テーブルにおける一端縁を鋭角縁に形成
する一方、前記第1テーブルにおける一端縁より下方の
部位に、上面に多数個の半導体チップを接着して成る前
ウエハシートの一端を、当該ウエハシートを載せた
記第1テーブルにおける鋭角の一端縁を巡って下向きに
巻き取るようにした巻き取りロールを配設する一方、前
記第2テーブルの上面に、半導体チップ受け用シート
を、当該第2テーブルの下方から前記隙間を通って当該
隙間から離れる方向に適宜速度で移動するように配設
し、更に、前記第1テーブルに、当該第1テーブルを適
宜温度に加熱する加熱手段を設ける。」という構成にし
た。
In order to achieve this technical object, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device comprising: a first table on which a wafer sheet formed by bonding a large number of semiconductor chips is mounted;
A second table having an upper surface formed substantially in the same plane as the upper surface of the first table, with a relatively narrow gap provided between one end edge of the second table and one end edge of the first table ; One end edge of both tables
At least one edge of the first table is formed as a sharp edge
On the other hand, before a large number of semiconductor chips are bonded to the upper surface of the first table at a position below one end edge,
A take-up roll for winding one end of the wafer sheet downward around one acute edge of the first table on which the wafer sheet is placed; The semiconductor chip receiving sheet is disposed on the upper surface of the second table so as to move at a suitable speed from below the second table through the gap and away from the gap. A heating means for heating one table to an appropriate temperature is provided. ].

【0008】[0008]

【作 用】この構成において、第1テーブルの上面に
載せたウエハシートの一端を、第1テーブルの下方に配
設した巻取りロールにて巻き取ることにより、前記ウエ
ハシートは、第2テーブルの方向に移動しながら、第1
テーブルにおける鋭角の一端縁を巡って上から下向きに
折れ曲がったのち下向きに引っ張られる。
In this configuration, one end of the wafer sheet placed on the upper surface of the first table is taken up by a take-up roll provided below the first table, so that the wafer sheet is taken up by the second table. While moving in the direction
It is bent downward from above around one sharp edge of the table, and then pulled downward.

【0009】これにより、このウエハシートの上面に接
着されている多数個の各半導体チップが、第1テーブル
における鋭角の一端縁において前記ウエハシートから剥
離したのち、第2テーブルの上面を当該第2テーブルの
下方から前記隙間を通って当該隙間から離れる方向に適
宜速度で移動する半導体チップ受け用シートに接当する
から、この半導体チップは、前記ウエハシートから剥
離されながら、当該ウエハシートから移動する半導体チ
ップ受け用シートへと移し替えられるのである。
As a result, a large number of semiconductor chips bonded to the upper surface of the wafer sheet are placed on the first table.
From the wafer sheet at one sharp edge at
After released, because that Setto the upper surface of the second table to the semiconductor chip receiving sheet moving at appropriate speed in a direction away from the gap through the gap from below of the second table, the respective semiconductor chip, While being separated from the wafer sheet, it is transferred to a semiconductor chip receiving sheet that moves from the wafer sheet.

【0010】ところで、半導体チップをウエハシートに
対してアクリル系等の熱可塑性合成樹脂製の接着剤にて
接着するときにおける接着力は、ウエハを各半導体チッ
プごとにダイシングするときに半導体チップにウエハシ
ートからの剥離が発生しないように、比較的強くされる
ものである。
[0010] When a semiconductor chip is bonded to a wafer sheet with an adhesive made of a thermoplastic synthetic resin such as an acrylic resin, the adhesive force is determined when the wafer is diced into individual semiconductor chips. It is made relatively strong so that peeling from the sheet does not occur.

【0011】従って、ウエハシートが第1テーブルの鋭
角の一端縁を巡って下向きに引っ張られるに伴い、その
上面に接着されている各半導体チップが、第2テーブル
側における半導体チップ受け用シートに対して接当する
とき、当該各半導体チップには、前記強い接着力のため
に大きい外力が作用するから、各半導体チップが大きい
衝撃を受けたり、各半導体チップが第1テーブルと第2
テーブルとの間の隙間に食い込まれたりすることによ
り、各半導体チップに欠け及びクラック等の致命的欠陥
を及ぼすことが多発するばかりか、各半導体チップから
のウエハシートの隔離が急激に行なわれるため、その反
動で半導体チップが周囲の飛散することが多発すること
になる。
Accordingly, as the wafer sheet is pulled downward around one acute edge of the first table, the semiconductor chips adhered to the upper surface of the wafer sheet are moved toward the semiconductor chip receiving sheet on the second table side. When the semiconductor chips are brought into contact with each other, a large external force acts on the respective semiconductor chips due to the strong adhesive force.
Not only is it likely to cause a fatal defect such as chipping or cracking on each semiconductor chip by being cut into a gap between the table and the like, and moreover, the isolation of the wafer sheet from each semiconductor chip is rapidly performed. As a result, the semiconductor chip frequently scatters due to the reaction.

【0012】そこで、本発明には、前記第1テーブル
に、当該第1テーブルを適宜温度に加熱するための加熱
手段を設けることにしたのである。
Therefore, in the present invention, the first table is provided with a heating means for heating the first table to an appropriate temperature.

【0013】このように、第1テーブルを加熱手段にて
適宜温度に加熱することで、各半導体チップのウエハシ
ートに対する熱可塑性合成樹脂製の接着剤における接着
力を、前記の加熱によって急激に弱くすることができ、
これによって、各半導体チップを接着したウエハシート
が第1テーブルにおける鋭角の一端縁を巡って下向きに
引っ張られるに伴い、その上面に接着されている半導体
チップが当該ウエハシートから容易に剥離することによ
り、この半導体チップが第2テーブル側における半導体
チップ受け用シートに対して接当するとき、当該半導体
チップに作用する外力を低減できるから、半導体チップ
を、第1テーブルにおけるウエハシートから剥離しなが
ら、第2テーブルにおける半導体チップ受け用シートに
移し替えるときにおいて、当該半導体チップに対して欠
け及びクラック等の致命的欠陥を及ぼすことを確実に低
減できると共に、半導体チップが周囲に飛散することを
も確実に低減できるのである。
As described above, by heating the first table to an appropriate temperature by the heating means, the adhesive force of the thermoplastic synthetic resin adhesive to the wafer sheet of each semiconductor chip is rapidly reduced by the heating. Can be
As a result, as the wafer sheet to which the semiconductor chips are bonded is pulled downward around one acute edge of the first table, the semiconductor chips bonded to the upper surface thereof are easily separated from the wafer sheet. Yo
Therefore, when this semiconductor chip contacts the semiconductor chip receiving sheet on the second table side, the external force acting on the semiconductor chip can be reduced, so that the semiconductor chip is peeled off from the wafer sheet on the first table. When transferring to the semiconductor chip receiving sheet in the second table, it is possible to reliably reduce the possibility of causing a fatal defect such as chipping or cracking to the semiconductor chip and to prevent the semiconductor chip from scattering around. It can be reduced reliably.

【0014】[0014]

【発明の効果】従って、本発明によると、ウエハシート
から半導体チップを剥離することを、半導体チップに致
命的欠陥を及ぼすこと、及び半導体チップが飛散するこ
とを確実に低減できる状態で、機械的に行うことができ
て、従来のように、トリクレン等の有機溶剤を使用する
必要がないから、前記の剥離に要するコストを大幅に低
減できる効果を有する。
Thus, according to the present invention, peeling of a semiconductor chip from a wafer sheet can be achieved by mechanically removing the semiconductor chip from fatal defects and reducing the semiconductor chip scattering. Since there is no need to use an organic solvent such as trichlene as in the related art, there is an effect that the cost required for the peeling can be significantly reduced.

【0015】[0015]

【実施例】以下、本発明の実施例を、図2〜図4の図面
について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0016】この図において符号4は、上面に多数個の
半導体チップ3をアクリル系等の熱可塑性合成樹脂製の
接着剤にて接着したウエハシート2を、当該ウエハシー
ト2をフレーム1に対して接着した状態で載せるように
した第1テーブルを示す。
In FIG. 1, reference numeral 4 denotes a wafer sheet 2 having a large number of semiconductor chips 3 adhered to an upper surface thereof with an adhesive made of an acrylic thermoplastic resin or the like. Fig. 4 shows a first table that is mounted in a bonded state .

【0017】符号5は、前記第1テーブル4の側部の部
位に配設した第2テーブルを示し、該第2テーブル5に
おける上面は、前記第1テーブル4の上面と略同一平面
状に構成され、且つ、この第2テーブル5は、当該第2
テーブル5における一端縁5aと前記第1テーブル4に
おける一端縁4aとの間に比較的狭い隙間6をあけるよ
うにして配設されており、前記第1テーブル4における
一端縁4a及び第2テーブル5における一端縁5aの両
方は、各々鋭角縁に構成されている。
Reference numeral 5 denotes a second table disposed at a side portion of the first table 4, and the upper surface of the second table 5 is formed to be substantially flush with the upper surface of the first table 4. And the second table 5 stores the second table
A relatively narrow gap 6 is provided between one end 5a of the table 5 and one end 4a of the first table 4, and one end 4a of the first table 4 and the second table 5 are arranged. Are both formed as acute-angled edges.

【0018】そして、前記第1テーブル4における一端
縁4aより下方の部位には、当該第1テーブル4の上面
に載っている前記ウエハシート2の一端を、第1テーブ
ル4における鋭角の一端縁4aを巡ったのち、図示しな
いモータによる回転駆動によって上から下向きに引っ張
って巻き取るように巻取りロール7を配設する一方、前
記第2テーブル5の下方には、半導体チップ受け用シー
ト8を巻いたリール9を配設し、このリール9より繰り
出した半導体チップ受け用シート8を、前記第2テーブ
ル5における一端縁5aを巡って第2テーブル5の上面
に沿わせたのち、第2テーブル5の他端における下部に
配設した巻取りロール10に巻付けて、この巻取りロー
ル10を図示しないモータにて回転駆動することによ
り、前記半導体チップ受け用シート8を、第2テーブル
5の下方から第1テーブル4との間の隙間6を通って当
該隙間6から離れる方向に適宜速度で移動するように構
成する。
A portion of the first table 4 below one end 4a is provided with an upper surface of the first table 4.
After one end of the wafer sheet 2 placed on the first table 4 goes around an acute edge 4a of the first table 4, it is pulled downward from above by a rotational drive by a motor (not shown).
The reel 9 on which the semiconductor chip receiving sheet 8 is wound is disposed below the second table 5, and the semiconductor chip unreeled from the reel 9 is disposed below the second table 5. The receiving sheet 8 is wound along a top surface of the second table 5 around one edge 5a of the second table 5, and then wound around a take-up roll 10 provided at a lower portion at the other end of the second table 5. The take-up roll 10 is driven to rotate by a motor (not shown), so that the semiconductor chip receiving sheet 8 is moved from below the second table 5 through the gap 6 between the semiconductor table 8 and the first table 4. It is configured to move at an appropriate speed in a direction away from the reference numeral 6.

【0019】この場合において、前記半導体チップ受け
用シート8は、エンドレスベルトに構成しても良い。
In this case, the semiconductor chip receiving sheet 8 may be formed as an endless belt.

【0020】更に、前記第1テーブル4には、当該第1
テーブル4を適宜温度(例えば、ウエハシート2に対し
て半導体チップ3を接着するためのアクリル系の接着剤
を55〜60℃の温度でウエハシート2に塗布した場合
には、55〜60℃)に加熱するようにした電気ヒータ
11を埋設する。なお、この電気ヒータ10の上面に
は、テフロン製のヒータカバー板12が、当該ヒータカ
バー12の上面が第1テーブル4における上面と同一平
面状になるように配設されている。
Further, the first table 4 contains the first
The table 4 is set to an appropriate temperature (for example, 55 to 60 ° C. when an acrylic adhesive for bonding the semiconductor chip 3 to the wafer sheet 2 is applied to the wafer sheet 2 at a temperature of 55 to 60 ° C.). An electric heater 11 for heating is embedded. A heater cover plate 12 made of Teflon is provided on the upper surface of the electric heater 10 such that the upper surface of the heater cover 12 is flush with the upper surface of the first table 4.

【0021】この構成において、第1テーブル4の上面
に載せたウエハシート2の一端を、第1テーブル4にお
ける鋭角の一端縁4aを巡りその下方に配設した巻取り
ロール7にて巻き取ることにより、前記ウエハシート2
は、フレーム1と一緒に第2テーブル5の方向に移動し
ながら、第1テーブル4における鋭角の一端縁4aにお
いて上から下向きに折れ曲がったのち下向きに引っ張ら
れることになるから、当該ウエハシート2の上面に接着
されているフレーム1及び各半導体チップ3を第1テー
ブル4の上面側に残した状態で、このフレーム1及び半
導体チップ3より剥離する。
In this configuration, one end of the wafer sheet 2 placed on the upper surface of the first table 4 is placed on the first table 4 .
The wafer sheet 2 is wound around a first end edge 4a of an acute angle to be taken up by a take-up roll 7 disposed thereunder.
Is moved downward in the direction of the second table 5 together with the frame 1, is bent downward from above at the acute end edge 4 a of the first table 4, and then is pulled downward, so that the wafer sheet 2 Glued on top
Frame 1 and each semiconductor chip 3
Frame 1 and half
It peels off from the conductor chip 3 .

【0022】これにより、このウエハシート2の上面に
接着されている各半導体チップ3が、第2テーブル5の
上面を当該第2テーブル5の下方から前記隙間6を通っ
て当該隙間6から離れる方向に適宜速度で移動する半導
体チップ受け用シート8に接当するから、この各半導体
チップ3は、前記ウエハシート2から剥離されながら、
当該ウエハシート2から移動する半導体チップ受け用シ
ート8へと移し替えられるのである。
Accordingly, each semiconductor chip 3 bonded to the upper surface of the wafer sheet 2 moves the upper surface of the second table 5 from below the second table 5 through the gap 6 and away from the gap 6. Each of the semiconductor chips 3 is separated from the wafer sheet 2 while being in contact with the semiconductor chip receiving sheet 8 moving at an appropriate speed.
The wafer is transferred from the wafer sheet 2 to the semiconductor chip receiving sheet 8 that moves.

【0023】この場合において、第1テーブル4に電気
ヒータ11を設けたことにより、ウエハシート2を加熱
できるから、半導体チップ3のウエハシート2に対する
接着剤における接着力を、前記の加熱によって急激に弱
くすることができる。
In this case, since the electric heater 11 is provided on the first table 4, the wafer sheet 2 can be heated. Therefore, the adhesive force of the adhesive of the semiconductor chip 3 to the wafer sheet 2 is sharply increased by the heating. Can be weakened.

【0024】これにより、ウエハシート2が第1テーブ
ル4における鋭角の一端縁4aから下向きに引っ張られ
るに伴い、その上面に接着されている半導体チップ3が
当該ウエハシート2から容易に剥離することになって、
この半導体チップ3が第2テーブル5側における半導体
チップ受け用シート8に対して接当するとき、当該半導
体チップ3に作用する外力を低減できるから、半導体チ
ップ3を、第1テーブル4におけるウエハシート2から
剥離しながら、第2テーブル5における半導体チップ受
け用シート8に移し替えるときにおいて、当該半導体チ
ップ3に対して欠け及びクラック等の致命的欠陥を及ぼ
すことを確実に低減できると共に、半導体チップ3が周
囲に飛散することをも確実に低減できるのである。
As a result, as the wafer sheet 2 is pulled downward from the acute end edge 4a of the first table 4, the semiconductor chips 3 adhered to the upper surface of the wafer table 2 are pulled down.
It will easily peel off from the wafer sheet 2 and
When the semiconductor chip 3 comes into contact with the semiconductor chip receiving sheet 8 on the second table 5 side, the external force acting on the semiconductor chip 3 can be reduced. When the semiconductor chip 3 is transferred to the semiconductor chip receiving sheet 8 in the second table 5 while being peeled off from the semiconductor chip 2, it is possible to reliably reduce the occurrence of fatal defects such as chipping and cracks on the semiconductor chip 3, and to reduce the number of semiconductor chips. 3 can be surely reduced from scattering around.

【0025】なお、前記第2テーブル5側における半導
体チップ受け用シート8の移動速度を、第1テーブル4
側におけるウエハシート2の引っ張り速度よりも早くす
ることにより、各半導体チップ3を、第2テーブル5側
における半導体チップ受け用シート8に移し替えたとき
において、各半導体チップ3の間隔を広くすることがで
きる。
The moving speed of the semiconductor chip receiving sheet 8 on the second table 5 side is controlled by the first table 4.
When the semiconductor chips 3 are transferred to the semiconductor chip receiving sheet 8 on the second table 5 side by increasing the pulling speed of the wafer sheet 2 on the side of the table, the interval between the semiconductor chips 3 is increased. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】ウエハシートをフレームに接着した状態を示す
一部切欠斜視図である。
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing a state in which a wafer sheet is bonded to a frame.

【図2】本発明による実施例装置の縦断正面図である。FIG. 2 is a vertical sectional front view of the embodiment device according to the present invention.

【図3】図2の平面図である。FIG. 3 is a plan view of FIG. 2;

【図4】図1の要部拡大図である。FIG. 4 is an enlarged view of a main part of FIG. 1;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フレーム 2 ウエハシート 3 半導体チップ 4 第1テーブル 4a 第1テーブルの一端縁 5 第2テーブル 5a 第2テーブルの一端縁 6 隙間 7 巻き取りロール 8 半導体チップ受け用シート 11 電気ヒータ Reference Signs List 1 frame 2 wafer sheet 3 semiconductor chip 4 first table 4a one end edge of first table 5 second table 5a one end edge of second table 6 gap 7 take-up roll 8 semiconductor chip receiving sheet 11 electric heater

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沖 哲郎 岡山県笠岡市富岡100番地 ワコー電器 株式会社内 (72)発明者 小田原 崇人 岡山県笠岡市富岡100番地 ワコー電器 株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−138935(JP,A) 特開 平2−128445(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/301 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Tetsuro Oki 100 Tomioka, Kasaoka City, Okayama Prefecture Inside (72) Inventor Takato Odahara 100 Tomioka, Kasaoka City, Okayama Prefecture Inside Wako Electric Corporation (56) References Special JP-A-60-138935 (JP, A) JP-A-2-128445 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/301

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】上面に多数個の半導体チップを接着して
ウエハシートを載せる第1テーブルの側部に、上面を
前記第1テーブルの上面と略同一平面に形成した第2テ
ーブルを、当該第2テーブルにおける一端縁と前記第1
テーブルにおける一端縁との間に比較的狭い隙間をあけ
て配設し、前記両テーブルにおける一端縁のうち少なく
とも第1テーブルにおける一端縁を鋭角縁に形成する一
方、前記第1テーブルにおける一端縁より下方の部位
に、上面に多数個の半導体チップを接着して成る前記
エハシートの一端を、当該ウエハシートを載せた前記第
1テーブルにおける鋭角の一端縁を巡って下向きに巻き
取るようにした巻き取りロールを配設する一方、前記第
2テーブルの上面に、半導体チップ受け用シートを、当
該第2テーブルの下方から前記隙間を通って当該隙間か
ら離れる方向に適宜速度で移動するように配設し、更
に、前記第1テーブルに、当該第1テーブルを適宜温度
に加熱する加熱手段を設けたことを特徴とするウエハシ
ートから半導体チップを剥離する装置。
1. A by bonding a plurality of semiconductor chips on an upper surface formed
A second table having an upper surface formed substantially in the same plane as the upper surface of the first table is provided on a side portion of the first table on which a wafer sheet is placed.
It is arranged with a relatively narrow gap between it and one end of the table, and at least
In the first table, one end edge of the first table is formed as an acute edge.
On the other hand, one end of the wafer sheet having a large number of semiconductor chips adhered to the upper surface thereof at a position below one end edge of the first table, and an acute angle in the first table on which the wafer sheet is mounted. A winding roll adapted to be wound downward around one edge of the second table is provided, and a semiconductor chip receiving sheet is provided on the upper surface of the second table through the gap from below the second table. The semiconductor chips are arranged so as to move at an appropriate speed in a direction away from the gap, and further, heating means for heating the first table to an appropriate temperature is provided on the first table. Equipment for peeling.
JP23454492A 1992-09-02 1992-09-02 Apparatus for peeling semiconductor chips from wafer sheet Expired - Fee Related JP3217482B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23454492A JP3217482B2 (en) 1992-09-02 1992-09-02 Apparatus for peeling semiconductor chips from wafer sheet

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23454492A JP3217482B2 (en) 1992-09-02 1992-09-02 Apparatus for peeling semiconductor chips from wafer sheet

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0685058A JPH0685058A (en) 1994-03-25
JP3217482B2 true JP3217482B2 (en) 2001-10-09

Family

ID=16972691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23454492A Expired - Fee Related JP3217482B2 (en) 1992-09-02 1992-09-02 Apparatus for peeling semiconductor chips from wafer sheet

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3217482B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001313350A (en) * 2000-04-28 2001-11-09 Sony Corp Chip-shaped electronic component, method for manufacturing the same, pseudo wafer used for the manufacture thereof, and method for manufacturing the same
JP4638172B2 (en) * 2004-03-31 2011-02-23 積水化学工業株式会社 IC chip manufacturing method and IC chip manufacturing apparatus
DE102007046431A1 (en) * 2007-09-28 2008-11-13 Siemens Ag Electronic component e.g. semiconductor chip, separating device, has application device for attaching carrier foil at curved surface so that contact surface between foil and components is reduced due to mechanical rigidity of components

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0685058A (en) 1994-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5472554A (en) Apparatus for adhering masking film
KR19990028523A (en) Method for peeling protective adhesive tape of semiconductor wafer and its device
JP2006316078A (en) Adhesive tape peeling method and peeling device
JP2004193241A (en) Method of dividing semiconductor wafer
JP3217482B2 (en) Apparatus for peeling semiconductor chips from wafer sheet
JPS59169811A (en) Sticking process of adhering film
JP2589678B2 (en) Backside treatment method for semiconductor substrate
JPH1195210A (en) Method for peeling polarizing film and device therefor
KR101125689B1 (en) Led wafer de-bonder
JP5520015B2 (en) Adhesive sheet for semiconductor wafer processing and semiconductor wafer processing method using the same
JP2003068832A (en) Dicing tape and method of using the same
JPH09115863A (en) Method and apparatus for adhering surface protective tape
JPH07235583A (en) Adhesive sheet
KR20150049100A (en) Peeling method of mylar film
KR101447578B1 (en) Apparatus for removing cullet generated when dividing brittle material substrate
JPH0621219A (en) Manufacture of semiconductor device
US20010027986A1 (en) Air cleave breaker profile for improving cleave yield
JPS639122A (en) Method for peeling silicon-wafer protective masking sheet
JP2005075598A (en) Tape member sticking apparatus and sticking method
CN106971959A (en) Sheet-adhesion device and adhesion method and adhesive sheet material
JP4403004B2 (en) Semiconductor chip manufacturing method using bonding film
KR102643244B1 (en) Method for removing subsidiary of fpcb
JPH0629388A (en) Method and apparatus for wafer breaking and separation
US7504319B2 (en) Apparatus and method of wafer dicing
JP2010225923A (en) Adhesive tape sticking device and sticking method

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees