JP3238933B2 - マグネトロンプラズマ処理方法 - Google Patents
マグネトロンプラズマ処理方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造装置
等に使用される、マグネトロンプラズマ処理方法に関す
る。
等に使用される、マグネトロンプラズマ処理方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、マグネトロンプラズマ処理装置と
しては、例えば半導体素子の製造に使用されるドライエ
ッチング装置やマグネトロンプラズマ薄膜形成装置等が
知られている。この種のマグネトロンプラズマ処理装置
においては、装置の処理室内にプラズマを生成し、この
プラズマ内のイオン、ラジカル、電子等の作用を利用し
て所望の処理（エッチング或いは薄膜形成等）が行なわ
れる。
しては、例えば半導体素子の製造に使用されるドライエ
ッチング装置やマグネトロンプラズマ薄膜形成装置等が
知られている。この種のマグネトロンプラズマ処理装置
においては、装置の処理室内にプラズマを生成し、この
プラズマ内のイオン、ラジカル、電子等の作用を利用し
て所望の処理（エッチング或いは薄膜形成等）が行なわ
れる。
【０００３】以下、このようなマグネトロンプラズマ処
理装置について、図２に示したマグネトロンプラズマエ
ッチング装置を例に採って説明する。
理装置について、図２に示したマグネトロンプラズマエ
ッチング装置を例に採って説明する。
【０００４】同図において、真空引きが可能であり、且
つ、エッチングガスの導入が可能なプロセスチャンバー
４０の内部には、被処理体としてのウエハ１０を載置す
るための載置電極４２と上部電極４６が設けられてい
る。この載置電極４２と上部電極４６とは、共に導電性
材料で形成されており、また、上部電極４６は接地さ
れ、載置電極４２には周波数例えば３８０ＫＨｚまたは
１３．５６ＭＨｚの高周波電力を出力するＲＦ電源４４
が接続されている。このような構成により、上部電極４
６と載置電極４２とを平行平板電極として、カソードカ
ップリング（ＲＩＥ）方式により、ウエハ１０に臨んで
プラズマを生成することができる。このプラズマ内のイ
オン或いはラジカル等がウエハ１０を形成するシリコン
化合物と反応し、あるいは物理的に作用することによ
り、ウエハ１０のエッチングが行なわれるのである。
つ、エッチングガスの導入が可能なプロセスチャンバー
４０の内部には、被処理体としてのウエハ１０を載置す
るための載置電極４２と上部電極４６が設けられてい
る。この載置電極４２と上部電極４６とは、共に導電性
材料で形成されており、また、上部電極４６は接地さ
れ、載置電極４２には周波数例えば３８０ＫＨｚまたは
１３．５６ＭＨｚの高周波電力を出力するＲＦ電源４４
が接続されている。このような構成により、上部電極４
６と載置電極４２とを平行平板電極として、カソードカ
ップリング（ＲＩＥ）方式により、ウエハ１０に臨んで
プラズマを生成することができる。このプラズマ内のイ
オン或いはラジカル等がウエハ１０を形成するシリコン
化合物と反応し、あるいは物理的に作用することによ
り、ウエハ１０のエッチングが行なわれるのである。
【０００５】また、かかる装置では、ヨーク３６に支持
された２個の永久磁石３８を回転軸３６ａで回転させる
ことによって、図２に破線で示したように、上部電極４
６と載置電極４２との間に、この上部電極４６および載
置電極４２に水平成分の均一な磁界の形成を目的として
いる。これは、上部電極４６と載置電極４２との間に発
生する電界と、この電界に直交する磁界成分との作用に
よって、それぞれに直交する方向に電子のサイクロイド
運動を行なわせ、これにより電子とガス分子との衝突の
頻度を増大させるためである。これにより、低圧雰囲気
でのプラズマの発生を可能にし、プラズマの生成量を増
大させ、１６Ｍ，３２Ｍと超ＬＳＩ製造工程での微細エ
ッチングを可能にさせることができ、したがって、エッ
チングの速度を速くすることができる。
された２個の永久磁石３８を回転軸３６ａで回転させる
ことによって、図２に破線で示したように、上部電極４
６と載置電極４２との間に、この上部電極４６および載
置電極４２に水平成分の均一な磁界の形成を目的として
いる。これは、上部電極４６と載置電極４２との間に発
生する電界と、この電界に直交する磁界成分との作用に
よって、それぞれに直交する方向に電子のサイクロイド
運動を行なわせ、これにより電子とガス分子との衝突の
頻度を増大させるためである。これにより、低圧雰囲気
でのプラズマの発生を可能にし、プラズマの生成量を増
大させ、１６Ｍ，３２Ｍと超ＬＳＩ製造工程での微細エ
ッチングを可能にさせることができ、したがって、エッ
チングの速度を速くすることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したプラズマエッ
チング装置では、エッチング量を、ウエハ１０の全面で
均一にすることが要求される。
チング装置では、エッチング量を、ウエハ１０の全面で
均一にすることが要求される。
【０００７】しかしながら、上述のごとき従来のプラズ
マエッチング装置を用いてエッチングを行なう場合、一
般にはウエハ１０の周辺部付近よりも中央部付近の方が
エッチング速度が速くなってしまい、このため、エッチ
ングの均一性は、十分に満足することができるものでは
なかった。本発明者の検討によれば、これは、ウエハ１
０の中央部付近では永久磁石３８によって得られる磁界
がウエハ１０の表面とほぼ水平であり、したがって電界
と直交する成分が大きいのに対し、周辺部付近で形成さ
れる磁界はウエハ１０の表面と水平ではないので電界と
直交する成分が小さく、このため電子のサイクロイド運
動が起こりにくいからであると考えられる。
マエッチング装置を用いてエッチングを行なう場合、一
般にはウエハ１０の周辺部付近よりも中央部付近の方が
エッチング速度が速くなってしまい、このため、エッチ
ングの均一性は、十分に満足することができるものでは
なかった。本発明者の検討によれば、これは、ウエハ１
０の中央部付近では永久磁石３８によって得られる磁界
がウエハ１０の表面とほぼ水平であり、したがって電界
と直交する成分が大きいのに対し、周辺部付近で形成さ
れる磁界はウエハ１０の表面と水平ではないので電界と
直交する成分が小さく、このため電子のサイクロイド運
動が起こりにくいからであると考えられる。
【０００８】このような問題は、マグネトロンプラズマ
エッチング装置に限らず、プラズマによって処理するプ
ラズマスパッタ装置やプラズマＣＶＤ装置等にも共通し
ている。
エッチング装置に限らず、プラズマによって処理するプ
ラズマスパッタ装置やプラズマＣＶＤ装置等にも共通し
ている。
【０００９】本発明は、このような従来技術の有する課
題に鑑みて試されたものであり、被処理体の全面につい
て均一な電子サイクロトロン運動力を生じさせるように
して処理を行なうことができるマグネトロンプラズマ処
理方法を提供することを目的とする。
題に鑑みて試されたものであり、被処理体の全面につい
て均一な電子サイクロトロン運動力を生じさせるように
して処理を行なうことができるマグネトロンプラズマ処
理方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のマグネトロンプ
ラズマ処理方法は、被処理体を載置する第１の電極と、
前記第１の電極に対向する第１の面、及びこの第１の面
の縁部にて前記第１の電極に垂直な第２の面とを有する
第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間
に電界を発生させる如く設けられた高周波電源と、前記
第１の電極と前記第２の電極との間に磁界を形成するた
めの磁界発生器とを具備するマグネトロンプラズマ処理
装置にて、前記被処理体をプラズマ処理する方法におい
て、前記被処理体の中心部にて該被処理体と垂直な垂直
成分と、前記被処理体の周縁部にて該被処理体に平行な
水平成分とを有する電界を生成し、 前記被処理体の中心
部にて該被処理体と平行な水平成分と、前記被処理体の
周縁部にて前記水平成分と直交する垂直成分とを有する
磁界を生成し、前記被処理体の周縁部において、前記電
界の垂直成分と前記磁界の水平成分とによる電子のサイ
クロイド運動が前記被処理体の中央部よりも減少する一
方で、前記電界の前記水平成分と前記磁界の前記垂直成
分とによる電子のサイクロイド運動を増大させて、前記
被処理体の全面にて均一な処理を行わせることを特徴と
する。
ラズマ処理方法は、被処理体を載置する第１の電極と、
前記第１の電極に対向する第１の面、及びこの第１の面
の縁部にて前記第１の電極に垂直な第２の面とを有する
第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間
に電界を発生させる如く設けられた高周波電源と、前記
第１の電極と前記第２の電極との間に磁界を形成するた
めの磁界発生器とを具備するマグネトロンプラズマ処理
装置にて、前記被処理体をプラズマ処理する方法におい
て、前記被処理体の中心部にて該被処理体と垂直な垂直
成分と、前記被処理体の周縁部にて該被処理体に平行な
水平成分とを有する電界を生成し、 前記被処理体の中心
部にて該被処理体と平行な水平成分と、前記被処理体の
周縁部にて前記水平成分と直交する垂直成分とを有する
磁界を生成し、前記被処理体の周縁部において、前記電
界の垂直成分と前記磁界の水平成分とによる電子のサイ
クロイド運動が前記被処理体の中央部よりも減少する一
方で、前記電界の前記水平成分と前記磁界の前記垂直成
分とによる電子のサイクロイド運動を増大させて、前記
被処理体の全面にて均一な処理を行わせることを特徴と
する。
【００１１】
【作用】第１の電極と垂直な面（第２の面）を第２の電
極に形成することにより、電源をオンした際に、第１の
電極に載置された被処理体の周縁部には水平な成分を有
する電界を発生させる。この電界の水平成分は、磁界発
生器によって形成される磁界の内、被処理体の周縁部に
形成される垂直な成分と作用して、フレミングの左手の
法則により電子のサイクロイド運動を起こす。これによ
り、磁界の垂直成分が大きい領域における、電子とガス
分子との衝突の頻度を増大させる。
極に形成することにより、電源をオンした際に、第１の
電極に載置された被処理体の周縁部には水平な成分を有
する電界を発生させる。この電界の水平成分は、磁界発
生器によって形成される磁界の内、被処理体の周縁部に
形成される垂直な成分と作用して、フレミングの左手の
法則により電子のサイクロイド運動を起こす。これによ
り、磁界の垂直成分が大きい領域における、電子とガス
分子との衝突の頻度を増大させる。
【００１２】すなわち、本発明では、第１の電極と第２
の電極との間に形成される磁界の内、被処理体の中心領
域における水平な磁界成分は、第２の電極の第１の面
（第１の電極に対向する面）と第１の電極とによって形
成される被処理体と垂直な電界成分と作用して、プラズ
マ内の電子にサイクロイド運動を行わせ、また、被処理
体の周縁領域における垂直な磁界成分は、第２の電極の
第２の面（第１の電極と垂直な面）と第１の電極とによ
って形成される被処理体と水平な電界成分と作用して、
プラズマ内の電子にサイクロイド運動を行わせる。
の電極との間に形成される磁界の内、被処理体の中心領
域における水平な磁界成分は、第２の電極の第１の面
（第１の電極に対向する面）と第１の電極とによって形
成される被処理体と垂直な電界成分と作用して、プラズ
マ内の電子にサイクロイド運動を行わせ、また、被処理
体の周縁領域における垂直な磁界成分は、第２の電極の
第２の面（第１の電極と垂直な面）と第１の電極とによ
って形成される被処理体と水平な電界成分と作用して、
プラズマ内の電子にサイクロイド運動を行わせる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例として、本発明
をマグネトロンプラズマエッチング装置に適用した場合
を例に採って説明する。
をマグネトロンプラズマエッチング装置に適用した場合
を例に採って説明する。
【００１４】図１は、本実施例に係わるマグネトロンプ
ラズマエッチング装置の構成を概略的に示す断面図であ
る。被処理体であるウエハ１０は、第１のサセプター１
２の上面に載置固定される。載置固定を行なう方式とし
ては、例えば、静電チャック（図示せず）方式を用いる
ことができる。これは、クーロン力によってウエハ１０
を吸引して固定する方式である。前記第１のサセプター
１２は、第２のサセプター１４の上面に対して着脱自在
に固定される。このように、サセプターを２つに分割し
ているのは、サセプターが汚染された場合に上側の第１
のサセプター１２のみを交換すればよいこととし、その
メインテナンスを容易にするためである。
ラズマエッチング装置の構成を概略的に示す断面図であ
る。被処理体であるウエハ１０は、第１のサセプター１
２の上面に載置固定される。載置固定を行なう方式とし
ては、例えば、静電チャック（図示せず）方式を用いる
ことができる。これは、クーロン力によってウエハ１０
を吸引して固定する方式である。前記第１のサセプター
１２は、第２のサセプター１４の上面に対して着脱自在
に固定される。このように、サセプターを２つに分割し
ているのは、サセプターが汚染された場合に上側の第１
のサセプター１２のみを交換すればよいこととし、その
メインテナンスを容易にするためである。
【００１５】第１，第２のサセプター１２，１４の側面
および底面は、絶縁セラミック１６によって覆われてい
る。また、この絶縁セラミック１６の下面には、冷却部
としての液体チッ素収容部２０が設けられている。この
液体チッ素収容部２０の内壁底面は、例えばポーラスに
形成され、各沸騰を起することができるようになってお
り、その内部の液体チッ素を−１９６℃に維持できる。
および底面は、絶縁セラミック１６によって覆われてい
る。また、この絶縁セラミック１６の下面には、冷却部
としての液体チッ素収容部２０が設けられている。この
液体チッ素収容部２０の内壁底面は、例えばポーラスに
形成され、各沸騰を起することができるようになってお
り、その内部の液体チッ素を−１９６℃に維持できる。
【００１６】反応室を形成するためのチャンバーは、上
部チャンバー３０と下部チャンバー３２とから形成され
る。前記下部チャンバー３２は、第１のサセプター１２
のウエハ載置面のみをチャンバー室内に露出し、他の部
分を覆うような有底筒部を有する。すなわち、前記第
１，第２のサセプター１２，１４，絶縁セラミック１
６，液体チッ素収容部２０の側面を覆う側壁３２ａと、
支持壁３２ｂとを有している。一方、前記上部チャンバ
ー３０は、下部チャンバー３２の側壁３２ａの周囲を覆
うように筒状に形成され、その下端側が前記下部チャン
バー３２と連結固定されている。また、この上部チャン
バー３０は、第１のサセプター１２の上面と対向する第
１の面３０ａと、第１のサセプター１２の上面と垂直な
第２の面３０ｂとを有している。なお、エッチングガス
は、第１の面３０ａの孔（図示せず）を介して導入され
る。
部チャンバー３０と下部チャンバー３２とから形成され
る。前記下部チャンバー３２は、第１のサセプター１２
のウエハ載置面のみをチャンバー室内に露出し、他の部
分を覆うような有底筒部を有する。すなわち、前記第
１，第２のサセプター１２，１４，絶縁セラミック１
６，液体チッ素収容部２０の側面を覆う側壁３２ａと、
支持壁３２ｂとを有している。一方、前記上部チャンバ
ー３０は、下部チャンバー３２の側壁３２ａの周囲を覆
うように筒状に形成され、その下端側が前記下部チャン
バー３２と連結固定されている。また、この上部チャン
バー３０は、第１のサセプター１２の上面と対向する第
１の面３０ａと、第１のサセプター１２の上面と垂直な
第２の面３０ｂとを有している。なお、エッチングガス
は、第１の面３０ａの孔（図示せず）を介して導入され
る。
【００１７】この上部チャンバー３０と前記下部チャン
バー３２とで構成される反応室内は、配管３４によって
真空引きが可能である。
バー３２とで構成される反応室内は、配管３４によって
真空引きが可能である。
【００１８】なお、図１に示すように、前記第１のサセ
プター１２、第２のサセプター１４、絶縁セラミック１
６、液体チッ素収容部２０には、それぞれ貫通穴が設け
られており、この貫通穴には配管３６が配置されてい
る。前記ウエハ１０と前記第１のサセプター１２との接
合面には、ウエハ１０の裏面の微細な凹凸等に起因する
空隙が存在しており、ウエハ１０に温度むらが生じる原
因となるが、この配管３６を介して空隙に所定の圧力の
Ｈ2 ガスを充満させることにより、かかる温度むらを防
止することができる。
プター１２、第２のサセプター１４、絶縁セラミック１
６、液体チッ素収容部２０には、それぞれ貫通穴が設け
られており、この貫通穴には配管３６が配置されてい
る。前記ウエハ１０と前記第１のサセプター１２との接
合面には、ウエハ１０の裏面の微細な凹凸等に起因する
空隙が存在しており、ウエハ１０に温度むらが生じる原
因となるが、この配管３６を介して空隙に所定の圧力の
Ｈ2 ガスを充満させることにより、かかる温度むらを防
止することができる。
【００１９】本実施例のマグネトロンエッチング装置で
は、上部チャンバー３０を接地し、第１，第２のサセプ
ター１２，１４にＲＦ電力を供給することにより、２個
の電極を構成している。すなわち、上部チャンバー３０
の第１の面３０ａおよび第２の面３０ｂをそれそれアノ
ード電極として作用させ、第１のサセプター１２の表面
をカソード電極として作用させることにより、ＲＩＥ方
式のマグネトロンプラズマエッチング装置を構成してい
る。そして、チャンバー内を真空引きした状態でエッチ
ングガスを導入し、上記対向電極間にエッチングガスに
よるプラズマを生成する。このように、本実施例では、
上部チャンバー３０をカソード電極として使用している
ので、装置の構成を簡単にすることができ、さらに、後
述する永久磁石３８を上部チャンバー３０の外の天上部
に配置することができる。また、このように、永久磁石
３８を上部チャンバー３０の外に配置することにより、
反応室の容積を小さくすることができるので、配管３４
につながれた真空ポンプ（図示せず）の負担を小さくす
ることができ、或いは、真空引きに要する時間を短縮す
ることができる。
は、上部チャンバー３０を接地し、第１，第２のサセプ
ター１２，１４にＲＦ電力を供給することにより、２個
の電極を構成している。すなわち、上部チャンバー３０
の第１の面３０ａおよび第２の面３０ｂをそれそれアノ
ード電極として作用させ、第１のサセプター１２の表面
をカソード電極として作用させることにより、ＲＩＥ方
式のマグネトロンプラズマエッチング装置を構成してい
る。そして、チャンバー内を真空引きした状態でエッチ
ングガスを導入し、上記対向電極間にエッチングガスに
よるプラズマを生成する。このように、本実施例では、
上部チャンバー３０をカソード電極として使用している
ので、装置の構成を簡単にすることができ、さらに、後
述する永久磁石３８を上部チャンバー３０の外の天上部
に配置することができる。また、このように、永久磁石
３８を上部チャンバー３０の外に配置することにより、
反応室の容積を小さくすることができるので、配管３４
につながれた真空ポンプ（図示せず）の負担を小さくす
ることができ、或いは、真空引きに要する時間を短縮す
ることができる。
【００２０】なお、本実施例では、上述のように、アノ
ード電極（上部チャンバー３０）が、カソード電極（第
１のサセプター１２）に対向する電極部（第１の面３０
ａ）とカソード電極と垂直な電極部（第２の面３０ｂ）
とを有しているので、カソード電極とアノード電極とに
よって形成される電界は、図１に実線で示すように、ウ
エハ１０の中央部付近ではほぼ垂直となっており、周辺
部に近付くほど水平成分が大きくなる。
ード電極（上部チャンバー３０）が、カソード電極（第
１のサセプター１２）に対向する電極部（第１の面３０
ａ）とカソード電極と垂直な電極部（第２の面３０ｂ）
とを有しているので、カソード電極とアノード電極とに
よって形成される電界は、図１に実線で示すように、ウ
エハ１０の中央部付近ではほぼ垂直となっており、周辺
部に近付くほど水平成分が大きくなる。
【００２１】また、本実施例のマグネトロンエッチング
装置では、前記ウエハ１０と対向する位置であって、前
記上部チャンバー３０の外側上方にて永久磁石３８を回
転させることにより、上部チャンバー３０と第１のサセ
プター１２のとの間に磁界を形成することができる。こ
のように、永久磁石３８によって上部チャンバー３０と
第１のサセプター１２のとの間に磁界を形成するのは、
上部チャンバー３０と第１のサセプター１２との間に発
生する電界と、この電界に直交する磁界成分との作用に
よって、フレミングの左手の法則により、それぞれに直
交する方向に電子のサイクロイド運動を行なわせ、これ
により電子とガス分子との衝突の頻度を増大させるため
である。
装置では、前記ウエハ１０と対向する位置であって、前
記上部チャンバー３０の外側上方にて永久磁石３８を回
転させることにより、上部チャンバー３０と第１のサセ
プター１２のとの間に磁界を形成することができる。こ
のように、永久磁石３８によって上部チャンバー３０と
第１のサセプター１２のとの間に磁界を形成するのは、
上部チャンバー３０と第１のサセプター１２との間に発
生する電界と、この電界に直交する磁界成分との作用に
よって、フレミングの左手の法則により、それぞれに直
交する方向に電子のサイクロイド運動を行なわせ、これ
により電子とガス分子との衝突の頻度を増大させるため
である。
【００２２】永久磁石３８によって形成される磁界は、
図１に破線で示したように、ウエハ１０の中央部の上方
ではほぼ水平となっており、周辺部に近付く程円弧状傾
きが大きくなる（すなわち、垂直成分が大きくなる）。
これに対して、本実施例では、上述のように、アノード
電極（上部チャンバー３０）に、カソード電極（第１の
サセプター１２）に対向する電極部３０ａと垂直な電極
部３０ｂとを備えているので、上部チャンバー３０と第
１のサセプター１２とによって形成される電界は、ウエ
ハ１０の中央部付近ではほぼ垂直となっており、周辺部
に近付く程水平成分が大きくなる。したがって、ウエハ
１０の中央部付近のプラズマでは、電子のサイクロイド
運動は、主として電界の垂直成分と磁界の水平成分との
作用によって引き起こされる力は中央部周辺部では均一
化される。また、ウエハ１０の周辺部に近い程、電界の
垂直成分および磁界の水平成分は小さくなるが、これと
同時に、ウエハ表面に対する電界は水平成分が大きくな
り、磁界は垂直成分が大きくなる。このため、ウエハ１
０の周辺部に近い程、ウエハ表面に対する電界の垂直成
分と磁界の水平成分との作用によって引き起こされる電
子のサイクロイド運動は減少するが、その一方で、電界
の水平成分と磁界の垂直成分との作用によって起こされ
る電子のサイクロイド運動が増大する。このようにし
て、本実施例では、ウエハ１０の周辺部におけるプラズ
マの生成量と中央部におけるプラズマの生成量との差を
なくしているのである。これにより、ウエハ１０のエッ
チング速度を均一にすることができ、ひいては、エッチ
ング量を均一にすることができる。
図１に破線で示したように、ウエハ１０の中央部の上方
ではほぼ水平となっており、周辺部に近付く程円弧状傾
きが大きくなる（すなわち、垂直成分が大きくなる）。
これに対して、本実施例では、上述のように、アノード
電極（上部チャンバー３０）に、カソード電極（第１の
サセプター１２）に対向する電極部３０ａと垂直な電極
部３０ｂとを備えているので、上部チャンバー３０と第
１のサセプター１２とによって形成される電界は、ウエ
ハ１０の中央部付近ではほぼ垂直となっており、周辺部
に近付く程水平成分が大きくなる。したがって、ウエハ
１０の中央部付近のプラズマでは、電子のサイクロイド
運動は、主として電界の垂直成分と磁界の水平成分との
作用によって引き起こされる力は中央部周辺部では均一
化される。また、ウエハ１０の周辺部に近い程、電界の
垂直成分および磁界の水平成分は小さくなるが、これと
同時に、ウエハ表面に対する電界は水平成分が大きくな
り、磁界は垂直成分が大きくなる。このため、ウエハ１
０の周辺部に近い程、ウエハ表面に対する電界の垂直成
分と磁界の水平成分との作用によって引き起こされる電
子のサイクロイド運動は減少するが、その一方で、電界
の水平成分と磁界の垂直成分との作用によって起こされ
る電子のサイクロイド運動が増大する。このようにし
て、本実施例では、ウエハ１０の周辺部におけるプラズ
マの生成量と中央部におけるプラズマの生成量との差を
なくしているのである。これにより、ウエハ１０のエッ
チング速度を均一にすることができ、ひいては、エッチ
ング量を均一にすることができる。
【００２３】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々変形実施が可
能である。
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々変形実施が可
能である。
【００２４】
【００２５】また、本発明は必ずしもマグネトロンプラ
ズマエッチング装置に適用するものに限らず、例えばス
パッタ装置、プラズマＣＶＤ装置，イオン源，Ｘ線源
等、他のマグネトロンプラズマ装置にも同様に適用でき
る。
ズマエッチング装置に適用するものに限らず、例えばス
パッタ装置、プラズマＣＶＤ装置，イオン源，Ｘ線源
等、他のマグネトロンプラズマ装置にも同様に適用でき
る。
【００２６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のマ
グネトロンプラズマ処理方法によれば、被処理体の全面
について均一な処理を行なうことができる。
グネトロンプラズマ処理方法によれば、被処理体の全面
について均一な処理を行なうことができる。
【図１】本発明の実施例に係わるマグネトロンプラズマ
エッチング装置の概略断面図である。
エッチング装置の概略断面図である。
【図２】従来のマグネトロンプラズマエッチング装置の
概略断面図である。
概略断面図である。
１０ ウエハ １２，１４ サセプター ２０ 冷却部（液体チッ素収容部） ３０ 上部チャンバー ３０ａ 上部チャンバーの第１の面 ３０ｂ 上部チャンバーの第２の面 ３２ 下部チャンバー ３４，３６ 配管
ＴＥ０３２４０１
ＴＥ０３２４０１
フロントページの続き (72)発明者 野沢 俊久 東京都新宿区西新宿２丁目３番１号 東 京エレクトロン株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−211625（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−13158（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−2325（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−94522（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23C 14/34
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理体を載置する第１の電極と、 前記第１の電極に対向する第１の面、及びこの第１の面
の縁部にて前記第１の電極に垂直な第２の面とを有する
第２の電極と、 前記第１の電極と前記第２の電極との間に電界を発生さ
せる如く設けられた高周波電源と、 前記第１の電極と前記第２の電極との間に磁界を形成す
るための磁界発生器とを具備するマグネトロンプラズマ
処理装置にて、前記被処理体をプラズマ処理する方法に
おいて、前 記被処理体の中心部にて該被処理体と垂直な垂直成分
と、前記被処理体の周縁部にて該被処理体に平行な水平
成分とを有する電界を生成し、 前 記被処理体の中心部にて該被処理体と平行な水平成分
と、前記被処理体の周縁部にて前記水平成分と直交する
垂直成分とを有する磁界を生成し、 前記被処理体の周縁部において、前記電界の垂直成分と
前記磁界の水平成分とによる電子のサイクロイド運動が
前記被処理体の中央部よりも減少する一方で、前記電界
の前記水平成分と前記磁界の前記垂直成分とによる電子
のサイクロイド運動を増大させて、前記被処理体の全面
にて均一な処理を行わせることを特徴とするマグネトロ
ンプラズマ処理方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20740791A JP3238933B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | マグネトロンプラズマ処理方法 |
| KR1019920013069A KR100297358B1 (ko) | 1991-07-23 | 1992-07-22 | 플라즈마에칭장치 |
| DE69231479T DE69231479T2 (de) | 1991-07-23 | 1992-07-23 | Magnetron-Plasma-Bearbeitungsvorrichtung |
| US07/917,361 US5271788A (en) | 1991-07-23 | 1992-07-23 | Plasma processing apparatus |
| EP92112573A EP0525633B1 (en) | 1991-07-23 | 1992-07-23 | Magnetron plasma processing apparatus |
| TW081106481A TW239897B (ja) | 1991-07-23 | 1992-08-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20740791A JP3238933B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | マグネトロンプラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529268A JPH0529268A (ja) | 1993-02-05 |
| JP3238933B2 true JP3238933B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=16539229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20740791A Expired - Lifetime JP3238933B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | マグネトロンプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3238933B2 (ja) |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP20740791A patent/JP3238933B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529268A (ja) | 1993-02-05 |
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