Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP3284890B2 - Bonding method of work with bump - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP3284890B2 - Bonding method of work with bump - Google Patents

Bonding method of work with bump

Info

Publication number
JP3284890B2
JP3284890B2 JP17761596A JP17761596A JP3284890B2 JP 3284890 B2 JP3284890 B2 JP 3284890B2 JP 17761596 A JP17761596 A JP 17761596A JP 17761596 A JP17761596 A JP 17761596A JP 3284890 B2 JP3284890 B2 JP 3284890B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
work
bumps
bump
pad
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP17761596A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH1022343A (en
Inventor
忠彦 境
秀喜 永福
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP17761596A priority Critical patent/JP3284890B2/en
Publication of JPH1022343A publication Critical patent/JPH1022343A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3284890B2 publication Critical patent/JP3284890B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/072Connecting or disconnecting of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/072Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H10W72/07251Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/15Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ付きワーク
のバンプをワークのパッドにボンディングするバンプ付
きワークのボンディング方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of bonding a bumped work to a bump of a work with a bump, which is bonded to a pad of the work.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、チップや基板などの電子部品(以
下、ワークという)として、バンプ付きワークが多用さ
れるようになってきている。以下、従来のバンプ付きワ
ークのボンディング構造について説明する。
2. Description of the Related Art In recent years, bumped works have been frequently used as electronic parts (hereinafter referred to as works) such as chips and substrates. Hereinafter, a conventional bonding structure of a work with a bump will be described.

【0003】図8は、従来の基板にボンディングされた
バンプ付きチップの側面図である。1はワークとしての
基板であり、その上面にはパッド2が形成されている。
3はバンプ付きワークとしてのチップであり、その下面
に形成されたバンプ4がパッド2に半田部5によりボン
ディングされている。このボンディングは、基板1上に
ボンドとしての樹脂6を塗布した後、バンプ4をパッド
2上に形成された半田部5上に搭載し、半田部5を加熱
・溶融・固化させるとともに、樹脂6を熱硬化させるこ
とにより行われる。
FIG. 8 is a side view of a conventional chip with bumps bonded to a substrate. Reference numeral 1 denotes a substrate as a work, and a pad 2 is formed on an upper surface thereof.
Reference numeral 3 denotes a chip as a work with bumps, and bumps 4 formed on the lower surface thereof are bonded to pads 2 by solder portions 5. In this bonding, after applying a resin 6 as a bond on the substrate 1, the bump 4 is mounted on the solder portion 5 formed on the pad 2, and the solder portion 5 is heated, melted, and solidified. Is thermally cured.

【0004】バンプ付きチップ3を基板1にボンディン
グした後、バンプ4がパッド2に正しくボンディングさ
れているか否かの導通検査が行われる。この導通検査
は、テスター8のプローブ9を基板1のパッド10に当
て、チップ3に電流を流すことにより行われる。そして
良品であれば、基板1は次の工程へ送られる。また不良
の場合には、次のようなリペア作業が行われていた。す
なわち、基板1を加熱炉へ送って再加熱することにより
半田部5を再び溶融させ、バンプ付きチップ3を基板1
から分離する。そして互いに分離された基板1やバンプ
付きチップ3の半田付け部分は補修され、再使用され
る。勿論、安価な基板1やバンプ付きワーク3の場合に
は、上記した分離や補修を行わずに、そのまま不良品と
して廃棄される場合もある。
After bonding the bumped chip 3 to the substrate 1, a continuity test is performed to determine whether the bumps 4 are correctly bonded to the pads 2. This continuity test is performed by applying the probe 9 of the tester 8 to the pad 10 of the substrate 1 and applying a current to the chip 3. If it is a non-defective product, the substrate 1 is sent to the next step. In the case of failure, the following repair work was performed. That is, the solder portion 5 is melted again by sending the substrate 1 to a heating furnace and reheating, and the chip 3 with bumps is
Separate from Then, the soldered portions of the substrate 1 and the bumped chip 3 separated from each other are repaired and reused. Of course, in the case of the inexpensive substrate 1 or the work 3 with bumps, there is a case where the substrate 1 is discarded as a defective product without performing the above separation and repair.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のリペア作業は、一旦固化した半田部5を溶融させるた
めに再加熱するので、チップ3がこの再加熱により熱ダ
メージを受けやすいという問題点があった。殊に基板1
に、このチップ3以外の他の電子部品が実装されている
場合には、これらの電子部品も再加熱により熱ダメージ
を受けやすかった。また樹脂6が硬化した後で、テスタ
ー8による導通検査を行っていたため、リペア作業を行
う際には硬化した樹脂6も基板1やチップ3から剥離せ
ねばならないため、この剥離作業が甚だ面倒であるとい
う問題点があった。
However, in the above-mentioned conventional repair work, since the solder portion 5 once solidified is reheated in order to melt it, there is a problem that the chip 3 is easily damaged by the reheating. Was. Especially substrate 1
In the case where electronic components other than the chip 3 are mounted, these electronic components are also easily damaged by reheating. After the resin 6 is cured, the continuity test is performed by the tester 8. Therefore, when the repair work is performed, the cured resin 6 must also be peeled from the substrate 1 or the chip 3, and this peeling work is extremely troublesome. There was a problem.

【0006】したがって本発明は、バンプ付きワークを
ワークにボンディングした後の導通検査で不良の場合の
リペア作業を簡単に行えるバンプ付きワークのボンディ
ング方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of bonding a work with bumps, which can easily perform a repair operation in the case of failure in a continuity test after bonding the work with bumps to the work.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、バン
プ付きワークのバンプをワークのパッドに位置合わせし
てバンプ付きワークをワークに搭載する工程と、加熱処
理することにより前記パッド上の半田部を溶融させて前
記バンプを前記パッド上にボンディングし、且つ互いに
異種金属である前記バンプと前記半田部の合金層を前記
バンプの表面に生じさせる工程と、前記バンプと前記パ
ッドの導通検査を行う工程と、この導通検査の結果が不
良の場合には、前記バンプに加振器で振動を付与するこ
とにより前記合金層を破壊し、前記バンプ付きワークを
前記ワークから分離させる工程とからバンプ付きワーク
のボンディング方法を構成した。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of mounting a bumped work on a work by aligning a bump of the work with a bump with the work pad, and performing a heat treatment on the pad. Melting the solder portion to bond the bump on the pad, and forming an alloy layer of the bump and the solder portion, which are dissimilar metals, on the surface of the bump; and conducting a conduction test between the bump and the pad. And, if the result of the continuity test is defective, from the step of breaking the alloy layer by applying vibration to the bumps with a vibrator to separate the workpiece with bumps from the workpiece. A method for bonding a work with bumps was configured.

【0008】請求項2の発明は、ワークの上面に樹脂を
塗布する工程と、バンプ付きワークのバンプを前記ワー
クのパッドに位置合わせしてバンプ付きワークを前記ワ
ークに搭載する工程と、加熱処理することにより前記パ
ッド上の半田部を溶融させて前記バンプを前記パッド上
にボンディングし、且つ互いに異種金属である前記バン
プと前記半田部のぜい弱な合金層を前記バンプの表面に
生じさせる工程と、前記樹脂が未硬化の状態で前記バン
プと前記パッドの導通検査を行う工程と、導通検査で不
良の場合は、前記合金層を破壊してバンプ付きワークを
ワークから分離する工程とからバンプ付きワークのボン
ディング方法を構成した。
According to a second aspect of the present invention, a step of applying a resin to the upper surface of the work, a step of aligning the bumps of the work with bumps with the pads of the work and mounting the work with bumps on the work, Melting the solder portion on the pad to bond the bump on the pad, and forming a weak alloy layer of the bump and the solder portion, which are different metals, on the surface of the bump. a step of performing a continuity test of the said bump pad the resin is in an uncured state, not in continuity test
If good, break the alloy layer and work with bumps.
A method of bonding a work with bumps is constituted from the step of separating the work from the work .

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】請求項1の本発明によれば、バン
プの表面に異種金属のぜい弱な合金層を生じさせ、導通
検査の結果が不良の場合には、この合金層に振動を付与
することによりこの合金層を破壊し、バンプ付きワーク
をワークから簡単に分離できる。また請求項2の発明に
よれば、導通検査で不良の場合には、未硬化の樹脂から
バンプ付きワークを簡単に分離し、リペア作業を行うこ
とができる。
According to the first aspect of the present invention, a vulnerable alloy layer of a dissimilar metal is formed on the surface of a bump, and when the continuity test results in a failure, vibration is applied to the alloy layer. By doing so, this alloy layer is destroyed, and the work with bumps can be easily separated from the work. In the invention of claim 2,
According to the test, if the continuity test fails, the uncured resin
Work pieces with bumps can be easily separated and repaired.
Can be.

【0010】次に、本発明の一実施の形態を図面を参照
して説明する。図1、図2、図3、図4、図5、図6、
図7は、本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング工程図であって、工程順に示している。以
下、各図を参照しながら、バンプ付きワークのボンディ
ング方法を説明する。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1, 2, 3, 4, 5, 6,
FIG. 7 is a bonding step diagram of a work with bumps according to an embodiment of the present invention, which is shown in the order of steps. Hereinafter, a method of bonding a work with bumps will be described with reference to the drawings.

【0011】図1において、基板11の上面にはパッド
12、回路パターン13、パッド14が形成されてい
る。またパッド12上には半田部15が形成されてい
る。まず、ディスペンサ17により基板11の上面に樹
脂16を塗布する。この樹脂16は熱硬化性であって、
半田部15の融点よりも高い温度で熱硬化する。なお半
田部15の半田はすずと鉛などの低融点の合金であっ
て、その融点は例えば200°C程度である。
In FIG. 1, pads 12, circuit patterns 13, and pads 14 are formed on the upper surface of a substrate 11. Further, a solder portion 15 is formed on the pad 12. First, the resin 16 is applied to the upper surface of the substrate 11 by the dispenser 17. This resin 16 is thermosetting,
The thermosetting is performed at a temperature higher than the melting point of the solder portion 15. The solder of the solder portion 15 is a low melting point alloy such as tin and lead, and its melting point is, for example, about 200 ° C.

【0012】次に図2に示すように、チップマウンタの
ノズル22にチップ18を真空吸着し、チップ18の下
面に突設されたバンプ19をパッド12に位置合わせ
し、バンプ19を半田部15上に着地させて搭載する。
バンプ19は、例えば金、銀、銅などの半田よりも融点
の高い金属である。
Next, as shown in FIG. 2, the chip 18 is vacuum-sucked to the nozzle 22 of the chip mounter, the bump 19 projecting from the lower surface of the chip 18 is aligned with the pad 12, and the bump 19 is Land on top and mount.
The bump 19 is a metal having a higher melting point than solder, such as gold, silver, or copper.

【0013】次に基板11を加熱炉へ送り、220°C
以上に加熱する。すると半田部15は溶融し、バンプ1
9の表面にはバンプ19の素材である金、銀、銅などの
金属と、半田部15の素材であるすずや鉛などの金属の
異種金属の合金層20が薄く生じる。一般に合金層はぜ
い弱なものであり、後述するように振動を付与すること
により、合金層20は簡単に破壊される。
Next, the substrate 11 is sent to a heating furnace at 220 ° C.
Heat above. Then, the solder portion 15 is melted and the bump 1
On the surface of 9, a thin alloy layer 20 of a metal such as gold, silver or copper as a material of the bump 19 and a metal such as tin or lead as a material of the solder portion 15 is formed. Generally, the alloy layer is weak, and the alloy layer 20 is easily broken by applying vibration as described later.

【0014】以上のようにしてチップ18を基板11に
ボンディングしたならば、次に導通検査を行う。図4は
導通検査を示すものであって、テスター8のプローブ9
を基板11のパッド14に当て、電流の導通状態をテス
ター8で検査する。なおこの時点では、樹脂16は未硬
化である。上記導通検査で良品であったならば、基板1
1を加熱炉へ送って加熱し、樹脂16を熱硬化させる
(図5)。以上によりチップ18の基板11へのボンデ
ィングは終了する。
After bonding the chip 18 to the substrate 11 as described above, a continuity test is performed next. FIG. 4 shows a continuity test, in which a probe 9 of a tester 8 is used.
Is applied to the pads 14 of the substrate 11, and the current conduction state is inspected by the tester 8. At this point, the resin 16 has not been cured. If the continuity test shows a good product,
1 is sent to a heating furnace and heated to thermally cure the resin 16 (FIG. 5). Thus, the bonding of the chip 18 to the substrate 11 is completed.

【0015】さて、図4に示す導通検査で不良の場合に
は、図6および図7に示す方法でリペア作業を行う。す
なわち、図6に示すようにチップ18の上面に加振器2
1を押し当て、チップ18に振動を付与する。するとぜ
い弱な合金層20はこの振動によって破壊される。これ
により、チップ18を基板11から簡単に分離させるこ
とができる(図7)。
If the continuity test shown in FIG. 4 indicates a failure, a repair operation is performed by the method shown in FIGS. 6 and 7. That is, as shown in FIG.
1 is pressed to apply vibration to the tip 18. Then, the weak alloy layer 20 is destroyed by this vibration. Thus, the chip 18 can be easily separated from the substrate 11 (FIG. 7).

【0016】このリペア作業は、樹脂16が未硬化の状
態で行われるので、上記のようにして合金層20を破壊
すれば、チップ18は基板11から難なく分離できる。
この場合、バンプ19の表面に薄く生じた合金層20を
破壊しただけであるから、図7に示すようにチップ18
を基板11から分離してもバンプ19の形状は壊れてお
らず、バンプ19の形状は良好であり、したがって分離
後のチップ18は十分に再使用が可能であり、また基板
11も未硬化の樹脂16を除去するなどして補修するこ
とにより、再使用できる。勿論、樹脂16は未硬化であ
るので、基板11やチップ13から容易に剥ぎ取ること
ができる。
Since the repair operation is performed in a state where the resin 16 is not cured, the chip 18 can be separated from the substrate 11 without difficulty if the alloy layer 20 is broken as described above.
In this case, since only the thin alloy layer 20 formed on the surface of the bump 19 was destroyed, the chip 18 was damaged as shown in FIG.
When the substrate is separated from the substrate 11, the shape of the bump 19 is not broken, and the shape of the bump 19 is good. Therefore, the chip 18 after the separation can be sufficiently reused. By repairing the resin 16 by removing it, it can be reused. Of course, since the resin 16 is uncured, it can be easily peeled off from the substrate 11 or the chip 13.

【0017】本発明は上記実施の形態に限定されないの
であって、例えば樹脂はボンディング力を補強するボン
ドとして用いられるのであり、したがって半田部により
必要なボンディング力が確保できれば樹脂は用いなくて
もよい。また樹脂を用いる場合、要は図7に示すチップ
と基板の分離時は樹脂は未硬化であればよいものであ
り、したがって樹脂としては半田の融点以下の低温度で
硬化するものであっても、硬化に長時間を要するもの、
すなわち図1から図7に示す工程を行う時間内に硬化し
ないものであってもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, a resin is used as a bond for reinforcing a bonding force. Therefore, if a necessary bonding force can be secured by a solder portion, the resin may not be used. . When a resin is used, the point is that the resin only needs to be uncured when the chip and the substrate are separated as shown in FIG. 7, and therefore, even if the resin is cured at a low temperature equal to or lower than the melting point of the solder. , Which takes a long time to cure,
That is, it may not be cured within the time for performing the steps shown in FIGS. 1 to 7.

【0018】[0018]

【発明の効果】請求項1の発明は、バンプの表面にバン
プの素材である金属と半田部の素材である金属の合金層
を生じさせ、このぜい弱な合金層に振動を付与すること
により、合金層を破壊してバンプ付きワークをワークか
ら分離させるようにしているので、リペア作業を簡単に
行うことができ、またバンプの表面に薄く生じた合金層
を破壊しただけであるから、バンプの形状が壊れること
もなく、バンプの形状は良好であり、分離後のバンプ付
きワークを十分に再使用できる。また請求項2の発明
は、導通検査で不良の場合には、未硬化の樹脂からバン
プ付きワークを簡単に分離し、リペア作業を行うことが
できる。また請求項1,2の発明は、従来技術のように
ワークを加熱することなくリペアを行えるので、バンプ
付きワークやワークに実装された他の電子部品などに熱
ダメージを与えることもなく、リペア作業を有利に行う
ことができる。
According to the first aspect of the present invention, by forming an alloy layer of a metal which is a material of the bump and a metal which is a material of the solder portion on the surface of the bump, and applying vibration to the weak alloy layer, Since the work with bumps is separated from the work by destroying the alloy layer, repair work can be performed easily, and the thin alloy layer formed on the surface of the bumps
Breaks the shape of the bumps.
No bumps and good bump shape.
Ru can be fully re-use can work. The invention of claim 2
If the continuity test fails, the uncured resin
Can easily separate the work with
it can. According to the first and second aspects of the present invention, the repair can be performed without heating the work as in the prior art. Therefore, the repair can be performed without damaging the work with bumps or other electronic components mounted on the work. Work can be performed advantageously.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング工程図
FIG. 1 is a bonding process diagram of a work with bumps according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング工程図
FIG. 2 is a bonding process diagram of a work with bumps according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング工程図
FIG. 3 is a bonding process diagram of a work with bumps according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング工程図
FIG. 4 is a bonding process diagram of a work with bumps according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング工程図
FIG. 5 is a bonding process diagram of a work with bumps according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング工程図
FIG. 6 is a bonding process diagram of a work with bumps according to an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング工程図
FIG. 7 is a bonding process diagram of a work with bumps according to an embodiment of the present invention.

【図8】従来の基板にボンディングされたバンプ付きチ
ップの側面図
FIG. 8 is a side view of a bumped chip bonded to a conventional substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 基板(ワーク) 12 パッド 15 半田部 16 樹脂 18 チップ(バンプ付きワーク) 19 バンプ 20 合金層 21 加振器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Substrate (work) 12 Pad 15 Solder part 16 Resin 18 Chip (work with a bump) 19 Bump 20 Alloy layer 21 Exciter

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−162499(JP,A) 特開 平7−211720(JP,A) 特開 昭62−245640(JP,A) 特開 平6−21117(JP,A) 特開 平7−7041(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) References JP-A-8-162499 (JP, A) JP-A-7-211720 (JP, A) JP-A-62-245640 (JP, A) JP-A-6-245640 21117 (JP, A) JP-A-7-7041 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/60

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】バンプ付きワークのバンプをワークのパッ
ドに位置合わせしてバンプ付きワークをワークに搭載す
る工程と、加熱処理することにより前記パッド上の半田
部を溶融させて前記バンプを前記パッド上にボンディン
グし、且つ互いに異種金属である前記バンプと前記半田
部の合金層を前記バンプの表面に生じさせる工程と、前
記バンプと前記パッドの導通検査を行う工程と、この導
通検査の結果が不良の場合には、前記バンプに加振器で
振動を付与することにより前記合金層を破壊し、前記バ
ンプ付きワークを前記ワークから分離させる工程と、を
含むことを特徴とするバンプ付きワークのボンディング
方法。
A step of aligning the bumps of the work with bumps with the pads of the work and mounting the work with bumps on the work; and performing a heat treatment to melt a solder portion on the pad and to attach the bump to the pad. Bonding on the bumps and forming an alloy layer of the bumps and the solder portions, which are dissimilar metals, on the surface of the bumps; performing a continuity test between the bumps and the pads; In the case of a failure, a step of breaking the alloy layer by applying vibration to the bumps with a vibrator to separate the work with bumps from the work, Bonding method.
【請求項2】ワークの上面に樹脂を塗布する工程と、バ
ンプ付きワークのバンプを前記ワークのパッドに位置合
わせしてバンプ付きワークを前記ワークに搭載する工程
と、加熱処理することにより前記パッド上の半田部を溶
融させて前記バンプを前記パッド上にボンディングし、
且つ互いに異種金属である前記バンプと前記半田部の
い弱な合金層を前記バンプの表面に生じさせる工程と、
前記樹脂が未硬化の状態で前記バンプと前記パッドの導
通検査を行う工程と、導通検査で不良の場合は、前記合
金層を破壊してバンプ付きワークをワークから分離する
工程とを含むことを特徴とするバンプ付きワークのボン
ディング方法。
2. A step of applying a resin to the upper surface of the work, a step of aligning the bumps of the work with bumps with the pads of the work, and mounting the work with bumps on the work, Melting the upper solder portion and bonding the bump to the pad;
Of the bump and the solder portion and a dissimilar metal to one another
Causing a weak alloy layer on the surface of the bump;
And performing continuity inspection of the said bump pad the resin is in an uncured state, in the case of failure in the continuity test, the alloy
Break the gold layer and separate the bumped workpiece from the workpiece
And a bonding method for a work with bumps.
JP17761596A 1996-07-08 1996-07-08 Bonding method of work with bump Expired - Fee Related JP3284890B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17761596A JP3284890B2 (en) 1996-07-08 1996-07-08 Bonding method of work with bump

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17761596A JP3284890B2 (en) 1996-07-08 1996-07-08 Bonding method of work with bump

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1022343A JPH1022343A (en) 1998-01-23
JP3284890B2 true JP3284890B2 (en) 2002-05-20

Family

ID=16034110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17761596A Expired - Fee Related JP3284890B2 (en) 1996-07-08 1996-07-08 Bonding method of work with bump

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3284890B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1022343A (en) 1998-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5739053A (en) Process for bonding a semiconductor to a circuit substrate including a solder bump transferring step
JPH11191569A (en) Flip chip mounting method and semiconductor device
JPH10270498A (en) Electronic device manufacturing method
US6245582B1 (en) Process for manufacturing semiconductor device and semiconductor component
JP2626621B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP3381565B2 (en) Bonding method of work with bump
JP3284890B2 (en) Bonding method of work with bump
JP3257011B2 (en) Method of assembling semiconductor device
JP3055193B2 (en) Circuit connection method and liquid crystal device manufacturing method
JP3050172B2 (en) Inspection method and inspection substrate for flip-chip IC
JP3430096B2 (en) Semiconductor device mounting method
JP3915317B2 (en) Electronic component mounting method
JP3233022B2 (en) Electronic component joining method
JPH0992651A (en) Semiconductor element and connection method thereof
JP3235192B2 (en) Wiring board connection method
JP2830824B2 (en) Mounting method and mounting structure of work with bump
JPH11135561A (en) Anisotropic conductive adhesive film, manufacturing method thereof, flip chip mounting method, and flip chip mounting substrate
JP3482905B2 (en) Electronic component mounting method
JP2002353601A (en) Electronic component mounting body and electronic component mounting method
JPH07176567A (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP3269399B2 (en) Mounting method of work with bump
JP2812304B2 (en) Repair method for flip-chip type semiconductor device
JP3041980B2 (en) Liquid crystal panel and method of manufacturing liquid crystal panel
JP2000021936A (en) Semiconductor device replacement method
JP2880954B2 (en) Package mounting method

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080308

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees