JP3245702B2 - 磁気光学多層膜及び磁気光学体 - Google Patents
磁気光学多層膜及び磁気光学体Info
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- JP3245702B2 JP3245702B2 JP21175696A JP21175696A JP3245702B2 JP 3245702 B2 JP3245702 B2 JP 3245702B2 JP 21175696 A JP21175696 A JP 21175696A JP 21175696 A JP21175696 A JP 21175696A JP 3245702 B2 JP3245702 B2 JP 3245702B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気光学効果を利
用したデバイスに用いられる磁気光学多層膜及びこれを
複数連ねた磁気光学体に関する。
用したデバイスに用いられる磁気光学多層膜及びこれを
複数連ねた磁気光学体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光磁気ディスク、光スイッチン
グ、光アイソレータのように磁気光学効果を利用したデ
バイスが実用化されている。光磁気ディスクでは、より
大きなＣＮＲ（信号とノイズとの比）を得るために、よ
り大きな磁気光学効果を有する磁気光学膜が要求されて
いる。また光アイソレータでは、光波が材料中を伝搬す
ることから、光学的損失が少なく且つより大きな磁気光
学効果を有する磁気光学膜が要求されている。
グ、光アイソレータのように磁気光学効果を利用したデ
バイスが実用化されている。光磁気ディスクでは、より
大きなＣＮＲ（信号とノイズとの比）を得るために、よ
り大きな磁気光学効果を有する磁気光学膜が要求されて
いる。また光アイソレータでは、光波が材料中を伝搬す
ることから、光学的損失が少なく且つより大きな磁気光
学効果を有する磁気光学膜が要求されている。
【０００３】大きな磁気光学効果を有する磁気光学膜を
形成するためには、以下の２つの方法が考えられる。１
つは、比較的大きな固有の磁気光学効果を有する材料を
厚膜化することであり、この方法により形成されたもの
に、例えばビスマス置換希土類鉄ガーネット（ＢｉＹＩ
Ｇ）の単結晶厚膜がある。この厚膜は液相エピタキシャ
ル成長にて形成され、主に低光学損失が要求される分野
にて用いられる。しかしながら、この厚膜を例えば光ア
イソレータに用いた場合には、ＢｉＹＩＧ単結晶では２
５０μｍの膜厚を必要とする。液相エピタキシャル成長
では非常に多くのパラメータが使用されており、この程
度の膜厚を成長せしめるためには、製造技術の確立が困
難であるという問題がある。また、数百ｎｍにわたる光
波の伝搬は、大きな光吸収損失をまねくという問題があ
った。
形成するためには、以下の２つの方法が考えられる。１
つは、比較的大きな固有の磁気光学効果を有する材料を
厚膜化することであり、この方法により形成されたもの
に、例えばビスマス置換希土類鉄ガーネット（ＢｉＹＩ
Ｇ）の単結晶厚膜がある。この厚膜は液相エピタキシャ
ル成長にて形成され、主に低光学損失が要求される分野
にて用いられる。しかしながら、この厚膜を例えば光ア
イソレータに用いた場合には、ＢｉＹＩＧ単結晶では２
５０μｍの膜厚を必要とする。液相エピタキシャル成長
では非常に多くのパラメータが使用されており、この程
度の膜厚を成長せしめるためには、製造技術の確立が困
難であるという問題がある。また、数百ｎｍにわたる光
波の伝搬は、大きな光吸収損失をまねくという問題があ
った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】大きな磁気光学効果を
有する磁気光学膜の形成方法のもう１つは、磁気光学膜
の光学的なエンハンスメント効果を利用することであ
る。本願出願人は、不連続磁性体の光学的エンハンスメ
ント効果について、第19回日本応用磁気学会学術講演概
要集，p.41, (1995)にて報告している。この光学的エン
ハンスメント効果について、不連続磁性体として磁性体
と誘電体とを交互に積層した磁気光学多層膜を例に挙げ
て、以下に説明する。図１３はこのような磁気光学多層
膜の構造を示す斜視図である。図中２は光アイソレータ
に用いられる磁気光学多層膜であり、磁性体層２１と誘
電体層２２とを交互に積層して構成されている。全ての
磁性体層２１，２１…及び誘電体層２２，２２…は夫々
一定の層厚を有しており、積層方向に規則性を有した層
厚で積層されている。磁気光学多層膜２に入射した光は
積層方向に伝搬し、偏光面を４５度回転させて（全回転
角θ）出射するようになっている。
有する磁気光学膜の形成方法のもう１つは、磁気光学膜
の光学的なエンハンスメント効果を利用することであ
る。本願出願人は、不連続磁性体の光学的エンハンスメ
ント効果について、第19回日本応用磁気学会学術講演概
要集，p.41, (1995)にて報告している。この光学的エン
ハンスメント効果について、不連続磁性体として磁性体
と誘電体とを交互に積層した磁気光学多層膜を例に挙げ
て、以下に説明する。図１３はこのような磁気光学多層
膜の構造を示す斜視図である。図中２は光アイソレータ
に用いられる磁気光学多層膜であり、磁性体層２１と誘
電体層２２とを交互に積層して構成されている。全ての
磁性体層２１，２１…及び誘電体層２２，２２…は夫々
一定の層厚を有しており、積層方向に規則性を有した層
厚で積層されている。磁気光学多層膜２に入射した光は
積層方向に伝搬し、偏光面を４５度回転させて（全回転
角θ）出射するようになっている。
【０００５】このような磁気光学多層膜２の構造を表す
ためのパラメータとして以下のものを用いる。 Ｎ：磁気光学多層膜の全膜厚（Ｄ）の分割数 ｂＮ：Ｎビットの二進数で、‘１’を磁性体層、‘０’
を誘電体層とする。 ＮＭ：磁性体層の層数 ｄＭ：磁性体層の層厚（１ビット当たり） ｄＧ：誘電体層の層厚（１ビット当たり） ＰＭ：磁気光学多層膜の全体に占める磁性体の充填率 即ち、磁性体層の全膜厚／磁気光学多層膜の全膜厚（Ｎ
Ｍ・ｄＭ／Ｄ） 以上のパラメータを用いて、磁性体層厚ｄＭ，誘電体層
厚ｄＧは、 ｄＭ＝Ｄ×ＰＭ／ＮＭ ｄＧ＝Ｄ×（１−ＰＭ）／（Ｎ−ＮＭ） で表される。図１３に示した磁気光学多層膜２のｂＮは
10101010であり、規則周期構造を有していると言える。
このような規則周期構造の磁気光学多層膜の磁気光学効
果を理論解析した結果を図１４に示す。
ためのパラメータとして以下のものを用いる。 Ｎ：磁気光学多層膜の全膜厚（Ｄ）の分割数 ｂＮ：Ｎビットの二進数で、‘１’を磁性体層、‘０’
を誘電体層とする。 ＮＭ：磁性体層の層数 ｄＭ：磁性体層の層厚（１ビット当たり） ｄＧ：誘電体層の層厚（１ビット当たり） ＰＭ：磁気光学多層膜の全体に占める磁性体の充填率 即ち、磁性体層の全膜厚／磁気光学多層膜の全膜厚（Ｎ
Ｍ・ｄＭ／Ｄ） 以上のパラメータを用いて、磁性体層厚ｄＭ，誘電体層
厚ｄＧは、 ｄＭ＝Ｄ×ＰＭ／ＮＭ ｄＧ＝Ｄ×（１−ＰＭ）／（Ｎ−ＮＭ） で表される。図１３に示した磁気光学多層膜２のｂＮは
10101010であり、規則周期構造を有していると言える。
このような規則周期構造の磁気光学多層膜の磁気光学効
果を理論解析した結果を図１４に示す。
【０００６】図１４は、規則周期構造の磁気光学多層膜
の磁性体充填率に対する磁気光学効果を示すグラフであ
り、横軸は磁性体充填率ＰＭを示し、縦軸は単位磁性体
膜厚当たりの回転角（ファラデー回転角θF ）及び全回
転角θを示している。グラフ中、実線はファラデー回転
角θF （deg.／μｍ）＝（θ／ＮＭ×ｄＭ）を示し、破
線は全回転角θ（deg.）を示している。なお、解析は光
波の基礎方程式としてMaxwell 方程式を用い、磁性体に
はビスマス置換イットリウム鉄ガーネット（Ｂｉ：ＹＩ
Ｇ）を、誘電体には酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を用い
て、全膜厚Ｄが５μｍ、分割数Ｎが１００、ｂＮは100
ビットで101010…101010である場合を計算した。磁性体
充填率ＰＭは磁性体層厚ｄＭ及び誘電体層厚ｄＧを異な
らせて求めた。また、入射光の波長は1.15μｍとした。
の磁性体充填率に対する磁気光学効果を示すグラフであ
り、横軸は磁性体充填率ＰＭを示し、縦軸は単位磁性体
膜厚当たりの回転角（ファラデー回転角θF ）及び全回
転角θを示している。グラフ中、実線はファラデー回転
角θF （deg.／μｍ）＝（θ／ＮＭ×ｄＭ）を示し、破
線は全回転角θ（deg.）を示している。なお、解析は光
波の基礎方程式としてMaxwell 方程式を用い、磁性体に
はビスマス置換イットリウム鉄ガーネット（Ｂｉ：ＹＩ
Ｇ）を、誘電体には酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を用い
て、全膜厚Ｄが５μｍ、分割数Ｎが１００、ｂＮは100
ビットで101010…101010である場合を計算した。磁性体
充填率ＰＭは磁性体層厚ｄＭ及び誘電体層厚ｄＧを異な
らせて求めた。また、入射光の波長は1.15μｍとした。
【０００７】図１４から、ファラデー回転角θF は磁性
体充填率ＰＭの増加に従って振動しながら少しずつ減少
していることが判る。即ち、磁性体充填率ＰＭの増大に
伴ってファラデー回転角θF は複数のピークを有してお
り、これらのピークのうち、ファラデー回転角θF の最
大値は、磁性体充填率ＰＭ＝0.03の場合でのファラデー
回転角θF ＝0.29（deg.／μｍ）であると言える。Ｂ
ｉ：ＹＩＧの固有のファラデー回転角θF は0.20（deg.
／μｍ）であるので、磁気光学体は規則周期構造を有す
ることにより略1.5 倍の光学的エンハンスメント効果が
得られたことになる。
体充填率ＰＭの増加に従って振動しながら少しずつ減少
していることが判る。即ち、磁性体充填率ＰＭの増大に
伴ってファラデー回転角θF は複数のピークを有してお
り、これらのピークのうち、ファラデー回転角θF の最
大値は、磁性体充填率ＰＭ＝0.03の場合でのファラデー
回転角θF ＝0.29（deg.／μｍ）であると言える。Ｂ
ｉ：ＹＩＧの固有のファラデー回転角θF は0.20（deg.
／μｍ）であるので、磁気光学体は規則周期構造を有す
ることにより略1.5 倍の光学的エンハンスメント効果が
得られたことになる。
【０００８】以上の如く、光学的なエンハンスメント効
果を利用することにより、光吸収損失が少なく、大きな
磁気光学効果を有する磁気光学体を形成することができ
る。しかしながら、上述した規則周期構造の磁気光学多
層膜を例えば光アイソレータに用いる場合には、全回転
角が４５度となるために全膜厚を１ｍｍ程度に形成する
必要があり、現実的ではないという問題があった。
果を利用することにより、光吸収損失が少なく、大きな
磁気光学効果を有する磁気光学体を形成することができ
る。しかしながら、上述した規則周期構造の磁気光学多
層膜を例えば光アイソレータに用いる場合には、全回転
角が４５度となるために全膜厚を１ｍｍ程度に形成する
必要があり、現実的ではないという問題があった。
【０００９】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、磁性層と誘電体層との層厚が不規則になるよ
うに交互に積層することにより、さらに高い光学的エン
ハンスメント効果を得、光吸収損失が少なく、大きな磁
気光学効果を有する磁気光学多層膜及び磁気光学体を提
供することを目的とする。
のであり、磁性層と誘電体層との層厚が不規則になるよ
うに交互に積層することにより、さらに高い光学的エン
ハンスメント効果を得、光吸収損失が少なく、大きな磁
気光学効果を有する磁気光学多層膜及び磁気光学体を提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る磁気光学
多層膜は、磁性体と誘電体とが交互に積層され、入射光
の偏光面を回転せしめる磁気光学多層膜において、前記
磁性体及び誘電体は、各層の厚さを不規則にして積層し
てあることを特徴とする。
多層膜は、磁性体と誘電体とが交互に積層され、入射光
の偏光面を回転せしめる磁気光学多層膜において、前記
磁性体及び誘電体は、各層の厚さを不規則にして積層し
てあることを特徴とする。
【００１１】本願出願人は、前述した如く、磁性体と誘
電体とを交互に積層することにより、磁性体の充填率に
対して周期的に磁気光学効果がエンハンスされ、磁性体
単層に比較して大きな磁気光学効果を有することを報告
している。第１発明にあっては、これをさらに発展さ
せ、磁性体と誘電体との層厚を不規則にして積層するこ
とにより、このエンハンスメント効果をさらに顕著に
し、厚さが薄い磁気光学多層膜にて大きな磁気光学効果
を得るものである。
電体とを交互に積層することにより、磁性体の充填率に
対して周期的に磁気光学効果がエンハンスされ、磁性体
単層に比較して大きな磁気光学効果を有することを報告
している。第１発明にあっては、これをさらに発展さ
せ、磁性体と誘電体との層厚を不規則にして積層するこ
とにより、このエンハンスメント効果をさらに顕著に
し、厚さが薄い磁気光学多層膜にて大きな磁気光学効果
を得るものである。
【００１２】第２発明に係る磁気光学多層膜は、第１発
明において、全膜厚に対する磁性体全層の膜厚率は、１
０％以下、１５％乃至３０％、又は３５％乃至５０％で
あることを特徴とする。
明において、全膜厚に対する磁性体全層の膜厚率は、１
０％以下、１５％乃至３０％、又は３５％乃至５０％で
あることを特徴とする。
【００１３】第２発明においては、磁気光学効果が顕著
にエンハンスされるような、全体に対する磁性体の充填
率の範囲を特定することにより、大きな磁気光学効果を
有する磁気光学多層膜を得ることができる。上述した範
囲を除いた範囲、即ち１０％より大きく１５％未満、３
０％より大きく３５％未満、又は５０％より大きい範囲
では、図６に示すように最大ファラデー回転角は極めて
低く、磁気光学効果は小さい。
にエンハンスされるような、全体に対する磁性体の充填
率の範囲を特定することにより、大きな磁気光学効果を
有する磁気光学多層膜を得ることができる。上述した範
囲を除いた範囲、即ち１０％より大きく１５％未満、３
０％より大きく３５％未満、又は５０％より大きい範囲
では、図６に示すように最大ファラデー回転角は極めて
低く、磁気光学効果は小さい。
【００１４】第３発明に係る磁気光学多層膜は、第１発
明において、全膜厚に対する磁性体全層の膜厚率は、入
射した光の反射率が前記膜厚率の増加又は減少に伴いフ
ァラディ回転角が有するピークに対応する逆ピークを有
する値であることを特徴とする。
明において、全膜厚に対する磁性体全層の膜厚率は、入
射した光の反射率が前記膜厚率の増加又は減少に伴いフ
ァラディ回転角が有するピークに対応する逆ピークを有
する値であることを特徴とする。
【００１５】第３発明にあっては、図２に示すように、
磁気光学多層膜に入射する光の反射率を縦軸に示し、磁
気光学多層膜の磁性体充填率を横軸に示した場合に、反
射率が逆ピークを示す磁性体充填率を特定することによ
り、大きな磁気光学効果を有する磁気光学多層膜を得る
ことができる。
磁気光学多層膜に入射する光の反射率を縦軸に示し、磁
気光学多層膜の磁性体充填率を横軸に示した場合に、反
射率が逆ピークを示す磁性体充填率を特定することによ
り、大きな磁気光学効果を有する磁気光学多層膜を得る
ことができる。
【００１６】第４発明に係る磁気光学多層膜は、第１発
明において、前記磁性体は希土類鉄系ガーネットである
ことを特徴とする。
明において、前記磁性体は希土類鉄系ガーネットである
ことを特徴とする。
【００１７】第４発明にあっては、単層で比較的磁気光
学効果が大きな希土類鉄系ガーネットを用いることによ
り、より大きな磁気光学効果を得ることができる。
学効果が大きな希土類鉄系ガーネットを用いることによ
り、より大きな磁気光学効果を得ることができる。
【００１８】第５発明に係る磁気光学体は、第１発明に
記載の磁気光学多層膜の複数を積層方向に連ねてあるこ
とを特徴とする。
記載の磁気光学多層膜の複数を積層方向に連ねてあるこ
とを特徴とする。
【００１９】第５発明にあっては、磁性体及び誘電体の
層厚を不規則にして積層した磁気光学多層膜を、積層方
向に複数連ねることにより、低い磁性体充填率で、さら
に高い光学的エンハンスメント効果を得ることができ
る。この磁気光学体を例えば光アイソレータとして用い
た場合には、大きな磁気光学効果及び少ない光吸収損失
が実現される。
層厚を不規則にして積層した磁気光学多層膜を、積層方
向に複数連ねることにより、低い磁性体充填率で、さら
に高い光学的エンハンスメント効果を得ることができ
る。この磁気光学体を例えば光アイソレータとして用い
た場合には、大きな磁気光学効果及び少ない光吸収損失
が実現される。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面に基づき具体的に説明する。図１は、本発明の
磁気光学多層膜の構造を示す斜視図である。図中１は光
アイソレータに用いる磁気光学多層膜であり、磁性体層
１１と誘電体層１２とを交互に積層して構成されてい
る。磁性体層１１及び誘電体層１２の各層の厚さは不規
則に積層されている。磁気光学多層膜１に入射した光は
積層方向に伝搬し、偏光面を４５度（全回転角θ）回転
させて出射するようになっている。
示す図面に基づき具体的に説明する。図１は、本発明の
磁気光学多層膜の構造を示す斜視図である。図中１は光
アイソレータに用いる磁気光学多層膜であり、磁性体層
１１と誘電体層１２とを交互に積層して構成されてい
る。磁性体層１１及び誘電体層１２の各層の厚さは不規
則に積層されている。磁気光学多層膜１に入射した光は
積層方向に伝搬し、偏光面を４５度（全回転角θ）回転
させて出射するようになっている。
【００２１】このような磁気光学多層膜１の構造を表す
ためのパラメータとして、前述したものと同様の以下の
ものを用いる。 Ｎ：磁気光学多層膜の全膜厚（Ｄ）の分割数 ｂＮ：Ｎビットの二進数で、‘１’を磁性体層、‘０’
を誘電体層とする。 ＮＭ：磁性体層の層数 ｄＭ：磁性体層の層厚（１ビット当たり） ｄＧ：誘電体層の層厚（１ビット当たり） ＰＭ：磁気光学多層膜の全体に占める磁性体の充填率 即ち、磁性体層の全膜厚／磁気光学多層膜の全膜厚（Ｎ
Ｍ・ｄＭ／Ｄ） これにより、図１に示した磁気光学多層膜２のｂＮは10
100011であり、各層の厚さに関して不規則周期構造を有
している。このような不規則周期構造を有する磁気光学
多層膜の磁気光学効果を理論解析した結果を図２に示
す。
ためのパラメータとして、前述したものと同様の以下の
ものを用いる。 Ｎ：磁気光学多層膜の全膜厚（Ｄ）の分割数 ｂＮ：Ｎビットの二進数で、‘１’を磁性体層、‘０’
を誘電体層とする。 ＮＭ：磁性体層の層数 ｄＭ：磁性体層の層厚（１ビット当たり） ｄＧ：誘電体層の層厚（１ビット当たり） ＰＭ：磁気光学多層膜の全体に占める磁性体の充填率 即ち、磁性体層の全膜厚／磁気光学多層膜の全膜厚（Ｎ
Ｍ・ｄＭ／Ｄ） これにより、図１に示した磁気光学多層膜２のｂＮは10
100011であり、各層の厚さに関して不規則周期構造を有
している。このような不規則周期構造を有する磁気光学
多層膜の磁気光学効果を理論解析した結果を図２に示
す。
【００２２】図２は、不規則周期構造の磁気光学多層膜
の磁性体充填率に対する反射率及び磁気光学効果を示す
グラフである。図２（ａ）は、横軸に磁性体充填率ＰＭ
を示し、縦軸に反射率を示している。また図２（ｂ）
は、横軸に磁性体充填率ＰＭを示し、縦軸に単位磁性体
膜厚当たりの回転角（ファラデー回転角θF ）及び全回
転角θを示している。グラフ中、実線はファラデー回転
角θF （deg.／μｍ）＝（θ／ＮＭ×ｄＭ）を示し、破
線は全回転角θ（deg.）を示している。なお、解析は前
述した方法と同様に光波の基礎方程式としてMaxwell 方
程式を用い、磁性体にはＢｉ：ＹＩＧを、誘電体には酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）を用い、全膜厚Ｄは５μｍ、分
割数Ｎは２２０であり、ｂＮは220 ビットで、10100011
11001011010111110001100101011100110101110001110111
11010110110111001010100000111110001111001011111100
00001100101010010101011010110111011010110110111001
11110101010110101101101011011110011100110110111111
111000011011のものについて計算した。また入射光の波
長は1.15μｍとした。
の磁性体充填率に対する反射率及び磁気光学効果を示す
グラフである。図２（ａ）は、横軸に磁性体充填率ＰＭ
を示し、縦軸に反射率を示している。また図２（ｂ）
は、横軸に磁性体充填率ＰＭを示し、縦軸に単位磁性体
膜厚当たりの回転角（ファラデー回転角θF ）及び全回
転角θを示している。グラフ中、実線はファラデー回転
角θF （deg.／μｍ）＝（θ／ＮＭ×ｄＭ）を示し、破
線は全回転角θ（deg.）を示している。なお、解析は前
述した方法と同様に光波の基礎方程式としてMaxwell 方
程式を用い、磁性体にはＢｉ：ＹＩＧを、誘電体には酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）を用い、全膜厚Ｄは５μｍ、分
割数Ｎは２２０であり、ｂＮは220 ビットで、10100011
11001011010111110001100101011100110101110001110111
11010110110111001010100000111110001111001011111100
00001100101010010101011010110111011010110110111001
11110101010110101101101011011110011100110110111111
111000011011のものについて計算した。また入射光の波
長は1.15μｍとした。
【００２３】グラフから、磁性体充填率ＰＭの増大に伴
ってファラデー回転角θF は複数のピークを有している
ことが明らかであり、これらのうち最大のピークは、磁
性体充填率ＰＭが0.39の場合にファラデー回転角θF が
0.49（deg.／μｍ）であり、次いで磁性体充填率ＰＭが
0.18の場合にファラデー回転角θF が0.48（deg.／μ
ｍ）を示している。この最大のファラデー回転角θF の
値は、Ｂｉ：ＹＩＧの固有値の略2.5 倍であり、不規則
周期構造を有する磁気光学多層膜の磁気光学効果のエン
ハンスメント効果は、規則周期構造のものよりも大きい
ことが判る。また図２（ａ）から、ファラデー回転角θ
F がピークを有する磁性体充填率ＰＭでは、反射率が逆
ピークを有していることが判り、ファラデー回転角θF
のエンハンスメント効果と、反射率が低下する特性即ち
無反射条件とは何らかの関係があることが推測される。
ってファラデー回転角θF は複数のピークを有している
ことが明らかであり、これらのうち最大のピークは、磁
性体充填率ＰＭが0.39の場合にファラデー回転角θF が
0.49（deg.／μｍ）であり、次いで磁性体充填率ＰＭが
0.18の場合にファラデー回転角θF が0.48（deg.／μ
ｍ）を示している。この最大のファラデー回転角θF の
値は、Ｂｉ：ＹＩＧの固有値の略2.5 倍であり、不規則
周期構造を有する磁気光学多層膜の磁気光学効果のエン
ハンスメント効果は、規則周期構造のものよりも大きい
ことが判る。また図２（ａ）から、ファラデー回転角θ
F がピークを有する磁性体充填率ＰＭでは、反射率が逆
ピークを有していることが判り、ファラデー回転角θF
のエンハンスメント効果と、反射率が低下する特性即ち
無反射条件とは何らかの関係があることが推測される。
【００２４】次に、他の構造の不規則周期構造の磁気光
学多層膜の磁気光学多層膜について、上記と同様に磁気
光学効果を理論解析する。磁性体にはＢｉ：ＹＩＧを、
誘電体には酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を用い、全膜厚Ｄ
は５μｍ、分割数Ｎは２２０であり、入射光の波長は1.
15μｍとした。図３〜図５は、３タイプの不規則周期構
造の磁気光学多層膜の磁性体充填率と磁気光学効果との
関係を示すグラフである。図３は無反射条件を満たさな
い磁気光学多層膜について、図５は無反射条件を満たす
磁気光学多層膜について、図４はその中間程度に無反射
条件を満たす磁気光学多層膜について示している。
学多層膜の磁気光学多層膜について、上記と同様に磁気
光学効果を理論解析する。磁性体にはＢｉ：ＹＩＧを、
誘電体には酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を用い、全膜厚Ｄ
は５μｍ、分割数Ｎは２２０であり、入射光の波長は1.
15μｍとした。図３〜図５は、３タイプの不規則周期構
造の磁気光学多層膜の磁性体充填率と磁気光学効果との
関係を示すグラフである。図３は無反射条件を満たさな
い磁気光学多層膜について、図５は無反射条件を満たす
磁気光学多層膜について、図４はその中間程度に無反射
条件を満たす磁気光学多層膜について示している。
【００２５】図３〜図５に示すように、無反射条件を満
たす磁気光学多層膜ほど、特定の磁性体充填率ＰＭでの
光学的エンハンスメント効果が顕著に表れていることが
判る。例えば、図５において、磁性体充填率ＰＭが0.41
の場合にファラデー回転角θ F が0.58（deg.／μｍ）に
達しており、この値はＢｉ：ＹＩＧの固有値の略３倍で
ある。
たす磁気光学多層膜ほど、特定の磁性体充填率ＰＭでの
光学的エンハンスメント効果が顕著に表れていることが
判る。例えば、図５において、磁性体充填率ＰＭが0.41
の場合にファラデー回転角θ F が0.58（deg.／μｍ）に
達しており、この値はＢｉ：ＹＩＧの固有値の略３倍で
ある。
【００２６】次に、光学的エンハンスメント効果を顕著
に示す磁性体充填率ＰＭを調べる。１０００種類のｂＮ
の不規則周期構造の磁気光学多層膜について、夫々の最
大ファラデー回転角θF 及びその磁性体充填率ＰＭを計
算した。図６はその結果を示すグラフであり、縦軸は最
大ファラデー回転角θF を示し、横軸は磁性体充填率Ｐ
Ｍを示している。グラフから、磁性体充填率ＰＭが１０
％以下、１５％以上３０％以下、又は３５％以上５０％
以下の範囲で大きなファラデー回転角θF を有すること
が判る。
に示す磁性体充填率ＰＭを調べる。１０００種類のｂＮ
の不規則周期構造の磁気光学多層膜について、夫々の最
大ファラデー回転角θF 及びその磁性体充填率ＰＭを計
算した。図６はその結果を示すグラフであり、縦軸は最
大ファラデー回転角θF を示し、横軸は磁性体充填率Ｐ
Ｍを示している。グラフから、磁性体充填率ＰＭが１０
％以下、１５％以上３０％以下、又は３５％以上５０％
以下の範囲で大きなファラデー回転角θF を有すること
が判る。
【００２７】以上の結果から、不規則周期構造の磁気光
学多層膜では、特定の範囲の磁性充填率ＰＭにて高い光
学的エンハンスメント効果を得ることが判った。また、
その不規則周期構造は、無反射条件を満たす構造のもの
ほど高い光学的エンハンスメント効果を得ることができ
る。
学多層膜では、特定の範囲の磁性充填率ＰＭにて高い光
学的エンハンスメント効果を得ることが判った。また、
その不規則周期構造は、無反射条件を満たす構造のもの
ほど高い光学的エンハンスメント効果を得ることができ
る。
【００２８】さらに、上述した磁気光学多層膜を一単位
とし、これを積層方向に複数連ねた磁気光学体の磁気光
学効果について調べる。図７は、図１に示す磁気光学多
層膜１を積層方向に２つ連ねた磁気光学体の構造を示す
斜視図である。磁気光学多層膜１の出射側の磁性体層１
１に、もう一つの磁気光学多層膜１の入射側の磁性体層
１１を接触させてある。
とし、これを積層方向に複数連ねた磁気光学体の磁気光
学効果について調べる。図７は、図１に示す磁気光学多
層膜１を積層方向に２つ連ねた磁気光学体の構造を示す
斜視図である。磁気光学多層膜１の出射側の磁性体層１
１に、もう一つの磁気光学多層膜１の入射側の磁性体層
１１を接触させてある。
【００２９】以上の如き磁気光学体について、磁気光学
効果を解析した。図８は、図２にて特性を示した磁気光
学多層膜（膜厚５μｍ，ＰＭ0.18μｍ）を積層方向に複
数連ねた場合の全膜厚と磁気光学効果を示すグラフであ
る。縦軸はファラデー回転角θF 及び全回転角（θ）を
示し、横軸は全膜厚（μｍ）を示している。また、従来
の規則周期構造の磁気光学多層膜を連ねた磁気光学体に
ついても同様に解析した。結果を図９に示す。グラフ
中、実線はファラデー回転角θF （deg.／μｍ）を示
し、破線は全回転角θ（deg.）を示している。
効果を解析した。図８は、図２にて特性を示した磁気光
学多層膜（膜厚５μｍ，ＰＭ0.18μｍ）を積層方向に複
数連ねた場合の全膜厚と磁気光学効果を示すグラフであ
る。縦軸はファラデー回転角θF 及び全回転角（θ）を
示し、横軸は全膜厚（μｍ）を示している。また、従来
の規則周期構造の磁気光学多層膜を連ねた磁気光学体に
ついても同様に解析した。結果を図９に示す。グラフ
中、実線はファラデー回転角θF （deg.／μｍ）を示
し、破線は全回転角θ（deg.）を示している。
【００３０】グラフから、従来の規則周期構造と比較し
て、本発明の不規則周期構造の磁気光学体の方が、特定
の全膜厚で顕著な光学的エンハンスメント効果を有して
いることが判る。全膜厚が６０μｍ、即ち５μｍの磁気
光学多層膜を１２個連ねた場合では、ファラデー回転角
θF が 1.60 deg.／μｍであり、この値はＢｉ：ＹＩＧ
の固有値（ 0.20 deg.／μｍ）の略８倍である。
て、本発明の不規則周期構造の磁気光学体の方が、特定
の全膜厚で顕著な光学的エンハンスメント効果を有して
いることが判る。全膜厚が６０μｍ、即ち５μｍの磁気
光学多層膜を１２個連ねた場合では、ファラデー回転角
θF が 1.60 deg.／μｍであり、この値はＢｉ：ＹＩＧ
の固有値（ 0.20 deg.／μｍ）の略８倍である。
【００３１】また、全膜厚が２２５μｍの場合は、全回
転角が略５３deg.であり、このうち磁性膜の厚さは４０
μｍである。Ｂｉ：ＹＩＧの単層を光アイソレータに用
いた場合には、偏光面の４５度の回転を得るためには２
５０μｍの膜厚が必要であることから、本発明の不規則
周期構造の磁気光学体は、磁性体単層の１／６以下の厚
さで偏光面の４５度の回転を得ることができる。このよ
うに、不規則周期構造の磁気光学多層膜を複数連ねた光
磁気光学体では、大きな磁気光学効果が得られ、光アイ
ソレータとして使用した場合には磁性体層の膜厚が薄い
ので光吸収損失が少ない。
転角が略５３deg.であり、このうち磁性膜の厚さは４０
μｍである。Ｂｉ：ＹＩＧの単層を光アイソレータに用
いた場合には、偏光面の４５度の回転を得るためには２
５０μｍの膜厚が必要であることから、本発明の不規則
周期構造の磁気光学体は、磁性体単層の１／６以下の厚
さで偏光面の４５度の回転を得ることができる。このよ
うに、不規則周期構造の磁気光学多層膜を複数連ねた光
磁気光学体では、大きな磁気光学効果が得られ、光アイ
ソレータとして使用した場合には磁性体層の膜厚が薄い
ので光吸収損失が少ない。
【００３２】
実施例１．前述した不規則周期構造の光磁気光学多層膜
を、高周波スパッタリング装置を用いて製造した。基板
にＧＧＧ（Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12）を用いた。磁性体として
Ｂｉ：ＹＩＧを、Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ5012のターゲットを用
い、投入電力２ｋＷにて、Ａｒガス圧0.3 Ｐａ，Ｏ2 ガ
ス圧0.1 Ｐａにて成膜した。また、誘電体として酸化シ
リコン（ＳｉＯ2 ）を、Ｓｉのターゲットを用い、投入
電力２ｋＷにて、Ａｒガス圧0.3 Ｐａ，Ｏ2 ガス圧0.2
Ｐａにて成膜した。成膜時には赤外線ランプによって基
板を５００℃に加熱した。
を、高周波スパッタリング装置を用いて製造した。基板
にＧＧＧ（Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12）を用いた。磁性体として
Ｂｉ：ＹＩＧを、Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ5012のターゲットを用
い、投入電力２ｋＷにて、Ａｒガス圧0.3 Ｐａ，Ｏ2 ガ
ス圧0.1 Ｐａにて成膜した。また、誘電体として酸化シ
リコン（ＳｉＯ2 ）を、Ｓｉのターゲットを用い、投入
電力２ｋＷにて、Ａｒガス圧0.3 Ｐａ，Ｏ2 ガス圧0.2
Ｐａにて成膜した。成膜時には赤外線ランプによって基
板を５００℃に加熱した。
【００３３】この光磁気光学多層膜を、上述したパラメ
ータを用いて表すと、 全膜厚Ｄ：５０００ｎｍ 磁気光学多層膜の分割数Ｎ：２２０ 磁性体層の層数ＮＭ：１３１ 磁性体の充填率ＰＭ：０．３９ 磁性体層の層厚ｄＭ：１４．９ｎｍ 誘電体層の層厚ｄＧ：３４．３ｎｍ ｂＮ：10100011110010110101111100011001010111001101
01110001110111110101101101110010101000001111100011
11001011111100000011001010100101010110101101110110
10110110111001111101010101101011011010110111100111
00110110111111111000011011 である。
ータを用いて表すと、 全膜厚Ｄ：５０００ｎｍ 磁気光学多層膜の分割数Ｎ：２２０ 磁性体層の層数ＮＭ：１３１ 磁性体の充填率ＰＭ：０．３９ 磁性体層の層厚ｄＭ：１４．９ｎｍ 誘電体層の層厚ｄＧ：３４．３ｎｍ ｂＮ：10100011110010110101111100011001010111001101
01110001110111110101101101110010101000001111100011
11001011111100000011001010100101010110101101110110
10110110111001111101010101101011011010110111100111
00110110111111111000011011 である。
【００３４】なお、磁性体層及び誘電体層のスパッタレ
ートは、夫々３０nm／min 、２０nm／min であり、夫々
の層厚はスパッタ時間によって制御される。５μｍの多
層膜を成膜するために３時間３０分を要した。
ートは、夫々３０nm／min 、２０nm／min であり、夫々
の層厚はスパッタ時間によって制御される。５μｍの多
層膜を成膜するために３時間３０分を要した。
【００３５】以上の如く製造された実施例１の磁気光学
多層膜のファラデー回転角θF を測定すると、 0.46 de
g.／μｍであった。これは前述した理論値とほぼ等し
い。これにより、実施例１の磁気光学多層膜は、高い光
学的エンハンスメント効果が得られることが判った。な
お、入射光の波長は1.15μｍである。
多層膜のファラデー回転角θF を測定すると、 0.46 de
g.／μｍであった。これは前述した理論値とほぼ等し
い。これにより、実施例１の磁気光学多層膜は、高い光
学的エンハンスメント効果が得られることが判った。な
お、入射光の波長は1.15μｍである。
【００３６】実施例２．実施例１で製造した磁気光学多
層膜について、磁性体層の層厚ｄＭ及び誘電体層の層厚
ｄＧを異ならせ、磁性体の充填率ＰＭに対する磁気光学
効果を測定した。磁気光学多層膜のその他の条件及び成
膜方法は、実施例１と同様である。結果を図１０に示
す。図１０（ａ）は縦軸は反射率を示し、横軸は磁性体
充填率ＰＭを示している。また図１０（ｂ）は縦軸はフ
ァラデー回転角θF を示し、横軸は磁性体充填率ＰＭを
示している。
層膜について、磁性体層の層厚ｄＭ及び誘電体層の層厚
ｄＧを異ならせ、磁性体の充填率ＰＭに対する磁気光学
効果を測定した。磁気光学多層膜のその他の条件及び成
膜方法は、実施例１と同様である。結果を図１０に示
す。図１０（ａ）は縦軸は反射率を示し、横軸は磁性体
充填率ＰＭを示している。また図１０（ｂ）は縦軸はフ
ァラデー回転角θF を示し、横軸は磁性体充填率ＰＭを
示している。
【００３７】図１０（ａ）から、磁性体充填率ＰＭの増
大に伴ってファラデー回転角θF は複数のピークを有し
ており、これらのうち最大のピークは、磁性体充填率Ｐ
Ｍが0.39の場合にファラデー回転角θF が略0.47（deg.
／μｍ）であり、次いで磁性体充填率ＰＭが0.18の場合
にファラデー回転角θF が略0.45（deg.／μｍ）であ
り、磁性体充填率ＰＭが0.6 の場合にファラデー回転角
θF が略0.3 （deg.／μｍ）を示している。これは前述
した理論解析値と略等しい値であり、実施の形態２の構
造の磁気光学多層膜では、磁性体充填率ＰＭが0.18，0.
39及び0.6 のものが、高い光学的エンハンスメント効果
を有することが判る。また図１０（ｂ）から、ファラデ
ー回転角θF がピークを有する磁性体充填率ＰＭ（0.1
8，0.39及び0.6 ）で反射率が逆ピークを有しており、
このような無反射条件を満たす磁気光学多層膜が高い光
学的エンハンスメント効果を有することが判った。
大に伴ってファラデー回転角θF は複数のピークを有し
ており、これらのうち最大のピークは、磁性体充填率Ｐ
Ｍが0.39の場合にファラデー回転角θF が略0.47（deg.
／μｍ）であり、次いで磁性体充填率ＰＭが0.18の場合
にファラデー回転角θF が略0.45（deg.／μｍ）であ
り、磁性体充填率ＰＭが0.6 の場合にファラデー回転角
θF が略0.3 （deg.／μｍ）を示している。これは前述
した理論解析値と略等しい値であり、実施の形態２の構
造の磁気光学多層膜では、磁性体充填率ＰＭが0.18，0.
39及び0.6 のものが、高い光学的エンハンスメント効果
を有することが判る。また図１０（ｂ）から、ファラデ
ー回転角θF がピークを有する磁性体充填率ＰＭ（0.1
8，0.39及び0.6 ）で反射率が逆ピークを有しており、
このような無反射条件を満たす磁気光学多層膜が高い光
学的エンハンスメント効果を有することが判った。
【００３８】実施例３．磁気光学多層膜のｂＮを異なら
せて実施例２と同様の測定を行ない、最大ファラデー回
転角θF と磁性体充填率との関係を調べた。スパッタ条
件は実施例１と同様である。図１１はその結果を示すグ
ラフであり、縦軸は最大ファラデー回転角θF を示し、
横軸は磁性体充填率ＰＭを示している。グラフから判る
ように、前述した理論解析と同様の磁性体充填率の特定
範囲で、大きな最大ファラデー回転角が存在している。
従って、不規則周期構造の磁気光学多層膜の磁性体充填
率が１０％以下、１５％以上３０％以下、又は３５％以
上５０％以下である場合に、高い光学的エンハンスメン
ト効果を有することが判った。
せて実施例２と同様の測定を行ない、最大ファラデー回
転角θF と磁性体充填率との関係を調べた。スパッタ条
件は実施例１と同様である。図１１はその結果を示すグ
ラフであり、縦軸は最大ファラデー回転角θF を示し、
横軸は磁性体充填率ＰＭを示している。グラフから判る
ように、前述した理論解析と同様の磁性体充填率の特定
範囲で、大きな最大ファラデー回転角が存在している。
従って、不規則周期構造の磁気光学多層膜の磁性体充填
率が１０％以下、１５％以上３０％以下、又は３５％以
上５０％以下である場合に、高い光学的エンハンスメン
ト効果を有することが判った。
【００３９】実施例４．実施例１で製造した磁気光学多
層膜を基板から剥がし取り、これらを積層方向に複数個
連ねて磁気光学体を製造し、これらの全膜厚に対するフ
ァラデー回転角を測定した。このとき、磁気光学体は接
着剤等を使用することなく物理的に密接に接触させてい
る。この結果を図１２に示す。図１２は縦軸はファラデ
ー回転角を示し、横軸は全膜厚を示しており、５μｍの
磁気光学多層膜を３０個まで連ねた場合を測定してい
る。グラフから、特定の全膜厚で顕著な光学的エンハン
スメント効果を有していることが判る。これにより、磁
気光学多層膜を１１個（全膜厚が略５５μｍ）又は磁気
光学多層膜を２６個（略１３０μｍ）連ねた場合に、高
い光学的エンハンスメント効果が得られ、また磁性層厚
を薄くできることから、光アイソレータとして用いた場
合に、光損失を極めて少なくできることが判った。
層膜を基板から剥がし取り、これらを積層方向に複数個
連ねて磁気光学体を製造し、これらの全膜厚に対するフ
ァラデー回転角を測定した。このとき、磁気光学体は接
着剤等を使用することなく物理的に密接に接触させてい
る。この結果を図１２に示す。図１２は縦軸はファラデ
ー回転角を示し、横軸は全膜厚を示しており、５μｍの
磁気光学多層膜を３０個まで連ねた場合を測定してい
る。グラフから、特定の全膜厚で顕著な光学的エンハン
スメント効果を有していることが判る。これにより、磁
気光学多層膜を１１個（全膜厚が略５５μｍ）又は磁気
光学多層膜を２６個（略１３０μｍ）連ねた場合に、高
い光学的エンハンスメント効果が得られ、また磁性層厚
を薄くできることから、光アイソレータとして用いた場
合に、光損失を極めて少なくできることが判った。
【００４０】なお、上述した実施の形態では、本発明の
磁気光学多層膜を光アイソレータに適用した場合につい
て説明しているが、これに限るものではなく、例えば基
板上に上述した磁気光学多層膜を形成することにより、
大きな磁気光学効果を有する光磁気記録媒体を得ること
ができる。
磁気光学多層膜を光アイソレータに適用した場合につい
て説明しているが、これに限るものではなく、例えば基
板上に上述した磁気光学多層膜を形成することにより、
大きな磁気光学効果を有する光磁気記録媒体を得ること
ができる。
【００４１】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、磁気
光学多層膜が磁性体層と誘電体層との層厚を不規則周期
的に積層して構成され、特定範囲の磁性体充填率を有す
ることにより、高い光学的エンハンスメント効果を得る
ことができる。また、不規則周期的に積層された磁気光
学多層膜が、反射率の逆ピークを示す磁性体充填率を有
することにより、さらに高い光学的エンハンスメント効
果を得ることができる。さらに、不規則周期的に積層さ
れた磁気光学多層膜を積層方向に複数連ねることによ
り、磁気光学効果のエンハンスメント効果が高く、光損
失を少なくできる等、本発明は優れた効果を奏する。
光学多層膜が磁性体層と誘電体層との層厚を不規則周期
的に積層して構成され、特定範囲の磁性体充填率を有す
ることにより、高い光学的エンハンスメント効果を得る
ことができる。また、不規則周期的に積層された磁気光
学多層膜が、反射率の逆ピークを示す磁性体充填率を有
することにより、さらに高い光学的エンハンスメント効
果を得ることができる。さらに、不規則周期的に積層さ
れた磁気光学多層膜を積層方向に複数連ねることによ
り、磁気光学効果のエンハンスメント効果が高く、光損
失を少なくできる等、本発明は優れた効果を奏する。
【図１】本発明の磁気光学多層膜の構造を示す斜視図で
ある。
ある。
【図２】本発明の磁気光学多層膜の磁性体充填率に対す
る反射率及び磁気光学効果を示すグラフである。
る反射率及び磁気光学効果を示すグラフである。
【図３】本発明の他の磁気光学多層膜の磁性体充填率と
磁気光学効果との関係を示すグラフである。
磁気光学効果との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の他の磁気光学多層膜の磁性体充填率と
磁気光学効果との関係を示すグラフである。
磁気光学効果との関係を示すグラフである。
【図５】本発明の他の磁気光学多層膜の磁性体充填率と
磁気光学効果との関係を示すグラフである。
磁気光学効果との関係を示すグラフである。
【図６】本発明の磁気光学多層膜の磁性体充填率に対す
る最大ファラデー回転角を示すグラフである。
る最大ファラデー回転角を示すグラフである。
【図７】本発明の磁気光学体の構造を示す斜視図であ
る。
る。
【図８】本発明の磁気光学体の磁気光学効果を示すグラ
フである。
フである。
【図９】従来の磁気光学体の磁気光学効果を示すグラフ
である。
である。
【図１０】実施例２の磁気光学多層膜の磁性体充填率に
対する反射率及び磁気光学効果を示すグラフである。
対する反射率及び磁気光学効果を示すグラフである。
【図１１】実施例３の磁気光学多層膜の磁性体充填率に
対する最大ファラデー回転角を示すグラフである。
対する最大ファラデー回転角を示すグラフである。
【図１２】実施例４の磁気光学多層膜の磁気光学効果を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図１３】従来の磁気光学多層膜の構造を示す斜視図で
ある。
ある。
【図１４】従来の磁気光学多層膜の磁気光学効果を示す
グラフである。
グラフである。
１ 磁気光学多層膜 １０ 磁気光学体 １１ 磁性体層 １２ 誘電体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 玉野井 健 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１ 番１号 富士通株式会社内 (56)参考文献 諫本圭史他，不連続磁性媒体の磁気光 学ファラデー効果の理論解析，電子情報 通信学会技術研究報告，1995年２月23 日，Ｖｏｌ．94，Ｎｏ．520，ｐｐ．15 −22 ＩＳＡＭＯＴＯ Ｋ．，ｅｔ．ａ ｌ．，Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｍａｇ ｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｆａｒａｄ ａｙ Ｅｆｆｅｃｔ ｉｎ Ｄｉｓｃｏ ｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍｅｄｉｕｍ ｗｉｔｈ Ｐｅｒｉｏｄ ｉｃ Ａｉｒ Ｇａｐｓ，ＩＥＥＥ Ｔ ＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧ ＮＥＴＩＣＳ，Ｖｏｌ．31，Ｎｏ．６, ｐｐ．3286−3288 ＫＯＨＭＯＴＯ Ｍ，ｅｔ ａｌ．, Ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ ｉｎ Ｏｐ ｔｉｃｓ：Ｑｕａｓｉｐｅｒｉｏｄｉｃ Ｍｅｄｉａ，ＰＨＹＳＩＣＡＬ ＲＥ ＶＩＥＷ ＬＥＴＴＥＲＳ，1987年６月 ８日，Ｖｏｌ．58，Ｎｏ．23，ｐｐ. 2436−2438 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/09 C30B 29/28
Claims (5)
- 【請求項１】 磁性体と誘電体とが交互に積層され、入
射光の偏光面を回転せしめる磁気光学多層膜において、
前記磁性体及び誘電体は、各層の厚さを不規則にして積
層してあることを特徴とする磁気光学多層膜。 - 【請求項２】 全膜厚に対する磁性体全層の膜厚率は、
１０％以下、１５％乃至３０％、又は３５％乃至５０％
である請求項１記載の磁気光学多層膜。 - 【請求項３】 全膜厚に対する磁性体全層の膜厚率は、
入射した光の反射率が前記膜厚率の増加又は減少に伴い
ファラディ回転角が有するピークに対応する逆ピークを
有する値である請求項１記載の磁気光学多層膜。 - 【請求項４】 前記磁性体は希土類鉄系ガーネットであ
る請求項１記載の磁気光学多層膜。 - 【請求項５】 請求項１に記載の磁気光学多層膜の複数
を積層方向に連ねてあることを特徴とする磁気光学体。
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| ＫＯＨＭＯＴＯ Ｍ，ｅｔ ａｌ．，Ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ ｉｎ Ｏｐｔｉｃｓ：Ｑｕａｓｉｐｅｒｉｏｄｉｃ Ｍｅｄｉａ，ＰＨＹＳＩＣＡＬ ＲＥＶＩＥＷ ＬＥＴＴＥＲＳ，１９８７年６月８日，Ｖｏｌ．５８，Ｎｏ．２３，ｐｐ．２４３６−２４３８ |
| 諫本圭史他，不連続磁性媒体の磁気光学ファラデー効果の理論解析，電子情報通信学会技術研究報告，１９９５年２月２３日，Ｖｏｌ．９４，Ｎｏ．５２０，ｐｐ．１５−２２ |
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