JP3303077B2

JP3303077B2 - マスクおよびパタン形成方法

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Publication number: JP3303077B2
Application number: JP15818993A
Authority: JP
Inventors: 恵美為近; 勝征原田; 敏行堀内
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp; NTT Inc USA
Current assignee: NTT Inc; NTT Inc USA
Priority date: 1993-03-01
Filing date: 1993-06-04
Publication date: 2002-07-15
Anticipated expiration: 2017-07-15
Also published as: JPH06313964A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の微細パタン
を投影光学系を用いてウエハなどの基板上に形成する斜
入射照明方式を用いた投影露光法で使用するマスクおよ
びパタン形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来よりＬＳＩ等の微細パタンを形成す
るための投影露光装置には、高い解像力が要求され、最
近では光の波長から決まる理論限界に近い解像度を有す
るまでに至っている。近年、ＬＳＩパタンのさらなる微
細化に対応するため、マスク（レチクル）上の隣合う光
透過部に１８０°に近い位相差を設けることにより遮光
部での光強度を０に近づけて解像度を向上させる位相シ
フト法が提案され、解像度向上が図られてきている。し
かし、位相シフト法は、Ｌ＆Ｓパタン（ラインアンドス
ペースパタン）のように隣合う光透過部で１８０°の位
相差を取れる周期性の高いパタンでは大きな微細化の効
果が得られるのに対して、ランダムパタンではこの条件
を満たすことが難しく、したがって効果も低下する。す
なわち、パタンの種類や配置の仕方により解像性向上の
効果が異なる。このため、位相シフト法は、効果的なシ
フタ配置法を始め、欠陥のないシフタ製作技術およびそ
の検査、修正技術など多くの技術的困難性を有している
こと、これらによりマスク製作費が大幅に増加するなど
の欠点があった。

【０００３】これに対して、特願平３−９９８２２号
「微細パタン投影露光装置」は、マスクに入射する光を
投影光学系の開口数に対応した角度だけ光軸から傾けて
照射することにより位相シフト法と同等の解像性を実現
した発明である。この方法は、従来マスクがそのまま使
えるため、位相シフト法に比べて大きな利点を有してい
る。マスク照明光を光軸から傾けて照明するため、特願
平３−１５７４０１号「微細パタン投影露光方法」で
は、円環や４点，多点などの光源を発明し提供してい
る。

【０００４】このような斜入射照明ではマスクパタンに
より回折する回折光の片側だけを像形成に利用するた
め、両側回折光を用いる従来法に比べて、０次回折光が
概略２倍となる。この余分の０次光はコントラストを低
下させる要因となるため、特願平３−１５７４０１号
「微細パタン投影露光方法」では、マスクがない場合開
口絞り位置に結像する光源形状に対応する部分およびそ
の周辺に０次光調整フィルタを配置する方法を、また、
特願平３−１７７８１６号「マスクとそれを用いた投影
露光方法」では、マスクの遮光部が半透明でかつ、遮光
部の透過光に透明部の透過光とおよそ１８０°の位相差
を持たせた０次光調整マスクによりそれぞれ０次光を調
整しコントラストの向上を図っている。また加門らは第
３９回応用物理学関係連合講演会３０ａ−ＮＡ−７で斜
入射照明法とシフタ遮光型位相シフトマスクと組み合わ
せとして同様にコントラスト向上効果があることを報告
している。

【０００５】先ず上述したこれまでの斜入射照明方式と
従来照明方式において用いられる光源について説明す
る。図１４は従来照明と種々の斜入射照明方式について
代表的な光源形状と典型的な光学パラメータの一例を示
したものである。図中斜線部は光源である。ここでは投
影レンズの開口数（ＮＡ）で規格化した開口絞りの半径
を１と置いた。従来照明法の円光源半径をσとした。円
環光源では円環中心までの半径をＲ、円環の幅を２σΔ
とした。４点光源では有限の大きさをもつ個々の点光源
の中心までの距離をＲ、個々の点光源の直径を２σΔと
した。

【０００６】図１５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、斜入射
照明法と組合わせて像コントラストを向上させる０次光
調整マスクを説明するものである。図中１はマスク基
板、２は光透過部、３は透過率調整位相シフト部（通常
マスクの遮光部に相当）である。０次光調整マスクは、
従来のマスクにおいて遮光する部分３を半透過膜として
その透過率をコントラストを向上させるように調整（典
型的な振幅透過率はｔ＝０．３５（強度透過率約１２
％）付近であるが、もっとも効果的な透過率は光源形状
やパタン形状等によって異なる。）し、かつ半透過部３
を通過した光と透過部分２を通過してきた光との位相差
が１８０°に近くなるように調整したものである。斜入
射照明とこの０次光調整マスクを組合わせて使用するこ
とにより像コントラストが向上し、結果として解像度や
焦点深度がさらに向上する。また、０次光調整マスクで
は、通常の光源に対していわゆる位相シフトマスクとし
て使用する場合に比べて、位相ずれに対する許容度が大
きく広い範囲の位相差で効果を得ることができる。ここ
では、その使用目的のためにこのマスクを０次光調整マ
スクと呼んでいるが、一般にシフタ遮光型またはハーフ
トーン型と呼ばれる位相シフトマスクでも、遮光部が半
透明であり位相差があれば、同様の効果をもたらすこと
ができる。したがって、これから説明する欠点も同様に
現れ、本発明の効果も同様に得られるので、これら斜入
射照明法と組合わせて同様の効果をもたらすマスクを総
称して０次光調整マスクと呼び、従来照明と組み合わせ
た場合はハーフトーン型位相シフトマスクと呼ぶことに
する。また、どちらの場合も本来の遮光部が半透明にな
っているので、この部分を一般の光透過部や遮光部と区
別して半透過部と呼ぶことにする。

【０００７】以上説明した斜入射照明方式と０次光調整
マスクとを組合わせた露光方法では、いずれも隣合うパ
タン間に斜めからの照射により位相差を与え、位相シフ
ト法と同様の解像度向上の効果を得るものであることか
ら、周期性の高いパタンでは高い解像度が得られるが、
周期性の低いランダムパタンや周期パタンの周期が終わ
る端部、周期性のない孤立パタンや大パタンでは解像度
が低下したり、結像パタンが歪んだりする問題がある。
この問題点について詳述するため、以下の説明ではパタ
ンの寸法やマスク内の距離およびデフォーカス量につい
て次のように規格化したＵおよびＺの単位を用いた。パタンの寸法やマスク内の距離の単位・・・Ｕ＝λ／２（ＮＡ）デフォーカス量の単位・・・・・・・・・・Ｚ＝λ／２（ＮＡ）2 また、それぞれの光学系に対して図３に併記したパラメ
ータを標準値として用いた。また、光強度分布における
デフォーカス量は、Ｚの０，１，１．５および２倍の４
水準とした。

【０００８】以上説明したハーフトーン型位相シフトマ
スクや０次光調整マスクによる露光では何れも半透過部
に光が透過する。したがって、透過率や露光強度などに
よっては本来露光するべきでない領域が露光されてしま
い、現像の強さによってはこの露光による不要なパタン
がレジスト（感光材）上に転写されてしまうという問題
点があった。また、この問題点を言い換えれば、この不
要パタンを転写しないためには現像条件に対する余裕度
が非常に小さくなるということにもなる。

【０００９】次に、斜入射照明方式と０次光調整マスク
を組合わせた露光法についてパタン歪などの問題点の所
在を従来照明法と比較しながら説明する。図１６
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、典型的な周期パタ
ンについて、（Ｅ）、（Ｆ）は、周期性のないパタンに
ついての露光強度のプロファイルのシミュレーション結
果を示したものである。周期パタンは１６本の無限長ラ
インからなるＬ＆Ｓパタン（ライン・アンド・スペース
パタン）で、ラインおよびスペースいずれも幅がＵであ
る。横軸はＵの単位で表したマスク内の距離、縦軸は露
光強度である。パタンエッジの設計値はＵの単位で４か
ら３５まで、デフォーカス量はＺの０，１，１．５およ
び２倍の４水準に対してそれぞれ実線、短い実線、長い
破線および一点鎖線で示してある。（Ａ）、（Ｃ）、
（Ｅ）は従来照明と従来マスクを用いた従来法の場合
で、（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｆ）は斜入射照明方式と０次光
調整マスクを組合わせた露光法を用いた場合である。

【００１０】通常の現像では露光強度が０．３レベル付
近でパタンが形成される。したがって、露光強度プロフ
ァイルが露光強度０．３のレベルと交わる点と設計エッ
ジとの横方向のずれ量が小さい、すなわちパタン歪が小
さいことと、このずれ量の小さい領域が上下でどれ位あ
るかの現像マージンが大きいこと、さらに、デフォーカ
ス量が大きくなってもこのマージンが小さくならないこ
とが重要である。図１６（Ａ）と（Ｂ）を比較すると、
従来照明方法はデフォーカス量が大きくなるにつれ解像
度が低下して現像マージンが小さくなり、パタン形成が
困難であることを示している。これに対して、０次光調
整マスク方式は、デフォーカス量が大きくなっても良好
な解像性を示し、大きな焦点深度でパタン形成が可能で
あることがわかる。しかし、１６本のパタンの露光強度
プロファイルを比較すると、従来照明法では全パタンに
わたって略等しいのに対して、０次光調整マスク方式は
特に周期パタン端部で露光強度の変化が大きい。これら
は実際のパタン形成でパタン幅が中央部と端部で異なっ
たり、デフォーカス時に端のパタンが形成されないなど
の結果となって現れる。（Ｃ）、（Ｄ）は（Ａ）、
（Ｂ）の一部分の拡大図である。０次光調整マスク方式
では右端のパタンでデフォーカスによる露光強度プロフ
ァイルの迫り出しが顕著である。これは実際のパタン形
成でパタンエッジの位置ずれやパタン形状の歪となって
現れると共に、現像がゆらげば大きな寸法変動となるこ
とを意味している。

【００１１】図１６（Ｅ）、（Ｆ）の非周期性パタンは
Ｕの単位で４と１６に設計エッジをもつ無限長パタンで
ある。デフォーカス条件は周期パタンと同じである。従
来照明法による露光強度プロファイル（Ｅ）では規格化
露光強度０．３と設計エッジの交点でデフォーカスによ
るずれはほとんどないの対して、０次光調整マスク方式
（Ｆ）では、デフォーカス量が大きくなるにつれて位置
ずれが大きくなっている。これは実際のパタン形成で、
パタンの細り（ポジ形レジストの場合）や太り（ネガ形
レジストの場合）となって現れる。

【００１２】以下斜入射照明法と組み合わせた０次光調
整マスクを用いた露光法について上に指摘した半透過部
過剰光透過の問題について、問題点の所在を従来マスク
を用いた場合と比較しながら説明する。図１７（Ａ）、
（Ｂ）は光透過部が孤立線の同一パタンについて、Ｘ軸
上の光強度分布をシミュレーションしたものである。３
本の線は実線がフォーカス時で、その他の２本が順次フ
ォーカス量を増やした場合である。光源は輪帯の斜入射
照明で、（Ａ）は従来のＣｒマスク、（Ｂ）は強度透過
率１２％の０次調整マスクを用いた場合である。通常の
工程でこのような露光強度分布で露光されたレジストを
現像する場合、光強度がおよそ０．３をしきい値とし
て、それ以上露光された部分が溶解（ポジレジストの場
合）する。その際レジストの性質や厚さ、現像条件（現
像液の強さや現像時間）によって必ずしもこの値が０．
３に固定されるわけではなく、また露光部と未露光部の
光強度の差が大きいほど現像後のパタン形状断面は長方
形に近く、望ましい形状となる。（Ａ）に示されるよう
に従来のマスクで露光した場合は、孤立線以外の部分が
遮光部であるため、周囲の光強度はほぼ０に等しい。こ
のため周辺部分は感光することなく、レジスト現像後に
は（ポジ型レジストの場合）パタン部のみに溝ができ周
辺部はレジストがそのまま残ることにより、パタン形成
される。一方、（Ｂ）の０次光調整マスクを用いた場合
は、パタンの周辺部に１２％の透過率が与えられている
ため、露光強度分布にもその影響が現れ、周辺部での光
強度が０．１を越えている。このため場合によってはこ
の部分が感光してしまい、現像後にはパタン部の溝以外
に周辺部のレジストが掘れてしまうか、あるいは膜減り
してしまう。また通常、レジストでのパタン形成におい
ては、露光部と未露光部との光強度のコントラストを最
大強度Ｉｍａｘと最小強度Ｉｍｉｎとして用いてＭＴＦ＝（Ｉｍａｘ−Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋Ｉｍｉ
ｎ）で表し、コントラストが高いほど現像条件に余裕度があ
り、パタン形成に有利であることを示す。図１７の場
合、（Ａ）ではＩｍｉｎ≒０なので１００％近いコント
ラストとなるが、（Ｂ）ではＩｍｉｎを周辺部のもっと
も高いところにとればコントラストはおよそ５０％程度
しかない。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
斜入射照明方式では周期性のないパタンや周期性パタン
の周期が終わる部分について、露光強度の不揃いや露光
強度プロファイルの変形が起こり、これがパタンの歪や
位置ずれとなり、精度を低下させるという欠点があっ
た。また、ハーフトーン型位相シフトマスクや斜入射照
明法における０次光調整マスクでは、半透過部に光が透
過するためレジストパタン形成の際の現像裕度が小さ
く、非パタン部の膜減りが生じ易いという欠点があっ
た。

【００１４】本発明は上記したような従来の問題点に鑑
みてなされたもので、その目的とするところは、斜入射
照明方式を用いた投影露光によるパタン形成において、
周期パタンの終端部や非周期パタンエッジ部に生じるパ
タン歪や位置ずれを除去または減少させ、併せてコント
ラストを向上させることにより、微細で精度の高いパタ
ンを得ることができるようにしたマスクおよびパタン形
成方法を提供することにある。また本発明は、半透過部
を有するマスクを用いたパタン形成において、その効果
を損なわずに半透過部に対応する領域のウエハ面上での
光強度を抑えることができ、コントラストの高い精確な
パタンを得ることができるようにしたマスクおよびパタ
ン形成方法を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の本発明は、光源の主な部分を光軸からずれた
位置に配置することにより解像度や焦点深度を向上させ
る斜入射照明方式に用いるマスクにおいて、周期性を有
する目的とするパタンと解像不能な補助パタンあるいは
複数の前記補助パタンよりなる補助パタン群とを備え、
前記目的とするパタンと前記補助パタンは、これら両パ
タンの外部領域が光透過部の場合には、共に光の透過率
が０でなくかつ光透過部との位相差が０でない透過率調
整部からなり、前記両パタンの外部領域が前記透過率調
整部の場合には、共に光透過部からなり、前記補助パタ
ンまたは前記補助パタン群は、前記目的とするパタンの
周期性を保存するように配置されているものである。第
２の発明は、光源の主な部分を光軸からずれた位置に配
置することにより解像度や焦点深度を向上させる斜入射
照明方式に用いるマスクにおいて、周期性を持たない目
的とするパタンと解像不能な補助パタンあるいは複数の
前記補助パタンよりなる補助パタン群とを備え、前記目
的とするパタンと前記補助パタンは、これら両パタンの
外部領域が光透過部の場合には、共に光の透過率が０で
なくかつ光透過部との位相差が０でない透過率調整部か
らなり、前記両パタンの外部領域が前記透過率調整部の
場合には、共に光透過部からなり、前記補助パタンまた
は前記補助パタン群は、前記目的とするパタンに周期性
を付与するように配置されているものである。第３の発
明は、第１の発明において、λを照明光の波長、ＮＡを
投影レンズの開口数とするとき、前記目的とするパタン
の幅がλ／（２ＮＡ）付近以上であり、前記補助パタン
が前記目的とするパタンの周期の終わる光透過部（また
は透過率調整部）エッジから０．８×λ／（２ＮＡ）〜
１．４×λ／（２ＮＡ）のピッチで１つ以上配置されて
いるものである。第４の発明は、第２の発明において、
前記目的とするパタンが周期性のない孤立の光透過部か
らなるパタンで、かつその幅がλ／（２ＮＡ）付近以上
であり、前記補助パタンが前記目的とするパタンの片側
または両側に目的とするパタンエッジから０．８×λ／
（２ＮＡ）〜１．２×λ／（２ＮＡ）の距離をおいて１
つ以上配置されているものである。第５の発明は、第１
〜第４の発明のうちのいずれか１つのマスクを用いて目
的とするパタンを形成するものである。第６の発明は、
位相シフトマスクであって、照明光の半透過部と、目的
とするパタンと、補助パタンとを有し、前記目的とする
パタンおよび補助パタンは、前記半透過部の内部に前記
照明光の透過部として形成され、前記半透過部は、０よ
り大きく前記透過部の透過率以下である前記照明光に対
する透過率と前記透過部に対して０より大きい位相差と
を有し、前記補助パタンは、解像不能であり、かつ前記
目的とするパタンとの間のスペースが解像不能とならな
い間隔をもって前記目的とするパタンの周囲に少なくと
も１つ配置されたものである。第７の発明は、上記第６
の発明において、補助パタンが解像不能な線パタンであ
る。第８の発明は、上記第６の発明において、補助パタ
ンが解像不能な市松模様あるいは格子パタンである。第
９の発明は、光源の主な部分を光軸からずれた位置に配
置することにより解像度や焦点深度を向上させる斜入射
照明方式と上記第６〜第８の発明のうちのいずれか１つ
に記載のマスクとを組合わせて目的とするパタンを形成
するものである。

【００１６】

【作用】解像不能な補助パタンにより目的パタンの周期
性が助長される、または周期性が付与されることによ
り、結像パタン露光強度プロファイルの歪が低減し、コ
ントラスト向上が図られる。これにより、より微細で、
精度の高いパタン形成が可能となる。半透過型シフトマ
スクは、半透過部に解像不能な補助パタンを配置してい
る。補助パタンによる半透過部の光強度抑制は、半透過
領域内に解像不能なパタン寸法を有する微細パタンを配
置することにより、レチクル回折光の回折角を大きくし
てこの部分の光が結像面に到達しないようにする。

【００１７】

【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。図１は本発明による補助パタン群また
は補助パタンの基本配置を示す図で、（Ａ）は周期パタ
ン、（Ｂ）は大面積パタンの端部、（Ｃ）は孤立線パタ
ンに対する補助パタン配置例である。（Ａ）において、
１１は光透過部からなる目的パタン、１２は本発明によ
る光透過部からなる補助パタン群、１２ａは補助パタン
群１２を構成する補助パタンである。例えば目的パタン
１１が光透過部の場合は白抜きの部分が光透過部を、ハ
ッチング部分が透過率調整半透過部を表すが、光透過部
と半透過部が逆の場合も同様の補助パタンが効果を示
す。周期性の終わる端部に補助パタン１２ａからなる補
助パタン群１２を配置し、周期性が継続する条件を作り
出すことにより、斜入射照明方式の周期終端部に現れる
露光強度プロファイルの歪を低減させるものである。こ
の場合、補助パタン１２ａは目的パタン１１の周期性が
端部でも持続するように配置することと、現像後にパタ
ンとして残らない、解像不能な補助パタン１２ａまたは
補助パタン群１２であることの両立が必要である。前者
に対しては、補助パタン１２ａの幅Ｌｏがなるべく大き
くて、補助パタン群１２の幅Ｗａの中にできるだけ多く
の補助パタン１２ａを配置するほうが大きな効果が得ら
れる。しかし、後者に対しては、逆にＬｏがなるべく小
さく、補助パタン１２ａの数が少ないほうが現像マージ
ンが大きくなることから、最適化する必要がある。ま
た、図１６（Ｂ）から分かるように、特に、周期端部か
ら１つ目と２つ目のパタンの露光強度が大きな影響を受
けていることから、補助パタン群１２の数は２つ程度が
最適であるが、１つでも３つでも本発明による効果は得
られる。また、補助パタン群１２の中の補助パタン１２
ａの数も１つ以上であれば、本発明による効果が発揮で
きる。大面積パタンや孤立線パタンのように周期性のな
いパタンにおいては、新たに周期性を付与することによ
り、コントラスト向上効果が現れる。したがって、図１
（Ｂ）のように大面積パタン端部の両側に周期的パタン
群を位置するとよい。なお、１３は目的パタン、１４は
遮光部からなる補助パタン、１５は光透過部からなる補
助パタンである。この場合の周期は、露光光に固有な周
期であるλ／ＮＡが効果的であり、この周期を付与する
という意味で特に端から１本目の補助パタン１４，１５
までの距離は、Ｐｂ−Ｌｏ／２が１Ｕ＝λ／（２ＮＡ）
以上で、かつＰｂ＋Ｌｏ／２が２Ｕ＝λ／ＮＡ以下とし
た場合に効果が高い。ここでは、両側に１本の補助パタ
ン１４，１５からなる補助パタン群を２つずつ配置する
例を示したが、この補助パタン群は数本から構成するこ
ともでき、補助パタン群自体の数も１つ以上であればよ
く、また片側だけに補助パタンを配置する方法によって
も効果が得られる。孤立線パタンの場合も同様に周期性
を付与するような補助パタンをした例を図１（Ｃ）に示
す。１６は透過型孤立パタンからなる目的パタン、１７
は補助パタン群、１７ａは光透過部からなる補助パタン
である。補助パタン１７ａの配置周期Ｐａはλ／ＮＡに
近い値とすれば効果的である。但し、透過部と遮光部は
逆であってもよい。

【００１８】図２（Ａ）は図１（Ａ）からなる本発明を
適用した例である。図１６（Ａ）、（Ｂ）と同様のＬ＝
１×ＵのＬ＆Ｓパタンの両端にＰａ＝２×Ｕ、Ｌｏ＝
０．３×Ｕの補助パタン２本からなる補助パタン群を２
つずつ配置したもので、０次光調整マスク方式（振幅透
過率ｔ＝０．３５、位相差１８０°）による露光強度プ
ロファイルを示す。補助パタン２６（図１の補助パタン
１２ａに相当）の所在を明らかにするために、図の上部
に遮光部２７（図１のハッチング部）を黒で示した（以
下補助パタンを含む露光強度プロファイル図には図５を
除いて全てこの表示を入れる）。なお、２５（図１の１
１に相当）は光透過部からなる目的パタンである。図２
（Ｂ）は比較のために示した本発明を適用しない場合の
０次光調整マスク方式による露光強度プロファイルであ
る。両者の比較から、周期の端部における露光強度不揃
いの改善と、特に最端パタンの露光強度プロファイルの
迫り出しが殆どなくなっていることがわかる。また、補
助パタン群２６による露光強度は０．２以下であること
から、現像後、補助パタン群２６はパタンとなって残る
ことはない。なお、デフォーカス量の表示は図１６と同
じである。

【００１９】次に、図１（Ａ）の基本配置を変形または
応用した実施例について説明する。図３（Ａ）は目的と
する周期パタンが光透過調整部分（通常マスクにおける
遮光部、以後便宜上遮光部と呼ぶ）からなる場合の補助
パタン配置例を示すもので、図１（Ａ）と同様の遮光部
からなる目的パタン１８に対して遮光部からなる補助パ
タン１９が１本からなる補助パタン群を配置した例、
（Ｂ）は図１（Ｂ）と同様の光透過部からなる目的パタ
ン２０に対して片側のみに光透過部からなる補助パタン
２１を配置した例、（Ｃ）は光透過部からなる孤立パタ
ンを目的パタン２２とする場合に１本からなる光透過部
からなる補助パタン２３を配置した例を示すものであ
る。この場合、どれも周期端部に、遮光部からなる補助
パタンまたは補助パタン群を配置することにより、図１
（Ａ）と同様の効果を得ることができる。

【００２０】図４（Ａ）は図３（Ａ）の実施例で、図２
と同様、Ｌ＝１×Ｕの寸法の５本の線からなる無限長の
Ｌ＆Ｓパタン２５の右側にＬｃ＝０．２×Ｕの遮光部か
らなる補助パタン（２６ａ）１本を、同じく左側にＬｃ
＝０．３×Ｕからなる補助パタン（２６ｂ）１本をそれ
ぞれ配置した場合の０次光調整マスク方式による露光強
度プロファイルである。図４（Ｂ）は比較のため、同じ
パタンで本発明による補助パタンを適用しない例を示し
た。現像後パタンが形成される露光強度０．３の付近に
着目すると、本発明を適用しない場合、デフォーカス量
が増すにしたがってパタンエッジが内側へ迫り出してく
る現象が顕著であるが、本発明の適用により、これが改
善されることがわかる。また、遮光（透過率調整）補助
パタン２６ａ，２６ｂによる露光強度の低下はあるが、
パタン形成される露光強度の０．３より大きいので現像
後はパタンとして残ることはない。また左右の比較から
補助パタン２６ａ，２６ｂが細い方が強度の低下は少な
いことがわかる。なお、デフォーカス量の表示は図１６
と同じである。

【００２１】図５は図１（Ａ）の基本配置の変形で、補
助パタン群および補助パタン群の中の補助パタンの数が
１つの場合である。５本の無限長Ｌ＆Ｓの両端にＬｏ＝
０．３×Ｕからなる補助パタン１つをＳａを０．５×Ｕ
から１．５×Ｕまで変えて配置した場合の０次光調整マ
スク方式による露光強度が示してある。（Ａ）は補助パ
タンのない場合で、露光強度の不揃いと、両端のパタン
の外側で露光強度プロファイルの迫り出しが見られる。
（Ｂ）〜（Ｆ）を比較すると、Ｓａ＝１×Ｕの（Ｄ）で
矯正効果が最も大きい。（Ｄ）では、各パタンの露光強
度が略等しく、特に、両端のパタンのコントラストが改
善され、露光強度プロファイルの迫り出しが減少してい
る。これは目的パタンのパタン端と補助パタンとの間隔
Ｓａが目的パタン同士の間隔（周期Ｐの１／２）に等し
くなっており、目的パタンの周期性を保とうとする位置
であることがわかる。また（Ｃ）と（Ｅ）でも、比較的
良好な効果を示していることから、補助パタンの位置に
最適値はあるもののその近傍でも本発明の効果があるこ
とがわかる。本発明における補助的パタン配置では、目
的パタンの周期性を保つように配置することが効果的で
あるが、その方法としては図１（Ａ）のようにＷａが目
的パタン幅Ｗに等しいかまたは近い補助パタン群によっ
てそれを保つ場合のほかに、図３（Ａ）のように補助パ
タン１本からなる補助パタン群によって保とうとする場
合もある。後者の場合では、必ずしもそのピッチが目的
パタンと等しいまたは近い必要はなく、それよりも目的
パタン端からの距離Ｓａが目的パタンのパタン間隔に近
いことが重要で、これをＳ（Ｓａ＝Ｓ−Ｌｏ／２）で表
現するとＳ＝ＷからＳ＝２Ｗの範囲で本発明の効果が認
められる。

【００２２】図６（Ａ）は本発明を大面積パタンに適用
した場合の一例の光強度分布図である。横軸上４から１
６の間に光透過部からなる目的パタン２５がある。図１
（Ｂ）では、目的パタンの内部と外部の両方に補助パタ
ン２６を施す例を示したが、ここでは図３（Ｂ）のよう
に外部のみに施す例を示す。どちらを選ぶかは効果の大
小の他に、露光量マージンの問題があるので、レジスト
の性質などの条件により、効果的なものを選択すればよ
い。図５（Ｂ）には比較のため同様の大面積パタンに本
発明を適用しない場合の０次光調整マスク方式による露
光強度プロファイルを示した。本発明により露光強度
０．３付近でデフォーカス増加による露光強度プロファ
イルの迫り出しが抑えられ、エッジ位置ずれが低減され
ている。本発明の基本配置ルールでは、元々周期性のな
いパタンの場合は露光光のもつ固有の周期として２Ｕ＝
λ／ＮＡが効果的であり、したがって図１（Ｂ）のよう
な配置となるが、変形応用例として図６（Ａ）の場合の
ように大面積パタンエッジからの間隔がＵに近いもので
あれば、本発明の効果が得られる。この場合３本の補助
パタン２６からなる補助パタン群を配置しているが、こ
れが１本以上であれば効果は略同じである。なお、デフ
ォーカス量の表示は図１６と同じである。

【００２３】図７は目的パタン２５が光透過孤立パタン
の場合の０次光調整マスク方式の露光強度プロファイル
で、補助パタン２６が２本からなる補助パタン群を施し
た場合で、図１（Ｃ）の実施例である。（Ａ）には本発
明からなる補助パタン２６を配置した場合、（Ｂ）には
比較のために補助パタンを配置しない場合を示した。目
的パタン幅１Ｕの光透過孤立線パタン２５に対して
（Ａ）では露光光固有の周期である２Ｕの周期性を持た
せるために目的パタンの端から１Ｕ離れた処に光透過補
助パタン２本からなる補助パタン群２６を配置した。
（Ｂ）に比べて、ピーク強度が高く、デフォーカス時の
露光強度プロファイルの迫り出しが抑えられ、コントラ
ストが著しく向上していることがわかる。現像点を強度
０．３としてその時の強度プロファイルの傾きをＬＯＧ
−ＳＬＯＰＥ値で比較すると、フォーカス時には（Ｂ）
１．２８から（Ａ）では２．３３へ、デフォーカスが
２．０×Ｚの時は０．２２から１．１５へと向上してい
る。なお、デフォーカス量の表示は図１６と同じであ
る。

【００２４】図８は目的パタンが遮光孤立パタンの場合
の０次光調整マスク方式の露光強度プロファイルで、補
助パタンが両側１本ずつの図３（Ｃ）の実施例にあた
る。（Ａ）には本発明からなる補助パタンを配置した場
合、（Ｂ）には比較のために補助パタンを配置しない場
合を示した。目的パタン幅１Ｕの遮光（透過率調整）孤
立線パタン２５に対して（Ａ）では目的パタン端から１
Ｕ離れたところに遮光補助パタン２６を１本配置した。
これにより露光強度０．３付近でデフォーカス増加によ
る露光強度プロファイルの内側への迫り出しが抑えら
れ、コントラストが向上していることがわかる。この例
のように背景部分（目的パタンに対して背景となる他の
部分）が透過部２８の場合は、透過部２８に遮光補助パ
タン（半透過位相反転補助パタン）を多く配置すると本
来光が透過すべき部分の露光強度が下がってしまうの
で、補助パタン２６はあくまでも多く配置することはで
きない。両側１本ずつ程度が適している。なお、デフォ
ーカス量の表示は図１６と同じである。

【００２５】次に、本発明を２次元的パタンに実施した
場合ついて説明する。図９および図１０は本発明による
遮光用補助パタンおよび遮光帯の配置例である。マスク
のパタン配置図では全てパタン部が光透過部、パタン以
外の地の部分が半透過部（通常遮光部に相当する）とす
る。

【００２６】図９はマスクパタンの一部について２次元
的な配置例を示し、３１はホールパタンに相当する目的
パタン、３２，３３は線の目的パタンで、３４は線形状
の補助パタン、３５は市松格子の補助パタン、３６は破
線やドットパタン、格子、斜め線など他の形状の補助パ
タンである。（Ａ）は半透過部遮光のために線パタンか
らなる補助パタンのみを用いた例、（Ｂ）は線パタンと
市松格子パタンを併用した例、（Ｃ）は様々な遮光用補
助パタンとした場合について個々のパタンの周辺部を抜
き出して１次元的な配置をより詳細に説明する図であ
る。

【００２７】図１０（Ａ），（Ｂ）は孤立ラインの周辺
部に他のパタンが存在しない場合の遮光用補助パタン配
置例で、４１は孤立線の目的パタン、４２はＬ／Ｓの目
的パタン、４３はそれぞれの補助パタンである。（Ａ）
では干渉による目的パタンのエッジ部での強度プロファ
イルをよくするために補助パタン群に周期性が持たせて
ある。（Ｂ）では単純に線パタンを敷き詰めた例であ
る。図では線と間隔の等しい場合を示したが、必ずしも
その必要はない。線パタンの幅が太くなり過ぎると線パ
タンが解像してしまうので、線パタンはある程度微細な
寸法である必要があるが、間隔の広さは遮光効果が得ら
れる程度あればよいので、通常はマスク製作の容易さを
考えて、線パタンに比べて間隔が広い方が都合がよい。
例えば、光源の波長３６５ｎｍでＮＡ＝０．６の場合の
数値例を挙げると、線パタンの幅０．１μｍに対して間
隔０．３μｍで線パタンが解像せず、遮光効果がある。
この数値は一例であり、これより間隔が広くても効果が
ある。解像可能な線パタンの幅は、光学系や露光現像条
件によっても異なるが、上記の例では現実的なパタン幅
は、０．１μｍ〜０．２μｍ程度である。また、間隔に
ついては線幅と加えたピッチがλ／ＮＡ（上記例では
０．５μｍ）以下が効果的である。（Ｃ）はＬ／Ｓ（ラ
イン／スペースパタン）パタンの両側に空き領域がある
場合は、より多くの補助パタンを配置する方がよい。そ
の場合、（Ａ）のように途中の間隔を空けて配置しても
（Ｂ）のように等間隔で配置してもよい。但し、図１０
の全ての場合について、目的パタン４１，４２の近傍で
は図にＳａで示したようなスペースを空ける方がよい。
これは、目的パタン４１，４２にあまり近接して補助パ
タン４３を配置すると、そのスペースの解像が困難にな
るためである。目的パタン４１，４２のコントラストを
高めるためにもある程度のスペースは必要で、Ｓａの最
適値はパタン幅などにもよるがおよそ０．４λ／ＮＡ程
度（上記例では０．２４μｍ）である。

【００２８】次に上記したような遮光用補助パタンを用
いた効果をシミュレーション結果の図により説明する。
図１１は目的パタン（光透過部）が寸法０．５λ／ＮＡ
の５本線からなるＬ／Ｓの場合の露光強度分布である。
横軸はλ／ＮＡで規格化した距離で、縦軸は露光強度、
図中４本の線はフォーカス位置を変えた場合に相当す
る。デフォーカス量はλ／２ＮＡ2 で規格化した値ｚで
示すと、実線はフォーカス時でｚ＝０、以下点線、破
線、一点鎖線の順にｚ＝１，１．５，２の場合を示す。
（Ａ）は輪帯型斜入射照明に本発明からなる遮光型補助
パタンを配置した０次光調整マスクを用いた場合で、図
１０（Ａ）の補助パタン群と同様にＬ／Ｓの両端からそ
れぞれスペースＳａ＝０．５λ／ＮＡを空けて、幅０．
１５λ／ＮＡの補助パタン、０．２λ／ＮＡスペース、
０．１５λ／ＮＡ補助パタン、０．５λ／ＮＡのスペー
ス、０．１５λ／ＮＡの補助パタン、０．２λ／ＮＡの
スペース、０．１５λ／ＮＡの補助パタンの順で配置し
た例である。（Ｂ）は輪帯型斜入射照明に補助パタンの
ない０次光調整マスクを用いた場合、（Ｃ）は通常照明
に従来のＣｒマスクを用いた場合である。（Ｃ）ではデ
フォーカス時にパタンが解像しなくなるのに対して、
（Ｂ）では斜入射照明を用いると同じ寸法のパタンが解
像するようになるが、０次光調整マスクの半透過部で最
大０．１５程度の光強度があり、転写可能性がある。こ
れに対して（Ａ）では遮光用補助パタンにより、透過部
の露光強度が０．１以下に抑えられており、スペースＳ
ａがあるために端のパタンのコントラストも改善されて
いる。これらにより、半透過部が転写されることなく精
度のよいパタンが比較的現像裕度をもって形成できる。

【００２９】次に孤立パタンの場合について図１２図お
よび図１３を用いて説明する。図１２は斜入射照明法に
０次光調整マスクを用いた場合の、図１３は通常照明に
ハーフトーン型位相シフトマスクを用いた場合の０．５
λ／ＮＡの太さの孤立線パタン（ポジレジストでは孤立
スペースに相当）に対する露光強度分布を表す。実線は
フォーカス時（ｚ＝０）、短い破線はおよそｚ＝０．７
５、長い破線はｚ＝１．５を表す。（波長３６５ｎｍ、
ＮＡ＝０．５２の時、デフォーカス量０，０．５，１．
０μｍに相当する。）

【００３０】図１２（Ａ）は０次光調整マスクをそのま
ま用いた場合、（Ｂ）はこれに対して遮光用補助パタン
を配置したい場合である。パタン配置は、目的パタン
０．５λ／ＮＡに対して、スペースＳａ＝０．３６λ／
ＮＡ、補助パタン幅０．１４λ／ＮＡ、その隣も同じく
スペースを０．３６λ／ＮＡづつ空けて幅０．１４λ／
ＮＡの補助パタンを３本づつ配置した場合である。
（Ｂ）ではパタン周辺部の光強度が下がり、全般にコン
トラストが向上している。この図では補助パタンが３本
づつなので、その外側に再び光強度が上がっているが、
周囲のパタンの状態に応じて補助パタンをさらに配置す
れば、このような光過剰部分はなくすことができる。

【００３１】図１３（Ａ）はハーフトーン型位相シフト
マスクをそのまま用いた場合、（Ｂ）はそれに遮光用補
助パタンを配置した場合で、パタン配置は図１２と同様
である。この図（Ａ）のように通常照明の場合には目的
パタンエッジでの位相変化の影響が大きいので、パタン
エッジで一旦鋭く強度が下がるが、その外側で比較的大
きな２次ピークが生じる。この光強度ピークは斜入射照
明の場合よりも大きく０．２を越える値となるので、こ
のピークが転写される可能性は高く、現像に対する余裕
度は更に厳しくなると考えられる。これに対して（Ｂ）
では、この２次ピークが大幅に抑制され、デフォーカス
時でも０．１以下に抑えられており、周辺部感光の可能
性はほとんどないと言える。

【００３２】ここでは遮光用パタンとして全て単純な線
パタンの場合を示したが、図９に示したように２次元的
な配置を考えるときは必ずしも単純な線パタンだけでは
なく、多角形や格子状の遮光パタン等を用いることもで
きる。格子状パタンは線パタン同様そのパタン寸法を微
細にすることにより、解像不能となり遮光部の役目をす
る。

【００３３】これまで、パタン部が光透過部で周辺部が
半透過部の場合について述べてきたが、逆に周辺部が光
透過部でパタン部が半透過部の場合には、周辺光透過部
に遮光用補助パタンを配置する必要はないが、パタン部
の面積が広い場合にはパタン部内にこれまで述べたよう
な遮光用補助パタンを配置して半透過部の露光強度を低
減させることも可能である。

【００３４】従来技術の項で説明したように、従来の半
透過型位相シフトマスクは、光透過部とそれよりも低い
透過率を有する半透過部とからなり、その半透過部は通
常マスクにおける遮光部と一致するため、半透過部の結
像面上での露光強度はレジストが感光しない程度に低い
必要があった。このため通常、半透過部の透過率は２０
％以下に設定されていた。しかし、本発明による遮光用
補助パタンを用いる場合は半透過部の透過率が大きくて
も解像不能な補助パタンによる遮光効果は同様に得られ
るので、必ずしも半透過部の透過率が小さい必要はな
い。便宜上半透過部と呼んでいるが、透過部と同じ透過
率を持っていてもよいことになる。その場合にもパタン
の近傍には位相シフトの効果を高めるＳａのスペースが
必要で、配置も図９や図１０に示したものと同様とな
る。

【００３５】また、ここでは通常照明と輪帯斜入射照明
の場合を説明したが、本発明は４点照明等の斜入射照明
法に対しても同様に適用できる。以上説明したように、
本発明は円環照明や４点照明などのいわゆる変形光源を
用いる斜入射照明法と０次光調整マスク方式を組合わせ
た露光法および、通常照明とハーフトーン型位相シフト
マスクを組合わせた露光法において効果を発揮するもの
である。

【００３６】

【発明の効果】本発明に係るマスクおよびパタン形成方
法は斜入射照明方式と０次光調整マスクを組合わせた方
法による投影露光で用いるマスクに関して、斜入射照明
方式ではパタンの周期性が高い程、高い解像度が得られ
ることに着目し、目的とするパタンの周期性がくずれる
周期端部で周期性が保持されるように、また、目的とす
るパタンに周期性がない場合に周期性を付与するよう
に、目的とするパタンの周辺または内部に解像不能な寸
法を有する補助パタンを形成したので、その結果として
パタン形成精度を向上させることができる。また、補助
パタンまたは補助パタン群が残存してもＬＳＩ等の性能
や機能に支障がない場合は上述したＬｏやＬｃを大きく
して高い効果を得ることが可能である。

【００３７】さらに、本発明は半透過型位相シフトマス
クを用いた露光において生ずる半透過部における露光過
剰の問題に対して、解像不能な補助マスクを配置するこ
とにより、この問題を解決するものである。半透過部に
おける露光過剰があると、レジスト上に不要なパタンが
転写される可能性があり、現像裕度が小さくなる。これ
に対して本発明におけるマスクを用いて露光すると、現
像裕度を大きくとりつつ精度のよいパタンが形成でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は、本発明による補助
パタン群または補助パタンの基本配置例を示す図で、
（Ａ）は目的パタンが周期性を有する場合（Ｌ＆Ｓパタ
ン）、（Ｂ）は目的パタンが非周期性の場合（大面積パ
タンの端部）、（Ｃ）は目的パタンが非周期性の孤立パ
タンの場合である。

【図２】（Ａ）は周期パタンに本発明を適用した実施
例、（Ｂ）は比較のため示した同一パタンで本発明を適
用しない場合である。

【図３】本発明による補助パタン群または補助パタンの
応用配置例を示すもので、（Ａ）は周期性を有する場合
（Ｌ＆Ｓパタン）、（Ｂ）は非周期性の場合（大面積パ
タンの端部）、（Ｃ）は非周期性の孤立パタンの場合で
ある。

【図４】（Ａ）は周期パタンに本発明を適用した実施
例、（Ｂ）は比較のため示した同一パタンで本発明を適
用しない場合である。

【図５】（Ｂ）〜（Ｆ）は本発明による補助パタン群配
置である図２（Ａ）を用いた実施例で、（Ａ）は比較の
ため示した同一パタンで本発明を適用しない場合であ
る。

【図６】（Ａ）は、大面積パタンに対する実施例、
（Ｂ）は比較のため示した同一パタンで本発明を適用し
ない場合である。

【図７】（Ａ）は、目的パタンが非周期性で孤立パタン
の場合の本発明による補助パタン配置である図１（Ｃ）
を適用した実施例、（Ｂ）は比較のため示した同一パタ
ンで本発明を適用しない場合である。

【図８】（Ａ）は図８と白黒反転した孤立パタンの場合
の本発明の実施例、（Ｂ）は比較のため示した同一パタ
ンで本発明を適用しない場合である。

【図９】（Ａ）は遮光用補助パタンとして主に線パタン
を用いた配置例、（Ｂ）は遮光用補助パタンとして線パ
タンと市松格子パタンとを組合わせて用いた配置例、
（Ｃ）は遮光用補助パタンとして様々なパタンを用いた
配置例である。

【図１０】（Ａ）は遮孤立パタンに対する配置例
（１）、（Ｂ）は孤立パタンに対する配置例（２）、
（Ｃ）はＬ／Ｓパタンに対する配置例である。

【図１１】Ｌ／Ｓパタンへの本発明の適用例の露光強度
分布で、（Ａ）は斜入射照明＋０次光調整マスクに本発
明の補助パタンを配置した場合、（Ｂ）は同じく斜入射
照明＋０次光調整マスクに本発明の補助パタンを配置し
た場合、（Ｃ）は従来照明法で通常（Ｃｒ）マスクを用
いた場合である。

【図１２】斜入射照明＋０次光調整マスクを用いた孤立
線パタンに対する露光強度分布で、（Ａ）は補助パタン
を配置しない場合、（Ｂ）は補助パタンを配置した場合
である。

【図１３】通常照明＋ハーフトーン型位相シフトマスク
を用いた孤立線パタンに対する露光強度分布で、（Ａ）
は補助パタンを配置しない場合、（Ｂ）は補助パタンを
配置した場合である。

【図１４】本発明の説明に用いる従来照明法および種々
の斜入射照明方式における光源形状と開口絞り部での透
過率配置を示した図である。

【図１５】本発明に用いる０次光調整マスク方式を説明
する図である。

【図１６】従来技術の問題点を説明した露光強度分布図
（シミュレーション）で、（Ａ）は従来法（Ｌ＆Ｓパタ
ン）、（Ｂ）は０次光調整マスク方式を用いた斜入射照
明法（Ｌ＆Ｓパタン）、（Ｃ）は従来照明法：Ｌ＆Ｓパ
タン（Ａ）の拡大図、（Ｄ）は０次光調整マスク方式を
用いた斜入射照明法：Ｌ＆Ｓパタン（Ｂ）の拡大図、
（Ｅ）は従来照明法（大面積パタン）、（Ｆ）は０次光
調整マスク方式を用いた斜入射照明法（大面積パタン）
である。

【図１７】（Ａ）は斜入射照明で通常マスクを用いた孤
立線パタンに対する露光強度分布、（Ｂ）は斜入射照明
で０次光調整マスクを用いた孤立線パタンに対する露光
強度分布である。

【符号の説明】

１１目的パタン１２補助パタン群１２ａ補助パタン１３目的パタン１４補助パタン１５補助パタン１６目的パタン１７補助パタン群１７ａ補助パタン２５目的パタン２６補助パタン（群）３１ホールパタン３２，３３目的パタン３４補助パタン３５市松格子状のパタン３６その他の補助パタン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】光源の主な部分を光軸からずれた位置に
配置することにより解像度や焦点深度を向上させる斜入
射照明方式に用いるマスクにおいて、周期性を有する目的とするパタンと解像不能な補助パタ
ンあるいは複数の前記補助パタンよりなる補助パタン群
とを備え、前記目的とするパタンと前記補助パタンは、これら両パ
タンの外部領域が光透過部の場合には、共に光の透過率
が０でなくかつ光透過部との位相差が０でない透過率調
整部からなり、前記両パタンの外部領域が前記透過率調
整部の場合には、共に光透過部からなり、前記補助パタンまたは前記補助パタン群は、前記目的と
するパタンの周期性を保存するように配置されているこ
とを特徴とするマスク。
【請求項２】光源の主な部分を光軸からずれた位置に
配置することにより解像度や焦点深度を向上させる斜入
射照明方式に用いるマスクにおいて、周期性を持たない目的とするパタンと解像不能な補助パ
タンあるいは複数の前記補助パタンよりなる補助パタン
群とを備え、前記目的とするパタンと前記補助パタンは、これら両パ
タンの外部領域が光透過部の場合には、共に光の透過率
が０でなくかつ光透過部との位相差が０でない透過率調
整部からなり、前記両パタンの外部領域が前記透過率調
整部の場合には、共に光透過部からなり、前記補助パタンまたは前記補助パタン群は、前記目的と
するパタンに周期性を付与するように配置されているこ
とを特徴とするマスク。
【請求項３】請求項１記載のマスクにおいて、 λを照明光の波長、ＮＡを投影レンズの開口数とすると
き、前記目的とするパタンの幅がλ／（２ＮＡ）付近以
上であり、前記補助パタンが前記目的とするパタンの周
期の終わる光透過部（または透過率調整部）エッジから
０．８×λ／（２ＮＡ）〜１．４×λ／（２ＮＡ）のピ
ッチで１つ以上配置されていることを特徴とするマス
ク。
【請求項４】請求項２記載のマスクにおいて、前記目的とするパタンが周期性のない孤立の光透過部か
らなるパタンで、かつその幅がλ／（２ＮＡ）付近以上
であり、前記補助パタンが前記目的とするパタンの片側
または両側に目的とするパタンエッジから０．８×λ／
（２ＮＡ）〜１．２×λ／（２ＮＡ）の距離をおいて１
つ以上配置されていることを特徴とするマスク。
【請求項５】請求項１〜４のうちのいずれか１つに記
載のマスクを用いて目的とするパタンを形成することを
特徴とするパタン形成方法。
【請求項６】位相シフトマスクであって、照明光の半
透過部と、目的とするパタンと、補助パタンとを有し、前記目的とするパタンおよび補助パタンは、前記半透過
部の内部に前記照明光の透過部として形成され、前記半透過部は、０より大きく前記透過部の透過率以下
である前記照明光に対する透過率と前記透過部に対して
０より大きい位相差とを有し、前記補助パタンは、解像不能であり、かつ前記目的とす
るパタンとの間のスペースが解像不能とならない間隔を
もって前記目的とするパタンの周囲に少なくとも１つ配
置されたことを特徴とするマスク。
【請求項７】請求項６記載のマスクにおいて、補助パタンが解像不能な線パタンであることを特徴とす
るマスク。
【請求項８】請求項６記載のマスクにおいて、補助パタンが解像不能な市松模様あるいは格子パタンで
あることを特徴とするマスク。
【請求項９】光源の主な部分を光軸からずれた位置に配
置することにより解像度や焦点深度を向上させる斜入射
照明方式と上記請求項６〜８のうちのいずれか１つに記
載のマスクとを組合わせて目的とするパタンを形成する
ことを特徴とするパタン形成方法。