JP3230218B2 - Blind equipment - Google Patents
Blind equipmentInfo
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- JP3230218B2 JP3230218B2 JP15516193A JP15516193A JP3230218B2 JP 3230218 B2 JP3230218 B2 JP 3230218B2 JP 15516193 A JP15516193 A JP 15516193A JP 15516193 A JP15516193 A JP 15516193A JP 3230218 B2 JP3230218 B2 JP 3230218B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、マスクパターンをウェ
ハ表面に転写して半導体素子を製造する露光装置におい
て、露光光を一部遮光することにより任意のチップ領域
の露光を可能にするブラインド装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device by transferring a mask pattern onto a wafer surface, and a blind apparatus capable of exposing an arbitrary chip area by partially blocking exposure light. It is about.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、露光装置に用いられるブライン
ド装置は、面積の大きな露光光に対してチップ領域の寸
法に応じて遮光制限する為のものであり、四方から当該
チップ領域を囲撓するように進退動する4つの矩形状ブ
ラインドと、当該4つの矩形状ブラインドが任意のチッ
プ領域を囲画する正確な設定位置にそれぞれ位置決め駆
動する水平動位置決め設定機構系を主要な構成要素とし
て構成されている。2. Description of the Related Art In general, a blind device used in an exposure apparatus is used to limit exposure light having a large area to light according to the size of a chip area. The main components are four rectangular blinds that move forward and backward, and a horizontal movement positioning setting mechanism system that drives each of the four rectangular blinds to position accurately at an accurate setting position surrounding an arbitrary chip area. I have.
【0003】(従来例1)従来のブラインド装置を図面
により説明する。図3及び図4は本願出願人により特開
平3−11613号公報中で開示された従来技術を示し
たものであり、図3は従来例のブラインド装置による位
置合わせ動作の概念説明平面図、図4は同・正面図であ
る。(Conventional Example 1) A conventional blind device will be described with reference to the drawings. 3 and 4 show a prior art disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 3-11613 by the present applicant. FIG. 3 is a plan view for explaining the concept of a positioning operation by a conventional blind device. 4 is the same front view.
【0004】図中、αはブラインド装置、Dはチップ領
域、D’はマスキング領域、Lは露光光、L’はアライ
メント光、W1〜W3はウェハアライメントマークであ
る。1はX線マスク、2a〜2dはブラインド、3a〜
3dは水平動位置決め設定機構系、4はマスクステー
ジ、5はX線吸収体、6はウェハステージ、7はウェハ
である。In the figure, α is a blind device, D is a chip area, D 'is a masking area, L is exposure light, L' is alignment light, and W1 to W3 are wafer alignment marks. 1 is an X-ray mask, 2a to 2d are blinds, 3a to
3d is a horizontal movement positioning setting mechanism system, 4 is a mask stage, 5 is an X-ray absorber, 6 is a wafer stage, and 7 is a wafer.
【0005】図3及び図4においてブラインド装置α
は、マスクステージ4の上方に、四方からチップ領域D
を囲撓するように水平移動する4つの矩形状ブラインド
2a〜2dと、当該それぞれのブラインド2a〜2dを
縦横移動し、正確な位置に位置決め設定するロータリー
エンコーダを駆動軸に接続したDCサーボモータ等の駆
動源を有する水平動位置決め設定機構系3a〜3d(3
aのみ図示)から構成される。In FIGS. 3 and 4, the blind device α
Above the mask stage 4, the chip area D
And four rectangular blinds 2a to 2d that horizontally move so as to surround the DC motor and a rotary encoder connected to a drive shaft and a rotary encoder that vertically and horizontally moves the respective blinds 2a to 2d and sets the position at an accurate position. Horizontal positioning mechanism 3a to 3d (3
a only shown).
【0006】ブラインド2a〜2dはマスクステージ4
の上側に、かつX線マスク1はマスクステージ4の下側
にそれぞれ近設されている。X線マスク1最下面にはX
線吸収体5が均一塗布され、マスクパターンが形成され
ている。さらに当該X線マスク1下方には、ウェハステ
ージ6と、当該ウェハステージ6に載置されたウェハ7
が配置されている。The blinds 2a to 2d are a mask stage 4.
, And the X-ray mask 1 is provided near the mask stage 4. X on the bottom surface of X-ray mask 1
The line absorber 5 is uniformly applied, and a mask pattern is formed. Further, below the X-ray mask 1, a wafer stage 6 and a wafer 7 mounted on the wafer stage 6 are arranged.
Is arranged.
【0007】図3に示すブラインド2a〜2dは四方か
らチップ領域Dの外形寸法に対応して当該チップ領域D
を囲撓する図中斜線で示す四角形状となるように配置さ
れ、ロータリーエンコーダを駆動軸に接続した水平動位
置決め設定機構系3a〜3d(3aのみ図示)によって
所定の位置まで正確に水平移動され、チップ領域D外の
露光光Lを遮光する。[0007] The blinds 2a to 2d shown in FIG.
Are arranged so as to form a square shape shown by oblique lines in the figure, and are accurately horizontally moved to a predetermined position by horizontal movement positioning setting mechanism systems 3a to 3d (only 3a is shown) in which a rotary encoder is connected to a drive shaft. In addition, the exposure light L outside the chip area D is shielded.
【0008】これによりブラインド2a〜2dが存在し
ない場合に、隣接するチップ領域Dへ吸収体5を透過し
て露光光Lが漏洩することにより生じる二重露光やコー
ナー部の四重露光を防止することができる。Thus, when the blinds 2a to 2d are not present, double exposure and quadruple exposure at corners caused by the leakage of the exposure light L through the absorber 5 to the adjacent chip area D are prevented. be able to.
【0009】当該ブラインド2a〜2dは、露光光Lを
遮光する為にアルミニウム等の金属で構成されており、
X線マスク1とウェハ7を位置合わせする為の参照用の
アライメント光L’(通常、可視光或いはHe−Ne
(ヘリウム−ネオン)レーザが用いられる。)も透過さ
せない。The blinds 2a to 2d are made of a metal such as aluminum for shielding the exposure light L.
Reference alignment light L ′ (usually visible light or He-Ne) for aligning the X-ray mask 1 and the wafer 7.
A (helium-neon) laser is used. ) Is not transmitted.
【0010】よって後述する所定の手順のアライメント
作業を行ってウェハ7を所定位置に予め位置決め保持し
た後、ブラインド2a〜2d上方より露光光Lを照射
し、露光作業を行っていた。[0010] Therefore, after performing alignment work of a predetermined procedure described later and pre-positioning and holding the wafer 7 at a predetermined position, the exposure work is performed by irradiating the exposure light L from above the blinds 2a to 2d.
【0011】(従来例2)また別の従来例として、前記
第1従来例におけるブラインドを、露光光Lを遮光し、
アライメント光L’を透過する材質を用いて構成した本
願出願人による特許出願「ブラインド装置」(特願平1
−144221号/特開平3−11613号)が存在す
る。図3及び図4図中、α’は本従来例のブラインド装
置、2a’〜2d’はそのブラインドである。(Conventional example 2) As another conventional example, the blind in the first conventional example is configured to block exposure light L,
Patent application “Blind device” (Japanese Patent Application No. Hei 1 (1999)) filed by the applicant of the present invention, using a material that transmits the alignment light L ′.
No. 144221 / JP-A-3-11613). In FIGS. 3 and 4, α 'is a blind device of the conventional example, and 2a' to 2d 'are the blinds.
【0012】本従来例のブラインド装置α’は、前記第
1従来例のブラインド2a〜2dに代えて、露光光Lが
遮光され、アライメント光L’が透過する材質で構成し
たブラインド2a’〜2d’を採用したので、アライメ
ント作業と露光作業を同時に行い、ウェハアライメント
マークW1〜W3を常時検出してブラインド2a’〜2
d’の位置制御を行うことが可能であった。The blind apparatus α 'of the present prior art differs from the blinds 2a to 2d of the first conventional example in that the blinds 2a' to 2d are made of a material that blocks the exposure light L and transmits the alignment light L '. , The alignment work and the exposure work are performed simultaneously, the wafer alignment marks W1 to W3 are always detected and the blinds 2a 'to 2
It was possible to control the position of d '.
【0013】ブラインド2a’〜2d’の材質としては
アライメント光L’を透過する石英ガラス等を用い、光
波長に対し選択的透過性を有する光学フィルターを構成
する。As a material of the blinds 2a 'to 2d', a quartz glass or the like which transmits the alignment light L 'is used to constitute an optical filter having a selective transmittance to a light wavelength.
【0014】XY軸上のスクライブライン上に配置され
たウェハアライメントマークW1〜W3を覆うようにブ
ラインド2a’〜2d’を配置することによって、X線
マスク1上の図示しないマスクアライメントマークが露
光光Lによってウェハ7表面に転写されることを防止で
きるので、当該マスクアライメントマークをスクライブ
ラインを隔てて隣接するチップ領域D上に配置すること
もできる。By disposing the blinds 2a 'to 2d' so as to cover the wafer alignment marks W1 to W3 arranged on the scribe lines on the XY axes, the mask alignment marks (not shown) on the X-ray mask 1 Since the transfer of the mask alignment mark to the surface of the wafer 7 by L can be prevented, the mask alignment mark can also be arranged on the adjacent chip region D across the scribe line.
【0015】位置決め動作は、ウェハ7上にアライメン
ト光L’を照射し、ウェハアライメントマークW1〜W
3を検出し、水平動位置決め設定機構系3a〜3dを駆
動して所要の位置へフィードバック制御を行いつつ誘導
する。The positioning operation is performed by irradiating the alignment light L 'onto the wafer 7 and setting the wafer alignment marks W1 to W
3 and drives the horizontal movement positioning setting mechanism systems 3a to 3d to perform guidance to a required position while performing feedback control.
【0016】[0016]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記第1
従来例では、X線マスク1とウェハ7の位置合わせの為
のX線マスク1とウェハアライメントマークW1〜W3
は前記チップ領域Dを決定する四角形の少なくとも2辺
の外側でチップ領域D周辺、例えばマスキング領域D′
に配置されることが多い。この為、露光作業中のX線マ
スク1とウェハ7の位置合わせを、それぞれ近接したX
線マスク1とウェハアライメントマークW1〜W3を用
いて行う露光装置を使用した場合には、露光によりマス
クアライメントマークM1〜M3部分に露光光Lが照射
されることになる。However, the first aspect
In the conventional example, the X-ray mask 1 for aligning the X-ray mask 1 with the wafer 7 and the wafer alignment marks W1 to W3 are used.
Is the periphery of the chip area D outside at least two sides of the rectangle that determines the chip area D, for example, a masking area D '.
Often placed. For this reason, the X-ray mask 1 and the wafer 7 during the exposure operation are aligned with each other by the close X-ray mask.
When an exposure apparatus using the line mask 1 and the wafer alignment marks W1 to W3 is used, the exposure light L is applied to the mask alignment marks M1 to M3 by exposure.
【0017】従って、エッチング等のウェハ処理を行う
と前記マスクアライメントマークM1〜M3がウェハ7
上に転写され、ウェハ7に塗布されたレジストがポジ型
の場合にはマスクアライメントマークM1〜M3形状に
対応してレジストが除去され、ネガ型の場合にはレジス
トが残存し、結果的にウェハ7表面に段差が生じる。こ
の為、これ以降のプロセスにおいて、レジストの塗りむ
らやウェハアライメントマークW1〜W3の形状劣化が
発生する原因となっていた。Therefore, when wafer processing such as etching is performed, the mask alignment marks M1 to M3 are
When the resist transferred onto the wafer 7 and applied to the wafer 7 is a positive type, the resist is removed corresponding to the shape of the mask alignment marks M1 to M3, and when the resist is negative, the resist remains. Step 7 occurs on the surface. For this reason, in the subsequent processes, uneven coating of the resist and deterioration of the shape of the wafer alignment marks W1 to W3 are caused.
【0018】前記第1従来例では、最初にブラインド2
a〜2dによりマスキングを行わない状態で、X線マス
ク1とウェハ7を位置合わせし、X線マスク1位置をマ
スクステージ4の駆動系に接続されたロータリエンコー
ダ等による位置検出系で読み取り保持すると同時に、ウ
ェハ7位置を図示しないレーザ干渉計で検出して保持し
た後、ブラインド2a〜2dを水平動位置決め設定機構
系3a〜3dをそれぞれ駆動して所定の位置に移動して
露光する方法が採用されていた。In the first conventional example, the blind 2
When the X-ray mask 1 and the wafer 7 are aligned without masking by a to 2d, and the position of the X-ray mask 1 is read and held by a position detection system such as a rotary encoder connected to the drive system of the mask stage 4. At the same time, after the position of the wafer 7 is detected and held by a laser interferometer (not shown), the blinds 2a to 2d are driven by the horizontal movement positioning setting mechanism systems 3a to 3d, respectively, and moved to predetermined positions to perform exposure. It had been.
【0019】ところがブラインド2a〜2dでX線マス
ク1上に形成されているマスクパターンの一部を覆って
露光するような場合には、ブラインド2a〜2dにアラ
イメント光L’も遮光されるのでウェハアライメントマ
ークW1〜W3を検出できず、X線マスク1とウェハ7
を直接位置合わせできないので、露光作業と同時にサー
ボ追従制御動作によるアライメント作業を行うことが不
可能であった。However, when the blinds 2a to 2d cover a part of the mask pattern formed on the X-ray mask 1 and perform exposure, the blinds 2a to 2d also shield the alignment light L '. Since the alignment marks W1 to W3 cannot be detected, the X-ray mask 1 and the wafer 7
Cannot be directly aligned, so that it is impossible to perform an alignment operation by a servo following control operation simultaneously with an exposure operation.
【0020】よって、露光時間に数分から1時間程度を
要するX線露光装置に適用した場合、X線マスク1、マ
スクステージ4やウェハステージ6が熱変形等により歪
動することにより、X線マスク1とウェハ7間の相対位
置が狂い、位置合わせ精度の低下が発生していた。Therefore, when the present invention is applied to an X-ray exposure apparatus requiring an exposure time of several minutes to about one hour, the X-ray mask 1, the mask stage 4, and the wafer stage 6 are distorted due to thermal deformation or the like. The relative position between the wafer 1 and the wafer 7 was out of order, resulting in a decrease in the positioning accuracy.
【0021】また、前記第2従来例のブラインド装置
α’を用いた場合、ブラインド2a’〜2d’がマスク
アライメントマークM1〜M3を覆う位置まで進出する
が露光光Lは、チップ領域D外の周縁部で不完全遮光さ
れ当該ブラインド2a’〜2d’に覆われた帯状のマス
キング領域D’まで侵入肥大することとなり、一回の操
作で露光可能なチップ領域Dが露光漏領域Eまで実質的
に拡大となり、当該マスキング領域D’にウェハ7の更
新マークやその他のマスクパターンの形成ができなくな
る欠点を有していた。When the blind apparatus α 'of the second conventional example is used, the blinds 2a' to 2d 'advance to the positions covering the mask alignment marks M1 to M3. The masking region D ', which is incompletely shaded at the periphery and is covered by the blinds 2a' to 2d ', penetrates and expands, and the chip region D that can be exposed by one operation is substantially reduced to the exposure leakage region E. This has the disadvantage that the update mark of the wafer 7 and other mask patterns cannot be formed in the masking area D '.
【0022】その結果、マスクアレイメントマークM1
〜M3が不完全遮光を呈する露光漏領域E外から出るた
めには実質的にチップ領域Dの露光面積を縮小せざるを
得なく回路設計に支障を来すこともあり歩留まりが悪か
った。ここにおいて本発明は、露光面積を縮小すること
なく、マスクアライメントマークの転写が発生せず、か
つ露光作業中にもアライメント作業可能なブラインド装
置を提供せんとするものである。As a result, the mask array mark M1
In order for M3 to go out of the exposure leakage region E exhibiting incomplete shading, the exposure area of the chip region D has to be substantially reduced, which may hinder the circuit design, resulting in a poor yield. Here, an object of the present invention is to provide a blind device that does not reduce the exposure area, does not cause transfer of a mask alignment mark, and can perform an alignment operation even during an exposure operation.
【0023】[0023]
【課題を解決するための手段】前記課題の解決は、本発
明が次の新規な特徴的構成手段を採用することにより達
成される。すなわち、本発明の特徴は、露光光は遮光
し、マスクとウェハを位置合わせするために用いるアラ
イメント光は透過する選択的光透過材質より構成され、
ウェハ表面に形成されたウェハアライメントマークに対
する露光光の完全遮光に十分かつ可及的に小さな面積を
有する任意形状の遮光凸部を形成し前記ウェハのチップ
領域を囲撓する複数のブラインドと、当該複数のブライ
ンドそれぞれを平面内位置決め移動自在に駆動する水平
動位置決め設定機構系とを具備してなるブラインド装置
である。The above object can be attained by the present invention employing the following novel characteristic constitution means. That is, a feature of the present invention is that the exposure light is shielded, and the alignment light used for aligning the mask and the wafer is formed of a selective light transmitting material that transmits,
A plurality of blinds for forming a light-shielding convex portion of an arbitrary shape having an area as small as possible and sufficient to completely block exposure light with respect to a wafer alignment mark formed on a wafer surface, and surrounding the chip region of the wafer; A blind device comprising: a horizontal movement positioning setting mechanism system for driving each of a plurality of blinds so as to be positioned and movable in a plane.
【0024】[0024]
【作用】本発明は前記のような手段を講じたことによ
り、マスクアライメントマークM1〜M3周辺に向け照
射される露光光Lが完全遮光されるので、マスクアライ
メントマークM1〜M3のウェハ7表面への不要な転写
が発生しない。According to the present invention, by taking the above measures, the exposure light L irradiated to the periphery of the mask alignment marks M1 to M3 is completely shielded, so that the mask alignment marks M1 to M3 reach the wafer 7 surface. No unnecessary transfer occurs.
【0025】即ち、ブラインドに遮光凸部を形成したこ
とにより、マスクアライメントマークM1〜M3部位は
露光漏領域Eから外れて入らなくなりチップ領域Dの実
質面積を減少させることがない。That is, since the light-blocking projections are formed on the blind, the portions of the mask alignment marks M1 to M3 do not deviate from the exposure leakage region E and do not decrease the substantial area of the chip region D.
【0026】さらに、凸部形成ブラインドがチップ領域
Dに外接する位置に適確に移動可能であることから、当
該ウェハアライメントマークW1〜W3を当該露光漏領
域E外に任意の位置、形状及び大きさで配置することが
可能となる。Further, since the projection forming blind can be moved accurately to a position circumscribing the chip region D, the wafer alignment marks W1 to W3 can be moved to any position, shape and size outside the exposure leakage region E. It becomes possible to arrange it.
【0027】[0027]
【実施例】本発明の実施例を図面につき詳説する。図1
は本実施例のブラインド装置の使用状態説明平面図、図
2は同・正面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. FIG.
FIG. 2 is a plan view illustrating the use state of the blind device of the present embodiment, and FIG. 2 is a front view of the same.
【0028】図中、α”は本実施例のブラインド装置、
M1〜M3はマスクアライメントマーク、W1’〜W
3’は次の露光層位置決め用ウェハアライメントマー
ク、8a〜8dはブラインド、9a〜9cは遮光凸部、
10a〜10dは水平動位置決め設定機構系、11はX
線マスク、12はシリコン基板、13はメンブレン、1
4はX線吸収材、15はマウントである。尚、前記従来
例と同一部材には同一符号を付した。In the figure, α ″ is the blind device of the present embodiment,
M1 to M3 are mask alignment marks, W1 'to W
3 ′ is a wafer alignment mark for positioning the next exposure layer, 8a to 8d are blinds, 9a to 9c are light-shielding convex portions,
10a to 10d are horizontal movement positioning setting mechanism systems, 11 is X
Line mask, 12 is a silicon substrate, 13 is a membrane, 1
Reference numeral 4 denotes an X-ray absorber, and reference numeral 15 denotes a mount. The same members as those of the conventional example are denoted by the same reference numerals.
【0029】図1に示す本実施例のブラインド装置α”
は、遮光凸部9a〜9cを形成し光波長に対し選択的透
過性を有するブラインド8a〜8dと、当該ブラインド
8a〜8dをそれぞれ平面内移動自在とする水平動位置
決め設定機構系10a〜10dとより構成されている。The blind device α ″ of the present embodiment shown in FIG.
Are blinds 8a to 8d which form light-shielding convex portions 9a to 9c and have a selective transmittance with respect to light wavelengths, and horizontal movement positioning setting mechanism systems 10a to 10d which enable the blinds 8a to 8d to be freely movable in a plane. It is composed of
【0030】ブラインド8a〜8dはマスクステージ4
の上側に、かつX線マスク11はマスクステージ4の下
側にそれぞれ近設され、アライメント光L’の透過によ
る位相の変化を最小限に抑制する為に、屈折率が小さく
かつ厚さの薄い透明材質にて構成される。The blinds 8a to 8d are a mask stage 4.
And the X-ray mask 11 is provided near the lower side of the mask stage 4, respectively, and has a small refractive index and a small thickness in order to minimize a change in phase due to transmission of the alignment light L '. It is composed of a transparent material.
【0031】X線マスク11は、シリコン基板12と、
当該シリコン基板12下面に形成されたメンブレン13
と、当該メンブレン13上に均一塗布されマスキングパ
ターンが形成されたX線吸収体14と、前記シリコン基
板12を前記マスクステージ4に付着するマウント15
から構成される。The X-ray mask 11 comprises: a silicon substrate 12;
The membrane 13 formed on the lower surface of the silicon substrate 12
An X-ray absorber 14 uniformly coated on the membrane 13 to form a masking pattern; and a mount 15 for attaching the silicon substrate 12 to the mask stage 4.
Consists of
【0032】露光光Lはブラインド8a〜8dの上方か
ら広範囲で照射される。凸部形成ブラインド8a〜8c
の3枚はマスクアライメントマークM1〜M3及びウェ
ハアライメントマークW1〜W3の大きさに対応する遮
光凸部9a〜9cが形成されている。The exposure light L is applied over a wide range from above the blinds 8a to 8d. Convex forming blinds 8a to 8c
Are formed with light-shielding convex portions 9a to 9c corresponding to the sizes of the mask alignment marks M1 to M3 and the wafer alignment marks W1 to W3.
【0033】ブラインド8a〜8dは四方から四角形の
チップ領域Dを囲撓するように配置され、図示しないロ
ータリーエンコーダがそれぞれ接続された駆動方向を水
平面内上下摺れ違い直交とする2台のDCサーボモータ
等により駆動される平面方向移動自在な水平動位置決め
設定機構系10a〜10dによって所定の位置まで正確
に移動され、チップ領域D(実質的には露光漏領域E)
外の露光光Lを遮光する。The blinds 8a to 8d are arranged so as to surround the chip area D from four sides to a square, and two DC servos whose driving directions to which rotary encoders (not shown) are respectively connected are set so that the driving directions are perpendicular to each other in a horizontal plane. It is accurately moved to a predetermined position by a horizontal movement positioning setting mechanism system 10a to 10d which can be moved in a plane direction driven by a motor or the like, and the chip area D (substantially the exposure leakage area E)
The external exposure light L is shielded.
【0034】また、凸部形成ブラインド8a〜8cに
は、露光漏領域Eから外すよう前記マスクアライメント
マークM1〜M3領域のみに限定して遮光凸部9a〜9
cが形成されていることから、チップ領域D内において
露光光Lの照射されない部分は当該遮光凸部9a〜9c
に限られ、その他のチップ領域Dは最大限露光される。The projection-forming blinds 8a to 8c are limited to only the mask alignment marks M1 to M3 so as to be out of the exposure omission area E.
c, the portions of the chip area D that are not irradiated with the exposure light L are the light-shielding projections 9a to 9c.
And the other chip area D is exposed to the maximum.
【0035】これにより凸部形成ブラインド8a〜8c
が存在しない場合に、マスクアライメントマークM1〜
M3がウェハ7上に転写される問題が回避されると同時
に、凸部形成ブラインド8a〜8cがアライメント光
L’を十分に透過するので、露光作業中にウェハアライ
メントマークW1〜W3の検出を行いアライメント作業
を同時に行うことができる。Thus, the projection forming blinds 8a to 8c
Does not exist, the mask alignment marks M1 to M1
The problem that M3 is transferred onto the wafer 7 is avoided, and at the same time, since the projection forming blinds 8a to 8c sufficiently transmit the alignment light L ', the wafer alignment marks W1 to W3 are detected during the exposure operation. Alignment work can be performed simultaneously.
【0036】露光作業中にアライメント作業を同時に行
うには、アライメント光L’が凸部形成ブラインド8a
〜8cを透過する必要がある。このため凸部形成ブライ
ンド8a〜8cとしては、前記第2従来例と同様にガラ
ス板(石英、パイレックスガラス)或いは露光光Lやア
ライメント光L’で変質、劣化しない透明プラスチック
板のような透明材質にて構成した光学フィルターを用い
る。In order to perform the alignment operation at the same time during the exposure operation, the alignment light L 'is applied to the projection forming blind 8a.
~ 8c must be transmitted. For this reason, as the projection forming blinds 8a to 8c, a transparent material such as a glass plate (quartz, Pyrex glass) or a transparent plastic plate which is not deteriorated or deteriorated by the exposure light L or the alignment light L 'as in the second conventional example. The optical filter constituted by is used.
【0037】当該光学フィルターとしては、露光光Lで
あるg線(436nm)やi線(360nm)、或いは
エキシマレーザ(<300nm)を遮光し、かつアライ
メント光L’であるHe−Neレーザ(632.8n
m)や可視光(400nm〜760nm)を透過する透
過分布率を持つオレンジフィルターやイエローフィルタ
ー、或いはUVフィルターを使用する。As the optical filter, a g-line (436 nm) or an i-line (360 nm) as an exposure light L or an excimer laser (<300 nm) is shielded, and a He-Ne laser (632) as an alignment light L ′ is used. .8n
m) or an orange filter, a yellow filter, or a UV filter having a transmission distribution transmitting visible light (400 nm to 760 nm).
【0038】さらに、ウェハアライメントマークW1〜
W3周辺領域が露光可能な為、次の露光層の位置決めに
必要なウェハアライメントマークW1’〜W3’をウェ
ハ7表面に同時形成可能である。Further, the wafer alignment marks W1 to W1
Since the peripheral region of W3 can be exposed, the wafer alignment marks W1 'to W3' necessary for positioning the next exposure layer can be simultaneously formed on the surface of the wafer 7.
【0039】次の露光層の形成に際しては、アライメン
ト光L’を照射して次のウェハアライメントマークW
1’〜W3’の位置を検出し、凸部形成ブラインド8a
〜8cの遮光凸部9a〜9cを当該ウェハアライメント
マークW1’〜W3’位置に水平動位置決め設定機構系
10a〜10dを駆動してそれぞれ平行移動することに
より、チップ領域Dの面積を狭めることなく露光を続行
することが可能である。At the time of forming the next exposure layer, the alignment light L ′ is irradiated to irradiate the next wafer alignment mark W
The positions of 1 'to W3' are detected, and the projection forming blind 8a
By moving the horizontal movement positioning setting mechanism systems 10a to 10d to the wafer alignment marks W1 'to W3', without reducing the area of the chip region D. It is possible to continue the exposure.
【0040】本実施例ではこのような具体的実施態様を
呈し、マスクアライメントマークM1〜M3を、前記第
2従来例におけるブラインド2a’〜2d’全体ではな
く、マスクアライメントマークM1〜M3に対して露光
光Lを完全遮光するに必要な可及的に小さな面積に限定
するために遮光凸部9a〜9cを形成した凸部形成ブラ
インド8a〜8cとし、さらにチップ領域D中心方向の
直進移動のみならずチップ領域D周辺縁に沿っての並行
移動自在とする縦横方向移動自在な水平動位置決め設定
機構系10a〜10dを具備したことにより、露光光L
の照射面積を殆ど縮小・拡大することなくウェハ7への
マスクアライメントマークM1〜M3の転写のない露光
装置の構成を実現した。In this embodiment, such a specific embodiment is provided, and the mask alignment marks M1 to M3 are not applied to the entire blinds 2a 'to 2d' in the second conventional example but to the mask alignment marks M1 to M3. In order to limit the exposure light L to an area as small as possible necessary to completely shield the exposure light L, the projections 8a to 8c are formed with light-shielding projections 9a to 9c. The horizontal movement positioning and setting mechanism 10a to 10d that can move in the vertical and horizontal directions along the peripheral edge of the chip area D.
Thus, a configuration of an exposure apparatus in which the mask alignment marks M1 to M3 are not transferred onto the wafer 7 without substantially reducing or enlarging the irradiation area of the exposure device is realized.
【0041】さらに、マスクアライメントマークM1〜
M3とウェハアライメントマークW1〜W3を相互に重
ね合わせて位置合わせを行うアライメント方式において
も、マスクアライメントマークM1〜M3がウェハアラ
イメントマークW1〜W3上に転写されないので、ウェ
ハアライメントマークW1〜W3の形状が保存され、当
該ウェハアライメントマークW1〜W3を次の露光層の
アライメント作業にそのまま利用可能とする。Further, the mask alignment marks M1 to M1
Even in an alignment method in which M3 and wafer alignment marks W1 to W3 are superimposed on each other and aligned, the mask alignment marks M1 to M3 are not transferred onto wafer alignment marks W1 to W3, so that the shapes of wafer alignment marks W1 to W3 are changed. Is stored, and the wafer alignment marks W1 to W3 can be used as they are for alignment work of the next exposure layer.
【0042】本実施例では凸部形成ブラインド8a〜8
cに遮光凸部9a〜9cを形成したが、ウェハアライメ
ントマークW1’〜W3’に対し露光光を完全遮光する
のに十分な面積を有する限り、その形状は限定されな
い。またその面積は可及的に小さくすることによりチッ
プ領域D内に占める面積割合を小さくすることができ
る。In the present embodiment, the projection forming blinds 8a to 8a
Although the light-shielding convex portions 9a to 9c are formed on the portion c, the shape thereof is not limited as long as it has a sufficient area for completely shielding the exposure light from the wafer alignment marks W1 'to W3'. The area ratio in the chip region D can be reduced by reducing the area as much as possible.
【0043】さらに、水平動位置決め設定機構系10a
〜10dとしてロータリーエンコーダを駆動軸に接続し
たDCサーボモータを採用した例を示したが、平面内の
任意移動を可能とする限り、これに代えてリニアエンコ
ーダ付きのDCサーボモータやパルスモータ等任意の駆
動手段を選択可能である。Further, the horizontal movement positioning setting mechanism system 10a
Although an example in which a DC servomotor in which a rotary encoder is connected to a drive shaft is adopted as 10 to 10d, an arbitrary DC servomotor with a linear encoder, a pulse motor, or the like may be used instead as long as arbitrary movement in a plane is possible. Can be selected.
【0044】[0044]
【発明の効果】かくして本発明によれば、光波長に対し
選択的透過性を有するブラインドを具備したことによ
り、マスクアライメントマークがウェハ表面に転写され
ないので、その後のウェハ加工プロセスにおけるウェハ
表面でのレジストによる段差の発生やウェハアライメン
トマークの形状劣化を防止し、高品質な半導体チップの
製造を可能とする。As described above, according to the present invention, since the mask alignment mark is not transferred to the wafer surface by providing the blind having the selective transmittance to the light wavelength, the mask alignment mark is not transferred to the wafer surface in the subsequent wafer processing process. It prevents generation of steps due to the resist and deterioration of the shape of the wafer alignment mark, thereby enabling high-quality semiconductor chips to be manufactured.
【0045】また、マスクアライメントマークをブライ
ンド遮光凸部のみの最小限の面積で露光光を完全遮光す
るように限定したので、チップ領域の面積を最大限に活
用することが可能になる。さらに、ウェハアライメント
マークをチップ領域内に包含して形成可能であるので、
ウェハ表面における隣接するチップ領域との間隔を最小
限に抑制可能であり、一枚のウェハから得られるチップ
数が増加し、生産効率を高めることができる。Further, since the mask alignment mark is limited so as to completely shield the exposure light with the minimum area of only the blind light shielding convex portion, it is possible to make the most of the area of the chip region. Furthermore, since the wafer alignment mark can be formed so as to be included in the chip area,
The distance between adjacent chip regions on the wafer surface can be minimized, the number of chips obtained from one wafer increases, and the production efficiency can be improved.
【0046】露光作業中にもサーボ追従制御動作により
アライメント作業を同時に行うことが可能であり、露光
光にX線を用いた長時間の露光作業においてもマスクと
ウェハの位置合わせ精度が劣化せず、高精度なパターン
形成を可能とする。During the exposure operation, the alignment operation can be performed simultaneously by the servo follow-up control operation, and the alignment accuracy between the mask and the wafer does not deteriorate even in the long-time exposure operation using X-rays as the exposure light. , Enabling highly accurate pattern formation.
【0047】次の露光層に移行する際、凸部形成ブライ
ンドの遮光凸部のみを直線移動することにより、迅速か
つ容易に対応することができ、露光作業の容易性、簡便
性に優れる。When moving to the next exposure layer, only the light-shielding projections of the projection-forming blinds are moved linearly, so that it is possible to respond quickly and easily, and the exposing work is excellent in simplicity and simplicity.
【図1】本発明の実施例のブラインド装置の使用状態説
明平面図である。FIG. 1 is a plan view illustrating a use state of a blind device according to an embodiment of the present invention.
【図2】同上・正面図である。FIG. 2 is a front view of the same.
【図3】従来例のブラインド装置の使用状態説明平面図
である。FIG. 3 is a plan view illustrating a use state of a conventional blind device.
【図4】同上・正面図である。FIG. 4 is a front view of the same.
α,α’,α”…ブラインド装置 D…チップ領域 D’…マスキング領域 E…露光漏領域 L…露光光 L’…アライメント光 M1〜M3…マスクアライメントマーク W1〜W3,W1’〜W3’…ウェハアライメントマー
ク 1…ブラインド装置 2a〜2d,2a’〜2d’…ブラインド 3a〜3d…水平動位置決め設定機構系 4…マスクステージ 5…X線吸収体 6…ウェハステージ 7…ウェハ 8a〜8d…ブラインド 9a〜9c…遮光凸部 10a〜10d…水平動位置決め設定機構系 11…X線マスク 12…シリコン基板 13…メンブレン 14…X線吸収体 15…マウント.alpha., .alpha. ', .alpha. "Blind device D ... Chip region D' ... Masking region E ... Exposure leakage region L ... Exposure light L '... Alignment light M1 to M3 ... Mask alignment marks W1 to W3, W1' to W3 '... Wafer alignment mark 1 ... Blind device 2a-2d, 2a'-2d '... Blind 3a-3d ... Horizontal movement positioning setting mechanism system 4 ... Mask stage 5 ... X-ray absorber 6 ... Wafer stage 7 ... Wafer 8a-8d ... Blind 9a to 9c: Light-shielding projections 10a to 10d: Horizontal movement positioning setting mechanism system 11: X-ray mask 12: Silicon substrate 13: Membrane 14: X-ray absorber 15: Mount
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 雅則 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平3−11613(JP,A) 特開 平4−15907(JP,A) 特開 昭52−28874(JP,A) 特開 平5−36589(JP,A) 特開 平5−21320(JP,A) 特開 昭64−71123(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 9/00 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Masanori Suzuki 1-6, Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (56) References JP-A-3-11613 (JP, A) JP-A Heisei 4-15907 (JP, A) JP-A-52-28874 (JP, A) JP-A-5-36589 (JP, A) JP-A-5-21320 (JP, A) JP-A 64-71123 (JP, A) A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G03F 9/00
Claims (1)
わせするために用いるアライメント光は透過する選択的
透過性材質より構成され、ウェハ表面に形成されたウェ
ハアライメントマークに対する露光光の完全遮光に十分
かつ可及的に小さな面積を有する任意形状の遮光凸部を
形成し前記ウェハのチップ領域を囲撓する複数のブライ
ンドと、 当該複数のブラインドそれぞれを平面内位置決め移動自
在に駆動する水平動位置決め設定機構系とを具備したこ
とを特徴とするブラインド装置。An exposure light is shielded, and an alignment light used for aligning a mask and a wafer is made of a selectively transmissive material that passes therethrough. The exposure light is completely shielded from a wafer alignment mark formed on the wafer surface. A plurality of blinds forming a light-shielding projection having an area as small as possible and having an area as small as possible and surrounding the chip area of the wafer; and a horizontal movement for driving each of the plurality of blinds in a plane so as to be movable. A blind device comprising a positioning setting mechanism system.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1993
- 1993-06-25 JP JP15516193A patent/JP3230218B2/en not_active Expired - Fee Related
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