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JP3259381B2 - Semiconductor chip bonding apparatus and bonding method - Google Patents
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JP3259381B2 - Semiconductor chip bonding apparatus and bonding method - Google Patents

Semiconductor chip bonding apparatus and bonding method

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JP3259381B2
JP3259381B2 JP32988492A JP32988492A JP3259381B2 JP 3259381 B2 JP3259381 B2 JP 3259381B2 JP 32988492 A JP32988492 A JP 32988492A JP 32988492 A JP32988492 A JP 32988492A JP 3259381 B2 JP3259381 B2 JP 3259381B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームの内部
リードに貼着された接着テープを介して半導体チップ上
面に内部リードを接着するようにした半導体チップ接着
装置及び半導体チップ接着方法に関し、更に詳細には、
使用接着テープを効率良く予備加熱して所望の除湿を施
すように及びコンパクトな構造になるように改良された
半導体チップ接着装置及び半導体チップ接着方法に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor chip bonding apparatus and a semiconductor chip bonding method for bonding an internal lead to an upper surface of a semiconductor chip via an adhesive tape bonded to an internal lead of a lead frame. For details,
The present invention relates to a semiconductor chip bonding apparatus and a semiconductor chip bonding method improved to efficiently preheat a used adhesive tape to perform desired dehumidification and to have a compact structure.

【0002】[0002]

【従来の技術】LOC(Lead on chip)構造を有する半
導体装置を製造する場合、リードフレームの内部リード
に貼着された接着テープを介して内部リードと半導体チ
ップとを接着させている。
2. Description of the Related Art When manufacturing a semiconductor device having a LOC (Lead on Chip) structure, an internal lead and a semiconductor chip are adhered to each other through an adhesive tape adhered to the internal lead of a lead frame.

【0003】図3は、リードフレームの内部リードを半
導体チップに接着した段階のLOC構造の半導体装置の
一例を表す平面図であって、詳しくは、後述の加熱ステ
ージ上でリードフレーム20の内部リード22が接着テ
ープ24を介して半導体チップ26の上面に熱圧着され
た状態を示している。図4はそのA−A線断面での部分
拡大図を示す。リードフレーム20は、多数の内部リー
ド22を備えている。内部リード22の半導体チップ接
着側には、接着テープ24が内部リード22を横断する
ような形で貼着されており、更に各内部リード22は、
補強のためその中間でタイバー23により相互に連結さ
れている。接着テープ24は、内部リード22と半導体
チップ26との接着媒体であって、図4に示すように、
ポリイミドテープ30の両面にエポキシ系接着剤28を
夫々被着したものがその例である。内部リード22は、
この接着テープ24を介して半導体チップ26上面に熱
圧着される。
FIG. 3 is a plan view showing an example of a semiconductor device having a LOC structure at a stage where internal leads of a lead frame are bonded to a semiconductor chip. More specifically, FIG. Reference numeral 22 denotes a state where the semiconductor chip 26 is thermocompression-bonded to the upper surface of the semiconductor chip 26 via the adhesive tape 24. FIG. 4 shows a partially enlarged view of the section along the line AA. The lead frame 20 has a number of internal leads 22. An adhesive tape 24 is adhered to the semiconductor chip bonding side of the internal lead 22 so as to cross the internal lead 22.
They are interconnected by tie bars 23 in the middle for reinforcement. The adhesive tape 24 is an adhesive medium between the internal lead 22 and the semiconductor chip 26, and as shown in FIG.
This is an example in which an epoxy adhesive 28 is applied to both surfaces of a polyimide tape 30, respectively. The internal lead 22
The semiconductor chip 26 is thermocompression-bonded via the adhesive tape 24 to the upper surface.

【0004】接着テープに被着された接着剤は、吸湿性
を有するため時間の経過と共に水分を徐々に含有するよ
うになる。接着剤が水分を吸湿したままの接着テープを
使用して内部リードと半導体チップとを熱圧着させる
と、その後にパッケージクラック等の欠陥が発生し、後
工程において作業の支障となるばかりでなく、欠陥品と
なって製品歩留りを悪くする。従って、熱圧着する前に
接着テープを除湿することが、良品の半導体装置を得る
ための条件の一つであり、かかる除湿が適切に施されな
いと、製品品質及び製品歩留りが、それにより大きく影
響される。
[0004] Since the adhesive applied to the adhesive tape has a hygroscopic property, it gradually contains water over time. When the internal leads and the semiconductor chip are thermocompression bonded using an adhesive tape while the adhesive absorbs moisture, defects such as package cracks occur afterwards, which not only hinders work in a later process, Defective products reduce product yield. Therefore, dehumidifying the adhesive tape before thermocompression bonding is one of the conditions for obtaining a good semiconductor device, and if the dehumidification is not properly performed, product quality and product yield are greatly affected. Is done.

【0005】そこで、LOC構造の半導体装置の製造に
用いられる半導体チップ接着装置は、一般に、接着テー
プに被着された接着剤中の水分を除湿するために、加熱
ステージに隣接してリードフレームの加熱装置を備えて
おり、それによりリードフレームの内部リードに貼着さ
れた接着テープを予備加熱し、接着剤中の水分を蒸発さ
せている。
[0005] Therefore, a semiconductor chip bonding apparatus used for manufacturing a semiconductor device having a LOC structure generally has a lead frame adjacent to a heating stage in order to dehumidify moisture in an adhesive applied to an adhesive tape. A heating device is provided to preheat the adhesive tape attached to the internal leads of the lead frame, thereby evaporating moisture in the adhesive.

【0006】図5及び図6は、従来の半導体チップ接着
装置を使用して半導体チップにリードフレームを接着す
る工程を斜視図で図示したものである。図5及び図6に
示す半導体チップ接着装置は、加熱ステージ34と、マ
ウントヘッド38と、加熱ステージ34に隣接して配設
された加熱装置32とを備えている。加熱ステージ34
は、熱圧着受台36の上面に形成され、その上に載置さ
れた半導体チップ26を加熱する。マウントヘッド38
は、加熱ステージ34に対向して上方に配置され、加熱
ステージ34に対して自在に昇降することにより、図6
に示すように加熱ステージ34上の半導体チップ26に
対してその上に載置されたリードフレーム20を押圧す
る。
FIGS. 5 and 6 are perspective views showing a process of bonding a lead frame to a semiconductor chip using a conventional semiconductor chip bonding apparatus. The semiconductor chip bonding apparatus shown in FIGS. 5 and 6 includes a heating stage 34, a mount head 38, and a heating device 32 disposed adjacent to the heating stage 34. Heating stage 34
Is formed on the upper surface of the thermocompression bonding table 36 and heats the semiconductor chip 26 placed thereon. Mount head 38
6 is disposed above and opposed to the heating stage 34, and is freely raised and lowered with respect to the heating stage 34.
As shown in (1), the lead frame 20 placed on the semiconductor chip 26 on the heating stage 34 is pressed.

【0007】加熱装置32は、断面矩形状の中空筒状部
材からなるヒータ部40を備え、その内部41は高温雰
囲気を形成して、内部41に搬送されたリードフレーム
20全体をヒータ部40からの輻射熱で間接的に加熱
し、これにより予め接着テープ24に被着した接着剤2
8を予備加熱し、その含有水分を蒸発させている。図5
では、接着テープ24は、リードフレーム20の内部リ
ード22の半導体チップ接着側(図面では内部リード2
2の裏面)に貼着されている。
The heating device 32 includes a heater section 40 formed of a hollow cylindrical member having a rectangular cross section. The inside 41 forms a high-temperature atmosphere, and the entire lead frame 20 conveyed to the inside 41 is removed from the heater section 40. Is indirectly heated by the radiant heat of the adhesive 2, and thereby the adhesive 2 previously adhered to the adhesive tape 24.
8 is preheated to evaporate the water content. FIG.
Then, the adhesive tape 24 is attached to the semiconductor chip bonding side of the internal lead 22 of the lead frame 20 (in FIG.
2 back).

【0008】図5において加熱装置32により加熱され
たリードフレーム20は、ステップ搬送方式により、半
導体チップ1個分づつ図6に示すように加熱ステージ3
4に載置された半導体チップ26上の所定位置に搬送さ
れ、そこに配置される。次いで、マウントヘッド38
は、加熱ステージ34上の半導体チップ26に対してリ
ードフレーム20を押圧し、予備加熱された接着テープ
24を介して内部リード22を半導体チップ26に熱圧
着する。半導体チップ26と内部リード22とを熱圧着
した得た半導体装置の半完成品は、加熱ステージ34か
ら取り出されて、次の工程に送出される。一方、加熱ス
テージ34上には再び別の半導体チップが、内部リード
との熱圧着のため載置される。
In FIG. 5, the lead frame 20 heated by the heating device 32 is moved one step at a time by the heating stage 3 as shown in FIG.
The semiconductor chip 26 is transported to a predetermined position on the semiconductor chip 26 placed thereon and placed there. Next, the mount head 38
Presses the lead frame 20 against the semiconductor chip 26 on the heating stage 34, and thermally presses the internal leads 22 to the semiconductor chip 26 via the preheated adhesive tape 24. The semi-finished semiconductor device obtained by thermocompression bonding the semiconductor chip 26 and the internal leads 22 is taken out from the heating stage 34 and sent to the next step. On the other hand, another semiconductor chip is mounted on the heating stage 34 again for thermocompression bonding with the internal leads.

【0009】別法として図7に示す加熱装置32は、内
蔵する加熱手段により加熱された搬送路42から構成さ
れ、接着テープ24の接着剤28が搬送路42に接触し
ないようにしてリードフレーム20を加熱された搬送路
42上に配置し、リードフレーム20が加熱ステージ3
4に搬送される間に、搬送路42からの輻射熱により接
着テープ28を間接的に予備加熱し、接着剤中の水分を
蒸発させる仕組みになっている。
As another method, the heating device 32 shown in FIG. 7 is constituted by a transport path 42 heated by a built-in heating means, and the lead frame 20 is prevented from contacting the adhesive 28 of the adhesive tape 24 with the transport path 42. Are arranged on the heated transfer path 42, and the lead frame 20 is connected to the heating stage 3.
4, the adhesive tape 28 is indirectly preheated by radiant heat from the transport path 42 to evaporate moisture in the adhesive.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかし、図5に示す従
来の半導体チップ接着装置に設けられた加熱装置では、
接着剤を所望の程度に除湿するためには、比較的長時間
リードフレームを予備加熱する必要があった。そのた
め、リードフレームの予備加熱処理が、加熱ステージ上
での半導体チップと内部リードとの熱圧着処理のタクト
に整合しないと言う問題があり、また加熱装置の設置に
は広いスペースが必要であって、そのため半導体チップ
接着装置自体の寸法が大きくなると言う問題を有してい
た。また、図7に示す従来の半導体チップ接着装置に設
けられた加熱装置は、加熱条件が悪くて、予備加熱のた
めの十分な加熱が出来なかった。
However, in the heating apparatus provided in the conventional semiconductor chip bonding apparatus shown in FIG.
In order to dehumidify the adhesive to a desired degree, it was necessary to preheat the lead frame for a relatively long time. Therefore, there is a problem that the preheating process of the lead frame does not match the tact of the thermocompression bonding process between the semiconductor chip and the internal lead on the heating stage, and a large space is required for installing the heating device. Therefore, there has been a problem that the dimensions of the semiconductor chip bonding apparatus itself increase. In addition, the heating device provided in the conventional semiconductor chip bonding apparatus shown in FIG. 7 has poor heating conditions, and was unable to perform sufficient heating for preliminary heating.

【0011】よって、本発明の目的は、LOC構造の半
導体装置の製造において半導体チップを接着するにあた
り、リードフレームの予備加熱時間を短縮するように、
またコンパクトな構造になるように改良された半導体チ
ップ接着装置を提供し、かつその半導体チップ接着方法
を提供することである。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor device having a LOC structure in which a semiconductor chip is bonded so as to shorten the preheating time of a lead frame.
It is another object of the present invention to provide a semiconductor chip bonding apparatus improved so as to have a compact structure, and to provide a semiconductor chip bonding method.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明者は、研究の末、
従来の半導体チップ接着装置の問題点は、リードフレー
ムが、間接的な加熱手段により予備加熱されていること
にあると認識した。即ち、発熱体からの輻射熱によりリ
ードフレームを間接的に加熱し、それによってリードフ
レームの内部リードに貼着された接着剤を予備加熱する
と言う間接的加熱の仕組みを使用しているために、熱伝
達の遅れから、予備加熱時間が長くなり、また構造的に
も広いスペースを必要とする。
Means for Solving the Problems The present inventor, after research,
It has been recognized that the problem of the conventional semiconductor chip bonding apparatus is that the lead frame is preheated by indirect heating means. That is, since the lead frame is indirectly heated by the radiant heat from the heating element, and thereby the adhesive bonded to the internal lead of the lead frame is preliminarily heated, the indirect heating mechanism is used. Due to the transmission delay, the pre-heating time is lengthened, and a structurally large space is required.

【0013】上記目的を達成するために、以上の知見に
基づき、本発明は、リードフレームの内部リードに貼着
された接着テープを予備加熱するための加熱装置を備
え、該加熱装置により予備加熱された接着テープを介し
て半導体チップ上面に内部リードを熱圧着するようにし
た半導体チップ接着装置において、加熱装置が、内部リ
ードを直接的に加熱し、加熱された内部リードの熱によ
り接着テープを予備加熱するようにした加熱手段を備え
ることを特徴としている。
In order to achieve the above object, based on the above findings, the present invention comprises a heating device for preheating an adhesive tape adhered to an internal lead of a lead frame, and the preheating device is provided by the heating device. In a semiconductor chip bonding apparatus in which an internal lead is thermocompression-bonded to the upper surface of a semiconductor chip via a bonded adhesive tape, a heating device directly heats the internal lead, and the adhesive tape is heated by the heat of the heated internal lead. It is characterized by comprising a heating means for preheating.

【0014】本発明で使用する加熱手段としては、内部
リードを直接的に加熱できるものである限り特に制約は
ないが、例えば、ヒータを内蔵し、そのヒータにより加
熱されて昇温し、その熱を他の物に伝達する金属製発熱
体(加熱ブロック)を加熱手段として使用する。加熱ブ
ロックを内部リードに直接接触させて加熱ブロックから
内部リードへの熱伝導により内部リードを直接的に加熱
し、加熱された内部リードの熱により接着テープを加熱
し、接着剤中の水分を蒸発させる。。加熱ブロックは、
半導体チップ1個分のリードフレームを加熱ステージに
搬送する搬送手段のステップに同期して動作する昇降機
構に保持されて、リードフレームの送りが停止すると上
方から下降してリードフレームの内部リードに接触して
加熱し、所定時間経過してリードフレームの送りが再開
されると同時に上方に上昇する。
The heating means used in the present invention is not particularly limited as long as it can directly heat the internal leads. For example, the heating means has a built-in heater and is heated by the heater to raise the temperature. Is used as a heating means. The heating block is brought into direct contact with the internal lead, the internal lead is directly heated by heat conduction from the heating block to the internal lead, the adhesive tape is heated by the heat of the heated internal lead, and the moisture in the adhesive is evaporated. Let it. . The heating block
The lead frame for one semiconductor chip is held by an elevating mechanism that operates in synchronization with the step of the transfer means for transferring the lead frame to the heating stage. When the lead frame is stopped, the lead frame descends from above and contacts the internal lead of the lead frame. Then, after a predetermined time elapses, the lead frame feeding is restarted, and at the same time, it rises upward.

【0015】望ましくは、加熱手段が、半導体チップの
複数個分の内部リードを同時に加熱できるようにする。
それにより、リードフレームの搬送過程において、内部
リードを繰り返して加熱できるので、加熱ステージ上で
の半導体チップとリードフレームとの熱圧着のタクトに
整合するようにリードフレームの搬送速度を速めても、
接着テープを所定の温度に予備加熱することができ、従
って、所望の程度に接着剤を除湿することができる。
Preferably, the heating means is capable of simultaneously heating a plurality of internal leads of the semiconductor chip.
Thereby, in the process of transporting the lead frame, the internal leads can be repeatedly heated, so even if the transport speed of the lead frame is increased so as to match the tact of thermocompression bonding between the semiconductor chip and the lead frame on the heating stage,
The adhesive tape can be preheated to a predetermined temperature, and thus the adhesive can be dehumidified to a desired degree.

【0016】上記目的を達成するために、本発明は、リ
ードフレームの内部リードに貼着された接着テープを介
して該内部リードを半導体チップに熱圧着する半導体チ
ップ接着方法において、加熱手段により内部リードを直
接的に加熱し、加熱された内部リードの熱により接着テ
ープを予備加熱する工程を含むことを特徴としている。
In order to achieve the above object, the present invention relates to a semiconductor chip bonding method for thermocompression bonding an internal lead to a semiconductor chip via an adhesive tape stuck to the internal lead of a lead frame. The method includes directly heating the leads and preheating the adhesive tape by the heat of the heated internal leads.

【0017】[0017]

【作用】従来の内部リードの間接的な加熱、即ち熱放射
による加熱に比べて、直接的な加熱、即ち相互接触させ
た熱伝導による内部リードの加熱は、遙に速く内部リー
ドを昇温させることが出来るので、その熱により、接着
剤の予備加熱を速やかに施し、従って接着剤中の水分を
速やかに蒸発させることができる。
Compared with the conventional indirect heating of the internal leads, that is, the heating by the heat radiation, the direct heating, that is, the heating of the internal leads by the heat conduction brought into contact with each other, heats the internal leads much faster. Because of this heat, the adhesive can be quickly preheated by the heat, so that the moisture in the adhesive can be quickly evaporated.

【0018】[0018]

【実施例】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて
本発明をより詳細に説明する。図1は、本発明の一実施
例(第1実施例)の半導体チップ接着装置(以下、簡単
のため装置と略称する)を示す斜視図である 図中、全体に符号10を付して示すものは本実施例に係
る装置であって、図5から図7に示す半導体チップ接着
装置と同じ部品には同じ符号を付してその説明を省略す
る。本装置10では、接着テープ24の接着剤28中の
水分を除湿するために、加熱装置12が、加熱ステージ
34に隣接してリードフレーム20搬送方向手前に配設
されている。本装置10に設けられた加熱ステージ3
4、熱圧着受台36、マウントヘッド38は、図5〜図
7に示したものと同様のものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor chip bonding apparatus (hereinafter simply referred to as an apparatus for simplicity) according to an embodiment (first embodiment) of the present invention. This is an apparatus according to the present embodiment, and the same components as those of the semiconductor chip bonding apparatus shown in FIGS. 5 to 7 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. In the present apparatus 10, in order to dehumidify the moisture in the adhesive 28 of the adhesive tape 24, the heating device 12 is disposed adjacent to the heating stage 34 and in front of the lead frame 20 in the transport direction. Heating stage 3 provided in the present apparatus 10
4. The thermocompression receiving table 36 and the mount head 38 are the same as those shown in FIGS.

【0019】該加熱装置12は、上部に加熱ブロック1
4を及び下部に搬送路16を備えており、加熱ブロック
14は、搬送路16の加熱ステージ34寄りに配されて
いる。搬送路16は、所定の速度の搬送ステップでリー
ドフレーム20を半導体チップ1個分づつ加熱ステージ
34上の半導体チップ26に供給する。加熱ブロック1
4は、電気ヒータを内蔵した金属製ブロックからなり、
内部リード22に接触して熱伝導により内部リード22
を加熱する加熱手段であって、図示のように、半導体チ
ップ1個分の内部リード22の組に対応して、所定の寸
法のものが加熱ステージ34の直前に1個設けられてい
る。
The heating device 12 has a heating block 1
The heating block 14 is disposed near the heating stage 34 of the conveying path 16. The transport path 16 supplies the lead frame 20 to the semiconductor chips 26 on the heating stage 34 one by one at a transport step of a predetermined speed. Heating block 1
4 is a metal block having a built-in electric heater,
The inner lead 22 is brought into contact with the inner lead 22 by heat conduction.
As shown in the figure, one heating means having a predetermined size is provided immediately before the heating stage 34 corresponding to the set of the internal leads 22 for one semiconductor chip, as shown in the figure.

【0020】加熱ブロック14は、リードフレーム20
を半導体チップ1個分づつ加熱ステージ34に搬送する
搬送路16のステップに同期して動作する。即ち、加熱
ブロック14は、リードフレームの送りに支障がないよ
うにするために、搬送路16の搬送ステップに同期して
動作する昇降機構(図示せず)に保持されていて、リー
ドフレームの送りが停止すると、上方から下降してリー
ドフレームの内部リード22に接触して加熱し、所定時
間経過してリードフレームの送りが再開されると同時
に、上方に上昇し、以下かかる動作を繰り返して行う。
上述の昇降機構は、既知の常用機構であるので、本明細
書でこれ以上の説明は不要と考える。
The heating block 14 includes a lead frame 20.
Is operated in synchronization with the steps of the transport path 16 for transporting the semiconductor chip to the heating stage 34 one by one. That is, the heating block 14 is held by an elevating mechanism (not shown) that operates in synchronization with the transport step of the transport path 16 so as not to hinder the lead frame transport. Is stopped, it descends from above and contacts the internal leads 22 of the lead frame to be heated, and after a predetermined time elapses, feeding of the lead frame is resumed, and at the same time, it rises upward, and this operation is repeated. .
The elevating mechanism described above is a well-known common-use mechanism, so that further description is not necessary in this specification.

【0021】以上の構成により、リードフレーム20を
半導体チップ1個分づつ順次加熱ステージ34上の半導
体チップ26上面へ搬送、供給する搬送ステップ毎に、
加熱ブロック14は、上述の昇降機構と協働して、内部
リード22に接触し、熱伝導により直接的に加熱し、加
熱された内部リード22の熱により、その裏面に貼り付
けられた接着テープ24の接着剤28を加熱して含有水
分を蒸発させる。
With the above structure, the lead frame 20 is transported one by one to the upper surface of the semiconductor chip 26 on the heating stage 34 in sequence, and each time the transporting step is performed,
The heating block 14 is in contact with the internal lead 22 and cooperates with the above-described elevating mechanism to directly heat by heat conduction, and the adhesive tape attached to the back surface by the heat of the heated internal lead 22. The adhesive 28 is heated to evaporate the water content.

【0022】このように、本装置10は、加熱ステージ
34に隣接して、リードフレーム20の内部リード22
に貼り付けられた接着テープ24を予備加熱する加熱装
置12を有している。加熱装置12は、接着テープ24
が貼り付けられた内部リード22を直接加熱する加熱ブ
ロック14を備え、加熱ブロック14により内部リード
22を介して接着テープ24を予備加熱し、それにより
接着剤中の水分を蒸発させるような構成になっている。
As described above, the apparatus 10 includes the internal lead 22 of the lead frame 20 adjacent to the heating stage 34.
Has a heating device 12 for preheating the adhesive tape 24 stuck on the substrate. The heating device 12 includes an adhesive tape 24
Is provided with a heating block 14 for directly heating the inner lead 22 to which the adhesive tape 24 is attached, and the heating block 14 preheats the adhesive tape 24 via the inner lead 22, thereby evaporating the moisture in the adhesive. Has become.

【0023】本装置10は、加熱装置12により予備加
熱されて所望の程度に除湿された接着テープ24を以
て、図5及び図6で説明した操作と同様にして、加熱ス
テージ34とマウントヘッド38との協働による熱圧着
操作を行い、加熱ステージ34において内部リード22
と半導体チップ26との接着を行う。一方、加熱ステー
ジ34での熱圧着操作の間、次の半導体チップ1個分の
内部リード22の接着テープ24は、同様にして加熱ブ
ロック14により予備加熱が施される。加熱ブロック1
4の温度を調節することにより、又は後述の第2の実施
例のように加熱ブロック14の数を増やし又は寸法を大
きくすることにより、加熱ステージ34での熱圧着操作
のタクトに合わせて、加熱装置12における内部リード
22の予備加熱を完了することができる。
The present apparatus 10 includes a heating stage 34 and a mount head 38, which are preheated by the heating device 12 and dehumidified to a desired degree, in the same manner as described with reference to FIGS. Of the internal leads 22 in the heating stage 34.
And the semiconductor chip 26 are bonded. On the other hand, during the thermocompression bonding operation on the heating stage 34, the adhesive tape 24 of the internal lead 22 for the next one semiconductor chip is similarly preheated by the heating block 14. Heating block 1
By adjusting the temperature of Step 4 or by increasing the number or size of the heating blocks 14 as in the second embodiment described later, the heating is performed in accordance with the tact of the thermocompression bonding operation on the heating stage 34. Preheating of the internal leads 22 in the device 12 can be completed.

【0024】従来の半導体チップ接着装置の加熱装置
が、加熱雰囲気中の輻射熱による間接的加熱であるのに
対して、本装置の使用接着テープ24の加熱は、熱伝導
による直接的加熱であるため、内部リードの温度上昇の
立ち上がりが早くなり、加熱時間の短縮が可能となっ
て、熱圧着のタクトとの整合が取れる。従って、パッケ
ージラック等の要因も未然に除去し得、製品品質、歩留
り等の向上が図れる。また、直接的加熱を行うことによ
り、加熱装置の構成が簡単になり、しかも加熱効率の向
上から加熱装置の寸法を短くすることができるので、装
置構成上で省スペース化が可能となる。
The heating device of the conventional semiconductor chip bonding apparatus is indirect heating by radiant heat in a heating atmosphere, whereas the heating of the adhesive tape 24 used in the present apparatus is direct heating by heat conduction. The rise of the temperature rise of the internal leads is quickened, and the heating time can be shortened, so that the tact of thermocompression bonding can be matched. Therefore, factors such as the package rack can be removed beforehand, and the product quality, yield, and the like can be improved. Further, by performing direct heating, the configuration of the heating device can be simplified, and the dimensions of the heating device can be shortened due to the improvement of the heating efficiency, so that space can be saved in the configuration of the device.

【0025】次に、図2は、本発明の他の実施例(第2
実施例)を示す斜視図である。本実施例では、加熱装置
12は、半導体チップ26の複数個分の内部リード22
を同時に加熱するできるように、半導体チップの複数個
分の内部リード22にわたる長さ(例えば、図示の例で
は、同時に、3組の内部リード22の直接加熱が可能な
長さ)の加熱ブロック18を備えている。本実施例は、
複数組の内部リード22にわたる長さを有する加熱ブロ
ック18を備えたことを除いて、前記第1実施例と同じ
構成を有している。
Next, FIG. 2 shows another embodiment (second embodiment) of the present invention.
(Example) is a perspective view showing (Example). In the present embodiment, the heating device 12 includes the plurality of internal leads 22 of the semiconductor chip 26.
In order to heat the internal leads 22 simultaneously, the heating block 18 has a length extending over a plurality of internal leads 22 of the semiconductor chip (for example, in the example shown, a length capable of simultaneously heating three sets of internal leads 22 simultaneously). It has. In this embodiment,
It has the same configuration as the first embodiment except that it has a heating block 18 having a length extending over a plurality of sets of internal leads 22.

【0026】以上の構成により、リードフレーム20が
加熱装置12を経て加熱ステージ34へ搬送される間、
加熱装置12は、内部リード22に貼り付けられた接着
テープ24を繰り返し予備加熱することができるので、
熱圧着のタクトに合わせてリードフレーム20を搬送し
ても、その搬送時間の間に所望の程度に除湿することが
できる。更に説明すれば、加熱ステージ34での熱圧着
時間より長い予備加熱時間を接着テープ24に対して必
要とする場合、即ち、接着テープの予備加熱工程が熱圧
着のタクトに遅れる場合に、図示のように加熱ブロック
の長さを長くして、リードフレーム20を搬送しながら
繰り返し加熱することにより、予備加熱時間の確保が可
能になる。また、これに代えて、半導体チップ1個分の
内部リード22を加熱する加熱ブロック14を複数個備
えることもできる。例えば、図1において、加熱ブロッ
ク14に加え、手前側に、もう2個同様の加熱ブロック
14を増設して、計3個の加熱ブロック14によって内
部リード22を加熱しても、第2実施例と同じ効果を得
ることができる。
With the above configuration, while the lead frame 20 is conveyed to the heating stage 34 via the heating device 12,
Since the heating device 12 can repeatedly preheat the adhesive tape 24 attached to the internal lead 22,
Even if the lead frame 20 is transported in accordance with the tact of thermocompression bonding, it can be dehumidified to a desired degree during the transport time. More specifically, when a preheating time longer than the thermocompression bonding time in the heating stage 34 is required for the adhesive tape 24, that is, when the preheating step of the adhesive tape is delayed by the tact of thermocompression bonding, the illustrated drawing is performed. As described above, by increasing the length of the heating block and repeatedly heating the lead frame 20 while transporting the lead frame 20, a preliminary heating time can be secured. Alternatively, a plurality of heating blocks 14 for heating the internal leads 22 for one semiconductor chip may be provided. For example, in FIG. 1, in addition to the heating block 14, two more similar heating blocks 14 are added on the near side, and the internal lead 22 is heated by a total of three heating blocks 14. The same effect can be obtained.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明によれば、リードフレームの内部
リードに貼着された接着テープを介して半導体チップ上
面に内部リードを接着する半導体チップ接着装置におい
て、内部リードを直接的に加熱し、加熱された内部リー
ドの熱により接着テープを予備加熱するようにした、接
着テープの加熱装置を備えることにより、半導体チップ
と内部リードとの熱圧着のタクトに整合して接着剤の除
湿を完了することができるコンパクトな半導体チップ接
着装置を実現している。これにより、接着テープの予備
加熱時間が短縮するので半導体チップ接着工程の効率化
図ることができ、また加熱装置の伝熱効率が向上するの
で半導体チップ接着装置の省スペース化を図ることがで
きる。半導体チップと内部リードとを本接着装置と本接
着方法によって熱圧着することにより、接着剤予備加熱
処理及び内部リードと半導体チップとの熱圧着処理とを
効率よく適切に施すことができるので、半導体装置の製
造を効率化することに寄与し、かつパッケージクラック
等が生じた不良品の発生を抑制することができる。
According to the present invention, in a semiconductor chip bonding apparatus for bonding an internal lead to an upper surface of a semiconductor chip via an adhesive tape attached to the internal lead of a lead frame, the internal lead is directly heated, By providing a heating device for the adhesive tape, which preheats the adhesive tape by the heat of the heated internal lead, the adhesive is dehumidified by matching the thermocompression bonding cycle between the semiconductor chip and the internal lead. It realizes a compact semiconductor chip bonding device that can be used. Thereby, the preheating time of the adhesive tape is shortened, so that the efficiency of the semiconductor chip bonding step can be improved, and the heat transfer efficiency of the heating device can be improved, so that the space of the semiconductor chip bonding apparatus can be saved. Since the semiconductor chip and the internal lead are thermocompressed with the main bonding apparatus and the main bonding method, the adhesive preheating process and the thermocompression bonding process between the internal lead and the semiconductor chip can be efficiently and appropriately performed. It is possible to contribute to increasing the efficiency of manufacturing the device and to suppress the occurrence of defective products having a package crack or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る半導体チップ接着装置の一実施例
を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of a semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention.

【図2】同じく、本発明に係る別の実施例を示す斜視図
である。
FIG. 2 is a perspective view showing another embodiment of the present invention.

【図3】リードフレームの内部リードを半導体チップに
接着した段階のLOG構造の半導体装置の一例を表す平
面図である。
FIG. 3 is a plan view illustrating an example of a semiconductor device having a LOG structure at a stage where internal leads of a lead frame are bonded to a semiconductor chip.

【図4】図3のA−A線断面拡大図である。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view taken along line AA of FIG. 3;

【図5】従来の半導体チップ接着装置の構成を示すと共
に接着テープの予備加熱段階を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a conventional semiconductor chip bonding apparatus and showing a preheating step of an adhesive tape.

【図6】図5に示す従来の半導体チップ接着装置におい
て、加熱ステージ上で内部リードを半導体チップに熱圧
着している段階を示す斜視図である。
6 is a perspective view showing a stage in which internal leads are thermocompression-bonded to a semiconductor chip on a heating stage in the conventional semiconductor chip bonding apparatus shown in FIG.

【図7】従来の別の半導体チップ接着装置を示す斜視図
である。
FIG. 7 is a perspective view showing another conventional semiconductor chip bonding apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 本発明に係る半導体チップ接着装置 12 加熱装置 14 加熱ブロック 16 搬送路 18 加熱ブロック 20 リードフレーム 22 内部リード 24 接着テープ 26 半導体チップ 28 エポキシ系接着剤 30 ポリイミドテープ 32 加熱装置 34 加熱ステージ 36 熱圧着受台 38 マウントヘッド 40 ヒータ部 41 ヒータ内部 42 加熱された搬送路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 The semiconductor chip bonding apparatus which concerns on this invention 12 Heating apparatus 14 Heating block 16 Transport path 18 Heating block 20 Lead frame 22 Internal lead 24 Adhesive tape 26 Semiconductor chip 28 Epoxy adhesive 30 Polyimide tape 32 Heating apparatus 34 Heating stage 36 Thermocompression bonding Cradle 38 Mount head 40 Heater section 41 Inside heater 42 Heated transport path

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 リードフレームの内部リードに貼着され
た接着テープを予備加熱するための加熱装置を備え、該
加熱装置により予備加熱された接着テープを介して半導
体チップ上面に前記内部リードを熱圧着するようにした
半導体チップ接着装置において、 前記加熱装置が、前記内部リードを直接的に加熱し、前
記加熱された内部リードの熱により前記接着テープを予
備加熱するようにした加熱手段を備えることを特徴とす
る半導体チップ接着装置。
1. A heating device for preheating an adhesive tape adhered to an internal lead of a lead frame, wherein the internal lead is heated on an upper surface of a semiconductor chip via the adhesive tape preheated by the heating device. In the semiconductor chip bonding apparatus adapted to be pressure-bonded, the heating device includes a heating unit configured to directly heat the internal lead and preheat the adhesive tape by the heat of the heated internal lead. A semiconductor chip bonding apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項2】 前記加熱手段が、半導体チップ複数個分
の内部リードを同時に加熱できることを特徴とする請求
項1記載の半導体チップ接着装置。
2. The semiconductor chip bonding apparatus according to claim 1, wherein said heating means can simultaneously heat internal leads for a plurality of semiconductor chips.
【請求項3】 リードフレームの内部リードに貼着され
た接着テープを介して該内部リードを半導体チップに熱
圧着する半導体チップ接着方法において、 加熱手段により前記内部リードを直接的に加熱し、加熱
された内部リードの熱により前記接着テープを予備加熱
する工程を含むことを特徴とする半導体チップ接着方
法。
3. A semiconductor chip bonding method for thermocompression bonding an internal lead to a semiconductor chip via an adhesive tape attached to an internal lead of a lead frame, wherein the internal lead is directly heated by a heating means, And a step of preheating the adhesive tape by the heat of the internal lead.
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