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JP3307382B2 - Variable inductance element and manufacturing method thereof - Google Patents
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JP3307382B2 - Variable inductance element and manufacturing method thereof - Google Patents

Variable inductance element and manufacturing method thereof

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JP3307382B2 JP2000061782A JP2000061782A JP3307382B2 JP 3307382 B2 JP3307382 B2 JP 3307382B2 JP 2000061782 A JP2000061782 A JP 2000061782A JP 2000061782 A JP2000061782 A JP 2000061782A JP 3307382 B2 JP3307382 B2 JP 3307382B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、可変インダクタン
ス素子、特に、携帯電話などの移動体通信機器等に使用
される可変インダクタンス素子およびその製造方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a variable inductance element, and more particularly to a variable inductance element used for a mobile communication device such as a mobile phone and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、小型化が著しい携帯電話などの移
動体通信機器にあっては、それに使用される電子部品に
対しても厳しい小型化が要求されている。また、これら
移動体通信機器は使用する周波数が高くなるにつれて回
路も複雑になり、実装される電子部品に対してもその定
数が狭偏差で精度の高いものが要求されている。
2. Description of the Related Art In recent years, in mobile communication devices such as mobile phones, which have been remarkably miniaturized, strict miniaturization is required for electronic components used therein. In addition, the circuits of these mobile communication devices become more complicated as the frequency used increases, and electronic components to be mounted are required to have a constant deviation and a high accuracy.

【0003】しかしながら、個々の電子部品として定数
が狭偏差で精度の高いものを使用して回路を構成したと
しても、実装される電子部品個々の定数の偏差が集積さ
れ、所望の機能を発揮できないものも生じる。そこで、
回路を構成する電子部品のうちの必要なものの定数を可
変とし、その電子部品が有している定数を微調整するこ
とにより、回路が所望の機能を発揮できるようにしてい
る。
[0003] However, even if a circuit is formed by using electronic components each having a narrow deviation and high precision as individual electronic components, deviations of the constants of the electronic components to be mounted are accumulated and a desired function cannot be exhibited. Things also happen. Therefore,
The constants of necessary electronic components constituting the circuit are made variable, and the constants of the electronic components are finely adjusted so that the circuit can exhibit a desired function.

【0004】従来のこの種の微調整の方法の一例を図1
1に示す。該微調整の方法は、信号パターン31,32
の間に、インダクタンス素子として機能するトリミング
電極34を形成しておき、図示しないレーザトリミング
機から発射されるレーザ光をトリミング電極34に照射
しつつ直線的に移動させる。トリミング電極34は、レ
ーザ光の移動軌跡に応じて部分的に除去され、直線状の
トリミング溝35が形成される。これにより、トリミン
グ電極34に略蛇行状インダクタパターンが形成され、
トリミング電極34のインダクタンス値が微調整され
る。
FIG. 1 shows an example of such a conventional fine adjustment method.
It is shown in FIG. The method of the fine adjustment is as follows.
Between them, a trimming electrode 34 functioning as an inductance element is formed, and a laser beam emitted from a laser trimming machine (not shown) is moved linearly while irradiating the trimming electrode 34. The trimming electrode 34 is partially removed according to the movement trajectory of the laser beam, and a linear trimming groove 35 is formed. Thereby, a substantially meandering inductor pattern is formed on the trimming electrode 34,
The inductance value of the trimming electrode 34 is finely adjusted.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の可変
インダクタンス素子は、トリミング電極34が小さい
と、インダクタンス値の可変範囲が狭くなって回路の微
調整ができなくなるので、トリミング電極34を大きく
している。しかしながら、通信機器の小型化が進むにつ
れ、トリミング電極34が回路基板上で占める割合が大
きくなり、小型化、省スペース化の妨げとなっている。
By the way, in the conventional variable inductance element, if the trimming electrode 34 is small, the variable range of the inductance value is narrowed and fine adjustment of the circuit cannot be performed. I have. However, as the miniaturization of communication devices progresses, the proportion of the trimming electrode 34 occupying on the circuit board increases, which hinders miniaturization and space saving.

【0006】このため、インダクタンス値の可変範囲を
広くする必要があるときには、図12に示すように、ト
リミング溝35を交互に形成することによって、トリミ
ング電極34に形成される略蛇行状インダクタパターン
の線路長を長くすることが提案されている。しかし、高
精度のレーザトリミング機を使用した場合、一回のトリ
ミングで形成されるトリミング溝35の溝幅(トリミン
グ幅)は一般に30〜50μmと細い。このため、略蛇
行状インダクタパターンの隣り合う部分でそれぞれ発生
する磁界が相互に干渉して打ち消し合い、線路長を長く
してもインダクタンス値が所望の値とならない。従っ
て、トリミング溝35の本数が必要以上に増え、トリミ
ングの作業時間が長くなったり、インダクタパターンの
パターン幅が狭くなってQ特性が低下するなどの問題が
ある。
For this reason, when it is necessary to widen the variable range of the inductance value, as shown in FIG. 12, by forming the trimming grooves 35 alternately, the substantially meandering inductor pattern formed on the trimming electrode 34 is formed. It has been proposed to increase the line length. However, when a high-precision laser trimming machine is used, the width (trimming width) of the trimming groove 35 formed by one trimming is generally as thin as 30 to 50 μm. For this reason, the magnetic fields generated in the adjacent portions of the substantially meandering inductor pattern interfere with each other and cancel each other out. Even if the line length is increased, the inductance value does not become a desired value. Therefore, the number of trimming grooves 35 is increased more than necessary, and there is a problem that the trimming operation time becomes longer, the pattern width of the inductor pattern becomes narrower, and the Q characteristic deteriorates.

【0007】そこで、本発明の目的は、インダクタンス
値の可変範囲が広く、Q値が高く、かつ、インダクタン
ス値を効率良く微調整することができる可変インダクタ
ンス素子およびその製造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a variable inductance element having a wide variable inductance value range, a high Q value, and capable of finely adjusting the inductance value efficiently, and a method of manufacturing the same. .

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段及び作用】前記目的を達成
するため、本発明に係る可変インダクタンス素子は、導
体パターンの少なくとも同一端面から2本以上のトリミ
ング溝を形成することにより、前記導体パターンの前記
トリミング溝の間に磁界干渉防止のためのダミーパター
ン領域を形成するとともに、前記導体パターンに略蛇行
状インダクタパターン領域を形成し、略蛇行状インダク
タパターン領域の隣り合う部分に前記ダミーパターン領
域が挟まれていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a variable inductance element according to the present invention is characterized in that at least two trimming grooves are formed from at least the same end face of the conductor pattern, so that the conductor pattern is formed. A dummy pattern region for preventing magnetic field interference is formed between the trimming grooves, and a substantially meandering inductor pattern region is formed in the conductor pattern, and the dummy pattern region is formed in a portion adjacent to the substantially meandering inductor pattern region. It is characterized by being sandwiched.

【0009】また、本発明に係る可変インダクタンス素
子の製造方法は、(a)絶縁性基板の表面に導体パター
ンを形成する工程と、(b)前記導体パターンの少なく
とも同一端面からトリミング溝を2本以上形成し、前記
導体パターンのトリミング溝の間に磁界干渉防止のため
のダミーパターン領域を形成するとともに、前記導体パ
ターンに略蛇行状インダクタパターン領域を形成する工
程と、を備えたことを特徴とする。
Further, the method for manufacturing a variable inductance element according to the present invention includes: (a) forming a conductor pattern on the surface of an insulating substrate; and (b) forming two trimming grooves from at least the same end face of the conductor pattern. Forming a dummy pattern region for preventing magnetic field interference between the trimming grooves of the conductor pattern, and forming a substantially meandering inductor pattern region in the conductor pattern. I do.

【0010】ここに、導体パターンは、チップ部品の絶
縁性基板の表面、あるいは、回路パターンが設けられて
いる回路基板の表面などに設けられている。そして、前
記2本以上のトリミング溝を略平行に形成し、略蛇行状
インダクタパターン領域の隣り合う部分の間隔が、略蛇
行状インダクタパターン領域のパターン幅の2倍以上に
設定することが好ましい。
Here, the conductor pattern is provided on the surface of the insulating substrate of the chip component, or on the surface of the circuit substrate on which the circuit pattern is provided. Preferably, the two or more trimming grooves are formed substantially in parallel, and the interval between adjacent portions of the substantially meandering inductor pattern region is set to be at least twice the pattern width of the substantially meandering inductor pattern region.

【0011】以上の構成により、略蛇行状インダクタパ
ターン領域の隣り合う部分にダミーパターン領域を挟ん
でいるため、インダクタパターン領域の隣り合う部分で
それぞれ発生する磁界の間の距離が大きくなり、磁界の
干渉が抑えられる。そして、導体パターンの少なくとも
同一端面から形成される2本以上のトリミング溝の位置
や長さや数を変化させると、トリミング溝の間に形成さ
れる磁界干渉防止のためのダミーパターン領域の数や面
積、ダミーパターン領域とダミーパターン領域との間の
スペースが変化する。同時に、略蛇行状インダクタパタ
ーン領域のパターン幅や線路長が変化し、そのインダク
タンス値が変化する。
According to the above configuration, since the dummy pattern region is sandwiched between the adjacent portions of the substantially meandering inductor pattern region, the distance between the magnetic fields generated in the adjacent portions of the inductor pattern region increases, and the Interference is suppressed. By changing the position, length, or number of two or more trimming grooves formed from at least the same end face of the conductor pattern, the number and area of dummy pattern regions formed between the trimming grooves for preventing magnetic field interference are increased. The space between the dummy pattern area and the dummy pattern area changes. At the same time, the pattern width and line length of the substantially meandering inductor pattern area change, and the inductance value changes.

【0012】また、導体パターンの対向する二つの端面
からそれぞれ2本以上のトリミング溝の組を交互に形成
することにより、インダクタパターン領域の線路長をよ
り長くすることができる。
Further, by alternately forming two or more sets of trimming grooves from two opposing end faces of the conductor pattern, the line length of the inductor pattern region can be further lengthened.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る可変インダク
タンス素子およびその製造方法の実施形態について、添
付図面を参照して説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a variable inductance element according to the present invention and a method for manufacturing the same will be described with reference to the accompanying drawings.

【0014】[第1実施形態、図1〜図5]図1に示す
ように、絶縁性基板1の上面を平滑な面になるように研
磨した後、厚膜印刷法、あるいはスパッタリング、蒸着
等の薄膜形成法により広面積の導体パターン2を絶縁性
基板1の上面に形成する。厚膜印刷法は、例えば所望の
パターン形状を有した開口を備えたスクリーン版を絶縁
性基板1の上面に被せた後、導電性ペーストをスクリー
ン版の上から塗布し、スクリーン版の開口から露出した
絶縁性基板1の上面に、比較的膜厚の厚い所望のパター
ン形状の導電体(第1実施形態の場合、導体パターン
2)を形成する方法である。
[First Embodiment, FIGS. 1 to 5] As shown in FIG. 1, after the upper surface of an insulating substrate 1 is polished to a smooth surface, a thick film printing method, sputtering, vapor deposition or the like is used. The conductor pattern 2 having a large area is formed on the upper surface of the insulating substrate 1 by the thin film forming method described above. In the thick film printing method, for example, after a screen plate having an opening having a desired pattern shape is covered on the upper surface of the insulating substrate 1, a conductive paste is applied from above the screen plate and exposed from the opening of the screen plate. This is a method of forming a conductor (conductor pattern 2 in the case of the first embodiment) having a desired pattern shape with a relatively large film thickness on the upper surface of the insulating substrate 1 thus formed.

【0015】また、薄膜形成法は、例えば以下に説明す
る方法である。絶縁性基板1の上面の略全面にスパッタ
リング法等で比較的膜厚の薄い導電性膜を形成した後、
レジスト膜(例えば感光性樹脂膜等)をスピンコート又
は印刷により導電性膜の略全体に形成する。次に、レジ
スト膜の上面に所定の画像パターンが形成されたマスク
フィルムを被せ、紫外線等を照射する等の方法により、
レジスト膜の所望の部分を硬化させる。次に、硬化した
部分を残してレジスト膜を除去した後、露出した部分の
導電性膜をエッチングにより除去し、所望のパターン形
状の導電体を形成する。この後、硬化したレジスト膜を
除去する。
The thin film forming method is, for example, a method described below. After forming a relatively thin conductive film on substantially the entire upper surface of the insulating substrate 1 by a sputtering method or the like,
A resist film (for example, a photosensitive resin film or the like) is formed on substantially the entire conductive film by spin coating or printing. Next, a mask film having a predetermined image pattern formed thereon is put on the upper surface of the resist film, and a method of irradiating ultraviolet rays or the like is used.
A desired portion of the resist film is cured. Next, after the resist film is removed while leaving the cured portion, the exposed portion of the conductive film is removed by etching to form a conductor having a desired pattern shape. Thereafter, the cured resist film is removed.

【0016】さらに、別の形成方法として、絶縁性基板
1の上面に感光性導電ペーストを塗布し、その後、所定
の画像パターンが形成されたマスクフィルムを被せて露
光し、現像する方法でもよい。導体パターン2は、絶縁
性基板1上の略全面に配設されている。
Further, as another forming method, a method may be used in which a photosensitive conductive paste is applied to the upper surface of the insulating substrate 1, and thereafter, a mask film on which a predetermined image pattern is formed is covered, exposed, and developed. The conductor pattern 2 is provided on substantially the entire surface of the insulating substrate 1.

【0017】導体パターン2の一方の端部2aは絶縁性
基板1の左辺の奥寄りに引き出され、他方の端部2bは
絶縁性基板1の右辺の手前寄りに引き出されている。絶
縁性基板1の材料としては、ガラス、ガラスセラミック
ス、アルミナ、フェライト、Si、SiO2等が使用さ
れる。導体パターン2の材料としては、Ag,Ag−P
d,Cu,Au,Ni,Al等が使用される。
One end 2 a of the conductor pattern 2 is drawn toward the left side of the insulating substrate 1, and the other end 2 b is drawn toward the right side of the insulating substrate 1. As a material of the insulating substrate 1, glass, glass ceramics, alumina, ferrite, Si, SiO 2 or the like is used. As a material of the conductor pattern 2, Ag, Ag-P
d, Cu, Au, Ni, Al and the like are used.

【0018】さらに、必要に応じて、液状の絶縁性材料
(ポリイミド、ガラス、ガラスセラミックス等)を絶縁
性基板1の上面側全面にスピンコート又は印刷等により
塗布、乾燥及び焼成して、導体パターン2を被覆する絶
縁保護膜を形成する。
Further, if necessary, a liquid insulating material (polyimide, glass, glass ceramic, or the like) is applied to the entire upper surface side of the insulating substrate 1 by spin coating or printing, dried, and fired to form a conductor pattern. 2 is formed.

【0019】次に、絶縁性基板1の長手方向の左右の端
部に入出力外部電極6,7を設ける。入出力外部電極6
は導体パターン2の端部2aに電気的に接続し、入出力
外部電極7は導体パターン2の端部2bに電気的に接続
している。入出力外部電極6,7は、Ag,Ag−P
d,Cu,Ni,NiCr,NiCu等の導電性ペース
トを塗布、焼付けた上に、湿式電解めっきによりNi,
Sn,Sn−Pb等の金属膜が形成されたり、また、ス
パッタリング、蒸着などによって形成される。
Next, input / output external electrodes 6 and 7 are provided on the left and right ends of the insulating substrate 1 in the longitudinal direction. Input / output external electrode 6
Is electrically connected to the end 2 a of the conductor pattern 2, and the input / output external electrode 7 is electrically connected to the end 2 b of the conductor pattern 2. The input / output external electrodes 6 and 7 are made of Ag, Ag-P
A conductive paste such as d, Cu, Ni, NiCr, and NiCu is applied and baked, and then Ni,
A metal film such as Sn or Sn-Pb is formed, or formed by sputtering, vapor deposition, or the like.

【0020】こうして得られた可変インダクタンス素子
9を、印刷配線板等に実装した後、導体パターン2をト
リミングする。すなわち、図2に示すように、レーザビ
ームLを移動させつつ可変インダクタンス素子9の上面
側から照射して、導体パターン2の奥側の端面から平行
に2本のトリミング溝10a,10bを形成する。同様
に、導体パターン2の手前側の端面から平行に2本のト
リミング溝11a,11bを形成する。これらトリミン
グ溝10a,10b,11a,11bは、図3に示すよ
うに、入出力のために引き出されている端部2aと2b
を結ぶ仮想線Pを横切るように形成されている。こうし
て、導体パターン2の2本のトリミング溝10aと10
bの間に磁界干渉防止のための矩形状ダミーパターン領
域3aが形成され、トリミング溝11aと11bの間に
磁界干渉防止のための矩形状ダミーパターン領域3bが
形成される。そして、これらダミーパターン領域3a,
3b以外の導体パターン2に、蛇行状インダクタパター
ン領域4が形成される。蛇行状インダクタパターン領域
4は、その両端部2a,2bが入出力外部電極6,7に
電気的に接続されている。
After the thus obtained variable inductance element 9 is mounted on a printed wiring board or the like, the conductor pattern 2 is trimmed. That is, as shown in FIG. 2, the laser beam L is irradiated from the upper surface side of the variable inductance element 9 while being moved, and two trimming grooves 10a and 10b are formed in parallel from the end face on the far side of the conductor pattern 2. . Similarly, two trimming grooves 11a and 11b are formed in parallel from the front end face of the conductor pattern 2. As shown in FIG. 3, these trimming grooves 10a, 10b, 11a, 11b are formed with ends 2a and 2b which are drawn out for input and output.
Are formed so as to cross an imaginary line P connecting. Thus, the two trimming grooves 10a and 10
b, a rectangular dummy pattern region 3a for preventing magnetic field interference is formed, and between the trimming grooves 11a and 11b, a rectangular dummy pattern region 3b for preventing magnetic field interference is formed. Then, these dummy pattern regions 3a,
A meandering inductor pattern region 4 is formed in the conductor pattern 2 other than 3b. Both ends 2 a and 2 b of the meandering inductor pattern region 4 are electrically connected to input / output external electrodes 6 and 7.

【0021】蛇行状インダクタパターン領域4の隣り合
う部分には、ダミーパターン領域3a,3bが挟まれて
いるので、インダクタパターン領域4の隣り合う部分で
それぞれ発生する磁界の間の距離が大きくなり、磁界の
干渉を抑えることができる。
Since the dummy pattern regions 3a and 3b are sandwiched between the adjacent portions of the meandering inductor pattern region 4, the distance between the magnetic fields generated in the adjacent portions of the inductor pattern region 4 becomes large. Magnetic field interference can be suppressed.

【0022】そして、トリミング溝10a,10b,1
1a,11bの位置や長さJを変化させると、ダミーパ
ターン領域3a,3bの面積、領域3aと領域3bとの
間のスペースが変化する。これにより、蛇行状インダク
タパターン領域4のパターン幅や線路長が変化し、蛇行
状インダクタパターン領域4のインダクタンス値を広範
囲かつ無段階に変化させ、効率良く所望のインダクタン
ス値に微調整することができる。このとき、インダクタ
ンス素子9は、高周波回路に必要な高いQ値を確保して
いる。
Then, the trimming grooves 10a, 10b, 1
When the position and length J of 1a and 11b are changed, the area of the dummy pattern regions 3a and 3b and the space between the regions 3a and 3b change. Thereby, the pattern width and the line length of the meandering inductor pattern region 4 change, and the inductance value of the meandering inductor pattern region 4 can be changed in a wide range and steplessly, so that the desired inductance value can be finely adjusted efficiently. . At this time, the inductance element 9 secures a high Q value required for the high-frequency circuit.

【0023】このように、蛇行状インダクタパターン領
域4の隣り合う部分にダミーパターン領域3a,3bを
形成して、磁界の干渉を抑えるようにすることで、従来
より広い範囲でのインダクタンス調整が可能となる。図
4は、2.0mm×1.25mmサイズの可変インダク
タンス素子9を使用して、トリミング溝の長さJを変化
させたときのインダクタンス変化率を測定した結果を示
すグラフである(実線15参照)。比較のために、図4
には、蛇行状インダクタパターンの隣り合う部分の間に
トリミング溝しか有さない図12に示す従来の可変イン
ダクタンス素子の測定結果も併せて記載している(点線
16参照)。図4から、本第1実施形態の可変インダク
タンス素子9は、従来のインダクタンス素子と比較し
て、インダクタンス調整可能範囲が約10%広くなるこ
とがわかる。
As described above, by forming the dummy pattern regions 3a and 3b adjacent to the meandering inductor pattern region 4 so as to suppress the interference of the magnetic field, it is possible to adjust the inductance in a wider range than before. Becomes FIG. 4 is a graph showing the result of measuring the inductance change rate when the length J of the trimming groove is changed using the variable inductance element 9 having a size of 2.0 mm × 1.25 mm (see a solid line 15). ). For comparison, FIG.
12 also shows the measurement results of the conventional variable inductance element shown in FIG. 12 having only a trimming groove between adjacent portions of the meandering inductor pattern (see dotted line 16). FIG. 4 shows that the variable inductance element 9 of the first embodiment has an inductance adjustable range that is about 10% wider than that of the conventional inductance element.

【0024】また、本第1実施形態では、インダクタパ
ターン領域4の絶縁性基板1の幅方向に平行に延在する
部分のパターン幅Vと長手方向に平行に延在する部分の
パターン幅Hとを略等しくして、インダクタパターン領
域4のパターン幅が全長に渡って略一定になるようにし
ている。そして、トリミング溝10a,10b間の距離
D並びにトリミング溝11a,11b間の距離Dをパタ
ーン幅Vの2倍以上に設定している。これにより、イン
ダクタパターン領域4の隣接する部分の間隔Dがパター
ン幅Vの2倍以上になる。この結果、インダクタパター
ン領域4の隣り合う部分でそれぞれ発生する磁界の間の
距離がさらに大きくなり、磁界の干渉を確実に抑えるこ
とができる。従って、インダクタンス素子9のQ値をさ
らに高くすることができる。
In the first embodiment, the pattern width V of the portion of the inductor pattern region 4 extending parallel to the width direction of the insulating substrate 1 and the pattern width H of the portion extending parallel to the longitudinal direction are defined as Are made substantially equal so that the pattern width of the inductor pattern region 4 becomes substantially constant over the entire length. The distance D between the trimming grooves 10a and 10b and the distance D between the trimming grooves 11a and 11b are set to be at least twice the pattern width V. As a result, the interval D between adjacent portions of the inductor pattern region 4 becomes twice or more the pattern width V. As a result, the distance between the magnetic fields generated in the adjacent portions of the inductor pattern region 4 is further increased, and the interference of the magnetic field can be reliably suppressed. Therefore, the Q value of the inductance element 9 can be further increased.

【0025】図5は、2.0mm×1.25mmサイズ
の可変インダクタンス素子9を使用して、Q特性を測定
した結果を示すグラフである。実線17は、インダクタ
パターン領域4の隣接する部分の間隔Dをパターン幅V
の2倍に設定したときの測定結果を表示し、実線18
は、間隔Dをパターン幅Vと同じに設定したときの測定
結果を表示している。実線17と実線18を比較する
と、間隔Dをパターン幅Vの2倍に設定することによ
り、Q値が約10%向上していることがわかる。比較の
ために、図5には、図11に示す従来の可変インダクタ
ンス素子の測定結果も併せて記載している(点線19参
照)。本第1実施形態の可変インダクタンス素子9は、
従来の可変インダクタンス素子と比較して、Q値が約4
0%高くできた。
FIG. 5 is a graph showing the results of measuring the Q characteristic using the variable inductance element 9 having a size of 2.0 mm × 1.25 mm. A solid line 17 indicates a distance D between adjacent portions of the inductor pattern region 4 by a pattern width V
Display the measurement result when set to twice the
Indicates a measurement result when the interval D is set to be the same as the pattern width V. A comparison between the solid line 17 and the solid line 18 shows that the Q value is improved by about 10% by setting the interval D to twice the pattern width V. For comparison, FIG. 5 also shows the measurement results of the conventional variable inductance element shown in FIG. 11 (see dotted line 19). The variable inductance element 9 of the first embodiment includes:
Compared with the conventional variable inductance element, the Q value is about 4
0% higher.

【0026】なお、導体パターン2のトリミングはレー
ザビームに限らず、サンドブラスト等いかなる手段で行
ってもよく、また、導体パターン2が電気的に切断され
ていれば、トリミング溝10a,10b,11a,11
bは物理的に凹んだ構造になっていなくともよい。
The trimming of the conductor pattern 2 is not limited to a laser beam, but may be performed by any means such as sandblasting. If the conductor pattern 2 is electrically cut, the trimming grooves 10a, 10b, 11a, 11
b does not need to have a physically concave structure.

【0027】[第2実施形態、図6および図7]本第2
実施形態では、図6に示すように、印刷配線板21に直
接、導体パターン22を形成する。印刷配線板21の材
料としては、ガラスエポキシ樹脂、ガラスフッ素樹脂、
アルミナ、紙フェノール樹脂等が使用される。インダク
タンス素子20として機能する導体パターン22は、信
号パターン28,29の間に挿入されている。
[Second Embodiment, FIGS. 6 and 7]
In the embodiment, as shown in FIG. 6, the conductor pattern 22 is formed directly on the printed wiring board 21. As a material of the printed wiring board 21, glass epoxy resin, glass fluorine resin,
Alumina, paper phenol resin and the like are used. The conductor pattern 22 functioning as the inductance element 20 is inserted between the signal patterns 28 and 29.

【0028】図7に示すように、パルス状のレーザビー
ムを移動させつつ導体パターン22を照射し、そのエネ
ルギーで導体パターン22のレーザビーム照射部分を除
去して導体パターン22の一方の端面から平行に2本の
トリミング溝26a,26bを形成する。同様に、導体
パターン22の他方の端面から平行に2本のトリミング
溝27a,27bを形成する。これにより、導体パター
ン22の2本のトリミング溝26a,26bの間に磁界
干渉防止のための矩形状ダミーパターン領域23aが形
成され、トリミング溝27aと27bの間に磁界干渉防
止のための矩形状ダミーパターン領域23bが形成され
る。そして、これらダミーパターン領域23a,23b
以外の導体パターン22に、蛇行状インダクタパターン
領域24が形成される。蛇行状インダクタパターン領域
24は、その両端部が信号パターン28,29に電気的
に接続されている。
As shown in FIG. 7, the conductor pattern 22 is irradiated while moving a pulsed laser beam, and the laser beam irradiated portion of the conductor pattern 22 is removed by the energy of the laser beam, and the laser beam is irradiated from one end face of the conductor pattern 22 in parallel. Are formed with two trimming grooves 26a and 26b. Similarly, two trimming grooves 27a and 27b are formed in parallel from the other end face of the conductor pattern 22. As a result, a rectangular dummy pattern area 23a for preventing magnetic field interference is formed between the two trimming grooves 26a and 26b of the conductor pattern 22, and a rectangular dummy pattern area for preventing magnetic field interference is formed between the trimming grooves 27a and 27b. A dummy pattern region 23b is formed. Then, these dummy pattern regions 23a, 23b
A meandering inductor pattern region 24 is formed on the other conductive patterns 22. Both ends of the meandering inductor pattern region 24 are electrically connected to the signal patterns 28 and 29.

【0029】蛇行状インダクタパターン領域24の隣り
合う部分には、ダミーパターン領域23a,23bが挟
まれているので、インダクタパターン領域24の隣り合
う部分でそれぞれ発生する磁界の間の距離が大きくな
り、磁界の干渉を抑えることができる。
Since the dummy pattern regions 23a and 23b are sandwiched between the adjacent portions of the meandering inductor pattern region 24, the distance between the magnetic fields generated in the adjacent portions of the inductor pattern region 24 is increased. Magnetic field interference can be suppressed.

【0030】[他の実施形態]なお、本発明に係る可変
インダクタンス素子およびその製造方法は前記実施形態
に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変
更することができる。
[Other Embodiments] The variable inductance element and the method of manufacturing the same according to the present invention are not limited to the above embodiment, but can be variously modified within the scope of the gist.

【0031】前記第1実施形態は個産の場合を例にして
説明しているが、量産する場合には、複数の可変インダ
クタンス素子を備えたマザー基板(ウエハ)の状態で製
造し、最終工程でダイシング、スクライブブレイク、レ
ーザ等の工法により製品サイズ毎に切り出す方法が効果
的である。また、2本のトリミング溝10aと10b
(あるいは、11aと11b)は、平行に形成されてい
るが、必ずしも平行である必要はなく、一方のトリミン
グ溝に対して他方のトリミング溝が傾斜していてもよ
い。さらに、トリミング溝は直線状以外に、曲線状であ
ってもよく、インダクタパターン領域の形状も略蛇行形
状であればよく、例えばsin曲線を有する形状であっ
てもよい。
Although the first embodiment has been described by taking the case of individual production as an example, in the case of mass production, it is manufactured in the state of a mother substrate (wafer) having a plurality of variable inductance elements, It is effective to use a method such as dicing, scribe breaking, or laser to cut out each product size. Also, two trimming grooves 10a and 10b
Although (or 11a and 11b) are formed in parallel, they are not necessarily parallel, and one trimming groove may be inclined with respect to the other trimming groove. Further, the trimming groove may be a curved shape other than a linear shape, and the shape of the inductor pattern region may be a substantially meandering shape, for example, a shape having a sin curve.

【0032】また、可変インダクタンス素子において、
必要なインダクタンス値に応じて、一つ(図8参照)の
ダミーパターン領域3aが形成されるようにトリミング
溝10a,10bを形成してもよい。あるいは、蛇行状
インダクタパターン領域4の線路長をより長くするため
に、三つ(図9参照)もしくはそれ以上のダミーパター
ン領域3a,3b,3cが形成されるように、導体パタ
ーン2の対向する二つの端面からそれぞれ平行に2本の
トリミング溝10a,10b、11a,11b、12
a,12bの組を交互に形成してもよい。
In the variable inductance element,
The trimming grooves 10a and 10b may be formed such that one (see FIG. 8) dummy pattern region 3a is formed according to a required inductance value. Alternatively, in order to further increase the line length of the meandering inductor pattern region 4, three (see FIG. 9) or more dummy pattern regions 3a, 3b, 3c are opposed to the conductor pattern 2 so as to be formed. Two trimming grooves 10a, 10b, 11a, 11b, 12 are respectively parallel from two end faces.
A set of a and 12b may be formed alternately.

【0033】また、トリミング溝は必ずしも2本一組で
ある必要はなく、図10に示すように、7本のトリミン
グ溝10a〜10gを導体パターン2の一端面から形成
するようにしてもよい。この場合、トリミング溝10a
〜10gの間にダミーパターン領域3a〜3fが形成さ
れる。
The trimming grooves do not necessarily have to be a set of two. Instead, seven trimming grooves 10a to 10g may be formed from one end surface of the conductor pattern 2 as shown in FIG. In this case, the trimming groove 10a
Dummy pattern regions 3a to 3f are formed between 10 and 10g.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、トリミング溝の間に磁界干渉防止のための
ダミーパターン領域を形成し、略蛇行状インダクタパタ
ーン領域の隣り合う部分に前記ダミーパターン領域が挟
まれているので、インダクタパターン領域の隣り合う部
分でそれぞれ発生する磁界の間の距離が大きくなり、磁
界の干渉を抑えることができる。そして、トリミング溝
の位置や長さや数を変えてダミーパターン領域のパター
ン形状を変化させ、略蛇行状インダクタパターン領域の
パターン幅や蛇行数を変化させてインダクタパターン領
域のインダクタンス値を変化させるようにしたので、イ
ンダクタンス値を広範囲かつ無段階に効率良く微調整す
ることができ、所望のインダクタンス値を有し、かつ、
高いQ値を有する高精度の可変インダクタンス素子を得
ることができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, a dummy pattern region for preventing magnetic field interference is formed between the trimming grooves, and the dummy pattern region is formed adjacent to the substantially meandering inductor pattern region. Since the dummy pattern region is sandwiched, the distance between the magnetic fields generated in adjacent portions of the inductor pattern region is increased, and the interference of the magnetic field can be suppressed. Then, the pattern shape of the dummy pattern area is changed by changing the position, length, and number of the trimming grooves, and the inductance value of the inductor pattern area is changed by changing the pattern width and the number of meandering inductor pattern areas. Therefore, the inductance value can be finely adjusted efficiently in a wide range and steplessly, and has a desired inductance value, and
A highly accurate variable inductance element having a high Q value can be obtained.

【0035】さらに、略蛇行状インダクタパターン領域
の隣り合う部分の間隔を、パターン幅の2倍以上に設定
することにより、隣り合う部分でそれぞれ発生する磁界
の間の距離がさらに大きくなり、磁界の干渉を確実に抑
えることができる。従って、インダクタンス素子のQ値
を更に高くすることができる。
Further, by setting the interval between adjacent portions of the substantially meandering inductor pattern region to be at least twice the pattern width, the distance between the magnetic fields generated in the adjacent portions is further increased. Interference can be reliably suppressed. Therefore, the Q value of the inductance element can be further increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る可変インダクタンス素子の第1実
施形態の外観を示す斜視図。
FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of a first embodiment of a variable inductance element according to the present invention.

【図2】図1に示した可変インダクタンス素子のインダ
クタンス調整方法を説明するための斜視図。
FIG. 2 is a perspective view for explaining a method of adjusting the inductance of the variable inductance element shown in FIG. 1;

【図3】図1に示した可変インダクタンス素子の蛇行状
インダクタパターン領域とダミーパターン領域の平面
図。
FIG. 3 is a plan view of a meandering inductor pattern region and a dummy pattern region of the variable inductance element shown in FIG. 1;

【図4】図1に示した可変インダクタンス素子のトリミ
ング溝の長さを変化させたときのインダクタンス変化率
を示すグラフ。
4 is a graph showing an inductance change rate when the length of a trimming groove of the variable inductance element shown in FIG. 1 is changed.

【図5】図1に示した可変インダクタンス素子のQ特性
を示すグラフ。
FIG. 5 is a graph showing a Q characteristic of the variable inductance element shown in FIG.

【図6】本発明に係る可変インダクタンス素子の第2実
施形態の導体パターンの平面図。
FIG. 6 is a plan view of a conductor pattern of a second embodiment of the variable inductance element according to the present invention.

【図7】図6に示した可変インダクタンス素子の蛇行状
インダクタパターン領域とダミーパターン領域の平面
図。
FIG. 7 is a plan view of a meandering inductor pattern region and a dummy pattern region of the variable inductance element shown in FIG. 6;

【図8】蛇行状インダクタパターン領域とダミーパター
ン領域の変形例を示す平面図。
FIG. 8 is a plan view showing a modification of the meandering inductor pattern region and the dummy pattern region.

【図9】蛇行状インダクタパターン領域とダミーパター
ン領域の他の変形例を示す平面図。
FIG. 9 is a plan view showing another modified example of the meandering inductor pattern region and the dummy pattern region.

【図10】蛇行状インダクタパターン領域とダミーパタ
ーン領域の他の変形例を示す平面図。
FIG. 10 is a plan view showing another modified example of the meandering inductor pattern region and the dummy pattern region.

【図11】従来の可変インダクタンス素子のインダクタ
ンス値の調整方法の説明図。
FIG. 11 is an explanatory diagram of a conventional method for adjusting an inductance value of a variable inductance element.

【図12】従来の可変インダクタンス素子のインダクタ
ンス値の調整方法が有している問題点の説明図。
FIG. 12 is an explanatory diagram of a problem which is present in the conventional method of adjusting the inductance value of the variable inductance element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…絶縁性基板 2,22…導体パターン 3a〜3f,23a,23b…ダミーパターン領域 4,24…蛇行状インダクタパターン領域 9,20…可変インダクタンス素子 10a〜10g,11a,11b,12a,12b,2
6a,26b,27a,27b…トリミング溝 21…印刷配線板 D…距離 V,H…パターン幅 L…レーザビーム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulating substrate 2, 22 ... Conductor pattern 3a-3f, 23a, 23b ... Dummy pattern area 4, 24 ... Serpentine inductor pattern area 9, 20 ... Variable inductance element 10a-10g, 11a, 11b, 12a, 12b, 2
6a, 26b, 27a, 27b: trimming groove 21: printed wiring board D: distance V, H: pattern width L: laser beam

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01F 21/06 H01F 41/04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01F 21/06 H01F 41/04

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 導体パターンの少なくとも同一端面から
2本以上のトリミング溝を形成することにより、前記導
体パターンの前記トリミング溝の間に磁界干渉防止のた
めのダミーパターン領域を形成するとともに、前記導体
パターンに略蛇行状インダクタパターン領域を形成し、
略蛇行状インダクタパターン領域の隣り合う部分に前記
ダミーパターン領域が挟まれていることを特徴とする可
変インダクタンス素子。
1. A dummy pattern area for preventing magnetic field interference is formed between the trimming grooves of the conductor pattern by forming at least two trimming grooves from at least the same end face of the conductor pattern. Forming a substantially meandering inductor pattern area in the pattern,
A variable inductance element, wherein the dummy pattern region is sandwiched between adjacent portions of a substantially meandering inductor pattern region.
【請求項2】 前記2本以上のトリミング溝が略平行に
形成され、前記略蛇行状インダクタパターン領域の隣り
合う部分の間隔が、前記略蛇行状インダクタパターン領
域のパターン幅の2倍以上であることを特徴とする請求
項1記載の可変インダクタンス素子。
2. The two or more trimming grooves are formed substantially in parallel, and an interval between adjacent portions of the substantially meandering inductor pattern region is at least twice the pattern width of the substantially meandering inductor pattern region. The variable inductance element according to claim 1, wherein:
【請求項3】 チップ部品の絶縁性基板の表面に前記導
体パターンが設けられていることを特徴とする請求項1
又は請求項2記載の可変インダクタンス素子。
3. The conductive pattern is provided on a surface of an insulating substrate of a chip component.
Or the variable inductance element according to claim 2.
【請求項4】 回路パターンが設けられている回路基板
の表面に前記導体パターンが設けられていることを特徴
とする請求項1又は請求項2記載の可変インダクタンス
素子。
4. The variable inductance element according to claim 1, wherein the conductor pattern is provided on a surface of a circuit board on which the circuit pattern is provided.
【請求項5】 前記導体パターンの対向する二つの端面
からそれぞれ2本以上のトリミング溝の組が交互に形成
されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4記
載の可変インダクタンス素子。
5. The variable inductance element according to claim 1, wherein two or more sets of trimming grooves are alternately formed from two opposing end faces of the conductor pattern.
【請求項6】 絶縁性基板の表面に導体パターンを形成
する工程と、 前記導体パターンの少なくとも同一端面からトリミング
溝を2本以上形成し、前記導体パターンのトリミング溝
の間に磁界干渉防止のためのダミーパターン領域を形成
するとともに、前記導体パターンに略蛇行状インダクタ
パターン領域を形成する工程と、を備えたことを特徴と
する可変インダクタンス素子の製造方法。
6. A step of forming a conductor pattern on the surface of an insulating substrate; and forming at least two trimming grooves from at least the same end face of the conductor pattern to prevent magnetic field interference between the trimming grooves of the conductor pattern. Forming a dummy pattern region and forming a substantially meandering inductor pattern region in the conductor pattern.
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