Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP3236145B2 - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP3236145B2 - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体集積回路装置およびその製造方法

Info

Publication number
JP3236145B2
JP3236145B2 JP23624793A JP23624793A JP3236145B2 JP 3236145 B2 JP3236145 B2 JP 3236145B2 JP 23624793 A JP23624793 A JP 23624793A JP 23624793 A JP23624793 A JP 23624793A JP 3236145 B2 JP3236145 B2 JP 3236145B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pad
semiconductor chip
integrated circuit
circuit device
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP23624793A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0794547A (ja
Inventor
和哉 坪井
昌弘 一谷
朝夫 松澤
礼司 大嶋
学 高田
光一 金本
正親 増田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Solutions Technology Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi ULSI Systems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi ULSI Systems Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP23624793A priority Critical patent/JP3236145B2/ja
Publication of JPH0794547A publication Critical patent/JPH0794547A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3236145B2 publication Critical patent/JP3236145B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90Bond pads, in general
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/281Auxiliary members
    • H10W72/283Reinforcing structures, e.g. bump collars

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置お
よびその製造技術に関し、特に、半導体チップをリード
フレームにペレット付けする工程の歩留り向上に適用し
て有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図6は、リード・オン・チップ(Lead O
n Chip;以下、LOCという)構造のリードフレームに
半導体チップをペレット付けした状態を示す図である。
【0003】LOC構造のリードフレーム20に半導体
チップ21をペレット付けするには、半導体チップ21
上に形成されたボンディングパッド22のうち、パッド
列の両端部のボンディングパッド22の位置を画像認識
により記憶させ、この情報に基づいて半導体チップ21
の位置決めを行った後、絶縁フィルム23を介してリー
ドフレーム20を半導体チップ21の表面の所定の位置
に貼り付ける。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述したペ
レット付け方法では、半導体チップ21上のボンディン
グパッド22がほぼ等間隔で配列されているために、パ
ッド列の端部のボンディングパッド22の位置を正確に
認識することが困難であった。そのため、端部のボンデ
ィングパッド22に隣接した内側のボンディングパッド
22を端部のボンディングパッド22と誤認識してしま
い、リードフレーム20を半導体チップ21の表面に貼
り付ける際に位置ずれが生じるという不具合があった。
【0005】本発明の目的は、半導体チップ上のパッド
列の端部の位置を正確に認識することによって、半導体
チップをリードフレームにペレット付けする際の位置ず
れを防止する技術を提供することにある。
【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、以下の
通りである。
【0008】本発明の半導体集積回路装置の製造方法
は、半導体チップの表面保護膜を開孔して形成したボン
ディングパッドの位置を画像認識により記憶し、この情
報に基づいて半導体チップの位置決めを行った後、前記
半導体チップの表面の所定の位置にリードフレームを接
合する際、あらかじめ前記半導体チップの表面保護膜の
開孔形状をパッド列の端部と内側とで異ならせておくも
のである。また、本発明の半導体集積回路装置は、半導
体チップに形成された第1のパッドおよび第2のパッド
を露出させるように表面膜が形成された半導体集積回路
装置であって、前記第1のパッドの周辺の露出部分の面
積に比べて前記第2のパッドの周辺の露出部分の面積の
方が広いことを特徴とするものである。
【0009】
【作用】上記した手段によれば、表面保護膜の開孔形状
の違いを検出することによってパッド列の端部のボンデ
ィングパッドの位置を正確に認識することができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の一実施例であるペレット付け
方法を図面を用いて説明する。
【0011】図1に示す半導体チップ1は、一例として
LOC構造のリードフレームにペレット付けするための
ものであって、その表面には、例えばポリイミド樹脂で
構成された表面保護膜2を開孔して形成した多数のボン
ディングパッド3が半導体チップ1の長辺方向に沿って
ほぼ等間隔で一列に配置されている。
【0012】図2に拡大して示すように、上記半導体チ
ップ1の表面保護膜2の開孔形状は、パッド列の端部と
内側とで異なっている。すなわち、パッド列の端部では
この表面保護膜2がパッド列の内側に比べて大きく開孔
されている。
【0013】パッド列の端部における表面保護膜2の開
孔形状は、前記図2に示すようなパターンに限定される
ものではない。図2ではボンディングパッド3と一体に
形成された配線4の延在方向に拡大して開孔した例を示
したが、例えば図3に示すように、配線4の延在方向と
逆の方向にも拡大するなど、開孔の形状や寸法は任意に
変更することができる。
【0014】上記半導体チップ1をペレット付けするに
は、半導体チップ1上に形成されたボンディングパッド
3のうち、パッド列の両端部のボンディングパッド3の
位置を画像認識により記憶させる。このとき、上記半導
体チップ1は、パッド列の端部における表面保護膜2の
開孔形状がパッド列の内側と異なっているので、この開
孔形状の相違を検出することにより、パッド列の端部の
ボンディングパッド3の位置を正確に認識することがで
きる。
【0015】また、上記半導体チップ1は、パッド列の
端部において、表面保護膜2をボンディングパッド3と
一体に形成された配線4の延在方向に拡大して開孔して
いるので、パッド列の端部におけるボンディングパッド
3の形状がパッド例の内側と異なっている。従って、こ
の形状の相違を検出することにより、パッド列の端部の
ボンディングパッド3の位置をさらに正確に認識するこ
とができる。
【0016】次に、上記ボンディングパッド3の位置情
報に基づいて半導体チップ1の位置決めを行った後、図
4に示すように、絶縁フィルム5を介してリードフレー
ム6を半導体チップ1の表面の所定の位置に貼り付け
る。
【0017】その後、常法により半導体チップ1のボン
ディングパッド3とリードフレーム6とをワイヤで接続
し、さらに半導体チップ1を樹脂封止した後、リードフ
レーム6を切断して所定の形状にフォーミングすること
により、LSIパッケージが完成する。
【0018】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0019】前記実施例では、LOC構造のリードフレ
ームにペレット付けを行う場合について説明したが、こ
れに限定されるものではなく、半導体チップの表面保護
膜を開孔して形成したボンディングパッドの位置を画像
認識により記憶し、この情報に基づいて半導体チップの
位置決めを行う工程を備えた全てのペレット付け方法に
適用することができる。
【0020】前記実施例では、パッド列が一列の半導体
チップを用いたが、図5に示すように、半導体チップ1
の各辺にパッド列が設けられているような場合は、例え
ば半導体チップ1の対角線方向に位置する一対のボンデ
ィングパッド3の周囲の表面保護膜2の開孔形状や寸法
を他のボンディングパッド3の周囲の開孔形状や寸法と
異ならすことにより、パッド列の端部のボンディングパ
ッド3の位置を正確に認識することができる。
【0021】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【0022】本発明によれば、半導体チップ上に形成さ
れたボンディングパッドの端部の位置を正確に認識する
ことができるので、半導体チップをリードフレームにペ
レット付けする際の位置ずれを防止することができ、ペ
レット付け工程の歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例で用いる半導体チップの斜視
図である。
【図2】図1に示す半導体チップの要部を拡大して示す
平面図である。
【図3】表面保護膜の開孔形状の他の例を示す平面図で
ある。
【図4】図1に示す半導体チップをリードフレームにペ
レット付けする工程を示す斜視図である。
【図5】本発明の他の実施例で用いる半導体チップの平
面図である。
【図6】LOC構造のリードフレームに半導体チップを
ペレット付けした状態を示す斜視図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 表面保護膜 3 ボンディングパッド 4 配線 5 絶縁フィルム 6 リードフレーム 20 リードフレーム 21 半導体チップ 22 ボンディングパッド 23 絶縁フィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 一谷 昌弘 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株式会社日立製作所 半導体事業部内 (72)発明者 松澤 朝夫 東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 大嶋 礼司 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリ ング株式会社内 (72)発明者 高田 学 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリ ング株式会社内 (72)発明者 金本 光一 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株式会社日立製作所 半導体事業部内 (72)発明者 増田 正親 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株式会社日立製作所 半導体事業部内 (56)参考文献 特開 昭63−131530(JP,A) 特開 昭64−7628(JP,A) 特開 平2−12847(JP,A) 特開 平2−163948(JP,A) 特開 平3−185743(JP,A) 特開 平5−198725(JP,A) 実開 昭57−41654(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/52 H01L 21/60 H01L 23/50

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップの表面保護膜を開孔して形
    成したボンディングパッドの位置を画像認識により記憶
    し、この情報に基づいて半導体チップの位置決めを行っ
    た後、前記半導体チップの表面の所定の位置にリードフ
    レームを接合する工程を有する半導体集積回路装置の製
    造方法であって、あらかじめ前記半導体チップの表面保
    護膜の開孔形状をパッド列の端部と内側とで異ならせた
    ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記パッド列の端部の表面保護膜をボン
    ディングパッドに接続された配線の延在方向に拡大して
    開孔したことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回
    路装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記リードフレームは、リード・オン・
    チップ構造のリードフレームであることを特徴とする請
    求項1または2記載の半導体集積回路装置の製造方法。
  4. 【請求項4】 半導体チップに形成された第1のパッド
    および第2のパッドを露出させるように表面膜が形成さ
    れた半導体集積回路装置であって、前記第1のパッドの
    周辺の露出部分の面積に比べて前記第2のパッドの周辺
    の露出部分の面積の方が広いことを特徴とする半導体集
    積回路装置。
  5. 【請求項5】 第1のパッド、第2のパッド、前記第1
    のパッドに接続される第1の配線、前記第2のパッドに
    接続される第2の配線、および表面膜が形成され、ま
    た、前記第1のパッド上、前記第2のパッド上、前記第
    1の配線の一部の上、および第2の配線の一部の上には
    前記表面膜が形成されない半導体チップからなる半導体
    集積回路装置であって、 前記第1の配線の前記表面膜が形成されない部分の面積
    に比べて前記第2の配線の前記表面膜が形成されない部
    分の面積の方が広いことを特徴とする半導体集積回路装
    置。
  6. 【請求項6】 表面に複数のボンディングパッドおよび
    表面保護膜が形成さされた半導体チップを有する半導体
    集積回路装置であって、前記表面保護膜は前記複数のボ
    ンディングパッドを露出させる開孔部を有しており、該
    開孔部の形状は、前記複数のボンディングパッドのうち
    前記半導体チップの外縁に最も近い第 1のボンディング
    パッドの露出部分と第2のボンディングパッドの露出部
    分とで異なることを特徴とする半導体集積回路装置。
JP23624793A 1993-09-22 1993-09-22 半導体集積回路装置およびその製造方法 Expired - Lifetime JP3236145B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23624793A JP3236145B2 (ja) 1993-09-22 1993-09-22 半導体集積回路装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23624793A JP3236145B2 (ja) 1993-09-22 1993-09-22 半導体集積回路装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0794547A JPH0794547A (ja) 1995-04-07
JP3236145B2 true JP3236145B2 (ja) 2001-12-10

Family

ID=16997962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23624793A Expired - Lifetime JP3236145B2 (ja) 1993-09-22 1993-09-22 半導体集積回路装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3236145B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0794547A (ja) 1995-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4994411A (en) Process of producing semiconductor device
US5895969A (en) Thin type semiconductor device, module structure using the device and method of mounting the device on board
US7339259B2 (en) Semiconductor device
JP2857380B2 (ja) 積層リードフレームを用いたチップスケールパッケージの製造方法
JPH0661406A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法及びテ−プキャリア
US20020192871A1 (en) Semiconductor device
JP3470111B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2800967B2 (ja) 積層形半導体装置の製造方法及びそれによる半導体パッケージ
US5863805A (en) Method of packaging semiconductor chips based on lead-on-chip (LOC) architecture
JP3633364B2 (ja) Bga型半導体装置の製造方法
JP3236145B2 (ja) 半導体集積回路装置およびその製造方法
EP1856738A1 (en) An integrated circuit device package with an additional contact pad, a lead frame and an electronic device
JPH0546098B2 (ja)
JP2519259B2 (ja) 半導体装置
JP3013810B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63104435A (ja) 半導体装置
JP2885786B1 (ja) 半導体装置の製法および半導体装置
JP7759565B2 (ja) リードフレーム及びその製造方法
JP2748620B2 (ja) 半導体装置
KR100205495B1 (ko) 모서리의 양변이 식각된 방열판을 갖는 고방열 패키지용 리드프레임 및그를 이용한 반도체 칩 패키지
JP3783497B2 (ja) 半導体素子搭載用配線テープとそれを用いた半導体装置
JP2890795B2 (ja) 混成集積回路
JPH1154537A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH05291345A (ja) 半導体装置
JP2004228264A (ja) リードフレーム及びそれを用いた半導体装置並びに半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010821

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070928

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080928

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080928

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090928

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090928

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100928

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110928

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110928

Year of fee payment: 10

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110928

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120928

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120928

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130928

Year of fee payment: 12