JP3283145B2 - 反射板を利用したストロボ用反射傘 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、反射体に関するもので
あり、さらに詳しくは、ストロボ用の反射傘に好適に用
いることができる反射体とその反射傘に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】ストロボ用の反射傘として従来、表面を
研磨したアルミの板を板金加工により成形加工したもの
が用いられてきたが、近年、レンズ付きフィルムの様な
簡便なカメラにもストロボが装備されるようになり、ス
トロボのシステム全体として見た場合に、軽量化および
小型化が重要視されるようになってきた。しかしてスト
ロボに用いるキセノンランプを放電させるためのコンデ
ンサが、ストロボの回路において大きな割合を占めてお
り、上記コンデンサーを小さくすることは、ストロボシ
ステム全体としての小型化ばかりでなく低コスト化につ
ながり産業上きわめて重要である。このコンデンサを小
型化する１つの方法は、キセノンランプから放射される
光を効率的に被写体に到達させるために、上記の表面研
磨したアルミ（全反射率：８８％〜９０％）に代わっ
て、より反射率の高い銀（全反射率：９３％以上）を用
いることである。本発明者らは、アルミよりも可視光領
域で反射率が高く、かつ、アルミ板と同様に板金加工や
打ち抜き加工が可能な反射板に関する技術を提案してき
た（特開平５−１６２２２７号公報）。本発明者らが提
案した反射板は、透明高分子フィルム（Ｂ）、銀薄膜層
（Ｃ）、接着層（Ｄ）、板状成形体（Ｅ）が、ＢＣＤＥ
の順に形成されたものであって、銀薄膜表面を直接大気
に暴露することがなく、銀薄膜表面の腐食の問題等を解
決し、銀を用いた反射体の耐侯性を飛躍的に向上させる
ものであった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】そこで、上記銀を用い
た反射体を打ち抜き加工し、ストロボ用に板金加工し、
実際にストロボに用い１０〜５０回発光させたところ反
射板の透明高分子フィルム層表面が黒化するという予期
せざる問題に遭遇した。実際に使用される反射体では、
少なくとも１００回の発光に対して黒化しないことが望
まれる。そこで、この問題を解決する方法を鋭意研究し
たところ、反射面に０．５μｍ以上の無機薄膜層を形成
することで透明高分子フィルム層の黒化が抑制されるこ
とを見いだし、本発明に到達した。

【０００４】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、上
記の問題を解決するためになされたものであって、透明
高分子フィルム（Ｂ）の一方の面に０．２μｍ以上の無
機薄膜層（Ａ）を形成し、その裏面上に６０ｎｍ以上の
膜厚の銀薄膜（Ｃ）を形成し、そのフィルムの銀薄膜層
を形成した面と板状の成形体（Ｅ）、例えば、アルミ板
を接着層（Ｄ）を介してラミネートすることにより作製
することのできる反射板を提供するものであり、すなわ
ち要するに、ＡＢＣＤＥの順に構成された反射体のＡの
面を反射面として使用する反射板を提供するものであ
り、さらに、上記反射板を用いたストロボ用反射傘を提
供するものである。

【０００５】すなわち、本発明は、少なくとも、膜厚が
０．２μｍないし３．７μｍの無機薄膜層（Ａ）、透明
高分子フィルム（Ｂ）、膜厚が６０ｎｍないし３５０ｎ
ｍの銀薄膜層（Ｃ）、接着層（Ｄ）、板状成形体（Ｅ）
が、ＡＢＣＤＥの順に形成された、Ａの面が反射面であ
る反射板であり、また無機薄膜層（Ａ）が珪素酸化物か
らなる反射板であり、また該珪素酸化物がシラザンポリ
マーを熱処理することにより形成される反射板であっ
て、またもしくは該珪素酸化物がプラズマＣＶＤ法によ
り形成される反射板であって、また該板状成形体（Ｅ）
がアルミニウム、アルミ合金、ステンレス鋼、銅亜鉛合
金、鋼から選ばれたものである反射板であり、また、上
記反射板を成形加工してなるストロボ用反射傘である。

【０００６】以下、添付図面を参照しながら、本発明を
説明する。図１は、本発明の反射板の断面構造の一例を
示す図である。図において０１は無機薄膜層、０２は透
明高分子フィルム、０３は銀薄膜層、０４は接着層、０
５は板状成形体である。また、図２はキセノン管に反射
板を接触させたストロボ構造の断面を示す図であり、図
３はキセノン管に反射板を接触させたストロボ構造の発
光面の裏側から見た図であり、図４はストロボ発光回路
を示す図である。なお、１０はキセノンランプ、２０は
反射板、３０はトリガ端子を示す。

【０００７】本発明における透明高分子フィルムの材料
は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフ
ォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネートもしくは
ポリスチレン等が使用できるが、必ずしもこれらに限定
されるわけではなく、透明であり、ある程度常用耐熱温
度が高いものであれば利用できる。キセノンランプを発
光させた時、ランプが加熱され、ランプと接触させて配
置される反射傘もまた加熱されることになるがその熱に
対して少なくとも、変形や変色の起こらない透明高分子
フィルムを用いることが好ましい。本発明においてはか
かる透明高分子フィルムの一方の面には無機薄膜層を、
その裏面には銀薄膜層を形成することを特徴とする。し
かしてその形成過程で透明高分子フィルムが加熱される
ため、透明高分子フィルムには常用耐熱温度が８０℃以
上、より好ましくは常用耐熱温度１００℃以上のものを
用いるのが望ましい。なかでもポリエチレンテレフタレ
ートは常用耐熱温度が１２０℃であり、透明性および加
工性に優れているため、本発明の透明高分子フィルムと
して好適に使用できる。また、ポリエーテルサルフォン
は常用耐熱温度が１７０℃と高いため、特に耐熱性を必
要とされる場合に好ましく用いられる。

【０００８】透明高分子フィルムの厚さには限定的な制
限値はないが、通常２５μｍ〜１５０μｍ程度のものが
好ましい。使用する透明高分子フィルムの光学特性は、
波長５５０ｎｍの光の光線透過率が８０％以上であるこ
とが好ましい。より好ましくは、波長５００〜７００ｎ
ｍの光に対して、光線透過率が８０％以上であり、より
好ましくは８５％以上である。光線透過率が８０％より
低いと、反射フィルムとした時の全反射率が所望の値に
達しなくなる。

【０００９】本発明においては、上記したごとく透明高
分子フィルムの一方の面に無機薄膜層を、その裏面に銀
薄膜層を形成するが、それらの形成前に、片面もしくは
両面に、スパッタリング処理、コロナ処理、紫外線照
射、電子線照射、などのエッチング処理や、下塗り処理
を施して、無機薄膜層もしくは銀薄膜層と透明高分子フ
ィルムとの密着性を向上させるための処理を施してもよ
い。また、必要に応じて洗剤洗浄や超音波洗浄処理等の
防塵処理を施してもよい。

【００１０】無機薄膜層の材料は、珪素酸化物、チタン
酸化物、ジリコニア酸化物もしくはアルミ酸化物等が使
用できるが、必ずしもそれらに限定されるものではな
く、要するに波長４００ｎｍから７５０ｎｍの範囲の光
線に対する光吸収率が２０％以下であるものであれば利
用できる。波長４００ｎｍから７５０ｎｍの範囲の光吸
収率が２０％を超えると、キセノンランプにより発光し
た光が無機薄膜層に入射した際、光が吸収されてしまう
ため、反射板としたときの全反射率が所望の値に達しな
くなる。上記の無機酸化物のなかでも珪素酸化物は、光
吸収率が２０％以下の薄膜が後に述べる方法により容易
に形成できるため好適に用いられる。

【００１１】ここでいう珪素酸化物とは、酸化された珪
素の総称であって、必ずしも化学量論的なものと一致す
る必要がないことは、当業者が容易に理解できるところ
であろう。すなわち、より具体的に示すとすれば、酸素
と珪素の原子比が１．５〜２．１の範囲である。また、
窒素、水素等の不純物が含まれていても、ここでいう珪
素酸化物の範中にはいることはいうまでもない。

【００１２】無機薄膜層の形成方法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物
理的気相成長法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法
といった従来公知の薄膜形成方法が利用できる。また、
酸化珪素薄膜を形成する場合にはシラザンポリマーを塗
布した後、加熱乾燥させる塗布法も利用できる。

【００１３】プラズマＣＶＤ法においては、例えば酸化
珪素薄膜を形成する場合には、１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサン（室温で液体）をヘリウムガス等の
不活性ガスでバブリングすることにより気化させて真空
室に導入し、そこに酸素ガスを混合したうえでプラズマ
を発生させ、珪素酸化物を析出させることで所望の珪素
酸化物薄膜を得ることができる。プラズマＣＶＤ法は成
膜速度が早く、珪素酸化物薄膜が高速に形成できるため
好んで用いられる。また、珪素酸化物を形成する場合に
おいて、塗布法はシラザンポリマーを大気中で塗布し１
５０〜５００℃において０．５〜５時間程度加熱乾燥さ
せるという簡略な工程で、しかも上記成膜法とは異なり
真空装置を必要としないため、簡便な装置で所望の珪素
酸化物薄膜が得られるので、これもまた好ましく用いら
れる。塗布法において用いられるシラザンポリマーに
は、例えばポリシラザン（東燃（株）製）が利用でき
る。

【００１４】スパッタリング法ではターゲットに所望の
無機酸化物を、スパッタリングガスにアルゴン等の不活
性ガスを用いた高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッタ法
が好ましく用いられる。スパッタリングガス中に、成膜
された無機酸化物の酸素欠損を補うために適量の酸素ガ
スを導入してもよい。また、例えば、酸化珪素薄膜の場
合には珪素、チタン酸化物薄膜の場合にはチタンといっ
た金属ターゲットを用い、スパッタガスにアルゴン等の
不活性ガス、反応性ガスに酸素を用いた直流（ＤＣ）反
応性スパッタ法でも所望の無機酸化物層を得ることがで
きる。スパッタリング法ではターゲットに所望の材料を
選ぶことで、さまざまな無機薄膜が形成できるため、こ
れもまた好んで用いられる。

【００１５】無機薄膜層の膜厚は０．２μｍ〜３．７μ
ｍ、より好ましくは０．３μｍ〜３．７μｍ、さらに好
ましくは０．４μｍ〜３．７μｍ、さらに好ましくは
０．５μｍ〜３．５μｍ、さらに好ましくは０．５μｍ
〜２．５μｍである。無機薄膜層の厚さがこれより薄い
と、ストロボ発光に対する透明高分子フィルムの黒化を
抑制する保護層としての機能を果たさないため、該反射
板を用いて形成したストロボ用反射板、もしくは反射傘
は、数回のストロボ発光で透明高分子フィルムが黒化し
てしまうため好ましくない。また、無機薄膜層の膜厚が
これより厚いと、該反射板をストロボ用反射傘に加工す
る際、無機薄膜層にひび割れが生じるため好ましくな
い。なお無機薄膜層の膜厚は上記膜厚で実用上十分な性
能が得られるので、これを越える膜厚にするために成膜
時間をかけるのは材料の無駄でもあり好ましくない。

【００１６】本発明においては、かかる無機薄膜層を一
方の面上に形成した透明高分子フィルムに、図１に示す
ように、無機薄膜層を形成した面とは逆の面に、銀薄膜
層を形成する。かかる銀薄膜層の形成方法には、従来公
知の化学液相成長法及び物理気相成長法が利用できる。
化学液相成長法とはいわゆるメッキ法の総称であり、溶
液から銀を析出させ膜を形成する方法である。具体例を
挙げるとすれば、銀鏡反応等がある。一方、物理気相成
長法とは、真空成膜法の総称であり、具体的に例示する
とすれば、抵抗加熱式真空蒸着法、電子ビーム加熱式真
空蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビームアシ
スト真空蒸着法、スパッタ法等がある。とりわけ、本発
明には連続的に成膜するロールツロール方式が可能な真
空成膜法が好ましく用いられる。

【００１７】真空蒸着法では銀の原材料を電子ビーム、
抵抗加熱、誘導加熱等で溶融させ、蒸気圧を上昇させ、
好ましくは０．１ｍＴｏｒｒ（約０．１Ｐａ）以上導入
させ、高周波もしくは直流のグロー放電を起こしてもよ
い。

【００１８】スパッタ法では、直流（ＤＣ）マグネトロ
ンスパッタ法、高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッタ
法、イオンビームスパッタ法、ＥＣＲスパッタ法、コン
ベンショナルＲＦスパッタ法、コンベンショナルＤＣス
パッタ法等を使用し得る。スパッタ法においては、原材
料は銀の板状のターゲットを用いればよく、スパッタガ
スにはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセ
ノン等を使用し得るが、好ましくはアルゴンが用いられ
る。ガスの純度は、９９．０％以上が好ましいが、より
好ましくは９９．５％以上である。

【００１９】銀薄膜層の厚さは６０ｎｍ〜３５０ｎｍ、
より好ましくは７０ｎｍ〜３００ｎｍである。これ未満
では、銀の膜厚が十分でないために、透過する光が存在
し、反射率が十分でなくなる。一方、膜厚をこれより厚
くしても、更に反射率は上昇せず、飽和傾向を示す上
に、銀層の透明高分子フィルムに対する密着性が低下す
るので好ましくない。

【００２０】膜厚の測定は、触針粗さ計、繰り返し反射
干渉計、マイクロバランス、水晶振動子法等があるが、
水晶振動子法では成膜中に膜厚の測定が可能なので所望
の膜厚を得るのに適している。また、前もって成膜条件
を定めておき、試料基材上に成膜を行い、成膜時間と膜
厚の関係を調べた上で、成膜時間により膜厚制御する方
法もある。

【００２１】なお、銀薄膜層には、性能に害を及ぼさな
い程度の、金、銅、ニッケル、鉄、コバルト、タングス
テン、モリブデン、タンタル、クロム、インジュウム、
マンガン、チタン等の金属不純物が含まれてもよい。さ
らに、銀層を形成した後、さらにその上に銀層の保護や
フィルムの滑り性の向上のために、インコネル、クロ
ム、ニッケル、チタン、アルミニウム、モリブデン、タ
ングステン等の単金属層もしくは合金層を１０ｎｍ〜３
０ｎｍ積層することが有効であることは、当業者が理解
しているところであろう。

【００２２】本発明で用いられる接着剤は、熱または触
媒の助けにより接着される接着剤であり具体的には、シ
リコン系接着剤、ポリエステル系接着剤、エポキシ系接
着剤、シアノアクリレート系接着剤など一般的な接着剤
を用いることができる。シリコン系接着剤、及びポリエ
ステル系接着剤は耐熱性、電気特性に優れているためト
リガを印加するストロボ用反射体用に好適に利用でき
る。エポキシ系接着剤は強度、耐熱性に優れているた
め、これもまた好適に利用できる。シアノアクリレート
系接着剤は、速攻性と強度に優れているため、効率的な
反射体作製に利用できる。これらの接着剤は、接着方法
によって熱硬化型、ホットメルト型、二液混合型に大別
されるが、好ましくは連続生産が可能な熱硬化型あるい
はホットメルト型が使用される。熱接着剤の厚みには、
特に限定はないが、通常０．５μｍ〜５０μｍ、好まし
くは１μｍ〜２０μｍ程度である。

【００２３】透明高分子フィルムと板状成形体との接着
は、銀薄膜層への接着剤のコーティング、乾燥、ローラ
ーによる板状成形体とのラミネート、の手順により行わ
れる。接着剤のコーティング方法は、基材や接着剤の種
類によって多くの方法があるが、広く使用されているの
はグラビアコーター方式及びリバースコーター方式であ
る。グラビアコーター方式では、接着剤に一部分が浸さ
れているグラビアロールを回転させ、バックアップロー
ルによって送られるフィルムを接着剤の付着したグラビ
アロールに接触させることでコーティングする。コーテ
ィング量はロールの回転数、接着剤の粘度を制御するこ
とで調整できる。リバースコーター方式も、グラビアロ
ール方式に類似した方法であるが、コーティングロール
に付着する接着剤の量を、それに接して設置されている
メタリングロールによって調整する。コーティングされ
た接着剤の乾燥温度、及びラミネート温度は接着剤の種
類によってまちまちであるが、上記に掲げた一般的な接
着剤を用いる場合は１００℃前後である。

【００２４】この接着剤による銀薄膜層を形成した透明
高分子フィルムと板状成形体との密着強度は、１８０度
ピール強度で測定して１００ｇ／ｃｍ以上であることが
望ましい。この密着強度に達しない場合には、ストロボ
用反射体として板金加工した際、銀薄膜層を形成した透
明高分子フィルムの板状成形体からの剥がれ等が生じ、
変形等を引き起こす。

【００２５】板状成形体には、アルミニウム、アルミ合
金、ステンレス鋼、鋼亜鉛合金、鋼等が使用されるが、
これらの金属にはそれぞれ長所があり次のように使い分
けることができる。アルミニウムは軽量かつ加工性に優
れ、また、熱伝導率が高くそれにかかる熱を効果的に大
気中に逃がすことができるため、ランプ発光によって反
射体が加熱されるストロボ用反射傘に好適に利用でき
る。アルミ合金は軽量かつ機械的強度が強いため、スト
ロボ用反射傘に好適に利用できる。ステンレス鋼は機械
的強度が高度にあり、また耐蝕性にすぐれているため、
ストロボ用反射傘に好適に利用できる。鋼亜鉛合金すな
わち黄銅またはしんちゅうは、機械的強度の強いことに
加え、はんだづけが容易なためトリガ端子をとり易くこ
れもまたストロボ用反射傘に好適に利用できる。鋼は安
価なため、コストを抑える必要がある時に好ましく用い
られる。

【００２６】かくして、作製された反射板の反射率は典
型的には５５０ｎｍの波長の光に対して９３％以上であ
り、より詳しくは４５０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲で９３
％以上である。当該銀反射板を成形加工してストロボ用
反射傘を作製するには、アルミ板をストロボ用反射傘に
加工する従来の方法がそのまま適用できる。例えば、反
射体を反射傘を平面的に展開した形状に裁断し、この裁
断した平板を折曲げ加工して形成される（特開昭５５−
１１８００２）。かかる方法は製造コストが安いことか
ら、レンズ付きフィルム等に好適に利用されている。

【００２７】本発明品である銀反射体の構成の代表的な
評価方法を以下に説明する。無機薄膜層、透明高分子フ
ィルム、銀薄膜層、接着層、板状成形体の各部の厚さ
は、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察する
ことで直接測定できる。また、オージェ電子分光（ＡＥ
Ｓ）により、層構造の深さ方向の組成を分析することに
よっても測定することが可能である。透明高分子フィル
ムの材料分析は、赤外分光（ＩＲ）により可能である。
また、接着剤の材料分析は銀薄膜層と板状成形体を引き
剥して接着剤を露出させ、適当な溶媒にそれを溶かした
試料を作製し、その赤外分光（ＩＲ）をとることで行わ
れる。無機薄膜層、銀薄膜層及び板状形成体の材料分析
は、蛍光Ｘ線分光（ＸＲＦ）やオージェ電子分光（ＡＥ
Ｓ）により行える。さらに、Ｘ線マイクロアナライザ
（ＥＰＭＡ）では蛍光Ｘ線分光より微細な部分の元素分
析が行える。

【００２８】

【実施例】以下、実施例により本発明の実施の態様の一
例を説明する。なお、実施例に記載された全光線透過
率、反射率は分光光度計（日立製作所製：Ｕ−３４０
０）で測定した。

【００２９】実施例１ ポリエーテルサルフォンフィルム（厚さ５０μｍ、全光
線透過率＝８７％）の一方の面に、１，１，３，３−テ
トラメチルジシロキサンガスと酸素ガスを原料としたプ
ラズマＣＶＤ法により、厚さ０．５μｍの珪素酸化物を
形成した後、珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度９
９．９％の銀を原料として、電子ビーム真空蒸着法で、
厚さ１５０ｎｍの銀を蒸着した。水晶式膜厚モニターで
銀層の膜厚を測定したところ１５０ｎｍであった。その
フィルムの銀側とアルミニウム板とをポリエステル系ホ
ットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を形成した。そ
の銀反射板の波長５５０ｎｍの光線に対する全反射率を
測定した後、板金加工によってストロボ反射体用傘と
し、キセノンランプと珪素酸化物層側を接触させて固
定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板のアルミ
ニウム板に接続することで、写真撮影用のストロボを形
成した。

【００３０】実施例２ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
ｍ、全光線透過率＝８７％）の一方の面に、東燃（株）
製ポリシラザンを塗布し、１７０℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ１．０μｍの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に純度９９．９％の銀を
原料として、電子ビーム真空蒸着法で、厚さ１５０ｎｍ
の銀を蒸着した。そのフィルムの銀側とアルミニウム板
とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で接着し、銀
反射板を形成した。その銀反射板の波長５５０ｎｍの光
線に対する全反射率を測定した後、板金加工によってス
トロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪素酸化物層
側を接触させて固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を
銀反射板のアルミニウム板に接続することで、写真撮影
用のストロボを形成した。

【００３１】実施例３ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
ｍ、全光線透過率＝８７％）の一方の面に、東燃（株）
製ポリシラザンを塗布し、１７０℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ２．５μｍの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度９９．９９％の
銀をターゲットに用いて、アルゴンガス２ｍＴｏｒｒの
雰囲気の下で、直流マグネトロン法により、厚さ１５０
ｎｍの銀薄膜層を形成した。そのフィルムの銀側とアル
ミニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で
接着し、銀反射板を形成した。その銀反射板の波長５５
０ｎｍの光線に対する全反射率を測定した後、板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪
素酸化物層側を接触させて固定、ストロボ発光回路のト
リガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。

【００３２】実施例４ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
ｍ、全光線透過率＝８７％）の一方の面に、東燃（株）
製ポリシラザンを塗布し、１７０℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ３．５μｍの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度９９．９９％の
銀をターゲットに用いて、アルゴンガス２ｍＴｏｒｒの
雰囲気の下で、直流マグネトロン法により、厚さ１５０
ｎｍの銀薄膜層を形成した。そのフィルムの銀側とアル
ミニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で
接着し、銀反射板を形成した。その銀反射板の波長５５
０ｎｍの光線に対する全反射率を測定した後、板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪
素酸化物層側を接触させて固定、ストロボ発光回路のト
リガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。

【００３３】実施例５ ポリエチレンフィルム（厚さ１００μｍ、全光線透過率
＝８７％）の一方の面に、東燃（株）製ポリシラザンを
塗布し、１７０℃で加熱乾燥させることにより厚さ１．
０μｍの珪素酸化物層を形成した後、珪素酸化物を形成
した面の裏面に、純度９９．９％の銀を原料として、電
子ビーム真空蒸着法で、厚さ７０ｎｍの銀を蒸着した。
そのフィルムの銀側とアルミニウム板とをポリエステル
系ホットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を形成し
た。その銀反射板の波長５５０ｎｍの光線に対する全反
射率を測定した後、板金加工によってストロボ反射体用
傘とし、キセノンランプと珪素酸化物層側を接触させて
固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板のアル
ミニウム板に接続することで、写真撮影用のストロボを
形成した。

【００３４】実施例６ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
ｍ、全光線透過率＝８７％）の一方の面に、東燃（株）
製ポリシラザンを塗布し、１７０℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ１．０μｍの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度９９．９９％の
銀をターゲットに用いて、アルゴンガス２ｍＴｏｒｒの
雰囲気の下で、直流マグネトロン法により、厚さ３００
ｎｍの銀薄膜層を形成した。そのフィルムの銀側とアル
ミニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で
接着し、銀反射板を形成した。その銀反射板の波長５５
０ｎｍの光線に対する全反射率を測定した後、板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪
素酸化物層側を接触させて固定、ストロボ発光回路のト
リガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。

【００３５】比較例１ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
ｍ、全光線透過率＝８７％）の一方の面に電子ビーム真
空蒸着法で、純度９９．９％の銀を蒸着した。水晶式膜
厚モニターで銀層の膜厚を測定したところ１５０ｎｍで
あった。そのフィルムの銀側とアルミニウム板とをポリ
エステル系ホットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を
形成した。その銀反射板の波長５５０ｎｍの光線に対す
る全反射率を測定した後、板金加工によってストロボ反
射体用傘とし、キセノンランプと珪素酸化物層側を接触
させて固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板
のアルミニウム板に接続することで、写真撮影用のスト
ロボを形成した。

【００３６】比較例２ ポリエーテルサルフォンフィルム（厚さ５０μｍ、全光
線透過率＝８７％）の一方の面に、１，１，３，３−テ
トラメチルジシロキサンガスと酸素ガスを原料としたプ
ラズマＣＶＤ法により、厚さ０．３μｍの珪素酸化物を
形成した後、形成した面の裏面に電子ビーム真空蒸着法
で、純度９９．９％の銀を蒸着した。水晶式膜厚モニタ
ーで銀層の膜厚を測定したところ１５０ｎｍであった。
そのフィルムの銀側とアルミニウム板とをポリエステル
系ホットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を形成し
た。その銀反射板の波長５５０ｎｍの光線に対する全反
射率を測定した後、板金加工によってストロボ反射体用
傘とし、キセノンランプと珪素酸化物層側を接触させて
固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板のアル
ミニウム板に接続することで、写真撮影用のストロボを
形成した。

【００３７】比較例３ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
ｍ、全光線透過率＝８７％）の一方の面に、東燃（株）
製ポリシラザンを塗布し、１７０℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ４．０μｍの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度９９．９９％の
銀をターゲットに用いて、アルゴンガス２ｍＴｏｒｒの
雰囲気の下で、直流マグネトロン法により、厚さ１５０
ｎｍの銀薄膜層を形成した。そのフィルムの銀側とアル
ミニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で
接着し、銀反射板を形成した。その銀反射板の波長５５
０ｎｍの光線に対する全反射率を測定した後、板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪
素酸化物層側を接触させて固定、ストロボ発光回路のト
リガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。

【００３８】比較例４ ポリエチレンフィルム（厚さ１００μｍ、全光線透過率
＝８７％）の一方の面に、東燃（株）製ポリシラザンを
塗布し、１７０℃で加熱乾燥させることにより厚さ１．
０μｍの珪素酸化物層を形成した後、珪素酸化物を形成
した面の裏面に、純度９９．９％の銀を原料として、電
子ビーム真空蒸着法で、厚さ５０ｎｍの銀を蒸着した。
そのフィルムの銀側とアルミニウム板とをポリエステル
系ホットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を形成し
た。その銀反射板の波長５５０ｎｍの光線に対する全反
射率を測定した後、板金加工によってストロボ反射体用
傘とし、キセノンランプと珪素酸化物層側を接触させて
固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板のアル
ミニウム板に接続することで、写真撮影用のストロボを
形成した。

【００３９】比較例５ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
ｍ、全光線透過率＝８７％）の一方の面に、東燃（株）
製ポリシラザンを塗布し、１７０℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ１．０μｍの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度９９．９９％の
銀をターゲットに用いて、アルゴンガス２ｍＴｏｒｒの
雰囲気の下で、直流マグネトロン法により、厚さ４００
ｎｍの銀薄膜層を形成した。そのフィルムの銀側とアル
ミニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で
接着し、銀反射板を形成した。その銀反射板の波長５５
０ｎｍの光線に対する全反射率を測定した後、板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪
素酸化物層側を接触させて固定、ストロボ発光回路のト
リガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。

【００４０】図２及び図３は、実施例１〜６、比較例１
〜５において説明した写真撮影用のストロボの概略図で
ある。ここで図２はキセノン管に銀反射板を接触させた
ストロボ構造の断面を示し、図３はキセノン管に銀反射
板を接触させたストロボ構造の発光面の裏側から見た図
を示している。図において、１０はキセノンランプ、２
０は銀反射板、３０はトリガ端子である。

【００４１】図４はストロボを発光させるための発光回
路である。キセノンランプ１０に電界コンデサで充電し
た電圧をかけ、発光を誘起するためにトリガ端子２０に
高電圧、高周波のトリガを印加する。ここで、キセノン
ランプにかかる電圧、トリガ端子にかかる電圧及び周波
数は、キセノンランプを発光させ得る適当な値に設定す
ればよい。

【００４２】実施例１〜６および比較例１〜５において
説明した写真撮影用ストロボを、図４において説明した
ストロボ回路において、キセノンランプに印加する電圧
を３２０Ｖ、トリガ端子に印加する電圧をピーク−ピー
ク値で１５ｋＶ、周波数１ＭＨｚに設定し、キセノンラ
ンプを１０秒間隔で１００回繰り返し発光させた後、銀
反射傘の状態を観察した。実施例１〜６および比較例１
〜５それぞれの、発光試験前の波長５５０ｎｍの光線に
対する全反射率、および発光試験後の反射傘の状態を
〔表１〕に掲げる。

【００４３】

【表１】 本発明品である実施例１〜５が、写真撮影用のストロボ
反射体として優れていることは、高い反射率を有し、１
００回の発光試験においても異常をきたさないという、
上記の実験結果から明らかである。

【００４４】

【発明の効果】本発明に従えば、黒化が好適に防止され
たストロボの反射体に好適に用いることができる銀反射
板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】反射板の断面構造を示す図

【図２】キセノン管に反射板を接触させたストロボ構造
の断面を示す図

【図３】キセノン管に反射板を接触させたストロボ構造
の発光面の裏側から見た図

【図４】ストロボ発光回路を示す図

【符号の説明】

０１ 無機薄膜層 ０２ 透明高分子フィルム ０３ 銀薄膜層 ０４ 接着層 ０５ 板状成形体 １０ キセノンランプ ２０ 反射板 ３０ トリガ端子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福田 信弘 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三 井東圧化学株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−162227（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−168443（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−45921（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B32B 1/00 - 35/00 G03B 15/05 F21V 1/14 - 1/24

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 反射体を成形加工してなるストロボ用反
   射傘であって、 前記反射体は、少なくとも、膜厚が０．２μｍないし
   ３．７μｍの無機薄膜層（Ａ）、透明高分子フィルム
   （Ｂ）、膜厚が６０ｎｍないし３５０ｎｍの銀薄膜層
   （Ｃ）、接着層（Ｄ）、板状成形体（Ｅ）が、ＡＢＣＤ
   Ｅの順に形成され、 前記無機薄膜層（Ａ）の面側が反射面である反射板であ
   り、 前記反射板の反射面をストロボ用光源と近接する形態に
   成形加工されていることを特徴とするストロボ用反射
   傘。
2. 【請求項２】 前記反射板の無機薄膜層（Ａ）は、珪素
   酸化物からなることを特徴とする請求項１に記載のスト
   ロボ用反射傘。
3. 【請求項３】 反射板の無機薄膜層（Ａ）に用いている
   珪素酸化物は、シラザンポリマーを熱処理することによ
   り形成される珪素酸化物であることを特徴とする請求項
   ２に記載のストロボ用反射傘。
4. 【請求項４】 反射板の無機薄膜層（Ａ）に用いている
   珪素酸化物は、プラズマＣＶＤ法により形成される珪素
   酸化物であることを特徴とする請求項２に記載のストロ
   ボ用反射傘。
5. 【請求項５】 前記反射板の板状成形体（Ｅ）は、アル
   ミニウム、アルミ合金、ステンレス鋼、銅亜鉛合金、鋼
   から選ばれる金属材料で形成されていることを特徴とす
   る請求項１〜４のいずれか一項に記載のストロボ用反射
   傘。