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JP3318928B2 - 半導体装置 - Google Patents
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JP3318928B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係わ
り、特にワイヤボンディング用電極パッドを有する電界
効果トランジスタを備えた半導体装置に関する。本発明
は高周波数帯、高出力増幅用の電界効果トランジスタ
(ＦＥＴ)を備える半導体装置に好適に用いられるもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来のチップは使用する周波数ごとに異
なるチップを用いていた。図２（ａ）は低い周波数で使
用する場合の配線を示す図であり、電界効果トランジス
タのセルから引き出した配線は高抵抗金属による抵抗２
を介してゲートパッド１に繋がる。また図２（ｂ）は高
い周波数で使用する場合の配線を示す図であり、セルか
ら引き出した配線はそのままゲートパッド１に繋がる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図２（ａ）の配線パタ
ーンは、低い周波数ではそのまま使用できるが、同一ペ
レットを高い周波数で使用しようとするとＲＦ特性（高
周波特性）は抵抗が無いものに比べ低下することにな
る。
【０００４】一方、図２（ｂ）の配線パターンは、高い
周波数ではそのまま使用できるが、同一ペレットを低い
周波数で使用しようとするとＧＬ（リニアゲイン）に対
し十分なアイソレーションが取れなくなり、デバイスが
不安定になる。ＲＦ（高周波）マッチングでパワーマッ
チングしＧＬを低下させることも可能であるが同時にＲ
Ｆ特性（特に付加効率）も低下することになる。
【０００５】本発明の目的は、従来の課題を解決しつつ
１チップで異なる周波数で使用できるチップを実現し、
少量多品種の所要に対応するチップを提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
ワイヤボンディング用電極パッドを有する電界効果トラ
ンジスタを備えた半導体装置において、前記電界効果ト
ランジスタに接続される第１のワイヤボンディング用電
極パッドと、前記電界効果トランジスタに、前記第１の
ワイヤボンディング用電極パッド及び抵抗を介して接続
される第２のワイヤボンディング用電極パッドとを有す
ることを特徴とするものである。
【０００７】本発明は、特にＧＬ（リニアゲイン）が１
５ｄＢ以上の高性能ＳｉパワーＭＯＳＦＥＴにおいて、
ボンディング位置を変更することにより、同一ペレット
を使いながら異なる周波数帯で発振なく且つＲＦ特性を
低下させることなく使用可能とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１（ａ），（ｂ）は本発明の半
導体装置の構成を示す図であり、図１（ａ）は、電界効
果トランジスタのセルから引き出した配線を、第１のワ
イヤボンディング用電極パッド３、抵抗２を通して第２
のワイヤボンディング用電極パッド１に繋げ、電極パッ
ド１をワイヤボンディングして配線接続したものであ
る。４はドレイン電極パッドである。抵抗２は、例えば
ＷＳｉ／ポリＳｉで形成した抵抗が用いられる。また図
１（ｂ）はセルから引き出した配線を、第１のワイヤボ
ンディング用電極パッド３に繋げ、この電極パッド３を
ワイヤボンディングして配線接続したものである。
【０００９】図１に示す電界効果トランジスタはマルチ
フィンガー構造と呼ばれるものの一つであり（例えば、
特願平９−４６１６４号に開示されている。）、ドレイ
ン，ゲート，ソースからなる単位セルを複数個配置し、
ドレイン，ゲートを交互に櫛の歯状に接続して電界効果
トランジスタを形成したものである。ただし、本発明に
用いる電界効果トランジスタは、このマルチフィンガー
構造の電界効果トランジスタに限定されるものではな
い。
【００１０】既に説明したように、図１（ａ）の配線パ
ターンは低い周波数で使用する場合に適し、図１（ｂ）
の配線パターンは高い周波数で使用する場合に適する。
【００１１】本実施例では同一ペレットを使用しなが
ら、ボンディングパッドを変更することで直列抵抗の有
無を選択できるため、異なる周波数で使用可能となるデ
バイスが製造できる。このため裏面工程からＭｔ（マウ
ント）工程まで各製品は同一条件で生産でき、ボンディ
ングのプログラム変更のみで周波数の異なる製品の生産
が可能となる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
同一ペレットを使用しながら、異なる周波数のデバイス
が製造できる。このため裏面工程からＭｔ（マウント）
工程まで各製品は同一条件で生産でき、ボンディングの
プログラム変更のみで周波数対応の異なる製品が生産可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の構成を示す図である。
【図２】従来の半導体装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
１ 第２のワイヤボンディング用電極パッド（ゲート電
極パッド） ２ 抵抗 ３ 第１のワイヤボンディング用電極パッド ４ ドレイン電極パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/812 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/04 H01L 21/60 H01L 29/78 H01L 29/80 H01L 29/812

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ワイヤボンディング用電極パッドを有す
    る電界効果トランジスタを備えた半導体装置において、前記 電界効果トランジスタに接続される第１のワイヤボ
    ンディング用電極パッドと、前記電界効果トランジスタ
    に、前記第１のワイヤボンディング用電極パッド及び抵
    抗を介して接続される第２のワイヤボンディング用電極
    パッドとを有することを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記第１のワイヤボンディング用電極パ
    ッドは前記電界効果トランジスタのゲートに接続される
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記電界効果トランジスタはマルチフィ
    ンガー構造の電界効果トランジスタである請求項１又は
    ２に記載の半導体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4605912A (en) * 1981-12-03 1986-08-12 General Electric Company Continuously variable phase shifting element comprised of interdigitated electrode MESFET
US4471330A (en) * 1982-11-01 1984-09-11 General Electric Company Digital phase bit for microwave operation
US4543535A (en) * 1984-04-16 1985-09-24 Raytheon Company Distributed power amplifier
JPS61194865A (ja) 1985-02-25 1986-08-29 Nec Corp 集積回路
JPS6233475A (ja) 1985-08-06 1987-02-13 Nec Corp 半導体装置
GB8626316D0 (en) 1986-11-04 1986-12-03 Rca Corp E-w raster correction circuit
JPH0680802B2 (ja) 1987-09-18 1994-10-12 住友電気工業株式会社 半導体装置
JPH088264B2 (ja) * 1988-06-30 1996-01-29 株式会社東芝 半導体集積回路
US4939485A (en) * 1988-12-09 1990-07-03 Varian Associates, Inc. Microwave field effect switch
JP2680132B2 (ja) 1989-07-03 1997-11-19 富士通株式会社 半導体装置
JPH03292004A (ja) 1990-04-10 1991-12-24 Matsushita Electron Corp モノリシックマイクロ波集積回路素子
JPH04116966A (ja) 1990-09-07 1992-04-17 Mitsubishi Electric Corp 高周波集積回路
JP2800566B2 (ja) * 1991-07-23 1998-09-21 日本電気株式会社 電界効果トランジスタおよび高周波信号発振器および周波数変換回路
JPH0946164A (ja) 1995-07-28 1997-02-14 Canon Inc 弾性表面波装置
JP3292004B2 (ja) 1995-10-24 2002-06-17 ソニー株式会社 ビスマス化合物の製造方法
JP3129223B2 (ja) * 1997-02-28 2001-01-29 日本電気株式会社 半導体装置

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