JP3219983B2 - Variable wavelength element - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、発振波長を可変
できる半導体レーザあるいは選択波長を可変できる波長
フィルタ等として用い得る波長可変素子に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wavelength tunable element which can be used as a semiconductor laser capable of varying an oscillation wavelength or a wavelength filter capable of varying a selected wavelength.
【0002】[0002]
【従来の技術】この種の波長可変素子の従来例として例
えば文献I(フォトニクス テクノロシ゛ レタース゛(Photonics Thechono
logy Letters)Vol.5,No.6,pp.613-615(1993 June))に開
示されている波長可変レーザがあった。このレーザは、
第1の超周期グレーティングと、活性域と、位相調整域
と、前記第1の超周期グレーティングとは周期の異なる
第2の超周期グレーティングとを従属接続して構成され
たDBR型の構造を有したものであった(例えば文献I
のFig.3)。さらに、第1の超周期グレーティン
グ、活性域、位相調整域および第2の超周期グレーティ
ングそれぞれが個別の電極により制御される構造のもの
であった。第1および第2の二つのグレーティングは、
波長に対してそれぞれ櫛状の反射ピークを示すので、バ
ーニア目盛効果を利用できる。そのためこの波長可変レ
ーザでは、広帯域波長可変特性が実現されている。2. Description of the Related Art As a conventional example of a wavelength tunable element of this kind, for example, a document I (Photonics Thechono
Logic Letters), Vol. 5, No. 6, pp. 613-615 (1993 June)). This laser
It has a DBR type structure in which a first super-period grating, an active region, a phase adjustment region, and a second super-period grating having a different period from the first super-period grating are cascaded. (For example, Reference I
FIG. 3). Further, each of the first super-period grating, the active region, the phase adjustment region, and the second super-period grating has a structure controlled by individual electrodes. The first and second two gratings are:
Since a comb-like reflection peak is shown for each wavelength, the vernier scale effect can be used. Therefore, in this wavelength tunable laser, a wide wavelength tunable characteristic is realized.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの構造
では、活性域が二つのグレーティングの間に存在する構
造となっているので、発振波長を制御するに当たって
は、反射波長を調整するための電極および共振モードの
位相を調整するための電極の双方の注入電流の制御をし
なければならず、制御が複雑であるという欠点を有して
いた。However, in this structure, the active region exists between the two gratings. Therefore, in controlling the oscillation wavelength, an electrode for adjusting the reflection wavelength and the resonance are used. In order to adjust the phase of the mode, the injection current of both electrodes must be controlled, which has the disadvantage that the control is complicated.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】そこで、この発明の波長
可変素子によれば、反射波長が可変可能な第1の超周期
グレーティングと、反射波長が可変可能でかつ第1の超
周期グレーティングと中心波長が同じとされている第2
の超周期グレーティングと、第1の超周期グレーティン
グ及び第2の超周期グレーティングを、中心波長に対応
するグレーティングの周期の4分の1分ずらした状態で
接続している4分の1周期シフト構造と、第1の超周期
グレーティング、第2の超周期グレーティング及び4分
の1周期シフト構造の上面に形成されたクラッドと、グ
ラッド上であって第1の超周期グレーティングと対向す
る部分上に形成された第1電極と、クラッド上であって
第2の超周期グレーティングと対向する部分上に形成さ
れた第2電極と、クラッド上であって4分の1周期シフ
ト構造と対向する部分上であり、かつ、第1の超周期グ
レーティング及び第2の超周期グレーティングと対向す
る部分上に一部かかって形成された第3電極とを具える
ことを特徴とする。Therefore, according to the wavelength tunable device of the present invention, the first super-period grating whose reflection wavelength is variable and the first super-period grating whose reflection wavelength is variable and the center The second wavelength is the same
Quarter-period shift structure in which the super-period grating of the first embodiment is connected to the first super-period grating and the second super-period grating in a state shifted by one-fourth of the period of the grating corresponding to the center wavelength. And a cladding formed on the upper surfaces of the first super-period grating, the second super-period grating, and the quarter-period shift structure, and formed on a portion of the grad that faces the first super-period grating. And a second electrode formed on a portion of the cladding facing the second super-period grating, and on a portion of the cladding facing the quarter-period shift structure. And a third electrode formed to partially cover a portion facing the first super-period grating and the second super-period grating.
【0005】なお、この発明において、第1の超周期グ
レーティングの代わりに反射波長が可変可能な第1のサ
ンプルグレーティングを具え、かつ、前記第2の超周期
グレーティングの代わりに、反射波長が可変可能でかつ
前記第1のサンプルグレーティングと中心波長が同じと
された第2のサンプルグレーティングを具えた構成とし
ても良い。In the present invention, a first sample grating having a variable reflection wavelength is provided in place of the first super-periodic grating, and a reflection wavelength is variable in place of the second super-period grating. And a second sample grating having the same center wavelength as that of the first sample grating.
【0006】[0006]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。なお、説明に用いる各図
はこの発明を理解出来る程度に各構成成分の寸法、形状
および配置関係を概略的に示してある。また、各図にお
いて同様な構成成分については同一の番号を付して示し
てある。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The drawings used in the description schematically show the dimensions, shapes and arrangements of the components so that the present invention can be understood. In each figure, the same components are denoted by the same reference numerals.
【0007】1.第1の実施の形態 図1〜図4はこの発明の第1の実施の形態を説明する図
である。特に、図1は第1の実施の形態の波長可変素子
の斜視図、図2(A)は図1のI−I線に沿った断面図
(ただし、超周期グレーテイングを用いた例の図)、図
2(B)は図2(A)中のP部分の拡大図、図3は動作
説明に供する図、また、図4はサンプルグレーティング
を用いた場合の図2に対応する図である。[0007] 1. First Embodiment FIGS. 1 to 4 are views for explaining a first embodiment of the present invention. In particular, FIG. 1 is a perspective view of the wavelength variable element according to the first embodiment, and FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line II of FIG. 1 (however, a diagram of an example using super-periodic grating). 2 (B) is an enlarged view of a portion P in FIG. 2 (A), FIG. 3 is a view for explaining the operation, and FIG. 4 is a view corresponding to FIG. 2 when a sample grating is used. .
【0008】図1および図2において、11は化合物半
導体基板、13は活性導波路、15は第1のクラッド、
17は第2のクラッド、19aは第1電極、19bは第
2電極、19cは第3電極、19dは第4電極、21は
絶縁膜をそれぞれ示す。さらに、23はこの発明でいう
第1の超周期グレーティング、25はこの発明でいう第
2の超周期グレーティング、27はこの発明でいう4分
の1周期シフト構造をそれぞれ示す。1 and 2, reference numeral 11 denotes a compound semiconductor substrate, 13 denotes an active waveguide, 15 denotes a first clad,
Reference numeral 17 denotes a second clad, 19a denotes a first electrode, 19b denotes a second electrode, 19c denotes a third electrode, 19d denotes a fourth electrode, and 21 denotes an insulating film. Further, reference numeral 23 denotes a first super-period grating referred to in the present invention, reference numeral 25 denotes a second super-period grating referred to in the present invention, and reference numeral 27 denotes a quarter period shift structure referred to in the present invention.
【0009】ここで、活性導波路13は、この場合、第
1の導波路13aおよび第2の導波路13bで構成して
ある。第1の導波路13aは屈折率調整用の導波路とし
て機能し、第2の導波路13bは増幅機能を有する導波
路として機能する。そして、第2の導波路13b、第2
のクラッド17、第1の導波路13aおよび第1のクラ
ッド15を、基板11上に、この順に積層した構造とし
てある。ただし、第2の導波路13b、第1の導波路1
3aおよび第1のクラッド15はいずれもストライプ状
の層としてある。また、絶縁層21を、基板11上であ
って、第2の導波路13bの脇に当たる部分上に、第2
の導波路13bの厚さと同程度の厚さで設けてある。そ
して、上記第2のクラッド17は、この絶縁層21上に
まで及んで設けてある。In this case, the active waveguide 13 is composed of a first waveguide 13a and a second waveguide 13b. The first waveguide 13a functions as a waveguide for adjusting the refractive index, and the second waveguide 13b functions as a waveguide having an amplifying function. Then, the second waveguide 13b, the second
, The first waveguide 13a and the first cladding 15 are laminated on the substrate 11 in this order. However, the second waveguide 13b and the first waveguide 1
3a and the first cladding 15 are both striped layers. Further, the insulating layer 21 is formed on the substrate 11 and on a portion corresponding to the side of the second waveguide 13b.
The thickness is approximately the same as the thickness of the waveguide 13b. The second clad 17 extends over the insulating layer 21.
【0010】また、第1の超周期グレーティング23、
第2の超周期グレーティング25および、4分の1周期
シフト構造27それぞれは、この場合第1の導波路13
aの表面に形成してある(詳細は後述する)。Also, the first super-periodic grating 23,
In this case, the second super-period grating 25 and the quarter-period shift structure 27
It is formed on the surface of a (details will be described later).
【0011】また、第1〜第3電極19a〜19cは互
いに電気的に独立しているものである。そして、第1電
極19aは、第1のクラッド15上であって第1の超周
期グレーティング23と対向する部分上に設けてあり、
第2電極19bは、第1のクラッド15上であって第2
の超周期グレーティング25と対向する部分上に設けて
あり、第3電極19cは、第1のクラッド15上であっ
て4分の1周期シフト構造27と対向する部分上に設け
てある。ただし、第3電極19cは第1および第2の超
周期グレーティングと対向する部分上に一部かかって設
けてある。また、第4電極19dは基板11の裏面に設
けてある。そして、第2のクラッド17を、第1〜第4
電極19a〜19dの共通の対向電極として機能するよ
うに、接地電位としている。The first to third electrodes 19a to 19c are electrically independent from each other. The first electrode 19a is provided on the first clad 15 and on a portion facing the first super-period grating 23,
The second electrode 19b is on the first clad 15
The third electrode 19 c is provided on the first clad 15 and on the portion facing the quarter-period shift structure 27. However, the third electrode 19c is provided to partially cover the portion facing the first and second super-periodic gratings. The fourth electrode 19d is provided on the back surface of the substrate 11. Then, the second clad 17 is connected to the first to fourth
The ground potential is set so as to function as a common counter electrode for the electrodes 19a to 19d.
【0012】なお、図1および図2を用い説明した波長
可変素子における各構成成分は、設計に応じた任意好適
な材料で構成出来る。これに限られないが、化合物半導
体基板11の構成材料としては例えば第1導電型(例え
ばn型)InP基板を、また第2のクラッド17の構成
材料としては例えば第2導電型InP層を、また第1の
クラッド15の構成材料としては第1導電型InP層
を、また第1および第2導波路13a,13bの構成材
料としてはそれぞれ所定の組成(第1および第2の導波
路の目的に適した組成)の四元系材料例えばInGaA
sP層を、それぞれ挙げることが出来る。Each component in the wavelength tunable element described with reference to FIGS. 1 and 2 can be made of any suitable material according to the design. Although not limited thereto, as a constituent material of the compound semiconductor substrate 11, for example, a first conductivity type (eg, n-type) InP substrate, as a constituent material of the second clad 17, for example, a second conductivity type InP layer, The material of the first clad 15 is a first conductivity type InP layer, and the material of the first and second waveguides 13a and 13b is a predetermined composition (the purpose of the first and second waveguides, respectively). Quaternary material such as InGaAs
Each of the sP layers can be mentioned.
【0013】次に、図2を主に参照して第1および第2
の超周期グレーティング23および25と、4分の1周
期シフト構造27とについて、さらに詳細に説明する。Next, referring mainly to FIG.
The super period gratings 23 and 25 and the quarter period shift structure 27 will be described in more detail.
【0014】第1の超周期グレーティング23は、凹凸
の周期が徐々に変化(例えばΛ1 からΛn に徐々に変
化)している部分(チャーピングされている部分)を周
期X1で繰り返し具えた構成となっている。一方、第2
の超周期グレーティング25は、凹凸の周期が第1の超
周期グレーティングと同じに徐々に変化している部分を
周期X2 で繰り返し具えた構成となっている(X1 ≠X
2 )。これら第1および第2の超周期グレーティング2
3、25それぞれは、図3に示したように、一定間隔ご
との波長の光を反射する特性を示すものになる。ただ
し、反射波長間の間隔a,bは、超周期グレーティング
23、25における長い周期(上記のX1 やX2 )が異
なるので、異なったものになる。また、両グレーティン
グ23、25共に、凹凸の変化具合が同じとしてあるの
で、両グレーティング23、25の中心波長(例えば電
極への注入電流が0のときの上記一定間隔の複数の反射
波長の平均値)は同じとなる。[0014] The first ultra period grating 23 is repeatedly comprises gradually changing the period of the unevenness (e.g. gradually changed from lambda 1 to lambda n) to a portion (a portion that is chirped) with a period X 1 Configuration. On the other hand, the second
Of the super-periodic grating 25 has a configuration in which a portion where the period of the concavo-convex is gradually changing in the same manner as the first super-periodic grating is repeatedly provided at a period X 2 (X 1 ≠ X
2 ). These first and second super-periodic gratings 2
As shown in FIG. 3, each of 3 and 25 has a characteristic of reflecting light having a wavelength at regular intervals. However, the intervals a and b between the reflection wavelengths are different because the long periods (X 1 and X 2 described above) in the super-periodic gratings 23 and 25 are different. Further, since both gratings 23 and 25 have the same degree of change in the unevenness, the center wavelength of both gratings 23 and 25 (for example, the average value of the plurality of reflection wavelengths at the above-mentioned fixed interval when the current injected into the electrode is 0) ) Is the same.
【0015】また、4分の1周期シフト構造27は、第
1および第2の超周期グレーティング23、25を、上
記中心波長に対応するグレーティングの周期の4分の1
分ずらした状態で接続するものである。ここでは、図2
(B)に示したように、第1の超周期グレーティング2
3の凹凸部分と、第2の超周期グレーティング25の凹
凸部分とが、中心波長に対応するグレーテイング周期Λ
X の4分の1に当たる分ずれた状態で接続されるように
して、4分の1周期構造27を構成している。ただし、
ΛX とは、中心波長をλX と表したとした場合、λX =
2nΛX (ブラッグ反射条件)を満足する周期である。
なお、2つの超周期グレーテイング23、25をそれぞ
れのどの部分において4分の1周期シフトにより接続す
るかは、設計に応じ決める。具体的には、:長い周期
X1 、X2 の終端同士を4分の1周期シフト構造27で
接続する場合、:長い周期X1 、X2 の途中同士を4
分の1周期シフト構造27で接続する場合、:一方の
グレーティングは長い周期X1 またはX2 の終端におい
て、他方のグレーティングは長い周期X1 またはX2 の
途中において、4分の1周期シフト構造27で接続する
場合のいずれか好適な接続構造とする。The quarter-period shift structure 27 causes the first and second super-periodic gratings 23 and 25 to divide the period of the grating corresponding to the center wavelength by one-fourth.
They are connected in a staggered state. Here, FIG.
As shown in (B), the first super-periodic grating 2
3 and the uneven portion of the second super-periodic grating 25 have a grating period Λ corresponding to the center wavelength.
The quarter period structure 27 is configured to be connected in a state shifted by a quarter of X. However,
Λ X means that when the center wavelength is expressed as λ X , λ X =
Is a period that satisfies 2nΛ X (Bragg reflection condition).
Note that which part of the two super-periodic gratings 23 and 25 is connected by a quarter-period shift depends on the design. Specifically,: long cycle X 1, when connecting the terminal ends of X 2 in quarter-period shift structure 27,: Long period X 1, 4 in the middle between the X 2
When connecting min 1 cycle shift structure 27: at one grating a long period X 1 or X 2 end, in the other grating middle of a long period X 1 or X 2, 4 minutes for one cycle shift structure Any suitable connection structure in the case of connection at 27 is adopted.
【0016】次に、この第1の実施の形態の波長可変素
子の動作について説明する。図3を用いて既に説明した
が、この波長可変素子に具わる第1の超周期グレーティ
ング23および第2の超周期グレーティング25それぞ
れは、一定間隔の波長で反射する特性を有するものとな
る。しかも、両グレーティング23、25における長い
方の周期(上記のX1 、X2 )を異ならせてあるのでピ
ーク間の波長間隔は両グレーティングで異なるものとな
る。両グレーティング23,25それぞれが同一の波長
(λ0 )で反射する時には導波路13全体で共振器を構
成する。そして4分の1周期シフト構造27を設けてい
るので、λ0 中心の4分の1シフト構造のDFBと同一
構造となる。したがって、半導体レーザとする場合はλ
0 の波長で発振し、波長フィルタとする場合は波長λ0
の光を選択できる。ここで発振波長(波長フィルタとす
る場合であれば選択波長)の制御は、電極19aを介し
この波長可変素子に供給される制御電流It1と、電極
19bを介しこの波長可変素子に供給される制御電流I
t2とによって、各サンプルグレーテイング23、25
の反射波長を可変制御することにより、行なえる。すな
わち、波長λ0 が重なるよう両グレーテイングを制御す
る(図3参照)。後は電極19cを介しこの波長可変素
子に供給される電流Ipによる位相の微調整を行なう
が、4分の1周期シフト構造27を設けているので、両
グレーティング23、25の波長チューニングを行って
も位相は大きくは変化しないために、Ipの制御は殆ど
波長チューニングとは関係せず行なえる。このため、波
長選択制御は2つの電極の制御で良いので従来に比べ容
易となる。また、Ipによる制御自体が無用(電極19
c自体が無用)になる場合も考えられる。これらのこと
から、バーニア目盛効果を利用した波長可変素子であっ
て波長選択の制御が従来に比べ容易な波長可変素子が得
られる。なお、この実施の形態の素子の場合、第4の電
極19dを介し第2の導波路13bに電流Iaを注入す
ることにより光の増幅率を調整することができるので、
この点でも便宜である。Next, the operation of the wavelength tunable element according to the first embodiment will be described. As described above with reference to FIG. 3, each of the first super-period grating 23 and the second super-period grating 25 provided in this wavelength tunable element has a characteristic of reflecting light at wavelengths at regular intervals. In addition, since the longer periods (X 1 and X 2 ) of the two gratings 23 and 25 are different, the wavelength interval between peaks is different between the two gratings. When each of the gratings 23 and 25 reflects at the same wavelength (λ 0 ), the entire waveguide 13 forms a resonator. Since the quarter-period shift structure 27 is provided, the DFB has the same structure as the quarter-shift structure DFB centered at λ 0 . Therefore, when a semiconductor laser is used, λ
Oscillates at a wavelength of 0 , and when used as a wavelength filter, the wavelength λ 0
Light can be selected. Here, the control of the oscillation wavelength (the selected wavelength in the case of a wavelength filter) is performed by controlling the control current It1 supplied to the variable wavelength element via the electrode 19a and the control current supplied to the variable wavelength element via the electrode 19b. Current I
By t2, each sample grating 23, 25
Can be achieved by variably controlling the reflection wavelength. That is, both gratings are controlled so that the wavelength λ 0 overlaps (see FIG. 3). After that, the phase is finely adjusted by the current Ip supplied to the variable wavelength element via the electrode 19c. Since the quarter period shift structure 27 is provided, the wavelength tuning of both gratings 23 and 25 is performed. Also, since the phase does not change much, the control of Ip can be performed irrespective of the wavelength tuning. Therefore, the wavelength selection control can be performed by controlling the two electrodes, which is easier than the conventional one. Further, the control itself by Ip is unnecessary (the electrode 19
c itself is useless). From these facts, it is possible to obtain a wavelength tunable element using the Vernier scale effect, in which the control of the wavelength selection is easier than before. In the case of the device of this embodiment, the light amplification factor can be adjusted by injecting the current Ia into the second waveguide 13b through the fourth electrode 19d.
This is also convenient.
【0017】なお、上述においては超周期グレーティン
グを用いた例を説明した。しかし、第1の超周期グレー
ティング23の代わりに反射波長が可変可能な第1のサ
ンプルグレーティングを用い、かつ、第2の超周期グレ
ーティング25の代わりに、反射波長が可変可能でかつ
第1のサンプルグレーティングと中心波長が同じとされ
ている第2のサンプルグレーティングを用いても、上述
の波長可変素子と同様な効果が得られる。この場合の構
成例を図4に図2に対応する表記方法で示した。この場
合は、第1のサンプルグレーティング31は、周期Λで
凹凸が連続する部分31aと凹凸の無い部分31bとか
らなる1単位部分を周期X1 で繰り返し具えた構成とな
っている。一方、第2のサンプルグレーティング33
は、周期Λで凹凸が連続する部分33aと凹凸の無い部
分33bとからなる1単位部分を周期X2 で繰り返し具
えた構成となっている(X1 ≠X2 )。そして、この第
1のサンプルグレーティング31の凹凸部分と第2のサ
ンプルグレーティング33の凹凸部分とが中心波長に対
応するグレーテイング周期ΛX の4分の1に当たる分ず
れた状態で接続されるように、4分の1周期構造27を
設けてある。この図4に示した素子の場合も、第1およ
び第2のサンプルグレーティング31、33は、上述の
超周期グレーティングを用いた素子同様、一定間隔ごと
の波長の光を反射する特性を示すグレーティングとな
る。また、反射波長間の間隔は、サンプルグレーティン
グ31、33における長い周期(上記のX1 やX2 )が
異なるので、異なったものになる。また、両グレーティ
ング31、33共に、凹凸の周期がΛと同じとしてある
ので、両グレーティング31、33の中心波長(上記一
定間隔の複数の反射波長の平均値)は同じとなる。この
ため、この素子も、図2に示した素子と同様な動作をす
る。In the above description, an example using a super-periodic grating has been described. However, instead of the first super-periodic grating 23, a first sample grating whose reflection wavelength is variable is used, and instead of the second super-period grating 25, the first sample grating whose reflection wavelength is variable is used. Even when the second sample grating having the same center wavelength as the grating is used, the same effect as the above-described wavelength variable element can be obtained. An example of the configuration in this case is shown in FIG. 4 using a notation method corresponding to FIG. In this case, the first sample the grating 31 has a repeating comprises configuration of one unit portion irregularities with a period Λ is composed of a part without 31b of portion 31a and irregularities continuous period X 1. On the other hand, the second sample grating 33
Is a unit part irregularities with a period Λ is composed of a portion 33a and the concave-convex portion without 33b continuous and has a repetition comprising a configuration with a period X 2 (X 1 ≠ X 2 ). Then, so as to be connected in a state in which the uneven portion and uneven portions of the second sample grating 33 is divided displaced a quarter of Bragg gratings period lambda X corresponding to the center wavelength of the first sample the grating 31 , A quarter period structure 27 is provided. Also in the case of the element shown in FIG. 4, the first and second sample gratings 31 and 33 are, similarly to the element using the above-described super-period grating, a grating having a characteristic of reflecting light of a wavelength at regular intervals. Become. The intervals between the reflection wavelengths are different because the long periods (X 1 and X 2 ) in the sample gratings 31 and 33 are different. In addition, since both the gratings 31 and 33 have the same period of unevenness as that of Λ, the center wavelength of both gratings 31 and 33 (the average value of the plurality of reflection wavelengths at the above-mentioned fixed intervals) is the same. Therefore, this element also operates similarly to the element shown in FIG.
【0018】次に、数式を用いて、この発明の波長変換
素子の動作についてさらに説明する。なお、この説明の
際の基となる解析は文献II(アイ イー アイ シー イー トランサ゛クション
ス゛ オン エレクトロニクス(IEICE Transactions on エレクトロニクス)vol.
E76-C,pp.1683-1689(1993.November))、文献III(インテク゛レ
イテット゛ オフ゜チクス(Integrated Optics),R.Marz 著(1994),A
rtech House社)に説明されている。Next, the operation of the wavelength conversion element of the present invention will be further described by using mathematical expressions. The analysis that forms the basis for this explanation is described in Reference II (IEICE Transactions on Electronics) vol.
E76-C, pp.1683-1689 (1993.November)), Document III (Integrated Optics), R. Marz (1994), A
rtech House).
【0019】文献IIより、超周期グレーティングのグレ
ーティングによる屈折率変化Δnはフーリエ級数により
次式で表される。From Document II, the refractive index change Δn of the super-periodic grating due to the grating is expressed by the following equation using a Fourier series.
【0020】Δn=n1 Re{ΣFk exp[i2(k
βs +β0 )z]} ここではn1 は変調の大きさを表す係数である。また、
Fk はフーリエ変換の係数である。また、β0 は平均の
ブラッグ波長である。また、βs =2π/Xであり、ま
た、このXは超周期グレーティングの超周期(図2中の
X1 やX2 )、あるいはサンプルグレーティングを用い
る場合ではサンプル周期(図4中のX1やX2 )に対応
する。文献IIより、反射波Rと前進波Sとの間の結合方
程式は次式となる。Δn = n 1 Re {ΣF k exp [i2 (k
β s + β 0 ) z]} where n 1 is a coefficient representing the magnitude of modulation. Also,
F k is a Fourier transform coefficient. Β 0 is the average Bragg wavelength. In addition, β s = 2π / X, where X is the super period of the super period grating (X 1 or X 2 in FIG. 2 ), or the sample period when the sample grating is used (X 1 in FIG. 4). And X 2 ). From Literature II, the coupling equation between reflected wave R and forward wave S is:
【0021】 −R’+aR=ΣixFk * exp(i2δk z)S S’+aS=ΣixFk exp(−i2δk z)R ここでaは吸収係数、xは結合係数であり δk =β−kβs −β0 β=2nw π/λ nw :導波光の等価屈折率 である。これから、δK =0となるk=1、2、3……
に対応した各波長においてk=0の通常のブラッグ反射
波長の場合とまったく同一の状態になることが理解され
る。従って、位相は通常のブラッグ反射と同様に反射波
長では反射波は進行波に対してδk =0のとき、φ=a
tan(qk /δk )→π/2(|xFk|L→∞のと
き)で表される。従って、その位相は通常のブラッグ反
射と変わりがない。4分の1周期シフト構造27による
位相は φ4 =πβ/(2β0 ) であるが、反射ピークではδk =0よりβ=kβs +β
0 であり φ4 =π/2+πkβs /(2β0 ) となる。k=0と同一の位相となるには πkβs /(2β0 )=2πm m:整数 βs =4β0 m’ m’:整数=k/m となる必要がある。以上は同一の超周期グレーティング
の間の4分の1周期シフト構造での話であったが、この
ような条件であれば φ4 =π/2+2πkm’ となってφ4 は2πの不定性を除いてはkによらなくな
る。したがって異なる超周期グレーティングの間の4分
の1周期シフト構造も、同一の超周期グレーティングの
間の4分の1周期シフト構造同様に動作する。[0021] -R '+ aR = ΣixF k * exp (i2δ k z) S S' + aS = ΣixF k exp (-i2δ k z) R wherein a is the absorption coefficient, x is the coupling coefficient [delta] k = beta- kβ s -β 0 β = 2n w π / λ n w: an equivalent refractive index of guided light. From this, k = 1, 2, 3,... Where δ K = 0.
It is understood that the state is exactly the same as in the case of the normal Bragg reflection wavelength of k = 0 at each wavelength corresponding to. Therefore, the phase is the same as the ordinary Bragg reflection. At the reflection wavelength, the reflected wave is φ = a when δ k = 0 with respect to the traveling wave.
tan (q k / δ k ) → π / 2 (when | xF k | L → ∞). Therefore, its phase is no different from normal Bragg reflection. The phase by the quarter period shift structure 27 is φ 4 = πβ / (2β 0 ), but the reflection peak is β = kβ s + β from δ k = 0.
0 , and φ 4 = π / 2 + πkβ s / (2β 0 ). k = 0 πkβ s / a is the same phase and (2β 0) = 2πm m: integer β s = 4β 0 m 'm ': the need for an integer = k / m. The above is a description of a quarter-period shift structure between the same super-periodic gratings. Under such conditions, φ 4 = π / 2 + 2πkm ′, and φ 4 has an indefiniteness of 2π. Except for this, it depends on k. Therefore, the quarter-period shift structure between different super-period gratings operates similarly to the quarter-period shift structure between the same super-period gratings.
【0022】次に光の振幅を求めてみる。反射波の成分
をBt、透過波の成分をAtとおき、簡単のため吸収係
数a=0とすると反射波長域では At=AA’exp(iφ4 )+BB’* exp(−i
φ4 ) Bt=B* A’exp(iφ4 )+A* B’* exp
(−iφ4 ) ただし、A,Bは A=cosh(|qk |L)−iδk sinh(|qk
|L)/|qk | B=ixFk sinh(|qk |L)/|qk | であり、またqk 2 =4xFk 2 −δk 2である。また、
A’、B’は上記A、Bにおいてδ4 ’、xFk ’とし
たものである。A’、B’とA、Bはそれぞれ前段、後
段の透過振幅、反射振幅となっている。δk =δk ’=
0の反射ピーク中心においては At=i[cosh(|xFk |L)cosh(|xF
k ’|L)+sinh(|xFk |L)sinh(|x
Fk ’|L)] Bt=sinh(|xFk |L)cosh(|xFk ’
|L)−cosh(|xFk |L)sinh(|xF
k ’|L)] となる。したがってxFk とxFk ’がほぼ同一であれ
ば、通常の(均一グレーティング型の)4分の1の波長
シフトDFBと同様に各ブラッグ波長(δk =δk ’=
0となる波長)で透過(At=i、Bt=0)となる。Next, the amplitude of light will be obtained. Assuming that the component of the reflected wave is Bt and the component of the transmitted wave is At, and that the absorption coefficient is a = 0 for simplicity, in the reflection wavelength region, At = AA′exp (iφ 4 ) + BB ′ * exp (−i
φ 4 ) Bt = B * A'exp (iφ 4 ) + A * B ' * exp
(-Iφ 4) However, A, B are A = cosh (| q k | L) -iδ k sinh (| q k
| L) / | q k | B = ixF k sinh (| q k | L) / | q k | a is also a q k 2 = 4xF k 2 -δ k 2. Also,
A ′ and B ′ are δ 4 ′ and xF k ′ in A and B, respectively. A ′ and B ′ and A and B are the transmission amplitude and the reflection amplitude at the front and rear stages, respectively. δ k = δ k '=
In reflection peak center 0 At = i [cosh (| xF k | L) cosh (| xF
k ′ | L) + sinh (| xF k | L) sinh (| x
F k '| L)] Bt = sinh (| xF k | L) cosh (| xF k'
│L) -cosh (│xF k │L) sinh (│xF
k ′ | L)]. Therefore, if xF k and xF k ′ are almost the same, then each Bragg wavelength (δ k = δ k ′ =) as in a normal (uniform grating type) quarter-wavelength shift DFB.
At this time, the light is transmitted (At = i, Bt = 0).
【0023】2.第2の実施の形態 上述においては、第1のグレーティングおよび第2のグ
レーティングの超周期やサンプル周期(X1 やX2 )が
異なる場合の例を説明した。しかし、この発明は第1の
超周期グレーティング23と第2の超周期グレーティン
25グとが同じ構造の場合、また、第1のサンプルグレ
ーティング31と第2のサンプルグレーティング33と
が同じ構造の場合にも、それぞれ適用出来る。すなわ
ち、図2や図4を用いて説明した構成においてX1 =X
2 の場合にもそれぞれ適用できる。この第2の実施の形
態はその例である。以下これについて説明する。この説
明を図5〜図7を参照して説明する。ここで、図5は第
2の実施の形態の素子の全体を示した斜視図、図6は図
5のII−II線における断面図(ただし、サンプルグレー
ティングを用いた例の図)、図7は動作説明に供する図
である。2. Second Embodiment In the above, an example has been described in which the first grating and the second grating have different super periods and sample periods (X 1 and X 2 ). However, the present invention relates to a case where the first super-period grating 23 and the second super-periodic grating 25 have the same structure, and a case where the first sample grating 31 and the second sample grating 33 have the same structure. , Respectively. That is, in the configuration described with reference to FIGS. 2 and 4, X 1 = X
The second case is also applicable. The second embodiment is an example. This will be described below. This will be described with reference to FIGS. Here, FIG. 5 is a perspective view showing the entire device of the second embodiment, FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 5 (however, a diagram using a sample grating), and FIG. Is a diagram provided for explanation of operation.
【0024】図2や図4を用いて説明した構成において
単にX1 およびX2 をX1 =X2 となるように変更する
のみであると、発振波長(フィルタを構成する場合は選
択波長)の制御の際に、複数の反射波長に対応する発振
波長で発振したり複数の選択波長でフィルタリングが行
なわれてしまう。なぜなら第1および第2のグレーティ
ングが同じ構造ゆえ、両グレーティングは同じ反射特性
をもつからである。そこでこの場合は、図5および図6
に示したように、第1および第2の超周期グレーティン
グ(或は第1および第2のサンプルグレーティング)を
同じ構造のグレーテイング41、43とし、かつ、これ
らを4分の1周期シフト構造27で接続した構成とする
と共に、これらグレーティング41、43が作り込まれ
た導波路13aとは別に、この導波路13aとは等価屈
折率の異なる(屈折率差Δn)導波路13xをさらに設
ける。具体的には、この第2の実施の形態では、第1の
実施の形態で説明した第2の導波路13bを設けていた
位置に、これの代わりに、第1の導波路13aとは透過
屈折率の異なる導波路13xを設けている。またさらに
この第2の実施の形態では、波長可変の便宜のため導波
路13xは第3のグレーティング45を具えたものとし
てある(詳細は後述する。)。In the configuration described with reference to FIGS. 2 and 4, if only X 1 and X 2 are changed so that X 1 = X 2 , the oscillation wavelength (the selected wavelength in the case of forming a filter) In the case of the above control, oscillation occurs at an oscillation wavelength corresponding to a plurality of reflection wavelengths, or filtering is performed at a plurality of selected wavelengths. This is because the first and second gratings have the same structure, so that both gratings have the same reflection characteristics. Therefore, in this case, FIGS. 5 and 6
, The first and second super-period gratings (or the first and second sample gratings) are formed as gratings 41 and 43 having the same structure, and these are replaced by a quarter period shift structure 27. In addition to the waveguide 13a in which the gratings 41 and 43 are formed, a waveguide 13x having an equivalent refractive index (refractive index difference Δn) different from the waveguide 13a is further provided. More specifically, in the second embodiment, the second waveguide 13b described in the first embodiment is provided at the position where the second waveguide 13b is provided, instead of the first waveguide 13a. Waveguides 13x having different refractive indexes are provided. Further, in the second embodiment, the waveguide 13x is provided with a third grating 45 for convenience of wavelength tuning (details will be described later).
【0025】次に、この第2の実施の形態の波長可変素
子の理解を深めるためにその動作について説明する。構
造が互いに同じとされた第1および第2のサンプルグレ
ーティング41、43それぞれは、図7の上部分に示し
たように、一定間隔の波長で反射する特性を有すること
になる。また、第3のグレーティング45による波長選
択特性は、図7の下部分に示したように、ある波長(た
だし第4電極によってある程度可変される)にピークを
持つものとなる。第1〜第3のグレーティング41、4
3、45で同一の波長(λ0 )で反射するときには、第
1の導波路13aと、この第1の導波路13とは透過屈
折率の異なる導波路13xとからなる活性導波路13全
体で、共振器を構成する。また、4分の1周期シフト構
造を設けているのでこの第2の実施の形態の素子も第1
の実施の形態同様λ0 中心の4分の1シフト構造のDF
Bと同一構造になる。したがって、λ0 の波長で発振す
る。ここで、発振波長の制御は第1及び第2のグレーテ
ィング41、43を制御する制御電流It3と、第3の
グレーティングを制御する制御電流It4とで済む。後
は電極19cを介しこの波長可変素子に供給される電流
Ipによる位相の微調整が入るが、4分の1周期シフト
構造27を設けているので、両グレーティング41、4
3の波長チューニングを行っても位相は大きくは変化し
ないために、Ipの制御は殆ど波長チューニングとは関
係せず制御は容易となる。すなわち、発振波長の制御は
2つの電極の制御で済む。Next, the operation of the wavelength tunable device according to the second embodiment will be described for better understanding. Each of the first and second sample gratings 41 and 43 having the same structure has a characteristic of reflecting light at wavelengths at regular intervals as shown in the upper part of FIG. Further, as shown in the lower part of FIG. 7, the wavelength selection characteristic of the third grating 45 has a peak at a certain wavelength (however, it is changed to some extent by the fourth electrode). First to third gratings 41, 4
When the light is reflected at the same wavelength (λ 0 ) at 3, 45, the entire active waveguide 13 including the first waveguide 13a and the waveguide 13x having a different transmission refractive index from the first waveguide 13a. , Constituting a resonator. Further, since the quarter period shift structure is provided, the element of the second embodiment is also the first embodiment.
DF having a quarter shift structure centered on λ 0 as in the embodiment of FIG.
B has the same structure. Therefore, it oscillates at the wavelength of λ 0 . Here, the control of the oscillation wavelength can be performed by the control current It3 for controlling the first and second gratings 41 and 43 and the control current It4 for controlling the third grating. After that, fine adjustment of the phase by the current Ip supplied to the wavelength variable element via the electrode 19c is performed. However, since the quarter period shift structure 27 is provided, the two gratings 41, 4
Since the phase does not change much even if the wavelength tuning of No. 3 is performed, the control of Ip is hardly related to the wavelength tuning and the control becomes easy. That is, the control of the oscillation wavelength is controlled by the two electrodes.
【0026】なお、発振波長の制御において第2のグレ
ーティング41、43は選択波長の微調整に寄与する。
制御電流It3による屈折率変化をδnとすると、第1
および第2のグレーテイング41、43での選択波長の
変化率はδn/nである。ただし、nは第1の導波路1
3aの透過屈折率である。また、第1及び第2のグレー
テイング41,43による波長選択の半値幅は、波長を
λとし波長選択素子の素子長をLとした場合、λ2 /
(2nL)程度である。したがって、L=500μmの
場合でかつ扱う波長帯が1500nm前後である場合で
かつ第1導波路の屈折率がInPによるものである場
合、上記半値幅は0.7nm程度となる。一方、第3の
グレーティング45での選択波長の変化は、制御電流I
t4による導波路13xの屈折率変化をδnとすると、
δn/Δn程度である。ここで、Δnは既に述べたよう
に導波路13aと13xとの等価屈折率差である。した
がって、導波路13xにおけるδnを10-2、Δnを1
0-1とすれば、第3のグレーティング45での選択波長
の変化は100nm以上となるので、この第2の実施の
形態の場合も、波長可変幅が広く、かつ、動作時の制御
が従来より簡単な波長可変素子が得られる。In controlling the oscillation wavelength, the second gratings 41 and 43 contribute to fine adjustment of the selected wavelength.
Assuming that the refractive index change due to the control current It3 is δn, the first
The change rate of the selected wavelength in the second gratings 41 and 43 is δn / n. Where n is the first waveguide 1
3a is the transmission refractive index. Further, when the wavelength is λ and the element length of the wavelength selection element is L, the half width of the wavelength selection by the first and second gratings 41 and 43 is λ 2 /
(2 nL). Therefore, when L = 500 μm, when the wavelength band to be handled is around 1500 nm, and when the refractive index of the first waveguide is InP, the half-width is about 0.7 nm. On the other hand, the change in the selected wavelength in the third grating 45 depends on the control current I
Assuming that the change in the refractive index of the waveguide 13x due to t4 is δn,
It is about δn / Δn. Here, Δn is the equivalent refractive index difference between the waveguides 13a and 13x as described above. Therefore, δn in the waveguide 13x is 10 −2 and Δn is 1
If 0 −1 , the change of the selected wavelength in the third grating 45 is 100 nm or more. Therefore, also in the second embodiment, the wavelength tunable width is wide and the control during the operation is conventionally performed. A simpler wavelength variable element can be obtained.
【0027】[0027]
【発明の効果】上述した説明から明らかなようにこの発
明の波長可変素子によれば、反射波長が可変可能な第1
の超周期(またはサンプル)グレーティングと、反射波
長が可変可能でかつ前記第1のグレーティングと中心波
長が同じとされている第2の超周期(またはサンプル)
グレーティングと、所定の4分の1周期シフト構造とを
具えたので、波長選択制御は第1及び第2のグレーティ
ングについの制御のみで良くなる。このため、波長可変
幅は従来と少なくとも同等でかつ波長選択制御は従来よ
り簡単な波長可変素子が得られる。As is apparent from the above description, according to the wavelength variable element of the present invention, the first variable reflection wavelength can be obtained.
And a second super-period (or sample) whose reflection wavelength is variable and whose center wavelength is the same as that of the first grating.
Since a grating and a predetermined quarter-period shift structure are provided, the wavelength selection control can be performed only by controlling the first and second gratings. For this reason, a wavelength tunable element whose wavelength variable width is at least equal to that of the conventional one and whose wavelength selection control is simpler than the conventional one can be obtained.
【図1】第1の実施の形態の説明図(その1)であり、
第1の実施の形態の素子の斜視図である。FIG. 1 is an explanatory diagram (part 1) of a first embodiment;
FIG. 2 is a perspective view of the element according to the first embodiment.
【図2】第1の実施の形態の説明図(その2)であり、
第1の実施の形態の素子の断面図および要部説明図であ
る。FIG. 2 is an explanatory diagram (part 2) of the first embodiment;
3A and 3B are a cross-sectional view and a main part explanatory view of the element of the first embodiment.
【図3】第1の実施の形態の説明図(その3)であり、
第1の実施の形態の素子の動作説明に供する図である。FIG. 3 is an explanatory diagram (part 3) of the first embodiment;
FIG. 3 is a diagram provided for describing the operation of the element according to the first embodiment.
【図4】第1の実施の形態の説明図(その4)であり、
グレーティングをサンプルグレーティングとした場合の
素子の断面図および要部説明図である。FIG. 4 is an explanatory view (No. 4) of the first embodiment;
It is sectional drawing and principal part explanatory drawing of an element when a grating is a sample grating.
【図5】第2の実施の形態の説明図(その1)であり、
第2の実施の形態の素子の斜視図である。FIG. 5 is an explanatory view (1) of the second embodiment,
It is a perspective view of the element of a 2nd embodiment.
【図6】第2の実施の形態の説明図(その2)であり、
第2の実施の形態の素子の断面図および要部説明図であ
る。FIG. 6 is an explanatory view (2) of the second embodiment;
It is sectional drawing and principal part explanatory drawing of the element of 2nd Embodiment.
【図7】第2の実施の形態の説明図(その3)であり、
第2の実施の形態の素子の動作説明に供する図である。FIG. 7 is an explanatory view (3) of the second embodiment,
FIG. 14 is a diagram which is used for describing the operation of the element according to the second embodiment.
11:化合物半導体基板 13:活性導波路 13a:第1の導波路 13b:第2の導波路 13x:グレーティングが作り込まれた導波路とは等価
屈折率が異なる導波路 15:第1のクラッド 17:第2のクラッド 19a:第1電極 19b:第2電極 19c:第3電極 19d:第4電極 21:絶縁膜 23:第1の超周期グレーティング 25:第2の超周期グレーティング 27:4分の1周期シフト構造 31:第1のサンプルグレーティング 33:第2のサンプルグレーティング 41:第1の超周期(又はサンプル)グレーティング 43:第1のグレーティング41と同じ構造の第2の超
周期(又はサンプル)グレーティング11: Compound semiconductor substrate 13: Active waveguide 13a: First waveguide 13b: Second waveguide 13x: Waveguide having an equivalent refractive index different from that of a waveguide in which a grating is formed 15: First cladding 17 : Second cladding 19a: first electrode 19b: second electrode 19c: third electrode 19d: fourth electrode 21: insulating film 23: first super-period grating 25: second super -period grating 27: 4 minutes One-period shift structure 31: first sample grating 33: second sample grating 41: first super-period (or sample) grating 43: second super-period (or sample) having the same structure as first grating 41 Grating
Claims (2)
ーティングと、 前記反射波長が可変可能でかつ前記第1の超周期グレー
ティングと中心波長が同じとされている第2の超周期グ
レーティングと、 前記第1の超周期グレーティング及び前記第2の超周期
グレーティングを、前記中心波長に対応するグレーティ
ングの周期の4分の1分ずらした状態で接続している4
分の1周期シフト構造と、 前記第1の超周期グレーティング、前記第2の超周期グ
レーティング及び前記4分の1周期シフト構造の上面に
形成されたクラッドと、 前記クラッド上であって前記第1の超周期グレーティン
グと対向する部分上に形成された第1電極と、 前記クラッド上であって前記第2の超周期グレーティン
グと対向する部分上に形成された第2電極と、 前記クラッド上であって前記4分の1周期シフト構造と
対向する部分上であり、かつ、前記第1の超周期グレー
ティング及び前記第2の超周期グレーティングと対向す
る部分上に一部かかって形成された第3電極とを具える
ことを特徴とする波長可変素子。1. A first super-period grating whose reflection wavelength is variable, and a second super-period grating whose reflection wavelength is variable and whose center wavelength is the same as that of the first super-period grating. Connecting the first super-period grating and the second super-period grating in a state shifted by a quarter of the period of the grating corresponding to the center wavelength.
A quarter-period shift structure; a clad formed on the upper surfaces of the first super-period grating, the second super-period grating and the quarter-period shift structure; A first electrode formed on a portion facing the super-periodic grating, a second electrode formed on the cladding on a portion facing the second super-period grating, and A third electrode formed on a portion facing the quarter-period shift structure and partially on a portion facing the first super-period grating and the second super-period grating. A wavelength tunable element comprising:
て、 前記第1の超周期グレーティング及び第2の超周期グレ
ーティングの反射波長間の間隔が等しいとき、 前記第1の超周期グレーティング及び第2の超周期グレ
ーティングを形成する第1の導波路の等価屈折率とは異
なる等価屈折率を有する第2の導波路と、 該第2の導波路に形成され、反射波長を選択できる第3
のグレーティングとを具えることを特徴とする波長可変
素子。2. The wavelength tunable device according to claim 1, wherein the first super-period grating and the second super-period grating have equal intervals between reflection wavelengths. A second waveguide having an equivalent refractive index different from the equivalent refractive index of the first waveguide forming the super-periodic grating; and a third waveguide formed in the second waveguide and capable of selecting a reflection wavelength.
A wavelength tunable element comprising a grating.
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