JP3220914B2 - Recording medium manufacturing method - Google Patents
Recording medium manufacturing methodInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、走査型トンネル顕微鏡
の原理を用いた情報処理装置に用いられる超高密度記録
媒体の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an ultra-high-density recording medium used in an information processing apparatus using the principle of a scanning tunneling microscope.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、メモリー素子の用途はコンピュー
タ及びその関連機器、ビデオディスク、ディジタルオー
ディオディスク等のエレクトロニクス産業の中核をなす
ものであり、その開発も活発に進んでいる。メモリー素
子に要求される性能は一般的には (1)高密度で、記録容量が大きい (2)記録・再生の応答速度が速い (3)エラーレートが小さい (4)消費電力が少ない (5)生産性が高く、価格が安い 等が挙げられる。2. Description of the Related Art In recent years, memory devices have been used at the core of the electronics industry such as computers and related equipment, video disks, digital audio disks, and the like, and their development has been actively promoted. Generally, the performance required of a memory element is (1) high density and large recording capacity (2) fast response time of recording / reproduction (3) low error rate (4) low power consumption (5) ) High productivity and low price.
【0003】従来までは、磁性体や半導体を素材とした
磁気メモリー、半導体メモリーが主流であったが、近年
レーザー技術の進展に伴い、有機色素、フォトポリマー
などの有機薄膜を用いた安価で高密度な記録媒体を用い
た光メモリー素子などが登場してきた。Until now, magnetic memories and semiconductor memories made of magnetic materials or semiconductors have been the mainstream, but with the recent development of laser technology, inexpensive and high-performance devices using organic thin films such as organic dyes and photopolymers have been developed. Optical memory devices using high-density recording media have appeared.
【0004】一方、最近、導体の表面原子の電子構造を
直接観測できる走査型トンネル顕微鏡(以後STMと略
す)が開発され〔ジー.ビーニッヒ等,フェルベティカ
フィジカ アクタ,55,726(1982).〕、
単結晶、非晶質を問わず実空間像の高い分解能の測定が
できるようになり、しかも媒体に電流による損傷を与え
ることなく低電力で観測できる利点をも有し、更に大気
中でも動作させることが可能であるため広範囲な応用が
期待されている。On the other hand, a scanning tunneling microscope (hereinafter abbreviated as STM) capable of directly observing the electronic structure of surface atoms of a conductor has recently been developed [G. Binnig et al., Fervetica Physica Acta, 55 , 726 (1982). ],
The ability to measure real space images with high resolution regardless of whether it is single crystal or amorphous, and has the advantage of being able to observe at low power without damaging the medium due to current, and to operate in air. It is expected to be widely applied because it is possible.
【0005】かかるSTMは、金属の探針(プローブ電
極)と導電性物質の間に電圧を加えて1nm程度の距離
まで近づけると、その間にトンネル電流が流れることを
利用している。この電流は両者の距離変化に非常に敏感
であり、トンネル電流を一定に保つように探針を走査す
ることにより、実空間の表面構造を描くことができると
同時に、表面原子の全電子雲に関する種々の情報をも読
みとることができる。[0005] Such STM utilizes the fact that when a voltage is applied between a metal probe (probe electrode) and a conductive material to approach a distance of about 1 nm, a tunnel current flows between them. This current is very sensitive to changes in the distance between the two, and by scanning the tip so as to keep the tunnel current constant, it is possible to draw the surface structure in real space, and at the same time the total electron cloud of surface atoms Various information can also be read.
【0006】この際、面内方向の分解能は0.1nm程
度である。従って、STMの原理を応用すれば十分に原
子オーダー(0.数nm)での高密度記録再生を行うこ
とが可能である。この際の記録再生方法としては、粒子
線(電子線、イオン線)或いはX線等の高エネルギー電
磁波及び可視・紫外光等のエネルギー線を用いて適当な
記録層の表面状態を変化させて記録を行いSTMで再生
する方法や、記録層として電圧・電流のスイッチング特
性に対してメモリ効果をもつ材料、例えばπ電子系有機
化合物やカルコゲン化物類の薄膜層を用いて、記録・再
生をSTMを用いて行う方法等が提案されている。At this time, the resolution in the in-plane direction is about 0.1 nm. Therefore, if the principle of STM is applied, high-density recording / reproducing can be sufficiently performed in the atomic order (0.1 nm). As a recording / reproducing method at this time, recording is performed by changing the surface state of an appropriate recording layer using a high-energy electromagnetic wave such as a particle beam (electron beam, ion beam) or X-ray or an energy beam such as visible or ultraviolet light. And STM for recording and reproduction using a material having a memory effect on the switching characteristics of voltage and current, for example, a thin film layer of a π-electron organic compound or chalcogenide as a recording layer. A method using the method has been proposed.
【0007】上記の様な記録・再生方法に於いて、実際
に多量の情報を記録・再生する為には、プローブ電極の
XY方向(記録媒体面内方向)の位置検出及び補正制御
(トラッキング)が必要となる。このトラックの形成方
法としては、既に記録媒体基板の原子配列を利用して、
高密度かつ高精度に行う方法が提案されているが、原子
配列の検出を極めて高精度に行う必要があるため、取扱
上簡便とはいい難かった。In the recording / reproducing method as described above, in order to actually record / reproduce a large amount of information, the position detection and correction control (tracking) of the probe electrode in the XY directions (in-plane direction of the recording medium). Is required. As a method of forming this track, already utilizing the atomic arrangement of the recording medium substrate,
Although a method of performing high-density and high-accuracy has been proposed, it has been difficult to handle the atomic arrangement easily because the atomic arrangement must be detected with extremely high accuracy.
【0008】そこで、トラッキングを簡便に行うため
に、記録媒体の基板にあらかじめ凹凸を設けることによ
り案内溝(トラック)を形成し、そのトラックの凹状部
分あるいは凸状部分にプローブ電極を追従させることに
より、トラッキングを行う方法が提案されている。Therefore, in order to easily perform tracking, a guide groove (track) is formed by providing irregularities in advance on a substrate of a recording medium, and a probe electrode is made to follow a concave portion or a convex portion of the track. A method of performing tracking has been proposed.
【0009】かかる基板上に凹型または、凸型の段差を
形成する方法としては、従来のレジストを用いたリソグ
ラフィー技術を利用した金属、無機物、有機物等のエッ
チングやリフトオフ、或いはレジストそのものを段差と
して利用することも可能である。また、電子ビームやイ
オンビーム等の高エネルギーの放射線を照射することに
より基板電極や基板を加工して、これらに直接段差を形
成することも考えられる。As a method of forming a concave or convex step on such a substrate, a conventional method of etching or lifting off a metal, an inorganic substance, an organic substance or the like using a lithography technique using a resist, or using a resist itself as a step is used. It is also possible. It is also conceivable that the substrate electrode or the substrate is processed by irradiating high-energy radiation such as an electron beam or an ion beam to form a step directly on the substrate electrode or the substrate.
【0010】このイオンビームによって電極を加工する
方法は、一般には、集束させたビームを利用するため
に、集束イオンビーム法(以下、FIB法と略す)と呼
ばれる。この方法は、ビームで直接電極などに所定のト
ラックパターンの猫画をするだけの工程であるため、極
めて簡便なトラック形成方法であるといえる。This method of processing an electrode with an ion beam is generally called a focused ion beam method (hereinafter, abbreviated as FIB method) because a focused beam is used. This method can be said to be an extremely simple track forming method since it is a step of merely forming a cat image of a predetermined track pattern directly on an electrode or the like with a beam.
【0011】しかし、このFIB法によるトラックの形
成においては、イオンビームを照射した影響がイオンビ
ームの径の外側にも生じる場合があり、記録媒体の記録
面となるところの電極表面の平滑性が悪化し、記録・再
生時のビットエラーレートを増加させるおそれがあっ
た。However, in the track formation by the FIB method, the influence of the irradiation of the ion beam may occur outside the diameter of the ion beam, and the smoothness of the electrode surface, which becomes the recording surface of the recording medium, may be reduced. There is a possibility that the bit error rate will increase during recording and reproduction.
【0012】このため、基板電極上にあらかじめマス
ク層を形成してからFIB加工することにより基板電極
表面のビーム径の外側への影響をなくす方法やFIB
加工した後、基板電極面をエッチングすることにより、
ビーム径の外側への影響を取り除く方法があった。[0012] For this reason, a method of eliminating the influence of the outer side of the beam diameter on the surface of the substrate electrode by performing a FIB process after forming a mask layer on the substrate electrode in advance, or a FIB
After processing, by etching the substrate electrode surface,
There was a way to remove the effect on the outside of the beam diameter.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たの方法では、マスク層を取り除くためにのエッチン
グや溶剤による除去の際、使用する基板等の材料により
基板が変形,溶解される問題があり、の方法もエッチ
ングを行うので、同様の問題があった。However, the above-mentioned method has a problem that the substrate is deformed and dissolved by a material such as a substrate to be used in the etching or the solvent removal for removing the mask layer. This method also has a similar problem since the method described above also performs etching.
【0014】従って、本発明の目的とするところは、上
述した従来技術の問題点に鑑み、プローブ電極を用いた
電気的な高密度記録・再生を行う情報処理装置に用いら
れる記録媒体の信頼性を高めるとともに、材料に限定さ
れることのない、より簡易な記録媒体製造方法を提供す
ることにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a recording medium used in an information processing apparatus for performing high-density electric recording / reproducing using a probe electrode in view of the above-mentioned problems of the prior art. And to provide a simpler recording medium manufacturing method that is not limited to materials.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段及び作用】本発明によれ
ば、FIB法で電極にトラックを形成する際に生じてい
たダメージの受けていない面を、記録層を積層する電極
面として利用することにより、記録媒体表面の平滑性を
高めたものである。According to the present invention, a non-damaged surface generated when forming tracks on an electrode by the FIB method is used as an electrode surface for laminating a recording layer. Thereby, the smoothness of the surface of the recording medium is improved.
【0016】即ち、本発明は、トンネル電流を検知して
情報の記録再生を行う情報処理装置に用いられ基板電極
上に記録層を有する記録媒体の製造方法であって、第1
の基板上に基板電極を形成する過程、集束イオンビーム
で該基板電極側から第1の基板まで貫通する溝を形成す
る過程、第2の基板を基板電極表面に接着する過程、基
板電極を第1の基板より剥離する過程、第1の基板表面
の転写面である基板電極面に記録層を積層する過程を順
次行うことを特徴とする記録媒体製造方法である。That is, the present invention relates to a method for manufacturing a recording medium having a recording layer on a substrate electrode for use in an information processing apparatus for recording and reproducing information by detecting a tunnel current.
Forming a substrate electrode on the substrate, forming a groove penetrating from the substrate electrode side to the first substrate with a focused ion beam, bonding a second substrate to the substrate electrode surface, forming a substrate electrode on the substrate electrode. A method for manufacturing a recording medium, comprising sequentially performing a step of separating from a first substrate and a step of laminating a recording layer on a substrate electrode surface which is a transfer surface of a first substrate surface.
【0017】次に、図面を用いながら本発明を詳細に説
明する。Next, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0018】図1は本発明の記録媒体製造方法の一例を
示す工程図である。図1(a)に示すように、まず、第
1の基板104上に基板電極103を形成する。本発明
に用いられる第1の基板は、基板電極を支持した状態で
トラックを形成する為に用いるので、表面が平滑であれ
ばどの様な材料を用いても良いが、トラック、基板電極
の形成法によって、ある程度利用できる基板材料は限定
される。FIG. 1 is a process chart showing an example of a recording medium manufacturing method of the present invention. As shown in FIG. 1A, first, a substrate electrode 103 is formed on a first substrate 104. Since the first substrate used in the present invention is used to form tracks while supporting the substrate electrodes, any material may be used as long as the surface is smooth. Depending on the method, the substrate materials available to some extent are limited.
【0019】本発明で用いられる基板電極103の材料
は、高い導電性を有するものであればよく、例えばA
u,Pt,Ag,Pd,Al,In,Sn,Pb,Wな
どの金属やこれらの合金、さらにはグラファイトやシリ
サイド、またさらにはITOなどの導電性酸化物を始め
として数多くの材料が挙げられ、これらの本発明への適
用が考えられる。かかる材料を用いた電極形成法として
は従来公知の薄膜技術で十分である。但し、基板電極の
材料は表面が記録層形成の際、絶縁性の酸化物をつくら
ない導電材料、例えば貴金属やITOなどの酸化物導電
体を用いることが好ましく、なおかつ何れの材料を用い
るにしてもその表面が平滑であることが好ましい。The material of the substrate electrode 103 used in the present invention may be any material having high conductivity.
Numerous materials including metals such as u, Pt, Ag, Pd, Al, In, Sn, Pb, W, and alloys thereof, and graphite, silicide, and conductive oxides such as ITO. These can be applied to the present invention. As a method for forming an electrode using such a material, a conventionally known thin film technique is sufficient. However, as the material of the substrate electrode, it is preferable to use a conductive material whose surface does not form an insulating oxide when forming the recording layer, for example, an oxide conductor such as a noble metal or ITO. It is also preferable that the surface is smooth.
【0020】次に、図1(b)に示すように、基板電極
103にトラックとなる凹型の溝を、FIB法により基
板104まで貫通する深さで形成する。Next, as shown in FIG. 1B, a concave groove serving as a track is formed in the substrate electrode 103 to a depth penetrating to the substrate 104 by the FIB method.
【0021】このFIB法において、イオン種は、基板
電極に溝を形成できれば良く、元素としては、Au,S
i,Be等の数多くの種類を挙げることができる。但し
この時、基板電極に第1の基板まで達する溝を形成する
ため、イオン種及びドーズ量を適当に設定する必要があ
る。In the FIB method, the ion species may be any as long as a groove can be formed in the substrate electrode.
Numerous types such as i and Be can be mentioned. However, at this time, in order to form a groove reaching the first substrate in the substrate electrode, it is necessary to appropriately set the ion species and the dose.
【0022】次に、図1(c)に示すように、基板電極
上に接着層(不図示)を形成した後、接着層上に第2の
基板105を貼り付ける。本発明に係る接着層としては
無溶剤型の体積収縮がないものが好ましく、例えばエポ
キシ樹脂系、α−シアノアクリレート系などの絶縁性接
着剤やエポテック銀シリーズなどの導電性接着剤などが
挙げられる。Next, as shown in FIG. 1C, after forming an adhesive layer (not shown) on the substrate electrode, the second substrate 105 is attached on the adhesive layer. The adhesive layer according to the present invention is preferably a solventless type that does not have volumetric shrinkage, and examples thereof include an epoxy resin-based, an α-cyanoacrylate-based insulating adhesive and a conductive adhesive such as an Epotek silver series. .
【0023】この基板電極に第2の基板を貼り付ける工
程に於いて、第2の基板と電極層が直接接合される場
合、例えば共晶結合・電鋳などの場合は、接着層を省く
ことができる。本発明に係る第2の基板としては、接着
層を介する場合は、金属・ガラス・セラミック・プラス
チック材料等いずれの材料も使用できる。また、共晶結
合・電鋳などにより接合させる場合は、比較的平滑な材
料が好ましい。さらに、電極層が厚い場合は、第2の基
板を省くことも可能である。In the step of attaching the second substrate to the substrate electrode, if the second substrate and the electrode layer are directly joined, for example, in the case of eutectic bonding or electroforming, the adhesive layer is omitted. Can be. As the second substrate according to the present invention, any material such as a metal, a glass, a ceramic, and a plastic material can be used when an adhesive layer is interposed. In the case of joining by eutectic bonding or electroforming, a relatively smooth material is preferable. Further, when the electrode layer is thick, the second substrate can be omitted.
【0024】以上のように基板電極に第2の基板を貼り
付けた後、図1(d)に示すように基板電極を第1の基
板から引きはがし、第2の基板上に基板電極を残す。After attaching the second substrate to the substrate electrode as described above, the substrate electrode is peeled off from the first substrate as shown in FIG. 1D, leaving the substrate electrode on the second substrate. .
【0025】最後に、図1(e)に示すように、記録層
101を、基板電極上に形成する。Finally, as shown in FIG. 1E, a recording layer 101 is formed on the substrate electrode.
【0026】本発明で用いる記録層101の形成に関し
ては、具体的には、蒸着法やクラスターイオンビーム法
等の適用も可能であるが、制御性、容易性そして再現性
から公知の従来技術の中ではLB法が極めて好適であ
る。With respect to the formation of the recording layer 101 used in the present invention, specifically, a vapor deposition method, a cluster ion beam method or the like can be applied. Among them, the LB method is very suitable.
【0027】このLB法によれば、1分子中に疎水性部
位と親水性部位とを有する有機化合物の単分子膜または
その累積膜を基板上に容易に形成することができ、分子
オーダーの厚みを有し、かつ大面積にわたって均一、均
質な有機超薄膜を安定に供給することができる。According to the LB method, a monomolecular film of an organic compound having a hydrophobic portion and a hydrophilic portion in one molecule or a cumulative film thereof can be easily formed on a substrate, and the thickness on the order of molecules can be obtained. And a uniform and homogeneous organic ultrathin film can be stably supplied over a large area.
【0028】かかるLB法は、分子内に親水性部位と疎
水性部位とを有する構造の分子において、両者のバラン
ス(両親媒性のバランス)が適度に保たれているとき、
分子水面上で親水性基を下に向けて単分子の層になるこ
とを利用して単分子膜またはその累積膜を形成する方法
である。In the LB method, in a molecule having a structure having a hydrophilic site and a hydrophobic site in a molecule, when the balance between the two (balance of amphipathicity) is appropriately maintained,
This is a method of forming a monomolecular film or a cumulative film thereof by utilizing the fact that a hydrophilic group is directed downward on a molecular water surface to form a monomolecular layer.
【0029】ここで、疎水性部位を構成する基として
は、一般に広く知られている飽和及び不飽和炭化水素基
や縮合多環芳香族基及び鎖状多環フェニル基等の各種疎
水基が挙げられる。これらは各々単独又はその複数が組
み合わされて疎水性部位を構成する。Examples of the group constituting the hydrophobic site include various widely known hydrophobic groups such as saturated and unsaturated hydrocarbon groups, condensed polycyclic aromatic groups and chain polycyclic phenyl groups. Can be Each of these constitutes a hydrophobic site alone or in combination of two or more thereof.
【0030】一方、親水性部位の構成要素として最も代
表的なものは、例えばカルボキシル基、エステル基、酸
アミド基、イミド基、ヒドロキシル基、更にはアミノ基
(1,2,3級及び4級)等の親水性基等が挙げられ
る。これらも各々単独又はその複数が組み合わされて上
記分子の親水性部分を構成する。On the other hand, the most typical constituents of the hydrophilic site include, for example, carboxyl group, ester group, acid amide group, imide group, hydroxyl group, and amino group (1, 2, tertiary and quaternary). ) And the like. Each of these may be used alone or in combination with a plurality thereof to constitute the hydrophilic portion of the molecule.
【0031】これらの疎水性基と親水性基をバランス良
く併有し、絶縁性を有する有機分子であれば、水面上で
単分子膜を形成することが可能であり、本発明に対して
極めて好適な材料となる。As long as the organic molecule has both a hydrophobic group and a hydrophilic group in a well-balanced and insulating property, it is possible to form a monomolecular film on the water surface. It is a suitable material.
【0032】本発明で用いる記録層としては、特開昭6
3−161552号公報、及び特開昭63−16155
3号公報に於いて開示したような、電流−電圧特性に於
いてメモリースイッチング現象(電気メモリー効果)を
有する材料、例えば、π電子準位をもつ群とσ電子準位
をもつ群とを有する分子を電極上に積層した有機単分子
膜あるいはその累積膜を用いることが可能となる。The recording layer used in the present invention is disclosed in
JP-A-3-161552 and JP-A-63-16155
No. 3 discloses a material having a memory switching phenomenon (electric memory effect) in current-voltage characteristics, for example, a group having a π-electron level and a group having a σ-electron level. It is possible to use an organic monomolecular film in which molecules are laminated on an electrode or a cumulative film thereof.
【0033】一般に、有機材料のほとんどは絶縁性もし
くは半絶縁性を示すことから、本発明に適用可能なπ電
子準位を持つ群を有する有機材料は著しく多岐にわた
る。In general, most of organic materials have insulating or semi-insulating properties, so that organic materials having a group having a π-electron level applicable to the present invention are remarkably diversified.
【0034】本発明に好適なπ電子系を有する色素の構
造としては、例えばフタロシアニン、テトラフェニルポ
ルフィリン等のポルフィリン骨格を有する色素、スクア
リリリウム基及びクロコニックメチン基を結合鎖として
持つアズレン系色素及びキノリン、ベンゾチアゾール、
ベンゾオキサゾール等の2個の含窒素複素環をスクアリ
リウム基及びクロコニックメチン基により結合したシア
ニン系類似の色素、またはシアニン色素、アントラセン
及びピレン等の縮合多環芳香族、及び芳香環及び複素環
化合物が重合した鎖状化合物及びジアセチレン基の重合
体、さらにはテトラシアノキノジメタンまたはテトラチ
アフルバレンの誘導体およびその類縁体およびその電荷
移動錯体、またさらにはフェロセン、トリスビピリジン
ルテニウム錯体等の金属錯体化合物が挙げられる。Examples of the structure of the dye having a π-electron system suitable for the present invention include a dye having a porphyrin skeleton such as phthalocyanine and tetraphenylporphyrin, an azulene dye having a squarylylium group and a croconic methine group as a bonding chain. And quinoline, benzothiazole,
Cyanine-like dyes in which two nitrogen-containing heterocycles such as benzoxazole are bonded by a squarylium group and a croconic methine group, or condensed polycyclic aromatics such as cyanine dyes, anthracene and pyrene, and aromatic rings and heterocyclic compounds Is a chain compound and a polymer of a diacetylene group, furthermore, a derivative of tetracyanoquinodimethane or tetrathiafulvalene and an analog thereof and a charge transfer complex thereof, and further, a metal complex such as ferrocene and trisbipyridine ruthenium complex. Compounds.
【0035】また、本発明で用いる記録層に好適な高分
子材料としては、例えばポリアクリル酸誘導体等の付加
重合体、ポリイミド等の縮合重合体、ナイロン等の開環
重合体、バクテリオロドプシン等の生体高分子が挙げら
れる。Examples of the polymer material suitable for the recording layer used in the present invention include addition polymers such as polyacrylic acid derivatives, condensation polymers such as polyimides, ring-opening polymers such as nylon, and bacteriorhodopsin. Biopolymers.
【0036】上述の、本発明で用いられる記録層として
極めて好適な材料の具体例としては、例えば下記のよう
な分子等が挙げられる。 <有機材料> [I]クロコニックメチン色素Specific examples of the above-mentioned material which is extremely suitable for the recording layer used in the present invention include, for example, the following molecules. <Organic material> [I] Croconic methine dye
【0037】[0037]
【化1】 Embedded image
【0038】[0038]
【化2】 ここでR1 は前述のσ電子準位をもつ群に相当したもの
で、しかも水面上で単分子膜を形成し易くするために導
入された長鎖アルキル基で、その炭素数nは5≦n≦3
0が好適である。 [II]スクアリリウム色素 [I]で挙げた化合物のクロコニックメチン基を下記の
構造を持つスクアリリウム基で置き換えた化合物。Embedded image Here, R 1 corresponds to the group having the above-mentioned σ-electron level, and is a long-chain alkyl group introduced to facilitate the formation of a monomolecular film on the water surface. n ≦ 3
0 is preferred. [II] Squarylium dye A compound in which the croconic methine group of the compound described in [I] is replaced by a squarylium group having the following structure.
【0039】[0039]
【化3】 [III]ポルフィリン系色素化合物Embedded image [III] Porphyrin dye compound
【0040】[0040]
【化4】 Embedded image
【0041】[0041]
【化5】 Embedded image
【0042】[0042]
【化6】 Rは単分子膜を形成しやすくするために導入されたもの
で、ここで挙げた置換基に限るものではない。又、R1
〜R4 ,Rは前述したσ電子準位をもつ群に相当してい
る。 [IV]縮合多環芳香族化合物Embedded image R is introduced to facilitate the formation of a monomolecular film, and is not limited to the substituents listed here. Also, R 1
To R 4 and R correspond to the group having the σ electron level described above. [IV] Fused polycyclic aromatic compound
【0043】[0043]
【化7】 [V]ジアセチレン化合物Embedded image [V] Diacetylene compound
【0044】[0044]
【化8】 Xは親水基で一般的には−COOHが用いられるが−O
H,−CONH2 等も使用できる。 [VI]その他Embedded image X is a hydrophilic group, generally -COOH is used,
H, -CONH 2 and the like can also be used. [VI] Other
【0045】[0045]
【化9】 <有機高分子材料>Embedded image <Organic polymer material>
【0046】[0046]
【化10】 ここで、R1 は水面上で単分子膜を形成し易くするため
に導入された長鎖アルキル基で、その炭素数nは5≦n
≦30が好適である。また、R5 は短鎖アルキル基であ
り、炭素数nは1≦n≦4が好適である。重合度mは1
00≦m≦5000が好適である。Embedded image Here, R 1 is a long-chain alkyl group introduced to facilitate the formation of a monomolecular film on the water surface, and the carbon number n is 5 ≦ n.
≦ 30 is preferred. R 5 is a short-chain alkyl group, and the number of carbon atoms n is preferably 1 ≦ n ≦ 4. The degree of polymerization m is 1
00 ≦ m ≦ 5000 is preferred.
【0047】以上、具体例として挙げた化合物は基本構
造のみであり、これら化合物の種々の置換体も本発明に
おいて好適であることは言うにおよばない。尚、上記以
外でもLB法に適している有機材料、有機高分子材料で
あれば、本発明に好適なのは言うまでもない。例えば、
近年研究が盛んになりつつある生体材料(例えばバクテ
リオロドプシンやチトクロームC)や合成ポリペプチド
(PBLG)等も適用が可能である。The compounds mentioned as specific examples have only the basic structure, and it goes without saying that various substitution products of these compounds are also suitable in the present invention. It is needless to say that any other organic materials and organic polymer materials suitable for the LB method are suitable for the present invention. For example,
Biomaterials (eg, bacteriorhodopsin and cytochrome C), synthetic polypeptides (PBLG), and the like, which have been actively studied in recent years, can also be applied.
【0048】これらのπ電子準位を有する化合物の電気
メモリー効果は、数10μm以下の膜厚のもので観測さ
れているが、記録・再生時にプローブ電極と基板電極間
に流れるトンネル電流を用いているため、プローブ電極
と基板電極間にトンネル電流が流れるよう両者間の距離
を近づけなければならないので、本発明の記録層の膜厚
は、好ましくは、0.数nm以上10nm以下、より好
ましくは、0.数nm以上3nm以下である。The electric memory effect of these compounds having a π-electron level has been observed at a film thickness of several tens of μm or less. However, a tunnel current flowing between a probe electrode and a substrate electrode during recording / reproduction is used. Therefore, the distance between the probe electrode and the substrate electrode must be reduced so that a tunnel current flows between the probe electrode and the substrate electrode. Several nm or more and 10 nm or less, more preferably, 0.1 nm or less. It is several nm or more and 3 nm or less.
【0049】[0049]
【実施例】以下、本発明を実施例に従って説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to embodiments.
【0050】実施例1 本実施例では、図1に示したような製造方法によって、
10ロットの記録媒体を同じ条件で作製して、記録・再
生・消去の実験を行った。 Embodiment 1 In this embodiment, a manufacturing method as shown in FIG.
10 lots of recording media were manufactured under the same conditions, and recording / reproducing / erasing experiments were performed.
【0051】まず、光学研磨したガラス基板(第1の基
板)を中性洗剤及びエタノールを用いて洗浄した後、蒸
着法により基板電極となるAuを100nm形成した。First, the optically polished glass substrate (first substrate) was washed with a neutral detergent and ethanol, and then Au serving as a substrate electrode was formed to a thickness of 100 nm by a vapor deposition method.
【0052】次に、かかる基板上に集積イオンビーム照
射装置を用いて、Auの2価のプラスのイオン・ビーム
を照射して、トラックとなる溝を基板まで達する深さで
形成した。この時のイオン・ビームの描画条件は、加速
電圧40kV、イオン電流30pA、ドーズ量1.0×
1012ions/cmで行い、1.0mm×0.5mm
の領域に2.0μmピッチで幅約0.5μmの溝を形成
した。Next, the substrate was irradiated with an Au bivalent positive ion beam using an integrated ion beam irradiation apparatus to form a groove serving as a track to a depth reaching the substrate. The drawing conditions of the ion beam at this time were as follows: acceleration voltage 40 kV, ion current 30 pA, dose amount 1.0 ×
Perform at 10 12 ions / cm, 1.0mm × 0.5mm
Was formed at a pitch of 2.0 μm and a groove having a width of about 0.5 μm.
【0053】次に、接着剤(コニシ製ハイテンプHT−
10)を基板電極上に塗布した後、別のガラス基板(第
2の基板)を接着剤を挟んで基板電極上に貼り付ける。
第2の基板の接着は、加圧力5Kg/cm2 、温度20
0℃、硬化時間1時間の条件で行った。以上のように基
板電極に第2の基板を貼り付けた後、図1(d)に示す
ように基板電極を第1の基板から引きはがし、第2の基
板上に基板電極を残した。Next, an adhesive (Konishi Hightemp HT-
After 10) is applied on the substrate electrode, another glass substrate (second substrate) is attached on the substrate electrode with an adhesive therebetween.
Bonding of the second substrate is performed at a pressure of 5 kg / cm 2 and a temperature of 20 kg.
The test was performed at 0 ° C. for a curing time of 1 hour. After attaching the second substrate to the substrate electrode as described above, the substrate electrode was peeled off from the first substrate as shown in FIG. 1D, leaving the substrate electrode on the second substrate.
【0054】次に、STMにより、第1の基板に接して
いた基板電極表面のトラック溝周辺部の平滑性を確認し
たところ、10ロットのすべてが、通常のAu面と同程
度の平滑性であることが確認された。この後、記録層と
なるポリイミドLB膜を形成した。以下に、このLB膜
の成膜方法を示す。Next, the smoothness of the periphery of the track groove on the surface of the substrate electrode which was in contact with the first substrate was confirmed by STM. As a result, all of the 10 lots had the same smoothness as the normal Au surface. It was confirmed that there was. Thereafter, a polyimide LB film serving as a recording layer was formed. Hereinafter, a method for forming the LB film will be described.
【0055】ポリアミック酸(以下、PAと略す)を繰
り返し単位濃度1.0mmol/リットルで溶かしたジ
メチルアセトアミドとベンゼンの混合溶液を、20℃の
純水上に展開し、水面から溶媒を蒸発除去させた後、そ
の表面圧を25mN/mに高めて水面上単分子膜を形成
させた。次に、この表面圧を一定に保持したまま、前記
基板を水面に横切るように速度5mm/分で静かに浸漬
し、更に引き上げて2層のY形単分子膜の累積を行っ
た。次に、かかる基板を300℃で10分間熱処理する
事によりPA累積膜をイミド化してポリイミド(以下、
PIと略す)薄膜を形成し、記録層101とした。A mixed solution of dimethylacetamide and benzene in which a polyamic acid (hereinafter abbreviated as PA) is repeatedly dissolved at a unit concentration of 1.0 mmol / liter is developed on pure water at 20 ° C., and the solvent is removed by evaporation from the water surface. After that, the surface pressure was increased to 25 mN / m to form a monomolecular film on the water surface. Next, with the surface pressure kept constant, the substrate was gently immersed at a speed of 5 mm / min across the surface of the water and further pulled up to accumulate two Y-type monomolecular films. Next, the substrate is heat-treated at 300 ° C. for 10 minutes to imidize the PA accumulation film to obtain polyimide (hereinafter, referred to as polyimide).
A recording layer 101 was formed by forming a thin film (abbreviated as PI).
【0056】次に、上述した方法により作製したすべて
の記録媒体に対して、図2に示されるような記録・再生
装置を用いて記録・再生・消去の実験を行った。Next, an experiment of recording / reproducing / erasing was performed on all the recording media manufactured by the above-described method using a recording / reproducing apparatus as shown in FIG.
【0057】図2中、201は記録媒体に電圧を印加す
るためのプローブ電極であり、このプローブ電極201
から記録層101に電圧を印加することによって記録・
再生を行う。In FIG. 2, reference numeral 201 denotes a probe electrode for applying a voltage to the recording medium.
By applying a voltage to the recording layer 101 from the
Perform playback.
【0058】上述の記録媒体は、XYステージ208上
に載置される。このXYステージ208により、記録媒
体上で記録・再生を行う大まかな場所が設定される。2
06はプローブ電流増幅器で、205は、プローブ電極
の記録媒体からの高さが一定になるように圧電素子を用
いたZ方向微動制御機構203を制御するサーボ回路で
ある。207はプローブ電極201と基板電極103と
の間に記録・消去用のパルス電圧を印加するためのパル
ス電源である。なお、パルス電圧を印加するときに、プ
ローブ電流が急激に変化するため、サーボ回路205
は、その間出力電圧が一定になるように、HOLD回路
をONにするように制御している。The recording medium described above is placed on the XY stage 208. The XY stage 208 sets a rough place for recording / reproducing on the recording medium. 2
Reference numeral 06 denotes a probe current amplifier, and reference numeral 205 denotes a servo circuit that controls the Z-direction fine movement control mechanism 203 using a piezoelectric element so that the height of the probe electrode from the recording medium is constant. Reference numeral 207 denotes a pulse power supply for applying a pulse voltage for recording / erasing between the probe electrode 201 and the substrate electrode 103. When a pulse voltage is applied, the probe current changes abruptly.
Controls the HOLD circuit to be ON so that the output voltage becomes constant during that time.
【0059】204は、プローブ電極201を、202
のXY方向微動制御機構を用いてXY方向に移動制御す
るためのXY走査駆動回路である。209の粗動機構と
210の粗動駆動回路は、あらかじめ10-9A程度のプ
ローブ電流が得られるようにプローブ電極201と記録
媒体との距離を粗動制御したり、プローブ電極201と
基板とのXY方向相対変位を大きくとる(微動制御機構
の範囲外)のに用いられる。Reference numeral 204 denotes the probe electrode 201 and 202
An XY scanning drive circuit for controlling movement in the XY directions using the XY direction fine movement control mechanism. The coarse movement mechanism 209 and the coarse drive circuit 210 perform coarse movement control of the distance between the probe electrode 201 and the recording medium so that a probe current of about 10 −9 A is obtained in advance, or the probe electrode 201 and the substrate Is used to increase the relative displacement in the X and Y directions (outside the range of the fine movement control mechanism).
【0060】これらの各機器は、全てマイクロコンピュ
ータ211により中央制御されている。また212は表
示装置を表している。All of these devices are centrally controlled by a microcomputer 211. Reference numeral 212 denotes a display device.
【0061】本実施例では、プローブ電極201とし
て、機械研磨法によって作製した白金/ロジウム製のプ
ローブ電極を用いた。In this embodiment, as the probe electrode 201, a platinum / rhodium probe electrode produced by a mechanical polishing method was used.
【0062】このプローブ電極の材料は、導電性を示す
ものであれば何を用いてもよく、例えばPt,Pt−I
r,W,Au,Ag等が挙げられる。また、プローブ電
極の先端は、記録・再生・消去の分解能を上げるためで
きるだけ尖らせる必要があるがその作製方法及び形状
は、本実施例に限定されない。As the material of the probe electrode, any material may be used as long as it shows conductivity. For example, Pt, Pt-I
r, W, Au, Ag and the like. In addition, the tip of the probe electrode needs to be sharpened as much as possible in order to increase the resolution of recording / reproducing / erasing, but the manufacturing method and shape are not limited to this embodiment.
【0063】また、プローブ電極の本数も一本に限る必
要はなく、位置検出用と記録・再生用とを分けるなど、
複数のプローブ電極を用いても良い。Further, the number of probe electrodes need not be limited to one, but may be divided into those for position detection and those for recording / reproduction.
A plurality of probe electrodes may be used.
【0064】また、本装置の圧電素子を用いた移動制御
における機械的性能を下記に示す。The mechanical performance in the movement control using the piezoelectric element of this device is shown below.
【0065】 Z方向微動制御範囲 :0.1nm〜1μm Z方向粗動制御範囲 :10nm〜10mm XY方向走査範囲 :0.1nm〜1μm XY方向粗動制御範囲:10nm〜10mm 計測、制御許容誤差 :<0.1nm (微動制御
時) 計測、制御許容誤差 :<1nm (粗動制御
時) 本装置において、プローブ電極201と記録層101と
の距離(Z)は、サーボ回路205からZ方向微動制御
機構203に適度な電圧を与えることにより制御し、さ
らにこの機能を保持したまま、プローブ電極201が面
内(X,Y)方向にも移動制御できるようにXY方向微
動制御機構202をXY走査駆動回路204によって制
御している。また、記録媒体は高精度のXYステージ2
08の上に置かれ、任意の位置に移動させることができ
る。よって、これらの移動制御機構によりプローブ電極
201で記録媒体の任意の位置で記録・再生及び消去を
行うことができる。Z direction fine movement control range: 0.1 nm to 1 μm Z direction coarse movement control range: 10 nm to 10 mm XY direction scanning range: 0.1 nm to 1 μm XY direction coarse movement control range: 10 nm to 10 mm Measurement and control tolerance: <0.1 nm (at the time of fine movement control) Measurement and control tolerance: <1 nm (at the time of coarse movement control) In this apparatus, the distance (Z) between the probe electrode 201 and the recording layer 101 is controlled by the servo circuit 205 in the Z direction fine movement control. The XY-direction fine movement control mechanism 202 is controlled by applying an appropriate voltage to the mechanism 203 so as to control the movement of the probe electrode 201 in the in-plane (X, Y) direction while maintaining this function. It is controlled by the circuit 204. The recording medium is a high-precision XY stage 2
08 and can be moved to any position. Therefore, recording / reproducing and erasing can be performed at an arbitrary position on the recording medium with the probe electrode 201 by these movement control mechanisms.
【0066】前述したPI2層を累積した記録層101
を持つ記録媒体を記録・再生装置にセットした。この
時、トラックの長さ方向と記録・再生装置のY方向がほ
ぼ平行となる様に設置した。次に、記録媒体の基板電極
103に対してプローブ電極201に−1.0Vの電圧
を印加し、記録層101に流れる電流をモニターしなが
らプローブ電極201と基板電極103との距離(Z)
を調整した。その後、Z方向微動制御機構203を制御
してプローブ電極と記録層の表面までの距離を変えてい
くと、図3に示すような電流特性が得られた。なお、プ
ローブ電流及び、プローブ電圧を変化させることでプロ
ーブ電極と記録層の表面との距離(Z)を調整すること
ができるが、距離(Z)を適当な値で一定に保持するた
めには、プローブ電流IP が10-7A≧IP ≧10-12
A、好適には10-8A≧IP ≧10-10 Aになるように
プローブ電圧を調整する必要がある。ここでは、プロー
ブ電圧を0.5Vとし、プローブ電流IP を10-9A
(図3のb領域に相当する。)に設定して、プローブ電
極と記録層の表面までの距離(Z)を制御した。次に、
この距離(Z)を一定に保ちながら、プローブ電極をX
方向、即ちトラック102を横切る方向に走査させ、記
録媒体にトラックが形成されていることを確認した後、
プローブ電極を任意の隣合う2本のトラックの間(記録
面)で保持した。The recording layer 101 in which the above-mentioned PI2 layer is accumulated
Was set in the recording / reproducing apparatus. At this time, the track was installed such that the length direction of the track was substantially parallel to the Y direction of the recording / reproducing apparatus. Next, a voltage of −1.0 V is applied to the probe electrode 201 with respect to the substrate electrode 103 of the recording medium, and while monitoring the current flowing through the recording layer 101, the distance (Z) between the probe electrode 201 and the substrate electrode 103 is monitored.
Was adjusted. Thereafter, when the distance between the probe electrode and the surface of the recording layer was changed by controlling the Z-direction fine movement control mechanism 203, current characteristics as shown in FIG. 3 were obtained. The distance (Z) between the probe electrode and the surface of the recording layer can be adjusted by changing the probe current and the probe voltage. However, in order to keep the distance (Z) constant at an appropriate value. And the probe current IP is 10 −7 A ≧ I P ≧ 10 −12
A, preferably, the probe voltage must be adjusted so that 10 −8 A ≧ I P ≧ 10 −10 A. Here, the probe voltage is 0.5 V, and the probe current I P is 10 −9 A.
(Corresponding to the region b in FIG. 3) to control the distance (Z) between the probe electrode and the surface of the recording layer. next,
While keeping this distance (Z) constant, the probe electrode
After scanning in the direction, that is, in the direction across the track 102, and confirming that the track is formed on the recording medium,
The probe electrode was held between any two adjacent tracks (recording surface).
【0067】次に、プローブ電極をトラックにそって走
査させながら、10nmピッチで情報の記録を行った。
トラッキングは、サーボ回路205の出力電圧を一定
(HOLD回路ON)でも、サーボ回路205を動作さ
せたまま(HOLD回路OFF)でも行うことができ
る。この時、トラックの検出は、サーボ回路205の出
力電圧を一定(HOLD回路ON)にした場合は、プロ
ーブ電流が測定限界までの減少、サーボ回路205を動
作させたまま(HOLD回路OFF)の場合は、サーボ
回路の出力電圧の変化として、0.1Vの減少をもって
トラックと認識した。かかる情報の記録は、図4に示す
ような波形を有するしきい値電圧VthON以上のパルス
電圧(Vmax =−15V)を印加して、ON状態を書き
込んだ。なお、パルス電圧を印加する際は、サーボ回路
205の出力電圧を一定にしている。書き込まれた情報
は、書き込みの際と同じ条件でプローブ電極201と記
録層101の表面までの距離を制御した後、サーボ回路
205の出力を一定に保持したままで、プローブ電極2
01を走査し、ON状態領域とOFF状態領域とのプロ
ーブ電流の変化で直接読みとるか、または、サーボ回路
205を動作させたまま(HOLD回路OFF)プロー
ブ電極201を走査して、ON状態領域とOFF状態領
域とでのサーボ回路205の出力電圧の変化で読みとる
ことができる。本実施例では、ON状態領域でのプロー
ブ電流が記録前(またはOFF状態領域)と比較して3
桁以上変化していたことを確認した。Next, while scanning the probe electrode along the track, information was recorded at a pitch of 10 nm.
Tracking can be performed even when the output voltage of the servo circuit 205 is constant (HOLD circuit ON) or while the servo circuit 205 is operating (HOLD circuit OFF). At this time, the track is detected when the probe voltage decreases to the measurement limit when the output voltage of the servo circuit 205 is fixed (HOLD circuit ON) and when the servo circuit 205 is operated (HOLD circuit OFF). Recognized the track as a change in the output voltage of the servo circuit with a decrease of 0.1 V. Recording of such information, by applying a threshold voltage V th ON or more pulse voltage having a waveform as shown in FIG. 4 (V max = -15V), written ON state. When a pulse voltage is applied, the output voltage of the servo circuit 205 is kept constant. The written information is obtained by controlling the distance between the probe electrode 201 and the surface of the recording layer 101 under the same conditions as at the time of writing, and then keeping the output of the servo circuit 205 constant while keeping the output of the probe electrode 2 constant.
01, and directly reads the change in the probe current between the ON state area and the OFF state area, or scans the probe electrode 201 while the servo circuit 205 is operated (HOLD circuit OFF) to change the ON state area to the ON state area. It can be read by the change in the output voltage of the servo circuit 205 between the OFF state region. In this embodiment, the probe current in the ON state area is 3 times smaller than before the recording (or in the OFF state area).
It was confirmed that it had changed by more than an order of magnitude.
【0068】更に、書き込みの際と同じ条件でプローブ
電極201と記録層101の表面までの距離を制御した
後、サーボ回路205の出力を一定に保持し、プローブ
電圧をVthOFF以上の8Vに設定して、再びプローブ
電極201を走査して、記録位置に図5に示すような波
形を有するパルス電圧を印加した結果、全ての記録状態
が消去され、OFF状態に遷移したことも確認した。以
上の再生実験に於いて、ビットエラーレートは3×10
-6程度であった。Further, after controlling the distance between the probe electrode 201 and the surface of the recording layer 101 under the same conditions as at the time of writing, the output of the servo circuit 205 is kept constant, and the probe voltage is set to 8 V which is equal to or higher than V th OFF. After setting and scanning the probe electrode 201 again and applying a pulse voltage having a waveform as shown in FIG. 5 to the recording position, it was also confirmed that all the recording states were erased and the state transited to the OFF state. In the above reproduction experiment, the bit error rate was 3 × 10
It was about -6 .
【0069】実施例2 実施例1に対して、第2の基板としてシリコン基板を使
用し、基板電極との接着方法として共晶接合によって行
った以外は、同様に形成した記録媒体10ロットに対し
て、実施例1と同様に溝周辺部の平滑性を調べ、また記
録・再生・消去の実験を行った。その結果、平滑性に問
題はなく、また、記録・再生・消去の実験に於いて、ビ
ットエラーレートは3×10-6であり、消去も可能であ
った。尚、上記の共晶接合は、ヒーターで基板電極が形
成された第1の基板を一定温度に加熱しながら、第2の
基板であるシリコン基板を基板電極の表面にこすり付け
ることにより行った。この時、温度を400℃、加圧力
2Kg/cm2 、保持時間1分の条件で行った。 Example 2 In comparison with Example 1, a lot of recording media was formed in the same manner except that a silicon substrate was used as the second substrate and eutectic bonding was used as a method of bonding with the substrate electrode. In the same manner as in Example 1, the smoothness of the peripheral portion of the groove was examined, and recording, reproduction, and erasing experiments were performed. As a result, there was no problem in the smoothness, and the bit error rate was 3 × 10 −6 in the experiments of recording, reproducing, and erasing, and erasing was possible. The eutectic bonding was performed by rubbing the silicon substrate as the second substrate on the surface of the substrate electrode while heating the first substrate on which the substrate electrode was formed with a heater to a constant temperature. At this time, the temperature was 400 ° C., the pressure was 2 kg / cm 2 , and the holding time was 1 minute.
【0070】[0070]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば以
下の効果を有する。As described above, the present invention has the following effects.
【0071】FIB法で電極にトラックを形成する際
に生ずるダメージを受けていない面を、記録層を積層す
る電極面としているため、情報の再生時において、ビッ
トエラーレートが非常に小さい信頼性の高い記録媒体が
得られる。Since the non-damaged surface generated when tracks are formed on the electrodes by the FIB method is used as the electrode surface on which the recording layer is laminated, the bit error rate at the time of reproducing information is very low. A high recording medium can be obtained.
【0072】製造過程にエッチングや溶剤による除去
過程を要しないため、記録媒体の部材の材料が限定され
ない。Since the manufacturing process does not require an etching process or a removing process using a solvent, the material of the member of the recording medium is not limited.
【0073】光記録に比べてはるかに高密度な記録が
可能な記録媒体を、簡易な方法で製造できる。A recording medium capable of recording at a much higher density than optical recording can be manufactured by a simple method.
【図1】本発明の記録媒体製造方法の一例を示す工程図
である。FIG. 1 is a process chart showing an example of a recording medium manufacturing method of the present invention.
【図2】本発明により製造した記録媒体に対して情報の
記録再生の実験を行った記録・再生装置のブロック構成
図である。FIG. 2 is a block diagram of a recording / reproducing apparatus in which an experiment of recording and reproducing information is performed on a recording medium manufactured according to the present invention.
【図3】プローブ電極と記録層表面との距離と、流れる
電流の関係を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a distance between a probe electrode and a recording layer surface and a flowing current.
【図4】本発明による記録媒体に対して記録を行う際に
加えるパルス信号波形である。FIG. 4 is a pulse signal waveform applied when recording is performed on a recording medium according to the present invention.
【図5】本発明による記録媒体に対して記録の消去を行
う際に加えるパルス信号波形である。FIG. 5 is a pulse signal waveform applied when erasing recording on a recording medium according to the present invention.
101 記録層 102 トラック 103 基板電極 104 第1の基板 105 第2の基板 201 プローブ電極 202 XY方向微動制御機構 203 Z方向微動制御機構 204 XY方向走査駆動回路 205 サーボ回路 206 プローブ電流増幅器 207 パルス電源 208 XYステージ 209 粗動機構 210 粗動駆動回路 211 マイクロコンピュータ 212 表示装置 Reference Signs List 101 recording layer 102 track 103 substrate electrode 104 first substrate 105 second substrate 201 probe electrode 202 XY direction fine movement control mechanism 203 Z direction fine movement control mechanism 204 XY direction scan drive circuit 205 servo circuit 206 probe current amplifier 207 pulse power supply 208 XY stage 209 Coarse movement mechanism 210 Coarse movement drive circuit 211 Microcomputer 212 Display device
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−1947(JP,A) 特開 平5−314551(JP,A) 特開 平4−143941(JP,A) 特開 平5−28547(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 9/14 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-4-1947 (JP, A) JP-A-5-314551 (JP, A) JP-A-4-1433941 (JP, A) JP-A-5-141 28547 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) G11B 9/14
Claims (8)
等を行う情報処理装置に用いられ基板電極上に記録層を
有する記録媒体の製造方法であって、第1の基板上に基
板電極を形成する過程、集束イオンビームで該基板電極
側から第1の基板まで貫通する溝を形成する過程、第2
の基板を基板電極表面に接着する過程、基板電極を第1
の基板より剥離する過程、第1の基板表面の転写面であ
る基板電極面に記録層を積層する過程を順次行うことを
特徴とする記録媒体製造方法。1. A method for manufacturing a recording medium having a recording layer on a substrate electrode, which is used in an information processing apparatus that performs recording and reproduction of information by detecting a tunnel current, wherein the substrate electrode is formed on a first substrate. Forming a groove penetrating from the substrate electrode side to the first substrate with the focused ion beam;
Bonding the substrate to the surface of the substrate electrode;
A step of sequentially separating the recording layer from the substrate and a step of laminating a recording layer on a substrate electrode surface which is a transfer surface of the first substrate surface.
着剤を使用することを特徴とする請求項1に記載の記録
媒体製造方法。2. The recording medium manufacturing method according to claim 1, wherein an adhesive is used for bonding the second substrate to the substrate electrode.
法が共晶接合であることを特徴とする請求項1に記載の
記録媒体製造方法。3. The method according to claim 1, wherein the method of bonding the second substrate to the substrate electrode is eutectic bonding.
nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の記録
媒体製造方法。4. The recording layer having a thickness of 0. Several nm or more 10
2. The method according to claim 1, wherein the thickness is not more than nm.
m以下であることを特徴とする請求項1に記載の記録媒
体製造方法。5. The recording layer having a thickness of 0. Several nm or more 3n
2. The method according to claim 1, wherein m is equal to or less than m.
たは該単分子膜を累積した累積膜を有することを特徴と
する請求項1に記載の記録媒体製造方法。6. The method according to claim 1, wherein the recording layer has a monomolecular film of an organic compound or a cumulative film obtained by accumulating the monomolecular film.
より成膜することを特徴とする請求項6に記載の記録媒
体製造方法。7. The method according to claim 6, wherein the monomolecular film or the cumulative film is formed by an LB method.
を持つ群とσ電子準位を持つ群とを有することを特徴と
する請求項6に記載の記録媒体製造方法。8. The method according to claim 6, wherein the organic compound has a group having a π-electron level and a group having a σ-electron level in a molecule.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27769592A JP3220914B2 (en) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | Recording medium manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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