JP3307281B2 - Semiconductor pressure sensor - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイヤフラム型の
半導体圧力センサに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a diaphragm type semiconductor pressure sensor.
【0002】[0002]
【従来の技術】図9は、従来の半導体圧力センサの概略
構成図である。1は圧力センサチップであり、薄肉のダ
イヤフラム2上に圧力変化に応じてその抵抗値が変化す
る歪みゲージ抵抗3が形成されている。歪みゲージ抵抗
3は、ワイヤ4により外部端子5と接続されている。2. Description of the Related Art FIG. 9 is a schematic configuration diagram of a conventional semiconductor pressure sensor. Reference numeral 1 denotes a pressure sensor chip, and a strain gauge resistor 3 whose resistance value changes in accordance with a change in pressure is formed on a thin diaphragm 2. The strain gauge resistor 3 is connected to an external terminal 5 by a wire 4.
【0003】6はガラス等で形成される台座であり、圧
力センサチップ1と陽極接合等により接合され、圧力セ
ンサチップ1を支持している。台座6にはダイヤフラム
2に通じる貫通孔7が設けられている。A pedestal 6 made of glass or the like is joined to the pressure sensor chip 1 by anodic bonding or the like, and supports the pressure sensor chip 1. The pedestal 6 is provided with a through-hole 7 communicating with the diaphragm 2.
【0004】8はパッケージであり、圧力センサチップ
1を収納する。パッケージ8は貫通孔7に被測定圧力を
導入する導入孔9を有している。A package 8 houses the pressure sensor chip 1. The package 8 has an introduction hole 9 for introducing a measured pressure into the through hole 7.
【0005】以上の構成の半導体圧力センサでは、被測
定圧力が導入孔9から貫通孔7を介してダイヤフラム2
に印加されると、ダイヤフラム2が被測定圧力に応じて
歪み、その歪みを歪みゲージ抵抗3により電気的に検出
することで被測定圧力を測定する。In the semiconductor pressure sensor having the above configuration, the pressure to be measured is changed from the introduction hole 9 through the through hole 7 to the diaphragm 2.
Is applied to the diaphragm 2, the diaphragm 2 is distorted in accordance with the pressure to be measured, and the distortion is electrically detected by the strain gauge resistor 3 to measure the pressure to be measured.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な構成の半導体圧力センサでは、パッケージ8に外力等
が印加されると、台座6を介して圧力センサチップ1に
伝播した外力により、ダイヤフラム2に歪みが発生し、
正確な圧力測定が行えないという問題があった。However, in the semiconductor pressure sensor having the above-described structure, when an external force or the like is applied to the package 8, the external force transmitted to the pressure sensor chip 1 through the pedestal 6 causes the diaphragm 2 to move. Is distorted,
There was a problem that accurate pressure measurement could not be performed.
【0007】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、パッケージに外力の
印加等があったとしても精度よく圧力測定を行うことが
可能な半導体圧力センサを提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a semiconductor pressure sensor capable of accurately measuring pressure even when an external force is applied to a package. It is to provide a sensor.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
圧力変化に応じてその抵抗値が変化する歪みゲージ抵抗
を薄肉のダイヤフラム上に形成して成る圧力センサチッ
プと、前記ダイヤフラムに通じる貫通孔を有し前記圧力
センサチップを支持する台座と、前記貫通孔に被測定圧
力を導入する導入孔を有するとともに前記台座が接着さ
れ前記圧力センサチップを収納するパッケージと、前記
歪みゲージ抵抗と電気的に接続され前記パッケージの外
部に引き出される外部端子とを有して成る半導体圧力セ
ンサにおいて、前記パッケージの前記台座が接着される
部分近傍を中空とすることにより外力の伝播を緩和する
外力遮断部を形成するようにしたものである。According to the first aspect of the present invention,
A pressure sensor chip formed on a thin diaphragm having a strain gauge resistance whose resistance value changes in accordance with a pressure change, a pedestal having a through hole communicating with the diaphragm and supporting the pressure sensor chip; A package having an introduction hole for introducing a pressure to be measured into the hole and accommodating the pressure sensor chip to which the pedestal is adhered; and an external terminal electrically connected to the strain gauge resistor and drawn out of the package. In the semiconductor pressure sensor having the above structure, an external force interrupting portion for alleviating the propagation of external force is formed by hollowing a portion of the package where the pedestal is bonded.
【0009】請求項2記載の発明は、請求項1記載の半
導体圧力センサにおいて、前記外力遮断部を柱状の中空
部とするようにしたものである。According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor pressure sensor according to the first aspect, the external force interrupting portion is a columnar hollow.
Department .
【0010】請求項3記載の発明は、請求項1記載の半
導体圧力センサにおいて、前記外力遮断部を球状の中空
部とするようにしたものである。According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor pressure sensor according to the first aspect, the external force interrupting portion is a spherical hollow.
Department .
【0011】請求項4記載の発明は、圧力変化に応じて
その抵抗値が変化する歪みゲージ抵抗を薄肉のダイヤフ
ラム上に形成して成る圧力センサチップと、前記ダイヤ
フラムに通じる貫通孔を有し前記圧力センサチップを支
持する台座と、前記貫通孔に被測定圧力を導入する導入
孔を有するとともに前記台座が接着され前記圧力センサ
チップを収納するパッケージと、前記歪みゲージ抵抗と
電気的に接続され前記パッケージの外部に引き出される
外部端子とを有して成る半導体圧力センサにおいて、前
記パッケージの前記台座が接着される部分に前記台座を
接着するための接着台を設け、前記接着台を薄肉とする
ことにより外力遮断部を形成するとともに、前記接着台
の先端部に前記台座の側面を支持する凸部を形成するよ
うにしたものである。According to a fourth aspect of the present invention, the pressure change
The resistance value of the strain gauge resistance changes with a thin diaphragm
A pressure sensor chip formed on a ram;
It has a through-hole leading to a flam and supports the pressure sensor chip.
Pedestal to be held and introduction for introducing a measured pressure into the through hole
The pressure sensor having a hole and the pedestal bonded thereto.
A package for storing the chip,
Electrically connected and pulled out of the package
A semiconductor pressure sensor having an external terminal;
Place the pedestal on the part of the package where the pedestal is bonded
Providing a bonding table for bonding, making the bonding table thinner
Thereby forming an external force blocking portion, and
A projection is formed at the tip of the base to support the side surface of the pedestal.
Those were Unishi.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面に基づき説明する。図1は、本発明の一参考例に係
る半導体圧力センサの概略構成図である。1は圧力セン
サチップであり、薄肉のダイヤフラム2上に圧力変化に
応じてその抵抗値が変化する歪みゲージ抵抗3が形成さ
れている。歪みゲージ抵抗3は、ワイヤ4により外部端
子5と接続されている。外部端子5の素材は、銅やコバ
ール、ステンレスばね鋼、42合金等であり、耐湿性や
酸化防止の観点から表面に金・銀等のめっきを施してあ
ることが望ましい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter will be described with reference to the drawings Embodiments of the present invention. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor according to a reference example of the present invention. Reference numeral 1 denotes a pressure sensor chip, and a strain gauge resistor 3 whose resistance value changes in accordance with a change in pressure is formed on a thin diaphragm 2. The strain gauge resistor 3 is connected to an external terminal 5 by a wire 4. The material of the external terminal 5 is copper, Kovar, stainless spring steel, 42 alloy, or the like, and it is desirable that the surface is plated with gold, silver, or the like from the viewpoint of moisture resistance and oxidation prevention.
【0013】6はガラス等で形成される台座であり、圧
力センサチップ1と陽極接合等により接合され、圧力セ
ンサチップ1を支持している。台座6にはダイヤフラム
2に通じる貫通孔7が設けられている。Reference numeral 6 denotes a pedestal formed of glass or the like, which is joined to the pressure sensor chip 1 by anodic bonding or the like, and supports the pressure sensor chip 1. The pedestal 6 is provided with a through-hole 7 communicating with the diaphragm 2.
【0014】8はプラスチック等により形成されたパッ
ケージであり、圧力センサチップ1を収納する。台座6
は低応力のシリコン樹脂やエポキシ樹脂等の接着剤10
によりパッケージ8に接着されている。パッケージ8は
貫通孔7に被測定圧力を導入する導入孔9を有してい
る。Reference numeral 8 denotes a package formed of plastic or the like, which houses the pressure sensor chip 1. Pedestal 6
Is a low-stress adhesive such as silicone resin or epoxy resin 10
To the package 8. The package 8 has an introduction hole 9 for introducing a measured pressure into the through hole 7.
【0015】ここで、本参考例では、台座6近傍に、台
座6を囲むように溝11を設けることにより外力遮断部
12を形成している。なお、溝11の深さや幅はパッケ
ージ8の強度に依存して決定されるが、できるだけ深く
またできるだけ広い方が望ましい。Here, in this embodiment , the external force interrupting portion 12 is formed by providing a groove 11 near the pedestal 6 so as to surround the pedestal 6. Although the depth and width of the groove 11 are determined depending on the strength of the package 8, it is desirable that the depth and width be as deep and as wide as possible.
【0016】本参考例によれば、台座6を囲むように溝
11を設けたので、パッケージ8に外力が印加された際
に、台座6を介して圧力センサチップ1に伝播される外
力が溝11により形成された薄肉の外力遮断部12に集
中する。このため、圧力センサチップ1に伝播する外力
が緩和され、パッケージ8に外力の印加等があったとし
ても精度よく圧力測定が可能となる。According to the present embodiment , since the groove 11 is provided so as to surround the pedestal 6, when an external force is applied to the package 8, the external force transmitted to the pressure sensor chip 1 via the pedestal 6 is applied to the groove. It concentrates on the thin external force interrupting portion 12 formed by 11. Therefore, the external force propagating to the pressure sensor chip 1 is reduced, and the pressure can be accurately measured even when the external force is applied to the package 8.
【0017】なお、図2に示すように、溝11の一部が
台座6の下部に形成されるようにしてもよい。これによ
り、台座6とパッケージ8との接着面積を小さくするこ
とができるので、台座6とパッケージ8との間に発生
し、接着面積に比例して大きくなる歪みを小さくするこ
とが可能となる。As shown in FIG. 2, a part of the groove 11 may be formed in the lower part of the pedestal 6. Thus, the bonding area between the pedestal 6 and the package 8 can be reduced, so that distortion generated between the pedestal 6 and the package 8 and increasing in proportion to the bonding area can be reduced.
【0018】図3は本発明の一実施形態に係る半導体圧
力センサの概略構成図である。本実施形態では、図1に
示した溝11に代えて、台座6がパッケージ8に接着さ
れる部分の近傍に柱状の中空部(以下、柱状中空部13
と記載)を設けることにより外力遮断部12を形成して
いる。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor according to one embodiment of the present invention. In the present embodiment, instead of the groove 11 shown in FIG. 1, a columnar hollow portion (hereinafter referred to as a columnar hollow portion 13) is provided near a portion where the pedestal 6 is bonded to the package 8.
) Is provided to form the external force interrupting portion 12.
【0019】なお、本実施形態における柱状中空部13
の形成方法は、貫通孔7と同様であり、柱状中空部13
をなす部分にピンをインサートした金型にパッケージ8
の部材を流し込み、部材が固化した後にピンを引き抜く
ことにより形成する。In this embodiment, the columnar hollow portion 13 is used.
Is formed in the same manner as the through-hole 7, and the columnar hollow portion 13 is formed.
Package 8 in a mold with pins inserted in the part
Is formed by pouring the member and pulling out the pin after the member is solidified.
【0020】本実施形態によれば、パッケージ8に外力
が印加された際に、台座6を介して圧力センサチップ1
に伝播する外力が、柱状中空部13により形成された薄
肉の外力遮断部12に集中するため、圧力センサチップ
1に伝播する外力を緩和することができる。また、柱状
中空部13によりパッケージ8を介して圧力センサチッ
プ1に伝播する熱を緩和することが可能となる。According to this embodiment, when an external force is applied to the package 8, the pressure sensor chip 1
The external force propagating to the pressure sensor chip 1 can be reduced since the external force propagating to the pressure sensor chip 1 is concentrated on the thin external force blocking portion 12 formed by the columnar hollow portion 13. Further, the heat transmitted to the pressure sensor chip 1 via the package 8 can be reduced by the columnar hollow portion 13.
【0021】図4は本発明の他の実施形態に係る半導体
圧力センサの概略構成図である。本実施形態では、図1
に示した溝11に代えて、台座6がパッケージ8に接着
される部分の近傍に球状の中空部(以下、球状中空部1
4と記載)を設けることにより外力遮断部12を形成し
ている。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor according to another embodiment of the present invention. In the present embodiment, FIG.
Is replaced with a spherical hollow portion (hereinafter, spherical hollow portion 1) near the portion where the pedestal 6 is bonded to the package 8.
4), the external force interrupting portion 12 is formed.
【0022】なお、本実施形態における球状中空部14
の形成方法は、金型にパッケージ8の部材を流し込む際
に空気を巻き込むようにし、また、金型に印加する圧力
をやや減少することにより形成する。In this embodiment, the spherical hollow portion 14 is used.
Is formed by entraining air when pouring the members of the package 8 into the mold, and by slightly reducing the pressure applied to the mold.
【0023】本実施形態によれば、パッケージ8に外力
が印加された際に、台座6を介して圧力センサチップ1
に伝播する外力が、球状中空部14により形成された外
力遮断部12に集中するため、圧力センサチップ1に伝
播する外力を緩和することができる。According to this embodiment, when an external force is applied to the package 8, the pressure sensor chip 1
Since the external force propagating to the pressure sensor chip 1 is concentrated on the external force blocking portion 12 formed by the spherical hollow portion 14, the external force propagating to the pressure sensor chip 1 can be reduced.
【0024】図5は本発明の他の参考例に係る半導体圧
力センサの概略構成図である。本参考例では、図1に示
した溝11に代えて、パッケージ8の台座6とパッケー
ジ8とが接着される部分近傍の外壁を掘込むことにより
(以下、この部分を掘込み部15と記載)外力遮断部1
2を形成している。なお、掘込み部15の大きさはパッ
ケージ8の強度に依存して決定されるが、できるだけ大
きい方が望ましい。FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor according to another reference example of the present invention. In this reference example , instead of the groove 11 shown in FIG. 1, an outer wall near a portion where the pedestal 6 of the package 8 and the package 8 are bonded is dug (hereinafter, this portion is referred to as a dug portion 15). ) External force interrupter 1
2 are formed. Although the size of the dug portion 15 is determined depending on the strength of the package 8, it is desirable that the size be as large as possible.
【0025】本参考例によれば、パッケージ8に外力が
印加された際に、台座6を介して圧力センサチップ1に
伝播する外力が、掘込み部15により形成された外力遮
断部12に集中するため、圧力センサチップ1に伝播す
る外力を緩和することができる。According to this embodiment , when an external force is applied to the package 8, the external force propagating to the pressure sensor chip 1 via the pedestal 6 concentrates on the external force interrupting portion 12 formed by the dug portion 15. Therefore, the external force propagating to the pressure sensor chip 1 can be reduced.
【0026】図6は本発明の更に他の参考例に係る半導
体圧力センサの概略構成図である。本参考例では、図1
に示した溝11に代えて、パッケージ8に台座6を接着
し、台座6を支持するための接着台16を設け、接着台
16を薄肉とすることにより外力遮断部12を形成して
いる。なお、接着台16に設けた外力遮断部12は、接
着台16の強度に依存して決定されるが、できるだけ薄
い方が望ましい。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor according to still another reference example of the present invention. In this reference example , FIG.
Instead of the groove 11 shown in FIG. 6, the pedestal 6 is bonded to the package 8, an adhesive pedestal 16 for supporting the pedestal 6 is provided, and the external force blocking portion 12 is formed by making the adhesive pedestal 16 thin. The external force blocking portion 12 provided on the bonding table 16 is determined depending on the strength of the bonding table 16, but it is preferable that the external force blocking section 12 be as thin as possible.
【0027】本参考例によれば、パッケージ8に台座6
を接着する台座を設け、接着台16を薄肉としたので、
パッケージ8に外力が印加された際、台座6を介して圧
力センサチップ1に伝播する外力を薄肉の外力遮断部1
2に集中させることにより緩和することが可能となると
ともに、外力遮断部12を設けるための薄肉な部分をパ
ッケージ8外壁に形成しないため、パッケージ8の強度
を低下させることがない。According to this embodiment , the pedestal 6 is attached to the package 8.
Is provided and the bonding table 16 is made thin.
When an external force is applied to the package 8, the external force propagating to the pressure sensor chip 1 via the pedestal 6 is reduced to a thin external force cutoff unit 1.
In addition, the concentration can be reduced by concentrating on the package 2, and since a thin portion for providing the external force blocking portion 12 is not formed on the outer wall of the package 8, the strength of the package 8 is not reduced.
【0028】図7は本発明の他の実施形態に係る半導体
圧力センサの概略構成図である。本実施形態では、図6
に示した接着台16の台座6と接着台16とを接着する
部分を薄肉とすることにより外力遮断部12を形成し、
台座6の貫通孔7近傍を接着台16により支持してい
る。FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor according to another embodiment of the present invention. In the present embodiment, FIG.
The external force blocking portion 12 is formed by thinning the portion of the bonding table 16 between the pedestal 6 and the bonding table 16 shown in FIG.
The vicinity of the through hole 7 of the pedestal 6 is supported by the bonding table 16.
【0029】なお、本実施形態では、台座6と接着台1
6との接着面積が小さくなることに鑑みて、接着台16
に凸部17を設け、凸部17に台座6をはめ込むように
することで台座6と接着台16との接着力の不足を補っ
ている。In this embodiment, the pedestal 6 and the bonding table 1
In view of the fact that the bonding area with the base 6 becomes smaller, the bonding table 16
Is provided, and the pedestal 6 is fitted into the convex portion 17 to compensate for the shortage of adhesive strength between the pedestal 6 and the bonding table 16.
【0030】本実施形態によれば、パッケージ8に外力
が印加された際に、パッケージ8に台座6を接着するた
めの接着台16を設け、接着台16を薄肉としたので、
パッケージ8の強度を低下させることなく、パッケージ
8に外力が印加された際に圧力センサチップ1に伝播す
る外力を薄肉の外力遮断部12により緩和することが可
能となるとともに、台座6と接着台16との接着面積を
小さくすることにより、台座6と接着台16との間に発
生し、接着面積に比例して大きくなる歪みを小さくする
ことが可能となる。According to the present embodiment, when an external force is applied to the package 8, the bonding table 16 for bonding the pedestal 6 to the package 8 is provided, and the bonding table 16 is made thin.
The external force propagating to the pressure sensor chip 1 when an external force is applied to the package 8 can be reduced by the thin external force cutoff portion 12 without reducing the strength of the package 8, and the pedestal 6 and the bonding table can be reduced. By reducing the bonding area with the base 16, it is possible to reduce distortion generated between the pedestal 6 and the bonding base 16 and increasing in proportion to the bonding area.
【0031】なお、図8に示すように、台座6を台座6
の外周を接着台16により支持するようにしてもよい。
本実施形態によれば、台座6を接着台16により支持す
る際の安定性を増すことが可能となる。As shown in FIG. 8, the pedestal 6 is
May be supported by the bonding table 16.
According to the present embodiment, it is possible to increase the stability when the pedestal 6 is supported by the bonding table 16.
【0032】[0032]
【発明の効果】以上のように、請求項1乃至3の発明に
あっては、圧力変化に応じてその抵抗値が変化する歪み
ゲージ抵抗を薄肉のダイヤフラム上に形成して成る圧力
センサチップと、ダイヤフラムに通じる貫通孔を有し圧
力センサチップを支持する台座と、貫通孔に被測定圧力
を導入する導入孔を有するとともに台座が接着され圧力
センサチップを収納するパッケージと、歪みゲージ抵抗
と電気的に接続されパッケージの外部に引き出される外
部端子とを有して成る半導体圧力センサにおいて、パッ
ケージの台座が接着される部分近傍を中空とすることに
より外力の伝播を緩和する外力遮断部を形成するように
したので、パッケージに外力が印加された際、中空部に
より形成された外力遮断部に外力を集中させることがで
きる。よっ て、パッケージに外力の印加等があったとし
ても精度よく圧力測定を行うことが可能な半導体圧力セ
ンサを提供することができた。As described above, according to the first to third aspects of the present invention, there is provided a pressure sensor chip having a strain gauge resistor whose resistance value changes according to a pressure change formed on a thin diaphragm. A pedestal having a through hole communicating with the diaphragm and supporting the pressure sensor chip; a package having an introduction hole for introducing a measured pressure into the through hole and having the pedestal bonded to accommodate the pressure sensor chip; In a semiconductor pressure sensor having an external terminal which is electrically connected and pulled out of the package, an external force interrupting portion for alleviating the propagation of external force is formed by making the vicinity of the portion where the pedestal of the package is adhered hollow. When external force is applied to the package,
The external force can be concentrated on the external force blocking part formed by
Wear. Drunk, it was possible to provide a semiconductor pressure sensor capable of performing high accuracy pressure measurement when there is applied such a force to the package.
【0037】請求項4記載の発明にあっては、圧力変化
に応じてその抵抗値が変化する歪みゲージ抵抗を薄肉の
ダイヤフラム上に形成して成る圧力センサチップと、前
記ダイヤフラムに通じる貫通孔を有し前記圧力センサチ
ップを支持する台座と、前記貫通孔に被測定圧力を導入
する導入孔を有するとともに前記台座が接着され前記圧
力センサチップを収納するパッケージと、前記歪みゲー
ジ抵抗と電気的に接続され前記パッケージの外部に引き
出される外部端子とを有して成る半導体圧力センサにお
いて、前記パッケージの前記台座が接着される部分に前
記台座を接着するための接着台を設け、前記接着台を薄
肉とすることにより外力遮断部を形成するとともに、前
記接着台の先端部に前記台座の側面を支持する凸部を形
成するようにしたので、パッケージの強度を低下させる
ことなく外力遮断部を形成することができる。According to the fourth aspect of the present invention, the pressure change
The resistance value of the strain gauge changes according to
A pressure sensor chip formed on a diaphragm;
A pressure hole having a through hole communicating with the diaphragm;
The pressure to be measured is introduced into the pedestal supporting the
The pedestal is adhered and the pressure
A package for accommodating a force sensor chip,
Is electrically connected to the
Semiconductor pressure sensor having an external terminal
At the part of the package to which the pedestal is bonded.
A bonding table for bonding the pedestal is provided, and the bonding table is thinned.
By forming a flesh to form an external force blocking part,
At the tip of the bonding table, form a convex to support the side of the pedestal.
As a result, the external force blocking portion can be formed without reducing the strength of the package.
【0042】このとき、接着台の台座が接着される部分
を薄肉とすることにより外力遮断部を形成するようにす
れば、台座と接着台との接着面積を小さくすることによ
り、台座と接着台との間に発生し、接着面積に比例して
大きくなる歪みを小さくすることが可能となる。At this time, the portion of the bonding table to which the pedestal is bonded is made thin to form an external force blocking portion .
Then , by reducing the bonding area between the pedestal and the bonding table, it is possible to reduce distortion generated between the pedestal and the bonding table and increasing in proportion to the bonding area.
【図1】本発明の一参考例に係る半導体圧力センサの概
略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor according to a reference example of the present invention.
【図2】本発明の他の参考例に係る半導体圧力センサの
概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor according to another reference example of the present invention.
【図3】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサの
概略構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor according to one embodiment of the present invention.
【図4】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
の概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor according to another embodiment of the present invention.
【図5】本発明の他の参考例に係る半導体圧力センサの
概略構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor according to another reference example of the present invention.
【図6】本発明の他の参考例に係る半導体圧力センサの
概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor according to another reference example of the present invention.
【図7】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
の概略構成図である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor according to another embodiment of the present invention.
【図8】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
の概略構成図である。FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor according to another embodiment of the present invention.
【図9】従来の半導体圧力センサの概略構成図である。FIG. 9 is a schematic configuration diagram of a conventional semiconductor pressure sensor.
1 圧力センサチップ 2 ダイヤフラム 3 歪みゲージ抵抗 4 ワイヤ 5 外部端子 6 台座 7 貫通孔 8 パッケージ 9 導入孔 10 接着剤 11 溝 12 外力遮断部 13 柱状中空部 14 球状中空部 15 掘込み部 16 接着台 17 凸部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Pressure sensor chip 2 Diaphragm 3 Strain gauge resistance 4 Wire 5 External terminal 6 Pedestal 7 Through hole 8 Package 9 Introducing hole 10 Adhesive 11 Groove 12 External force cutoff part 13 Column hollow part 14 Spherical hollow part 15 Dig part 16 Bonding stand 17 Convex part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01L 9/04 H01L 29/84 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G01L 9/04 H01L 29/84
Claims (4)
歪みゲージ抵抗を薄肉のダイヤフラム上に形成して成る
圧力センサチップと、前記ダイヤフラムに通じる貫通孔
を有し前記圧力センサチップを支持する台座と、前記貫
通孔に被測定圧力を導入する導入孔を有するとともに前
記台座が接着され前記圧力センサチップを収納するパッ
ケージと、前記歪みゲージ抵抗と電気的に接続され前記
パッケージの外部に引き出される外部端子とを有して成
る半導体圧力センサにおいて、前記パッケージの前記台
座が接着される部分近傍を中空とすることにより外力の
伝播を緩和する外力遮断部を形成するようにしたことを
特徴とする半導体圧力センサ。1. A pressure sensor chip formed by forming a strain gauge resistor whose resistance value changes according to a pressure change on a thin diaphragm, and a through hole communicating with the diaphragm to support the pressure sensor chip. A pedestal, a package having an introduction hole for introducing a pressure to be measured into the through-hole and having the pedestal adhered and accommodating the pressure sensor chip, and being electrically connected to the strain gauge resistor and pulled out of the package; A semiconductor pressure sensor having an external terminal, wherein an external force interrupting portion for alleviating the propagation of external force is formed by hollowing the vicinity of a portion of the package to which the pedestal is bonded. Semiconductor pressure sensor.
うにしたことを特徴とする請求項1記載の半導体圧力セ
ンサ。2. The semiconductor pressure sensor according to claim 1, wherein said external force interrupting portion is a hollow column .
うにしたことを特徴とする請求項1記載の半導体圧力セ
ンサ。3. The semiconductor pressure sensor according to claim 1, wherein said external force blocking portion is formed as a spherical hollow portion .
歪みゲージ抵抗を薄肉のダイヤフラム上に形成して成る
圧力センサチップと、前記ダイヤフラムに通じる貫通孔
を有し前記圧力センサチップを支持する台座と、前記貫
通孔に被測定圧力を導入する導入孔を有するとともに前
記台座が接着され前記圧力センサチップを収納するパッ
ケージと、前記歪みゲージ抵抗と電気的に接続され前記
パッケージの外部に引き出される外部端子とを有して成
る半導体圧力センサにおいて、前記パッケージの前記台
座が接着される部分に前記台座を接着するための接着台
を設け、前記接着台を薄肉とすることにより外力遮断部
を形成するとともに、前記接着台の先端部に前記台座の
側面を支持する凸部を形成するようにしたことを特徴と
する半導体圧力センサ。4. The resistance value changes according to the pressure change.
Formed by forming a strain gauge resistor on a thin diaphragm
A pressure sensor chip and a through hole communicating with the diaphragm
A base having the pressure sensor chip and supporting the pressure sensor chip;
It has an introduction hole for introducing the measured pressure
The base to which the pressure sensor chip is attached is
A cage, electrically connected to the strain gauge resistor,
Having external terminals drawn out of the package.
A semiconductor pressure sensor,
Bonding table for bonding the pedestal to a portion where the seat is bonded
Is provided, and the external force blocking portion is formed by making the bonding table thin.
And forming the pedestal at the tip of the bonding table.
Semiconductors pressure sensor you <br/> characterized in that so as to form a convex portion for supporting the side surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16741597A JP3307281B2 (en) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | Semiconductor pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16741597A JP3307281B2 (en) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | Semiconductor pressure sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1114480A JPH1114480A (en) | 1999-01-22 |
| JP3307281B2 true JP3307281B2 (en) | 2002-07-24 |
Family
ID=15849283
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP16741597A Expired - Fee Related JP3307281B2 (en) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | Semiconductor pressure sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3307281B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101937879B1 (en) | 2017-08-30 | 2019-01-14 | 세종공업 주식회사 | Chip Anti-Deformation type Pressure Sensor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006226756A (en) | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Denso Corp | Pressure sensor |
-
1997
- 1997-06-24 JP JP16741597A patent/JP3307281B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101937879B1 (en) | 2017-08-30 | 2019-01-14 | 세종공업 주식회사 | Chip Anti-Deformation type Pressure Sensor |
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| JPH1114480A (en) | 1999-01-22 |
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