JP3301152B2

JP3301152B2 - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JP3301152B2
Application number: JP07563693A
Authority: JP
Inventors: 聡大谷; 浩哉桐村; 隆雄田端; 孝浩中東; 創桑原
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 1993-04-01
Filing date: 1993-04-01
Publication date: 2002-07-15
Anticipated expiration: 2017-07-15
Also published as: JPH06291054A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜トランジスタ、半導
体利用の各種センサのような半導体を利用したデバイス
や太陽電池その他を製造するにあたり、基板上に成膜し
たり、配線パターン等を得るために、形成した膜を所定
パターンに従ってエッチングしたりするプラズマＣＶＤ
装置、プラズマエッチング装置のようなプラズマ処理装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置は各種タイプのもの
が知られている。その代表例として、図６に示す平行平
板型のプラズマＣＶＤ装置について説明すると、この装
置は真空容器１を有し、その中に被成膜基板Ｓ１を設置
する基板ホルダを兼ねる電極２及びこの電極に対向する
電極３が設けられている。

【０００３】電極２は、通常、接地電極とされ、また、
この上に設置される基板Ｓ１を成膜温度に加熱するヒー
タ２１を付設してある。なお、輻射熱で基板Ｓ１を加熱
するときは、ヒータ２１は電極２から分離される。電極
３は、電極２との間に導入される成膜用ガスに高周波電
力や直流電力を印加してプラズマ化させるための電力印
加電極で、図示の例ではマッチングボックス３１を介し
て高周波電源３２を接続してある。

【０００４】また、図示の例では、電極３は、電極の一
部を構成するガスノズル３３の開口部に多孔電極板３４
を設けたもので、電極板３４には、直径０．５ｍｍ程度
のガス供給孔を多数形成してあり、ガスノズル３３から
供給されるガスが各孔から両電極間に全体的に放出され
るようにしてある。このような構成は広面積基板上に成
膜するのに適している。

【０００５】真空容器１には、さらに、開閉弁５１を介
して排気ポンプ５２を配管接続してあるとともに、前記
ガスノズル３３にはガス供給部４を配管接続してある。
ガス供給部４には、１又は２以上のマスフローコントロ
ーラ４２１、４２２・・・・及び開閉弁４３１、４３２
・・・・を介して、所定量の成膜用ガスを供給するガス
源４４１、４４２・・・・が含まれている。

【０００６】この平行平板型プラズマＣＶＤ装置による
と、成膜対象基板Ｓ１が真空容器１内の電極２上に設置
され、該容器１内が弁５１の開成と排気ポンプ５２の運
転にて所定成膜真空度に維持され、ガス供給部４からノ
ズル３３及び電極板３４のガス供給孔を介して成膜用ガ
スが導入される。また、高周波電極３に電源３２から高
周波電圧が印加され、それによって導入されたガスがプ
ラズマ化され、このプラズマの下で基板Ｓ１表面に所望
の膜が形成される。

【０００７】また、プラズマエッチング装置も各種タイ
プのものが知られている。その代表例として図７に示す
平行平板型のエッチング装置について説明すると、この
装置も真空容器１０を備え、その中には、エッチング対
象膜を形成した基板Ｓ２を設置する基板ホルダを兼ねる
電極２０及び電極２０に対向配置された電極３０を備え
ている。

【０００８】電極２０は、電極３０との間に導入される
エッチング用ガスに高周波電力や直流電力を印加してプ
ラズマ化させるための電力印加電極として使用され、図
示の例ではマッチングボックス２０１を介して高周波電
源２０２に接続されている。電極３０は接地電極であ
り、電極の一部を構成するガスノズル３０１の開口部に
多孔電極板３０２を設けたもので、電極板３０２には直
径０．５ｍｍ程度のガス供給孔を多数形成してあり、ガ
スノズル３０１から供給されるガスが該孔から両電極間
に全体的に放出されるようになっている。

【０００９】真空容器１０には、さらに、開閉弁７１を
介して排気ポンプ７２を配管接続してあるとともに、前
記ガスノズル３０１にはガス供給部６を配管接続してあ
る。ガス供給部６には、１又は２以上のマスフローコン
トローラ６２１、６２２・・・・及び開閉弁６３１、６
３２・・・・を介して所要量のエッチング用ガスを供給
するガス源６４１、６４２・・・・が含まれている。

【００１０】このエッチング装置によると、エッチング
対象基板Ｓ２が容器１０内の高周波電極２０上に設置さ
れ、該容器１０内が弁７１の開成と排気ポンプ７２の運
転にて所定エッチング真空度に維持され、ガス供給部６
からエッチング用ガスがノズル３０１及び電極板３０２
のガス供給孔を介して導入される。また、電極２０に高
周波電源２０２から高周波電圧が印加され、それによっ
て導入されたガスがプラズマ化され、このプラズマの下
に基板Ｓ２上の膜がエッチングされる。なお、電極２０
は、必要に応じ、水冷装置２００等で冷却されることも
ある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなプラズマ処理装置では、プラズマ中の気相反応によ
り発生する微粒子が基板表面に形成される膜に付着した
り、その中に混入したりして膜質を悪化させるという問
題があり、また、発生した微粒子が真空容器内各部に付
着してそれを汚染するという問題がある。真空容器内各
部に付着する微粒子については、これがやがて剥落し
て、処理対象基板に付着する恐れがあるので、除去清掃
しなければならず、手間を要する。

【００１２】特に、気相反応により微粒子が形成され、
それが大きく成長する可能性の高い成膜、例えば、シラ
ン（ＳｉＨ₄）と水素（Ｈ₂）からアモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ）膜を、シランとアンモニア（ＮＨ₃）か
らアモルファスシリコンナイトライド（ａ−ＳｉＮ）膜
を、シランと一酸化二窒素（亜酸化窒素）（Ｎ₂Ｏ）か
らアモルファスシリコンオキサイド（ａ−ＳｉＯ₂）膜
を形成するような成膜では、基板表面に形成される膜に
付着したり、その中に混入したりする微粒子のサイズが
形成される膜の膜厚に対し大きく、その結果、その膜が
絶縁膜である場合において成膜後洗浄処理すると、その
微粒子の部分がピンホールとなって絶縁不良が生じた
り、その膜が半導体膜であると、半導体特性が悪化する
といった問題がある。

【００１３】また、プラズマエッチング装置において
も、同様に気相反応により微粒子が形成され、これが被
エッチング面に付着したり、真空容器内各部に付着する
等の問題がある。例えば、エッチングにより配線パター
ンを形成する場合において、かかる微粒子はパターンニ
ングの精度の悪化をもたらし、細線形成においては断線
を招くことがある。

【００１４】また、このような問題は微粒子発生が多く
なる高速成膜や高速エッチングの妨げとなっているし、
微粒子が安定したプラズマ生成の妨げとなり、成膜不
良、エッチング不良を招くこともある。そこで本発明
は、プラズマ中の気相反応で発生する微粒子を効率良く
排除でき、それによって微粒子が処理対象基板や真空容
器内各部に付着することを抑制できるとともに、従来よ
り高速プラズマ処理が可能となり、プラズマを安定化さ
せてプラズマ処理不良の発生を抑制することができるプ
ラズマ処理装置を提供することを課題とする。なお、こ
こで言う「付着」及び後ほど〔発明の効果〕で述べる
「付着」には、真空容器内各部への付着のほか、成膜に
あっては、基板表面への直接的付着、形成される膜への
付着、該膜中への混入等が含まれ、エッチングにあって
は、基板表面への直接的付着、エッチングされる膜への
付着や混入等が含まれる。

【００１５】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明のプラズマ処理装置は、排気装置により所定の処理真
空状態にできる真空容器内に、プラズマ生成用電力印加
のための電極及び該電極に対向配置される接地電極を設
け、該両電極間に導入した処理用ガスを前記電力印加用
電極に電力印加してプラズマ化させ、該プラズマのもと
で前記いずれかの電極に設置される処理対象基板に目的
とするプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
前記接地電極の周縁部及び背面部を囲み、該電極周縁部
に隣合う部位に開口部を有する微粒子排出ダクトを設け
るとともに、該ダクトに前記接地電極の背面側中央部に
対応する位置において排気手段を接続し、前記微粒子排
出ダクトは該ダクトを前記接地電極から独立して帯電微
粒子集入用電位に設定可能に該接地電極とは別体に形成
したことを特徴とする。

【００１６】前記ダクトから排気する手段は、真空容器
内を所定の処理真空度にするための前記排気装置を利用
したものでも構わないし、これとは別に準備されてもよ
い。前記ダクトの微粒子を吸引するための開口部は、例
えば実質上同サイズ、形状で、等間隔に形成された多数
の孔であってもよいし、断続的に、又は連続的に設けら
れたスリットのようなものでも構わず、特に制限はな
い。但し、微粒子をプラズマ発生領域のできるだけ各部
から効率良く吸引できるように、特に接地電極エッジ部
に集中する微粒子を効率良く吸引できるようにするた
め、、ダクトのできるだけ全体から均等に排気できるよ
うに等しく形成されていることが望ましい。

【００１７】また、プラズマ発生領域のできるだけ全体
から微粒子を吸引できるようにするため、前記ダクト
を、前記両電極間のプラズマ発生領域を取り囲むように
延在させ、前記ダクト開口部を該プラズマ発生領域に臨
むように延設することも考えられる。また、前記ダクト
に堆積する微粒子が真空容器内へ逆行拡散することを抑
制するために、該微粒子をダクトに付着した膜のように
捕獲しておけるように、前記ダクトに加熱ヒータを付設
して加熱できるようにしてもよい。

【００１８】また、前記ダクトの開口部に帯電微粒子集
入用電位を印加するための手段を該ダクトに接続するこ
とも考えられる。この場合、該電位印加手段としては、
微粒子の帯電状態に応じて、接地手段とする場合、接地
電位以外の所定の電位を印加できる手段とする場合な
ど、種々考えられる。また、ダクト開口部には、安定し
たプラズマを発生させるためや、ダクト開口部における
電界の不均一性を回避するために、ダクト開口部をダク
ト本体と同電位にし得る孔あき導電性部材を設けてもよ
い。かかる部材としては、多数の孔を設けた板状部材、
網状部材、格子状部材、これらの組合せ等、様々なもの
が考えられる。

【００１９】また、前記接地電極の周縁部のうちプラズ
マ発生領域側のエッジを前記ダクトによる微粒子吸引方
向に沿って面取りしたり、前記ダクトの開口部のうち前
記接地電極周縁部に隣合うエッジを該ダクトによる微粒
子吸引方向に沿って面取りしたりして、電界強度の勾配
によりダクトへの微粒子吸引を容易にしてもよい。該面
取りは平坦な場合だけでなく、丸味を帯びているような
もの、その他でも構わない。

【００２０】

【作用】本発明のプラズマ処理装置によると、微粒子排
出ダクトをそれに接続された排気手段により排気するこ
とで、プラズマ処理中、気相反応により発生する微粒
子、とりわけ接地電極近傍に発生し、該電極のエッジ部
分に密集し易い微粒子が、該ダクトの開口部から効率よ
く吸引され、プラズマ発生領域外へ排出される。また、
微粒子排出ダクトは該ダクトを前記接地電極から独立し
て帯電微粒子集入用電位に設定可能に該接地電極とは別
体に形成してあるので、必要に応じ、該ダクトに帯電微
粒子集入用電位を印加できる。

【００２１】前記ダクトが前記両電極間のプラズマ発生
領域を取り囲むように延在しており、前記ダクト開口部
が該プラズマ発生領域に臨むように延設されているとき
は、それだけプラズマ発生領域の全体から微粒子が吸
引、排出される。前記ダクトに加熱ヒータを付設してあ
るときは、その運転により、ダクトに微粒子を付着状態
とさせ、該微粒子の真空容器内への逆行拡散を抑制でき
る。

【００２２】前記ダクトの開口部に帯電微粒子集入用電
位を印加するための手段を該ダクトに接続するときは、
微粒子の帯電状態に応じて、当該手段により該開口部が
微粒子を集め易い電位とされ、それだけ効率よく微粒子
が排出される。前記ダクトの開口部に孔あき導電性部材
を付設するときは、それによってプラズマが安定し、ま
た、ダクト開口部における電界の不均一性が回避され
る。

【００２３】前記接地電極の周縁部のうちプラズマ発生
領域側のエッジを前記ダクトによる微粒子吸引方向に沿
って面取りしたり、前記ダクトの開口部のうち前記接地
電極周縁部に隣合うエッジを該ダクトによる微粒子吸引
方向に沿って面取りするときは、該面取りにより形成さ
れる電界強度の勾配により、微粒子がダクトへ効率よく
吸引される。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の１実施例であるプラズマＣＶＤ装
置を示している。図２は本発明の他の実施例であるプラ
ズマＣＶＤ装置の接地電極及びそれを囲む微粒子排出ダ
クトの断面を示している。図３は本発明のさらに他の実
施例であるプラズマＣＶＤ装置の一部を示している。図
４は本発明のさらに他の実施例であるプラズマＣＶＤ装
置の接地電極及びそれを囲む微粒子排出ダクトの断面を
示している。図５は本発明のさらに他の実施例であるプ
ラズマエッチング装置を示している。

【００２５】図１のプラズマＣＶＤ装置は、図６に示す
従来装置において、接地電極２に対し、それを囲む微粒
子排出用のダクト８を設け、それに排気装置８０を接続
したものである。またダクト８には、これを接地電位と
したり、微粒子帯電状態に応じて適当なバイアス電圧を
印加する電圧可変直流電源８ａ等を含む電位印加部８０
０を接続してある。ダクト８、排気装置８０及び電位印
加部８００を採用した点を除けば図６の装置と同様の構
成であり、全体の成膜動作も同様である。図６の装置に
おける部品と同じ部品については同じ参照符号を付して
ある。

【００２６】ダクト８は、図示のとおり、基板Ｓ１を設
置するための接地電極２とは別体に形成されており、該
接地電極の周縁部２５及び背面部２６を一体的に囲んで
おり、該電極周縁部、さらに詳言すると、周縁部２５の
うちプラズマ発生領域Ｐに臨む電極エッジ２７に隣合う
部位に開口部８１を有している。さらに言うと、ダクト
開口部８１はスリット状に形成されており、電極２のプ
ラズマ発生領域Ｐ側の面乃至電極エッジ２７と実質上同
じ面に配置されており、電極２を囲繞している。また、
ダクト８は電極２の背面側中央部に対応する位置に排気
装置８０の接続口８２を有している。

【００２７】ダクト８には加熱ヒータ８３が付設してあ
り、それはダクト開口部８１まで延在しており、該開口
部８１も加熱できる。排気装置８０は排気調整用弁８０
１及び排気ポンプ８０２を含むもので、ダクト８の接続
口８２に弁８０１を介してポンプ８０２が接続されてい
る。このプラズマＣＶＤ装置によると、成膜対象基板Ｓ
１が電極２に設置され、あとは、図６の装置について説
明したと同様の手順で該基板表面に目的とする成膜がな
される。

【００２８】但しこの装置では、成膜中、ダクト８の電
位は発生する微粒子を集め易いように電位印加部８００
にて適当な電位とされ、また、接地電極２を囲むダクト
８が排気装置８０により排気される。従って、成膜中、
プラズマ中の気相反応で発生した微粒子、特に接地電極
２近傍で発生し、電極エッジ２７近傍に密集する微粒子
は該ダクト８の開口部８１からダクト内に効率よく吸引
され、プラズマ領域外へ排除される。従って、処理対
象基板Ｓ１や真空容器１内各部への微粒子の付着がそれ
だけ抑制され、形成される膜の欠陥が大幅に低減するう
え、真空容器内各部の微粒子除去清掃等のメインテナン
ス回数を従来より減らすことができるようになり、高ス
ループット化が達成される。さらに、多量の微粒子発生
を伴う高速成膜処理が可能となり、また、微粒子を効率
よく排除することでプラズマを安定化させてプラズマが
不安定な場合に生じ易い処理不良の発生を抑制できる。

【００２９】また、必要に応じヒータ８３を運転して、
ダクト開口部８１やダクト８内に微粒子を付着状態とさ
せ、該微粒子のプラズマ領域への逆行拡散を抑制でき
る。本発明に係る他のプラズマＣＶＤ装置によると、図
２に示すように、接地電極２のエッジ２７がダクト８に
よる微粒子吸引方向に斜めに面取りされているととも
に、該エッジに隣合うダクト開口部８１のエッジ８１１
も同方向に面取りされ、両面取り部が実質上同じ面内に
配置されている。また、ダクト開口部８１にはメッシュ
状の導電性部材８４が設けられている。この部材８４も
前記両面取り部と実質上同じ面に配置されている。他の
点は図１に示す装置と同構成である。

【００３０】この装置によると、電極エッジ２７及びダ
クト開口部エッジ８１１の面取りにより形成される電界
強度の勾配により、微粒子はダクトへ効率よく吸引され
る。また、ダクト開口部８１にメッシュ状導電性部材８
４を付設してあるので、それによってプラズマが安定
し、また、ダクト開口部における電界の不均一性が回避
される。

【００３１】なお、図２に二点鎖線で示すように、ダク
ト８の外壁８５をプラズマ領域Ｐを取り囲むように延在
させて、微粒子の吸引を一層円滑化することもできる。
本発明に係る他のプラズマＣＶＤ装置によると、図３に
示すように、ダクト８が接地電極２と高周波電極３との
間のプラズマ発生領域Ｐを筒状に取り囲むように延在し
ており、ダクト開口部８６も該プラズマ発生領域に臨む
ように延設されている。ダクト開口部８６にはメッシュ
状の導電性部材８７が設けられており、その設け方の特
徴として、部材８７の表面とダクト本体表面とが実質上
同じ面位置に置かれ、できるだけ段差が生じないように
されている。また、ヒータ８３はプラズマ発生領域Ｐを
取り囲むように延在する部分へも延設してある。その他
の点は図１に示す装置と同構成である。

【００３２】この装置によると、ダクト本体及びその開
口部がプラズマ発生領域Ｐを取り囲むように延在してい
るので、それだけプラズマ発生領域の全体から微粒子が
効率よくダクト８内に吸引され、排出される。また、ダ
クト開口部８６にメッシュ状導電性部材８７を付設して
あるので、開口部８６の電位がダクト本体と同電位にな
り、それによってプラズマが安定化し、さらに、ダクト
開口部８６における電界の不均一性が回避される。

【００３３】本発明に係るさらに他のプラズマＣＶＤ装
置によると、図４に示すように、図３に示す装置におい
て電極エッジ２７がダクト８による微粒子吸引方向に斜
めに面取りされているとともに、該エッジに隣合うダク
ト開口部８６のエッジ８６１も同方向に面取りされ、両
面取り部が実質上同じ面内に配置されている。他の点は
図３に示す装置と同構成である。

【００３４】この装置によると、電極エッジ２７及びダ
クト開口部エッジ８６１の面取りにより形成される電界
強度の勾配により、微粒子はダクトへ効率よく吸引され
る。以上説明した装置のうち図３の装置により、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ膜を形成した例を説明する。成膜条件基板：５インチシリコンウェハガス：ＳｉＨ₄ １００ｓｃｃｍＨ₂ ４００ｓｃｃｍ成膜温度：２３０℃ 成膜ガス圧：０．４Ｔｏｒｒ高周波電力：２００Ｗ電極サイズ：３６０ｍｍ×３６０ｍｍ□ 電極間隔：４５ｍｍ（電極３−基板Ｓ１表面間距
離）排気割合：排気装置（51、52) ：排気装置８０＝
１０：１ダクト温度：約２００℃ ダクト開口部導電性部材８７：開口率７０％のステンレ
ススチール製メッシュ状板部材ダクト電位：接地この成膜では、形成されたａ−Ｓｉ：Ｈ膜における付着
微粒子数は、０．３μｍ以上の大きさのもので５個以
下、成膜速度３００Å／ｍｉｎ、真空容器等のメイン
テナンス必要回数５０バッチ（合計５０μｍ成膜）毎
であった。

【００３５】なお、図６の従来装置によると、ダクト８
を採用しない点を除いて他は同じ成膜条件として、付着
微粒子数は約５０個、成膜速度１００Å／ｍｉｎ、真
空容器等のメインテナンス必要回数１０バッチ（合計
１０μｍ成膜）毎であった。次に、本発明のさらに他の
実施例である図５に示すプラズマエッチング装置につい
て説明する。この装置は、図７に示す従来装置におい
て、接地電極３０に対し、それを囲む微粒子排出用のダ
クト９を設け、それに排気装置９０を接続したものであ
る。また、ダクト９には、これを接地電位としたり、微
粒子帯電状態に応じて適当なバイアス電圧を印加する電
圧可変の直流電源９ａ等を含む電位印加部９００を接続
してある。ダクト９、排気装置９０及び電位印加部９０
０を採用した点を除けば図７の装置と同様の構成であ
り、全体のエッチング動作も同様である。図７の装置に
おける部品と同じ部品については同じ参照符号を付して
ある。

【００３６】ダクト９は、図示のとおり、接地電極３０
とは別体に形成されており、該接地電極の周縁部３０３
及び背面部３０４を一体的に囲んでおり、該電極周縁
部、さらに詳言すると、周縁部３０３のうちプラズマ発
生領域Ｐに臨む電極エッジ３０５に隣合う部位に開口部
９１を有している。さらに言うと、ダクト開口部９１は
スリット状に形成されており、電極３０の電極板３０２
乃至エッジ３０５と実質上同じ面に配置されており、電
極３０を囲繞している。また、ダクト９は電極３０の背
面側中央部に対応する位置に排気装置９０の接続口９２
を有している。

【００３７】ダクト９には加熱ヒータ９３が付設してあ
り、それはダクト開口部９１まで延在しており、該開口
部９１も加熱できる。排気装置９０は排気調整用弁９０
１及び排気ポンプ９０２を含むもので、ダクト９の接続
口９２に弁９０１を介してポンプ９０２が接続されてい
る。このプラズマエッチング装置によると、エッチング
対象基板Ｓ２が高周波電極２０に設置され、あとは、図
７の装置について説明したと同様の手順で該基板表面の
膜がエッチング処理される。

【００３８】但しこの装置では、エッチング中、ダクト
９の電位は発生する微粒子を集め易いように電位印加部
９００にて適当な電位とされ、また、接地電極３０を囲
むダクト９が排気装置９０により排気される。従って、
エッチング中、プラズマ中の気相反応で発生した微粒
子、特に電極板３０２近傍で発生し、電極エッジ３０５
近傍に密集する微粒子は該ダクト９の開口部９１からダ
クト内に効率よく吸引され、プラズマ領域外へ排除され
る。従って、処理対象基板Ｓ２や真空容器１内各部への
微粒子の付着がそれだけ抑制され、エッチング不良が大
幅に低減するうえ、真空容器内各部の微粒子除去清掃等
のメインテナンス回数を従来より減らすことができるよ
うになり、高スループット化が達成される。さらに、多
量の微粒子発生を伴う高速エッチング処理が可能とな
り、また、微粒子の排除によりプラズマを安定化させて
プラズマが不安定な場合に生じ易いエッチング不良の発
生を抑制できる。

【００３９】また、必要に応じヒータ９３を運転して、
ダクト９の開口部９１やダクト９内に微粒子を付着状態
とし、プラズマ領域への微粒子の拡散を抑制できる。な
お、このようなエッチング装置においても、図２、図
３、図４に示すと同様に、電極エッジ３０５やダクト開
口部エッジを面取りしたり、ダクト開口部にメッシュ状
導電性部材を設けたり、ダクトをプラズマ発生領域を取
り囲むように延在させる等して、前記プラズマＣＶＤ装
置の場合と同様の効果が得られる。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によると、プ
ラズマ中の気相反応で発生する微粒子を効率良く排除で
き、それによって微粒子が処理対象基板や真空容器内各
部に付着することを抑制できるとともに、従来より高速
プラズマ処理が可能となり、プラズマを安定化させてプ
ラズマ処理不良の発生を抑制することができるプラズマ
処理装置を提供することができる。

【００４１】微粒子排出ダクトがプラズマ発生領域を取
り囲むように延在し、該ダクト開口部がプラズマ発生領
域に臨むように延設されているときは、それだけプラズ
マ発生領域の全体から微粒子を効率よく吸引、排出でき
る。前記ダクトに加熱ヒータを付設してあるときは、そ
の運転により、ダクトに吸引した微粒子をダクトに付着
状態とさせて保持でき、ダクトからの微粒子の逆行拡散
を抑制できる。

【００４２】前記ダクトの開口部に帯電微粒子集入用電
位を印加するための手段を該ダクトに接続するときは、
微粒子の帯電状態に応じて、当該手段により該開口部を
微粒子を集め易い電位として、効率よく微粒子を排出で
きる。前記ダクトの開口部に孔あき導電性部材を付設す
るときは、それによってプラズマを安定化させ、また、
ダクト開口部における電界の不均一性を回避できる。

【００４３】接地電極の周縁部のうちプラズマ発生領域
側のエッジを前記ダクトによる微粒子吸引方向に沿って
面取りしたり、前記ダクトの開口部のうち前記接地電極
周縁部に隣合うエッジを該ダクトによる微粒子吸引方向
に沿って面取りするときは、該面取りにより形成される
電界強度の勾配により、微粒子をダクトへ効率よく吸引
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例であるプラズマＣＶＤ装置の
概略構成を示す図である。

【図２】本発明の他の実施例であるプラズマＣＶＤ装置
の接地電極及びそれを囲む微粒子排出ダクトの断面図で
ある。

【図３】本発明のさらに他の実施例であるプラズマＣＶ
Ｄ装置の一部を示す図である。

【図４】本発明のさらに他の実施例であるプラズマＣＶ
Ｄ装置の接地電極及びそれを囲む微粒子排出ダクトの断
面図である。

【図５】本発明のさらに他の実施例であるプラズマエッ
チング装置の概略構成を示す図である。

【図６】従来のプラズマＣＶＤ装置例の概略構成図であ
る。

【図７】従来のプラズマエッチング装置例の概略構成図
である。

【符号の説明】

１、１０真空容器２、３０接地電極２０、３高周波電極２０１、３１マッチングボックス２０２、３２高周波電源３３、３０１ガスノズル３４、３０２ガス供給孔付き板体２５、３０３電極周縁部２６、３０４電極背面部２７、３０５電極エッジ２１ヒータ５１、７１開閉弁５２、７２排気ポンプ４、６ガス供給部８、９微粒子排出ダクト８１、８６、９１ダクト開口部８１１、８６１ダクト開口部エッジ８２、９２ダクトの排気装置接続口８３、９３ダクト付設のヒータ８４、８７メッシュ状導電性部材８５ダクトの外壁延設部８０、９０排気装置８０１、９０１排気量調整弁８０２、９０２排気ポンプ８００、９００ダクトへの電位印加部Ｓ１成膜対象基板Ｓ２エッチング対象基板

フロントページの続き (72)発明者中東孝浩京都市右京区梅津高畝町47番地日新電機株式会社内 (72)発明者桑原創京都市右京区梅津高畝町47番地日新電機株式会社内 (56)参考文献特開昭59−43880（ＪＰ，Ａ) 実開平１−100432（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/50 H01L 21/3065

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】排気装置により所定の処理真空状態にで
きる真空容器内に、プラズマ生成用電力印加のための電
極及び該電極に対向配置される接地電極を設け、該両電
極間に導入した処理用ガスを前記電力印加用電極に電力
印加してプラズマ化させ、該プラズマのもとで前記いず
れかの電極に設置される処理対象基板に目的とするプラ
ズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記接地電
極の周縁部及び背面部を囲み、該電極周縁部に隣合う部
位に開口部を有する微粒子排出ダクトを設けるととも
に、該ダクトに前記接地電極の背面側中央部に対応する
位置において排気手段を接続し、前記微粒子排出ダクト
は該ダクトを前記接地電極から独立して帯電微粒子集入
用電位に設定可能に該接地電極とは別体に形成したこと
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】前記ダクトが前記両電極間のプラズマ発
生領域を取り囲むように延在しており、前記ダクト開口
部が該プラズマ発生領域に臨むように延設されている請
求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】前記ダクトに加熱ヒータを付設した請求
項１又は２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】前記ダクトの開口部に帯電微粒子集入用
電位を印加するための手段を該ダクトに接続した請求項
１、２又は３記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】前記ダクトの開口部に孔あき導電性部材
を付設した請求項１から４のいずれかに記載のプラズマ
処理装置。
【請求項６】前記接地電極の周縁部のうちプラズマ発
生領域側のエッジを前記ダクトによる微粒子吸引方向に
沿って面取りした請求項１から５のいずれかに記載のプ
ラズマ処理装置。
【請求項７】前記ダクトの開口部のうち前記接地電極
周縁部に隣合うエッジを該ダクトによる微粒子吸引方向
に沿って面取りした請求項１から６のいずれかに記載の
プラズマ処理装置。