JP3294689B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、広視野角、高コントラ
スト、高速応答の液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、基板面に対し平行に電界が印加さ
れる液晶表示装置には、例えば、特開昭６３−２１９０
７号公報、ＷＯ９１／１０９３６に示されるような櫛歯
型状の電極を有する液晶表示装置がある。これらの液晶
表示装置では、基板上に形成された配向膜等の配向手段
により配向させて初期または電圧無印加時の液晶の配向
を制御している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】前記において、電圧無
印加時から電圧を印加して液晶が電界方向に配向するま
での時間は電界強度に依存し、電極間距離等を調整して
電界強度を変えることにより短くすることが可能であ
る。しかし、電圧印加状態から電圧印加を止めることに
より、液晶分子が元の配向方向に戻るまでの時間は、主
に液晶の粘度や弾性定数に依存し、上記の様に印加電圧
を調整しても短縮できない。

【０００４】通常の液晶のバルク粘度は、２０〜４０ｃ
ｐ（２０℃）であり、元の配向方向に液晶分子が戻るま
での時間は１００ｍｓを超え、動画やマウス対応の液晶
表示装置としては、応答時間が長すぎるために問題とな
っていた。

【０００５】本発明の目的は、応答時間の短い液晶表示
装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の要旨は次のとおりである。

【０００７】 （１） 少なくとも一方が透明な一対の基板、該一対の
基板の内の一方の基板上に形成された複数種類の電極、
前記基板間に挟持された液晶層、前記基板の外側に配設
された偏光板を有し、前記複数種類の電極を介して前記
液晶層に電界を印加する電界印加手段を備えた液晶表示
装置であって、前記複数種類の電極は、少なくとも画素
部において前記基板の面に平行に、かつ、少なくとも２
方向に電界が印加できるよう構成され、かつ前記複数種
類の内の第1種の電極がくの字形状を有し、前記複数種
類の内の第２種の電極が前記第1種の電極のくの字形状
部分に平行に配置されている液晶表示装置にある。さら
に、 （２）少なくとも一方が透明な一対の基板、該一対の基
板の内の一方の基板上に形成された複数種類の電極、前
記基板間に挟持された液晶層、画素毎に設けられたアク
ティブ素子、前記基板の外側に配設された偏光板を有
し、前記複数種類の電極を介して前記液晶層に電界を印
加する電界印加手段を備えた液晶表示装置であって、前
記複数種類の電極は、少なくとも画素部において前記基
板の面に平行に、かつ、少なくとも２方向に電界が印加
できるよう構成され、かつ前記アクティブ素子のドレイ
ン電極は、前記一方の基板上にくの字状の屈曲形状を有
して形成されている液晶表示装置にある。

【０００８】本発明は、上記のとおり基板と平行な面内
で少なくとも２方向の電界を印加して表示画素部の液晶
分子の配向を制御して明状態と暗状態とを形成する際、
視野角の拡大も図るものである。

【０００９】前記電界印加手段としては、電極に単に駆
動回路を具備したもの、マトリクス状にアクティブ素子
を備えたもの、或いは、全てをマトリクス状のアクティ
ブ素子としたものでもよい。

【００１０】上記マトリクス状のアクティブ素子として
は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いることができる。
この場合、駆動電圧低減のために対向電極には交流電圧
を印加することができる。

【００１１】更にまた、液晶表示装置を簡略化するため
電界を印加する電極の全てを同一基板上に設けてもよ
い。

【００１２】基板に平行な面内で液晶に印加される２つ
の電界方向のなす角度は、コントラスト向上のため４０
〜５０度、好ましくは４５度に設定するのがよい。ま
た、視野角を拡大するため基板に平行な面内に印加され
る３つの電界の方向のうち、１方向を基準にして、他の
２方向のなす角度が４０〜５０度と−５０〜−４０度、
好ましくは４５度と−４５度に設定するのがよい。

【００１３】なお、本発明では液晶の配向を電界の印加
によって制御するので、必ずしも配向膜は必要としない
が、封入した液晶の初期配向を整えたり、電界による液
晶の配向の補助的手段、または、ドメイン発生の防止の
ために用いることは差し支えない。

【００１４】また、位相差を補正するため一方の基板と
偏光板との間に位相差板を設けてもよい。位相差板を挿
入することにより、液晶層のリターデーション（常光と
異常光との光路差を示す量）に対して、パネル全体とし
てみた時、適切なリターデーションになるよう補正する
ことにより最大透過率、最大コントラストを得ることが
できる。また、所望の配向方向からずれて配向する僅か
な液晶分子による位相差を補正することもできる。

【００１５】更に、配向膜を用いる場合、配向方向以外
に電界によって液晶を配向させる時でも、配向方向に配
向する界面近傍の僅かな液晶分子により生じる微小な位
相差を位相差板により補正することができる。位相差板
は主に暗状態の透過率を下げ、コントラスト向上に効果
がある。

【００１６】また、カラーフィルタを組合せてカラー液
晶表示装置を提供することができる。なお、カラーフィ
ルタは公知のものが用いられ、それは基板上に設ける。

【００１７】

【作用】基板面に平行な面内で表示画素部の液晶層に対
して少なくとも２方向に電界を印加することによって、
明状態、暗状態を示す液晶分子の配向状態を制御するこ
とができる。特に、液晶が所定の配向状態に達するまで
の時間（応答時間）を短縮することができるので高速応
答の表示素子が得られる。さらに、画素部の電界形成用
電極にくの字形状部分を設けることによって視野角の拡
大が図られる。

【００１８】従来方式の液晶表示装置では、電界の印加
を止めることにより電界から開放された液晶分子が、配
向膜により元の配向方向に戻るまでの時間は、液晶の粘
性や弾性定数に依存する。本発明は、液晶の配向方向が
上記電界印加により強制的に制御されるために、応答速
度を大幅に向上することができる。

【００１９】また、マトリクス状のアクティブ素子は、
微小な領域の精密な配向制御を可能にするので、特に好
ましい。

【００２０】基板に平行な面内で画素部の液晶層に対し
て印加される２つの電界の方向のなす角度を、４０度〜
５０度、好ましくは４５度とすることによりコントラス
トを向上することができる。また、基板に平行な面内で
印加される１つの電界方向に対し、他の２つの電界方向
を４０度〜５０度と−５０度〜−４０度、望ましくは４
５度と−４５度に設定し、画素部の微小な領域内で液晶
の配向方向を反転させることにより、視野角を拡大し、
その角度依存性の減少を可能にする。

【００２１】なお、マトリクス状のアクティブ素子とし
てＴＦＴを用いて、対向電極には交流電圧を印加するこ
とにより駆動電圧を低減することができる。

【００２２】

【実施例】本発明を実施例に基づき具体的に説明する。

【００２３】〔実施例 １〕表面を研磨した厚さ１.１
ｍｍのガラス基板２枚を用い、図１の概略図に示すよう
に、上基板には図１（ａ）、下基板には図１（ｂ）で示
すようなパターンの電極（１画素分）をそれぞれ形成し
た。なお、上下の電極は上から見て互いに４５度の角度
をなすように形成した。

【００２４】本実施例においては、電極材料としてはア
ルミニウムを用いたが、特にこれに限定されず、電気抵
抗の低い材料、例えば、クロム、銅等を用いて形成して
もよい。電極１，２および電極３，４の間隙は６.５μ
ｍ、電極幅は４μｍとした。

【００２５】上記２枚の基板は電極１，２と電極３，４
とが対向するように配置し、スペーサを介して組立て両
基板のギャップを７μｍに調整して液晶セルを構成し
た。これに、誘電率異方性Δεが４.３（２０℃）、屈
折率異方性Δｎが０.０７２（５８９ｎｍ，２０℃）、
粘度ηが２５ｃｐ（２０℃）のネマチック液晶（チッソ
製）を注入して封止した。

【００２６】そのままではドメインが発生する場合は、
液晶層が等方層になるまで一旦加熱し、電極１に３Ｖを
印加し，電極２を０Ｖに設定して冷却し、ドメインを消
した。

【００２７】上記液晶セル基板を２枚の偏光板で挾み、
一方の偏光軸が図１（ｂ）の傾斜した電極３，４と平行
に、また、他方の偏光軸が上記偏光軸と垂直になるよう
に配置し貼付けた。

【００２８】図１（ｂ）に示す電極３に１Ｖの電圧を印
加し、電極４は０Ｖに設定する。また、図１（ａ）に示
す電極１，２には０.５Ｖの電圧を印加する。これによ
り、各画素の開口部では図２（ａ）の模式図に示すよう
に、概ね液晶分子５の多くは同一方向に配向し、一方の
偏光板を通過した光は他方の偏光板によって遮られて暗
状態を示した。

【００２９】次に、電極３，４の電圧は１Ｖと０Ｖを保
持したまま電極１に電圧Ｖａ（但し、３Ｖ≦Ｖａ≦１０
Ｖとする）を印加し、電極２の電圧を０Ｖに設定する。
各画素の開口部では図２（ｂ）の模式図に示すように、
液晶分子５は電界により配向方向が変化する。これによ
り液晶分子５の配向方向が２枚の偏光板の偏光軸の中間
に位置するため一方の偏光板を通過した光の偏光方向は
液晶分子５によって変化するものゝ、他方の偏光板を通
過し明状態を示した。

【００３０】暗状態から明状態した時、総輝度変化に対
して輝度変化が９０％になる時間をＴｒとする。電極３
の電圧をＶａ’（但し、０Ｖ＜Ｖａ’＜３Ｖとする）、
電極４の電圧を０Ｖに設定し、電極１，２の電圧をＶ
ａ'／２にして明状態から暗状態にする時、総輝度変化
に対して輝度変化が９０％になる時間をＴｆとする。

【００３１】図３に、電極１，２間の電界強度に対する
応答速度Ｔｒと、電極３，４間の電界強度に対する応答
速度Ｔｆを示す。

【００３２】Ｔｒは電界強度０.７Ｖ／μｍ以上で５０
ｍｓ以下、Ｔｆはいずれの場合も５０ｍｓ以下であっ
た。また、Ｖａ＝１０Ｖでの暗状態と明状態の最大コン
トラストは８０であった。

【００３３】〔比較例 １〕図１（ｂ）で示すような電
極を下基板に形成せずに、ポリイミド系配向膜を塗布、
焼成した。一方、上基板には図１（ａ）に示すようなパ
ターンの電極を形成した後、ポリイミド系配向膜を塗
布、焼成した。上下基板上の配向膜にラビングを施し、
ラビング方向は互いに平行で、かつ、上基板に形成され
た電極間に電圧が印加された時生じる電界の方向に対し
て８５度の角度をなすようにした。

【００３４】実施例１と同様にして液晶セルを作製し、
液晶を封入した。一方の偏光板はその偏光軸がラビング
方向と平行に、他方はその偏光軸がラビング方向と垂直
になるよう配置し貼付けた。これによりノーマリクロー
ズ特性の液晶表示装置が得られた。

【００３５】暗状態から明状態（または明状態から暗状
態）に変化する時の総輝度変化に対し９０％輝度が変化
する時間：応答速度Ｔｒ（応答速度Ｔｆ）と、電極１，
２間の電界強度との関係を図４に示す。Ｔｒは電界強度
０.８Ｖ／μｍ以上で５０ｍｓ以下になるが、Ｔｆは電
界強度による変化はほとんど認められず、約１００ｍｓ
であった。

【００３６】〔実施例 ２〕液晶セルの構成は実施例１
と同様にし、液晶にΔεが−４.８（２０℃）、Δｎが
０.０４４（５８９ｎｍ，２０℃）、ηが５７ｃｐ（２
０℃）のネマチック液晶ＺＬＩ−２８０６（メルク製）
を用いてその応答特性を調べた。

【００３７】Ｔｒ、Ｔｆは実施例１と大差はなく、５０
ｍｓ以下の応答が可能であった。しかも、Ｖａ＝１０Ｖ
での暗状態と明状態とのコントラストは１００であっ
た。

【００３８】〔実施例 ３〕液晶セルの構成で上下の電
極が画素部で上から見て４０度の角度をなすように配置
し、他は実施例１と同様にして応答速度を調べた。

【００３９】Ｔｒ、Ｔｆとも実施例１と大差はなく、５
０ｍｓ以下の応答が可能であった。Ｖａ＝１０Ｖでの暗
状態と明状態とのコントラストは６０であった。

【００４０】〔実施例 ４〕液晶セルの構成で上下の電
極が画素部で５０度の角度をなすように配置し、他は実
施例１と同様にして応答速度を調べた。

【００４１】Ｔｒ、Ｔｆとも実施例１と大差はなく、５
０ｍｓ以下の応答が可能であった。Ｖａ＝１０Ｖでの暗
状態と明状態とのコントラストは７０であった。

【００４２】〔実施例 ５〕図５（ａ），（ｂ）に示す
ように、表面を研磨した厚さ１.１ｍｍのガラス基板６
上にドレイン電極７、ゲート電極８、ソース電極９をマ
トリクス状に配置し、各画素にＴＦＴ１０を形成した。

【００４３】図５（ｂ）に示すように、ＴＦＴ１０は、
ゲート電極８上にゲート絶縁膜１３を介してドレイン電
極７、ソース電極９が積層されており、それらの電極は
アモルファスシリコン１２ａ、及びそのオーミック接合
部１２ｂを介して接続されている。

【００４４】また、コモン電極１１は図５（ａ）に示す
ようにゲート電極８との交差部は図５（ｂ）に示すよう
に絶縁層１５を介して立体的に配置されている。更に、
画素部では電極等を保護する保護膜１４が積層されてい
る。ソース電極９とコモン電極１１との間隙６.５μ
ｍ、電極幅４μｍとした。

【００４５】対向基板には、実施例１の図１（ｂ）に示
すようなパターンでソース電極９と４５度の角度をなす
電極を形成した。なお、上記と同様に電極間隙６.５μ
ｍ、電極幅４μｍとした。

【００４６】スペーサを挾んで上下基板ギャップを７μ
ｍとなるように調節し組み立てた。液晶としてはΔεが
４.３（２０℃）、Δｎが０.０７２（５８９ｎｍ，２０
℃）、ηが２５ｃｐ（２０℃）のネマチック液晶（チッ
ソ製）を封入し、実施例１と同様に偏光板を貼付けた。

【００４７】コモン電極１１をグランドレベルに保ち、
ドレイン電極７、ゲート電極８の電圧をコントロールし
てソース電極９に０〜１０Ｖの電圧を印加し、対向基板
の２つの電極にはＶａ’，Ｖｂ’（但し、０≦Ｖｂ’＜
Ｖａ’≦４.５Ｖ）の電圧を印加した。その結果、各画
素での光透過率の調整が可能となり、各階調の明状態及
び暗状態を表示することができた。

【００４８】応答速度Ｔｒは、ソース電極９とコモン電
極１１間に１.０Ｖ／μｍ以上の電圧を印加した場合共
に５０ｍｓ以下であった。ソース電極９とコモン電極１
１間の電界を弱め、暗状態を表示する際のＴｆも５０ｍ
ｓ以下となった。また、暗状態と明状態の最大コントラ
ストは８０であった。

【００４９】〔実施例 ６〕図６（ｂ）に示すように、
表面を研磨した厚さ１.１ｍｍのガラス基板上に電極
１，２，９ａ，９ｂを形成した。これらをマトリクス状
に配置する。

【００５０】電極９ａはソース電極としてドレイン電極
７ａ、ゲート電極８とともにＴＦＴ１０ａを形成する。
同様に電極９ｂはソース電極としてドレイン電極７ｂ、
ゲート電極８とともにＴＦＴ１０ｂを形成する。電極１
はドレイン電極と交差しないよう立体的に配置する。電
極２もドレイン電極、ソース電極と交差しないように立
体的に配置する。電極１と電極９ｂの中心線の交わる角
度θは７５度とした。但し、θは７５度に限定されず４
５〜９０度の範囲で適宜設定することができる。

【００５１】電極１と電極２との間隔及び電極９ａと電
極９ｂとの間隔は３０μｍとする。対向基板には導電性
物質を使用せず、図６（ａ）に示すように遮光層１７を
設けた。スペーサを挟んで上下基板ギャップを５μｍに
調節し両基板を貼合せた。偏光板は、その偏光軸が１６
ａ、１６ｂで示す方向となるよう貼付けた。

【００５２】液晶としてはチッソ製のΔεが４.３（２
０℃）、Δｎが０.０７２（５８９ｎｍ，２０℃）、η
が２５ｃｐ（２０℃）のネマチック液晶を用いた。但
し、液晶としてはこれに限らない、例えば、誘電率異方
性が負の液晶ＺＬＩ−２８０６（メルク製）Δε：−
４.８（２０℃）、Δｎ：０.０４４（５８９ｎｍ，２０
℃）、η：５７ｃｐ（２０℃）のネマチック液晶を用い
てもよい。

【００５３】電極１に電圧Ｖａ、電極２に電圧Ｖｂを、
更に、ドレイン電極７ａ，７ｂ、ゲート電極８の電圧を
調整して、電極９ａ，９ｂに電圧（Ｖａ＋Ｖｂ）／２を
印加する。但し、０≦Ｖｂ＜Ｖａ≦２０Ｖとする。これ
により暗状態を示した。

【００５４】次に、ドレイン電極７ａ、ゲート電極８の
電圧を調整して電極９ａに印加される電圧を（Ｖａ＋Ｖ
ｂ）／２〜Ｖａの範囲で変化させる。また、同様にドレ
イン電極７ｂ、ゲート電極８の電圧を調整して電極９ｂ
に印加される電圧をＶｂ〜（Ｖａ＋Ｖｂ）／２の範囲で
変化させる。これにより各階調の明状態を表示できた。

【００５５】応答速度Ｔｒ、Ｔｆは、Ｖａ＝１８Ｖ、Ｖ
ｂ＝０Ｖの時ともに５０ｍｓ以下となった。また、最大
コントラストは１００であった。

【００５６】〔実施例 ７〕図５（ａ）、（ｂ）のよう
に一方の基板に電極とＴＦＴを形成した。他方の対向基
板にもドレイン電極、ゲート電極を形成し、図１（ｂ）
の電極パターンで画素部の電極を形成して一方をソース
電極、他をコモン電極とした。ソース電極は基板上のド
レイン電極、ゲート電極と共にＴＦＴを形成する。その
他は実施例５と同様にして液晶セルを作製した。

【００５７】両基板のコモン電極をグランドレベルに保
ち、それぞれのドレイン電極、ゲート電極の電圧をコン
トロールしてソース電極に０〜１０Ｖの範囲で印加電圧
を調整した。その結果、実施例５の場合よりも光透過率
の微調整が可能となり、各階調の明状態及び暗状態を形
成でき、最大コントラストも９０であった。

【００５８】〔実施例 ８〕図７（ａ），（ｂ）に示す
ような電極パターンで上下基板にそれぞれ１画素分の電
極を形成した。２枚の偏光板の一方の偏光軸が図７
（ａ）に示す横に伸びた電極に平行になるように、ま
た、もう一方の偏光軸が垂直になるよう配置し貼付け
た。その他は実施例１と同様にして液晶セルを作製し
た。

【００５９】図７の電極１に電圧Ｖａ、電極２に電圧Ｖ
ｂ、電極３に電圧Ｖａ’、電極４に電圧Ｖｂ’（但し、
０≦Ｖｂ，Ｖｂ’≦Ｖａ、Ｖａ’≦１０Ｖ）を印加し、
画素部での透過率を調べたところ、透過率が等しくなる
角度が上下左右及びそれらの中間の方向でほぼ一致し、
視野角も広いものが得られた。また、暗状態と明状態の
最大コントラストは８０であった。

【００６０】〔実施例 ９〕実施例６における両基板の
液晶との界面にポリイミド配向膜を塗布、焼成し、１６
ａで示す方向にラビング処理して液晶セルを組立てた。
その他は実施例６と同様にした。

【００６１】この液晶セルでは液晶封入時や初期状態に
おいてドメインの発生は認められなかった。応答速度に
関しては暗状態から明状態に移る速度が実施例６の場合
に比べて多少遅いが、Ｖａ＝２０Ｖ、Ｖｂ＝０Ｖの時Ｔ
ｒ、Ｔｆは共に５０ｍｓ以下であった。また、最大コン
トラストは１００であった。

【００６２】〔実施例 １０〕実施例９の液晶セルにお
いて、リターデーションが０.１２μｍの位相差板をそ
の光学軸がラビング方向に対し、−４５度の方向になる
ように基板と偏光板の間に挿入した。実施例９と比較し
てコントラストの向上がみられ、最大コントラストは１
１０以上となった。

【００６３】〔実施例 １１〕実施例５の液晶セルにお
いて、コモン電極の電圧をグランドレベルではなく、ド
レイン電極の逆相で交流化した電圧を５Ｖ印加した。そ
の結果、ドレイン電極に印加する電圧が実施例５の場合
に比べて約２／３となり、駆動電圧を低減することがき
た。

【００６４】〔実施例 １２〕 図８に示すように、厚さ１．１ｍｍのガラス基板上に電
極１，２，３，４，９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを繰り返し
て形成配置し、電極９ａはソース電極としてドレイン電
極７ａ，ゲート電極８ａと共にＴＦＴ１０ａを形成す
る。

【００６５】同様に電極９ｂ，７ｂ，８ａ及び９ｃ，７
ａ，８ｂ更には９ｄ，７ｂ，８ｂは、ＴＦＴ１０ｂ，１
０ｃ，１０ｄを形成する。

【００６６】電極１，３はドレイン電極と交差しないよ
うに立体的に配置する。電極２，４もドレイン電極、ソ
ース電極と交差しないように立体的に配置する。電極１
と電極９ａ及び電極３と電極９ｄの中心線の交わる角度
θは７５度とした。但し、角度θは７５度に限定するも
のではなく、４５〜９０度の範囲内で適宜設定すること
ができる。

【００６７】電極１と電極２、電極３と電極４、電極９
ａと電極９ｂ、電極９ｃと電極９ｄとの間隔は３０μｍ
とする。対向基板には導電性物質を使用せず、実施例６
の場合のように電極配線部分を覆う遮光層を設けた。そ
の他は実施例６と同様にして液晶セルを作製した。

【００６８】図８で、上部画素の電極１，電極９ｂに電
圧Ｖａ、電極２，電極９ａに電圧Ｖｂを印加すると暗状
態を示した。但し、０≦Ｖｂ＜Ｖａ≦２０Ｖであり、電
極９ａ，９ｂに電圧を印加する際にはドレイン電極７
ａ，７ｂ，ゲート電極８ａの電圧を調整する。また、電
極９ａに印加する電圧をＶｂ〜（Ｖａ＋Ｖｂ）／２の範
囲で変化させ、電極９ｂにかかる電圧をＶａ〜（Ｖａ＋
Ｖｂ）／２の範囲で変化させると、各階調の明状態を表
示することができた。

【００６９】図８の下部画素の電極３に電圧Ｖａ、電極
４に電圧Ｖｂを印加し、電極９ｃ，９ｄに電圧（Ｖａ＋
Ｖｂ）／２を印加すると暗状態を示した。但し、０≦Ｖ
ｂ＜Ｖａ≦２０Ｖであり、電極９ｃ，９ｄに電圧を印加
する際にはドレイン電極７ａ，７ｂ，ゲート電極８ｂの
電圧を調整する。また、電極９ｃにかかる電圧を（Ｖａ
＋Ｖｂ）／２〜Ｖａの範囲で変化させ、電極９ｄにかか
る電圧を（Ｖａ＋Ｖｂ）／２〜Ｖｂの範囲で変化させる
と各階調の明状態を表示することができた。

【００７０】実施例６の場合に比べて信号を送る各画素
の指定が容易になり、高精細表示装置やテレビ用として
好適である。

【００７１】〔実施例 １３〕実施例１２の液晶セルに
おいて、ＴＦＴを有する基板の対向基板上に画素の開口
部を通り、ジグザグに伸びるＲ、Ｇ、Ｂからなる３色の
カラーフィルタを設けた。カラーフィルタ上には表面を
平坦化するために透明なエポキシ樹脂を積層した。配向
膜はこの透明エポキシ樹脂上に塗布した。その他の構成
は実施例１２と同様にである。この液晶セルでは各画素
の透過率を制御することにより優れたカラー表示が得ら
れた。

【００７２】本発明の液晶表示装置は、ノート型パーソ
ナルコンピュータ、ラップトップコンピュータ、ワード
プロセッサ、ワークステーション、テレビなどの表示装
置、またはビューファーやプロジェクタ等にも用いるこ
とが可能である。

【００７３】

【発明の効果】本発明により応答速度が速く、視野角が
いずれの方向からも広く、かつ、必ずしも液晶の配向手
段を設けることを必要としない液晶表示装置を提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】１画素の電極パターンの概略図である。

【図２】液晶分子の配向状態を示す模式図である。

【図３】実施例１における電界強度と応答速度との関係
を示すグラフである。

【図４】比較例１における電界強度と応答速度との関係
を示すグラフである。

【図５】１画素の電極パターンとＴＦＴ形成部分の概略
図である。

【図６】１画素の電極パターンと、遮光層パターンの概
略図である。

【図７】１画素の電極パターンの概略図である。

【図８】電極パターンの概略図である。

【符号の説明】

１，２，３，４…電極、５…液晶分子、６…ガラス基
板、７，７ａ，７ｂ…ドレイン電極、８，８ａ，８ｂ…
ゲート電極、９，９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ…ソース電
極、１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ…薄膜トラ
ンジスタ、１１…コモン電極、１２ａ…アモルファスシ
リコン、１２ｂ…オーミック接合部、１３…ゲート絶縁
膜、１４…保護膜、１５…絶縁層、１６ａ…上基板側の
偏光板の偏光軸の方向、１６ｂ…下基板側の偏光板の偏
光軸の方向、１７…遮光層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−120528（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−116059（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−116197（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−43047（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/133 575 G02F 1/1368 G09G 3/36

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも一方が透明な一対の基板、 該一対の基板の内の一方の基板上に形成された複数種類
   の電極、 前記基板間に挟持された液晶層、 前記基板の外側に配設された偏光板を有し、 前記複数種類の電極を介して前記液晶層に電界を印加す
   る電界印加手段を備えた液晶表示装置であって、 前記複数種類の電極は、少なくとも画素部において前記
   基板の面に平行に、かつ、少なくとも２方向に電界が印
   加できるよう構成され、かつ前記複数種類の内の第1種
   の電極がくの字形状を有し、前記複数種類の内の第２種
   の電極が前記第1種の電極のくの字形状部分に平行に配
   置されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】少なくとも一方が透明な一対の基板、 該一対の基板の内の一方の基板上に形成された複数種類
   の電極、 前記基板間に挟持された液晶層、 画素毎に設けられたアクティブ素子、 前記基板の外側に配設された偏光板を有し、 前記複数種類の電極を介して前記液晶層に電界を印加す
   る電界印加手段を備えた液晶表示装置であって、 前記複数種類の電極は、 少なくとも画素部において前記
   基板の面に平行に、かつ、少なくとも２方向に電界が印
   加できるよう構成され、かつ 前記アクティブ素子のドレ
   イン電極は、前記一方の基板上にくの字状の屈曲形状を
   有して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】前記画素の開口部を通り、ジグザグ状に伸
   びる３色のカラーフィルターが形成されていることを特
   徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】前記ドレイン電極は、前記画素の各々に対
   し２本設けられ、前記アクティブ素子を介して前記複数
   種類の電極の内の対応するものにそれぞれ接続されてい
   ることを特徴とする請求項２もしくは３のいずれかに記
   載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】画素毎にアクティブ素子を備えている請求
   項１記載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】前記アクティブ素子が薄膜トランジスタ
   （ＴＦＴ）である請求項２もしくは５のいずれかに記載
   の液晶表示装置。
7. 【請求項７】前記基板上に無電界時に液晶分子を所定の
   方向に配向させる配向手段が設けられている請求項１〜
   ６のいずれかに記載の液晶表示装置。
8. 【請求項８】前記基板の一方と前記偏光板との間に位相
   差板が設けられている請求項１〜７のいずれかに記載の
   液晶表示装置。
9. 【請求項９】前記基板のいずれか一方にカラーフィルタ
   が設けられている請求項１あるいは２のいずれかに記載
   の液晶表示装置。