JP3230673B2 - High frequency circulator and method of manufacturing the same - Google Patents
High frequency circulator and method of manufacturing the sameInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は高周波、特にミリ波
以上の周波数帯で使用されるサーキュレータおよびその
製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circulator for use in a high frequency band, especially a frequency band of a millimeter wave or higher, and a method of manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】高周波数帯域で使用される非可逆回路素
子として、層状に形成されたマイクロストリップ型サー
キュレータがある。従来の高周波用のマイクロストリッ
プ型サーキュレータ(特願平10−237427、特願
平11−003464)の平面図および横断面図を図
8、9に示す。図8において、絶縁層21の中央部に
は、円板状のフェライト22が組み込まれている。この
フェライト22が組み込まれた絶縁層21の一方の面に
GND層24が形成され、他方の面にSIG回路23が
形成されている。SIG回路23は、フェライト22の
上の円形部と、この円形部から放射状に形成された3つ
の線路部とを有している。この線路部はマイクロストリ
ップライン型の信号の伝達経路を形成しており、円形部
はフェライト22の磁性による非可逆回路を形成してい
る。非可逆特性を得るために、フェライト22には磁界
が発生させられている。図9は、GND層24とSIG
回路23の間を単層のフェライト22のみにより構成し
た例を示している。この高周波用のマイクロストリップ
型サーキュレータでは、フェライト22は厚さ0.1m
m程度の板状のものが使用される。2. Description of the Related Art As a non-reciprocal circuit device used in a high frequency band, there is a microstrip type circulator formed in a layer. FIGS. 8 and 9 show plan views and cross-sectional views of conventional high-frequency microstrip circulators (Japanese Patent Application Nos. 10-237427 and 11-003464). In FIG. 8, a disc-shaped ferrite 22 is incorporated in the center of the insulating layer 21. The GND layer 24 is formed on one surface of the insulating layer 21 in which the ferrite 22 is incorporated, and the SIG circuit 23 is formed on the other surface. The SIG circuit 23 has a circular portion on the ferrite 22 and three line portions formed radially from the circular portion. This line portion forms a microstrip line type signal transmission path, and the circular portion forms a non-reciprocal circuit due to the magnetism of the ferrite 22. In order to obtain irreversible characteristics, a magnetic field is generated in the ferrite 22. FIG. 9 shows the GND layer 24 and the SIG
An example is shown in which the space between the circuits 23 is composed of only a single-layer ferrite 22. In this high frequency microstrip circulator, the ferrite 22 has a thickness of 0.1 m.
A m-shaped plate is used.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】この高周波用のマイク
ロストリップ型サーキュレータは、高周波数帯域の信号
を伝達するため、マイクロストリップラインを形成する
SIG回路とGNDとの間隔を、比較的低周波数の周波
数帯域で使用されるものに比べて狭くする必要がある。
したがって、SIG回路とGNDの間のフェライト板の
厚さを薄くする必要がある。フェライト板の厚さが0.
1mm程度であるとフェライト板の強度が弱くなり、サ
ーキュレータの作製工程やこのサーキュレータを搭載す
るMIC(マイクロ波集積回路)モジュールの組立て工
程でしばしばフェライト板に割れが発生する。このよう
に、従来のサーキュレータには、頻繁に割れあるいはカ
ケが起きていた。This high-frequency microstrip circulator transmits a signal in a high frequency band. Therefore, the distance between the SIG circuit forming the microstrip line and GND is relatively low. It must be narrower than that used in the band.
Therefore, it is necessary to reduce the thickness of the ferrite plate between the SIG circuit and GND. The thickness of the ferrite plate is 0.
If it is about 1 mm, the strength of the ferrite plate becomes weak, and cracks often occur in the ferrite plate in the process of manufacturing a circulator and in the process of assembling an MIC (microwave integrated circuit) module on which the circulator is mounted. As described above, the conventional circulator is frequently cracked or chipped.
【0004】そこで本発明の目的は、サーキュレータの
製造工程およびサーキュレータを搭載するMICモジュ
ールの組立て工程で割れやカケが発生しない強度を持っ
た高周波用サーキュレータとその製造方法を提供するこ
とにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a high-frequency circulator having a strength that does not cause cracking or chipping in a circulator manufacturing process and an MIC module mounting process in which the circulator is mounted, and a method of manufacturing the same.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明による高周波用サーキュレータは、円板状フ
ェライトと、円板状フェライトを囲むように形成された
絶縁層と、円板状フェライトと絶縁層とが形成する層の
一方の面に形成されたGND(グランド)層と、他方の
面に形成された、円板状フェライトの上に形成された円
形部と、円形部から放射状に伸びる線路部とを有するS
IG(信号)回路とからなるサーキュレータ積層体と、
サーキュレータ積層体がGND層を最下層として積層さ
れて形成される絶縁基板とを有する高周波用サーキュレ
ータであって、絶縁基板のサーキュレータ積層体が設け
られた面の反対側の面とSIG回路の線路部とを電気的
に接続するSIGビアと、絶縁基板のサーキュレータ積
層体が設けられた面の反対側の面の、SIGビアに隣接
する2つの点とGND層とを電気的に接続するGNDビ
アとを備える入出力端子部を有することを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, a high-frequency circulator according to the present invention comprises a disk-shaped circulator.
And ferrite, a disc-shaped ferrite and an insulating layer formed so as to surround the, GND which is a disc-shaped ferrite and the insulating layer formed on one surface of the layer to be formed (ground) layer, formed on the other surface Circle formed on the disk-shaped ferrite
S having a shape portion and a line portion extending radially from the circular portion
A circulator laminate comprising an IG (signal) circuit ;
A high-frequency circulator having an insulating substrate formed by laminating a circulator laminate with a GND layer as a lowermost layer;
The circulator laminate of the insulating substrate is provided.
Electrical connection between the opposite side of the
SIG via connected to the circulator product of the insulating substrate
Adjacent to the SIG via on the surface opposite to the surface on which the layer body is provided
GND point that electrically connects the two points to be connected to the GND layer
And an input / output terminal section having
【0006】これによって、外力により高周波用サーキ
ュレータにかかる応力を絶縁基板によって吸収させるこ
とができる。このため、絶縁基板上に配された円板状フ
ェライトにかかる応力を低減させることができる。Thus, the stress applied to the high-frequency circulator by external force can be absorbed by the insulating substrate. For this reason, the stress applied to the disc-shaped ferrite disposed on the insulating substrate can be reduced.
【0007】さらに本発明による高周波用サーキュレー
タは、高周波信号の伝達経路を形成するSIG回路とG
NDとのそれぞれに接続されたSIG端子と2つのGN
D端子とが、SIG端子に隣接して両側に2つのGND
端子が位置するように設けられた外部装置と、SIGビ
アの端部とSIG端子とを、および2つのGNDビアの
端部と2つのGND端子とをそれぞれワイヤボンディン
グによって接続することによって電気的に接続されるこ
とを特徴とする。Further, the high- frequency circulator according to the present invention includes a SIG circuit for forming a transmission path of a high-frequency signal and a G
ND terminal and two GN terminals
D terminal and two GNDs on both sides adjacent to the SIG terminal
An external device provided with the terminal
And the SIG terminal, and the two GND vias
Wire bond each end and two GND terminals
Electrically connected by connecting with each other.
【0008】これによって、高周波用サーキュレータと
外部回路とを容易に接続させることができる。すなわ
ち、SIGビアの端部と外部回路のSIG回路端子との
間およびGNDビアの端部と外部回路のGND端子との
間をワイヤボンディングによって電気的に接続させるこ
とにより、高周波用サーキュレータと外部回路との間に
コプレーナ型の信号の伝達経路を形成させることができ
る。Thus, the high-frequency circulator and the external circuit can be easily connected. That is, the high-frequency circulator and the external circuit are electrically connected by wire bonding between the end of the SIG via and the SIG circuit terminal of the external circuit and between the end of the GND via and the GND terminal of the external circuit. And a transmission path of a coplanar signal can be formed.
【0009】また、高周波信号の伝達経路を形成するS
IG回路とGNDとのそれぞれに接続されたSIG端子
と2つのGND端子とが、一面に、SIGビアと2つの
GNDビアの、絶縁基板のサーキュレータ積層体が設け
られた面の反対側の面上での配置パターンと同様の配置
パターンで設けられた外部装置と、SIGビアの端部と
SIG端子とを、および2つのGNDビアの端部と2つ
のGND端子とをそれぞれ対向させて配置しバンプ接続
することによって電気的に接続ることによって高周波用
サーキュレータと外部回路との間を接続してもよい。In addition, S which forms a transmission path of a high-frequency signal
SIG terminal connected to each of IG circuit and GND
And two GND terminals, SIG via and two
Provided with circulator laminate of insulating substrate of GND via
Placement similar to the placement pattern on the opposite side of the given surface
The external device provided in the pattern, the end of the SIG via
SIG terminal, and two GND via ends and two
And GND connection are arranged facing each other and bump connection
It may be connected between the high frequency circulator and an external circuit by electrically connected Rukoto by.
【0010】この場合には、 バンプ接続することによ
り、ワイヤボンディングなどにより接続する場合よりも
接続部の電気的な損失を低減することができる。 In this case, bump connection is used.
Than when connecting by wire bonding, etc.
It is possible to reduce the electric loss of the connection part.
【0011】本発明の他の態様の高周波用サーキュレー
タは、円板状フェライトと、円板状フェライトを囲むよ
うに形成された絶縁層と、円板状フェライトと絶縁層と
が形成する層の一方の面に形成されたGND(グラン
ド)層と、他方の面に形成された、円板状フェライトの
上に形成された円形部と、円形部から放射状に伸びる線
路部とを有するSIG(信号)回路とからなるサーキュ
レータ積層体と、サーキュレータ積層体がGND層を最
下層として積層されて形成される絶縁基板と、絶縁層の
SIG回路が形成された面の線路部の端部に隣接する2
つの点とGND層とを電気的に接続させるGNDビアと
を有する高周波用サーキュレータであって、高周波信号
の伝達経路を形成するSIG回路とGNDとのそれぞれ
に接続されたSIG端子と2つのGND端子とが、一面
に、SIG回路の線路部の端部と2つのGNDビアの、
絶縁基板のサーキュレータ積層体が設けられた面上での
配置パターンと同様の配置パターンで設けられた外部装
置と、SIG回路の端部とSIG端子とを、および2つ
のGNDビアの端部と2つのGND端子とをそれぞれ対
向させて配置しバンプ接続することによって電気的に接
続されることを特徴とする。 [0011] A high frequency circulator according to another embodiment of the present invention.
The ferrite surrounds the disc-shaped ferrite.
The insulating layer formed as above, the disk-shaped ferrite and the insulating layer
Formed on one surface of the layer formed by
C) layer and the disk-shaped ferrite formed on the other surface.
The circular part formed above and the line extending radially from the circular part
And a SIG (signal) circuit having a road section.
The circulator stack and the circulator stack make up the GND layer.
An insulating substrate laminated and formed as a lower layer;
2 adjacent to the end of the line portion on the surface where the SIG circuit is formed
And a GND via that electrically connects the two points to the GND layer
A high-frequency circulator having a high-frequency signal
Of the SIG circuit and GND forming the transmission path of
SIG terminal and two GND terminals connected to
The end of the line part of the SIG circuit and the two GND vias
On the surface of the insulating substrate on which the circulator laminate is provided
External devices provided with the same layout pattern as the
And the end of the SIG circuit and the SIG terminal, and two
Pair of GND vias and two GND terminals
Electrical connection by placing
It is characterized by being continued.
【0012】さらに、前記フェライトと前記GND層と
の間に介在する接着層を設けることにより、フェライト
の下面の強度を強くすることができる。このため、外力
による応力が高周波用サーキュレータに加わった際に、
フェライトの部分が変形することを抑止することがで
き、フェライトに加わる応力をさらに低減させることが
できる。Furthermore, by providing an adhesive layer interposed between the ferrite and the GND layer, the strength of the lower surface of the ferrite can be increased. For this reason, when stress due to external force is applied to the high-frequency circulator,
The deformation of the ferrite portion can be suppressed, and the stress applied to the ferrite can be further reduced.
【0013】接着層はフェライトの下面の全面を覆って
いればどのような形状でも良いが、接着層を円板状フェ
ライトの直径より僅かに大きい円板状の形状とすれば、
接着層によるフェライトにかかる応力の低減効果は充分
に得られる。The adhesive layer may have any shape as long as it covers the entire lower surface of the ferrite, but if the adhesive layer has a disk shape slightly larger than the diameter of the disk ferrite,
The effect of reducing the stress applied to the ferrite by the adhesive layer is sufficiently obtained.
【0014】さらに、前記接着層を導電性材料で構成す
ると、GND層とSIG回路の間隔を決める際、接着層
を考慮する必要がなく、設計が容易になる。すなわち、
接着層がGNDの機能を果たすため、GNDとSIG回
路の間隔は接着層を除いた円板状フェライトや絶縁層の
みで決まる。Further, when the adhesive layer is made of a conductive material, it is not necessary to consider the adhesive layer when determining the distance between the GND layer and the SIG circuit, and the design becomes easy. That is,
Since the adhesive layer fulfills the function of GND, the distance between GND and the SIG circuit is determined only by the disc-shaped ferrite and the insulating layer excluding the adhesive layer.
【0015】また、前記接着層を絶縁性材料で構成する
と、SIG回路とGND層のショートを防止することが
できる。すなわち、製作工程で絶縁層と円板状フェライ
トとの隙間に導電物が入り込んでも、SIG回路とGN
D層との間の接着層が導電物の侵入を防ぐため、両者が
電気的に接続することを防止させることができる。ただ
し、この場合には、GNDとSIG回路との間隔を決め
る際に、接着層の厚さ、形状、誘電率を考慮する必要が
ある。When the adhesive layer is made of an insulating material, a short circuit between the SIG circuit and the GND layer can be prevented. That is, even if a conductor enters the gap between the insulating layer and the disc-shaped ferrite in the manufacturing process, the SIG circuit and the GN
Since the adhesive layer between the D layer and the conductive layer prevents the intrusion of the conductive material, the electrical connection between the two can be prevented. However, in this case, when determining the distance between the GND and the SIG circuit, it is necessary to consider the thickness, shape, and dielectric constant of the adhesive layer.
【0016】さらに、前記円板状フェライトを硬磁性フ
ェライトで構成することにより、高周波用サーキュレー
タの製作工程が終了した後に磁界をかけてフェライトを
永久磁石とすることができる。このため、不可逆特性を
得るために外部に磁界発生機構を設ける必要がなく、構
成を簡単にすることができる。Further, by forming the disc-shaped ferrite from hard magnetic ferrite, a magnetic field can be applied to the ferrite into a permanent magnet after the manufacturing process of the high-frequency circulator is completed. Therefore, there is no need to provide an external magnetic field generating mechanism to obtain irreversible characteristics, and the configuration can be simplified.
【0017】また、前記円板状フェライトを軟磁性フェ
ライトで構成することにより、フェライトの加工が容易
になる。すなわち、フェライトが磁界を持った状態では
内部応力が発生しているため、フェライトを数十μmの
薄い板状に加工することは困難である。そこで、フェラ
イトを軟磁性フェライトで構成すると、磁界が無い状態
で容易に加工することができる。ただし、この場合には
フェライトの上面に永久磁石等の磁界発生機構を設ける
必要がある。Further, when the disk-shaped ferrite is made of soft magnetic ferrite, processing of the ferrite becomes easy. That is, since internal stress is generated when the ferrite has a magnetic field, it is difficult to process the ferrite into a thin plate of several tens of μm. Therefore, if the ferrite is made of a soft magnetic ferrite, it can be easily processed without a magnetic field. However, in this case, it is necessary to provide a magnetic field generating mechanism such as a permanent magnet on the upper surface of the ferrite.
【0018】また、絶縁基板へサーキューレータ積層体
を形成した後に、各層を構成する材料の熱変形などによ
り絶縁基板に反りが発生することがある。この場合に
は、絶縁基板のサーキュレータ積層体を積層した面の反
対側の面に補強用絶縁層を形成することにより、このよ
うな反りを低減することができる。Further, after the circulator laminate is formed on the insulating substrate, the insulating substrate may be warped due to thermal deformation of the material constituting each layer. In this case, such a warp can be reduced by forming a reinforcing insulating layer on the surface of the insulating substrate opposite to the surface on which the circulator laminate is stacked.
【0019】本発明による高周波用サーキュレータの製
造方法は、円板状フェライトと、円板状フェライトを囲
むように形成された絶縁層と、円板状フェライトと絶縁
層とが形成する層の一方の面に形成されたGND層と、
他方の面に形成された、円板状フェライトの上に形成さ
れた円形部と、円形部から放射状に伸びる線路部とを有
するSIG回路とからなるサーキュレータ積層体を有す
る高周波用サーキュレータの製造方法において、サーキ
ュレータ積層体を、GND層を最下層として絶縁基板上
に積層する工程と、絶縁基板のサーキュレータ積層体が
設けられた面の反対側の面とSIG回路の線路部とを電
気的に接続するSIGビアと、絶縁基板のサーキュレー
タ積層体が設けられた面の反対側の面の、SIGビアに
隣接する2つの点とGND層とを電気的に接続するGN
Dビアとを形成する工程とを有することを特徴とする。The manufacturing method of high frequency circulator according to the present invention, a disc-shaped ferrite, and a disc-shaped ferrite insulating is formed to surround the layer, disc-shaped ferrite with one layer insulating layer and to form A GND layer formed on the surface;
Formed on the disk-shaped ferrite formed on the other side
With a circular section and a line section extending radially from the circular section.
In the method for manufacturing a high-frequency circulator having a circulator laminate including a SIG circuit, a step of laminating the circulator laminate on an insulating substrate with a GND layer as a lowermost layer ;
Connect the surface opposite the provided surface to the line portion of the SIG circuit.
SIG vias for air connection and circulating on insulating substrate
In the SIG via on the surface opposite to the surface on which the
GN for electrically connecting two adjacent points to the GND layer
Forming a D via .
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】以下、図1〜7の図面を参照して
本発明の実施形態について説明する。図1に示すよう
に、本発明による高周波用サーキュレータは、組み立て
工程において割れやカケが起こらない強度が得られる厚
さの絶縁基板1の上にGND層4−1、接着層5、フェ
ライト2、絶縁層6−1、SIG回路3−1が形成され
ている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, the high-frequency circulator according to the present invention includes a GND layer 4-1, an adhesive layer 5, a ferrite 2, a ferrite 2 on an insulating substrate 1 having a thickness that does not cause cracking or chipping in an assembling process. The insulating layer 6-1 and the SIG circuit 3-1 are formed.
【0021】円板状のフェライト2は接着層5上の中央
部に配されており、この廻りに絶縁層6−1が形成され
ている。SIG回路3−1はフェライト2の上の円形部
と、この円形部から放射状に伸びる3つの線路部を有し
ている。円形部はフェライト2の磁性による非可逆回路
を形成しており、線路部はマイクロストリップライン型
の信号伝達経路を形成している。この線路部の端部が外
部装置との入出力部となる。この線路部が形成された面
上で線路部を挟む2つの点とGND層とを電気的に接続
するGNDビア4−2が線路部の各端部に配されてい
る。各ビアはこの線路部形成面上に露出している。The disk-shaped ferrite 2 is disposed at the center of the adhesive layer 5, and an insulating layer 6-1 is formed around the center. The SIG circuit 3-1 has a circular portion on the ferrite 2 and three line portions extending radially from the circular portion. The circular portion forms a non-reciprocal circuit due to the magnetism of the ferrite 2, and the line portion forms a microstrip line type signal transmission path. An end of the line portion serves as an input / output unit with an external device. GND vias 4-2 that electrically connect two points sandwiching the line portion on the surface where the line portion is formed and the GND layer are arranged at each end of the line portion. Each via is exposed on this line forming surface.
【0022】この構成により、フェライト2及び絶縁層
6−1の厚さが0.05mm程度であっても、絶縁基板
1の強度によってフェライト2に割れやカケが発生する
ことを防ぐことが出来る。With this configuration, even if the thickness of the ferrite 2 and the insulating layer 6-1 is about 0.05 mm, it is possible to prevent the ferrite 2 from cracking or chipping due to the strength of the insulating substrate 1.
【0023】絶縁基板1がGND層4−1の下に配置さ
れている構成では、GND層4−1が外部に露出してい
ないため、GNDを如何にして外部に取り出すか問題と
なる。しかし、本実施形態では前記のようにGNDビア
4−2を配置することにより、GNDビア4−2を介し
て外部装置とGND層4−1とをワイヤボンディングな
どにより容易に電気的に接続することができる。In the configuration in which the insulating substrate 1 is arranged below the GND layer 4-1, since the GND layer 4-1 is not exposed to the outside, there is a problem how to take out the GND. However, in the present embodiment, by arranging the GND via 4-2 as described above, the external device and the GND layer 4-1 are easily electrically connected to the GND layer 4-1 through the GND via 4-2 by wire bonding or the like. be able to.
【0024】また、図2のように絶縁基板1のサーキュ
レータ積層体7が設けられた面の反対側の面とSIG回
路3−1を電気的に接続させるSIGビア3−2と、絶
縁基板1のサーキュレータ積層体7が設けられた面の反
対側の面の、SIGビア3−2を挟む2つの点とGND
層4−1とを電気的に接続させるGNDビア4−2とを
設けることによって、高周波用サーキュレータと外部装
置とを電気的に接続させることもできる。As shown in FIG. 2, a SIG via 3-2 for electrically connecting the surface of the insulating substrate 1 opposite to the surface on which the circulator laminate 7 is provided with the SIG circuit 3-1; And two points sandwiching the SIG via 3-2 on the surface opposite to the surface on which the circulator laminate 7 is provided.
By providing the GND via 4-2 for electrically connecting the layer 4-1 to the layer 4-1, the high-frequency circulator can be electrically connected to an external device.
【0025】本実施形態による高周波用サーキュレータ
は、マイクロストリップ型の信号伝達経路などの層状の
構造を有し、高周波信号の増幅などの信号処理を行うM
ICモジュールに組み込まれて使用される。The high-frequency circulator according to the present embodiment has a layered structure such as a microstrip type signal transmission path, and performs signal processing such as amplification of a high-frequency signal.
Used by being incorporated into an IC module.
【0026】そこで、図1のサーキュレータのSIG回
路3−1とGNDビア4−2とからなるサーキュレータ
入出力端子部8を、MICモジュールの入出力端子部8
とワイヤボンディング10により電気的に接続する具体
例を図3に示している。この例では、図1のサーキュレ
ータとの接続を行うため、図1のサーキュレータの入出
力端子部8と同様の構造である入出力端子部9を持つM
ICモジュールを用いた。ただしこの際、SIG回路3
−1とGNDビア4−2のワイヤボンディング箇所はメ
ッキ等でAu膜を形成する必要がある。図3において、
SIG回路3−1の線路部の端部とMICモジュールの
SIG回路端子との間およびGNDビア4−2の端部と
MICモジュールのGND端子との間をワイヤボンディ
ング10などによって電気的に接続させることにより、
高周波用サーキュレータとMICモジュールとの間にコ
プレーナ型の信号の伝達経路が形成されている。Therefore, the circulator I / O terminal 8 comprising the SIG circuit 3-1 and the GND via 4-2 of the circulator of FIG.
FIG. 3 shows a specific example of electrical connection with the wire bonding 10. In this example, in order to perform connection with the circulator of FIG. 1, M having an input / output terminal unit 9 having the same structure as the input / output terminal unit 8 of the circulator of FIG.
An IC module was used. However, in this case, the SIG circuit 3
It is necessary to form an Au film by plating or the like at the wire bonding portion between the -1 and the GND via 4-2 . 3,
The end of the line section of the SIG circuit 3-1 and the SIG circuit terminal of the MIC module and the end of the GND via 4-2 and the GND terminal of the MIC module are electrically connected by wire bonding 10 or the like. By doing
A coplanar signal transmission path is formed between the high frequency circulator and the MIC module.
【0027】また、図4のように、GNDビア4−2上
にGNDバンプ12を形成させ、SIG回路3−1の端
部にSIGバンプ11を形成させてサーキュレータ入出
力端子部8とし、MICモジュールにGND端子4−3
とSIG端子3−3とを有するMICモジュール入出力
端子部9を形成させて、高周波用サーキュレータとMI
Cモジュールとを対向させて配置し、バンプを介して電
気的に接続させることもできる。この場合にも、高周波
用サーキュレータとMICモジュールの間には、コプレ
ーナ型の信号の伝達経路が形成されている。このよう
に、バンプを介して電気的に接続させることにより、ワ
イヤボンディング10により接続する場合よりも接合面
の面積を大きくすることができ、接続部の電気的な損失
を低くすることができる。Further, as shown in FIG. 4, to form a GND bumps 12 on GND vias 4-2, to form a SIG bump 11 and the circulator output terminal 8 to the end of SIG circuit 3 -1, MIC GND terminal 4-3 on module
And an MIC module input / output terminal section 9 having a SIG terminal 3-3 and a high frequency circulator
It is also possible to arrange the C module so as to face it and electrically connect via a bump. Also in this case, a coplanar signal transmission path is formed between the high-frequency circulator and the MIC module. As described above, by electrically connecting via the bumps, the area of the bonding surface can be increased as compared with the case where the connection is performed by the wire bonding 10, and the electrical loss of the connection portion can be reduced.
【0028】同様に図2に示した高周波用サーキュレー
タのSIGビア3−2上にSIGバンプ11が形成さ
れ、GNDビア4−2上にGNDバンプ12が形成され
て、高周波用サーキュレータがMICモジュールと電気
的に接続された具体例の模式図を図5に示す。この構成
では、 MICモジュールに高周波用サーキュレータが
搭載された状態でSIG回路3−1の形成面が外部に面
している。したがって、MICモジュールに高周波用サ
ーキュレータが搭載された後にSIG回路3−1を微調
整することができる。Similarly, the SIG bump 11 is formed on the SIG via 3-2 and the GND bump 12 is formed on the GND via 4-2 of the circulator for high frequency shown in FIG. FIG. 5 is a schematic diagram of a specific example electrically connected. In this configuration, the surface on which the SIG circuit 3-1 is formed faces the outside in a state where the high frequency circulator is mounted on the MIC module. Therefore, the SIG circuit 3-1 can be finely adjusted after the high frequency circulator is mounted on the MIC module.
【0029】本実施形態の構成は、絶縁基板1としてア
ルミナ、ガラスセラミックあるいはAlNが使用され
る。グランド層4−1としては、Cu膜、Cr膜、Cu
/Cr膜などがメッキ等により形成される。In the structure of this embodiment, alumina, glass ceramic or AlN is used as the insulating substrate 1. As the ground layer 4-1, a Cu film, a Cr film, Cu
/ Cr film or the like is formed by plating or the like.
【0030】接着層5は別部材として形成されたフェラ
イト2を固定するために必要なものである。したがっ
て、接着層5は図1に示すようにグランド層4の全面に
形成しても良いし、図6に示すように円板状フェライト
2の直径より僅かに大きいサイズの円形状に形成しても
構わない。いずれの場合でも、接着層5を形成すること
により、フェライト2の下面の強度を強くすることがで
きる。このため、外力による応力が高周波用サーキュレ
ータに加わった際に、フェライト2の部分が変形するこ
とを接着層5により抑止することができる。これによっ
て、フェライト2に加わる応力を接着層5により緩和す
ることができる。The adhesive layer 5 is necessary for fixing the ferrite 2 formed as a separate member. Therefore, the adhesive layer 5 may be formed on the entire surface of the ground layer 4 as shown in FIG. 1 or may be formed in a circular shape having a size slightly larger than the diameter of the disk-shaped ferrite 2 as shown in FIG. No problem. In any case, the strength of the lower surface of the ferrite 2 can be increased by forming the adhesive layer 5. For this reason, when the stress due to the external force is applied to the high frequency circulator, the deformation of the ferrite 2 can be suppressed by the adhesive layer 5. Thus, the stress applied to the ferrite 2 can be reduced by the adhesive layer 5.
【0031】接着層5として使用される材料は、絶縁性
材料でも導電性材料でも構わない。接着層5の材料とし
て導電性材料を使用した場合には、接着層5がGNDの
機能を果たすため、GNDとSIG回路3−1との間隔
は接着層5を除いた円板状フェライト2や絶縁層6−1
のみで決まる。このため、GND層4−1とSIG回路
3の間隔を決める際、接着層5の厚さを考慮する必要が
ない。The material used for the adhesive layer 5 may be an insulating material or a conductive material. When a conductive material is used as the material of the adhesive layer 5, since the adhesive layer 5 performs the function of GND, the distance between the GND and the SIG circuit 3-1 is limited to the disc-shaped ferrite 2 excluding the adhesive layer 5 or the like. Insulating layer 6-1
Only determined. Therefore, it is not necessary to consider the thickness of the adhesive layer 5 when determining the distance between the GND layer 4-1 and the SIG circuit 3.
【0032】接着層5として使用される材料は、絶縁性
材料でも導電性材料でも構わない。接着層5の材料とし
て導電性材料を使用した場合には、接着層5がGNDの
機能を果たすため、GNDとSIG回路3−1との間隔
は接着層5を除いた円板状フェライト2や絶縁層6−1
のみで決まる。このため、GND層4−1とSIG回路
3−1の間隔を決める際、接着層5の厚さを考慮する必
要がない。The material used for the adhesive layer 5 may be an insulating material or a conductive material. When a conductive material is used as the material of the adhesive layer 5, since the adhesive layer 5 performs the function of GND, the distance between the GND and the SIG circuit 3-1 is limited to the disc-shaped ferrite 2 excluding the adhesive layer 5 or the like. Insulating layer 6-1
Only determined. Therefore, when determining the distance between the GND layer 4-1 and SIG circuit 3 -1, it is not necessary to consider the thickness of the adhesive layer 5.
【0033】円板状フェライト2は、軟磁性フェライト
でも硬磁性フェライトでもかまわない。フェライト2と
して軟磁性フェライトが使用される場合は、サーキュレ
ータとして動作させるためにサーキュレータの上方に永
久磁石を配置する必要がある。一方、フェライト2とし
て硬磁性フェライトが使用される場合は、それ自体を永
久磁石とすることができるため、前記永久磁石は不要で
ある。The disk-shaped ferrite 2 may be a soft magnetic ferrite or a hard magnetic ferrite. When a soft magnetic ferrite is used as the ferrite 2, it is necessary to arrange a permanent magnet above the circulator in order to operate as a circulator. On the other hand, when a hard magnetic ferrite is used as the ferrite 2, the permanent magnet itself is unnecessary, since the permanent magnet itself can be used.
【0034】本実施形態による高周波用サーキュレータ
は、厚さ0.5mm程度の絶縁基板が使用される場合に
は、片面にサーキュレータ積層体7を形成しても絶縁基
板1に反りが生じることはない。しかし、絶縁基板1の
厚さが0.2mm程度以下であると目視で確認できる程
度に反りが発生する。この場合には、図7に示すように
絶縁基板1のサーキュレータ積層体7が構成された面の
反対側の面に補強用絶縁層6−2を形成することで反り
を小さくすることが出来る。In the high-frequency circulator according to the present embodiment, when an insulating substrate having a thickness of about 0.5 mm is used, the insulating substrate 1 does not warp even if the circulator laminate 7 is formed on one surface. . However, if the thickness of the insulating substrate 1 is about 0.2 mm or less, warpage occurs to such an extent that it can be visually confirmed. In this case, the warpage can be reduced by forming the reinforcing insulating layer 6-2 on the surface of the insulating substrate 1 opposite to the surface on which the circulator laminate 7 is formed, as shown in FIG.
【0035】次に本実施形態による高周波用サーキュレ
ータの製造方法を説明する。Next, a method of manufacturing the high-frequency circulator according to the present embodiment will be described.
【0036】最初に絶縁基板1の上にGND層4−1を
メッキ等により形成する。次に接着層5をGND層4−
1の上に形成し、円板状フェライト2を接着して配置す
る。次にフェライト2の厚さ以上の厚さの絶縁層6−1
を形成する。この際、絶縁層6−1および接着層5は、
GNDビア4−2およびSIGビア3−2を形成させる
ための穴が形成されるようにマスクなどを用いてパター
ニングする。または、接着層5および絶縁層6−1を形
成した後に穴開け加工によって穴を形成しても良い。次
にフェライト2の上面と絶縁層6−1の上面とが同一平
面を形成するように絶縁層6−1を加工する。このよう
にしてフェライト2と絶縁層6−1とによって形成され
た平面上に、円形導体部が円板状フェライト2の上に配
置されるようにSIG回路3−1を形成する。この際、
ビア用に形成された穴に導電材料を充填するなどしてビ
アを形成する。First, the GND layer 4-1 is formed on the insulating substrate 1 by plating or the like. Next, the adhesive layer 5 is connected to the GND layer 4-
1, and a disk-shaped ferrite 2 is bonded and arranged. Next, an insulating layer 6-1 having a thickness equal to or greater than the thickness of the ferrite 2
To form At this time, the insulating layer 6-1 and the adhesive layer 5
Patterning is performed using a mask or the like so that holes for forming the GND via 4-2 and the SIG via 3-2 are formed. Alternatively, holes may be formed by punching after forming the adhesive layer 5 and the insulating layer 6-1. Next, the insulating layer 6-1 is processed so that the upper surface of the ferrite 2 and the upper surface of the insulating layer 6-1 form the same plane. The SIG circuit 3-1 is formed on the plane formed by the ferrite 2 and the insulating layer 6-1 in such a manner that the circular conductor is disposed on the disk-shaped ferrite 2. On this occasion,
A via is formed by filling a hole formed for the via with a conductive material.
【0037】絶縁基板1にGNDビア4−2およびSI
Gビア3−2を形成する場合には、予めビア用の穴(ビ
アホール)を形成させた絶縁基板1を用いてもよい。ビ
アホールはセラミックグリーンシート法によって容易に
形成することができる。The GND via 4-2 and the SI
When the G via 3-2 is formed, the insulating substrate 1 in which a via hole (via hole) is formed in advance may be used. The via hole can be easily formed by the ceramic green sheet method.
【0038】フェライト2は予め数十μmの厚さの円板
状に加工されたものが用いられる。フェライト2として
硬磁性フェライトが使用される場合は、フェライト2が
磁化された状態では磁気により材料に内部応力が発生し
ている。このため、フェライト2を薄く切断すると内部
応力によりフェライト2が破壊されてしまう。そこでこ
の場合には、フェライト2を消磁した状態で数十μmの
厚さに切断し、製造の全ての工程が終了した後に着磁さ
せる。フェライト2として軟磁性フェライトが使用され
る場合は、磁気が無い状態で容易に加工することができ
る。As the ferrite 2, a preliminarily processed disk having a thickness of several tens μm is used. When a hard magnetic ferrite is used as the ferrite 2, an internal stress is generated in the material due to magnetism when the ferrite 2 is magnetized. For this reason, when the ferrite 2 is cut thin, the ferrite 2 is broken by internal stress. Therefore, in this case, the ferrite 2 is cut to a thickness of several tens of μm in a demagnetized state, and is magnetized after all the manufacturing steps are completed. When a soft magnetic ferrite is used as the ferrite 2, it can be easily processed without magnetism.
【0039】以下に本実施形態に従って作製したサーキ
ュレータの例について説明する。An example of a circulator manufactured according to the present embodiment will be described below.
【0040】表1に作製した各種サーキュレータの構成
の組み合わせを示す。○印は各番号で示されたサーキュ
レータに下記の構成が採用されていることを示してい
る。Table 1 shows combinations of the configurations of the various circulators produced. The circles indicate that the following configurations are employed in the circulators indicated by the respective numbers.
【0041】[0041]
【表1】 構成条件1:接着層5をGND層4の全面に形成した。 構成条件2:接着層5をフェライト2の直径より僅かに
大きい円形状に形成した。 構成条件3:SIG回路3−1の形成面に入出力端子部
7を形成した。 構成条件4:絶縁基板1のサーキュレータを形成した面
の反対側の面に入出力端子部7を形成した。 構成条件5:接着層5を絶縁性材料により構成した。 構成条件6:接着層5を導電性材料により構成した。 構成条件7:フェライト2を軟磁性フェライトにより構
成した。 構成条件8:フェライト2を硬磁性フェライトにより構
成した。 構成条件9:補強用絶縁層6−2を形成した。[Table 1] Structural condition 1: The adhesive layer 5 was formed on the entire surface of the GND layer 4. Structural condition 2: The adhesive layer 5 was formed in a circular shape slightly larger than the diameter of the ferrite 2. Configuration Condition 3: The input / output terminal 7 was formed on the surface on which the SIG circuit 3-1 was formed. Configuration condition 4: The input / output terminal portion 7 was formed on the surface of the insulating substrate 1 opposite to the surface on which the circulator was formed. Structural condition 5: The adhesive layer 5 was made of an insulating material. Structural condition 6: The adhesive layer 5 was made of a conductive material. Constitution condition 7: Ferrite 2 was composed of soft magnetic ferrite. Constituent condition 8: Ferrite 2 was composed of hard magnetic ferrite. Structural condition 9: The reinforcing insulating layer 6-2 was formed.
【0042】フェライト2の直径は0.6mm、厚さは
0.05mmとした。SIG回路3の円形導体部の直径
は0.56mm、マイクロストリップラインの幅は0.
13mmとした。軟磁性フェライトにはNi−Zn系フ
ェライトを使用した。硬磁性フェライトにはSr系フェ
ライトを使用した。The ferrite 2 had a diameter of 0.6 mm and a thickness of 0.05 mm. The diameter of the circular conductor portion of the SIG circuit 3 is 0.56 mm, and the width of the microstrip line is 0.5 mm.
13 mm. Ni-Zn ferrite was used as the soft magnetic ferrite. Sr-based ferrite was used as the hard magnetic ferrite.
【0043】番号1,2のサーキュレータは、接着層5
をGND層4の全面に形成し、 SIG回路3−1の形
成面に入出力端子部7を形成し、接着層5の材料に絶縁
性材料を用いたものと導電性材料を用いたものである。
番号3,4のサーキュレータは、絶縁基板1のサーキュ
レータを形成した面の反対側の面に入出力端子部7を形
成し、番号1,2のサーキュレータと同様に接着層5の
材料をそれぞれ変えたものである。番号5〜8のサーキ
ュレータは、接着層5をフェライト2の直径より僅かに
大きい円形状に形成し、番号1〜4のサーキュレータと
同様に、入出力端子部7の形成面および接着層5の形状
をそれぞれ変えたものである。The circulators No. 1 and No. 2
Is formed on the entire surface of the GND layer 4, the input / output terminal portion 7 is formed on the surface on which the SIG circuit 3-1 is formed, and the adhesive layer 5 is made of an insulating material and a conductive material. is there.
In the circulators Nos. 3 and 4, the input / output terminal portions 7 were formed on the surface of the insulating substrate 1 opposite to the surface on which the circulators were formed, and the material of the adhesive layer 5 was changed similarly to the circulators Nos. 1 and 2. Things. In the circulators of Nos. 5 to 8, the adhesive layer 5 is formed in a circular shape slightly larger than the diameter of the ferrite 2, and like the circulators of Nos. 1 to 4, the surface on which the input / output terminal portion 7 is formed and the shape of the adhesive layer 5 are formed. Is changed respectively.
【0044】番号1〜8のサーキュレータはフェライト
2として硬磁性フェライトを用いたものであるのに対し
て、番号9のサーキュレータは、軟磁性フェライトを用
い、不可逆特性を得るためにフェライト2の上方に永久
磁石を配したものである。この番号9のサーキュレータ
の接着層5の構成および入出力端子の形成面は、番号1
のサーキュレータと同様にした。The circulators Nos. 1 to 8 use hard magnetic ferrites as the ferrites 2, whereas the circulators No. 9 use soft magnetic ferrites and are placed above the ferrites 2 to obtain irreversible characteristics. It has permanent magnets. The configuration of the adhesive layer 5 of the circulator of No. 9 and the surface on which the input / output terminals are formed are denoted by No. 1
Circulator.
【0045】各番号のサーキュレータの不可逆回路特性
を確認するため、各番号のサーキュレータについて3つ
のマイクロストリップラインの内の1つのマイクロスト
リップライン端に終端抵抗を取り付け、アイソレータと
した状態で測定を行った。In order to confirm the irreversible circuit characteristics of the circulators of the respective numbers, the measurement was performed in a state where a terminating resistor was attached to one microstrip line end of three microstrip lines for each number of the circulators, and used as an isolator. .
【0046】その結果、軟磁性フェライトを用いた番号
9のサーキュレータの場合は40〜50GHzの周波数
範囲でアイソレータとしての特性が得られた。また、硬
磁性フェライトを用いた番号1〜8のサーキュレータの
場合は70GHz〜80GHzの周波数範囲でアイソレ
ータとしての特性が得られた。As a result, in the case of the circulator No. 9 using soft magnetic ferrite, characteristics as an isolator were obtained in a frequency range of 40 to 50 GHz. In the case of circulators Nos. 1 to 8 using hard magnetic ferrite, characteristics as an isolator were obtained in a frequency range of 70 GHz to 80 GHz.
【0047】なお、番号1〜9のサーキュレータでは、
絶縁層6−1の厚さをもっと薄くすると絶縁基板1に反
りが発生するおそれがあるが、番号10のサーキュレー
タでは、補強用絶縁層6−2を形成した結果、反りが発
生することは無かった。In the circulators of numbers 1 to 9,
If the thickness of the insulating layer 6-1 is further reduced, warpage may occur in the insulating substrate 1. However, in the circulator of No. 10, the warpage does not occur as a result of forming the reinforcing insulating layer 6-2. Was.
【0048】番号1〜10のサーキュレータは、いずれ
の場合もその製造工程やサーキュレータが搭載されるM
ICモジュールの組立て工程で基板に割れやカケが発生
することは無かった。In any case, the circulators Nos. 1 to 10 are manufactured in the same manner as the circulators on which the circulators are mounted.
There were no cracks or chips on the substrate during the IC module assembly process.
【0049】また、高周波用サーキュレータとMICと
をバンプにより接続させた場合には、両者をワイヤボン
ディング10により接続させた場合よりも損失が0.2
dB低くなった。When the high frequency circulator and the MIC are connected by bumps, the loss is 0.2% less than when both are connected by wire bonding 10.
dB decreased.
【0050】[0050]
【発明の効果】本発明による高周波用サーキュレータ
は、サーキュレータ製造工程およびサーキュレータが搭
載されるMICモジュールの組立て工程でサーキュレー
タに割れやカケが起こることを防止できる。従って部品
としての不良発生率を低減することができる。このこと
から、本発明は高周波用サーキュレータおよび高周波用
サーキュレータを含む工業製品の生産ラインの信頼性を
高めることができる。The high-frequency circulator according to the present invention can prevent the circulator from cracking or chipping during the circulator manufacturing process and the assembly process of the MIC module on which the circulator is mounted. Therefore, the occurrence rate of defects as components can be reduced. For this reason, the present invention can enhance the reliability of the high-frequency circulator and the production line for industrial products including the high-frequency circulator.
【図1】本発明による実施形態の高周波用サーキュレー
タの模式図であり、(a)は平面図、(b)は断面図で
ある。FIG. 1 is a schematic view of a high-frequency circulator according to an embodiment of the present invention, where (a) is a plan view and (b) is a cross-sectional view.
【図2】本発明による実施形態の変形例の高周波用サー
キュレータの模式図であり、(a)は平面図、(b)は
断面図、(c)は底面図である。FIGS. 2A and 2B are schematic views of a high-frequency circulator according to a modification of the embodiment according to the present invention, in which FIG. 2A is a plan view, FIG. 2B is a cross-sectional view, and FIG.
【図3】図1の高周波用サーキュレータとMICモジュ
ールとをワイヤボンディングにより接続した状態を示し
た模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a state where the high-frequency circulator of FIG. 1 and the MIC module are connected by wire bonding.
【図4】図1の高周波用サーキュレータとMICモジュ
ールとをバンプにより接続した状態を示した模式図であ
り、(a)は平面図、(b)は断面図である。FIGS. 4A and 4B are schematic diagrams showing a state in which the high-frequency circulator of FIG. 1 and the MIC module are connected by bumps, wherein FIG. 4A is a plan view and FIG.
【図5】図2の高周波用サーキュレータとMICモジュ
ールとをバンプにより接続した状態を示した模式図であ
り、(a)は平面図、(b)は断面図である。5A and 5B are schematic diagrams showing a state in which the high-frequency circulator of FIG. 2 and the MIC module are connected by bumps, wherein FIG. 5A is a plan view and FIG. 5B is a cross-sectional view.
【図6】本発明による実施形態の他の変形例の高周波用
サーキュレータの模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram of a high-frequency circulator according to another modification of the embodiment according to the present invention.
【図7】本発明による実施形態の他の変形例の高周波用
サーキュレータの模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram of a high-frequency circulator according to another modification of the embodiment according to the present invention.
【図8】従来例の高周波用サーキュレータの模式図であ
り、(a)は平面図、(b)は断面図である。8A and 8B are schematic views of a conventional high-frequency circulator, where FIG. 8A is a plan view and FIG. 8B is a cross-sectional view.
【図9】他の従来例の高周波用サーキュレータの模式図
である。FIG. 9 is a schematic view of another conventional high-frequency circulator.
1 絶縁基板 2、22 フェライト 3−1、23−1 SIG回路 3−2 SIGビア 3−3 SIG端子 4−1、24−1 GND層 4−2 GNDビア 4−3 GND端子 5 接着層 6−1、21 絶縁層 6−2 補強用絶縁層 7 サーキュレータ積層体 8 サーキュレータ入出力端子部 9 MICモジュール入出力端子部 10 ワイヤボンディング 11 SIGバンプ 12 GNDバンプ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating board 2, 22 Ferrite 3-1 and 23-1 SIG circuit 3-2 SIG via 3-3 SIG terminal 4-1 and 24-1 GND layer 4-2 GND via 4-3 GND terminal 5 Adhesive layer 6 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 21 Insulating layer 6-2 Reinforcement insulating layer 7 Circulator laminated body 8 Circulator input / output terminal part 9 MIC module input / output terminal part 10 Wire bonding 11 SIG bump 12 GND bump
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−8403(JP,A) 特開 平6−268414(JP,A) 特開 平9−64606(JP,A) 特開 平1−129501(JP,A) 特開 平2−241680(JP,A) 特開 平9−214209(JP,A) 特開 昭61−288486(JP,A) 特開 平10−294607(JP,A) 特開 昭63−232421(JP,A) 特開 平8−51306(JP,A) 特開 平4−336702(JP,A) 実開 昭57−64902(JP,U) 実開 昭50−146436(JP,U) 実開 昭56−174203(JP,U) 実開 昭57−171301(JP,U) 実開 平6−15308(JP,U) 実開 昭59−69505(JP,U) 実公 昭42−9847(JP,Y1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01P 1/387 H01P 11/00 Continuation of the front page (56) References JP-A-59-8403 (JP, A) JP-A-6-268414 (JP, A) JP-A-9-64606 (JP, A) JP-A-1-129501 (JP) JP-A-2-241680 (JP, A) JP-A-9-214209 (JP, A) JP-A-61-288486 (JP, A) JP-A-10-294607 (JP, A) JP-A-8-51306 (JP, A) JP-A-4-336702 (JP, A) JP-A 57-64902 (JP, U) JP-A 50-146436 (JP, A) U) Shokai Sho 56-174203 (JP, U) Shokai Sho 57-171301 (JP, U) Shokai 6-15308 (JP, U) Shokai Sho 59-69505 (JP, U) Shoko 42 −9847 (JP, Y1) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01P 1/387 H01P 11/00
Claims (12)
を囲むように形成された絶縁層と、前記円板状フェライ
トと絶縁層とが形成する層の一方の面に形成されたGN
D(グランド)層と、他方の面に形成された、前記円板
状フェライトの上に形成された円形部と、該円形部から
放射状に伸びる線路部とを有するSIG(信号)回路と
からなるサーキュレータ積層体と、該サーキュレータ積
層体が前記GND層を最下層として積層されて形成され
る絶縁基板とを有する高周波用サーキュレータであっ
て、 該絶縁基板の前記サーキュレータ積層体が設けられた面
の反対側の面と前記SIG回路の線路部とを電気的に接
続するSIGビアと、前記絶縁基板の前記サーキュレー
タ積層体が設けられた面の反対側の面の、前記SIGビ
アに隣接する2つの点と前記GND層とを電気的に接続
するGNDビアとを備える入出力端子部 を有する高周波
用サーキュレータ。1. A disk-shaped ferrite , an insulating layer formed so as to surround the disk-shaped ferrite, and a GN formed on one surface of a layer formed by the disk-shaped ferrite and the insulating layer.
D (ground) layer and the disk formed on the other surface
From the circular part formed on the ferrite
A high-frequency circulator comprising: a circulator laminate including a SIG (signal) circuit having a radially extending line portion ; and an insulating substrate formed by laminating the circulator laminate with the GND layer as a lowermost layer.
A surface of the insulating substrate on which the circulator laminate is provided.
And the line portion of the SIG circuit is electrically connected.
A continuous SIG via and the circular substrate of the insulating substrate.
The SIG via on the surface opposite to the surface on which the
A) electrically connecting two points adjacent to each other to the GND layer
A high frequency circulator having an input / output terminal portion having a GND via .
路とGNDとのそれぞれに接続されたSIG端子と2つ
のGND端子とが、前記SIG端子に隣接して両側に2
つの前記GND端子が位置するように設けられた外部装
置と、前記SIGビアの端部と前記SIG端子とを、お
よび2つの前記GNDビアの端部と2つの前記GND端
子とをそれぞれワイヤボンディングによって接続するこ
とによって電気的に接続される、請求項1に記載の高周
波用サーキュレータ。 2. An SIG circuit for forming a transmission path for a high-frequency signal.
SIG terminals and two connected to each of the road and GND
And two GND terminals on both sides adjacent to the SIG terminal.
An external device provided so that the two GND terminals are located
And the end of the SIG via and the SIG terminal
And the ends of the two GND vias and the two GND ends
Connected to each other by wire bonding.
The high circumference according to claim 1, wherein the high circumference is electrically connected by:
Wave circulator.
路とGNDとのそれぞれに接続されたSIG端子と2つ
のGND端子とが、一面に、前記SIGビアと2つの前
記GNDビアの、前記絶縁基板の前記サーキュレータ積
層体が設けられた面の反対側の面上での配置パターンと
同様の配置パターンで設けられた外部装置と、前記SI
Gビアの端部と前記SIG端子とを、および2つの前記
GNDビアの端部と2つの前記GND端子とをそれぞれ
対向させて配置しバンプ接続することによって電気的に
接続される、請求項1に記載の高周波用サーキュレー
タ。 3. An SIG circuit for forming a transmission path of a high-frequency signal.
SIG terminals and two connected to each of the road and GND
GND terminal on one side, the SIG via and two front
The circulator product of the insulating substrate of the GND via
With the arrangement pattern on the surface opposite to the surface on which the layer body was provided
An external device provided in a similar arrangement pattern;
A G via end and the SIG terminal, and two
The end of the GND via and the two GND terminals
Electrically by placing them facing each other and connecting them with bumps
The high frequency circulator according to claim 1, which is connected.
Ta.
を囲むように形成された絶縁層と、前記円板状フェライ
トと絶縁層とが形成する層の一方の面に形成されたGN
D(グランド)層と、他方の面に形成された、前記円板
状フェライトの上に形成された円形部と、該円形部から
放射状に伸びる線路部とを有するSIG(信号)回路と
からなるサーキュレータ積層体と、該サーキュレータ積
層体が前記GND層を最下層として積層されて形成され
る絶縁基板と、前記絶縁層の前記SIG回路が形成され
た面の前記線路部の端部に隣接する2つの点と前記GN
D層とを電気的に接続させるGNDビアとを有する高周
波用サーキュレータであって、 高周波信号の伝達経路を形成するSIG回路とGNDと
のそれぞれに接続されたSIG端子と2つのGND端子
とが、一面に、前記SIG回路の前記線路部の端部と2
つの前記GNDビアの、前記絶縁基板の前記サーキュレ
ータ積層体が設けられた面上での配置パターンと同様の
配置パターンで設けられた外部装置と、前記SIG回路
の端部と前記SIG端子とを、および2つの前記GND
ビアの端部と2つの前記GND端子とをそれぞれ対向さ
せて配置しバンプ接続することによって電気的に接続さ
れる高周波用サーキュレータ。 4. A disk-shaped ferrite and said disk-shaped ferrite
An insulating layer formed so as to surround the
Formed on one surface of the layer formed by the gate and the insulating layer
D (ground) layer and the disk formed on the other surface
From the circular part formed on the ferrite
An SIG (signal) circuit having a radially extending line portion;
Circulator laminate comprising the circulator product
A layer body is formed by laminating the GND layer as a lowermost layer.
An insulating substrate and the SIG circuit of the insulating layer are formed.
Two points adjacent to the end of the line section on the
High circumference having a GND via for electrically connecting the D layer
A wave circulator, comprising: a SIG circuit forming a transmission path of a high-frequency signal; and a GND.
SIG terminal and two GND terminals connected to each
And the other end of the line portion of the SIG circuit and 2
The circular of the insulating substrate of the two GND vias
Pattern similar to that on the surface on which the
An external device provided in an arrangement pattern and the SIG circuit
And the SIG terminal, and the two GNDs
The end of the via and the two GND terminals are opposed to each other.
And electrically connected by bump connection
High frequency circulator.
在する接着層を有する請求項1から4のいずれか1項に
記載の高周波用サーキュレータ。5. The high frequency circulator according to claim 1, further comprising an adhesive layer interposed between said ferrite and said GND layer.
より僅かに大きい円板状の形状である請求項5に記載の
高周波用サーキュレータ。6. The high frequency circulator according to claim 5, wherein said adhesive layer has a disk shape slightly larger than a diameter of said disk ferrite.
または6に記載の高周波用サーキュレータ。7. The adhesive layer according to claim 5, wherein the adhesive layer is made of a conductive material.
Or a high-frequency circulator according to 6 .
または6に記載の高周波用サーキュレータ。8. The adhesive layer according to claim 5, wherein said adhesive layer is made of an insulating material.
Or a high-frequency circulator according to 6 .
からなる請求項1から8のいずれか1項に記載の高周波
用サーキュレータ。9. The high-frequency circulator according to claim 1, wherein said disk-shaped ferrite is made of a hard magnetic ferrite.
トからなる請求項1から8のいずれか1項に記載の高周
波用サーキュレータ。10. The high-frequency circulator according to claim 1, wherein said disc-shaped ferrite is made of soft magnetic ferrite.
体を積層した面の反対側の面に補強用絶縁層を有する請
求項1から10のいずれか1項に記載の高周波用サーキ
ュレータ。11. The high-frequency circulator according to claim 1, further comprising a reinforcing insulating layer on a surface of the insulating substrate opposite to a surface on which the circulator laminate is stacked.
トを囲むように形成された絶縁層と、前記円板状フェラ
イトと絶縁層とが形成する層の一方の面に形成されたG
ND層と、他方の面に形成された、前記円板状フェライ
トの上に形成された円形部と、該円形部から放射状に伸
びる線路部とを有するSIG回路とからなるサーキュレ
ータ積層体を有する高周波用サーキュレータの製造方法
において、前記サーキュレータ積層体を、前記GND層
を最下層として絶縁基板上に積層する工程と、前記絶縁
基板の前記サーキュレータ積層体が設けられた面の反対
側の面と前記SIG回路の前記線路部とを電気的に接続
するSIGビアと、前記絶縁基板の前記サーキュレータ
積層体が設けられた面の反対側の面の、前記SIGビア
に隣接する2つの点と前記GND層とを電気的に接続す
るGNDビアとを形成する工程とを有する、高周波用サ
ーキュレータの製造方法。12. A disk-shaped ferrite , an insulating layer formed so as to surround the disk-shaped ferrite, and a G layer formed on one surface of a layer formed by the disk-shaped ferrite and the insulating layer.
An ND layer and the disk-shaped ferrite formed on the other surface.
And a radial portion extending from the circular portion
The method of manufacturing a high-frequency circulator having a circulator laminate comprising a SIG circuit having a building line portion, the circulator laminate, a step of laminating the GND layer on an insulating substrate as a lowermost layer, the insulation
Opposite to the surface of the substrate on which the circulator laminate is provided
Electrical connection between the side surface and the line section of the SIG circuit
SIG via and the circulator of the insulating substrate
The SIG via on a surface opposite to the surface on which the laminate is provided
Electrically connects two points adjacent to each other to the GND layer.
Forming a high-frequency circulator.
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP9330099A JP3230673B2 (en) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | High frequency circulator and method of manufacturing the same |
| DE2000115966 DE10015966A1 (en) | 1999-03-31 | 2000-03-30 | Microstrip circulator for high frequency millimeter waveband applications, has multilayer structure with ground layer as lowermost layer, formed on insulated substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9330099A JP3230673B2 (en) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | High frequency circulator and method of manufacturing the same |
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