Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP3293326B2 - Electronic device cap sealing apparatus and sealing method - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP3293326B2 - Electronic device cap sealing apparatus and sealing method - Google Patents

Electronic device cap sealing apparatus and sealing method

Info

Publication number
JP3293326B2
JP3293326B2 JP12908594A JP12908594A JP3293326B2 JP 3293326 B2 JP3293326 B2 JP 3293326B2 JP 12908594 A JP12908594 A JP 12908594A JP 12908594 A JP12908594 A JP 12908594A JP 3293326 B2 JP3293326 B2 JP 3293326B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cap
package
sealing
positioning
electronic device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP12908594A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH07335778A (en
Inventor
雄二 池田
哲二 新田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP12908594A priority Critical patent/JP3293326B2/en
Publication of JPH07335778A publication Critical patent/JPH07335778A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3293326B2 publication Critical patent/JP3293326B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は電子デバイス素子が搭載
されている箱形パッケージにキャップを封止固定して電
子デバイスとして完成せしめるキャップ封止装置とその
方法に係り、特に封止時の熱によるパッケージ内部の気
体膨張に起因する封止不良を抑制しつつ装置としての小
型化と自動化を実現して生産性向上を図った電子デバイ
スのキャップ封止装置(以下単に封止装置とする)とそ
の封止方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cap sealing device and a method for sealing and fixing a cap to a box-shaped package on which an electronic device element is mounted to complete an electronic device. A cap sealing device for electronic devices (hereinafter simply referred to as a sealing device) that achieves miniaturization and automation as a device to improve productivity while suppressing sealing defects due to gas expansion inside the package due to It relates to the sealing method.

【0002】近年の電子機器分野では小型・高性能化や
低価格化の要求に伴って、例えば1乃至複数の半導体チ
ップを箱形パッケージに搭載した後その開口部をキャッ
プで封止固定する半導体装置のように、複数の電子デバ
イス素子をパッケージ封止した封止形の電子デバイスが
製品化されている。
2. Description of the Related Art In recent years, in the field of electronic equipment, with the demand for miniaturization, high performance, and low cost, for example, a semiconductor chip in which one or more semiconductor chips are mounted in a box-shaped package and the opening thereof is sealed and fixed with a cap 2. Description of the Related Art A sealed electronic device in which a plurality of electronic device elements are packaged like an apparatus has been commercialized.

【0003】そして、かかる電子デバイスの封止工程で
はその生産性を上げるために複数個を一括して封止する
技術が実用化されているが、例えば封止用のはんだ材に
一般的な金−錫(Au-Sn) 合金を使用するときにはその濡
れ性を向上させるために該封止作業を窒素(N2)ガスの如
き不活性ガス雰囲気中で行う必要があることと、装置が
大型になり易い, 各デバイスの均等加熱に困難を伴う,
封止時の熱によるパッケージ内部の気体膨張に起因する
封止不良が発生し易い, 等のことからその解決が強く望
まれている。
In the process of sealing an electronic device, a technique of encapsulating a plurality of pieces at a time has been put to practical use in order to increase the productivity. -When using a tin (Au-Sn) alloy, it is necessary to perform the sealing operation in an inert gas atmosphere such as nitrogen (N 2 ) gas in order to improve the wettability, Easy, difficult to evenly heat each device,
There is a strong demand for a solution to this problem, since sealing failure due to gas expansion inside the package due to heat during sealing is likely to occur.

【0004】[0004]

【従来の技術】電子デバイスが半導体装置である場合を
示す図6は従来のキャップ封止方法を原理的に例示説明
する図であり、(6-1) は封止前のパッケージとキャップ
との治具への装着状態を説明する図、(6-2) は封止時の
熱によるパッケージ内部の気体膨張に起因する封止不良
の抑制方法を示した図、また(6-3) は封止時の加熱工程
を説明する図である。
2. Description of the Related Art FIG. 6 showing a case in which an electronic device is a semiconductor device is a view for explaining in principle a conventional cap sealing method. Fig. 6 (2) is a diagram illustrating the state of attachment to the jig, (6-2) is a diagram showing a method of suppressing poor sealing caused by gas expansion inside the package due to heat during sealing, and (6-3) is a diagram illustrating sealing It is a figure explaining the heating process at the time of stop.

【0005】また図7ははんだとしての封止条件を例示
説明する図である。なお図ではいずれもセラミックパッ
ケージに平面視サイズが該パッケージと等しいコバール
材からなるキャップを金−錫(Au-Sn) 合金からなるはん
だで封止固定する場合を例として説明する。
FIG. 7 is a diagram illustrating the sealing conditions as solder. In each of the figures, an example is described in which a cap made of a Kovar material having the same size as the package in a plan view is sealed and fixed to a ceramic package with a solder made of a gold-tin (Au-Sn) alloy.

【0006】図6の(6-1) で半導体装置1は、半導体チ
ップ11が実装されたセラミックからなる有底箱形のパッ
ケージ12とその開口側の周壁端面12a に封止固定するコ
バールからなるキャップ13とを該パッケージ開口側の周
壁端面12a で封止固定して構成されるものである。
In FIG. 6 (6-1), the semiconductor device 1 is composed of a bottomed box-shaped package 12 made of ceramic on which a semiconductor chip 11 is mounted, and Kovar sealed and fixed to a peripheral wall end surface 12a on the opening side thereof. The cap 13 is sealed and fixed at the peripheral wall end surface 12a on the package opening side.

【0007】この内、パッケージ12の周壁端面12a には
厚さ数μm 程度の金(Au)めっき層がシールリングとして
施されていると共に、キャップ13の片面(図では上面)
周囲の該周壁端面12a と対応する領域には例えば厚さ数
10μm の金−錫(Au-Sn) 合金からなるはんだ13a が被着
形成されている。
Among them, a gold (Au) plating layer having a thickness of about several μm is provided as a seal ring on an end surface 12 a of the peripheral wall of the package 12, and one side of the cap 13 (upper surface in the figure).
For example, the thickness corresponding to the thickness
A solder 13a of 10 μm gold-tin (Au-Sn) alloy is applied.

【0008】なお上記の金めっき層は、例えばパッケー
ジ12の周壁端面12a に順次層形成したタングステン
(W)層とニッケル(Ni) めっき層とを介せしめること
で、該周壁端面12a に対する密着性を上げることができ
る。
[0008] The above-mentioned gold plating layer is, for example, a tungsten (W) layer and a nickel (Ni) plating layer which are sequentially formed on the peripheral wall end surface 12a of the package 12 so as to improve adhesion to the peripheral wall end surface 12a. Can be raised.

【0009】そこで先ず、上記キャップ13とほぼ同じ線
膨張係数を持つステンレス材またはインバー材からなる
板状で該キャップ13をその周辺で位置決めし得る凹孔21
a とそれより小さい同芯の貫通孔21b とが複数個整列し
て形成されている第1の治具21の該各凹孔21a に、はん
だ形成面を上側にした状態で図示されない吸着ヘッド等
でハンドリングされてきた上記キャップ13を矢印Aのよ
うに落とし込む。
First, a concave hole 21 made of a stainless steel or invar material having substantially the same linear expansion coefficient as that of the cap 13 and capable of positioning the cap 13 around the plate.
a and a plurality of concentric through-holes 21b are formed in the respective concave holes 21a of the first jig 21 in which a plurality of concentric through-holes 21b are formed. The cap 13 that has been handled in step (1) is dropped as shown by arrow A.

【0010】なお上述した凹孔21a は、例えば通常の放
電加工技術等を利用することで容易に形成することがで
きる。次いで、該第1の治具21と同じ材料からなる板状
で上記凹孔21a と対応する各位置に該凹孔21a と等しい
貫通孔22a が形成されている第2の治具22を、矢印Bの
ように該第1の治具21に位置決めして重ね合わせる。
The above-described recess 21a can be easily formed by using, for example, a normal electric discharge machining technique. Next, a second jig 22 having a plate-like shape made of the same material as the first jig 21 and having a through-hole 22a equal to the concave hole 21a at each position corresponding to the concave hole 21a is indicated by an arrow. As shown in B, it is positioned on the first jig 21 and overlapped.

【0011】更に、該第2の治具22の各貫通孔22a に矢
印Cの如く表裏反転させた状態で吸着ヘッド等でハンド
リングされてきたパッケージ12を落とし込むと、(6-2)
の(a) に示す状態にすることができる。
Further, when the package 12 which has been handled by a suction head or the like is dropped into each through hole 22a of the second jig 22 in a state of being turned upside down as shown by an arrow C, (6-2)
(A).

【0012】この場合、上述した第1の治具21の凹孔21
a の深さd1と該第2の治具22の厚さt1との和“d1+t1
は、上述した半導体装置1の厚さすなわちパッケージ12
の厚さt2とキャップ13の厚さt3との和“t2+t3”より僅
かに小さくなるように設定されているので、(6-2) の
(a) におけるパッケージ裏面12b は第2の治具22の表面
22b から僅かに突出する。
In this case, the recess 21 of the first jig 21 described above is used.
The sum “d 1 + t 1 ” of the depth d 1 of a and the thickness t 1 of the second jig 22
Is the thickness of the semiconductor device 1 described above, that is, the package 12
Is set to be slightly smaller than the sum “t 2 + t 3 ” of the thickness t 2 of the cap 13 and the thickness t 3 of the cap 13.
The package back surface 12b in (a) is the front surface of the second jig 22
Projects slightly from 22b.

【0013】そこで例えば(6-2) の(b) で示す如き第3
の治具としてのクリップ23をキャップ13とパッケージ12
の各露出面を挟むように装着すると、上記貫通孔21b を
通ってキャップ13の表面(図では下面)に接触するフッ
ク23a -1とパッケージ12の裏面(図では上面)に接触す
るフック 23b-2とで挟持された封止前の半完成半導体装
置1′が複数個整列配置された治具完成体24を構成する
ことができる。
Therefore, for example, the third method shown in (b) of (6-2)
Clip 13 as a jig, cap 13 and package 12
When installed so as to sandwich the respective exposed surfaces of the hook 23b in contact with the rear surface of the hook 23a -1 and the package 12 (in the drawing the underside) surface of the cap 13 through the through hole 21b into contact with (in the figure the upper surface) - it can be 2 and semi-finished semiconductor device before sealing sandwiched by 1 'constitutes a plurality - aligned jig finished body 24.

【0014】なお該クリップ23に係合させるコイルばね
23b を適当に設計することで、上記パッケージ12とキャ
ップ13間の押圧力を所要値(例えば 250〜500g)範囲内
に設定するようにしている。
A coil spring to be engaged with the clip 23
By appropriately designing 23b, the pressing force between the package 12 and the cap 13 is set to a required value (for example, 250 to 500 g).

【0015】そこで、注入する窒素(N2)ガス25で満たさ
れた加熱チャンバ26内を移動するコンベアベルト27上に
上記治具完成体24を載置し、後述するはんだ13a として
の封止条件(例えば 280〜300 ℃の温度で5〜6分程
度)を満足するように加熱チャンバ26の大きさに合わせ
たコンベアベルト27の移動速度と加熱温度とを設定し、
上述したパッケージ12とキャップ13とを封止固定するよ
うにしている。
Therefore, the jig completed body 24 is placed on a conveyor belt 27 which moves in a heating chamber 26 filled with a nitrogen (N 2 ) gas 25 to be injected, and sealing conditions as a solder 13 a described later are used. (For example, about 5 to 6 minutes at a temperature of 280 to 300 ° C.), the moving speed and the heating temperature of the conveyor belt 27 are set according to the size of the heating chamber 26,
The package 12 and the cap 13 described above are sealed and fixed.

【0016】なおこの場合の該加熱はコンベアベルト27
の下部に設けたコイルヒータ26a による熱の輻射・対流
によって行われる。以後該治具完成体24を冷却した後、
第3の治具としてのクリップ23を外し更に第1,第2の
各治具21,22 を開離して所要の封止形の半導体装置1を
取り出すようにしている。
In this case, the heating is performed by the conveyor belt 27.
The heat is radiated and convected by a coil heater 26a provided at the lower part of the heater. After cooling the jig completed body 24,
The clip 23 serving as the third jig is removed, and the first and second jigs 21 and 22 are further separated to take out the required sealed semiconductor device 1.

【0017】かかる治具完成体24による封止方法では、
封止時の熱によるパッケージ内部の気体膨張に起因する
封止不良がクリップ23で抑制し得るメリットがある。横
軸Xを加熱温度T(℃)とし縦軸Yを加熱時間t(秒)
とした図7で、ハッチング域Eは上述したはんだ13a に
よる封止特性の品質保証域を示している。
In the sealing method using the completed jig 24,
There is an advantage that the sealing failure due to the gas expansion inside the package due to the heat at the time of sealing can be suppressed by the clip 23. The horizontal axis X is the heating temperature T (° C.), and the vertical axis Y is the heating time t (second).
In FIG. 7, a hatched area E indicates a quality assurance area of the sealing characteristics by the solder 13a.

【0018】そしてこの場合の該品質保証域Eは、例え
ば 500℃で加熱するときはその時間を2〜10秒程度にし
また 300℃程度で加熱するときは該加熱時間を 300〜 6
00秒の間にすることが望ましいことを示している。
In this case, the quality assurance range E is set, for example, to about 2 to 10 seconds when heating at 500 ° C. and to about 300 to 6 hours when heating at about 300 ° C.
This indicates that it is desirable to be within 00 seconds.

【0019】従って、図6で説明した加熱チャンバ26の
大きさや温度とコンベアベルト27の移動速度とを上記ハ
ッチング域Eに合致するように設定することで、品質的
に優れた封止作業を実現することができる。
Therefore, by setting the size and temperature of the heating chamber 26 and the moving speed of the conveyor belt 27 described with reference to FIG. 6 so as to match the hatched area E, a sealing operation excellent in quality is realized. can do.

【0020】[0020]

【発明が解決しようとする課題】しかし上述した治具完
成体による封止方法では、 治具自体の製作に費用がかかる 治具完成体24を構成するのに時間がかかる 加熱時の治具の変形で半導体装置に応力ストレスがか
かる場合がある 治具完成体24をコンベアで移動させるので、半導体装
置外面に異物等が付着し易い 等の問題があった。
However, in the sealing method using the completed jig described above, it is costly to manufacture the jig itself. It takes time to construct the completed jig 24. In some cases, stress is applied to the semiconductor device due to deformation. Since the jig completed body 24 is moved by the conveyor, there is a problem that foreign matter and the like easily adhere to the outer surface of the semiconductor device.

【0021】更に上述した治具完成体による封止方法で
は、輻射・対流による熱で半完成半導体装置1′を加熱
するので該半導体装置1′と同時に治具も加熱されるこ
とになり、 治具としての熱容量が大きいので予熱エリヤと冷却エ
リヤをそれぞれ大きくとる必要があり、結果的に窒素ガ
スを充満させる加熱チャンバの大型化と封止作業の長時
間化及び窒素ガスの注入継続による該ガスの使用量増大
を招き易い 等のデメリットがあって生産性向上を期待することがで
きないと言う問題があった。
Further, in the above-described sealing method using the completed jig, the semi-finished semiconductor device 1 'is heated by heat due to radiation and convection, so that the jig is also heated simultaneously with the semiconductor device 1'. Since the heat capacity of the tool is large, it is necessary to increase the preheating area and the cooling area respectively. However, there is a disadvantage in that productivity cannot be expected due to disadvantages such as an increase in the use amount of the resin.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】上記課題は、電子デバイ
ス素子が搭載された有底箱形のパッケージ開口端面に、
予備はんだされたキャップを不活性ガス雰囲気中での加
熱で封止固定する電子デバイスのキャップ封止装置であ
って、パッケージ保持板の整列した所定位置近傍に載置
された封止前のパッケージとキャップとを一括して該所
定位置に位置決めして保持し得る手段が備えられて装置
筐体板に固定されるパッケージ位置決め保持部と、積み
重ね状態の上記封止前のパッケージとキャップとが位置
する上記所定位置を少なくとも含む領域を不活性ガス噴
出口を備えて個々に個室化し、且つ該各個室域における
キャップ表面を一括して押圧または解除する手段が備え
られて上記パッケージ位置決め保持部の上面対応位置に
固定する、キャップ押圧部と、上記パッケージ位置決め
保持部下側の各パッケージ配置位置と対応するそれぞれ
の位置に、上昇時に該各パッケージ底面と接触し得るよ
うに配置された上下動可能な下側ヒータと、上記キャッ
プ押圧部上側の各キャップ配置位置と対応するそれぞれ
の位置に、上記キャップ表面への押圧手段が施された状
態で下降させたときに該各キャップ上面と接触し得るよ
うに形成された加熱面を持って配置された上下動可能な
上側ヒータと、を少なくとも備えている電子デバイスの
キャップ封止装置によって解決される。
An object of the present invention is to provide a bottomed box-shaped package opening end face on which an electronic device element is mounted,
An electronic device cap sealing device for sealing and fixing a pre-soldered cap by heating in an inert gas atmosphere, comprising a package before sealing placed near a predetermined position where a package holding plate is aligned. A package positioning / holding portion, which is provided with means for collectively positioning and holding the cap at the predetermined position and fixed to the apparatus housing plate, and the package and the cap before sealing in a stacked state are located. A region including at least the predetermined position is individually divided into individual chambers with an inert gas ejection port, and means for collectively pressing or releasing the cap surface in each of the individual chamber regions is provided. At the time of ascending to the position corresponding to each package arrangement position below the cap pressing part and the package positioning holding part to be fixed to the position, A lower heater which can be moved up and down and arranged so as to be able to come into contact with the respective package bottom surfaces, and a pressing means for pressing the cap surface are provided at respective positions corresponding to the respective cap arrangement positions above the cap pressing portion. A vertically movable upper heater disposed with a heating surface formed so as to be able to come into contact with the upper surface of each cap when lowered in a state in which the cap sealing device of the electronic device is provided. Will be resolved.

【0023】[0023]

【作用】不活性ガスを充満させる加熱チャンバが半完成
半導体装置ごとに個室化し得るように形成したキャップ
封止装置を構成すると、該個室を充満させる不活性ガス
量が少なくて済むので封止装置としての全体の不活性ガ
ス使用量を減らすことができる。
When a cap sealing device is formed such that a heating chamber filled with an inert gas can be separated into individual chambers for each semi-finished semiconductor device, the amount of the inert gas filling the single chamber can be reduced. As a result, the total amount of inert gas used can be reduced.

【0024】また、半完成半導体装置ごとにその上下面
との接触で加熱し得るヒータを設けて封止装置を構成す
ると、上述した予熱エリヤと冷却エリヤをそれぞれ設け
る必要をなくすことができて封止装置としての小型化を
実現することができる。
Further, if a sealing device is provided for each semi-finished semiconductor device by providing a heater that can be heated by contacting the upper and lower surfaces thereof, it is possible to eliminate the necessity of providing the above-described preheating area and cooling area, respectively. The downsizing as the stopping device can be realized.

【0025】そこで本発明では、半完成半導体装置ごと
に不活性ガス注入可能に個室化された領域に、ハンドリ
ングされた半完成半導体装置を位置決めして固定する機
構と該半完成半導体装置のキャップ面を冷却完了時まで
押圧し得る機構、及び該半完成半導体装置をその上下面
から加熱し得る手段とが設けられた半導体装置保持機構
部を備えてキャップ封止装置を構成するようにしてい
る。
Therefore, in the present invention, a mechanism for positioning and fixing a handled semi-finished semiconductor device in a region divided into individual chambers so that an inert gas can be injected for each semi-finished semiconductor device, and a cap surface of the semi-finished semiconductor device Is provided with a semiconductor device holding mechanism provided with a mechanism capable of pressing the semiconductor device until cooling is completed and a means capable of heating the semi-finished semiconductor device from above and below.

【0026】従って、封止時の熱によるパッケージ内部
の気体膨張に起因する封止不良を自動的に抑制しなが
ら、従来より小型で封止作業時間が短縮化し得る封止装
置を少ない不活性ガスの使用量の元で構成することがで
きて、生産性向上を期待することができる。
Therefore, a sealing device which is smaller in size than the conventional one and can shorten the sealing operation time while automatically suppressing sealing defects caused by gas expansion inside the package due to heat at the time of sealing can be provided with less inert gas. , The productivity can be improved.

【0027】[0027]

【実施例】側断面視して示した図1は本発明になる封止
装置の主要部を原理的に説明する図であり、(1-1) は封
止前の状態をまた (1-2)は封止時の状態を示している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 showing a sectional side view is a view for explaining the principle of the main part of the sealing device according to the present invention, and (1-1) shows the state before sealing. 2) shows a state at the time of sealing.

【0028】図2は封止装置主要部の構成例を説明する
図、図3は封止装置主要部の組立状態を示す図である。
また図4はキャップ封止方法を工程的に説明する図であ
り、図5は封止作業後の製品取り出し方法を工程的に説
明する図である。
FIG. 2 is a view for explaining an example of the configuration of the main part of the sealing device, and FIG. 3 is a view showing an assembled state of the main part of the sealing device.
FIG. 4 is a view for explaining the cap sealing method in steps, and FIG. 5 is a view for explaining the product removal method after the sealing operation in steps.

【0029】なお図ではいずれも図6で説明した半導体
装置に適用させた場合を例としているので、図6と同じ
対象部材や部位には同一の記号を付して表わすと共に重
複する説明についてはそれを省略する。
In the drawings, the case where the present invention is applied to the semiconductor device described with reference to FIG. 6 is used as an example. I omit it.

【0030】図1の(1-1) で、個々の半完成半導体装置
1′に対応する大きさを持つ箱形でステンレス鋼の如き
金属からなる個室チャンバ31の側壁面には窒素(N2)ガス
25を注入するためのポート31a が設けられていると共
に、底面には上記半完成半導体装置1′をそのパッケー
ジ周辺で保持して位置決めし得るステイ31b とそれに位
置決めされた該半完成半導体装置1′のパッケージ下面
に対応して位置するカートリッジヒータ埋設形の下側ヒ
ータ32を貫通させ得る大きさの孔31c とが形成され、更
に上面には上記ステイ31b に位置決めされた該半完成半
導体装置1′のキャップ上面と対応して位置するカート
リッジヒータ埋設形の上側ヒータ33を貫通させ得る孔31
d が形成されている。
[0030] In (1-1) of FIG. 1, nitrogen (N 2 on the side wall surface of the compartment chambers 31 made of a metal such as stainless steel box-shaped having a size corresponding to each of the semi-finished semiconductor device 1 ' )gas
A port 31a for injecting the semi-finished semiconductor device 1 'is provided on the bottom surface of the semi-finished semiconductor device 1'. A hole 31c large enough to penetrate the lower heater 32 embedded in the cartridge heater, which is positioned corresponding to the lower surface of the package, is formed, and the semi-finished semiconductor device 1 'positioned on the stay 31b is further formed on the upper surface. Hole 31 through which the upper heater 33 of the cartridge heater buried type located corresponding to the upper surface of the cap can be penetrated.
d is formed.

【0031】なお、この場合の該上側ヒータ33の下側に
位置する加熱面33a には後述するクランパ34との接触を
避けるための溝33b が形成されている。また該個室チャ
ンバ31と上記上側ヒータ33との間には、図示されない機
構でP点を中心として回動し得るレバー状のクランパ34
が配設されており、該クランパ34が矢印F方向に回動し
たときにはその先端34a が上記キャップ13の表面を所定
の押圧力で押下するようになっている。
In this case, a groove 33b is formed on the heating surface 33a located below the upper heater 33 to avoid contact with a clamper 34 described later. A lever-shaped clamper 34 that can rotate around point P by a mechanism (not shown) is provided between the private chamber 31 and the upper heater 33.
When the clamper 34 rotates in the direction of the arrow F, the tip 34a of the clamper 34 presses the surface of the cap 13 with a predetermined pressing force.

【0032】なおかかる個室チャンバ31では、上記ポー
ト31a から個室チャンバ内に注入される窒素ガス25が各
孔31c,31d から矢印Gの如く流出するので、該窒素ガス
25の注入を継続することで個室チャンバ内を容易に該ガ
スで満たすことができる。
In the private chamber 31, the nitrogen gas 25 injected into the private chamber from the port 31 a flows out from each of the holes 31 c and 31 d as shown by the arrow G.
By continuing the injection of 25, the inside of the private chamber can be easily filled with the gas.

【0033】そこで上記ポート31a からの窒素ガス注入
を継続した状態で、 400〜450 ℃に加熱された下側ヒー
タ32を上昇せしめてパッケージ12の底面に当接せしめ該
パッケージ12を例えば2〜5秒間予熱する。
Then, while the nitrogen gas is being injected from the port 31a, the lower heater 32 heated to 400 to 450.degree. C. is raised and brought into contact with the bottom surface of the package 12, so that the package 12, Preheat for seconds.

【0034】次いで、上記クランパ34を回動させてその
先端34a で半完成半導体装置1′のキャップ面を押圧し
た後、 450〜500 ℃に加熱された上側ヒータ33を降下せ
しめてキャップ13の表面に2〜10秒間程度接触させる
と、(1-2) に示す状態になってパッケージ12にキャップ
13を封止固定することができる。
Next, the clamper 34 is rotated to press the cap surface of the semi-finished semiconductor device 1 'with its tip 34a, and then the upper heater 33 heated to 450 to 500.degree. To the package 12 for about 2 to 10 seconds, as shown in (1-2).
13 can be sealed and fixed.

【0035】なお、上側ヒータ33の加熱面33a には上述
した溝33b が形成されているので、該クランパ34に制約
されることなくキャップ面を加熱することができる。従
って、以後下側ヒータ32と上側ヒータ33を該半導体装置
1から開離させた状態で例えば窒素ガス25の流量を増や
して冷却した後、上記クランパ34を逆方向に回動して(1
-1) の状態に戻すことで所要の半導体装置1を図6同様
に構成することができる。
Since the above-mentioned groove 33b is formed in the heating surface 33a of the upper heater 33, the cap surface can be heated without being restricted by the clamper 34. Therefore, after the lower heater 32 and the upper heater 33 are separated from the semiconductor device 1 and then cooled by, for example, increasing the flow rate of the nitrogen gas 25, the clamper 34 is rotated in the opposite direction (1).
By returning to the state of -1), the required semiconductor device 1 can be configured as in FIG.

【0036】封止装置の主要部を示した図2で半導体装
置保持機構部5は、大別すると封止装置筐体板4の上側
表面に固定されたパッケージ位置決め保持部51と該保持
部51の上面に固定されたキャップ押圧部61とからなる。
In FIG. 2 showing the main part of the sealing device, the semiconductor device holding mechanism 5 is roughly divided into a package positioning holding portion 51 fixed to the upper surface of the sealing device housing plate 4 and the holding portion 51. And a cap pressing portion 61 fixed to the upper surface of the cap.

【0037】この内パッケージ位置決め保持部51は、封
止装置筐体板4の上面4aに固定されたエアシリンダ511
の作動に係合して該面に突出して設けたあり4bをガイド
として図示X方向に往復動し得るブロック512 と、上記
上面4aから突出する段差面4cの上記エアシリンダ511 と
直交する方向に固定されたエアシリンダ513 の作動に係
合して該段差面4cに突出して設けたあり4dをガイドとし
て図示Y方向に往復動し得るラックブロック514 、該ラ
ックブロック514 の幅方向片側の側辺に近接するように
該段差面4cに固定されたパッケージ保持板515 、及び該
パッケージ保持板上面所定域のX方向に等ピッチ間隔に
植設した複数のピン軸516 を中心として回動し得るよう
に該パッケージ固定板上に装着された位置決めレバー51
7 を主要構成部材として構成されている。
The inner package positioning / holding portion 51 includes an air cylinder 511 fixed to the upper surface 4a of the sealing device housing plate 4.
A block 512 which can reciprocate in the X direction in the drawing by using a dovetail 4b provided on the surface in engagement with the operation of A rack block 514, which engages with the operation of the fixed air cylinder 513 and protrudes from the step surface 4c and can reciprocate in the Y direction in the drawing using a dovetail 4d as a guide, a side of the rack block 514 on one side in the width direction. The package holding plate 515 is fixed to the stepped surface 4c so as to be close to the main body, and a plurality of pin shafts 516 planted at equal intervals in the X direction in a predetermined area of the upper surface of the package holding plate. The positioning lever 51 mounted on the package fixing plate
7 as a main component.

【0038】そして図6で説明した“d1+t1”とほぼ等
しい厚さを持つ該位置決めレバー517 は、その端部517a
は上記ブロック512 の上面対応位置に植設されたピン52
1 との当接で図面左方向すなわちX1方向への回動が規制
されるようになっていると共に、他端はその先端が図6
で説明したパッケージ12の周壁エッジを捕捉し得る角形
フック517bに形成され、更にその回転中心と上記端部51
7aとの中間に上記X1方向に付勢されたコイルばね522 に
よって常時上記ピン521 と接触するようになっている。
The positioning lever 517 having a thickness substantially equal to "d 1 + t 1 " described with reference to FIG.
Is a pin 52 implanted at a position corresponding to the upper surface of the block 512.
With the rotation in the contact to the drawings the left direction, i.e. the direction X 1 is adapted to be regulated between 1 and the other end is the tip 6
Is formed on a rectangular hook 517b capable of catching the peripheral wall edge of the package 12 described in
To come into contact at all times the pin 521 by a coil spring 522 which intermediate is urged in the X 1 direction and 7a.

【0039】従って、上述したエアシリンダ511 の作動
で上記ブロック512 が図面右方向すなわちX2方向に移動
すると該ブロック512 と共に移動するピン521 によって
位置決めレバー517 が上記コイルばね522 に抗して右方
向に回動し、該エアシリンダ511 の作動でブロック512
がX1方向に移動すると該コイルばね522 によって該レバ
ー517 が上記ピン521 に追従して左方向に回動する。
[0039] Thus, the right positioning lever 517 by a pin 521 to move the block 512 with the block 512 when moving in the right direction of the drawing i.e. X 2 direction by operation of the air cylinder 511 as described above is against the coil spring 522 The air cylinder 511 operates to block 512
There the lever 517 is rotated to the left, following the above pin 521 by the coil spring 522 when moved in the X 1 direction.

【0040】またパッケージ保持板515 には、上記位置
決めレバー517 とほぼ同じ厚さで該レバー517 の角形フ
ック517bと対応して上記パッケージ12の対角側の周壁エ
ッジを捕捉し得るフック爪523 が固定されていると共
に、上記レバー517 の角形フック517bと該フック爪523
とで捕捉位置決めされたパッケージ12の中心対応位置に
はa〜a′で切断したときの円内断面図(a) に示す如く
図1で説明した下側ヒータ32の裏面側からの挿入でその
先端部のみが貫通し得る段差孔515aが形成されている。
The package holding plate 515 has a hook claw 523 having substantially the same thickness as that of the positioning lever 517 and corresponding to the rectangular hook 517b of the lever 517 and capable of catching the diagonal peripheral wall edge of the package 12. While being fixed, the rectangular hook 517b of the lever 517 and the hook
At the position corresponding to the center of the package 12 captured and positioned as described above, as shown in FIG. 1A, the lower heater 32 is inserted from the back side as shown in FIG. A step hole 515a through which only the tip part can penetrate is formed.

【0041】従って、パッケージ保持板515 に上記パッ
ケージ12が捕捉位置決めされた状態でその裏面側から上
記下側ヒータ32を挿入すると、該ヒータ32の上面を該パ
ッケージ12の底面に接触させることができる。
Therefore, when the lower heater 32 is inserted from the back side of the package 12 with the package 12 captured and positioned on the package holding plate 515, the upper surface of the heater 32 can be brought into contact with the bottom surface of the package 12. .

【0042】一方、キャップ押圧部61は、平面視が上述
したパッケージ保持板515 と同じ大きさの同質材からな
り各パッケージ位置決め領域を少なくとも含む該保持板
515の破線Hで示す領域が厚さ方向に貫通した角孔611a
に形成されている個室形成板611 と、パッケージ保持位
置から離れた領域で該角孔形成域をパッケージ整列方向
すなわちX方向に貫通する回転自在なピニヨン軸612 、
該ピニヨン軸612 の個室形成板611 から突出する片側端
部に固定されたピニヨン613 、該ピニヨン軸612 の角孔
611aにおける露出部に固定されたカンチレバー式のクラ
ンパ614 、およびカバー615 を主要構成部材として構成
されている。
On the other hand, the cap pressing portion 61 is made of the same material having the same size as the above-described package holding plate 515 in a plan view, and includes at least each package positioning region.
An area 515a indicated by a broken line H is a square hole 611a penetrating in the thickness direction.
A rotatable pinion shaft 612 that penetrates the square hole forming region in the package alignment direction, that is, the X direction in a region away from the package holding position;
A pinion 613 fixed to one end of the pinion shaft 612 protruding from the private chamber forming plate 611; a square hole of the pinion shaft 612;
A cantilever-type clamper 614 fixed to an exposed portion of 611a and a cover 615 are configured as main components.

【0043】そして、封止前のパッケージとキャップを
積み重ねたときの高さを少なくとも越える厚さを有する
この場合の該個室形成板611 には、その壁面外側に装着
されている窒素ガス注入ポート611bに繋がる気流孔611c
が各角孔611aへの開口を備えて埋設されいる。
The single chamber forming plate 611 in this case, having a thickness at least exceeding the height when the package and the cap before sealing are stacked, is provided with a nitrogen gas injection port 611b mounted on the outer wall surface thereof. Air hole 611c leading to
Are embedded with openings to the respective square holes 611a.

【0044】なお図の切欠部611dは、該形成板611 を上
記パッケージ保持板515 に位置決め保持したときの上記
位置決めレバー517 との接触を避けるための逃げとして
形成したものである。
The notch 611d in the figure is formed as an escape for avoiding contact with the positioning lever 517 when the forming plate 611 is positioned and held on the package holding plate 515.

【0045】またピニヨン613 は、該個室形成板611 を
上記パッケージ保持板515 に位置決めして保持したとき
に該保持板515 に近接して移動可能に配設されている上
述したラックブロック514 のラック514aと噛み合う大き
さと歯形を備えて形成されている。
The pinion 613 is a rack of the above-described rack block 514 which is disposed so as to be movable close to the holding plate 515 when the single-chamber forming plate 611 is positioned and held on the package holding plate 515. It is formed with a size and a tooth shape that mesh with 514a.

【0046】更に上記ピニヨン軸612 と一体化したレバ
ー状のクランパ614 は、該軸612 をほぼ90度回転させた
ときに鍵状に曲がった先端614aが位置決めされたパッケ
ージ12上のキャップ13のほぼ中央域を押圧し得るように
形成されている。
Further, the lever-shaped clamper 614 integrated with the pinion shaft 612 is substantially the same as the cap 13 on the package 12 on which the key-shaped bent tip 614a is positioned when the shaft 612 is rotated substantially 90 degrees. It is formed so that the central area can be pressed.

【0047】またカバー615 には、上記個室形成板611
を介して上記パッケージ保持板515に保持したときの位
置決めされたパッケージ12と対応する領域に図1で説明
した上部ヒータ33が貫通し得る大きさの孔615aと、ほぼ
垂直状態から約90度回動する上記クランパ614 との接触
を避けるための溝615bとが連設されている。
The cover 615 is provided with the private chamber forming plate 611.
A hole 615a large enough to allow the upper heater 33 described with reference to FIG. 1 to penetrate into a region corresponding to the package 12 positioned and held by the package holding plate 515 via A groove 615b for avoiding contact with the moving clamper 614 is provided continuously.

【0048】そこで、上述したパッケージ保持板515 の
上面に上記キャップ押圧部61を V印Iのように搭載し
た後例えばねじ616 等で両者を固定することで、所要の
半導体装置保持機構部5を図3に示すように構成するこ
とができる。
Then, after mounting the cap pressing portion 61 on the upper surface of the above-mentioned package holding plate 515 as shown by the V mark I and fixing them together with, for example, screws 616 or the like, the required semiconductor device holding mechanism 5 can be mounted. It can be configured as shown in FIG.

【0049】かかる半導体装置保持機構部5では、図2
で説明したラックブロック514 とピニヨン613 とが噛み
合っているので、エアシリンダ513 の作動で該ラックブ
ロック514 を図示Y1方向に移動せしめるとクランパ614
を矢印J方向に回動させることができる。
In the semiconductor device holding mechanism 5 shown in FIG.
In since the rack blocks 514 and pinion 613 described is engaged, when allowed to move the rack block 514 shown Y 1 direction by operation of the air cylinder 513 clamper 614
Can be rotated in the direction of arrow J.

【0050】また該半導体装置保持機構部5を構成する
キャップ押圧部61の個室形成板611の窒素ガス注入ポー
ト611bから窒素ガスを注入すると、該ガスは図2で説明
したように気流孔611cを経由して段差孔515 と図示のカ
バー615 の孔615aから流出するが、このことは個室形成
板611 の各角孔611a換言すれば半導体装置ごとの個室が
該ガスで満たされるここと示している。
When nitrogen gas is injected from the nitrogen gas injection port 611b of the private chamber forming plate 611 of the cap pressing portion 61 constituting the semiconductor device holding mechanism 5, the gas flows through the gas flow hole 611c as described in FIG. The gas flows out through the step hole 515 and the hole 615a of the illustrated cover 615 through the square hole 611a of the private chamber forming plate 611, in other words, the individual chamber of each semiconductor device is filled with the gas. .

【0051】従って、窒素ガス注入ポート611bからの窒
素ガス注入を継続しながら図2で説明したエアシリンダ
511,513 の作動と図1で説明した上下各ヒータ32,33 の
上下動を適当に行わせることで、窒素ガス雰囲気中にお
ける封止作業を実現することができる。
Accordingly, while continuously injecting nitrogen gas from the nitrogen gas injection port 611b, the air cylinder described with reference to FIG.
The sealing operation in a nitrogen gas atmosphere can be realized by appropriately performing the operation of 511 and 513 and the vertical movement of each of the upper and lower heaters 32 and 33 described in FIG.

【0052】以下、図3を矢印K方向からの断面視で表
した図4と図5で半導体装置としての封止方法とその後
の取り出し方法を順を追って説明する。封止方法を説明
する図4の(4-1) で、パッケージ保持板515 の表面には
流気孔611cが埋設された個室形成板611 が固定されてお
り、各個室を形成する角孔611aの領域には固定されたフ
ック爪523 と位置決めレバーの角形フック517b及びクラ
ンパ614 とがそれぞれ位置している。
4 and 5, which show FIG. 3 in a cross-sectional view from the direction of arrow K, the sealing method as a semiconductor device and the subsequent removal method will be described in order. In (4-1) of FIG. 4 for explaining the sealing method, a private chamber forming plate 611 having flow holes 611c embedded therein is fixed to the surface of the package holding plate 515, and the rectangular holes 611a forming each private chamber are formed. A fixed hook claw 523, a rectangular hook 517b of a positioning lever, and a clamper 614 are located in the area.

【0053】そこで、上記流気孔611cを通る窒素ガス25
を各個室域に噴出させながら、周壁端面を上側として図
示されないストッカ等に保管されている破線で示すパッ
ケージ12を例えば吸着ヘッド50によるハンドリングで上
記パーケージ保持板515 の表面に載置した後、図2で説
明したエアシリンダ511 の作動で位置決めレバーを回動
せしめると、その角形フック517bと固定された上記フッ
ク爪523 の間に該パッケージ12を図示の如く位置決め保
持することができる。
Therefore, the nitrogen gas 25 passing through the flow holes 611c
After the package 12 indicated by a broken line stored in a stocker or the like (not shown) is placed on the surface of the package holding plate 515 by, for example, handling with the suction head 50, while the peripheral wall end face is facing upward, When the positioning lever is rotated by the operation of the air cylinder 511 described in 2 above, the package 12 can be positioned and held between the square hook 517b and the fixed hook claw 523 as shown in the figure.

【0054】次いで、パーケージ保持板515 の下側に位
置し 400〜450 ℃に加熱されている図1で説明した下側
ヒータ32の上昇による接触で該パーケージ12を2〜5秒
間予熱した後、(4-2) に示す如くはんだ形成面を下側と
して図示されないストッカ等に保管されている破線で示
すキャップ13を吸着ヘッド50によるハンドリングで上記
パーケージ12の開口側に載置し、更に図2で説明したエ
アシリンダ513 の作動で上記クランパ614 を回動させて
その先端で該キャップ13の表面を押圧する。
Next, after the package 12 is preheated for 2 to 5 seconds by contact by raising the lower heater 32 described below with reference to FIG. 1 which is located below the package holding plate 515 and heated to 400 to 450 ° C. As shown in (4-2), the cap 13 indicated by a broken line stored in a stocker or the like (not shown) with the solder forming surface on the lower side is placed on the opening side of the package 12 by handling with the suction head 50, and FIG. The clamper 614 is rotated by the operation of the air cylinder 513 described above, and the tip thereof presses the surface of the cap 13.

【0055】そこで、 450℃程度に加熱されている図1
で説明した上側ヒータ33を降下させてその加熱面33a を
該キャップ13の表面に5〜6秒程度接触させると、該キ
ャップ13のはんだを溶融することができる。
Therefore, FIG. 1 being heated to about 450 ° C.
By lowering the upper heater 33 described above and bringing the heating surface 33a into contact with the surface of the cap 13 for about 5 to 6 seconds, the solder of the cap 13 can be melted.

【0056】(4-3) はこのときの状態を示したものであ
る。そして(4-4) に示すように該上側ヒータ33と下側ヒ
ータ32とを開離方向にそれぞれ移動せしめた後上述した
窒素ガス25の流量を例えば 50 〜100 %程度増量して噴
出せしめ該パーケージやキャップ表面を冷却すること
で、上記パーケージ12とキャップ13とを封止固定するこ
とができる。
(4-3) shows the state at this time. Then, as shown in (4-4), the upper heater 33 and the lower heater 32 are respectively moved in the separating direction, and then the flow rate of the above-mentioned nitrogen gas 25 is increased by, for example, about 50 to 100% and ejected. By cooling the package and the cap surface, the package 12 and the cap 13 can be sealed and fixed.

【0057】この場合、封止時間帯の全てがクランパ61
4 で押圧された状態にあると共に不活性ガスとしての窒
素ガスに覆われた状態にあるので、封止時の熱によるパ
ッケージ内部の気体膨張に起因する封止不良をはんだ材
としての最良の条件下で抑制することができる。
In this case, the entire sealing time zone is
4) In the state pressed in and covered with nitrogen gas as an inert gas, sealing failure due to gas expansion inside the package due to heat during sealing is the best condition for solder material. Can be suppressed below.

【0058】従って以後、エアシリンダ513 の逆作動で
上記クランパ614 を初期位置すなわち破線位置まで回動
させることで、確実に封止された半導体装置1を得るこ
とができる。
Thereafter, by rotating the clamper 614 to the initial position, that is, the position indicated by the broken line by the reverse operation of the air cylinder 513, the sealed semiconductor device 1 can be reliably obtained.

【0059】該半導体装置1の取り出し方法を説明する
図5で、(5-1) は図4の(4-4) における上記窒素ガス25
の注入を停止してからエアシリンダ513 の作動で上述し
たクランパ614 を約90度逆方向に回転せしめた状態を示
している。
5A and 5B for explaining a method of taking out the semiconductor device 1, FIG. 5A shows the case where the nitrogen gas 25 shown in FIG.
In this state, the above-described clamper 614 is rotated in the reverse direction by about 90 degrees by the operation of the air cylinder 513 after the injection of water is stopped.

【0060】そこで、エアシリンダ511 の作動で位置決
めレバーの角形フック517bによる該半導体装置1の保持
を解除して(5-2) の状態にする。次いで(5-3) に示す如
く、図4の(4-1) で説明した吸着ヘッド50で該半導体装
置1をそのキャップ面で把持せしめ次工程の所要箇所に
ハンドリングさせることで、(5-4) ひいては図4の(4-
1) で示す初期の状態に戻すことができる。
Therefore, the holding of the semiconductor device 1 by the rectangular hook 517b of the positioning lever is released by the operation of the air cylinder 511, and the state of (5-2) is established. Then, as shown in (5-3), the semiconductor device 1 is gripped on the cap surface by the suction head 50 described in (4-1) of FIG. 4) As a result, (4-
The initial state shown in 1) can be returned.

【0061】かかる半導体装置保持機構部を備えた封止
装置では、従来の工程で使用した加熱チャンバが不必要
であると共にパッケージ12やキャップ13の加熱が各対応
するヒータ32,33 の接触で行われるので、装置としての
小型化と自動化による作業時間の短縮が実現できるメリ
ットがある。
In the sealing device provided with such a semiconductor device holding mechanism, the heating chamber used in the conventional process is unnecessary, and the package 12 and the cap 13 are heated by the contact of the corresponding heaters 32 and 33. Therefore, there is an advantage that the working time can be reduced by miniaturization and automation of the apparatus.

【0062】更に、不活性ガスとしての窒素ガスで満た
す領域を各半導体装置ごとに個室化していることとその
供給を間欠化しているため、装置としての不活性ガス使
用量が削減できるメリットもある。
Further, since the region filled with nitrogen gas as an inert gas is separated into individual chambers for each semiconductor device and the supply thereof is intermittent, there is an advantage that the amount of inert gas used as a device can be reduced. .

【0063】[0063]

【発明の効果】上述の如く本発明により、封止時の熱に
よるパッケージ内部の気体膨張に起因する封止不良を抑
制しつつ装置としての小型化と自動化を実現して生産性
向上を図った電子デバイスのキャップ封止装置とその封
止方法とを提供することができる。
As described above, according to the present invention, miniaturization and automation of the apparatus are realized while suppressing the sealing failure caused by gas expansion inside the package due to heat at the time of sealing, thereby improving productivity. A cap sealing device for an electronic device and a sealing method thereof can be provided.

【0064】なお本発明の説明では半導体装置としての
セラミックパッケージに金属製キャップを封止する封止
装置の場合を例としているが、半導体装置としてのセラ
ミックパッケージと金属製キャップに限定されるもので
なく、はんだを介して封止するものであれば如何なる電
子デバイスでもまた如何なる材質のパッケージとキャッ
プとの組合せでも同等の効果が得られることは明らかで
ある。
In the description of the present invention, a sealing device for sealing a metal cap in a ceramic package as a semiconductor device is taken as an example. However, the present invention is limited to a ceramic package and a metal cap as a semiconductor device. It is apparent that the same effect can be obtained with any electronic device or a combination of a package and a cap made of any material as long as it is sealed with solder.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明になる封止装置の主要部を原理的に説
明する図。
FIG. 1 is a view for principally explaining a main part of a sealing device according to the present invention.

【図2】 封止装置主要部の構成例を説明する図。FIG. 2 illustrates a configuration example of a main part of a sealing device.

【図3】 封止装置主要部の組立状態を示す図。FIG. 3 is a diagram showing an assembled state of a main part of the sealing device.

【図4】 キャップ封止方法を工程的に説明する図。FIG. 4 is a view for explaining a cap sealing method in steps.

【図5】 封止作業後の製品取り出し方法を工程的に説
明する図。
FIG. 5 is a diagram for explaining a method of removing a product after a sealing operation in steps.

【図6】 従来のキャップ封止方法を原理的に例示説明
する図。
FIG. 6 is a diagram illustrating the conventional cap sealing method in principle.

【図7】 はんだとしての封止条件を例示説明する図。FIG. 7 is a diagram illustrating an example of sealing conditions for solder.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体装置(電子デバイス) 1′ 半完成半導体装置 4 封止装置筐体板 4a 上面 4b,4d あり 4c 段差
面 5 半導体装置保持機構部 12 パッケージ 13 キャ
ップ 25 窒素ガス(不活性ガス) 31 個室チャンバ 31a 不活性ガス注入ポート 31b ステ
イ 31c,31d 孔 32 下側ヒータ 33 上側ヒータ 33a 加熱
面 33b 溝 34 クランパ 34a 先端 50 吸着ヘッド 51 パッケージ位置決め保持部 61 キャップ押圧部 511,513 エアシリンダ 512 ブロ
ック 514 ラックブロック 514a ラッ
ク 515 パッケージ保持板 515a 段差
孔 516 ピン軸 517 位置決めレバー 517a 一端 517b 角形フック 521 ピン 522 コイ
ルばね 523 フック爪 611 個室形成板 611a 角孔
(孔) 611b 不活性ガス注入ポート 611c 流気
孔 611d 切り欠け部 612 ピニヨン軸 613 ピニ
ヨン 614 クランパ 615 カバー 615a 孔 615b 溝 616 ねじ
Reference Signs List 1 semiconductor device (electronic device) 1 'semi-finished semiconductor device 4 sealing device housing plate 4a upper surface 4b, 4d provided 4c stepped surface 5 semiconductor device holding mechanism 12 package 13 cap 25 nitrogen gas (inert gas) 31 chamber with single chamber 31a Inert gas injection port 31b Stay 31c, 31d hole 32 Lower heater 33 Upper heater 33a Heating surface 33b Groove 34 Clamp 34a Tip 50 Suction head 51 Package positioning and holding unit 61 Cap pressing unit 511,513 Air cylinder 512 block 514 Rack block 514a Rack 515 Package holding plate 515a Step hole 516 Pin shaft 517 Positioning lever 517a One end 517b Square hook 521 Pin 522 Coil spring 523 Hook claw 611 Single chamber forming plate 611a Square hole (hole) 611b Inert gas injection port 611c Flow hole 611d Notch 612 Pinion shaft 613 Pinion 614 Clamper 615 Cover 615a Hole 615b Groove 616 Screw

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−208554(JP,A) 特開 平5−243407(JP,A) 実開 昭62−170639(JP,U) 実開 昭63−153540(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/56 H01L 23/00 - 23/10 H01L 23/16 - 23/26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-4-208554 (JP, A) JP-A-5-243407 (JP, A) JP-A-62-170639 (JP, U) JP-A-63 153540 (JP, U) (58) Fields studied (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/56 H01L 23/00-23/10 H01L 23/16-23/26

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 電子デバイス素子が搭載された有底箱形
のパッケージ開口端面に、予備はんだされたキャップを
不活性ガス雰囲気中での加熱で封止固定する電子デバイ
スのキャップ封止装置であって、 パッケージ保持板(515) の整列した所定位置近傍に載置
された封止前のパッケージとキャップとを一括して該所
定位置に位置決めして保持し得る手段が備えられて装置
筐体板(4) に固定されるパッケージ位置決め保持部(51)
と、 積み重ね状態の上記封止前のパッケージとキャップとが
位置する上記所定位置を少なくとも含む領域を不活性ガ
ス噴出口を備えて個々に個室化し、且つ該各個室域にお
けるキャップ表面を一括して押圧または解除する手段が
備えられて上記パッケージ位置決め保持部(51)の上面対
応位置に固定する、キャップ押圧部(61)と、 上記パッケージ位置決め保持部(51)下側の各パッケージ
配置位置と対応するそれぞれの位置に、上昇時に該各パ
ッケージ底面と接触し得るように配置された上下動可能
な下側ヒータ(32)と、 上記キャップ押圧部(61)上側の各キャップ配置位置と対
応するそれぞれの位置に、上記キャップ表面への押圧手
段が施された状態で下降させたときに該各キャップ上面
と接触し得るように形成された加熱面を持って配置され
た上下動可能な上側ヒータ(33)と、 を少なくとも備えていることを特徴とした電子デバイス
のキャップ封止装置。
1. A cap sealing device for an electronic device, wherein a pre-soldered cap is sealed and fixed to an open end surface of a boxed bottomed package on which an electronic device element is mounted by heating in an inert gas atmosphere. Means for positioning and holding the unsealed package and cap placed in the vicinity of the aligned predetermined position of the package holding plate (515) collectively at the predetermined position. (4) Package positioning holder (51) fixed to
An area including at least the predetermined position where the unsealed package and the cap in the stacked state are located is individually provided with an inert gas ejection port, and the cap surface in each of the individual chamber areas is collectively formed. A cap pressing portion (61), which is provided with a pressing or releasing means and is fixed at a position corresponding to the upper surface of the package positioning and holding portion (51), corresponds to each package arrangement position below the package positioning and holding portion (51). A lower heater (32) that can be moved up and down and arranged so as to be able to come into contact with each of the package bottom surfaces when ascending, and a cap corresponding to each of the cap positions above the cap pressing portion (61). The upper and lower sides are arranged with a heating surface formed so as to be able to come into contact with the upper surface of each cap when the cap surface is lowered with the pressing means applied to the surface of the cap. A possible upper heater (33), a cap sealing device for an electronic device characterized in that it comprises at least.
【請求項2】 請求項1記載の封止前のパッケージとキ
ャップとをパッケージ保持板上面の所定位置に位置決め
して保持する手段が、 装置筐体板(4) 上を一方向に往復動し得るブロック(51
2) 上面の該移動方向に整列して植設されたピン(521)
に一端で係合し、且つ該装置筐体板(4) に固定されたパ
ッケージ保持板(515) 上面の上記移動方向に整列して植
設したピン軸(516) を中心として回動する、位置決めレ
バー(517) の他端に設けた角形フック(517b)と該パッケ
ージ保持板上の同ピッチで整列した所定位置に固定され
たフック爪(523) とのパッケージ対角エッジ部での挟み
込みでなることを特徴とした電子デバイスのキャップ封
止装置。
2. The means for positioning and holding the package and cap before sealing according to claim 1 at a predetermined position on the upper surface of the package holding plate, reciprocates in one direction on the device housing plate (4). Get Block (51
2) Pins (521) planted in alignment with the direction of movement of the upper surface
At one end, and rotates about a pin shaft (516) planted in alignment with the moving direction on the upper surface of the package holding plate (515) fixed to the device housing plate (4). The rectangular hook (517b) provided at the other end of the positioning lever (517) and the hook claw (523) fixed at a predetermined position aligned at the same pitch on the package holding plate are pinched at the diagonal edge of the package. A cap sealing device for an electronic device, comprising:
【請求項3】 請求項1記載の封止前のパッケージとキ
ャップとが位置する所定位置を少なくとも含む領域を個
々に個室化すると共に該各個室域におけるキャップ表面
を一括して押圧または解除する手段が、 封止前のパッケージとキャップの積み重ね高さを越える
厚さで上記所定位置を少なくとも含む領域が該各所定位
置ごとに厚さ方向に貫通した孔(611a)に形成された状態
でパッケージ保持板(515) に固定される個室形成板(61
1) と、 該個室形成板(611) の各孔形成域を上記所定位置から離
れた位置でその整列方向に回転自在に貫通し、且つ該個
室形成板(611) から突出する端部に装置筐体板(4) 上を
上記整列方向と直交する方向に往復動し得るラックブロ
ック(514) のラック(514a)と噛み合うピニヨン(613) が
固定されている、ピニヨン軸(612) の上記各孔形成域に
固定して装着されているレバー状のクランパ(614) 、 とからなることを特徴とした電子デバイスのキャップ封
止装置。
3. A means for individually forming a region including at least a predetermined position where the package and the cap before sealing according to claim 1 are located and individually pressing or releasing the surface of the cap in each of the individual room regions. However, the package is held in a state in which a region including at least the predetermined position and having a thickness exceeding the stack height of the package and the cap before sealing is formed in the hole (611a) penetrating in the thickness direction at each of the predetermined positions. Plate (61) fixed to the plate (515)
1) and a device which is rotatably penetrated through each hole forming area of the private room forming plate (611) in a direction away from the predetermined position in the alignment direction, and protrudes from the private room forming plate (611). Each of the pinion shafts (612) is fixed with a pinion (613) that meshes with a rack (514a) of a rack block (514) that can reciprocate in a direction perpendicular to the alignment direction on the housing plate (4). A lever-shaped clamper (614) fixedly mounted in the hole forming area; and a cap sealing device for an electronic device.
【請求項4】 請求項1記載のキャップ封止装置による
電子デバイスのキャップ封止方法であって、 キャップ押圧部の各孔で形成される個室域に不活性ガス
を注入せしめた状態で、パッケージ保持板上の複数の各
所定位置近傍に底面を下側とした封止前のパッケージを
載置した後、エアシリンダの作動による位置決めレバー
の回動で該載置されたパッケージを位置決め保持せしめ
る工程、 該各パッケージの下側に対応して位置する加熱された下
側ヒータの上昇によるパッケージへの接触で該各パッケ
ージを予熱する工程、 該各パッケージの開口部にはんだ形成面を下側とした封
止前のキャップを載置した後、エアシリンダの作動によ
るクランパの回動で該載置されたキャップ表面を押圧せ
しめる工程、 該各パッケージの上側に対応して位置する加熱された上
側ヒータを下降せしめキャップへの接触による該キャッ
プの加熱で封止された電子デバイスを形成する工程、 該各ヒータをパッケージとキャップから開離せしめた
後、上記不活性ガスの流量を増やして該電子デバイスを
冷却する工程、 及び、エアシリンダの作動によるクランパの逆方向への
回動でキャップ表面への押圧を解除し、更にエアシリン
ダの作動による位置決めレバーの逆方向への回動で該電
子デバイスの位置決め保持を解除する工程、 とを少なくとも含むことを特徴とした電子デバイスのキ
ャップ封止方法。
4. A method for sealing a cap of an electronic device by a cap sealing apparatus according to claim 1, wherein the package is filled with an inert gas in a private chamber formed by each hole of the cap pressing portion. A step of placing the unsealed package with the bottom surface facing down near each of a plurality of predetermined positions on the holding plate, and then positioning and holding the placed package by turning a positioning lever by operating an air cylinder. A step of preheating each of the packages by contacting the packages by raising a heated lower heater corresponding to a lower side of each of the packages; A step of pressing the surface of the placed cap by rotating the clamper by actuation of an air cylinder after placing the cap before sealing; a position corresponding to the upper side of each package; Lowering the heated upper heater to form a sealed electronic device by heating the cap by contacting the cap, after separating each heater from the package and the cap, the flow rate of the inert gas And pressing the cap against the cap surface by rotating the clamper in the opposite direction by operating the air cylinder, and further turning the positioning lever in the opposite direction by operating the air cylinder. Releasing the positioning and holding of the electronic device by a motion.
JP12908594A 1994-06-10 1994-06-10 Electronic device cap sealing apparatus and sealing method Expired - Fee Related JP3293326B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12908594A JP3293326B2 (en) 1994-06-10 1994-06-10 Electronic device cap sealing apparatus and sealing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12908594A JP3293326B2 (en) 1994-06-10 1994-06-10 Electronic device cap sealing apparatus and sealing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07335778A JPH07335778A (en) 1995-12-22
JP3293326B2 true JP3293326B2 (en) 2002-06-17

Family

ID=15000713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12908594A Expired - Fee Related JP3293326B2 (en) 1994-06-10 1994-06-10 Electronic device cap sealing apparatus and sealing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3293326B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07335778A (en) 1995-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100330937B1 (en) Connecting multiple microelectronic elements with lead deformation
US6543131B1 (en) Microelectronic joining processes with temporary securement
JP2004179284A (en) Resin sealing method, semiconductor device manufacturing method, and resin material
US7377031B2 (en) Fabrication method of semiconductor integrated circuit device
US6676885B2 (en) Plural semiconductor devices bonded onto one face of a single circuit board for subsequent batch resin encapsulation of the plural semiconductor devices in a single cavity formed by molding dies
JP2001053094A (en) Resin sealing method and apparatus
EP0712158A2 (en) Resin sealing type semiconductor device with cooling member and method of making the same
JP6837530B1 (en) Resin molding method and resin molding equipment
JP3293326B2 (en) Electronic device cap sealing apparatus and sealing method
US6120301A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3955408B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
CN101131946A (en) Resin sealing and molding equipment for electronic components
JPS61125025A (en) Manufacture of semiconductor device
JP7492879B2 (en) Semiconductor package manufacturing method
JP3945629B2 (en) Sealing device
JPH06283629A (en) Semiconductor device, method of manufacturing the same, and mold for manufacturing the same
JPH10209194A (en) Semiconductor device, method of manufacturing the same, and resin molding process apparatus used therefor
JP2024139398A (en) Encapsulating resin for use in compression molding, and forming method and forming device thereof
JP2025049872A (en) Sealing resin for use in compression molding and forming method and forming apparatus thereof
JPH02170451A (en) Semiconductor heat sink removing mold-flush
JPH07130778A (en) Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method
JP2006324539A (en) Semiconductor device manufacturing method and molding die
JPH05144861A (en) Mold press equipment for electronic parts
JP2007281264A (en) Manufacturing method of semiconductor device
JPH01205429A (en) Semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020305

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees