JP3288321B2 - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属不純物で汚染
された半導体基板の洗浄方法に関するものである。
された半導体基板の洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスに対する高信頼性化の要
望が高まる中、シリコンウエハ表面の清浄化への要望は
ますます厳しいものになっている。
望が高まる中、シリコンウエハ表面の清浄化への要望は
ますます厳しいものになっている。
【０００３】従来、ゲート酸化膜形成前の段階のシリコ
ンウエハの洗浄方法としては、いわゆるＲＣＡ洗浄を基
本とするウエット洗浄が主流となっていた。ＲＣＡ洗浄
は、硫酸−過酸化水素水（ＳＰＭ）による有機物除
去、アンモニア−過酸化水素水（ＡＰＭ）によるパー
ティクル除去、塩酸−過酸化水素水（ＨＰＭ）による
金属不純物除去、希フッ酸による自然酸化膜除去、お
よび超純水による洗浄により構成されている。
ンウエハの洗浄方法としては、いわゆるＲＣＡ洗浄を基
本とするウエット洗浄が主流となっていた。ＲＣＡ洗浄
は、硫酸−過酸化水素水（ＳＰＭ）による有機物除
去、アンモニア−過酸化水素水（ＡＰＭ）によるパー
ティクル除去、塩酸−過酸化水素水（ＨＰＭ）による
金属不純物除去、希フッ酸による自然酸化膜除去、お
よび超純水による洗浄により構成されている。
【０００４】以下、図面を参照してＲＣＡ洗浄を用いた
第一の従来技術について説明する。
第一の従来技術について説明する。
【０００５】図２および図３（ａ）に洗浄対象となる基
板の断面模式図を示す。シリコン基板１の表面には自然
酸化膜２が形成されている。自然酸化膜２の表面には有
機物３やパーティクル６が付着しており、自然酸化膜２
中に埋め込まれた形態でシリコン基板１の表面にＣｕ粒
子５やＦｅ粒子４が付着している。これらの汚染物質
は、シリコン基板の加工や搬送を行う際に種々の要因に
より基板に付着する。なお、図には金属不純物としてＣ
ｕ粒子５とＦｅ粒子４が代表的に示されているが、一般
的にはＴｉ、Ｃｏ、Ｐｔ等の金属不純物が付着している
こともある。
板の断面模式図を示す。シリコン基板１の表面には自然
酸化膜２が形成されている。自然酸化膜２の表面には有
機物３やパーティクル６が付着しており、自然酸化膜２
中に埋め込まれた形態でシリコン基板１の表面にＣｕ粒
子５やＦｅ粒子４が付着している。これらの汚染物質
は、シリコン基板の加工や搬送を行う際に種々の要因に
より基板に付着する。なお、図には金属不純物としてＣ
ｕ粒子５とＦｅ粒子４が代表的に示されているが、一般
的にはＴｉ、Ｃｏ、Ｐｔ等の金属不純物が付着している
こともある。
【０００６】この基板に対して、まずＳＰＭによる洗浄
を行い、有機物３を除去し、次いでＡＰＭによりパーテ
ィクル６を除去する（図３（ｂ））。
を行い、有機物３を除去し、次いでＡＰＭによりパーテ
ィクル６を除去する（図３（ｂ））。
【０００７】次に、ＨＰＭにより自然酸化膜２表面に付
着した金属不純物を除去する（図３（ｃ））。
着した金属不純物を除去する（図３（ｃ））。
【０００８】次いで希フッ酸を用いて自然酸化膜を除去
する（図３（ｄ））。その後、超純水により最終洗浄を
行い、基板表面の洗浄が完了する。
する（図３（ｄ））。その後、超純水により最終洗浄を
行い、基板表面の洗浄が完了する。
【０００９】しかしながらこの方法では、図３（ｄ）に
示すようにＣｕ粒子５等の貴金属系の金属不純物がシリ
コン基板が残存するという問題がある。これは、Ｃｕ粒
子５等の貴金属はシリコン基板１に吸着した形態で存在
するため、希フッ酸等により除去することが困難なため
である。
示すようにＣｕ粒子５等の貴金属系の金属不純物がシリ
コン基板が残存するという問題がある。これは、Ｃｕ粒
子５等の貴金属はシリコン基板１に吸着した形態で存在
するため、希フッ酸等により除去することが困難なため
である。
【００１０】また、上記貴金属は、いったん除去されて
も基板へ再付着しやすい。これは、貴金属は高い酸化還
元電位を有するため、希フッ酸溶液中にイオンとして存
在すると電子交換反応を起こしてシリコン基板へ逆吸着
することによる。なお、このような貴金属のシリコン基
板への逆吸着現象に関しては、たとえばJournal of Ele
ctrochemical Society 191(10)(1994)2834 H.Morinaga
et alに記載されている。
も基板へ再付着しやすい。これは、貴金属は高い酸化還
元電位を有するため、希フッ酸溶液中にイオンとして存
在すると電子交換反応を起こしてシリコン基板へ逆吸着
することによる。なお、このような貴金属のシリコン基
板への逆吸着現象に関しては、たとえばJournal of Ele
ctrochemical Society 191(10)(1994)2834 H.Morinaga
et alに記載されている。
【００１１】上記のプロセスでは、ＨＰＭ洗浄の後に希
フッ酸による自然酸化膜を除去しているが、この順序を
逆にすることも考えられる。すなわち、まず希フッ酸に
より自然酸化膜を除去した後、ＨＰＭ洗浄を行うことも
できる。しかしこの場合でも、図３（ｄ）のように貴金
属系粒子が残存するという問題は解消されない。
フッ酸による自然酸化膜を除去しているが、この順序を
逆にすることも考えられる。すなわち、まず希フッ酸に
より自然酸化膜を除去した後、ＨＰＭ洗浄を行うことも
できる。しかしこの場合でも、図３（ｄ）のように貴金
属系粒子が残存するという問題は解消されない。
【００１２】次に図４を参照して、犠牲酸化膜を設ける
工程を含む第二の従来技術を説明する。
工程を含む第二の従来技術を説明する。
【００１３】図４（ａ）に洗浄対象基板の断面模式図を
示す。シリコン基板１の表面には自然酸化膜２が形成さ
れている。自然酸化膜２の表面には有機物３やパーティ
クル６が付着しており、また自然酸化膜２中に埋め込ま
れた形態でシリコン基板１の表面にＣｕ粒子５やＦｅ粒
子４が付着している。第一の従来技術の説明と同様、金
属不純物としてＣｕ粒子５とＦｅ粒子４を代表的に示し
た。
示す。シリコン基板１の表面には自然酸化膜２が形成さ
れている。自然酸化膜２の表面には有機物３やパーティ
クル６が付着しており、また自然酸化膜２中に埋め込ま
れた形態でシリコン基板１の表面にＣｕ粒子５やＦｅ粒
子４が付着している。第一の従来技術の説明と同様、金
属不純物としてＣｕ粒子５とＦｅ粒子４を代表的に示し
た。
【００１４】この基板に対し熱処理を加え、犠牲酸化膜
７を成長させる（図４（ｂ））。このとき有機物３は熱
処理中に酸素により分解除去される。一方、金属不純物
については、酸化し易いものとしにくいものがあり、金
属の種類によって異なる挙動を示す。たとえばＦｅ等は
酸化して犠牲酸化膜７中で酸化物として残存する。Ｃｕ
等の貴金属は酸化物になりにくく、非酸化物として残存
する。ここで、Ｃｕについては、シリコン基板中への拡
散が速いため、犠牲酸化膜形成過程で図４（ｂ）のよう
にシリコン基板１内部へ侵入していく。
７を成長させる（図４（ｂ））。このとき有機物３は熱
処理中に酸素により分解除去される。一方、金属不純物
については、酸化し易いものとしにくいものがあり、金
属の種類によって異なる挙動を示す。たとえばＦｅ等は
酸化して犠牲酸化膜７中で酸化物として残存する。Ｃｕ
等の貴金属は酸化物になりにくく、非酸化物として残存
する。ここで、Ｃｕについては、シリコン基板中への拡
散が速いため、犠牲酸化膜形成過程で図４（ｂ）のよう
にシリコン基板１内部へ侵入していく。
【００１５】次に図４（ｃ）のように犠牲酸化膜７を希
フッ酸により除去する。これにより犠牲酸化膜７中に存
在するＦｅ酸化物等が除去される。
フッ酸により除去する。これにより犠牲酸化膜７中に存
在するＦｅ酸化物等が除去される。
【００１６】しかしこの方法は、犠牲酸化膜７を成長さ
せる段階で熱処理を加えるため、Ｃｕ等の粒子が基板へ
拡散し、除去不可能となるという問題があった。シリコ
ン基板への拡散の速い金属としては、Ｃｕのほか、Ｃ
ｏ、Ｎｉ等があり、これらの金属不純物が基板に付着し
た場合にも同様の問題が生じる。
せる段階で熱処理を加えるため、Ｃｕ等の粒子が基板へ
拡散し、除去不可能となるという問題があった。シリコ
ン基板への拡散の速い金属としては、Ｃｕのほか、Ｃ
ｏ、Ｎｉ等があり、これらの金属不純物が基板に付着し
た場合にも同様の問題が生じる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した事情
に鑑みなされてものであり、従来、除去の困難であった
貴金属系粒子やシリコン中への拡散の速い金属を、充分
に除去することのできる洗浄方法を提供することを課題
とする。
に鑑みなされてものであり、従来、除去の困難であった
貴金属系粒子やシリコン中への拡散の速い金属を、充分
に除去することのできる洗浄方法を提供することを課題
とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、清浄空
気雰囲気において、オゾンまたは酸素の存在下で、か
つ、雰囲気温度５〜４０℃において、半導体基板の表面
に対し紫外線を照射することにより、該半導体基板に付
着した金属不純物を酸化して金属酸化物とする工程と、
該半導体基板をウエット処理し、このとき同時に該金属
酸化物を除去することを特徴とする半導体基板の洗浄方
法が提供される。
気雰囲気において、オゾンまたは酸素の存在下で、か
つ、雰囲気温度５〜４０℃において、半導体基板の表面
に対し紫外線を照射することにより、該半導体基板に付
着した金属不純物を酸化して金属酸化物とする工程と、
該半導体基板をウエット処理し、このとき同時に該金属
酸化物を除去することを特徴とする半導体基板の洗浄方
法が提供される。
【００１９】また本発明によれば、表面に自然酸化膜の
形成された半導体基板の洗浄方法であって、清浄空気雰
囲気において、オゾンまたは酸素の存在下で、かつ、雰
囲気温度５〜４０℃において、該自然酸化膜の表面に紫
外線を照射することにより、該自然酸化膜に含まれる金
属不純物を酸化して金属酸化物とする工程と、該自然酸
化膜をウエット処理により除去し、このとき同時に該金
属酸化物を除去する工程とを含むことを特徴とする半導
体基板の洗浄方法が提供される。
形成された半導体基板の洗浄方法であって、清浄空気雰
囲気において、オゾンまたは酸素の存在下で、かつ、雰
囲気温度５〜４０℃において、該自然酸化膜の表面に紫
外線を照射することにより、該自然酸化膜に含まれる金
属不純物を酸化して金属酸化物とする工程と、該自然酸
化膜をウエット処理により除去し、このとき同時に該金
属酸化物を除去する工程とを含むことを特徴とする半導
体基板の洗浄方法が提供される。
【００２０】上記各洗浄方法では、まず、オゾンまたは
酸素の存在下、紫外線照射を行う。この照射により、処
理雰囲気中の酸素分子が原子状活性酸素となる。一方、
紫外線照射の前の段階および紫外線照射中に、基板表面
に自然酸化膜が形成されるが、この自然酸化膜の表面お
よび内部には、ＣｕやＦｅ等の種々の金属不純物が存在
する。上記活性酸素は、この自然酸化膜中を容易に拡散
し、これらの金属不純物を酸化する。酸化した金属不純
物は薬液による除去が容易となるため、次工程の自然酸
化膜の除去と同時に容易に除かれる。
酸素の存在下、紫外線照射を行う。この照射により、処
理雰囲気中の酸素分子が原子状活性酸素となる。一方、
紫外線照射の前の段階および紫外線照射中に、基板表面
に自然酸化膜が形成されるが、この自然酸化膜の表面お
よび内部には、ＣｕやＦｅ等の種々の金属不純物が存在
する。上記活性酸素は、この自然酸化膜中を容易に拡散
し、これらの金属不純物を酸化する。酸化した金属不純
物は薬液による除去が容易となるため、次工程の自然酸
化膜の除去と同時に容易に除かれる。
【００２１】以上のような作用により金属不純物が効率
的に除去されるが、本発明によれば、さらに、いったん
除去された金属不純物の再付着を有効に防止できるとい
う利点も得られる。自然酸化膜の除去に際しては、通
常、フッ酸系洗浄液等の酸が用いられるが、従来技術で
は、このときに貴金属がシリコン基板に逆吸着を起こす
という問題があった。これに対し本発明では、この段階
では貴金属はすでに酸化物に変化しているため、逆吸着
の問題を解消できる。貴金属表面に酸化層が形成される
ため、シリコン基板との直接の電子交換が妨げられるか
らである。
的に除去されるが、本発明によれば、さらに、いったん
除去された金属不純物の再付着を有効に防止できるとい
う利点も得られる。自然酸化膜の除去に際しては、通
常、フッ酸系洗浄液等の酸が用いられるが、従来技術で
は、このときに貴金属がシリコン基板に逆吸着を起こす
という問題があった。これに対し本発明では、この段階
では貴金属はすでに酸化物に変化しているため、逆吸着
の問題を解消できる。貴金属表面に酸化層が形成される
ため、シリコン基板との直接の電子交換が妨げられるか
らである。
【００２２】以上のように、本発明の洗浄方法によれ
ば、紫外線照射とウエット処理による自然酸化膜除去の
組み合わせにより、金属不純物を効率的に除去すること
ができる。
ば、紫外線照射とウエット処理による自然酸化膜除去の
組み合わせにより、金属不純物を効率的に除去すること
ができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明における半導体基板とは、
シリコン基板、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板等
をいう。
シリコン基板、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板等
をいう。
【００２４】本発明の洗浄対象は、ゲート酸化膜形成前
のシリコン基板であることが好ましい。この段階での洗
浄は特に高い清浄度が要求されるため、本発明の効果が
より顕著に発揮されるからである。なお、金属膜の形成
された半導体基板も本発明の洗浄対象となる。
のシリコン基板であることが好ましい。この段階での洗
浄は特に高い清浄度が要求されるため、本発明の効果が
より顕著に発揮されるからである。なお、金属膜の形成
された半導体基板も本発明の洗浄対象となる。
【００２５】本発明において、金属不純物の少なくとも
一部が半導体基板の表面に吸着したものである場合、本
発明の効果はより顕著に発揮される。たとえば表面に自
然酸化膜の形成されたシリコン基板の場合、金属不純物
は種々の位置に存在する（図２）。すなわち、自然酸
化膜の表面に付着するもの、自然酸化膜の内部に存在
するもの、およびシリコン基板に吸着しているものが
ある。本発明において「自然酸化膜に含まれる金属不純
物」とは、上記およびの形態のものをいうが、この
うち、の形態のものは、特に除去が困難である。貴金
属系の金属不純物はこのような形態で存在しやすいた
め、従来技術では特に除去が困難であった。これに対
し、本発明においては上記金属不純物は紫外線照射によ
り酸化物となり、シリコン基板への吸着力が弱まって自
然酸化膜中に取り込まれる。この酸化物は次工程の自然
酸化膜の除去と同時に容易に除かれることから、効率的
な洗浄が行われる。
一部が半導体基板の表面に吸着したものである場合、本
発明の効果はより顕著に発揮される。たとえば表面に自
然酸化膜の形成されたシリコン基板の場合、金属不純物
は種々の位置に存在する（図２）。すなわち、自然酸
化膜の表面に付着するもの、自然酸化膜の内部に存在
するもの、およびシリコン基板に吸着しているものが
ある。本発明において「自然酸化膜に含まれる金属不純
物」とは、上記およびの形態のものをいうが、この
うち、の形態のものは、特に除去が困難である。貴金
属系の金属不純物はこのような形態で存在しやすいた
め、従来技術では特に除去が困難であった。これに対
し、本発明においては上記金属不純物は紫外線照射によ
り酸化物となり、シリコン基板への吸着力が弱まって自
然酸化膜中に取り込まれる。この酸化物は次工程の自然
酸化膜の除去と同時に容易に除かれることから、効率的
な洗浄が行われる。
【００２６】本発明において、金属不純物が貴金属を含
む場合、特に銅または白金を含む場合、本発明の効果は
より顕著に発揮される。このような金属は、上述したよ
うに半導体基板の表面に吸着して存在しやすく、紫外線
照射による洗浄効果がより顕著となるからである。
む場合、特に銅または白金を含む場合、本発明の効果は
より顕著に発揮される。このような金属は、上述したよ
うに半導体基板の表面に吸着して存在しやすく、紫外線
照射による洗浄効果がより顕著となるからである。
【００２７】本発明において、金属不純物がＣｏまたは
Ｎｉを含む場合も、本発明の効果がより顕著に発揮され
る。このような金属は、熱処理を加えることによって半
導体基板中を拡散しやすく、熱処理を不要とする本発明
の方法により効果的に除去されるからである。
Ｎｉを含む場合も、本発明の効果がより顕著に発揮され
る。このような金属は、熱処理を加えることによって半
導体基板中を拡散しやすく、熱処理を不要とする本発明
の方法により効果的に除去されるからである。
【００２８】本発明において、紫外線を照射する際の雰
囲気温度は、好ましくは５〜４０℃、より好ましくは１
０〜３０℃とする。このようにすることによって、紫外
線照射中に金属不純物が基板内部へ拡散することを防止
することができる。
囲気温度は、好ましくは５〜４０℃、より好ましくは１
０〜３０℃とする。このようにすることによって、紫外
線照射中に金属不純物が基板内部へ拡散することを防止
することができる。
【００２９】本発明における紫外線は、１７２〜２４０
ｎｍの波長領域を含むことが好ましい。このような紫外
線を用いれば酸素やオゾンを有効に光励起し、活性酸素
を好適に発生させることができるからである。なお、上
記波長範囲全域にわたる紫外線を照射することが望まし
いが、活性酸素を発生することができれば、上記波長範
囲の一部の波長の光を含むものであってもよい。
ｎｍの波長領域を含むことが好ましい。このような紫外
線を用いれば酸素やオゾンを有効に光励起し、活性酸素
を好適に発生させることができるからである。なお、上
記波長範囲全域にわたる紫外線を照射することが望まし
いが、活性酸素を発生することができれば、上記波長範
囲の一部の波長の光を含むものであってもよい。
【００３０】紫外線の発生源は特に制限がなく、卓上ラ
ンプのような簡易なものであっても充分な効果が得られ
る。
ンプのような簡易なものであっても充分な効果が得られ
る。
【００３１】紫外線照射を行う時間は、好ましくは１２
０秒以内、さらに好ましくは６０秒以内とする。このよ
うにすることによってスループットの向上を図ることが
できる。なお照射時間の下限は、特に制限がなく、紫外
線強度等によって適宜設定される。
０秒以内、さらに好ましくは６０秒以内とする。このよ
うにすることによってスループットの向上を図ることが
できる。なお照射時間の下限は、特に制限がなく、紫外
線強度等によって適宜設定される。
【００３２】本発明において、紫外線照射を行う際の雰
囲気は酸素またはオゾンを含む。酸素またはオゾンの濃
度については特に制限がないが、通常、１〜５０VOL-%
とする。
囲気は酸素またはオゾンを含む。酸素またはオゾンの濃
度については特に制限がないが、通常、１〜５０VOL-%
とする。
【００３３】紫外線照射雰囲気として、清浄空気を用い
ることが簡便であり、望ましい。具体的には、洗浄対象
の半導体基板を清浄空気で満たされた密閉空間内に配置
し、紫外線照射を行うことが望ましい。
ることが簡便であり、望ましい。具体的には、洗浄対象
の半導体基板を清浄空気で満たされた密閉空間内に配置
し、紫外線照射を行うことが望ましい。
【００３４】本発明におけるウエット処理は、フッ酸を
含む洗浄液を用いて行われることが好ましい。このよう
な洗浄液を用いれば、自然酸化膜を好適に除去できる。
フッ酸を含む洗浄液としては、希フッ酸（ＤＨＦ）、フ
ッ酸−フッ化アンモニウム混合液（バッファードフッ
酸；ＢＨＦ）、フッ酸−過酸化水素混合液（ＦＰＭ）等
が挙げられる。
含む洗浄液を用いて行われることが好ましい。このよう
な洗浄液を用いれば、自然酸化膜を好適に除去できる。
フッ酸を含む洗浄液としては、希フッ酸（ＤＨＦ）、フ
ッ酸−フッ化アンモニウム混合液（バッファードフッ
酸；ＢＨＦ）、フッ酸−過酸化水素混合液（ＦＰＭ）等
が挙げられる。
【００３５】
【実施例】（実施例）本実施例はゲート酸化膜成長前の
段階の半導体基板表面の洗浄についての例である。以
下、洗浄プロセスを図面を参照して説明する。
段階の半導体基板表面の洗浄についての例である。以
下、洗浄プロセスを図面を参照して説明する。
【００３６】図１（ａ）は洗浄対象の基板の断面構造を
示したものである。シリコン基板１の表面には自然酸化
膜２が形成されている。自然酸化膜２の表面には有機物
３やパーティクル６が付着しており、また自然酸化膜２
中に埋め込まれた形態でシリコン基板１の表面にＣｕ粒
子５やＦｅ粒子４が付着している。なお、図には金属不
純物としてＣｕ粒子５とＦｅ粒子４を代表的に示した
が、他にＣｏ、Ｐｔ等の金属不純物も付着している。
示したものである。シリコン基板１の表面には自然酸化
膜２が形成されている。自然酸化膜２の表面には有機物
３やパーティクル６が付着しており、また自然酸化膜２
中に埋め込まれた形態でシリコン基板１の表面にＣｕ粒
子５やＦｅ粒子４が付着している。なお、図には金属不
純物としてＣｕ粒子５とＦｅ粒子４を代表的に示した
が、他にＣｏ、Ｐｔ等の金属不純物も付着している。
【００３７】この基板を清浄空気で満たされた空間に配
置し、紫外線照射を行った。紫外線の光として、１７２
〜２４０ｎｍの分布を有するＵＶランプを用いた。温度
は室温（約２５℃）とし、照射時間は３０秒間とした。
置し、紫外線照射を行った。紫外線の光として、１７２
〜２４０ｎｍの分布を有するＵＶランプを用いた。温度
は室温（約２５℃）とし、照射時間は３０秒間とした。
【００３８】この紫外線照射により、処理雰囲気中に含
まれる酸素分子が原子状活性酸素となる。この活性酸素
によって有機物は分解され、基板から除去される。さら
に、この活性酸素は基板表面の自然酸化膜中を容易に拡
散するため、ＣｕやＦｅ等の金属不純物を酸化する。こ
れにより、シリコン基板１に強固に付着していたＣｕ等
の貴金属系粒子は酸化することによって基板表面から脱
離し、自然酸化膜中に取り込まれる。この状態を図１
（ｂ）に示す。
まれる酸素分子が原子状活性酸素となる。この活性酸素
によって有機物は分解され、基板から除去される。さら
に、この活性酸素は基板表面の自然酸化膜中を容易に拡
散するため、ＣｕやＦｅ等の金属不純物を酸化する。こ
れにより、シリコン基板１に強固に付着していたＣｕ等
の貴金属系粒子は酸化することによって基板表面から脱
離し、自然酸化膜中に取り込まれる。この状態を図１
（ｂ）に示す。
【００３９】次いで自然酸化膜２をＢＨＦにより除去し
た（図１（ｃ））。前述の第一の従来技術では、図３
（ｄ）のように、Ｃｕ等の貴金属系粒子がシリコン基板
１に残存していたが、本実施例の方法によれば、これら
の金属は前工程のＵＶ照射により酸化されているため、
自然酸化膜除去と同時に容易に除去される。その後、超
純水により最終洗浄を行い、基板表面の洗浄を完了し
た。
た（図１（ｃ））。前述の第一の従来技術では、図３
（ｄ）のように、Ｃｕ等の貴金属系粒子がシリコン基板
１に残存していたが、本実施例の方法によれば、これら
の金属は前工程のＵＶ照射により酸化されているため、
自然酸化膜除去と同時に容易に除去される。その後、超
純水により最終洗浄を行い、基板表面の洗浄を完了し
た。
【００４０】（比較例）実施例で洗浄を行ったのと同一
の洗浄対象について、第一の従来技術（図３）で説明し
たのと同様の手順でＲＣＡ洗浄を行った。
の洗浄対象について、第一の従来技術（図３）で説明し
たのと同様の手順でＲＣＡ洗浄を行った。
【００４１】実施例および比較例で行った洗浄の効果を
比較するため、洗浄前後の基板表面の金属不純物濃度を
測定した結果を表１に示す。金属不純物濃度は、ＴＸＲ
Ｆ（全反射蛍光Ｘ線）分析装置にて測定した。
比較するため、洗浄前後の基板表面の金属不純物濃度を
測定した結果を表１に示す。金属不純物濃度は、ＴＸＲ
Ｆ（全反射蛍光Ｘ線）分析装置にて測定した。
【００４２】
【表１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、紫
外線照射工程と、その後のウエット処理による自然酸化
膜除去工程とを有するため、従来、除去の困難であった
貴金属系不純物やシリコン中への拡散の速い金属不純物
を充分に除去することができる。
外線照射工程と、その後のウエット処理による自然酸化
膜除去工程とを有するため、従来、除去の困難であった
貴金属系不純物やシリコン中への拡散の速い金属不純物
を充分に除去することができる。
【図１】本発明の洗浄方法を示す工程断面図である。
【図２】洗浄対象の断面模式図である。
【図３】従来の洗浄方法を示す工程断面図である。
【図４】従来の洗浄方法を示す工程断面図である。
１ シリコン基板 ２ 自然酸化膜 ３ 有機物 ４ Ｆｅ粒子 ５ Ｃｕ粒子 ６ パーティクル ７ 犠牲酸化膜 ８ 酸化鉄 ９ 酸化銅
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−82679（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−102115（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−50646（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−213824（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−182945（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】 清浄空気雰囲気において、オゾンまたは
酸素の存在下で、かつ、雰囲気温度５〜４０℃におい
て、半導体基板の表面に対し紫外線を照射することによ
り、該半導体基板に付着した金属不純物を酸化して金属
酸化物とする工程と、該半導体基板をウエット処理し、
このとき同時に該金属酸化物を除去することを特徴とす
る半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項２】 表面に自然酸化膜の形成された半導体基
板の洗浄方法であって、清浄空気雰囲気において、オゾ
ンまたは酸素の存在下で、かつ、雰囲気温度５〜４０℃
において、該自然酸化膜の表面に紫外線を照射すること
により、該自然酸化膜に含まれる金属不純物を酸化して
金属酸化物とする工程と、該自然酸化膜をウエット処理
により除去し、このとき同時に該金属酸化物を除去する
工程とを含むことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項３】 前記金属不純物の少なくとも一部が前記
半導体基板の表面に吸着した状態で存在することを特徴
とする請求項１または２に記載の半導体基板の洗浄方
法。 - 【請求項４】 前記金属不純物が貴金属を含む請求項１
乃至３いずれかに記載の半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項５】 前記貴金属が銅または白金である請求項
４に記載の半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項６】 前記金属不純物がＣｏまたはＮｉを含む
請求項１乃至５いずれかに記載の半導体基板の洗浄方
法。 - 【請求項７】 前記紫外線は、１７２〜２４０ｎｍの波
長領域を含むことを特徴とする請求項１乃至６いずれか
に記載の半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項８】 前記ウエット処理は、フッ酸を含む洗浄
液を用いて行われることを特徴とする請求項１乃至７い
ずれかに記載の半導体基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37417598A JP3288321B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37417598A JP3288321B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000195836A JP2000195836A (ja) | 2000-07-14 |
| JP3288321B2 true JP3288321B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=18503395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37417598A Expired - Fee Related JP3288321B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3288321B2 (ja) |
-
1998
- 1998-12-28 JP JP37417598A patent/JP3288321B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000195836A (ja) | 2000-07-14 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |