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JP3243197B2 - Equipment for manufacturing lead frames for semiconductor devices - Google Patents
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JP3243197B2 - Equipment for manufacturing lead frames for semiconductor devices - Google Patents

Equipment for manufacturing lead frames for semiconductor devices

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JP3243197B2
JP3243197B2 JP06232697A JP6232697A JP3243197B2 JP 3243197 B2 JP3243197 B2 JP 3243197B2 JP 06232697 A JP06232697 A JP 06232697A JP 6232697 A JP6232697 A JP 6232697A JP 3243197 B2 JP3243197 B2 JP 3243197B2
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station
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frame base
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、特に集積回路素子
又は集積回路素子搭載基板を接合する熱可塑性接着剤付
きの接合テープを貼り付けて形成された半導体装置用リ
ードフレームの製造設備に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a lead frame for a semiconductor device formed by attaching a bonding tape with a thermoplastic adhesive for bonding an integrated circuit element or an integrated circuit element mounting substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置は信号処理速度の高速化が強
く望まれ、高周波化した信号を処理することになって、
使用時に半導体装置自体の温度が上昇する。半導体装置
の温度が上昇すると、半導体装置は機能性に悪影響を受
けるので、温度上昇を抑制する必要があり、銅や銅合金
からなる放熱板をチップ搭載部やインナーリードの下方
に設置している。また、半導体装置にはインナーリード
の下面又は上面に半導体素子を取付けたLOC(リード
オンチップ)やCOL(チップオンリード)というもの
が提案されている。前記放熱板の設置や前記半導体素子
の取付けには、絶縁性接合テープが使用され、一般に絶
縁性接合テープはパンチとダイとを有する打ち抜き金型
によって、短冊状又は枠状に打ち抜かれて、リードパタ
ーンが形成されたリードフレームの所定箇所、例えばイ
ンナーリード部、或いは素子搭載部とインナーリード部
に貼着されている。
2. Description of the Related Art In semiconductor devices, it is strongly desired to increase the signal processing speed.
During use, the temperature of the semiconductor device itself rises. When the temperature of the semiconductor device rises, the functionality of the semiconductor device is adversely affected, so it is necessary to suppress the temperature rise, and a heat sink made of copper or a copper alloy is installed below the chip mounting portion or the inner lead. . Further, as a semiconductor device, LOC (lead-on-chip) or COL (chip-on-lead) in which a semiconductor element is attached to a lower surface or an upper surface of an inner lead has been proposed. Insulating bonding tape is used for installation of the heat sink and mounting of the semiconductor element. Generally, the insulating bonding tape is punched into a strip shape or a frame shape by a punching die having a punch and a die, and leads are formed. It is attached to a predetermined portion of the lead frame on which the pattern is formed, for example, the inner lead portion, or the element mounting portion and the inner lead portion.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、絶縁性
接合テープは通常両面に接着剤が塗布され、又は接着剤
のみをテープ状にしたものが用いられるが、軟質である
ので打ち抜き性が悪く、特に、同一の箇所で接合テープ
の打ち抜きと打ち抜いた接合テープ片の押圧接合を行う
と、接合するリードフレームを加熱する必要もあって、
打ち抜き金型自体の温度が上昇し、熱可塑性樹脂が更に
軟化して切断不良を起こすという問題があった。また、
仮に切断できても、金型の温度が高いために絶縁性接合
テープの端面に接着剤が引きちぎれたように付着し、且
つ打ち抜き端面形状が劣化して、リードフレームへの貼
着不良又は貼着できてもその後の半導体装置の組立過程
で剥離発生等が発生するという問題があった。本発明は
かかる事情に鑑みてなされたもので、接合テープを切断
する金型がリードフレーム基材を加熱する熱源によって
加熱されることがなく、従って、接合テープの切断性が
良く、結果として品質の良い半導体装置用リードフレー
ムを効率的に製造可能な半導体装置用リードフレームの
製造設備を提供することを目的とする。
However, insulative bonding tapes are usually coated with an adhesive on both sides, or tapes of the adhesive alone are used. However, since they are soft, they have poor punching properties. When punching the bonding tape and pressing and bonding the punched bonding tape pieces at the same location, there is also a need to heat the lead frame to be bonded,
There has been a problem that the temperature of the punching die itself rises, and the thermoplastic resin is further softened to cause defective cutting. Also,
Even if it can be cut, due to the high temperature of the mold, the adhesive adheres to the end face of the insulating bonding tape as if torn, and the punched end face shape deteriorated, resulting in poor adhesion or adhesion to the lead frame. Even if possible, there has been a problem that peeling or the like occurs in the subsequent assembly process of the semiconductor device. The present invention has been made in view of such circumstances, and the mold for cutting the joining tape is not heated by the heat source for heating the lead frame base material, and therefore, the cutting property of the joining tape is good, and as a result, the quality is high. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device lead frame manufacturing facility capable of efficiently manufacturing a good semiconductor device lead frame.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】前記目的に沿う請求項1
記載の半導体装置用リードフレームの製造設備は、所定
の形状加工が行われたリードフレーム基材に、少なくと
も裏面に熱可塑性接着剤が塗布された所定形状の接合テ
ープ片を熱圧接によって貼着する半導体装置用リードフ
レームの製造設備であって、第1のヒータブロックを備
え、前記リードフレーム基材を予熱する予備加熱ステー
ションと、前記予備加熱ステーションに続き、予熱され
た前記リードフレーム基材を接合加工位置にて、予め切
れ目が形成された接合テープ片を接合テープから分離し
て、第2のヒータブロックによって更に加熱された前記
リードフレーム基材の所定位置に圧着する熱圧着ステー
ションと、前記リードフレーム基材の搬送方向とは別方
向から前記接合加工位置に搬送される前記接合テープに
押し抜き加工を行って、前記切れ目によって分離されて
いると共に押し抜き後は前記接合テープにそのまま仮着
されている接合テープ片を形成する接合テープ加工ステ
ーションと、前記リードフレーム基材の搬送手段、及び
該搬送手段に同期して前記接合テープを送るテープ送り
手段とを有している。
According to the present invention, there is provided a semiconductor device comprising:
The manufacturing equipment for a lead frame for a semiconductor device described above pastes a bonding tape piece of a predetermined shape having a thermoplastic adhesive applied on at least a back surface thereof to a lead frame base material having a predetermined shape processed by hot pressing. A semiconductor device lead frame manufacturing facility, comprising a first heater block, a preheating station for preheating the leadframe base material, and joining the preheated leadframe base material following the preheating station. A thermocompression station that separates a pre-cut bonding tape piece from the bonding tape at a processing position and presses the pre-cut into a predetermined position of the lead frame base material further heated by a second heater block; A punching process is performed on the joining tape conveyed to the joining position from a direction different from the conveying direction of the frame base material. A joining tape processing station for forming a joining tape piece that is temporarily attached to the joining tape as it is separated by the cuts and after being punched out, a conveying means of the lead frame base material, and a conveying means. A tape feeding means for feeding the joining tape in synchronization.

【0005】請求項2記載の半導体装置用リードフレー
ムの製造設備は、請求項1記載の製造設備において、前
記熱圧着ステーションの直後には、加熱されたリードフ
レーム基材を養生するキュアステーションが設けられて
いる。請求項3記載の半導体装置用リードフレームの製
造設備は、請求項1又は2記載の製造設備において、前
記予備加熱ステーションに前置して、薄板条材から各イ
ンナーリードの先端がバインダーで連結された状態の前
記リードフレーム基材を加工する第1の形状加工ステー
ションが設けられ、前記熱圧着ステーションに後置して
前記各インナーリードが前記接合テープ片で連結された
リードフレーム基材の前記バインダーを除去する第2の
形状加工ステーションが設けられている。そして、請求
項4記載の半導体装置用リードフレームの製造設備は、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造設備におい
て、前記接合テープ加工ステーションには冷却手段が設
けられている。
According to a second aspect of the present invention, in the manufacturing facility for a semiconductor device lead frame, a curing station for curing a heated lead frame base material is provided immediately after the thermocompression bonding station. Have been. According to a third aspect of the present invention, there is provided the semiconductor device lead frame manufacturing facility according to the first or second aspect, wherein a front end of each of the inner leads is connected to the preheating station with a binder from a thin plate material. A first shape processing station for processing the lead frame base material in a state in which the inner lead is connected to the thermocompression bonding station and the inner leads are connected by the bonding tape pieces; A second shaping station is provided for removing the. The semiconductor device lead frame manufacturing equipment according to claim 4 is:
The manufacturing equipment according to any one of claims 1 to 3, wherein the joining tape processing station is provided with cooling means.

【0006】請求項1〜4記載の半導体装置用リードフ
レームの製造設備においては、接合テープ加工ステーシ
ョンにおいては、テープ送り手段によって搬送される接
合テープに押し抜き加工を行って接合テープ片を分離す
ると共に、分離した接合テープ片をそのまま元の位置に
接合させている。そして、テープ送り手段によって熱圧
着ステーションの接合加工位置まで搬送して、別の金型
によって、接合テープから前記接合テープ片を分離し
て、順次搬送されるリードフレーム基材の所定位置に押
圧する。このリードフレーム基材は、予備加熱ステーシ
ョンによって第1のヒータブロックによって予熱され、
更には、熱圧着ステーションの第2のヒータブロックに
よって加熱されるので、押圧された接合テープ片の熱可
塑性接着剤が十分に接合温度に達してリードフレーム基
材に固着される。
In the manufacturing apparatus for a lead frame for a semiconductor device according to the present invention, in the bonding tape processing station, the bonding tape conveyed by the tape feeding means is subjected to a punching process to separate the bonding tape pieces. At the same time, the separated bonding tape pieces are bonded to their original positions. Then, the tape is transported to the bonding position of the thermocompression bonding station by a tape feeding unit, and the bonding tape piece is separated from the bonding tape by another mold and pressed against a predetermined position of the sequentially transported lead frame base material. . The leadframe substrate is preheated by a first heater block by a preheating station,
Further, since the second adhesive is heated by the second heater block of the thermocompression bonding station, the thermoplastic adhesive of the pressed bonding tape piece sufficiently reaches the bonding temperature and is fixed to the lead frame base material.

【0007】特に、請求項2記載の半導体装置用リード
フレームの製造設備においては、熱圧着ステーションの
直後にキュアステーションが設けられているので、加熱
されたリードフレーム基材が養生されて、接合テープ片
の固着が完了する。ここで、具体的なキュア手段として
は、リードフレーム基材を加熱する場合と必要に応じて
冷却する場合がある。なお、このキュアステーションは
省略することが可能である。請求項3記載の半導体装置
用リードフレームの製造設備においては、各インナーリ
ードの先端がバインダー(連結片)によって連結された
状態のリードフレーム基材の加工を、第1の形状加工ス
テーションで行い、熱圧着ステーションで各インナーリ
ードを接合テープ片で連結した状態で、第2の形状加工
ステーションで前記バインダーを分離しているので、最
終製品のインナーリード先端に捩じり等の変形を生じる
ことがない。請求項4記載の半導体装置用リードフレー
ムの製造設備においては、接合テープ加工ステーション
には冷却手段が設けられているので、押し抜き加工を行
う金型等の温度上昇を防止でき、これによって接合テー
プに塗布された熱可塑性接着剤の加熱を防止でき、接合
テープの押し抜き加工が安定に行える。
In particular, in the manufacturing equipment for a lead frame for a semiconductor device according to the present invention, since the curing station is provided immediately after the thermocompression bonding station, the heated lead frame base material is cured and the bonding tape is formed. The fixing of the piece is completed. Here, as specific curing means, there are a case where the lead frame base material is heated and a case where it is cooled as necessary. Note that this cure station can be omitted. In the semiconductor device lead frame manufacturing facility according to the third aspect, processing of the lead frame base material in a state where the tips of the inner leads are connected by a binder (connecting piece) is performed in a first shape processing station, Since the binder is separated at the second shape processing station in a state where the respective inner leads are connected with the bonding tape pieces at the thermocompression bonding station, deformation such as twisting may occur at the tip of the inner lead of the final product. Absent. In the manufacturing equipment for a lead frame for a semiconductor device according to claim 4, since the joining tape processing station is provided with a cooling means, it is possible to prevent a temperature rise of a die or the like for performing a punching process. The heating of the thermoplastic adhesive applied to the adhesive tape can be prevented, and the punching of the joining tape can be stably performed.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図1は本発明の一実施の形
態に係る半導体装置用リードフレームの製造設備の平面
図、図2及び図3は同断面図、図4は同半導体装置用リ
ードフレームの製造設備の概略ブロック図、図5は押し
抜き工程の説明図、図6はリードフレーム基材の平面図
である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings to provide an understanding of the present invention. FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device lead frame manufacturing facility according to an embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are cross-sectional views, and FIG. 4 is a semiconductor device lead frame manufacturing facility. FIG. 5 is a schematic block diagram, FIG. 5 is an explanatory view of a punching step, and FIG. 6 is a plan view of a lead frame base material.

【0009】図1〜図4に示すように、本発明の一実施
の形態に係る半導体装置用リードフレームの製造設備1
0は、リードフレーム基材11の主要な形状加工を行う
第1の形状加工ステーション12と、昇降可能な第1の
ヒータブロック13を備えた予備加熱ステーション14
と、リードフレーム基材11に接合テープ片15を熱圧
着する熱圧着ステーション16と、接合テープ17から
接合テープ片15を押し抜きする接合テープ加工ステー
ション18と、熱圧着ステーション16に後続するキュ
アステーション19及び第2の形状加工ステーション2
0と、リードフレーム基材11が複数連結された連結リ
ードフレーム基材21をピッチ送りする搬送手段22
と、前記接合テープ17を搬送手段22に同期して別方
向からピッチ送りするテープ送り手段23とを有してい
る。以下、これらについて詳しく説明する。
As shown in FIGS. 1 to 4, a semiconductor device lead frame manufacturing facility 1 according to an embodiment of the present invention.
Reference numeral 0 denotes a first shape processing station 12 for performing main shape processing of the lead frame base material 11 and a pre-heating station 14 including a first heater block 13 which can be moved up and down.
A thermocompression station 16 for thermocompression bonding the bonding tape piece 15 to the lead frame base material 11; a bonding tape processing station 18 for punching the bonding tape piece 15 from the bonding tape 17; and a curing station subsequent to the thermocompression station 16 19 and second shape processing station 2
0 and a conveying means 22 for feeding the lead frame base material 21 in which a plurality of lead frame base materials 11 are connected at a pitch.
And a tape feeding means 23 for feeding the joining tape 17 from another direction in synchronization with the conveying means 22. Hereinafter, these will be described in detail.

【0010】まず、図6(A)、(B)に示すように、
この半導体装置用リードフレームの製造設備10によっ
て処理されるリードフレーム基材11に接合テープ片1
5が接合されたリードフレーム24について説明する。
リードフレーム基材11は、所定の薄板条材にプレス加
工やエッチング加工を行う第1の形状加工ステーション
12によって成形され、両側の外枠25、26の内側に
所定ピッチでそれぞれ多数本のアウターリード27及び
インナーリード28が形成され、しかも、各インナーリ
ード28の先端はバインダー(連結片)29によって連
結されている。この第1の形状加工ステーション12に
は、リードフレーム基材11の表面処理手段や、リード
フレーム基材11がプレス加工によって行われた場合に
は残留応力除去手段を備えることもある。
First, as shown in FIGS. 6A and 6B,
The joining tape piece 1 is attached to the lead frame base material 11 which is processed by the semiconductor device lead frame manufacturing equipment 10.
The lead frame 24 to which the No. 5 is joined will be described.
The lead frame base material 11 is formed by a first shaping station 12 for performing press working or etching work on a predetermined thin strip material, and a plurality of outer leads are provided inside the outer frames 25 and 26 on both sides at a predetermined pitch. 27 and inner leads 28 are formed, and the tips of the respective inner leads 28 are connected by a binder (connecting piece) 29. The first shape processing station 12 may include a surface treatment unit for the lead frame base material 11 and a residual stress removing unit when the lead frame base material 11 is pressed.

【0011】第1の形状加工ステーション12で形成さ
れた状態のリードフレーム基材11のインナーリード2
8の先端をバインダー29によって連結することによっ
て、各インナーリード28に曲がりや捩じり等を発生す
るのを防止しながら後処理を行っているが、最終的に分
離除去する必要があるので、バインダー29を備えた状
態のリードフレーム基材11に、熱圧着ステーション1
6で接合テープ片15を熱圧着して、第2の形状加工ス
テーション20にてバインダー29を分離して求めるリ
ードフレーム24を製造している。なお、前記接合テー
プ片15の用途は、インナーリード28の先端の保持を
行う他に、半導体素子や放熱板を接合する場合の絶縁層
としての役目も果たすものである。また、図6におい
て、30は位置決めを行うパイロット孔を、31は樹脂
封止領域を示す。
The inner leads 2 of the lead frame substrate 11 formed in the first shape processing station 12
Although the post-processing is performed by connecting the tips of the wires 8 with a binder 29 to prevent the inner leads 28 from being bent or twisted, it is necessary to finally separate and remove them. The thermocompression bonding station 1 is attached to the lead frame base material 11 having the binder 29.
6, the bonding tape piece 15 is thermocompression-bonded, and the binder 29 is separated at the second shape processing station 20 to produce the desired lead frame 24. The bonding tape piece 15 is used not only to hold the tip of the inner lead 28 but also to serve as an insulating layer when bonding a semiconductor element or a heat sink. In FIG. 6, reference numeral 30 denotes a pilot hole for positioning, and reference numeral 31 denotes a resin sealing region.

【0012】図1、図2に示すように、前記第1の形状
加工ステーション12に続く予備加熱ステーション14
は、下部に図示しないシリンダーに連結された昇降可能
な第1のヒータブロック13を備え、リードフレーム基
材11の底部に当接してリードフレーム基材11を14
0〜150℃の温度に加熱するようになっている。前記
予備加熱ステーション14の位置に設けられている搬送
手段22は、通常のリードフレーム条材の間欠搬送手段
と同様、周知な構造となって、上下から第1の挟持部材
によって複数のリードフレーム基材11が連結された連
結リードフレーム基材21を挟んで所定距離(送りピッ
チ)前進し、次に第1の挟持部材を開放して第2の挟持
部材で連結リードフレーム基材21を保持し、第1の挟
持部材のみ後退して元の位置に戻るピッチ送り動作を、
図示しない制御装置からの信号によって行っている。こ
れによって、連続するリードフレーム基材11を、図1
に矢印aで示すように、順次予備加熱ステーション14
から熱圧着ステーション16の方向に搬送している。こ
の実施の形態では、搬送手段22は熱圧着ステーション
16の上流側に設けられているが、更に熱圧着ステーシ
ョン16の下流側にも設けることも可能であり、これに
よって連結リードフレーム基材21の確実な搬送が可能
となる。
As shown in FIGS. 1 and 2, a preheating station 14 following the first shaping station 12 is used.
Is provided with a first heater block 13 which can be moved up and down and connected to a cylinder (not shown) at the lower part.
The heating is performed to a temperature of 0 to 150 ° C. The transfer means 22 provided at the position of the preheating station 14 has a well-known structure, similar to an ordinary intermittent transfer means of a lead frame member, and has a plurality of lead frame bases from above and below by a first holding member. The material 11 is advanced by a predetermined distance (feed pitch) across the connected lead frame base material 21 connected thereto, and then the first holding member is opened to hold the connection lead frame base material 21 with the second holding member. A pitch feed operation in which only the first holding member is retracted and returns to the original position,
This is performed by a signal from a control device (not shown). As a result, the continuous lead frame base material 11 is
As shown by an arrow a in FIG.
From the thermocompression bonding station 16. In this embodiment, the transport means 22 is provided on the upstream side of the thermocompression bonding station 16, but may be further provided on the downstream side of the thermocompression bonding station 16. Reliable transport is possible.

【0013】前記接合テープ17は、図5(A)に示す
ように薄い耐熱性絶縁シートであるポリイミド樹脂シー
ト17aの両面に熱可塑性の接着剤17bを塗布して構
成され、テープ送り手段23によって、コイル状に巻か
れたテープを徐々に解いて、接合テープ加工ステーショ
ン18及び熱圧着ステーション16方向にピッチ送りさ
れるようになっている。このテープ送り手段23は、接
合テープ17を両側から挟む第3の挟持手段を用いて接
合テープ17を保持した状態で送り方向に前進し、第4
の挟持手段で接合テープ17を保持した状態で、第3の
挟持手段が開放状態で後退する周知の構成となってい
る。テープ送り手段23は、この実施の形態では熱圧着
ステーション16の下流側に設けられているが、テープ
送り手段23を更に接合テープ加工ステーション18の
上流側に配置することも可能であり、これによって接合
テープ17の確実な送り動作を行うことができる。
The bonding tape 17 is formed by applying a thermoplastic adhesive 17b to both surfaces of a polyimide resin sheet 17a which is a thin heat-resistant insulating sheet as shown in FIG. The tape wound in a coil is gradually unwound, and the tape is fed in the direction of the bonding tape processing station 18 and the thermocompression bonding station 16. The tape feeding means 23 moves forward in the feeding direction while holding the joining tape 17 by using third holding means for sandwiching the joining tape 17 from both sides.
While the joining tape 17 is held by the holding means, the third holding means moves backward in the open state. Although the tape feeding means 23 is provided on the downstream side of the thermocompression bonding station 16 in this embodiment, it is also possible to arrange the tape feeding means 23 further on the upstream side of the joining tape processing station 18, whereby A reliable feeding operation of the joining tape 17 can be performed.

【0014】前記接合テープ17は、図1に示すように
平面視して熱圧着ステーション16の接合加工位置32
を交点として、連結リードフレーム基材21の流れ方向
とは直交する方向に搬送されている。接合テープ17の
流れ方向で、熱圧着ステーション16の手前側には、前
記した接合テープ加工ステーション18が設けられてい
る。この接合テープ加工ステーション18は、この実施
の形態ではリードフレーム基材11に貼着する対となる
接合テープ片15の間隔が小さいので、図3に示すよう
に接合テープ17の流れ方向に接合テープ17の送りピ
ッチ(2ピッチ)だけ離して配置された第1及び第2の
押し抜き手段33、34を備えて、隣り合う接合テープ
片15を個別に押し抜き加工を行っている。
As shown in FIG. 1, the bonding tape 17 is positioned at a bonding position 32 of the thermocompression bonding station 16 in plan view.
Are conveyed in a direction perpendicular to the flow direction of the connection lead frame base material 21 with the intersection as an intersection. The bonding tape processing station 18 described above is provided in front of the thermocompression bonding station 16 in the flow direction of the bonding tape 17. In this embodiment, the bonding tape processing station 18 has a small space between the pair of bonding tape pieces 15 to be bonded to the lead frame base material 11 in this embodiment, and therefore, as shown in FIG. There are provided first and second punching means 33 and 34 spaced apart by 17 feed pitches (2 pitches), and the adjacent joining tape pieces 15 are individually punched.

【0015】第1及び第2の押し抜き手段33、34に
は、図3、図5に示すようにそれぞれ押し抜きパンチ
(刃物)35と、押し抜きパンチ35をガイドし押し抜
き後の接合テープ17が押し抜きパンチ35の上昇に伴
って上昇するのを防止する固定ストリッパー36及びノ
ックアウト37と、押し抜きパンチ35の昇降手段38
とを備えている。前記押し抜きパンチ35は刃物が接合
テープ片15の外形に合わせた先端角鋭利な切り刃とな
って、その動作は、図5(B)に示すようにモータやシ
リンダー等からなる昇降手段38を作動させて押し抜き
パンチ35を下降させると、下部に配置された接合テー
プ17を押し抜いて接合テープ17の本体側から接合テ
ープ片15を分離し、次に図5(C)に示すように、押
し抜きパンチ35を上昇させると、押し抜いた接合テー
プ片15を接合テープ17の切り抜き位置に保持した状
態で刃物のみが上昇するようになっている。この動作に
よって、押し抜きされた接合テープ片15は接合テープ
17の切り抜き部分に保持されて順次搬送され、次の熱
圧着ステーション16に対となる接合テープ片15が並
んだ状態で搬送されることになる。なお、この接合テー
プ加工ステーション18は、作動温度が上昇すると、接
合テープ17の表裏の熱可塑性樹脂が融けるので常に一
定温度(例えば、30〜40℃)になるように、周囲を
冷却手段の一例である恒温カバー39によって覆い、所
定温度の冷風を流している。
As shown in FIGS. 3 and 5, the first and second punching means 33 and 34 respectively include a punching punch (blade) 35 and a joining tape after guiding the punching punch 35 and punching. A fixed stripper 36 and a knockout 37 for preventing the punch 17 from rising as the punch 35 rises, and a lifting means 38 for the punch 35
And The punching punch 35 is a sharp cutting edge whose cutting edge is adapted to the outer shape of the joining tape piece 15, and the operation thereof is performed by raising and lowering means 38 including a motor and a cylinder as shown in FIG. 5 (B). When the punch 35 is lowered by operating the punch, the joining tape 17 disposed at the lower portion is pushed out to separate the joining tape piece 15 from the main body side of the joining tape 17, and then as shown in FIG. When the punch 35 is lifted, only the cutting tool is raised in a state where the pressed bonding tape piece 15 is held at the cutout position of the bonding tape 17. By this operation, the pressed bonding tape pieces 15 are held by the cutout portions of the bonding tape 17 and are sequentially conveyed, and conveyed to the next thermocompression bonding station 16 in a state where the bonding tape pieces 15 to be paired are arranged. become. When the operating temperature rises, the joining tape processing station 18 melts the thermoplastic resin on the front and back of the joining tape 17, so that the surroundings are cooled by an example of a cooling means so that the temperature always becomes constant (for example, 30 to 40 ° C.). And a cool air of a predetermined temperature is flowing.

【0016】前記熱圧着ステーション16は、図2、図
3に示すように、下部に図示しないシリンダー等の昇降
手段によって上下する第2のヒータブロック40を備
え、接合加工位置32にあるリードフレーム基材11を
160〜180℃に加熱するようになっている。そし
て、上部に設けられた昇降手段41によって上下する押
し付け金型42を備え、搬送される接合テープ17中に
保持されている接合テープ片15を押し抜いて、加熱さ
れたリードフレーム基材11の所定部分(インナーリー
ド28の先部)に熱圧着するようになっている。前記押
し付け金型42は対となる接合テープ片15に符合する
か、又は微小の範囲で接合テープ片15より小さい押圧
面を有している。この熱圧着ステーション16によって
リードフレーム基材11の所定位置に、前工程で押し抜
きされた接合テープ片15が固着されるが、このように
接合テープ片15を接合テープ17から分離するステー
ションと、リードフレーム基材11に接合テープ片15
を押し付けるステーションとを分離することによって、
接合テープ片15を接合テープ17から分離する刃物及
び切断時の接合テープ17の加熱を防止できるので、接
合テープ17の熱可塑性樹脂(接着剤)を融かすことな
く作業ができる。
As shown in FIGS. 2 and 3, the thermocompression bonding station 16 includes a second heater block 40 which is moved up and down by a lifting means such as a cylinder (not shown). The material 11 is heated to 160 to 180 ° C. Further, a pressing die 42 that moves up and down by an elevating means 41 provided at the top is provided, and the joining tape piece 15 held in the joining tape 17 being conveyed is pushed out, and the heated lead frame base material 11 is removed. Thermocompression bonding is performed on a predetermined portion (the tip of the inner lead 28). The pressing mold 42 has a pressing surface that matches the pair of joining tape pieces 15 or is smaller than the joining tape piece 15 in a minute range. A bonding tape piece 15 extruded in the previous step is fixed to a predetermined position of the lead frame base material 11 by the thermocompression bonding station 16, and a station for separating the bonding tape piece 15 from the bonding tape 17 in this way; Bonding tape piece 15 to lead frame base material 11
By separating from the pressing station,
Since the blade for separating the joining tape piece 15 from the joining tape 17 and the heating of the joining tape 17 at the time of cutting can be prevented, the work can be performed without melting the thermoplastic resin (adhesive) of the joining tape 17.

【0017】前記熱圧着ステーション16によって加熱
されて接合テープ片15が固着されたリードフレーム基
材11を冷却するために、図1、図4に示すように、キ
ュアステーション19が設けられている。このキュアス
テーション19は、搬送されるリードフレーム基材11
をフードで囲んで内部に熱風(場合によっては冷風)を
通している。これによって、リードフレーム基材11を
適当な温度に加熱すると共に、その接着剤を養生するの
で接合テープ片15が完全に固着して、次の第2の形状
加工ステーション20に搬送される。第2の形状加工ス
テーション20は、プレス加工装置を備え各インナーリ
ード28を連結しているバインダー29を分離し、各イ
ンナーリード28の先端部の電気的結合を解くようにし
て、図6(B)に示すリードフレーム24を製造してい
る。
As shown in FIGS. 1 and 4, a curing station 19 is provided for cooling the lead frame base material 11 heated by the thermocompression bonding station 16 and to which the bonding tape pieces 15 are fixed. The cure station 19 is used for the lead frame base material 11 to be conveyed.
Is surrounded by a hood and hot air (or cold air in some cases) is passed inside. As a result, the lead frame base material 11 is heated to an appropriate temperature, and the adhesive is cured, so that the joining tape pieces 15 are completely fixed and conveyed to the next second shaping station 20. The second shape processing station 20 is provided with a press working device, separates the binder 29 connecting the inner leads 28, and breaks the electrical connection of the tips of the inner leads 28, as shown in FIG. ) Are manufactured.

【0018】前記実施の形態においては、接合テープ1
7の両面に接着剤が塗布されていたが、裏面のみに接着
剤が塗布されている場合も本発明は適用できる。また、
前記実施の形態においては、対となる接合テープ片15
が近接しているので、接合テープ加工ステーション18
において、第1及び第2の押し抜き手段33、34を設
けたが、接合テープ片が一つである場合、接合テープ片
が複数あってもそれぞれが離れている場合等には、1又
は複数の押し抜きパンチを備えた1台の押し抜き手段に
よって接合テープ片の加工を行うことも可能である。そ
して、前記実施の形態においては、熱圧着ステーション
16の直後にキュアステーション19や第2の形状加工
ステーション20を設けたが、これを省略した場合も本
発明は適用される。
In the above embodiment, the bonding tape 1
Although the adhesive was applied to both surfaces of No. 7, the present invention can be applied to a case where the adhesive is applied only to the back surface. Also,
In the above embodiment, a pair of joining tape pieces 15
Are close to each other, so that the joining tape processing station 18
In the above, the first and second push-out means 33 and 34 are provided, but when there is one joining tape piece, and when there are a plurality of joining tape pieces and they are separated from each other, one or more It is also possible to process the joining tape piece by a single punching means having a punching punch. In the above-described embodiment, the cure station 19 and the second shape processing station 20 are provided immediately after the thermocompression bonding station 16, but the present invention can be applied to a case where these stations are omitted.

【0019】[0019]

【発明の効果】請求項1〜4記載の半導体装置用リード
フレームの製造設備においては、接合テープから接合テ
ープ片の分離を熱圧着ステーションの手前側に設けた接
合テープ加工ステーションによって行っているので、切
断時の接合テープ及び押し抜きパンチの温度を適温にす
ることが極めて容易となり、結果として精度の良い接合
テープ片の熱圧着作業を行うことができる。そして、接
合テープ片の形成作業を安定して行うことができるの
で、ライン停止等の回数が減少し、生産効率の向上を図
ることができる。特に、請求項2記載の半導体装置用リ
ードフレームの製造設備においては、熱圧着ステーショ
ンの直後にキュアステーションが設けられているので、
加熱されたリードフレーム基材が養生されて、接合テー
プ片の完全な固着が完了し、リードフレームの生産効率
を高めることができる。請求項3記載の半導体装置用リ
ードフレームの製造設備においては、各インナーリード
の先端がバインダーによって連結されたリードフレーム
基材を第1の形状加工ステーションで製造し、熱圧着ス
テーションで各インナーリードと接合テープ片で連結し
た状態で、第2の形状加工ステーションで前記バインダ
ーを分離しているので、最終製品のインナーリード先端
に捩じり等の変形を生じることがなく、不良等の少ない
品質の良いリードフレームを製造できる。請求項4記載
の半導体装置用リードフレームの製造設備においては、
接合テープ加工ステーションには冷却手段が設けられて
いるので、押し抜き加工を行おうとする接合テープ及び
押し抜き加工を行う金型等の温度上昇を防止でき、これ
によって接合テープ片の高速生産が可能となる。
According to the semiconductor device lead frame manufacturing facility of the present invention, the joining tape piece is separated from the joining tape by the joining tape processing station provided before the thermocompression bonding station. In addition, it becomes extremely easy to make the temperature of the joining tape and the punching punch at the time of cutting an appropriate temperature, and as a result, the thermocompression bonding of the joining tape piece with high accuracy can be performed. Then, since the joining tape piece forming operation can be performed stably, the number of times of line stop and the like can be reduced, and the production efficiency can be improved. In particular, in the semiconductor device lead frame manufacturing facility according to claim 2, a curing station is provided immediately after the thermocompression bonding station.
The heated lead frame base material is cured, complete bonding of the joining tape pieces is completed, and the production efficiency of the lead frame can be increased. In the manufacturing equipment for a lead frame for a semiconductor device according to claim 3, a lead frame base material in which the tip of each inner lead is connected by a binder is manufactured at a first shape processing station, and each of the inner leads is connected to each other at a thermocompression bonding station. Since the binder is separated at the second shape processing station in a state where the binder is connected with the joining tape pieces, deformation such as twisting does not occur at the tip of the inner lead of the final product, and the quality of the product is small with few defects. A good lead frame can be manufactured. In the manufacturing equipment for a lead frame for a semiconductor device according to claim 4,
Cooling means is provided at the joining tape processing station, so it is possible to prevent the temperature of the joining tape to be subjected to the punching process and the temperature of the die for performing the punching process from rising, thereby enabling high-speed production of joining tape pieces. Becomes

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態に係る半導体装置用リー
ドフレームの製造設備の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a facility for manufacturing a lead frame for a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同断面図である。FIG. 2 is a sectional view of the same.

【図3】同断面図である。FIG. 3 is a sectional view of the same.

【図4】同半導体装置用リードフレームの製造設備の概
略ブロック図である。
FIG. 4 is a schematic block diagram of manufacturing equipment for the semiconductor device lead frame.

【図5】押し抜き工程の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a punching step.

【図6】リードフレーム基材の平面図である。FIG. 6 is a plan view of a lead frame base material.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 半導体装置用リードフレームの製造設備 11 リードフレーム基材 12 第1の形
状加工ステーション 13 第1のヒータブロック 14 予備加熱
ステーション 15 接合テープ片 16 熱圧着ス
テーション 17 接合テープ 17a ポリイ
ミド樹脂シート 17b 接着剤(熱可塑性樹脂) 18 接合テー
プ加工ステーション 19 キュアステーション 20 第2の形
状加工ステーション 21 連結リードフレーム基材 22 搬送手段 23 テープ送り手段 24 リードフ
レーム 25 外枠 26 外枠 27 アウターリード 28 インナー
リード 29 バインダー 30 パイロッ
ト孔 31 樹脂封止領域 32 接合加工
位置 33 第1の押し抜き手段 34 第2の押
し抜き手段 35 押し抜きパンチ 36 固定スト
リッパー 37 ノックアウト 38 昇降手段 39 恒温カバー 40 第2のヒ
ータブロック 41 昇降手段 42 押し付け
金型
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Manufacturing equipment of the lead frame for semiconductor devices 11 Lead frame base material 12 First shape processing station 13 First heater block 14 Preheating station 15 Bonding tape piece 16 Thermocompression bonding station 17 Bonding tape 17a Polyimide resin sheet 17b Adhesive ( Thermoplastic resin) 18 Bonding tape processing station 19 Cure station 20 Second shape processing station 21 Connected lead frame base material 22 Transport means 23 Tape feeding means 24 Lead frame 25 Outer frame 26 Outer frame 27 Outer lead 28 Inner lead 29 Binder 30 Pilot hole 31 Resin sealing area 32 Joining position 33 First pushing means 34 Second pushing means 35 Pushing punch 36 Fixed stripper 37 Knockout 38 Elevating means 39 constant temperature cover 40 second heater block 41 elevating means 42 pressing die

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/50 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 23/50

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 所定の形状加工が行われたリードフレー
ム基材に、少なくとも裏面に熱可塑性接着剤が塗布され
た所定形状の接合テープ片を熱圧接によって貼着する半
導体装置用リードフレームの製造設備であって、 第1のヒータブロックを備え、前記リードフレーム基材
を予熱する予備加熱ステーションと、 前記予備加熱ステーションに続き、予熱された前記リー
ドフレーム基材を接合加工位置にて、予め切れ目が形成
された接合テープ片を接合テープから分離して、第2の
ヒータブロックによって更に加熱された前記リードフレ
ーム基材の所定位置に圧着する熱圧着ステーションと、 前記リードフレーム基材の搬送方向とは別方向から前記
接合加工位置に搬送される前記接合テープに押し抜き加
工を行って、前記切れ目によって分離されていると共に
押し抜き後は前記接合テープにそのまま仮着されている
接合テープ片を形成する接合テープ加工ステーション
と、 前記リードフレーム基材の搬送手段、及び該搬送手段に
同期して前記接合テープを送るテープ送り手段とを有す
ることを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造
設備。
1. Production of a lead frame for a semiconductor device in which a bonding tape piece of a predetermined shape having a thermoplastic adhesive applied on at least the back surface is adhered to a lead frame base material processed in a predetermined shape by hot pressing. Equipment, comprising: a first heater block, a pre-heating station for pre-heating the lead frame base material, and a pre-cut at the joining processing position following the pre-heating station to join the pre-heated lead frame base material. A thermocompression bonding station that separates the bonding tape piece formed with the bonding tape from the bonding tape, and presses the lead frame base material at a predetermined position further heated by the second heater block, and a conveyance direction of the lead frame base material. Performs a punching process on the joining tape conveyed to the joining position from another direction, and is separated by the cut. And after the punching, a joining tape processing station for forming a joining tape piece temporarily attached to the joining tape as it is, a conveying means of the lead frame base material, and the joining tape in synchronization with the conveying means. And a tape feeding means for feeding the semiconductor device.
【請求項2】 前記熱圧着ステーションの直後には、加
熱されたリードフレーム基材を養生するキュアステーシ
ョンが設けられていることを特徴とする請求項1記載の
半導体装置用リードフレームの製造設備。
2. The equipment for manufacturing a lead frame for a semiconductor device according to claim 1, wherein a curing station for curing the heated lead frame base material is provided immediately after said thermocompression bonding station.
【請求項3】 前記予備加熱ステーションに前置して、
薄板条材から各インナーリードの先端がバインダーで連
結された状態の前記リードフレーム基材を加工する第1
の形状加工ステーションが設けられ、前記熱圧着ステー
ションに後置して前記各インナーリードが前記接合テー
プ片で連結されたリードフレーム基材の前記バインダー
を除去する第2の形状加工ステーションが設けられてい
ることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置用
リードフレームの製造設備。
3. In front of said preheating station,
A first method for processing the lead frame base material from the thin strip material in a state where the tips of the inner leads are connected by a binder.
A shaping station is provided, and a second shaping station is provided after the thermocompression bonding station to remove the binder of the lead frame base material in which the respective inner leads are connected by the bonding tape pieces. 3. The manufacturing equipment for a lead frame for a semiconductor device according to claim 1, wherein
【請求項4】 前記接合テープ加工ステーションには冷
却手段が設けられていることを特徴とする請求項1〜3
のいずれか1項に記載の半導体装置用リードフレームの
製造設備。
4. The bonding tape processing station is provided with a cooling means.
The manufacturing equipment of the lead frame for semiconductor devices according to any one of the above.
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