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JP3230566B2 - Wafer separation and transfer equipment - Google Patents
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JP3230566B2 - Wafer separation and transfer equipment - Google Patents

Wafer separation and transfer equipment

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JP3230566B2
JP3230566B2 JP4225196A JP4225196A JP3230566B2 JP 3230566 B2 JP3230566 B2 JP 3230566B2 JP 4225196 A JP4225196 A JP 4225196A JP 4225196 A JP4225196 A JP 4225196A JP 3230566 B2 JP3230566 B2 JP 3230566B2
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wafer
uppermost
support
separation
wafers
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昇 勝俣
昭博 仲山
豊和 原田
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株式会社日平トヤマ
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、多数枚積み重ねら
れた半導体ウエハ等のウエハを、一枚ずつ分離して搬送
するウエハの分離搬送装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for separating and transferring a plurality of stacked wafers such as semiconductor wafers one by one.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体ウエハ等は、シリコン等
の脆性材料よりなるインゴットを、例えばワイヤソーに
より所定厚さに切断加工して形成される。この切断方法
の一例について簡単に説明すると、図12(a)に示す
ように、インゴット100は円柱状をなし、その上面に
はカーボン101及び絶縁板102を含む支持板103
が貼着固定されている。インゴット100は、この支持
板103においてワイヤソー(図示せず)の加工部に装
着される。そして、図12(b)に示すように、インゴ
ット100が下降されながら、そのインゴット100が
ワイヤソーのワイヤ104と砥粒を含むスラリとにより
切断加工されて、多数枚のウエハ27が同時に形成され
る。
2. Description of the Related Art In general, a semiconductor wafer or the like is formed by cutting an ingot made of a brittle material such as silicon into a predetermined thickness using, for example, a wire saw. To briefly explain an example of this cutting method, as shown in FIG. 12A, the ingot 100 has a columnar shape, and a support plate 103 including a carbon 101 and an insulating plate 102 is provided on the upper surface thereof.
Is attached and fixed. The ingot 100 is mounted on a processing portion of a wire saw (not shown) on the support plate 103. Then, as shown in FIG. 12B, while the ingot 100 is lowered, the ingot 100 is cut by the wire 104 of the wire saw and the slurry containing abrasive grains, and a large number of wafers 27 are simultaneously formed. .

【0003】図13(a)に示すように、切断加工後に
おいてもウエハ27は支持板103に貼着された状態で
ある。このため、切断加工後にウエハ27は所定の剥離
手段によって支持板103から同時に剥離され、図13
(b)に示すように、多数枚積層された状態となる。し
かし、後工程の作業性を考慮すると、積層された状態の
ウエハ27を一枚ずつ分離する必要があるが、ウエハ2
7は非常に薄くかつ破損し易いものであるため、これを
一枚一枚分離するのは困難な作業である。
[0003] As shown in FIG. 13 (a), the wafer 27 is still attached to the support plate 103 even after cutting. Therefore, after the cutting, the wafer 27 is simultaneously peeled off from the support plate 103 by a predetermined peeling means.
As shown in (b), a large number of sheets are stacked. However, in consideration of the workability of the post-process, it is necessary to separate the stacked wafers 27 one by one.
Since 7 is very thin and easily broken, it is a difficult task to separate them one by one.

【0004】そのため、例えば特開平5−63058号
公報に示すようなウエハの分離搬送装置が従来より知ら
れている。図14に示すように、この分離搬送装置は、
積層された多数枚のウエハ27を支持した状態で上昇さ
せる送り装置106と、それらウエハ群の最上部に位置
するウエハ27を流体の噴射により他のウエハ27から
分離して搬送するノズル系107と、最上部のウエハ2
7の移動のみを許容してそれ以外のウエハ27の移動を
規制するストッパ108とを備えている。ノズル系10
7は、最上部のウエハ27を他のウエハ27から分離す
るための分離用ノズル109と、分離されたウエハ27
を搬送するための搬送用ノズル110とを有している。
[0004] For this reason, for example, a separation and transfer apparatus for a wafer as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-63058 has been conventionally known. As shown in FIG.
A feeding device 106 for raising the stacked number of wafers 27 in a supported state, a nozzle system 107 for separating the wafer 27 located at the top of the group of wafers from other wafers 27 by jetting a fluid, and transporting the wafer 27; , Top wafer 2
And a stopper 108 that allows only the movement of the wafer 7 and restricts the movement of the other wafer 27. Nozzle system 10
7 is a separation nozzle 109 for separating the uppermost wafer 27 from other wafers 27, and the separated wafer 27
And a transport nozzle 110 for transporting.

【0005】そして、ウエハ27を分離する際には、送
り装置106によりウエハ群が上昇されて、最上部のウ
エハ27がノズル系107と対向配置される。この状態
で、分離用ノズル109から最上部に位置する2枚のウ
エハ27の間に向けて流体が噴射されて、最上部のウエ
ハ27が持ち上げられるとともに、搬送用ノズル110
から噴射された流体によってそのウエハ27がストッパ
108の上縁を通って搬送される。このとき、最上部の
ウエハ27以外のウエハ27は、ストッパ108により
移動を規制されるので、最上部のウエハ27のみを1枚
ずつ分離して確実に搬送することができる。
When the wafer 27 is separated, the wafer group is raised by the feeding device 106, and the uppermost wafer 27 is arranged to face the nozzle system 107. In this state, a fluid is ejected from the separation nozzle 109 toward the uppermost two wafers 27 to lift the uppermost wafer 27 and to transfer the transfer nozzle 110.
The wafer 27 is conveyed through the upper edge of the stopper 108 by the fluid ejected from the. At this time, since the movement of the wafers 27 other than the uppermost wafer 27 is regulated by the stopper 108, only the uppermost wafer 27 can be separated one by one and transported reliably.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、図12
(b)に示すように、インゴット100の切断加工は、
支持板103とは反対側の部位を切断開始位置として、
支持板103に向かう方向に行われる。しかし、このよ
うに切断加工を行った場合には、例えば図13(a)に
示すように、インゴット100の切断開始側と終了側、
或いはワイヤ走行方向におけるワイヤ入口側と出口側等
では、切断開始側或いはワイヤ入口側ほどワイヤソーの
ワイヤ104によって大きく削り取られる。そして、切
断加工後に得られるウエハ27は、切断開始側或いはワ
イヤ入口側から切断終了側或いはワイヤ出口側に向かっ
てその厚さが徐々に大きくなる傾向にある。このような
ウエハ27の厚さの違いは、ウエハ27単体では問題に
ならない程度のものであるが、図13(b)に示すよう
に、ウエハ27を多数枚積層した場合には、その違いが
積算されて、最上部のウエハ27が水平面に対して傾い
た状態となってしまう。尚、実際には、ウエハ27の厚
さの違いは非常に小さいものであるが、この図13にお
いては、理解を容易にするため誇張して描いてある。
However, FIG.
As shown in (b), the ingot 100 is cut by:
The part on the opposite side to the support plate 103 is set as the cutting start position,
This is performed in a direction toward the support plate 103. However, when the cutting process is performed in this manner, for example, as shown in FIG.
Alternatively, on the wire entrance side and the exit side in the wire running direction, the larger the cutting start side or the wire entrance side, the larger the size of the wire 104 of the wire saw is removed. The thickness of the wafer 27 obtained after the cutting process tends to gradually increase from the cutting start side or the wire entrance side to the cutting end side or the wire exit side. Such a difference in the thickness of the wafer 27 is such that it does not matter when the wafer 27 is used alone. However, when a large number of wafers 27 are stacked as shown in FIG. The integration is performed, and the uppermost wafer 27 is inclined with respect to the horizontal plane. Although the difference in the thickness of the wafer 27 is actually very small, it is exaggerated in FIG. 13 for easy understanding.

【0007】従って、このようなウエハ27を前述した
従来の分離搬送装置における送り装置106上に載置し
た場合、図15に示すように、最上部のウエハ27がス
トッパ108の上縁に対して傾いた状態となることがあ
る。このような状態で、ウエハ27の分離動作が開始さ
れると、最上部のウエハ27がストッパ108に干渉し
て円滑に搬送されなくなるばかりか、ウエハ27がスト
ッパ108の上縁に対して傾いた状態で衝突して破損す
るおそれも生じる。しかも、分離用ノズル109から噴
射された流体が、最上部に位置する上下2枚のウエハ2
7の間に進入せず、分離用ノズル109による分離動作
を確実に行い得なくなるという問題があった。
Therefore, when such a wafer 27 is placed on the feeding device 106 in the above-described conventional separation and transfer device, the uppermost wafer 27 is moved with respect to the upper edge of the stopper 108 as shown in FIG. It may be tilted. In this state, when the separation operation of the wafer 27 is started, not only the uppermost wafer 27 interferes with the stopper 108 and is not smoothly transported, but also the wafer 27 is inclined with respect to the upper edge of the stopper 108. There is also a risk of collision and damage in the state. In addition, the fluid ejected from the separation nozzle 109 causes the upper and lower two wafers 2
7, there is a problem that the separation operation by the separation nozzle 109 cannot be performed reliably.

【0008】又、図16に示すように、ウエハ27を送
り装置106上に載置したとき、最上部のウエハ27が
搬送方向に向かって次第に高くなるように傾くこともあ
る。このような状態で、ウエハ27の分離動作が開始さ
れると、図16に2点鎖線で示すように、最上部のウエ
ハ27だけでなくその下に位置するウエハ27もストッ
パ108の上縁を通って搬送されてしまうおそれが生
じ、ウエハ27を1枚ずつ分離して確実に搬送すること
が困難になるという問題もあった。
Further, as shown in FIG. 16, when the wafer 27 is placed on the feeder 106, the uppermost wafer 27 may be inclined so as to be gradually higher in the transfer direction. In such a state, when the separation operation of the wafer 27 is started, as shown by a two-dot chain line in FIG. 16, not only the uppermost wafer 27 but also the wafer 27 located thereunder have the upper edge of the stopper 108 as well. There is also a problem that the wafer 27 may be conveyed through, and it is difficult to separate and transport the wafers 27 one by one.

【0009】本発明は、このような従来の技術に存在す
る問題点に着目してなされたものである。その目的とす
るところは、ウエハを損傷することなく一枚ずつ分離し
て搬出方向へ確実に搬送することができるウエハの分離
搬送装置を提供することにある。
The present invention has been made by paying attention to such problems existing in the prior art. It is an object of the present invention to provide a wafer separation and transfer apparatus that can separate wafers one by one without being damaged and transfer the wafers in the unloading direction without fail.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項1に記載の発明では、多数枚のウエハを積
層状態で支持するとともに、それらのウエハ群を積層状
態のまま上昇させる支持手段と、所定の分離位置に上昇
配置された最上部のウエハの上面に対し流体を噴射し
て、最上部のウエハを他のウエハから分離させる分離手
段と、その分離されたウエハを液流を利用して搬出方向
へ搬送する搬送手段と、前記最上部のウエハの搬出方向
への搬送のみを許容して、他のウエハの搬出方向への移
動を阻止するストッパとを備えたウエハの分離搬送装置
において、前記最上部のウエハがストッパに干渉しない
ようにかつ、他のウエハの搬出方向への移動がストッパ
によって阻止され得るように、前記ウエハ群の傾きを調
整するための傾き調整手段を設け、前記支持手段はウエ
ハ群を液中において積層支持しており、その支持手段に
よってウエハ群が上昇されるとき、ウエハの搬送方向の
下流側の斜上方からウエハ上面に対して液体を噴射し
て、ウエハの浮き上がりを防止する押さえ手段を設けた
ものである。
In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a large number of wafers are supported in a stacked state, and a group of these wafers is raised in a stacked state. Supporting means, separating means for injecting a fluid onto the upper surface of the uppermost wafer raised at a predetermined separation position to separate the uppermost wafer from other wafers, and flowing the separated wafer through a liquid flow A wafer separating means provided with a transfer means for transferring the uppermost wafer in the unloading direction and a stopper for preventing the other wafer from being moved in the unloading direction by utilizing In the transfer device, a tilt adjustment for adjusting the tilt of the wafer group so that the uppermost wafer does not interfere with the stopper and movement of another wafer in the unloading direction can be prevented by the stopper. Means provided, said support means weather
Group C is laminated and supported in the liquid.
Therefore, when the wafer group is lifted,
Liquid is sprayed onto the upper surface of the wafer from the obliquely upper downstream side.
Holding means for preventing the wafer from floating .

【0011】請求項2に記載の発明では、請求項1にお
いて、前記ストッパは、前記最上部のウエハの搬出方向
への搬送を許容するための上縁を有し、前記傾き調整手
段は、最上部のウエハがストッパの上縁に対してほぼ平
行になるように傾きを調整するものである。
In the invention described in claim 2, in claim 1, the stopper has an upper edge for allowing the uppermost wafer to be transferred in the unloading direction, and the inclination adjusting means includes The inclination is adjusted so that the upper wafer is substantially parallel to the upper edge of the stopper.

【0012】請求項3に記載の発明では、請求項2にお
いて、前記ストッパの上縁は水平面に対してほぼ平行に
設けられ、前記傾き調整手段は、最上部のウエハが水平
面に対してほぼ平行になるように傾きを調整するもので
ある。
According to a third aspect of the present invention, in the second aspect, the upper edge of the stopper is provided substantially parallel to a horizontal plane, and the inclination adjusting means is arranged so that the uppermost wafer is substantially parallel to the horizontal plane. The inclination is adjusted so that

【0013】請求項4に記載の発明では、請求項1〜3
のいずれかにおいて、前記傾き調整手段は、ウエハ群を
積層支持する支持面と、その支持面の水平面に対する傾
斜角度を調整するために、同支持面を傾動させる傾動機
構と、最上部のウエハの上面に対向配置され、そのウエ
ハの上面の傾きを検出する検出手段と、その検出手段に
よる検出結果に基づき前記傾動機構を制御する制御手段
とを含むものである。
According to the fourth aspect of the present invention, the first to third aspects are provided.
In any one of the above, the tilt adjustment means, a support surface for stacking and supporting the wafer group, a tilt mechanism for tilting the support surface to adjust the tilt angle of the support surface with respect to a horizontal plane, The apparatus includes a detecting unit that is arranged to face the upper surface and detects the inclination of the upper surface of the wafer, and a control unit that controls the tilting mechanism based on a detection result by the detecting unit.

【0014】請求項5に記載の発明では、請求項1〜3
のいずれかにおいて、前記傾き調整手段は、積層された
ウエハ群を傾動自在に支持する傾動支持体と、最上部の
ウエハの上面に対向配置され、そのウエハの上面に接触
して同ウエハが水平面に対して所定角度になるように規
制する規制手段とを含むものである。
According to the fifth aspect of the present invention, the first to third aspects are provided.
In any one of the above, the tilt adjusting means may include a tilting supporter that tiltably supports the stacked wafer group, and a tilting support that is disposed opposite to the upper surface of the uppermost wafer, and contacts the upper surface of the wafer so that the wafer is placed on a horizontal surface. And regulating means for regulating the angle to a predetermined angle.

【0015】請求項6に記載の発明では、請求項1〜5
のいずれかにおいて、前記分離手段は、最上部のウエハ
に直接接触して同ウエハを移動させる分離押出手段と、
該分離押出手段によりウエハ始動された後に同ウエ
ハの上面に対し、その中心から偏倚した位置に斜上方か
ら流体を噴射して、ウエハを一方向に回転させて他のウ
エハから分離させる回転手段とを含むものである。
[0015] According to the invention described in claim 6, in claims 1 to 5,
In any one of the separation means, separation extrusion means for directly moving the wafer in direct contact with the uppermost wafer,
After the wafer has been started by the separation pushing means rotating with respect to the upper surface of the wafer, which by ejecting fluid from obliquely above at a position offset from its center, the wafer is rotated in one direction to separate from the other wafer Means.

【0016】[0016]

【0017】請求項に記載の発明では、請求項1〜
のいずれかにおいて、前記支持手段の搬送方向の下流に
は、搬送手段により搬送されるウエハを案内するための
シュータを配置し、そのシュータの搬送方向の下流に
は、搬送されるウエハを一枚ずつ区分して収納するため
の複数の収納棚を有するカセットを配置したものであ
る。
In the invention described in claim 7 , claims 1 to 6 are provided.
In any one of the above, a shooter for guiding a wafer carried by the carrying means is arranged downstream of the supporting means in the carrying direction, and one wafer to be carried is provided downstream of the shooter in the carrying direction. In this case, a cassette having a plurality of storage shelves for storing each of the storage shelves is arranged.

【0018】従って、請求項1〜の発明は次のような
作用を奏する。請求項1の発明によれば、支持手段によ
り多数枚のウエハが積層状態で支持される。この状態
で、支持手段によりウエハ群が上昇されて、最上部のウ
エハが所定の分離位置に配置される。このとき、最上部
のウエハがストッパに干渉しないようにかつ、他のウエ
ハの搬出方向への移動がストッパによって阻止され得る
ように、傾き調整手段によってウエハ群の傾きが調整さ
れる。このため、最上部のウエハの上面に分離手段によ
って流体が噴射されたとき、その最上部のウエハは他の
ウエハから分離されるとともに、ストッパに干渉するこ
となく液流により搬出方向へ円滑に搬送され、他のウエ
ハはストッパによって搬出方向への移動を確実に阻止さ
れる。また、支持手段によってウエハ群が上昇されると
き、ウエハ上面に対して液体が噴射されることにより、
ウエハが液中で浮き上がることが防止される。
Accordingly, the first to seventh aspects of the invention have the following effects. According to the invention of claim 1, a large number of wafers are supported in a stacked state by the support means. In this state, the wafer group is raised by the support means, and the uppermost wafer is placed at a predetermined separation position. At this time, the inclination of the wafer group is adjusted by the inclination adjusting means so that the uppermost wafer does not interfere with the stopper and movement of another wafer in the unloading direction can be prevented by the stopper. For this reason, when the fluid is jetted onto the upper surface of the uppermost wafer by the separating means, the uppermost wafer is separated from the other wafers and is smoothly carried in the unloading direction by the liquid flow without interfering with the stopper. The other wafer is reliably prevented from moving in the unloading direction by the stopper. When the wafer group is lifted by the support means,
The liquid is sprayed onto the upper surface of the wafer,
The wafer is prevented from floating in the liquid.

【0019】請求項2の発明によれば、傾き調整手段に
よって、最上部のウエハがストッパの上縁に対してほぼ
平行になるように傾き調整が行われるので、最上部のウ
エハはストッパの上縁に干渉することなく、その上縁を
通して円滑に搬送される。
According to the second aspect of the present invention, the inclination is adjusted by the inclination adjusting means so that the uppermost wafer is substantially parallel to the upper edge of the stopper. It is transported smoothly through its upper edge without interfering with the edge.

【0020】請求項3の発明によれば、傾き調整手段に
よって、最上部のウエハが水平面に対してほぼ平行にな
るように傾き調整が行われるので、最上部のウエハは、
水平面に対してほぼ平行なストッパの上縁に干渉するこ
となく、その上縁を通してより円滑に搬送される。
According to the third aspect of the present invention, the inclination is adjusted by the inclination adjusting means so that the uppermost wafer is substantially parallel to the horizontal plane.
The stopper is transported more smoothly through the upper edge without interfering with the upper edge of the stopper substantially parallel to the horizontal plane.

【0021】請求項4の発明によれば、検出手段により
最上部のウエハの上面の傾きが検出されると、その検出
結果に基づき傾動機構が制御されて、支持面の水平面に
対する傾斜角度が調整される。その結果、支持面上に積
層支持されたウエハ群の傾きが正確に調整される。
According to the present invention, when the inclination of the upper surface of the uppermost wafer is detected by the detecting means, the tilting mechanism is controlled based on the detection result, and the inclination angle of the support surface with respect to the horizontal plane is adjusted. Is done. As a result, the inclination of the group of wafers stacked and supported on the support surface is accurately adjusted.

【0022】請求項5の発明によれば、ウエハ群は傾動
支持体によって傾動自在に支持されているので、その傾
きを容易に変更可能である。このため、最上部のウエハ
の上面が規制手段に接触するのに伴い、そのウエハは水
平面に対して所定角度になるように傾きを容易に変更さ
れる。
According to the fifth aspect of the present invention, since the wafer group is supported by the tilt support so as to be tiltable, the tilt can be easily changed. Therefore, as the upper surface of the uppermost wafer comes into contact with the regulating means, the inclination of the wafer can be easily changed so as to be at a predetermined angle with respect to the horizontal plane.

【0023】請求項6の発明によれば、支持手段により
ウエハ群が上昇されて、最上部のウエハが所定の分離位
置に配置されると、そのウエハが分離押出手段により移
動される。その後、ウエハの上面に対し斜上方から流体
が噴射されることにより、そのウエハが一方向に回転さ
れながら他のウエハから分離される。
According to the sixth aspect of the present invention, when the wafer group is lifted by the support means and the uppermost wafer is placed at a predetermined separating position, the wafer is moved by the separating and pushing means. Thereafter, the fluid is ejected from obliquely above the upper surface of the wafer, whereby the wafer is separated from other wafers while rotating in one direction.

【0024】[0024]

【0025】請求項の発明によれば、分離された一枚
のウエハは、シュータに沿って案内搬送された後、カセ
ットの各収納棚に個別に収納される。
According to the seventh aspect of the present invention, one separated wafer is guided and transported along the chute and then individually stored in each storage shelf of the cassette.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

(第1実施形態)以下、この発明の第1実施形態を、図
1〜図7に基づいて詳細に説明する。
(First Embodiment) Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.

【0027】図1及び図2に示すように、水槽11は上
面を開口した箱型に形成され、その内部には清浄水12
が貯留されている。液位調整手段としての仕切板13は
水槽11内の一側寄りに配設され、この仕切板13によ
り水槽11内の一側にオーバフロー室14が区画形成さ
れている。この仕切板13の上端を通って、水槽11内
の水12がオーバフロー室14内にオーバフローし、水
槽11内の水位121が一定に保たれる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the water tank 11 is formed in a box shape having an open upper surface, and a clean water 12 is provided therein.
Is stored. A partition plate 13 serving as a liquid level adjusting means is disposed near one side in the water tank 11, and the partition plate 13 defines an overflow chamber 14 on one side in the water tank 11. The water 12 in the water tank 11 overflows into the overflow chamber 14 through the upper end of the partition plate 13, and the water level 121 in the water tank 11 is kept constant.

【0028】複数の水供給口16は前記水槽11の底部
に形成され、これらの水供給口16から水槽11内に清
浄水12が供給される。水排出口17はオーバフロー室
14の底部に形成され、この水排出口17を通してオー
バフロー室14内の水12が外部に排出される。なお、
前記水槽11の底部にはドレン口151及びドレンバル
ブ152が設けられている。
A plurality of water supply ports 16 are formed at the bottom of the water tank 11, and the clean water 12 is supplied from the water supply ports 16 into the water tank 11. The water outlet 17 is formed at the bottom of the overflow chamber 14, and the water 12 in the overflow chamber 14 is discharged to the outside through the water outlet 17. In addition,
A drain port 151 and a drain valve 152 are provided at the bottom of the water tank 11.

【0029】各一対(合計4本)のガイドロッド18,
19は前記水槽11内に所定間隔をおいて立設されてい
る。そして、後述するウエハ27の搬出方向(オーバフ
ロー室14へ向かう方向)側に位置する一対のガイドロ
ッド19は、その上端が水位121よりもわずかに下方
に位置するように、搬出方向と反対側に位置する他の一
対のガイドロッド18よりも短く形成されている。
Each pair (a total of four) of the guide rods 18,
Reference numeral 19 stands upright in the water tank 11 at predetermined intervals. The pair of guide rods 19 located in the unloading direction (the direction toward the overflow chamber 14) of the wafer 27 described later are opposite to the unloading direction such that the upper ends thereof are located slightly below the water level 121. It is formed shorter than the other pair of guide rods 18 located.

【0030】第1昇降装置20は前記ガイドロッド1
8,19に対応して水槽11の外側に配設され、昇降板
21、ねじ22及びねじ22を回転させるためのサーボ
モータ(図示せず)を備えている。取付板23は水槽1
1内の水中に配置されるように、一対の吊下ロッド24
を介して昇降板21の下面に吊設され、軸受25を介し
てガイドロッド18に摺動可能に嵌挿されている。第1
〜第4パルスモータ521〜524はそれぞれ取付板2
3の下面に固着され、それらの駆動軸であるねじ53に
は雌ねじ54が螺着されている。モータ521〜524
は、水12の侵入を防ぐために、カバー55で覆われて
いる。昇降体56は雌ねじ54に固定され、それらの上
面には球面軸受561がそれぞれ形成されている。支持
台26はその下面に形成された球体57が球面軸受56
1に嵌合することにより、昇降体56上に4点において
支持されている。そして、各パルスモータ521〜52
4が駆動されることにより、ねじ53の作用により昇降
体56が昇降される。その結果、支持台26が傾動され
て、その上面に形成された支持面261の水平面に対す
る傾斜角度が調整される。この第1実施形態では、パル
スモータ521〜524、ねじ53、雌ねじ54及び昇
降体56により、支持面261の傾動機構76が構成さ
れている。
The first lifting device 20 is provided with the guide rod 1
A lifting / lowering plate 21, a screw 22, and a servomotor (not shown) for rotating the screw 22 are provided outside the water tank 11 corresponding to the positions 8 and 19. Mounting plate 23 is water tank 1
1 and a pair of suspension rods 24
And is slidably fitted to the guide rod 18 via a bearing 25. First
To the fourth pulse motors 521 to 524
A female screw 54 is screwed to a screw 53 serving as a drive shaft thereof. Motors 521 to 524
Is covered with a cover 55 to prevent water 12 from entering. The elevating body 56 is fixed to the female screw 54, and a spherical bearing 561 is formed on the upper surface thereof. The support base 26 has a spherical body 57 formed on the lower surface thereof and a spherical bearing 56.
By being fitted to the support 1, it is supported at four points on the elevating body 56. Then, each of the pulse motors 521 to 52
The lifting body 56 is moved up and down by the action of the screw 53 by driving the 4. As a result, the support 26 is tilted, and the tilt angle of the support surface 261 formed on the upper surface with respect to the horizontal plane is adjusted. In the first embodiment, the pulse motors 521 to 524, the screw 53, the female screw 54, and the elevating body 56 constitute a tilting mechanism 76 of the support surface 261.

【0031】シリコン等の脆性材料よりなり、円板状を
なす多数枚のウエハ27は、前記水槽11内の水中にお
いて各ガイドロッド18,19間に位置するように、支
持台26の支持面261上に積層状態で支持される。そ
して、第1昇降装置20のサーボモータが駆動されるこ
とにより、ねじ22の作用により昇降板21、吊下ロッ
ド24及び取付板23を介して支持台26が昇降され
る。そして、支持台26の上昇により多数枚のウエハ2
7がガイドロッド18,19に沿って所定量ずつ上昇さ
れ、最上部に位置する一枚のウエハ27が分離位置であ
る水位121付近に配置される。この第1実施形態で
は、ガイドロッド18,19、第1昇降装置20、吊下
ロッド24、取付板23及び支持台26により支持手段
が構成されている。
A large number of disk-shaped wafers 27 made of a brittle material such as silicon are supported on the support surface 261 of the support 26 so as to be located between the guide rods 18 and 19 in the water in the water tank 11. It is supported in a stacked state on top. Then, when the servomotor of the first lifting device 20 is driven, the support base 26 is raised and lowered by the operation of the screw 22 via the lifting plate 21, the suspension rod 24 and the mounting plate 23. Then, a large number of wafers 2 are
7 is raised by a predetermined amount along the guide rods 18 and 19, and one wafer 27 located at the uppermost position is arranged near the water level 121 which is the separation position. In the first embodiment, support means is constituted by the guide rods 18, 19, the first lifting / lowering device 20, the suspension rod 24, the mounting plate 23, and the support 26.

【0032】検出手段としての第1〜第4センサ281
〜284は最上部のウエハ27の上面と対向するよう
に、前記水槽11内に配設され、前記第1〜第4パルス
モータ521〜524と1対1で対応している。これら
センサ281〜284は一水平面上に配設されている。
そして、最上部のウエハ27が水位121付近まで上昇
されて、その上面が少なくとも1つのセンサ281〜2
84に接触したとき、接触したセンサ281〜284か
らオン信号が出力されて、制御手段としての制御装置5
8に入力される。制御装置58は、センサ281〜28
4からのオン信号を入力すると、第1昇降装置20のサ
ーボモータを停止させて、支持台26の上昇動作を停止
させる。
First to fourth sensors 281 as detecting means
284 are disposed in the water tank 11 so as to face the upper surface of the uppermost wafer 27, and correspond to the first to fourth pulse motors 521 to 524 on a one-to-one basis. These sensors 281 to 284 are arranged on a horizontal plane.
Then, the uppermost wafer 27 is raised to the vicinity of the water level 121, and the upper surface thereof is at least one of the sensors 281-2.
When a contact is made with the sensor 84, an ON signal is output from the sensors 281 to 284, and the control device 5 serving as control means is output.
8 is input. The control device 58 includes sensors 281 to 28
When the ON signal from 4 is input, the servomotor of the first lifting / lowering device 20 is stopped, and the lifting operation of the support 26 is stopped.

【0033】その後、制御装置58は、全てのセンサ2
81〜284をオンさせるべく、オンしていないセンサ
281〜284に対応するパルスモータ521〜524
をそれぞれ駆動して、昇降体56を上昇させる。その結
果、支持台26が傾動されて、最上部のウエハ27が水
平面に対して平行になるように、積層されたウエハ群の
傾きが調整される。つまり、第1〜第4センサ281〜
284は、最上部のウエハ27の最上昇位置を検出する
とともに、同ウエハ27の上面の水平面に対する傾きを
検出するためのものであり、制御装置58は、これらの
センサ281〜284による検出結果に基づき、第1昇
降装置20及び各パルスモータ521〜524を制御す
る。この第1実施形態では、支持台26、傾動機構7
6、センサ281〜284及び制御装置58により、傾
き調整手段が構成されている。
Thereafter, the control device 58 controls all the sensors 2
In order to turn on 81 to 284, pulse motors 521 to 524 corresponding to sensors 281 to 284 not turned on
Are respectively driven to raise the elevating body 56. As a result, the support 26 is tilted, and the tilt of the stacked wafer group is adjusted so that the uppermost wafer 27 is parallel to the horizontal plane. That is, the first to fourth sensors 281 to 281
Reference numeral 284 is for detecting the highest position of the uppermost wafer 27 and detecting the inclination of the upper surface of the wafer 27 with respect to the horizontal plane. The control device 58 controls the detection results of these sensors 281 to 284. Based on this, the first lifting device 20 and the pulse motors 521 to 524 are controlled. In the first embodiment, the support 26, the tilting mechanism 7
6, the sensors 281 to 284 and the control device 58 constitute an inclination adjusting means.

【0034】尚、第1〜第4センサ281〜284は、
ウエハ群の傾き調整の終了後、図示しない昇降機構によ
り、ウエハ27の検出位置から退避位置に上昇されて、
最上部のウエハ27から離間する。
The first to fourth sensors 281 to 284 are
After the adjustment of the inclination of the wafer group is completed, the wafer 27 is raised from the detection position of the wafer 27 to the retreat position by an elevating mechanism (not shown).
It is separated from the uppermost wafer 27.

【0035】次に、水位121付近まで上昇された最上
部のウエハ27を搬送する動作の初期において、同ウエ
ハ27を機械的に搬出方向へ一時的に移動させる分離押
出手段29について、図4〜図7に従って説明する。
Next, in the initial stage of the operation of transporting the uppermost wafer 27 raised to the vicinity of the water level 121, the separating and pushing means 29 for temporarily moving the wafer 27 mechanically in the unloading direction will be described with reference to FIGS. This will be described with reference to FIG.

【0036】図4〜図6に示すように、一方のガイドロ
ッド18にはブラケット30を介して支持ピン32が取
り付けられ、その支持ピン32には一方向クラッチ33
を介して円筒状をなす回転カム34が支持されている。
支持ピン32の上部には支持レバー35の基端部が水平
方向に回動可能に支持されている。支持レバー35はば
ね37により下方へ押圧付勢されている。支持レバー3
5には支持アーム38が固定され、その支持アーム38
の先端部には薄い板ばねよりなる接触子40が取り付け
られている。
As shown in FIGS. 4 to 6, a support pin 32 is attached to one of the guide rods 18 via a bracket 30, and the one-way clutch 33 is attached to the support pin 32.
A rotary cam 34 having a cylindrical shape is supported through the shaft.
A base end of a support lever 35 is supported on an upper portion of the support pin 32 so as to be rotatable in a horizontal direction. The support lever 35 is urged downward by a spring 37. Support lever 3
5, a support arm 38 is fixed.
A contact 40 made of a thin leaf spring is attached to the tip of the.

【0037】図7に示すように、前記回転カム34の上
端面には水平な第1カム面341と、該カム面341よ
りも低い水平な第2カム面342と、該カム面342に
続く傾斜状の第3カム面343とが全周に6個繰り返し
形成されている。そして、支持レバー35の基端下面に
形成された作動突起351が前記第1カム面341に対
応した状態では、前記接触子40が最上部のウエハ27
よりも上方に保持される。又、支持レバー35が約10
度反時計回り方向へ回動されると、作動突起351が第
2カム面342に落ち込んで、接触子40が前記最上部
のウエハ27より低い位置に保持される。さらに、作動
突起351が第3カム面343により持ち上げられる
と、接触子40が前記最上部のウエハ27より高い位置
に離間される。
As shown in FIG. 7, the upper end surface of the rotary cam 34 is connected to a horizontal first cam surface 341, a horizontal second cam surface 342 lower than the cam surface 341, and the cam surface 342. Six inclined third cam surfaces 343 are formed around the entire circumference. When the operation protrusion 351 formed on the lower surface of the base end of the support lever 35 corresponds to the first cam surface 341, the contact 40 is moved to the uppermost wafer 27.
Above. When the support lever 35 is about 10
When rotated in the counterclockwise direction, the operation protrusion 351 falls into the second cam surface 342, and the contact 40 is held at a position lower than the uppermost wafer 27. Further, when the operation protrusion 351 is lifted by the third cam surface 343, the contact 40 is separated to a position higher than the uppermost wafer 27.

【0038】前記支持レバー35は、図4に示すよう
に、常に所定角度(この第1実施形態ではほぼ60度)
の範囲で往復回動される。すなわち、支持レバー35が
ウエハ27を機械的に初期移動させる回転動作時には回
転カム34が一方向クラッチ33により所定位置に停止
された状態で、作動突起351がばね37の押圧力によ
りあるいはそれに抗して第1〜第3カム面341〜34
3を順次移動し、接触子40によるウエハ27の機械的
な始動を行う。始動完了後に支持レバー35を原位置へ
復帰する回転動作時には該レバー35の作動突起351
が第1カム面341と第3カム面343との境界に形成
された係止面344に係止された状態で該レバー35が
退避位置に逆回動される。このため、一方向クラッチ3
3の非接続状態により回転カム34は所定角度(ほぼ6
0度)回動され、次にウエハ27を機械的に始動させる
回転動作に備えられる。
As shown in FIG. 4, the support lever 35 is always at a predetermined angle (approximately 60 degrees in the first embodiment).
Is reciprocated in the range of. That is, when the support lever 35 is rotated to mechanically move the wafer 27 initially, the rotation projection 34 is stopped by the one-way clutch 33 at a predetermined position, and the operation projection 351 is pressed by or against the spring 37. First to third cam surfaces 341 to 34
3 is sequentially moved to mechanically start the wafer 27 by the contact 40. At the time of the rotation operation for returning the support lever 35 to the original position after the start is completed, the operation protrusion 351 of the lever 35
Is locked to a locking surface 344 formed at the boundary between the first cam surface 341 and the third cam surface 343, and the lever 35 is reversely rotated to the retracted position. For this reason, the one-way clutch 3
3, the rotation cam 34 is at a predetermined angle (approximately 6
(0 degree), and is ready for a rotating operation to mechanically start the wafer 27 next.

【0039】前記接触子40は薄い板ばねにより構成さ
れているので、機械的にウエハ27を始動させる場合に
は、図6に二点鎖線で示すように円弧状に湾曲される。
図4に示すように、前記ガイドロッド18の他方にはブ
ラケット41を介してシリンダ46の基端部が回動可能
に支持されている。このシリンダ46の往復動ロッド4
8の先端部は支持レバー35に連結されている。従っ
て、図4に示す実線の位置に支持アーム38が配置さ
れ、接触子40がウエハ27から離れた状態で、シリン
ダ46が作動されてロッド48により支持レバー35が
支持ピン32を中心に反時計回り方向へ回動される。す
ると、支持アーム38が同方向へ回動されて接触子40
がウエハ27に向かって移動され、ウエハ27が機械的
に始動される。
Since the contact 40 is constituted by a thin leaf spring, when the wafer 27 is started mechanically, it is curved in an arc shape as shown by a two-dot chain line in FIG.
As shown in FIG. 4, a base end of a cylinder 46 is rotatably supported on the other end of the guide rod 18 via a bracket 41. The reciprocating rod 4 of this cylinder 46
The tip of 8 is connected to the support lever 35. Therefore, the support arm 38 is arranged at the position indicated by the solid line in FIG. It is rotated in the direction of rotation. Then, the support arm 38 is rotated in the same direction, and the contact 40
Is moved toward the wafer 27, and the wafer 27 is mechanically started.

【0040】図1及び図2に示すように、ウエハ27の
浮き上がりを防止する押さえ手段としての第1水噴射ノ
ズル59はガイドロッド19間の上方に配設され、この
第1水噴射ノズル59により、最上部のウエハ27の上
面ほぼ中央に対し、搬出方向下流側の斜上方から水が噴
射されて、各ウエハ27の浮き上がりが防止される。
As shown in FIGS. 1 and 2, a first water injection nozzle 59 as a pressing means for preventing the wafer 27 from floating is disposed above the space between the guide rods 19. Water is sprayed obliquely upward from the downstream side in the unloading direction to substantially the center of the upper surface of the uppermost wafer 27 to prevent each wafer 27 from floating.

【0041】ウエハ27の回転手段及び搬送手段として
の第2水噴射ノズル60は前記ガイドロッド18間の上
方に配設され、前記第1水噴射ノズル59からの押さえ
用水の噴射を中断した状態で、この第2水噴射ノズル6
0により、水面位置のウエハ27の上面に対し、搬出方
向上流側の斜上方から水が噴射される。このとき、図2
に示すように、第2水噴射ノズル60からの水は、ウエ
ハ27の上面に対し、その中心から横方向に偏倚した位
置に向けて噴射され、その水流により最上部のウエハ2
7に図2の時計方向への回転力と搬出方向への推進力が
付与されて、そのウエハ27が下部2枚目以降のウエハ
27から分離されて搬送される。この実施形態では、前
記分離押出手段29と回転手段としての第2水噴射ノズ
ル60とにより、最上部のウエハを分離する分離手段7
5が構成されている。
A second water injection nozzle 60 as a rotating means and a transfer means for the wafer 27 is disposed above the space between the guide rods 18 in a state where the injection of the holding water from the first water injection nozzle 59 is interrupted. The second water injection nozzle 6
Due to 0, water is sprayed obliquely upward on the upstream side in the unloading direction onto the upper surface of the wafer 27 at the water level. At this time, FIG.
As shown in FIG. 7, the water from the second water jet nozzle 60 is jetted onto the upper surface of the wafer 27 toward a position deviated laterally from the center of the wafer 27, and the water flow causes the uppermost wafer 2 to flow.
7, a clockwise rotation force and a propulsion force in the unloading direction in FIG. 2 are applied, and the wafer 27 is separated from the second lower wafer 27 and transferred. In this embodiment, the separating and pushing means 29 and the second water jet nozzle 60 as a rotating means are used to separate the uppermost wafer from the separating means 7.
5 are configured.

【0042】仕切壁74は水槽11をその中央において
区画している。シュータ62は前記水中で水面121の
近傍に位置するように、前記仕切壁74の上端に固定さ
れ、搬出方向下流側に向かって所定角度(第1実施形態
では水平面に対し2度程度)で下降傾斜している。そし
て、搬送位置から搬送される一枚のウエハ27が、この
シュータ62に沿って搬出方向に案内誘導される。従っ
て、このシュータ62も搬送手段を構成している。そし
て、第1昇降装置20側の水供給口16から水槽11内
に供給された水12がシュータ62上を搬出方向に流れ
る。この水流が搬送流となり、ウエハ27の搬送作用が
促進される。
The partition wall 74 divides the water tank 11 at its center. The shooter 62 is fixed to the upper end of the partition wall 74 so as to be located near the water surface 121 in the water, and descends at a predetermined angle (about 2 degrees with respect to the horizontal plane in the first embodiment) toward the downstream side in the unloading direction. It is inclined. Then, one wafer 27 transferred from the transfer position is guided and guided along the shooter 62 in the unloading direction. Therefore, the shooter 62 also constitutes a transport unit. Then, the water 12 supplied into the water tank 11 from the water supply port 16 on the first elevating device 20 side flows on the shooter 62 in the carry-out direction. This water flow becomes a transfer flow, and the transfer operation of the wafer 27 is promoted.

【0043】前記シュータ62の搬出方向上流側の縁部
はウエハ27の形状に沿った円弧状をなしており、その
上縁621は、前記ガイドロッド19の上端と面一でか
つ水平面に対してほぼ平行となっている。本実施形態に
おいて、この上縁621及びガイドロッド19はストッ
パ77を構成している。このストッパ77は、前記最上
部のウエハ27の搬出方向への搬送のみを許容して、他
のウエハ27の搬出方向への移動を阻止するためのもの
であり、最上部のウエハ27のみが、シュータ62の上
縁621を通って搬出方向へ搬送されるようになってい
る。
An edge of the shooter 62 on the upstream side in the unloading direction is formed in an arc shape conforming to the shape of the wafer 27, and an upper edge 621 thereof is flush with the upper end of the guide rod 19 and with respect to a horizontal plane. They are almost parallel. In the present embodiment, the upper edge 621 and the guide rod 19 constitute a stopper 77. This stopper 77 allows only the transfer of the uppermost wafer 27 in the unloading direction and prevents the movement of another wafer 27 in the unloading direction. The chute 62 is conveyed in the unloading direction through the upper edge 621 thereof.

【0044】第5センサ63は前記シュータ62の搬出
方向下流側の端部の中央に配設され、ウエハ27の始端
部がシュータ62上まで搬送されたとき、この第5セン
サ63から制御装置58へ検出信号が出力される。そし
て、この第5センサ63からの検出信号に基づき、制御
装置58は第1昇降装置20を下降動作させて、支持台
26上のウエハ27を所定量下降させる。
The fifth sensor 63 is arranged at the center of the downstream end of the shooter 62 in the unloading direction. When the start end of the wafer 27 is transferred onto the shooter 62, the fifth sensor 63 controls the control device 58. The detection signal is output to Then, based on the detection signal from the fifth sensor 63, the control device 58 lowers the first elevating device 20 to lower the wafer 27 on the support 26 by a predetermined amount.

【0045】第2昇降装置64はシュータ62の下流側
に位置するように、水槽11の外側方向に傾斜状態で配
設され、昇降板65,ねじ66及びそのねじ66を回転
させるための図示しないサーボモータを備えている。支
持板67は水中に配置されるように、一対の吊下ロッド
68及び取付板69を介して昇降板65の下面に吊設さ
れている。そして、この支持板67は、その上面が搬出
方向に向かって次第に低くなるように、水平面に対して
所定角度で傾斜されている。
The second lifting / lowering device 64 is disposed at a position inclined to the outside of the water tank 11 so as to be located on the downstream side of the chute 62, and is not shown for rotating the lifting / lowering plate 65, the screw 66 and the screw 66. It has a servo motor. The support plate 67 is suspended from the lower surface of the elevating plate 65 via a pair of suspension rods 68 and a mounting plate 69 so as to be placed underwater. The support plate 67 is inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal plane so that the upper surface thereof becomes gradually lower in the carry-out direction.

【0046】前面を開口した箱型のカセット70は前記
支持板67上に着脱可能に支持され、その後面には透孔
71が形成されている。複数の収納棚72はカセット7
0内に上下方向へ所定間隔おきに配設され、シュータ6
2上から搬送されるウエハ27を、この収納棚72上へ
一枚ずつ区分して収納するようになっている。そして、
カセット70の収納棚72上にウエハ27が一枚ずつ収
納されるごとに、サーボモータの回転に基づくねじ66
の作用により第2昇降装置64が下降動作され、それに
よりカセット70が所定量ずつ下降されて、空の収納棚
72がシュータ62と対応する高さ位置に配置される。
前記収納棚72は水平でも良いが、入り口側が高く内奥
が低くなるように傾斜させて、収納されたウエハ27が
水の浮力や動圧力等により外部に誤って出るのを阻止す
るようにしても良い。
A box-shaped cassette 70 having an open front surface is detachably supported on the support plate 67, and a through hole 71 is formed in the rear surface. The plurality of storage shelves 72 are cassettes 7
0, and are arranged at predetermined intervals in the vertical direction.
The wafers 27 transported from above are stored one by one on the storage shelf 72. And
Each time the wafers 27 are stored one by one on the storage shelf 72 of the cassette 70, a screw 66 based on the rotation of the servomotor is used.
The lowering device 64 is moved downward by the action of, whereby the cassette 70 is lowered by a predetermined amount, and the empty storage shelf 72 is arranged at a height position corresponding to the shooter 62.
Although the storage shelf 72 may be horizontal, the storage shelf 72 is inclined so that the entrance side is high and the inside depth is low so that the stored wafers 27 are prevented from erroneously coming out due to buoyancy or dynamic pressure of water. Is also good.

【0047】一対の第6センサ73は前記水槽11内に
おいて仕切板13上に所定間隔をおいて配設され、ウエ
ハ27を格納する高さ位置の収納棚72に対向配置され
る。そして、シュータ62から搬送されるウエハ27が
収納棚72上の所定位置に収納されたとき、これらの第
6センサ73から制御装置58へ検出信号が出力され
る。この検出信号に基づき、制御装置58は、第2噴射
ノズル60からの水の噴射を停止させるとともに、第2
昇降装置64を下降動作させる。
The pair of sixth sensors 73 are arranged at predetermined intervals on the partition plate 13 in the water tank 11, and are opposed to a storage shelf 72 at a height position for storing the wafer 27. Then, when the wafer 27 transferred from the shooter 62 is stored at a predetermined position on the storage shelf 72, a detection signal is output from these sixth sensors 73 to the control device 58. Based on this detection signal, the control device 58 stops the water injection from the second injection nozzle 60 and
The lifting device 64 is moved down.

【0048】次に、前記のように構成されたウエハの分
離搬送装置の動作を説明する。さて、図12(b)に示
すように、シリコン等の脆性材料よりなるインゴット1
00は、ワイヤソーのワイヤ104により、同時に多数
枚のウエハ27に切断される。切断加工後に、ウエハ2
7は支持板103から同時に剥離されて、図13(b)
に示すように、多数枚積層された状態となる。
Next, the operation of the wafer separating / transporting apparatus configured as described above will be described. Now, as shown in FIG. 12B, an ingot 1 made of a brittle material such as silicon is used.
00 is simultaneously cut into many wafers 27 by the wire 104 of the wire saw. After cutting, the wafer 2
7 is simultaneously peeled off from the support plate 103, and FIG.
As shown in the figure, a large number of sheets are stacked.

【0049】そして、この第1実施形態のウエハの分離
搬送装置においては、装置の運転に先立って、ワイヤソ
ー等により切断加工された多数枚のウエハ27が、積層
状態のまま支持台26上に支持されて、水槽11の液体
12中に沈められる。又、空のカセット70が上昇位置
にある支持板67上に支持されて、最下段の収納棚72
がシュータ62と対向する。
In the wafer separating and transferring apparatus according to the first embodiment, prior to the operation of the apparatus, a large number of wafers 27 cut by a wire saw or the like are supported on a support 26 in a stacked state. Then, it is submerged in the liquid 12 in the water tank 11. Further, the empty cassette 70 is supported on the support plate 67 at the raised position, and the lowermost storage shelf 72 is
Faces the shooter 62.

【0050】このとき、例えば図3(a)に示すよう
に、支持台26上のウエハ群における最上部のウエハ2
7が、シュータ62の上縁621(言い換えれば水平
面)に対して傾いた状態であったとする。このような状
態で、装置の運転が開始されると、第1昇降装置20の
上昇動作により、支持台26上のウエハ27が上昇され
る。そして、図3(b)に示すように、最上部のウエハ
27が水位121付近まで上昇されて、その上面が少な
くとも1つのセンサ281〜284に接触すると、支持
台26の上昇動作が停止される。続いて、図3(c)に
示すように、オンしていないセンサ281〜284に対
応するパルスモータ521〜524の駆動により、支持
台26が傾動されて、全てのセンサ281〜284がオ
ンするように、言い換えれば最上部のウエハ27が水平
面に対して平行になるように、積層されたウエハ群の傾
きが正確に調整される。その結果、最上部のウエハ27
はシュータ62の上縁621に対して平行となり、水位
121付近においてストッパ77に干渉しない位置に配
置される。又、最上部のウエハ27以外のウエハ27
は、搬出方向への移動がストッパ77によって阻止され
得るように、そのストッパ77と係合する位置に配置さ
れる。尚、上記ウエハ27の上昇時及び傾き調整時に
は、第1噴射ノズル59から最上部のウエハ27の上面
に水が噴射されて、各ウエハ27の浮き上がりが防止さ
れる。
At this time, for example, as shown in FIG.
7 is inclined with respect to the upper edge 621 (in other words, a horizontal plane) of the shooter 62. When the operation of the apparatus is started in such a state, the wafer 27 on the support 26 is raised by the lifting operation of the first lifting / lowering apparatus 20. Then, as shown in FIG. 3B, when the uppermost wafer 27 is raised near the water level 121 and its upper surface contacts at least one of the sensors 281 to 284, the raising operation of the support 26 is stopped. . Subsequently, as shown in FIG. 3C, by driving the pulse motors 521 to 524 corresponding to the sensors 281 to 284 that are not turned on, the support 26 is tilted, and all the sensors 281 to 284 are turned on. In other words, in other words, the inclination of the stacked wafer group is accurately adjusted so that the uppermost wafer 27 is parallel to the horizontal plane. As a result, the uppermost wafer 27
Is arranged parallel to the upper edge 621 of the shooter 62 and at a position near the water level 121 so as not to interfere with the stopper 77. Also, wafers 27 other than the uppermost wafer 27
Is disposed at a position where it is engaged with the stopper 77 so that movement in the unloading direction can be prevented by the stopper 77. At the time of raising and tilting the wafer 27, water is sprayed from the first spray nozzle 59 onto the upper surface of the uppermost wafer 27 to prevent each wafer 27 from floating.

【0051】前記のように、最上部のウエハ27が水平
面に対して平行になるのに伴い、第1〜第4センサ28
1〜284がオンすると、パルスモータ521〜524
の駆動が停止されるとともに、センサ281〜284が
検出位置から退避位置に上昇されて、最上部のウエハ2
7から離間する。又、第1水噴射ノズル59からの水の
噴射が中断されるとともに、図4において分離押出手段
29のシリンダ46が作動されて、支持レバー35及び
支持アーム38が支持ピン32を中心に反時計回り方向
へ回動されて接触子40により最上部のウエハ27が機
械的な始動力を付与されて、搬出方向(図4の右方向)
へ移動される。
As described above, as the uppermost wafer 27 becomes parallel to the horizontal plane, the first to fourth sensors 28
When 1 to 284 are turned on, the pulse motors 521 to 524
Is stopped, and the sensors 281 to 284 are raised from the detection positions to the retreat positions, and the uppermost wafer 2 is moved.
Separated from 7. Further, while the injection of water from the first water injection nozzle 59 is interrupted, the cylinder 46 of the separating and pushing means 29 is operated in FIG. 4, and the support lever 35 and the support arm 38 are turned counterclockwise around the support pin 32. The wafer 27 at the uppermost portion is rotated by the contact member 40 to give a mechanical starting force, and is unloaded (rightward in FIG. 4).
Moved to

【0052】この始動力を付与された最上部のウエハ2
7に対し、第2水噴射ノズル60から水が噴射される。
このとき、噴射ノズル60からの水は、搬出方向と反対
側の斜上方からウエハ27の上面に対し、その中心より
偏倚した位置に向けて噴射される。従って、この噴射水
の水流により、最上部の一枚のウエハ27に回転力と推
進力が付与されて、そのウエハ27が2枚目以下のウエ
ハ27から確実に分離される。更に、水槽11内に配設
された超音波発振器61によって発生される縦波の作用
により、分離が促進される。
The uppermost wafer 2 provided with the starting force
7, water is injected from the second water injection nozzle 60.
At this time, the water from the spray nozzle 60 is sprayed onto the upper surface of the wafer 27 from a diagonally upper side opposite to the unloading direction toward a position deviated from the center. Accordingly, a rotational force and a propulsive force are applied to the uppermost one wafer 27 by the water flow of the blast water, and the wafer 27 is surely separated from the second and lower wafers 27. Further, separation is promoted by the action of longitudinal waves generated by the ultrasonic oscillator 61 disposed in the water tank 11.

【0053】加えて、最上部のウエハ27が分離されて
搬送方向に移動され始めると、分離のための噴射水が最
上部のウエハ27とその下部のウエハ27との間に進入
する。このため、分離動作がいっそう促進される。
In addition, when the uppermost wafer 27 is separated and starts to move in the transport direction, the jetting water for separation enters between the uppermost wafer 27 and the lower wafer 27. Therefore, the separating operation is further promoted.

【0054】前記最上部のウエハ27は、噴射ノズル6
0からの水の噴射に伴って発生される水流の推進力と、
シュータ62上を流れる水供給口16からの水流とによ
り、図1及び図2に矢印で示す搬出方向へシュータ62
を介して搬送される。そして、ウエハ27の始端部が第
5センサ63にさしかかると、その第5センサ63から
検出信号が出力される。この検出信号に基づき、第1昇
降装置20が下降することにより、支持台26上のウエ
ハ27が所定量下降する。
The uppermost wafer 27 is connected to the injection nozzle 6
The thrust of the water flow generated with the injection of water from 0;
The water flow from the water supply port 16 flowing over the chute 62 causes the chute 62 to move in the unloading direction indicated by the arrow in FIGS.
Conveyed through. When the start end of the wafer 27 reaches the fifth sensor 63, a detection signal is output from the fifth sensor 63. Based on this detection signal, the first elevating device 20 descends, so that the wafer 27 on the support 26 descends by a predetermined amount.

【0055】さらに、前記ウエハ27は水流の推進力等
により、シュータ62上から搬出方向に搬送され、カセ
ット70内の1つの収納棚72上に収納される。そし
て、ウエハ27の搬送に際しては、シュータ62が搬送
方向下流側に向かって下降傾斜しているため、その搬送
を円滑に行うことができる。この時、カセット70をシ
ュータ62以上に同方向に傾斜させた場合には、搬送さ
れてきたウエハ27はカセット70内に更にスムーズに
収納される。
Further, the wafer 27 is transported from the shooter 62 in the unloading direction by the propulsive force of the water flow or the like, and is stored on one storage shelf 72 in the cassette 70. When the wafer 27 is transferred, the shooter 62 is inclined downward toward the downstream side in the transfer direction, so that the transfer can be performed smoothly. At this time, if the cassette 70 is inclined in the same direction as the shooter 62 or more, the transferred wafer 27 is more smoothly stored in the cassette 70.

【0056】このように、ウエハ27が収納棚72上の
所定位置に収納配置されると、第6センサ73から検出
信号が出力される。そして、この検出信号に基づき、第
2水噴射ノズル60からの水の噴射が停止されるととも
に、押さえ用の第1水噴射ノズル59からの水の噴射が
再開される。それとともに、第2昇降装置64が下降
し、カセット70が所定量下降して、次段の空の収納棚
72がシュータ62と対応する高さ位置に配置される。
引き続き、第1〜第4センサ281〜284が退避位置
から検出位置に下降するとともに、第1昇降装置20が
上昇動作に移行して、最上部のウエハ27が第1〜第4
センサ281〜284で検出される水位121付近に配
置される。
When the wafer 27 is stored at a predetermined position on the storage shelf 72, a detection signal is output from the sixth sensor 73. Then, based on this detection signal, the injection of water from the second water injection nozzle 60 is stopped, and the injection of water from the first water injection nozzle 59 for holding is restarted. At the same time, the second elevating device 64 is lowered, the cassette 70 is lowered by a predetermined amount, and the next empty storage shelf 72 is arranged at a height position corresponding to the shooter 62.
Subsequently, the first to fourth sensors 281 to 284 move down from the retracted position to the detection position, and the first lifting / lowering device 20 shifts to a rising operation, and the uppermost wafer 27 is moved to the first to fourth positions.
It is arranged near the water level 121 detected by the sensors 281 to 284.

【0057】その後、前述したウエハ27の傾き調整、
分離及び搬送の動作が繰り返し行われ、支持台26上の
多数のウエハ27が最上部のものから一枚ずつ順に分離
されて搬出方向に搬送され、シュータ62上を経てカセ
ット70の収納棚72上へ個別に区分して収納される。
そして、カセット70の各収納棚72上にウエハ27が
すべて収納されたとき、第2昇降装置64の上昇動作に
より、カセット70が水槽11内の水中から水位121
上に上昇される。従って、カセット70を支持板67上
から取り外して、複数のウエハ27をカセット70とと
もに次工程等へ容易に移送することができる。
Thereafter, the inclination adjustment of the wafer 27 described above is performed.
The separation and transfer operations are repeatedly performed, and a large number of wafers 27 on the support 26 are separated one by one from the uppermost one in order and transferred in the unloading direction. To be stored separately.
Then, when all the wafers 27 are stored on the respective storage shelves 72 of the cassette 70, the cassette 70 is moved from the water in the water tank 11 to the water level 121 by the raising operation of the second lifting device 64.
Be raised up. Therefore, the cassette 70 can be removed from the support plate 67, and the plurality of wafers 27 can be easily transferred together with the cassette 70 to the next step or the like.

【0058】前述したカセット70へのウエハ27の収
納は、該カセット70を上昇しながら個別に行うように
してもよい。この場合には前述したカセット70を下降
しながらウエハ27を収納する方法に比較して、カセッ
ト70の昇降行程を少なくすることができ、ウエハ27
の搬出動作を迅速に行うことができる。なお、この場合
には水位121上に上昇されたウエハ27に図示しない
噴霧器から水を噴霧してもよい。
The above-described storage of the wafers 27 in the cassette 70 may be performed individually while raising the cassette 70. In this case, as compared with the method of storing the wafers 27 while lowering the cassette 70 described above, the vertical movement of the cassette 70 can be reduced, and
Can be quickly carried out. In this case, water may be sprayed on the wafer 27 raised above the water level 121 from a sprayer (not shown).

【0059】以上のように、この分離搬送装置において
は、多数枚のウエハ27を支持台26上に載置したとき
に、最上部のウエハ27がシュータ62の上縁62に対
して傾いた状態となっても、最上部のウエハ27の搬送
に先立って、その最上部のウエハ27がストッパ77に
干渉しないようにかつ、他のウエハ27の搬出方向への
移動がストッパ77によって阻止され得るように、支持
台26上のウエハ群の傾きが調整される。このため、最
上部のウエハ27は他のウエハ27から一枚ずつ分離さ
れるとともに、ストッパ77に干渉することなくシュー
タ62の上縁621を通して搬出方向へ円滑に搬送さ
れ、他のウエハ27はストッパ77に係合して搬出方向
への移動を確実に阻止される。従って、最上部のウエハ
27がシュータ62の上縁621に衝突して破損すると
いうこともない。
As described above, in this separation and transfer apparatus, when a large number of wafers 27 are placed on the support 26, the uppermost wafer 27 is inclined with respect to the upper edge 62 of the shooter 62. In this case, prior to the transfer of the uppermost wafer 27, the uppermost wafer 27 is prevented from interfering with the stopper 77, and the movement of another wafer 27 in the unloading direction can be prevented by the stopper 77. Then, the inclination of the wafer group on the support 26 is adjusted. Therefore, the uppermost wafer 27 is separated one by one from the other wafers 27, and is smoothly transported in the unloading direction through the upper edge 621 of the shooter 62 without interfering with the stopper 77. Engagement with 77 prevents movement in the carry-out direction without fail. Therefore, the uppermost wafer 27 does not collide with the upper edge 621 of the shooter 62 and is not damaged.

【0060】又、最上部のウエハ27は分離押出手段2
9によりまず機械的に始動力を与えられた後、その分離
及び搬送が水中で行われるため、摩擦力と表面張力によ
り分離抵抗の大きい始動時のウエハ27を確実に始動さ
せることができる。又、ウエハ27の搬送移動や、噴射
水流等により、ウエハ27が洗浄され、ウエハ27に付
着している切断加工時のスラリー等が洗い落とされる。
そして、ウエハ27の分離が一方向に向かう噴射水流に
より行われるため、装置の構成が簡単である。
Also, the uppermost wafer 27 is separated
First, after the starting force is mechanically applied by 9, the separation and transfer are performed in water, so that the starting wafer 27 having a large separation resistance can be reliably started by the frictional force and the surface tension. Further, the wafer 27 is washed by the transfer movement of the wafer 27, the jet water flow, or the like, and the slurry and the like adhered to the wafer 27 at the time of cutting are washed away.
Since the separation of the wafer 27 is performed by the jet water flowing in one direction, the configuration of the apparatus is simple.

【0061】又、この分離搬送装置においては、ウエハ
27の分離時以外のときは、噴射水流によりウエハ27
を押さえるようにしたので、水中にあるウエハ27の妄
動を防止して一枚ずつ分離することができる。しかも、
ウエハ27を押さえるのが水流なので、ウエハ27が傷
つくおそれもない。
In this separation and transfer apparatus, when the wafer 27 is not separated, the jet water flow causes the wafer 27 to be separated.
, The wafer 27 in the water can be prevented from being perturbed and separated one by one. Moreover,
Since the water current presses the wafer 27, the wafer 27 is not likely to be damaged.

【0062】なお、カセット70はウエハ27を一枚収
容するごとに下降して、収容されたウエハ27が水中に
没する。このため、ウエハ27の表面乾燥による異物の
こびり付きを防止できる。 (第2実施形態)次に、本発明を具体化した第2実施形
態を図8に基づいて説明する。尚、ここでは、前記第1
実施形態と異なる構成の部分を中心に説明する。
The cassette 70 is lowered every time one wafer 27 is stored, and the stored wafer 27 is submerged in water. For this reason, sticking of foreign matter due to drying of the surface of the wafer 27 can be prevented. (Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In addition, here, the first
A description will be given mainly of a configuration different from that of the embodiment.

【0063】さて、図8に示すように、この第2実施形
態では、傾動機構76の構成が前記第1実施形態とは異
なっている。即ち、この第2実施形態では、支持台26
が第1〜第4流体バッグ781〜784を介して取付板
23上に支持されている。各流体バッグ781〜784
内には図示しない供給装置よりエア等の気体や水等の液
体が配管79を介して供給されるようになっている。そ
して、制御装置58によって各流体バッグ781〜78
4内への流体の供給量が制御されることにより、支持台
26が傾動されて、支持面261の水平面に対する傾斜
角度が調整される。従って、この第2実施形態において
も、前記第1実施形態と同様な作用効果が得られる。 (第3実施形態)次に本発明を具体化した第3実施形態
を図9及び図10に基づいて説明する。尚、ここでは、
前記第1実施形態と異なる構成の部分を中心に説明す
る。
As shown in FIG. 8, in the second embodiment, the structure of the tilting mechanism 76 is different from that in the first embodiment. That is, in the second embodiment, the support 26
Are supported on the mounting plate 23 via the first to fourth fluid bags 781 to 784. Each fluid bag 781-784
A gas such as air and a liquid such as water are supplied through a pipe 79 from a supply device (not shown). The control device 58 controls each of the fluid bags 781 to 78.
The support base 26 is tilted by controlling the supply amount of the fluid into the inside 4, and the tilt angle of the support surface 261 with respect to the horizontal plane is adjusted. Therefore, in the second embodiment, the same operation and effect as those in the first embodiment can be obtained. (Third Embodiment) Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Here,
A description will be given mainly of a portion different from the first embodiment.

【0064】さて、図9に示すように、この第3実施形
態では、傾き調整手段の構成が前記第1実施形態とは異
なっている。即ち、この第3実施形態では、支持台26
が下面を開放された箱型形状をなし、取付板23上に載
置されている。支持台26と取付板23との間には1つ
の流体バッグ80が配置され、その内部には図示しない
供給装置よりエア等の気体や水等の液体が配管81を介
して供給されるようになっている。この第3実施形態で
は、支持台26及び流体バッグ80により、積層された
ウエハ群を傾動自在に支持する傾動支持体82が構成さ
れ、この傾動支持体82及び第1〜第4センサ281〜
284により傾き調整手段が構成されている。尚、この
第3実施形態では、第1〜第4センサ281〜284
は、最上部のウエハ27の上面に接触して同ウエハ27
が水平面に対して平行になるように規制する規制手段を
構成している。
As shown in FIG. 9, the third embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the inclination adjusting means. That is, in the third embodiment, the support 26
Has a box shape with an open lower surface, and is mounted on the mounting plate 23. One fluid bag 80 is arranged between the support base 26 and the mounting plate 23 so that a gas such as air or a liquid such as water is supplied through a pipe 81 from a supply device (not shown). Has become. In the third embodiment, the support base 26 and the fluid bag 80 form a tilt support 82 that tiltably supports the stacked wafer group, and the tilt support 82 and the first to fourth sensors 281 to 281.
284 constitutes a tilt adjusting means. In the third embodiment, the first to fourth sensors 281 to 284
Comes into contact with the upper surface of the uppermost wafer 27 and
Constitutes a restricting means for restricting so that it is parallel to a horizontal plane.

【0065】次に、この第3実施形態の動作を図10に
従って説明する。さて、図10(a)に示すように、多
数枚のウエハ27が支持台26上に積層支持された状態
で、装置の運転が開始されると、第1昇降装置20の上
昇動作により、支持台26上のウエハ27が上昇する。
そして、図10(b)に示すように、最上部のウエハ2
7が水位121付近まで上昇して、その上面が少なくと
も1つのセンサ281〜284に接触すると、支持台2
6の上昇動作が停止される。続いて、図10(c)に示
すように、制御装置58の制御により、全てのセンサ2
81〜284がオンするまで、流体バッグ80に対する
流体の供給が行われる。即ち、支持台26上のウエハ2
7は流体バッグ80によって傾動自在に支持されている
ので、その傾きを容易に変更可能であるとともに、最上
部のウエハ27はセンサ281〜284に接触すること
により、水平面に対して平行になるように規制される。
このため、流体バッグ80への流体の供給によって同バ
ッグ80が膨張するのに伴い、最上部のウエハ27の上
面が全てのセンサ281〜284に接触するように、言
い換えれば最上部のウエハ27が水平面に対して平行に
なるように、支持台26上のウエハ27の傾きが容易に
変更される。その結果、最上部のウエハ27はシュータ
62の上縁621に対して平行となり、この第3実施形
態においても、前記第1及び第2実施形態と同様な作用
効果が得られる。 (第4実施形態)次に、本発明を具体化した第4実施形
態を図11に基づいて説明する。尚、ここでは、前記第
1実施形態と異なる構成の部分を中心に説明する。
Next, the operation of the third embodiment will be described with reference to FIG. Now, as shown in FIG. 10A, when the operation of the apparatus is started in a state in which a large number of wafers 27 are stacked and supported on the support 26, the first elevating device 20 raises The wafer 27 on the table 26 rises.
Then, as shown in FIG. 10B, the uppermost wafer 2
7 rises to near the water level 121, and when its upper surface contacts at least one of the sensors 281 to 284, the support 2
6 is stopped. Subsequently, as shown in FIG. 10C, all the sensors 2 are controlled by the control device 58.
Until 81 to 284 are turned on, the supply of the fluid to the fluid bag 80 is performed. That is, the wafer 2 on the support 26
7 is tiltably supported by the fluid bag 80, the inclination can be easily changed, and the uppermost wafer 27 comes into contact with the sensors 281 to 284 so as to be parallel to the horizontal plane. Is regulated.
Therefore, as the fluid bag 80 is inflated by the supply of fluid to the fluid bag 80, the upper surface of the uppermost wafer 27 contacts all the sensors 281 to 284, in other words, the uppermost wafer 27 is The inclination of the wafer 27 on the support 26 is easily changed so as to be parallel to the horizontal plane. As a result, the uppermost wafer 27 is parallel to the upper edge 621 of the shooter 62, and the third embodiment has the same operation and effect as the first and second embodiments. (Fourth Embodiment) Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that, here, the description will be focused on portions having a configuration different from that of the first embodiment.

【0066】さて、図11に示すように、この第4実施
形態では、分離押出手段29の構成が前記第1実施形態
とは異なっている。即ち、水槽11には可動取付板95
が支持軸96により垂直面内で往復回動可能に支持され
ている。この取付板95は水槽11に固定した取付ケー
ス83に支持したボールねじ84の下端部に連結したU
クレビス85に対し連結ピン86により連結されてい
る。そして、昇降用のサーボモータ87によりボールね
じ84が昇降動作することによって、取付板95が昇降
動作する。この第4実施形態では、前記可動取付板9
5、ボールねじ84及びサーボモータ87等により回転
子90の昇降機構が構成されている。
As shown in FIG. 11, in the fourth embodiment, the structure of the separating and pushing means 29 is different from that of the first embodiment. That is, the movable mounting plate 95 is
Are supported by a support shaft 96 so as to be able to reciprocate in a vertical plane. The mounting plate 95 is connected to a lower end of a ball screw 84 supported by a mounting case 83 fixed to the water tank 11.
It is connected to the clevis 85 by a connecting pin 86. When the ball screw 84 moves up and down by the servo motor 87 for raising and lowering, the mounting plate 95 moves up and down. In the fourth embodiment, the movable mounting plate 9
5, the ball screw 84, the servomotor 87, and the like constitute an elevating mechanism of the rotor 90.

【0067】前記取付板95には回転軸88が軸受89
により回転可能に支持され、該回転軸88には回転子9
0が嵌合されている。又、前記取付板95には回転子用
のサーボモータ91が取り付けられ、その回転軸には駆
動プーリ92が固定され、前記回転軸88に固定した被
動プーリ93と前記駆動プーリ92との間にはベルト9
4が掛装されている。
A rotating shaft 88 is mounted on the mounting plate 95 with a bearing 89.
, And is rotatably supported by the rotor 9.
0 is fitted. Further, a servo motor 91 for a rotor is attached to the mounting plate 95, and a driving pulley 92 is fixed to a rotating shaft thereof, and a driven pulley 93 fixed to the rotating shaft 88 and the driven pulley 92 are provided. Is belt 9
4 is mounted.

【0068】従って、この第4実施形態では、最上部の
ウエハ27に機械的な始動力を付与する動作は、まず、
昇降用サーボモータ87を起動してボールねじ84を下
降すると、取付板95が支持軸96を中心に下方へ回動
され、回転子90がウエハ27の上面に接触される。次
に、サーボモータ91が起動されると、駆動プーリ9
2、ベルト94、被動プーリ93及び回転軸88を介し
て回転子90が回転され、ウエハ27は搬送方向に移動
される。次に、第2噴射ノズル60からウエハ27に向
かって水が噴射され、ウエハ27は第1実施形態と同様
にして搬送される。
Therefore, in the fourth embodiment, the operation of applying a mechanical starting force to the uppermost wafer 27 is firstly performed.
When the lifting / lowering servomotor 87 is activated and the ball screw 84 is lowered, the mounting plate 95 is rotated downward around the support shaft 96, and the rotor 90 is brought into contact with the upper surface of the wafer 27. Next, when the servo motor 91 is started, the drive pulley 9
2. The rotator 90 is rotated via the belt 94, the driven pulley 93, and the rotating shaft 88, and the wafer 27 is moved in the transfer direction. Next, water is sprayed from the second spray nozzle 60 toward the wafer 27, and the wafer 27 is transported in the same manner as in the first embodiment.

【0069】この第4実施形態では、回転子90により
ウエハ27に始動力が付与されるので、ウエハ27の始
動を確実に行うことができる。又、ウエハ27を積層支
持する支持台26が傾動機構76によって傾動されるこ
とにより、ウエハ27の傾きが調整されるので、その他
の作用効果は前記第1実施形態と同様である。
In the fourth embodiment, since a starting force is applied to the wafer 27 by the rotor 90, the starting of the wafer 27 can be performed reliably. Further, the tilt of the wafer 27 is adjusted by tilting the support 26 that supports the stacked wafers 27 by the tilting mechanism 76, and the other effects are the same as those of the first embodiment.

【0070】この発明は、例えば次のように変更して具
体化することも可能である。 (1)前記各実施形態では4つのセンサ281〜284
が設けられていたが、これを3つのセンサとすること。
又、それに応じて、第1及び第4実施形態における傾動
機構76のパルスモータ521〜524を3つとすると
ともに、第2実施形態における流体バッグ781〜78
4を3とすること。
The present invention can be embodied with the following modifications, for example. (1) Four sensors 281 to 284 in each of the above embodiments
Was provided, but this should be three sensors.
Accordingly, the number of the pulse motors 521 to 524 of the tilt mechanism 76 in the first and fourth embodiments is reduced to three, and the fluid bags 781 to 78 in the second embodiment are also provided.
Change 4 to 3.

【0071】(2)最上部のウエハ27が搬出方向に向
かって次第に低くなるように水平面に対して所定角度
(1〜3度程度)で傾斜するように、ウエハ27の傾き
を調整するように構成すること。このようにすれば、最
上部のウエハ27がより円滑に搬送される。
(2) The inclination of the wafer 27 is adjusted so that the uppermost wafer 27 is inclined at a predetermined angle (about 1 to 3 degrees) with respect to a horizontal plane so that the uppermost wafer 27 becomes gradually lower in the unloading direction. To configure. By doing so, the uppermost wafer 27 is transported more smoothly.

【0072】(3)最上部のウエハ27は完全に水に没
する状態、上面のみが水面から露出する状態、あるいは
ウエハの下面の高さと水面とが一致する状態の何れでも
よい
(3) The uppermost wafer 27 is completely submerged in water.
Condition, only the top surface is exposed from the water surface, or
In any state where the height of the lower surface of the wafer matches the water surface
Good .

【0073】(4)水排出口17から排出される水を濾
過して再度水供給口16を介して水槽11内に供給する
ように構成すること。 (5)最上部のウエハ27を回転させることなく、分
離、搬送すること。
(4) The water discharged from the water discharge port 17 is filtered and supplied again into the water tank 11 through the water supply port 16. (5) Separating and transporting the uppermost wafer 27 without rotating it.

【0074】[0074]

【0075】[0075]

【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るため、次のような効果を奏する。請求項1に記載の発
明によれば、ウエハを損傷することなく一枚ずつ分離し
て搬出方向へ確実に搬送することができる。また、ウエ
ハが液中で浮き上がることが防止される。
The present invention is configured as described above, and has the following effects. According to the first aspect of the present invention, the wafers can be separated one by one without being damaged and can be reliably transported in the unloading direction. Also,
C is prevented from floating in the liquid.

【0076】請求項2に記載の発明によれば、最上部の
ウエハはストッパの上縁に干渉することなく、その上縁
を通して円滑に搬送される。請求項3に記載の発明によ
れば、最上部のウエハは、水平面に対してほぼ平行なス
トッパの上縁に干渉することなく、その上縁を通してよ
り円滑に搬送される。
According to the second aspect of the present invention, the uppermost wafer is smoothly transferred through the upper edge without interfering with the upper edge of the stopper. According to the third aspect of the present invention, the uppermost wafer is transported more smoothly through the upper edge without interfering with the upper edge of the stopper substantially parallel to the horizontal plane.

【0077】請求項4に記載の発明によれば、最上部の
ウエハの上面の傾きに応じて傾動機構が制御されて、支
持面の水平面に対する傾斜角度が調整され、その結果、
支持面上に積層支持されたウエハ群の傾きが正確に調整
される。
According to the fourth aspect of the present invention, the tilting mechanism is controlled in accordance with the tilt of the upper surface of the uppermost wafer, and the tilt angle of the support surface with respect to the horizontal plane is adjusted.
The inclination of the wafer group stacked and supported on the support surface is accurately adjusted.

【0078】請求項5に記載の発明によれば、最上部の
ウエハの上面が規制手段に接触するのに伴い、そのウエ
ハは水平面に対して所定角度になるように傾きを容易に
変更される。
According to the fifth aspect of the present invention, as the upper surface of the uppermost wafer comes into contact with the regulating means, the inclination of the uppermost wafer is easily changed to a predetermined angle with respect to the horizontal plane. .

【0079】請求項6に記載の発明によれば、最上部の
ウエハを確実に始動させることができるとともに、その
最上部のウエハを回転させながら、一枚ずつ他のウエハ
から分離して確実に搬送できる。
According to the sixth aspect of the present invention, the uppermost wafer can be reliably started, and the uppermost wafer can be separated from other wafers one by one while rotating the uppermost wafer. Can be transported.

【0080】求項に記載の発明によれば、ウエハを
シュータに沿って円滑に案内搬送することができるとと
もに、そのウエハをカセット内の各収納棚に一枚ずつ区
分して容易に収納することができる。
[0080] According to the invention described in Motomeko 7, it is possible to smoothly guided conveyed along a wafer chute, easily stored and classified one by one the wafer in each storage shelf in the cassette can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 ウエハの分離搬送装置の第1実施形態を示す
縦断面図。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a first embodiment of a wafer separation and transfer device.

【図2】 その分離搬送装置の平断面図。FIG. 2 is a cross-sectional plan view of the separation and transport device.

【図3】 ウエハの傾き調整時における動作を示す説明
図。
FIG. 3 is an explanatory view showing an operation at the time of adjusting the inclination of the wafer.

【図4】 分離押出手段の一部破断平面図。FIG. 4 is a partially cutaway plan view of the separating and pushing means.

【図5】 分離押出手段の一部省略正面図。FIG. 5 is a partially omitted front view of the separating and pushing means.

【図6】 図5の6−6線断面図。FIG. 6 is a sectional view taken along line 6-6 in FIG. 5;

【図7】 回転カム及び支持レバーの分解斜視図。FIG. 7 is an exploded perspective view of a rotating cam and a support lever.

【図8】 分離搬送装置の第2実施形態を示す部分断面
図。
FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing a second embodiment of the separation and transport device.

【図9】 分離搬送装置の第3実施形態を示す部分断面
図。
FIG. 9 is a partial cross-sectional view illustrating a third embodiment of the separation and transport device.

【図10】 ウエハの傾き調整時における動作を示す説
明図。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing an operation at the time of adjusting the inclination of the wafer.

【図11】 分離搬送装置の第4実施形態を示す部分斜
視図。
FIG. 11 is a partial perspective view showing a fourth embodiment of the separation and transport device.

【図12】 (a)は支持板に支持されたインゴットを
示す斜視図、(b)はそのインゴットの切断加工動作を
示す部分斜視図。
12A is a perspective view showing an ingot supported by a support plate, and FIG. 12B is a partial perspective view showing a cutting operation of the ingot.

【図13】 (a)は切断加工後のウエハを示す正面
図、(b)はそのウエハを支持板から剥離した状態を示
す正面図。
FIG. 13A is a front view showing a wafer after cutting, and FIG. 13B is a front view showing a state where the wafer is peeled off from a support plate.

【図14】 従来の分離搬送装置を示す正断面図。FIG. 14 is a front sectional view showing a conventional separation and transport device.

【図15】 従来の分離搬送装置において、送り装置上
にウエハを載置した状態を示す部分断面図。
FIG. 15 is a partial cross-sectional view showing a state where a wafer is placed on a feeder in a conventional separation and transfer device.

【図16】 従来の分離搬送装置において、送り装置上
にウエハを載置した状態を示す部分断面図。
FIG. 16 is a partial cross-sectional view showing a state where a wafer is placed on a feeding device in a conventional separation and transfer device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…水槽、12…水、121…水面、18,19…支
持手段及びストッパを構成するガイドロッド、20…支
持手段を構成する第1昇降装置、23…支持手段を構成
する取付板、26…支持手段及び傾き調整手段を構成す
る支持台、261…支持面、27…ウエハ、281〜2
84…検出手段、規制手段及び傾き調整手段を構成する
第1〜第4センサ、29…分離押出手段、521〜52
4…傾動機構を構成する第1〜第4パルスモータ、53
…傾動機構を構成するねじ、54…傾動機構を構成する
雌ねじ、56…傾動機構を構成する昇降体、58…制御
手段としての制御装置、59…押え手段としての第1噴
射ノズル、60…回転手段及び搬送手段を構成する第2
水噴射ノズル、62…ストッパ及び搬送手段を構成する
シュータ、621…上縁、64…第2昇降装置、67…
支持板、70…カセット、72…収納棚、75…分離押
出手段29と第2水噴射ノズル60とにより構成された
分離手段、76…傾き調整手段を構成する傾動機構、7
7…ストッパ、781〜784…傾動機構を構成する流
体バッグ、80…傾動支持体を構成する流体バッグ、8
2…傾動支持体。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Water tank, 12 ... Water, 121 ... Water surface, 18, 19 ... Guide rod which comprises a support means and a stopper, 20 ... 1st raising / lowering apparatus which comprises a support means, 23 ... Mounting plate which comprises a support means, 26 ... A support table which constitutes the support means and the tilt adjustment means, 261: support surface, 27: wafer, 281-2
84... First to fourth sensors constituting detecting means, regulating means and tilt adjusting means, 29.
4. First to fourth pulse motors constituting a tilting mechanism, 53
... Screw constituting a tilting mechanism, 54 ... Female screw constituting a tilting mechanism, 56 ... Elevating body constituting a tilting mechanism, 58 ... Control device as a control means, 59 ... First injection nozzle as a holding means, 60 ... Rotation Means and a second means of transport means
Water injection nozzle, 62: Shooter constituting stopper and transfer means, 621: Upper edge, 64: Second elevating device, 67:
Support plate, 70 cassette, 72 storage shelf, 75 separating means constituted by separation pushing means 29 and second water injection nozzle 60, 76 tilting mechanism constituting tilt adjusting means, 7
7: Stopper, 781-784: Fluid bag forming tilt mechanism, 80: Fluid bag forming tilt support, 8
2. Tilt support.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−63058(JP,A) 特開 平4−154144(JP,A) 特開 平2−25028(JP,A) 特開 平8−250570(JP,A) 特開 昭57−141331(JP,A) 特開 平1−139441(JP,A) 実開 昭55−54299(JP,U) 実開 昭59−145034(JP,U) 特公 昭42−21711(JP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/68 H01L 21/304 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-5-63058 (JP, A) JP-A-4-154144 (JP, A) JP-A-2-25028 (JP, A) JP-A-8- 250570 (JP, A) JP-A-57-141331 (JP, A) JP-A-1-139441 (JP, A) JP-A 55-54299 (JP, U) JP-A 59-145034 (JP, U) JP-B-42-21711 (JP, B1) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/68 H01L 21/304

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 多数枚のウエハを積層状態で支持すると
ともに、それらのウエハ群を積層状態のまま上昇させる
支持手段と、 所定の分離位置に上昇配置された最上部のウエハの上面
に対し流体を噴射して、最上部のウエハを他のウエハか
ら分離させる分離手段と、 その分離されたウエハを液流を利用して搬出方向へ搬送
する搬送手段と、 前記最上部のウエハの搬出方向への搬送のみを許容し
て、他のウエハの搬出方向への移動を阻止するストッパ
とを備えたウエハの分離搬送装置において、 前記最上部のウエハがストッパに干渉しないようにか
つ、他のウエハの搬出方向への移動がストッパによって
阻止され得るように、前記ウエハ群の傾きを調整するた
めの傾き調整手段を設け 前記支持手段はウエハ群を液中において積層支持してお
り、その支持手段によってウエハ群が上昇されるとき、
ウエハの搬送方向の下流側の斜上方からウエハ上面に対
して液体を噴射して、ウエハの浮き上がりを防止する押
さえ手段を設けた ウエハの分離搬送装置。
1. A supporting means for supporting a large number of wafers in a stacked state and for raising the group of the wafers in a stacked state, and a fluid for an upper surface of an uppermost wafer arranged at a predetermined separation position. Separation means for injecting the uppermost wafer from other wafers, transporting means for transporting the separated wafer in the unloading direction using a liquid flow, and in the unloading direction of the uppermost wafer. And a stopper for preventing the movement of another wafer in the unloading direction by allowing only the transfer of the other wafer, so that the uppermost wafer does not interfere with the stopper, and as movement in the unloading direction can be blocked by the stopper, the tilt adjustment means for adjusting the inclination of the wafer group provided, said support means contact by stacking supports the wafer group in the liquid
When the wafer group is lifted by the supporting means,
The upper surface of the wafer is inclined from obliquely downstream in the wafer transfer direction.
And eject the liquid to prevent the wafer from lifting.
Separation and transfer device for wafers provided with even means .
【請求項2】 前記ストッパは、前記最上部のウエハの
搬出方向への搬送を許容するための上縁を有し、前記傾
き調整手段は、最上部のウエハがストッパの上縁に対し
てほぼ平行になるように傾きを調整するものである請求
項1に記載のウエハの分離搬送装置。
2. The stopper according to claim 1, wherein the stopper has an upper edge for allowing the uppermost wafer to be transported in the unloading direction. 2. The wafer separation and transfer apparatus according to claim 1, wherein the inclination is adjusted so as to be parallel.
【請求項3】 前記ストッパの上縁は水平面に対してほ
ぼ平行に設けられ、前記傾き調整手段は、最上部のウエ
ハが水平面に対してほぼ平行になるように傾きを調整す
るものである請求項2に記載のウエハの分離搬送装置。
3. An upper edge of the stopper is provided substantially parallel to a horizontal plane, and the tilt adjusting means adjusts the tilt so that the uppermost wafer is substantially parallel to the horizontal plane. Item 3. A wafer separation and transfer device according to Item 2.
【請求項4】 前記傾き調整手段は、ウエハ群を積層支
持する支持面と、 その支持面の水平面に対する傾斜角度を調整するため
に、同支持面を傾動させる傾動機構と、 最上部のウエハの上面に対向配置され、そのウエハの上
面の傾きを検出する検出手段と、 その検出手段による検出結果に基づき前記傾動機構を制
御する制御手段とを含む請求項1〜3のいずれかに記載
のウエハの分離搬送装置。
4. The tilt adjusting means includes: a support surface for stacking and supporting a group of wafers; a tilt mechanism for tilting the support surface to adjust a tilt angle of the support surface with respect to a horizontal plane; It is opposed to the upper surface, according to a detection means for detecting the inclination of the upper surface of the wafer, or Re claims 1-3 noise and a control means for controlling the tilting mechanism based on the detection result by the detection means Wafer transfer equipment.
【請求項5】 前記傾き調整手段は、積層されたウエハ
群を傾動自在に支持する傾動支持体と、 最上部のウエハの上面に対向配置され、そのウエハの上
面に接触して同ウエハが水平面に対して所定角度になる
ように規制する規制手段とを含む請求項1〜3のいずれ
かに記載のウエハの分離搬送装置。
5. The tilt adjusting means includes: a tilt support for tiltably supporting a stacked wafer group; and a tilt support member disposed to face an upper surface of an uppermost wafer, and the upper surface of the wafer is brought into contact with the upper surface of the wafer so that the wafer is in a horizontal plane. 4. A wafer separating and transferring apparatus according to claim 1, further comprising a restricting means for restricting the wafer to a predetermined angle with respect to the wafer.
【請求項6】 前記分離手段は、最上部のウエハに直接
接触して同ウエハを移動させる分離押出手段と、該分離押出手段により ウエハ始動された後に同ウエ
ハの上面に対し、その中心から偏倚した位置に斜上方か
ら流体を噴射して、ウエハを一方向に回転させて他のウ
エハから分離させる回転手段とを含む請求項1〜5のい
ずれかに記載のウエハの分離搬送装置。
6. The separation means for separating and moving the wafer by directly contacting the uppermost wafer, and after the wafer is started by the separation and extrusion means , the upper surface of the wafer is positioned at the center thereof. 6. A wafer separating and conveying apparatus according to claim 1, further comprising: a rotating means for injecting a fluid obliquely from above to a position deviated from, and rotating the wafer in one direction to separate the wafer from another wafer.
【請求項7】 前記支持手段の搬送方向の下流には、搬
送手段により搬送されるウエハを案内するためのシュー
タを配置し、そのシュータの搬送方向の下流には、搬送
されるウエハを一枚ずつ区分して収納するための複数の
収納棚を有するカセットを配置した請求項1〜6のいず
れかに記載のウエハの分離搬送装置。
7. A transport device is provided downstream of the support means in the transport direction.
Shoe for guiding a wafer conveyed by the transfer means
The chute is placed downstream of the chute in the conveyance direction.
To store separated wafers one by one
7. The wafer separation and transfer device according to claim 1 , wherein a cassette having a storage shelf is arranged .
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