JP3282467B2

JP3282467B2 - Ｔａｂテープキャリアの製造方法及びその製造装置

Info

Publication number: JP3282467B2
Application number: JP26660195A
Authority: JP
Inventors: 豊張小泉; 司千葉; 英樹伊藤
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 1995-10-16
Filing date: 1995-10-16
Publication date: 2002-05-13
Anticipated expiration: 2015-10-16
Also published as: JPH09115962A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はＴＡＢテープキャリ
アの製造方法及びその製造装置に係り、特に銅箔の粗化
面の化学研磨技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＴＡＢテープキャリアは、ポリイミドテ
ープに銅箔をラミネートした後、フォトレジストを塗布
してレジストパターンを形成し、そのパターンに基づき
銅箔をエッチングしてリードパターンを形成し、形成さ
れたリードパターンの一部、例えばインナリードにめっ
きを施したものである。

【０００３】ここに、テープに銅箔をラミネートするに
際し、テープに対する銅箔の接着力を強くするために、
銅箔の裏面は凹凸を設けて粗化面としてある。ところ
が、十分なボンディング強度を得るためには、均一なめ
っき厚みと、インナリード幅のばらつきの少ないものが
要求されるため、研磨処理により粗化面を平滑化する必
要がある。化学研磨処理により銅箔を平滑化する場合、
テープ全体を浸漬するが、もともと光沢面となっている
銅箔表面はリード強度の点から化学研磨しないことが望
ましく、化学研磨処理は裏面の粗化面のみ行うべきであ
る。

【０００４】そこで従来は銅箔表面を保護するために、
フォトレジスト塗布後に化学研磨処理を行っていた。す
なわち図５に示すように、ＴＡＢテープキャリアを製造
するには、ポリイミドテープをパンチングしてデバイス
ホール、スプロケットホール、アウタリードホール等の
開口部を形成し（ステップ５１）、これらの開口部を形
成したテープに銅箔をラミネートし（ステップ５２）、
リードパターン形成用のフォトレジストを塗布し（ステ
ップ５３）、塗布後銅箔の粗化面を平滑化するために化
学研磨処理を行ない（ステップ５４）、所定のリードパ
ターンの描かれたフォトマスクを載せて露光・現像し
（ステップ５５）、材料露出部をエッチングしてリード
パターンを形成し（ステップ５６）、ソルダ印刷を行な
い（ステップ５６）、最後にインナリード等の所定部分
にめっきを施している（ステップ５７）。

【０００５】このように従来は、銅箔の粗化面の平滑化
をフォトレジストの塗布後に行なっていたが、この銅箔
の粗化面を平滑化するための化学研磨処理工程は、図６
に示すように、化学研磨液槽３１内に複数のガイドロー
ル３２を配置した化学研磨装置を用いて、Ｈ₂Ｏ₂を含
んだ酸化性の強い化学研磨液３３中に全体を浸漬したＴ
ＡＢテープ３４を蛇行走行させることにより行なってい
た。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
技術では、フォトレジスト塗布後に強酸の化学研磨液中
にＴＡＢテープ全体を浸漬して銅箔を化学研磨するた
め、化学研磨の不必要な表面銅箔の保護膜としてフォト
レジストは役だっている。しかしながら、リードパター
ンを形成する上でもっとも重要なフォトレジストがピン
ホール等の欠陥を有すると、その部分が化学研磨液にお
かされ、ＴＡＢテープのパターン形成時、パターン不良
を発生し、歩留りを低下させる大きな要因になってい
た。

【０００７】なお、化学研磨液の噴出孔を有するパイプ
を研磨液槽内に設け、化学研磨液中で噴出孔から銅箔の
粗化面に化学研磨液の液流を与えることによって粗化面
を優先的に研磨するようにしたものが提案されている
（特開平５−２７５４９６号公報）。これによれば銅箔
の光沢面の化学研磨量を粗化面に対して相対的に低く抑
えることはできる。しかし、テープ全体を化学研磨液中
に浸漬しているため、銅箔の光沢面にも強酸の化学研磨
液が接触することに変りはなく、銅箔の光沢面が研磨さ
れることは避けられない。したがって、この提案の技術
をフォトレジスト塗布後に適用しても、上述した従来技
術と同様な問題が生じる。

【０００８】本発明の目的は、上述した従来技術の問題
点を解消して、銅箔の光沢面を侵すことなく粗化面のみ
を均一に化学研磨することが可能なＴＡＢテープキャリ
アの製造方法及びその製造装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】ＴＡＢテープキャリアの
製造方法は、テープにラミネートした銅箔の粗化面を研
磨する工程を備え、銅箔の粗化面を研磨する際、空気中
に化学研磨液の噴流を形成し、噴流に銅箔の粗化面を接
触させて粗化面のみを研磨するようにしたものである。
化学研磨液中ではなく、空気中に形成される化学研磨液
の噴流に銅箔の粗化面のみを接触させるので、テープ全
体を化学研磨液中に浸漬するものと異なり、銅箔の光沢
面に液がまわりこまない。したがって、銅箔の光沢面は
研磨されず、銅箔の粗化面のみが研磨される。このため
銅箔が研磨され過ぎて、銅箔より形成されるリードの強
度が弱くなることがなくなる。また銅箔の粗化面が平滑
になるので、均一なめっきと、ばらつきの少ないインナ
リードが得られ、ボンディング性を良好にすることがで
きる。

【００１０】また、本発明のＴＡＢテープキャリアの製
造装置は、テープにラミネートした銅箔の粗化面を化学
研磨液槽で研磨するＴＡＢテープキャリアの製造装置に
おいて、化学研磨液槽を蓋で覆い、この蓋に、化学研磨
液を空気中に噴流させる噴流口を銅箔の粗化面に対して
平行に設け、噴流口からの噴流により銅箔の粗化面のみ
を研磨するようにしたものである。したがって化学研磨
液槽の蓋に噴流口を設け、これより噴流した化学研磨液
をオーバーフローさせるだけの簡単な構造で、銅箔の光
沢面の研磨を抑え、銅箔の粗化面のみを研磨することが
できる。

【００１１】また、本発明のＴＡＢテープキャリアの製
造装置は、テープにラミネートした銅箔の粗化面を化学
研磨液槽内で研磨するＴＡＢテープキャリアの製造装置
において、化学研磨液槽を内槽と外槽の２槽構造とし、
内槽を蓋で覆い、該蓋に、化学研磨液を空気中に噴流さ
せる噴流口を銅箔の粗化面に対して平行に設け、化学研
磨液を内槽に導入して噴流口から噴流させ、銅箔の粗化
面を研磨した噴流後の化学研磨液を外槽に集めて内槽に
戻す循環ポンプを設けたものである。したがって化学研
磨液槽を２槽構造とし、化学研磨液を内槽に導入して噴
流口から噴流させ、噴流によりオーバーフローした化学
研磨液を外槽に集め、これを循環させるだけの簡単な構
造で、銅箔の光沢面の研磨を抑え、銅箔の粗化面のみを
連続的に研磨することができる。

【００１２】この場合、噴流口が、噴流口の幅の開度を
銅箔の幅に応じて調整自在とする噴流口調整手段を備え
ていることが、種類により銅箔の幅が異なっても、銅箔
の光沢面への化学研磨液のまわりこみを有効に防ぐこと
ができる。また、内槽を外槽に対して深さ方向に移動し
て、銅箔の粗化面に対する噴流の接触度を調整するレベ
ル調整手段を設けることが、化学研磨液を銅箔の粗化面
に必ず接触させることができる。さらに、内槽内に化学
研磨液の流れを整流する整流手段を設けることが、噴流
口での化学研磨液の流れを均一にして、均一な化学研磨
を行うことができる。そして、ＴＡＢテープキャリアの
製造装置を多段に設けて任意の製造装置の化学研磨液を
ブランクにしたりすることが、銅箔の粗化面の研磨量を
任意に制御することができる。

【００１３】なお、本発明の化学研磨液の種類は制限さ
れない。例えば、過酸化水素系、硝酸系、過酸化物系
等、いずれでもよい。また化学研磨液の条件も任意でよ
い。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。図１は銅箔の粗化面を化学研
磨処理するための化学研磨ユニット３０の構成図で、
（ａ）は要部の詳細断面図、（ｂ）は噴流口１５の平面
図である。また図２は化学研磨ユニット３０を多段に配
設した化学研磨装置の縦断面図、図３は銅箔１をラミネ
ートしたＴＡＢテープ２の断面図である。

【００１５】図３に示すようにＴＡＢテープ２は、銅箔
１をポリイミドテープ３にラミネートして構成される。
なお、５は銅箔の光沢面を示し、６、７及び８はポリイ
ミドテープ３に形成された開口部であり、それぞれスプ
ロケットホール、アウタリードホール、デバイスホール
を示す。このＴＡＢテープ２の銅箔１の粗化面４を化学
研磨する化学研磨ユニット３０は図１に示すように構成
される。

【００１６】化学研磨液１４を入れる化学研磨液槽１１
は、内槽１２と外槽１３の２槽構造となっている。内槽
１２に化学研磨液１４を空気中に噴流する噴流口１５を
設ける。この噴流口１５は、幅が固定の開口１６と、噴
流口１５の口幅２５を調整してＴＡＢテープ２の光沢面
５に化学研磨液１４が回り込まないようにする噴流口調
整プレート１７とから構成される。

【００１７】開口１６は、内槽１２に取り付けた蓋２４
に、ＴＡＢテープ２の銅箔１の粗化面４に対して平行に
設けられる。噴流口調整プレート１７は、開口１６の両
側に沿った蓋２４の上部に設けられ、開口１６の幅方向
に進退してプレート１７間の距離を変えることにより、
噴流口１５の口幅２５を銅箔１の幅に応じて調整自在と
する。噴流口調整プレート１７は、Ｌ字部材によって構
成され、起立部１７ａの先端部をオーバーフロー方向に
切り落とし、化学研磨液１４がオーバーフロー位置に止
まらず、外槽１３内に直ちに落下するようにして、切れ
をよくしてある。また、Ｌ字部材の水平部１７ｂは蓋２
４にねじ１８で止められ、ねじ止め位置を変えることに
よって銅箔１の幅に応じて噴流口調整プレート１７の位
置を調整できるようになっている。一般に、ＴＡＢテー
プ２のテープ幅２８には３５ｍｍ、４８mm、７０mmの３
種類が用いられる。そして、これらにラミネートされる
銅箔１の幅は２０mm〜６０mmであるから、噴流口調整プ
レート１７により調整しうる噴流口１５の口幅２５も、
同じ範囲としてある。

【００１８】また、ＴＡＢテープ２の銅箔１の粗化面４
を化学研磨液１４に必ず接触させることが重要であるた
め、内槽１２はその外壁に取り付けたレベルアジャスト
ボルト１９によって外槽１３内に支持され、外槽１３に
対して深さ方向に移動して、ＴＡＢテープ２に対する噴
流口調整プレート１７の高さをコントロールして、銅箔
１の粗化面４に対する噴流の接触度を調整できるように
なっている。因みにＴＡＢテープ２と噴流口調整プレー
ト１７との間隙ｄは２mm程度に設定するとよい。この程
度の間隙だと、ＴＡＢテープ２により噴流を上からちょ
うど押え込むような形になり、銅箔の粗化面を均一に研
磨できるからであり、これよりも間隙が大きいと研磨が
不均一になり、逆に小さいと噴流しなくなるからであ
る。

【００１９】外槽１３の底部には化学研磨液１４の導入
管２１と排出管２２とがそれぞれ取り付けられ、そのう
ち、導入管２１は内槽１２の底部に設けた導入管挿通孔
２６にＯリングなどのシール材２７を介して挿通され、
内槽１２の上下動を許容しつつ、化学研磨液１４を漏れ
ないように内槽１２内に導入できるようにしてある。導
入管２１と排出管２２とは化学研磨液槽１１の外部で循
環ポンプ２３に接続され、循環ポンプ２３から押し出さ
れた化学研磨液１４は、導入管２１から内槽１２内に導
入され、噴流口１５から噴流して銅箔１の粗化面４を研
磨し、研磨後はオーバーフローして外槽１３内に集めら
れ、排出管２２を通って循環ポンプ２３に戻るようにな
っている。

【００２０】ところで噴流でただオーバーフローするだ
けでは化学研磨液流中にエアーを抱込んだりして、流量
バランスがくずれるので、内槽１２内には、化学研磨液
１４の流れを整流する整流プレート２０を設けてある。
この整流プレート２０には、２mmφ〜５mmφの穴加工を
施してある。

【００２１】このように構成された化学研磨ユニット３
０は、研磨厚さをコントロールするため、図２に示すよ
うに多段に（図示例では３段）配設し、厚さをうすくす
る時はいくつかのユニット３０の槽内をブランクにして
バイパスさせる。

【００２２】さて、図３に示すＴＡＢテープ２の粗化面
４をＨ₂Ｏ₂を含んだ酸化性の化学研磨液で、銅箔１の
光沢面５にダメージを与えることなく化学研磨するに
は、上述した化学研磨ユニット３０に対してＴＡＢテー
プ２を走行させ、片面のみの化学研磨を行えばよい。あ
らかじめ、噴流口調整プレート１７を動かして、噴流口
１５の口幅２５をＴＡＢテープ２の銅箔１の幅に合わせ
る。また、レベルアジャストボルト１９を動かしてＴＡ
Ｂテープ２に対する噴流口調整プレート１７の高さを調
整する。そして、循環ポンプ２３を動かして化学研磨液
１４を循環させる。

【００２３】内槽１２に送り込まれた化学研磨液１４は
整流プレート２０を通って整流されるので、エアーを抱
込まず、流量バランスも取れた状態で噴流口１５から空
気中に噴流される。噴流口１５が銅箔１の粗化面４に対
して平行に設けられているので、噴流口１５からの噴流
により銅箔１の粗化面４に化学研磨液１４が接触して粗
化面４が研磨される。このとき、噴流口１５の口幅２５
をＴＡＢテープ２の銅箔１の幅に合わせてあるので、噴
流口１５からオーバーフローした研磨後の化学研磨液１
４は、ポリイミドテープ３の銅箔１よりも外側にはみ出
している部分に阻止されるとともに、噴流口調整プレー
ト１７先端の切り落としにより、速やかにプレート１７
の外壁を伝わって外槽１３内に導かれるため、銅箔１の
光沢面５への回り込みは生じない。このため銅箔１の粗
化面４のみが研磨される。なお、外槽１３に集められた
化学研磨液は循環ポンプ２３により内槽１２に戻され
る。

【００２４】ここで、上述した銅箔１の化学研磨処理
は、化学研磨液１４が銅箔１の光沢面５に回り込まない
ので、フォトレジスト塗布後に行なうようにしても、ピ
ンホールが原因のパターン不良は生じない。しかし、フ
ォトレジスト塗布後に化学研磨処理をするのでなく、図
４に示すように、フォトレジスト塗布（ステップ４４）
前に銅箔１の粗化面４を化学研磨処理すると（ステップ
４３）、かりに化学研磨液１４が銅箔１の光沢面５に回
り込んだとしても、パターン不良に至らない。

【００２５】このように本実施の形態によれば、銅箔１
の粗化面４のみが研磨され、銅箔１の光沢面５が侵され
ないので、大きなリード強度を確保することができる。
また、粗化面４が研磨により平滑化されるので、後に行
なわれるエッチング工程（ステップ４６）においてイン
ナリード幅のばらつきを少なくすることができ、さら
に、めっき工程（ステップ４８）において均一なめっき
厚みが得られるため、十分なボンディング強度を得るこ
とができる。

【００２６】

【発明の効果】本発明によれば、空気中の噴流に銅箔の
粗化面を接触させることにより、銅箔の光沢面を侵すこ
となく粗化面のみを均一に化学研磨することができるの
で、パターン不良が低減し、歩留りを大幅に向上でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態による化学研磨ユニットの
要部の詳細断面図である。

【図２】本実施の形態による化学研磨ユニットを多段化
した化学研磨装置の縦断面図である。

【図３】本実施の形態に係るポリイミドテープと銅箔を
貼り合わせたＴＡＢテープの断面図である。

【図４】本実施の形態によるＴＡＢテープキャリアの製
造工程図である。

【図５】従来例のＴＡＢテープキャリアの製造工程図で
ある。

【図６】従来の化学研磨装置の縦断面図である。

【符号の説明】

１銅箔２ＴＡＢテープ４粗化面５光沢面１１化学研磨液槽１２内槽１３外槽１４化学研磨液１５噴流口１６開口１７噴流口調整プレート１９レベルアジャストボルト２０整流プレート２３循環ポンプ２４蓋２５噴流口の口幅

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平２−94435（ＪＰ，Ａ) 特開平４−141371（ＪＰ，Ａ) 特開平６−21040（ＪＰ，Ａ) 特開平６−170341（ＪＰ，Ａ) 特開平５−275496（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/60 311 B23K 1/08 320 H01L 21/306

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】テープにラミネートした銅箔の粗化面を研
磨する工程を備え、銅箔の粗化面を研磨する際、空気中
に化学研磨液の噴流を形成し、該噴流に銅箔の粗化面を
接触させて粗化面のみを研磨するようにしたＴＡＢテー
プキャリアの製造方法。
【請求項２】テープにラミネートした銅箔の粗化面を化
学研磨液槽で研磨するＴＡＢテープキャリアの製造装置
において、化学研磨液槽を蓋で覆い、該蓋に、化学研磨
液を空気中に噴流させる噴流口を銅箔の粗化面に対して
平行に設け、噴流口からの噴流により銅箔の粗化面のみ
を研磨するようにしたことを特徴とするＴＡＢテープキ
ャリアの製造装置。
【請求項３】テープにラミネートした銅箔の粗化面を化
学研磨液槽内で研磨するＴＡＢテープキャリアの製造装
置において、化学研磨液槽を内槽と外槽の２槽構造と
し、内槽を蓋で覆い、該蓋に、化学研磨液を空気中に噴
流させる噴流口を銅箔の粗化面に対して平行に設け、化
学研磨液を内槽に導入して噴流口から噴流させ、銅箔の
粗化面を研磨した噴流後の化学研磨液を外槽に集めて内
槽に戻す循環ポンプを設けたＴＡＢテープキャリアの製
造装置。
【請求項４】上記噴流口が、噴流口の幅の開度を銅箔の
幅に応じて調整自在とする噴流口調整手段を備えている
請求項２または３に記載のＴＡＢテープキャリアの製造
装置。
【請求項５】上記内槽を外槽に対して深さ方向に移動し
て、銅箔の粗化面に対する噴流の接触度を調整するレベ
ル調整手段を設けた請求項３に記載のＴＡＢテープキャ
リアの製造装置。
【請求項６】上記内槽に化学研磨液の流れを整流する整
流手段を設けた請求項３または請求項５に記載のＴＡＢ
テープキャリアの製造装置。
【請求項７】請求項２ないし６のいずれかに記載のＴＡ
Ｂテープキャリアの製造装置を多段に設けたＴＡＢテー
プキャリアの製造装置。