JP3229083B2 - Photoelectric conversion element - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、表面における受光量
に応じた電気信号を出力する光電変換素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoelectric conversion element for outputting an electric signal according to the amount of light received on a surface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】宇宙空間における人工衛星の姿勢を太陽
光を基準として測定する場合、従来は図９に示すように
２枚の光電変換素子９１を用いていた。この２枚の光電
素子９１には遮蔽板９８に形成されたスリット９６から
太陽光が入光し、光電変換素子９１の表面に照射され
る。光電変換素子９１は図１０に示すように、表面に金
属膜の電極９２により被覆されている。この電極９２は
一部が開口しており、この開光部９３において光電変換
素子９１の表面が露出している。光電変換素子９１はＰ
型の不純物が添加されたシリコン結晶の基板内の表側全
面のごく浅い部分にＮ型の不純物を拡散して構成されて
おり、この部分で光電変換が行われ、受光量に応じて発
生した電気信号を電気接続部９４と光電変換素子９１の
裏面とから取り出す。2. Description of the Related Art Conventionally, when measuring the attitude of an artificial satellite in space with reference to sunlight, two photoelectric conversion elements 91 are used as shown in FIG. Sunlight enters the two photoelectric elements 91 from the slits 96 formed in the shielding plate 98 and irradiates the surface of the photoelectric conversion elements 91. As shown in FIG. 10, the photoelectric conversion element 91 has a surface covered with a metal film electrode 92. The electrode 92 is partially open, and the surface of the photoelectric conversion element 91 is exposed in the light opening 93. The photoelectric conversion element 91 is P
Is formed by diffusing N-type impurities into a very shallow part of the entire front surface of the silicon crystal to which the impurities of the type are added. The photoelectric conversion is performed in this part, and the electricity generated according to the amount of received light is generated. A signal is extracted from the electrical connection portion 94 and the back surface of the photoelectric conversion element 91.
【０００３】図９に示すように、スリット９６の長手方
向に対して開口部９３を傾斜させて２枚の光電変換素子
９１を設置することにより、スリット９６からの太陽光
の入射角の変化に応じて２枚の光電変換素子９１のそれ
ぞれにおいて開口部９３の受光面積が変化する。したが
って、２枚の光電変換素子９１の電気出力を比較するこ
とによって太陽光の入射角θを知ることかでき、太陽光
を基準とした姿勢を測定することができる。[0003] As shown in FIG. 9, by installing two photoelectric conversion elements 91 by inclining the opening 93 with respect to the longitudinal direction of the slit 96, the incident angle of sunlight from the slit 96 can be changed. Accordingly, the light receiving area of the opening 93 in each of the two photoelectric conversion elements 91 changes. Therefore, by comparing the electrical outputs of the two photoelectric conversion elements 91, the incident angle θ of sunlight can be known, and the attitude based on sunlight can be measured.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光電変換素子では太陽光に対する一軸方向の角度を測定
するために２枚の光電変換素子と２組の電圧測定回路と
測定回路の出力を比較するための電気回路とが必要で、
二軸方向についての測定を行うためにはそれぞれ２倍の
部品が必要となり、部品点数の増加によってコストの上
昇を招く問題があった。However, in the conventional photoelectric conversion element, the outputs of the two photoelectric conversion elements, two sets of voltage measurement circuits, and the output of the measurement circuit are compared in order to measure the angle in the uniaxial direction with respect to sunlight. And an electrical circuit for
In order to perform measurement in the biaxial direction, twice as many parts are required, and there has been a problem that an increase in the number of parts leads to an increase in cost.
【０００５】この発明の目的は、１枚の光電変換素子の
表面において光電変換特性を規則的に変化させることに
より、表面における受光位置の変位に応じて電気出力を
変化させることができるようにし、１枚の光電変換素子
により一軸または二軸方向の角度を測定することがで
き、部品点数削減によるコストダウンを実現できる光電
変換素子を提供することにある。An object of the present invention is to make it possible to change electric output according to displacement of a light receiving position on a surface by regularly changing photoelectric conversion characteristics on the surface of one photoelectric conversion element, An object of the present invention is to provide a photoelectric conversion element capable of measuring an angle in a uniaxial or biaxial direction with one photoelectric conversion element and realizing cost reduction by reducing the number of components.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明の光電変換素子
は、以下の構成である。 Means for Solving the Problems The photoelectric conversion element of the present invention
Has the following configuration.
【０００７】（１）表面における受光量に応じた電気信
号を出力する光電変換素子において、表面の一方向につ
いて単位面積当たりの形成密度を級数的に変化させて前
記一方向に直交する方向に複数の溝部を表面に形成し、
前記一方向における受光位置により変化する電気信号を
直接出力する構成である。 (1) Electric signal according to the amount of light received on the surface
In a photoelectric conversion element that outputs a signal , a plurality of grooves are formed on the surface in a direction orthogonal to the one direction by changing the formation density per unit area in one direction of the surface in a series .
The electric signal that changes according to the light receiving position in the one direction is
It is a configuration to output directly.
【０００８】（２）表面における受光量に応じた電気信
号を出力する光電変換素子において、表面の一方向につ
いて表面における単位面積当たりの形成密度を級数的に
変化させて不純物の拡散層を形成し、 前記一方向におけ
る受光位置により変化する電気信号を直接出力する構成
である。 (2) Electric signal according to the amount of light received on the surface
In the photoelectric conversion element which outputs an item, the formation density per unit area of the surface in one direction of the surface progression varied to form a diffusion layer of an impurity, put in the one direction
Configuration that directly outputs an electrical signal that changes depending on the light receiving position
It is.
【０００９】（３）表面における受光量に応じた電気信
号を出力する光電変換素子において、表面の一方向につ
いて単位面積当たりの形成密度を級数的に変化させて形
成した複数の電極を設け、 前記一方向における受光位置
により変化する電気信号を直接出力する構成である。 (3) Electric signal according to the amount of light received on the surface
In the photoelectric conversion element which outputs an item, the formation density per unit area in one direction of the surface progression changing a plurality of electrodes formed, the light receiving position in the one direction
This is a configuration for directly outputting an electric signal that changes according to.
【００１０】（４）表面における受光量に応じた電気信
号を出力する光電変換素子において、一方向について単
位面積当たりの形成密度を級数的に変化させて複数の裏
面電界層を形成し、 前記一方向における受光位置により
変化する電気信号を直接出力する構成である。 (4) Electric signal according to the amount of light received on the surface
In the photoelectric conversion element which outputs an item, series alter the formation density per unit area in one direction to form a plurality of back surface field layer, the light receiving position in the one direction
In this configuration, a changing electric signal is directly output.
【００１１】（５）表面における溝部の単位面積当たり
の形成密度、単位面積当たりの拡散層の形成密度、また
は、単位面積当たりの電極の形成密度を級数的に変化さ
せるとともに、表面の一方向と直交する方向について単
位面積当たりの形成密度を級数的に変化させて形成した
複数の裏面電界層を設けた構成である。 (5) The formation density of the groove on the surface per unit area, the formation density of the diffusion layer per unit area, or the formation density of the electrode per unit area is changed in a series, and This is a configuration in which a plurality of back surface electric field layers formed by changing the formation density per unit area in the orthogonal direction in a series are provided.
【００１２】[0012]
【作用】この発明の光電変換素子においては、表面の一
方向について単位面積当たりの光電変換効率が一定の関
係で変化し、光電変換素子から受光信号によって変化す
る電気信号が直接出力される。したがって、光電変換素
子から出力される電気信号を測定することにより、受光
位置に対応する入射角が直ちに求まる。In the photoelectric conversion device according to the present invention, the photoelectric conversion efficiency per unit area in one direction of the surface changes in a fixed relationship, and the photoelectric conversion device directly outputs an electric signal that changes according to a light receiving signal. Therefore, by measuring the electric signal output from the photoelectric conversion element, the incident angle corresponding to the light receiving position can be immediately obtained.
【００１３】上記（１）にかかる発明においては、光電
変換素子の表面に、一方向について単位面積当たりの形
成密度を級数的に変化させて複数の溝部が形成される。
この溝部によって光電変換素子の表面には凹凸が形成さ
れるが、この凹凸のピッチが小さいほど短絡電流が増加
する。したがって、単位面積当たりの溝部の形成密度が
変化する方向について受光位置に応じた電気信号が光電
変換素子から出力され、この電気信号の値を測定するこ
とにより受光位置および入射角が求まる。In the invention according to the above (1), a plurality of grooves are formed on the surface of the photoelectric conversion element by changing the formation density per unit area in one direction in a series.
Irregularities are formed on the surface of the photoelectric conversion element by the grooves, and the short-circuit current increases as the pitch of the irregularities decreases. Therefore, an electric signal corresponding to the light receiving position is output from the photoelectric conversion element in the direction in which the formation density of the groove per unit area changes, and the light receiving position and the incident angle are obtained by measuring the value of the electric signal.
【００１４】上記（２）にかかる発明においては、光電
変換素子の表面の一方向について単位面積当たりの不純
物の拡散層の形成密度が級数的に変化する。光電変換素
子において拡散層の形成密度が異なると発生する短絡電
流も変化する。したがって、単位面積当たりの拡散層の
形成密度が異なる方向について受光位置が変化すると、
光電変換素子の電気出力が変化し、この電気出力の値を
測定することにより受光位置および入射角が求まる。In the invention according to the above (2), the formation density of the impurity diffusion layer per unit area in one direction of the surface of the photoelectric conversion element varies in a series. If the formation density of the diffusion layer differs in the photoelectric conversion element, the short-circuit current generated also changes. Therefore, when the light receiving position changes in the direction in which the formation density of the diffusion layer per unit area is different,
The electric output of the photoelectric conversion element changes, and the light receiving position and the incident angle are determined by measuring the value of the electric output.
【００１５】上記（３）にかかる発明においては、光電
変換素子の表面の一方向について単位面積当たりの電極
の形成密度が級数的に変化する。光電変換素子は表面に
おける受光量に応じた電気信号を出力するが、電極によ
って遮蔽された部分では光を受光せず、この部分におい
て光電変換は行われない。したがって、単位面積当たり
の電極の形成密度が変化する方向について受光位置に応
じた電気信号が光電変換されて出力され、この電気信号
を測定することにより受光位置および入射角が求まる。In the invention according to the above (3), the formation density of the electrodes per unit area in one direction of the surface of the photoelectric conversion element varies in a series. The photoelectric conversion element outputs an electric signal according to the amount of light received on the surface, but does not receive light in a portion shielded by the electrode, and no photoelectric conversion is performed in this portion. Accordingly, an electric signal corresponding to the light receiving position in the direction in which the electrode formation density per unit area changes is photoelectrically converted and output, and the light receiving position and the incident angle are determined by measuring the electric signal.
【００１６】上記（４）にかかる発明においては、光電
変換素子の裏面において単位面積当たりの形成密度が級
数的に変換されて電界層が形成される。裏面電界層が存
在する位置において光電変換素子の開放電圧が高くな
る。したがって、単位面積当たりの裏面電界層の形成密
度が変化する方向について受光位置が変化すると、光電
変換素子から出力される電圧値も変化し、この電圧値を
測定することにより光電変換素子の受光位置および入射
角が求まる。In the invention according to the above (4), the electric field layer is formed by converting the formation density per unit area on the back surface of the photoelectric conversion element into a series. The open-circuit voltage of the photoelectric conversion element increases at the position where the back surface electric field layer exists. Therefore, when the light receiving position changes in the direction in which the formation density of the back surface electric field layer per unit area changes, the voltage value output from the photoelectric conversion element also changes, and by measuring this voltage value, the light receiving position of the photoelectric conversion element is determined. And the angle of incidence.
【００１７】上記（５）にかかる発明においては、単位
面積当たりの溝部の形成密度、単位面積当たりの拡散層
の形成密度または単位面積当たりの電極の形成密度の級
数的変化によって表面における光電変換効率変化する方
向に直交する方向について、単位面積当たりの形成密度
を級数的に変化させて裏面電界層が形成される。したが
って、光電変換素子の短絡電流を測定することで１つの
方向についての受光位置および入射角が求まり、開放電
圧を測定することによりこれに直行する方向についての
受光位置および入射角が求まる。In the invention according to the above (5), the photoelectric conversion efficiency on the surface is determined by a series change of the formation density of the groove per unit area, the formation density of the diffusion layer per unit area or the formation density of the electrode per unit area. The back surface electric field layer is formed by changing the formation density per unit area in a direction orthogonal to the changing direction in a series. Therefore, the light receiving position and the incident angle in one direction are determined by measuring the short-circuit current of the photoelectric conversion element, and the light receiving position and the incident angle in the direction perpendicular thereto are determined by measuring the open circuit voltage.
【００１８】[0018]
【実施例】図１は、この発明の実施例に係る光電変換素
子の要部の拡大断面図である。図１に示すように、光電
変換素子１を構成する基板２の表面には矢印Ａ方向にい
くに従って形成密度を級数的に変化させて複数の溝部３
が形成されている。この溝部３の形成密度が高いほど光
電変換素子の短絡電流が増加する。FIG. 1 is an enlarged sectional view of a main part of a photoelectric conversion element according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a plurality of grooves 3 are formed on the surface of a substrate 2 constituting the photoelectric conversion element 1 by changing the formation density in a series in the direction of arrow A.
Are formed. As the formation density of the groove 3 is higher, the short-circuit current of the photoelectric conversion element increases.
【００１９】したがって、溝部３の形成密度を規則的に
変えておくことにより、光電変換素子１の短絡電流値か
ら受光位置を求めることができる。たとえば、図２にお
いて短絡電流Ａ1 を測定した場合には光電変換素子１に
おける受光位置Ｐ1 が求まり、短絡電流Ａ2 を測定した
場合には受光位置Ｐ2 が求まる。Therefore, the light receiving position can be obtained from the short-circuit current value of the photoelectric conversion element 1 by regularly changing the formation density of the groove 3. For example, Motomari light receiving position P 1 in the photoelectric conversion element 1 in the case of measuring the short-circuit current A 1 in FIG. 2, is obtained the light receiving position P 2 when measured short-circuit current A 2.
【００２０】図３は、上記光電変換素子を太陽光を基準
として姿勢を測定する装置に適用した場合の構成を示す
図である。図９に示す従来例と同様に、光電変換素子１
に対して遮蔽板８のスリット６から太陽光を入射させ、
光電変換素子１の表面に照射する。この場合に、光電変
換素子１における溝部３の形成密度が変化する方向Ａを
スリット６の長手方向に直交させておく。このように構
成することにより、光電変換素子１における短絡電流の
測定結果から光電変換素子１における受光位置を求め、
この受光位置との関係において太陽光の入射角θを求め
ることができる。FIG. 3 is a diagram showing a configuration in a case where the photoelectric conversion element is applied to an apparatus for measuring an attitude based on sunlight. As in the conventional example shown in FIG.
Sunlight from the slit 6 of the shielding plate 8
Irradiate the surface of the photoelectric conversion element 1. In this case, the direction A in which the formation density of the grooves 3 in the photoelectric conversion element 1 changes is orthogonal to the longitudinal direction of the slit 6. With this configuration, the light receiving position in the photoelectric conversion element 1 is obtained from the measurement result of the short-circuit current in the photoelectric conversion element 1,
The incident angle θ of sunlight can be obtained in relation to the light receiving position.
【００２１】図４は、この発明の別の実施例に係る光電
変換素子の要部を示す拡大断面図である。光電変換素子
１１を構成する基板１２の上面において不純物の拡散層
１３の形成密度を矢印Ａ方向について級数的に変化させ
る。光電変換素子１における短絡電流は、不純物の拡散
層１３の形成密度によって異なる。したがって、光電変
換素子１１の短絡電流を測定することにより、受光位置
を知ることかできる。このように、表面における不純物
の拡散層１３の形成密度を一方向について規則的に変化
させた光電変換素子１１を図３に示す光電変換素子１と
同様に用いることにより、短絡電流の測定結果から太陽
光の入射角θを求めることができる。FIG. 4 is an enlarged sectional view showing a main part of a photoelectric conversion element according to another embodiment of the present invention. The formation density of the impurity diffusion layer 13 on the upper surface of the substrate 12 constituting the photoelectric conversion element 11 is changed in a series in the direction of arrow A. The short-circuit current in the photoelectric conversion element 1 differs depending on the formation density of the impurity diffusion layer 13. Therefore, the light receiving position can be known by measuring the short-circuit current of the photoelectric conversion element 11. As described above, the photoelectric conversion element 11 in which the formation density of the impurity diffusion layer 13 on the surface is regularly changed in one direction is used in the same manner as the photoelectric conversion element 1 shown in FIG. The incident angle θ of sunlight can be obtained.
【００２２】図５は、この発明の別の実施例に係る光電
変換素子の要部を示す拡大断面図である。光電変換素子
２１を構成する基板２１の上面には複数の電極２３が形
成されている。この電極２３の形成密度は、矢印Ａ方向
にいくに従って級数的に高くされている。光電変換素子
２１における短絡電流は表面における受光量に応じた光
電変換によって得られ、短絡電流の大きさは受光量に比
例する。電極２３は表面を被覆するように構成されてい
るため、単位面積当たりにおける電極２３の形成密度の
高低に応じて受光量が減増する。したがって、電極２３
の形成密度を一方向について規則的に変化させることに
より、受光位置によって異なる短絡電流を発生すること
ができ、短絡電流を測定することによって光電変換素子
２１の受光位置および太陽光の入射角を求めることがで
きる。FIG. 5 is an enlarged sectional view showing a main part of a photoelectric conversion element according to another embodiment of the present invention. A plurality of electrodes 23 are formed on the upper surface of the substrate 21 that constitutes the photoelectric conversion element 21. The formation density of the electrodes 23 is increased exponentially in the direction of arrow A. The short-circuit current in the photoelectric conversion element 21 is obtained by photoelectric conversion according to the amount of light received on the surface, and the magnitude of the short-circuit current is proportional to the amount of received light. Since the electrode 23 is configured to cover the surface, the amount of received light decreases and increases according to the formation density of the electrode 23 per unit area. Therefore, the electrode 23
The short-circuit current that varies depending on the light receiving position can be generated by regularly changing the formation density in one direction, and the light receiving position of the photoelectric conversion element 21 and the incident angle of sunlight can be obtained by measuring the short-circuit current. be able to.
【００２３】図６は、この発明の別の実施例に係る光電
変換素子の要部を示す拡大断面図である。光電変換素子
３１を構成する基板３２の裏面には、絶縁膜３３を介し
て裏面電極３４が形成されている。この基板３２の裏面
において、矢印Ａ方向に形成密度を級数的に広くして電
界層３５が形成されている。光電変換素子３１では、裏
面電界層３５が形成された部分において開放電圧が高く
なる。したがって、光電変換素子３１の裏面において一
方向について裏面電界層３５の形成密度を規則的に変化
させることにより、受光位置に応じた開放電圧を発生さ
せることができ、この開放電圧を測定することにより光
電変換素子３１における受光位置および太陽光の入射角
を知ることができる。FIG. 6 is an enlarged sectional view showing a main part of a photoelectric conversion element according to another embodiment of the present invention. On the back surface of the substrate 32 constituting the photoelectric conversion element 31, a back electrode 34 is formed via an insulating film 33. On the back surface of the substrate 32, the electric field layer 35 is formed with the formation density being exponentially increased in the direction of arrow A. In the photoelectric conversion element 31, the open-circuit voltage increases in the portion where the back surface electric field layer 35 is formed. Therefore, by regularly changing the formation density of the back surface electric field layer 35 in one direction on the back surface of the photoelectric conversion element 31, an open-circuit voltage corresponding to the light receiving position can be generated. The light receiving position in the photoelectric conversion element 31 and the incident angle of sunlight can be known.
【００２４】図７は、この発明のさらに別の実施例に係
る光電変換素子の平面図および底面図である。光電変換
素子４１の表面４２には、図１、図４および図５に示し
た溝部３、不純物の拡散層１３または電極２３が矢印Ｘ
方向に形成密度を級数的に変えて形成されている。一
方、光電変換素子４１の裏面４３には図６に示す裏面電
界層３５が矢印Ｙ方向に形成密度を級数的に変化させて
形成されている。光電変換素子４１の表面４２および４
３において矢印Ｘ方向およびＹ方向は互いに直交してい
る。FIG. 7 is a plan view and a bottom view of a photoelectric conversion element according to still another embodiment of the present invention. On the surface 42 of the photoelectric conversion element 41, the groove 3, the impurity diffusion layer 13 or the electrode 23 shown in FIGS.
It is formed by changing the formation density in the direction in a series. On the other hand, the back surface electric field layer 35 shown in FIG. 6 is formed on the back surface 43 of the photoelectric conversion element 41 by changing the formation density in the Y direction in a series. Surfaces 42 and 4 of photoelectric conversion element 41
In FIG. 3, the arrow X direction and the Y direction are orthogonal to each other.
【００２５】図８に示すように、図７に示すように形成
された光電変換素子４１に対して遮蔽板５８の孔部５３
からスポット孔を入光させ、光電変換素子４１の表面に
照射する。この構成により、光電変換素子４１における
短絡電流を測定することによって矢印Ｘ方向についての
受光位置を求めることができるとともに、開放電圧を測
定することによって矢印Ｙ方向についての受光位置を求
めることができる。したがって、図７に示した実施例に
係る光電変換素子４１を用いることにより、１枚の光電
変換素子４１によって二軸方向についての入射角を求め
ることかできる。As shown in FIG. 8, the hole 53 of the shielding plate 58 is inserted into the photoelectric conversion element 41 formed as shown in FIG.
Then, the light enters a spot hole and irradiates the surface of the photoelectric conversion element 41. With this configuration, the light receiving position in the arrow X direction can be obtained by measuring the short-circuit current in the photoelectric conversion element 41, and the light receiving position in the arrow Y direction can be obtained by measuring the open voltage. Therefore, by using the photoelectric conversion element 41 according to the embodiment shown in FIG. 7, the incident angle in the biaxial direction can be obtained by one photoelectric conversion element 41.
【００２６】[0026]
【発明の効果】この発明によれば、溝部、不純物の拡散
層または電極の形成密度を一方向について一定の関係で
変化させることにより、表面の一方向について単位面積
当たりの光電変換効率を一定の関係で変化させ、光電変
換素子から出力される電気信号を測定することにより形
成密度が変化する方向についての受光位置を一枚の光電
変換素子のみによって求めることができる。According to the present invention, the photoelectric conversion efficiency per unit area can be kept constant in one direction of the surface by changing the formation density of the grooves, impurity diffusion layers or electrodes in one direction. The light receiving position in the direction in which the formation density changes can be determined by only one photoelectric conversion element by changing the relationship and measuring the electric signal output from the photoelectric conversion element.
【００２７】また、光電変換素子の裏面における電界層
の形成密度を一方向について級数的に変化させることに
よっても同様に光電変換素子における光電変換効率を一
方向について一定の関係で変化させることができ、形成
ピッチが変化する方向についての受光位置を単一の光電
変換素子を用いて検出することができる。Similarly, by changing the formation density of the electric field layer on the back surface of the photoelectric conversion element in one direction in a series, the photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion element can be similarly changed in one direction. The light receiving position in the direction in which the formation pitch changes can be detected using a single photoelectric conversion element.
【００２８】さらに、表面において形成密度が変化する
方向に直交する方向について裏面電界層の形成密度を級
数的に変化させて形成することにより、光電変換素子に
おける直交する二方向についての受光位置を単一の光電
変換素子によって検出することかできる。Furthermore, by forming the back surface electric field layer in a direction orthogonal to the direction in which the formation density changes on the front surface by changing the formation density in a series, the light receiving position in the two orthogonal directions in the photoelectric conversion element can be simply determined. It can be detected by one photoelectric conversion element.
【図１】この発明の実施例に係る光電変換素子の要部の
拡大断面図である。FIG. 1 is an enlarged sectional view of a main part of a photoelectric conversion element according to an embodiment of the present invention.
【図２】同光電変換素子における短絡電流値と溝部の形
成密度との関係を示す図である。FIG. 2 is a view showing a relationship between a short-circuit current value and a formation density of a groove in the photoelectric conversion element.
【図３】同光電変換素子を用いて太陽光を基準とする姿
勢の測定装置の概略の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a posture measuring apparatus based on sunlight using the photoelectric conversion element.
【図４】この発明の別の実施例に係る光電変換素子の要
部の拡大断面図である。FIG. 4 is an enlarged sectional view of a main part of a photoelectric conversion element according to another embodiment of the present invention.
【図５】この発明の別の実施例に係る光電変換素子の要
部の拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a photoelectric conversion element according to another embodiment of the present invention.
【図６】この発明の別の実施例に係る光電変換素子の要
部の拡大断面図である。FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a photoelectric conversion element according to another embodiment of the present invention.
【図７】この発明の別の実施例に係る光電変換素子の平
面図および底面図である。FIG. 7 is a plan view and a bottom view of a photoelectric conversion element according to another embodiment of the present invention.
【図８】同光電変換素子を用いて太陽光を基準とした姿
勢を測定する装置の構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a configuration of an apparatus for measuring an attitude based on sunlight using the photoelectric conversion element.
【図９】従来の光電変換素子を用いた太陽光を基準とす
る姿勢の測定装置の構成を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a conventional attitude measuring device based on sunlight using a photoelectric conversion element.
【図１０】従来の光電変換素子の平面図である。FIG. 10 is a plan view of a conventional photoelectric conversion element.
１−光電変換素子 ２−基板 ３−溝部 ４−裏面電極 ６−スリット ８−遮蔽板 1-photoelectric conversion element 2-substrate 3-groove 4-back electrode 6-slit 8-shielding plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−112520（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−112523（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−112522（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−18201（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−18010（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−5619（ＪＰ，Ａ) 実公 昭51−30932（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/00 - 31/173 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-6-112520 (JP, A) JP-A-6-112523 (JP, A) JP-A-6-112522 (JP, A) JP-A-63- 18201 (JP, A) JP-A 64-18010 (JP, A) JP-A 5-5619 (JP, A) JP-A 51-30932 (JP, Y2) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 31/00-31/173
Claims (5)
力する光電変換素子において、 表面の一方向について単位面積当たりの形成密度を級数
的に変化させて前記一方向に直交する方向に複数の溝部
を表面に形成し、 前記一方向における受光位置により変化する電気信号を
直接出力する光電変換素子。1. A photoelectric conversion element for outputting an electric signal according to the amount of light received on a surface, wherein a formation density per unit area in one direction of the surface is a series.
And a plurality of grooves in a direction orthogonal to the one direction.
Was formed on the surface, you output an electrical signal which varies with the light receiving position in the one direction directly photoelectric conversion element.
力する光電変換素子において、 表面の一方向について表面における単位面積当たりの形
成密度を級数的に変化させて不純物の拡散層を形成し、 前記一方向における受光位置により変化する電気信号を
直接出力する 光電変換素子。2. An electric signal according to the amount of light received on the surface is output.
In the photoelectric conversion element to force, in one direction of the surface exponentially changing the formation density per unit area of the surface to form a diffusion layer of an impurity, a varying electrical signal by the light receiving position in the one direction
A photoelectric conversion element that outputs directly .
力する光電変換素子において、 表面の一方向について単位面積当たりの形成密度を級数
的に変化させて形成した複数の電極を設け、 前記一方向における受光位置により変化する電気信号を
直接出力する 光電変換素子。3. An electric signal according to the amount of light received on the surface is output.
In the photoelectric conversion element to be applied, a plurality of electrodes formed by changing the formation density per unit area in one direction of the surface in a series are provided , and an electric signal that changes according to the light receiving position in the one direction is provided .
A photoelectric conversion element that outputs directly .
力する光電変換素子において、 一方向について単位面積当たりの形成密度を級数的に変
化させて複数の裏面電界層を形成し、 前記一方向におけ
る受光位置により変化する電気信号を直接出力する光電
変換 素子。4. An electric signal according to the amount of light received on the surface is output.
In the photoelectric conversion element, a plurality of back surface electric field layers are formed by changing the formation density per unit area in one direction in a series, and in the one direction,
Photoelectric conversion element that directly outputs an electrical signal that changes depending on the light receiving position .
単位面積当たりの形成密度を級数的に変化させて複数の
裏面電界層を形成した請求項１、２または３に記載の光
電変換素子。5. A photoelectric conversion device according to claim 1, 2 or 3 in which the formation density per unit area exponentially changing the direction to form a plurality of back surface field layer orthogonal to the direction of said surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21020993A JP3229083B2 (en) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | Photoelectric conversion element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21020993A JP3229083B2 (en) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | Photoelectric conversion element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766447A JPH0766447A (en) | 1995-03-10 |
| JP3229083B2 true JP3229083B2 (en) | 2001-11-12 |
Family
ID=16585600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21020993A Expired - Fee Related JP3229083B2 (en) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | Photoelectric conversion element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3229083B2 (en) |
-
1993
- 1993-08-25 JP JP21020993A patent/JP3229083B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766447A (en) | 1995-03-10 |
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