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JP3324973B2 - Positioning mark for forming resist pattern and method for manufacturing multilayer printed wiring board - Google Patents
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JP3324973B2 - Positioning mark for forming resist pattern and method for manufacturing multilayer printed wiring board - Google Patents

Positioning mark for forming resist pattern and method for manufacturing multilayer printed wiring board

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JP3324973B2
JP3324973B2 JP32031697A JP32031697A JP3324973B2 JP 3324973 B2 JP3324973 B2 JP 3324973B2 JP 32031697 A JP32031697 A JP 32031697A JP 32031697 A JP32031697 A JP 32031697A JP 3324973 B2 JP3324973 B2 JP 3324973B2
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forming
plating
ring
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • HELECTRICITY
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    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、レジストパター
ン形成のための位置決めマークおよび多層プリント配線
板の製造方法に関し、特には、めっきレジスト形成のた
めに使用されるフォトマスクの位置合わせ精度に優れる
位置決めマークを用いた多層プリント配線板の製造方法
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positioning mark for forming a resist pattern and a method for manufacturing a multilayer printed wiring board, and more particularly to a positioning method which is excellent in positioning accuracy of a photomask used for forming a plating resist. The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer printed wiring board using marks.

【0002】[0002]

【従来の技術】いわゆるビルドアップ多層プリント配線
板の製造方法は、未硬化の層間樹脂絶縁材(無電解めっ
き用接着剤)をロールコータにより塗布し、これを乾
燥、硬化させ、ついでバイアホールを形成して、めっき
を施して導体回路を形成する。このようなビルドアップ
多層配線板の製造方法としては、めっきレジストを残存
させるフルアディティブ法とめっきレジストを除去する
セミアディティブ法がある。
2. Description of the Related Art In a method of manufacturing a so-called build-up multilayer printed wiring board, an uncured interlayer resin insulating material (adhesive for electroless plating) is applied by a roll coater, dried and cured, and then a via hole is formed. Formed and plated to form conductor circuits. As a method of manufacturing such a build-up multilayer wiring board, there are a full additive method of leaving a plating resist and a semi-additive method of removing a plating resist.

【0003】このフルアディティブ法によるビルトアッ
プについて、図8を参照して説明する。内層導体回路1
42aと位置決めマーク142bとの形成された基板1
20に、絶縁層138を塗布する(図8(A))。そし
て、該絶縁層138にエッチィグによりバイアホール形
成用開口部136を穿設する(図8(B))。そして、
ドライフィルム141を載置した後、所定パターン16
1aの形成されたフォトマスクフィルム160にて、該
ドライフィルム141を露光する(図8(C)。ドライ
フィルム141の露光部分を溶剤により除去し、レジス
ト142を形成する(図8(D))。そして、レジスト
非形成部にめっき143を形成することで、バイアホー
ル147を完成する。
The build-up by the full additive method will be described with reference to FIG. Inner layer conductor circuit 1
Substrate 1 with 42a and positioning mark 142b formed
20 is coated with an insulating layer 138 (FIG. 8A). Then, via holes 136 are formed in the insulating layer 138 by etching (FIG. 8B). And
After placing the dry film 141, the predetermined pattern 16
The dry film 141 is exposed with the photomask film 160 on which the film 1a is formed (FIG. 8C) The exposed portion of the dry film 141 is removed with a solvent to form a resist 142 (FIG. 8D). Then, a plating 143 is formed in the non-resist forming portion, thereby completing the via hole 147.

【0004】次に、セミアディティブ法について、図9
を参照して説明する。内層導体回路142aと位置決め
マーク142bとの形成された基板120に、絶縁層1
38を塗布する(図9(A))。そして、該絶縁層13
8にエッチィグによりバイアホール形成用開口部136
を穿設する(図9(B))。その後、無電解めっきによ
り均一にめっき層140を形成する(図9(C))。そ
して、ドライフィルム141を載置した後、所定パター
ン161aの形成されたフォトマスクフィルム160に
て、該ドライフィルム141を露光する(図9
(D))。ドライフィルム141の露光部分を溶剤によ
り除去し、レジスト142を形成する(図9(E))。
そして、レジスト非形成部にめっき144を形成する
(図9(F))。その後、レジスト142、及び、該レ
ジスト142の下層のめっき膜140を除去すること
で、バイアホール147を形成する。
Next, the semi-additive method will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. The insulating layer 1 is provided on the substrate 120 on which the inner conductor circuit 142a and the positioning mark 142b are formed.
38 (FIG. 9A). And the insulating layer 13
8, an opening 136 for forming a via hole by etching.
Is drilled (FIG. 9B). Then, the plating layer 140 is formed uniformly by electroless plating (FIG. 9C). Then, after placing the dry film 141, the dry film 141 is exposed with the photomask film 160 on which the predetermined pattern 161a is formed (FIG. 9).
(D)). The exposed portion of the dry film 141 is removed with a solvent to form a resist 142 (FIG. 9E).
Then, a plating 144 is formed on the non-resist forming portion (FIG. 9F). Thereafter, the via 142 is formed by removing the resist 142 and the plating film 140 below the resist 142.

【0005】ここで、セミアディティブ法は、導体回路
側面を粗化処理して層間樹脂絶縁材との密着性を向上さ
せることができる点で、フルアディティブ法に対して有
利である。
[0005] Here, the semi-additive method is advantageous over the full additive method in that the side surface of the conductor circuit can be roughened to improve the adhesion to the interlayer resin insulating material.

【0006】めっきレジストの形成は、フルアディティ
ブ法においては、図8(C)、図8(D)を参照して上
述したように、また、セミアディティブ法においては、
図9(D)、図9(E)を参照して述べたように、感光
性のドライフィルム141を基板120の表面に貼付
し、導体回路パターン161aが描画されたフォトマス
クフィルム160を載置して、露光、現像処理して行
う。
[0006] The plating resist is formed as described above with reference to FIGS. 8C and 8D in the full additive method, and in the semi-additive method.
As described with reference to FIGS. 9D and 9E, the photosensitive dry film 141 is attached to the surface of the substrate 120, and the photomask film 160 on which the conductor circuit pattern 161a is drawn is placed. Then, exposure and development are performed.

【0007】ここで、フォトマスクフィルム160は、
層間樹脂絶縁層(ドライフィルム)141下の導体回路
124aと正確に整合する位置に載置しなければならな
い。このために基板120側に位置決めマーク124b
を形成すると共に、フォトマスク160側に位置決めマ
ーク161bを形成しておき、画像処理技術により、位
置決めマークを認識し、両者を合わせることにより、フ
ォトマスクフィルムの位置合わせを行う。即ち、図8
(C)及び図9(D)に示すように、下方から光を照射
し、該基板120側の位置決めマーク124bとフォト
マスク160側の位置決めマーク161bとの透過光を
上方のカメラ200にて監視し、両者を重ねるようにす
ることで、フォトマスクフィルム160の位置合わせを
行っている。
Here, the photomask film 160 is
It must be placed at a position that exactly matches the conductor circuit 124a under the interlayer resin insulation layer (dry film) 141. For this purpose, the positioning mark 124b is provided on the substrate 120 side.
Is formed, and a positioning mark 161b is formed on the photomask 160 side. The positioning mark is recognized by an image processing technique, and the two are aligned to align the photomask film. That is, FIG.
As shown in FIG. 9C and FIG. 9D, light is irradiated from below and the transmitted light between the positioning mark 124b on the substrate 120 and the positioning mark 161b on the photomask 160 is monitored by the upper camera 200. Then, the photomask film 160 is positioned by overlapping the two.

【0008】ここで、図8(C)に示すように、フルア
ディティブ法においては、基板120側の位置決めマー
ク124bとフォトマスク160側の位置決めマーク1
61bとの透過光を上方のカメラ200にて確実に捉え
ることができる。しかしながら、セミアディティブ法で
は、層間樹脂絶縁層138の表面全体に無電解めっき膜
140を形成し、その無電解めっき膜140上に感光性
ドライフィルム141を圧着するため、無電解めっき膜
140が邪魔になり、上述した透過光を用いる位置決め
マークの認識が困難である。
Here, as shown in FIG. 8C, in the full additive method, the positioning mark 124b on the substrate 120 and the positioning mark 1 on the photomask 160 are used.
The transmitted light with 61b can be reliably captured by the upper camera 200. However, in the semi-additive method, the electroless plating film 140 is formed on the entire surface of the interlayer resin insulating layer 138, and the photosensitive dry film 141 is pressed on the electroless plating film 140. Therefore, it is difficult to recognize the positioning mark using the transmitted light described above.

【0009】そこで、本願発明者らは、上方から光を照
射し無電解めっき膜による反射光により位置合わせを行
うとの着想を得た。即ち、図10(A)に示すよう層間
樹脂絶縁層138に凹部(開口部)136bを設けて、
凹部内部136bのドライフィルム141が接触してい
ない無電解めっき膜140とドライフィルム141が接
触している無電解めっき膜140(即ち、凹部136b
の外部)との反射量の相違を利用して、凹部136b内
部の無電解めっき膜140の反射光のみを位置決めマー
クとして認識する方法を想起した。凹部内部の壁面13
6bの無電解めっき膜140で光が反射して凹部136
bから出射するため、ドライフィルム141が接触して
いる無電解めっき膜140(凹部136bの外部)から
カメラに入射する反射量に比べて、凹部部分からカメラ
に入射する反射量が多くなり、ターゲットマークとして
認識できると考えたのである。
Accordingly, the inventors of the present application have obtained an idea that the position is adjusted by irradiating light from above and reflecting light from the electroless plating film. That is, as shown in FIG. 10A, a concave portion (opening) 136b is provided in the interlayer resin insulating layer 138,
The electroless plating film 140 in which the dry film 141 is not in contact with the dry film 141 in the recess interior 136b and the electroless plating film 140 in which the dry film 141 is in contact (that is, the recess 136b)
A method of recognizing only the reflected light of the electroless plating film 140 inside the concave portion 136b as a positioning mark by utilizing the difference in the amount of reflection from the outside (outside). Wall surface 13 inside recess
The light is reflected by the electroless plating film 140 of FIG.
b, the amount of reflection incident on the camera from the concave portion is larger than the amount of reflection incident on the camera from the electroless plating film 140 (outside the concave portion 136b) with which the dry film 141 is in contact. I thought it could be recognized as a mark.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法を実際に行ってみると、反射光を充分に認識すること
ができないことが判った。この原因について解析したと
ころ、図10(B)に示すように、感光性ドライフィル
ム141が加熱圧着の際に溶融して凹部136b内部に
入り込み、無電解めっき膜140で反射しなくなり、ド
ライフィルム141が接触している無電解めっき膜(凹
部136bの外部)の反射量と差が無くなってしまい、
位置決めマークとして認識できなくなることが判った。
However, when this method was actually performed, it was found that the reflected light could not be sufficiently recognized. As a result of analyzing the cause, as shown in FIG. 10B, the photosensitive dry film 141 melts and enters the recess 136b during the heating and pressing, and is not reflected by the electroless plating film 140. Is no longer equal to the amount of reflection of the electroless plating film (outside the concave portion 136b) in contact with
It turned out that it cannot be recognized as a positioning mark.

【0011】また、このようなドライフィルム樹脂の入
り込みを防止するために、凹部の直径を小さくする方法
も試みたが、位置決めマーク自体が小さくなり、位置合
わせ精度が悪くなるという問題が新たに発生した。
In order to prevent such a dry film resin from entering, a method of reducing the diameter of the concave portion was also attempted. However, a new problem arises in that the positioning mark itself becomes small and the positioning accuracy is deteriorated. did.

【0012】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、セミア
ディティブ法において使用でき、位置合わせ精度を低下
させることなく、感光性ドライフィルムを圧着しても読
み取ることができる位置決めマークとそれを使用した多
層プリント配線板の製造方法を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to apply a photosensitive dry film to a semi-additive method without deteriorating the positioning accuracy. It is an object of the present invention to provide a positioning mark which can be read even when the method is used, and a method for manufacturing a multilayer printed wiring board using the positioning mark.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】請求項1のレジストパタ
ーン形成のための位置決めマークは、上記目的を達成す
るため、層間樹脂絶縁層にリング状に凹部が形成され、
該層間樹脂絶縁層表面および凹部内にめっき膜を設けた
ことを技術的特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a positioning mark for forming a resist pattern, wherein a ring-shaped recess is formed in an interlayer resin insulating layer to achieve the above object.
A technical feature is that a plating film is provided on the surface of the interlayer resin insulating layer and in the recess.

【0014】また、請求項2の多層プリント配線板の製
造方法は、以下の(a)〜(f)の工程を含むことを技
術的特徴とする。 (a)基準マークが設けられた基板に層間樹脂絶縁層を
形成する工程。 (b)前記基準マークを利用して層間樹脂絶縁層にバイ
アホール形成用の孔およびリング状の凹部を設ける工
程。 (c)層間樹脂絶縁層の表面、バイアホール形成用の孔
およびリング状の凹部にめっき膜を形成する工程。 (d)感光性ドライフィルムを圧着する工程。 (e)導体パターンおよび黒円が描画されたフォトマス
クフィルムを感光性ドライフィルム上に載置するにあた
り、リング状の凹部内に形成されためっき膜の反射光の
みを位置決めマークとして認識し、このリング状の位置
決めマークにフォトマスクフィルムの黒円を合わせて、
前記フォトマスクフィルムを感光性ドライフィルム上に
載置し、ドライフィルムを露光、現像処理して、導体パ
ターンを形成するためのめっきレジストパターンを形成
する工程。 (f)電解めっきにより、導体パターンを形成し、つい
でめっきレジストを除去して、めっきレジスト下に存在
するめっき膜を溶解除去する工程。
A second aspect of the present invention provides a method for manufacturing a multilayer printed wiring board, which comprises the following steps (a) to (f). (A) a step of forming an interlayer resin insulating layer on a substrate provided with a reference mark; (B) providing a hole for forming a via hole and a ring-shaped recess in the interlayer resin insulating layer using the reference mark; (C) a step of forming a plating film on the surface of the interlayer resin insulating layer, a hole for forming a via hole, and a ring-shaped concave portion; (D) a step of pressing the photosensitive dry film. (E) When placing the photomask film on which the conductor pattern and the black circle are drawn on the photosensitive dry film, only the reflected light of the plating film formed in the ring-shaped recess is recognized as a positioning mark. Align the black circle of the photomask film with the ring-shaped positioning mark,
Placing the photomask film on a photosensitive dry film, exposing and developing the dry film to form a plating resist pattern for forming a conductor pattern. (F) A step of forming a conductor pattern by electrolytic plating, removing the plating resist, and dissolving and removing the plating film present under the plating resist.

【0015】本願発明においては、層間樹脂絶縁層にリ
ング状に凹部を形成し、層間樹脂絶縁層の表面および凹
部内に無電解めっき膜を設けて、これを位置決めマーク
とする。無電解めっき膜上に感光性ドライフィルムを圧
着しても、凹部の内部にはドライフィルムは接触しない
ため、感光性ドライフィルムが接触する無電解めっき膜
と感光性ドライフィルムが接触しない無電解めっき膜の
反射率の相違により、リング状の位置決めマークを認識
できる。また、リング状の凹部の幅を小さくできるた
め、感光性ドライフィルムの入り込みがなく、ドライフ
ィルムの圧着により、位置決めマークが認識できなくな
ることがない。しかも、リングの直径が位置決めマーク
の大きさとして認識されることになるため、画像処理技
術に伴う量子化誤差による位置決め精度を低下させるこ
ともない。
In the present invention, a ring-shaped recess is formed in the interlayer resin insulation layer, and an electroless plating film is provided on the surface of the interlayer resin insulation layer and in the recess, and this is used as a positioning mark. Even if the photosensitive dry film is pressed on the electroless plating film, the dry film does not contact the inside of the recess, so the electroless plating film that the photosensitive dry film contacts does not contact the photosensitive dry film. The ring-shaped positioning mark can be recognized by the difference in the reflectance of the film. Further, since the width of the ring-shaped concave portion can be reduced, the photosensitive dry film does not enter, and the positioning mark does not become unrecognizable due to the compression of the dry film. Moreover, since the diameter of the ring is recognized as the size of the positioning mark, the positioning accuracy does not decrease due to the quantization error associated with the image processing technology.

【0016】凹部の幅は、100〜300μmが望まし
い。この理由は、100μm未満では、幅が小さすぎて
読み取りにくく、300μmを超えるとめっきレジスト
の付着を招くからである。
The width of the recess is desirably 100 to 300 μm. The reason for this is that if the thickness is less than 100 μm, the width is too small to read easily, and if it exceeds 300 μm, the plating resist is attached.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下に、本願発明の多層プリント
配線板の製造方法について詳細に説明する。 (a)本願発明で使用される基板は、銅張積層板をエッ
チングして銅パターンとする。ここでは、図1(A)に
示すように厚さ1mmのガラスエポキシ又はBT(ビスマ
レイミドトリアジン)から成る基板20の両面に18μ
mの銅箔22がラミネートされて成る銅張積層板20a
を出発材料とし、その銅箔22を常法に従いパターン状
にエッチングすることにより、基板20の両面に内層銅
パターン24a及び一部が円形にくり抜かれた形態から
なる基準マーク(図示せず)を設ける。更に、スルーホ
ール用貫通孔27を穿設し、銅めっき25を施すことに
よりスルーホール28を形成し、表面と裏面の配線層を
電気的に接続する。ここで、銅張積層板20aの代わり
に、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、セラミック
基板、金属基板などに無電解めっき用接着剤層を形成
し、これを粗化して粗化面を形成し、ここに無電解めっ
きを施して銅パターンとすることもできる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention will be described in detail. (A) The substrate used in the present invention is etched into a copper-clad laminate to form a copper pattern. Here, as shown in FIG. 1A, 18 μm is applied to both sides of a substrate 20 made of glass epoxy or BT (bismaleimide triazine) having a thickness of 1 mm.
copper clad laminate 20a formed by laminating copper foil 22
Is used as a starting material, and the copper foil 22 is etched in a pattern according to a conventional method, thereby forming an inner layer copper pattern 24a and a reference mark (not shown) having a partially hollowed shape on both surfaces of the substrate 20. Provide. Further, a through hole 27 for a through hole is formed, and a through hole 28 is formed by applying a copper plating 25 to electrically connect the front and back wiring layers. Here, instead of the copper-clad laminate 20a, an adhesive layer for electroless plating is formed on a glass epoxy substrate, a polyimide substrate, a ceramic substrate, a metal substrate, or the like, and this is roughened to form a roughened surface. May be subjected to electroless plating to form a copper pattern.

【0018】このコア基板の表面は、黒化(酸化)−還
元処理により、粗化処理する(図1(B)参照)。
The surface of the core substrate is roughened by a blackening (oxidation) -reduction process (see FIG. 1B).

【0019】ここで、基板20に、図1(C)に示すよ
うにロールコータにて樹脂を塗布して、導体回路(内層
銅パターン24a)間、スルーホール28内を充填す
る。その後、150°Cで、30分加熱して硬化させ
る。
Here, as shown in FIG. 1C, a resin is applied to the substrate 20 by a roll coater to fill the through holes 28 between the conductor circuits (inner layer copper patterns 24a). Then, it is cured by heating at 150 ° C. for 30 minutes.

【0020】引き続き、基板20を、ベルトサンダーに
て#600のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いて片
面を研磨する。このとき、内層銅パターン24aやスル
ーホール28のランド28a上に充填樹脂30が残らな
いように研磨を行う。その後、ベルトサンダーによる傷
を取り除くためバフ研磨を行う。そして、他方の面も同
様に研磨して、図1(D)に示すように両面のフラット
な基板20を形成する。その後、露出面にCu−Ni−
Pからなる針状合金(荏原ユージライト製インタープレ
ート)めっき39を施して表面を粗化する(図2(E)
参照)。
Subsequently, one side of the substrate 20 is polished with a belt sander using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku). At this time, polishing is performed so that the filling resin 30 does not remain on the inner layer copper pattern 24a and the land 28a of the through hole 28. Thereafter, buffing is performed to remove the scratches caused by the belt sander. Then, the other surface is similarly polished to form a flat substrate 20 on both surfaces as shown in FIG. Then, Cu-Ni-
The surface is roughened by plating with a needle-shaped alloy (inter-plate made by Ebara Ujilite) 39 consisting of P (Fig. 2 (E)).
reference).

【0021】ついで、この基板20の上に、層間樹脂絶
縁材層38を形成する(図2(F)参照)。層間絶縁材
層38は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイ
ミドトリアジン樹脂、フェノール樹脂など熱硬化性樹脂
やこれらを感光化した感光性樹脂、あるいはポリエーテ
ルスルフォンなどの熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂と熱硬
化性樹脂の複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体
を使用できる。
Next, an interlayer resin insulating material layer 38 is formed on the substrate 20 (see FIG. 2F). The interlayer insulating material layer 38 is made of a thermosetting resin such as an epoxy resin, a polyimide resin, a bismaleimide triazine resin, and a phenol resin, a photosensitive resin obtained by sensitizing these resins, a thermoplastic resin such as polyether sulfone, a thermoplastic resin, and a thermosetting resin. A composite of a curable resin and a composite of a photosensitive resin and a thermoplastic resin can be used.

【0022】また、層間絶縁剤は、無電解めっき用接着
剤が望ましい。無電解めっき用接着剤としては、酸ある
いは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に酸あるい
は酸化剤に可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子が分
散されてなるものが最適である。これは、酸あるいは酸
化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子を粗化して除去すること
により、表面に蛸壷状のアンカーを形成でき、導体回路
との密着性を改善できるからである。
The interlayer insulating agent is preferably an adhesive for electroless plating. As the adhesive for electroless plating, an adhesive obtained by dispersing cured heat-resistant resin particles soluble in an acid or an oxidizing agent in an uncured heat-resistant resin hardly soluble in an acid or an oxidizing agent is most suitable. . This is because by roughening and removing the heat-resistant resin particles soluble in an acid or an oxidizing agent, an octopus-shaped anchor can be formed on the surface and the adhesion to the conductor circuit can be improved.

【0023】酸あるいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂と
しては、感光化した熱硬化性樹脂や感光化した熱硬化性
樹脂と熱可塑性樹脂の複合体が望ましい。感光化するこ
とにより、露光、現像により、バイアホールを容易に形
成できるからである。また、熱可塑性樹脂と複合化する
ことにより靭性を向上させることができ、導体回路のピ
ール強度の向上、ヒートサイクルによるバイアホール部
分のクラック発生を防止できる。
As the heat-resistant resin hardly soluble in an acid or an oxidizing agent, a photosensitive thermosetting resin or a composite of a photosensitive thermosetting resin and a thermoplastic resin is preferable. By sensitizing, via holes can be easily formed by exposure and development. Further, by forming a composite with a thermoplastic resin, the toughness can be improved, the peel strength of the conductor circuit can be improved, and the occurrence of cracks in the via hole due to the heat cycle can be prevented.

【0024】具体的には、エポキシ樹脂をアクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシアクリレートや
エポキシアクリレートとポリエーテルスルホンとの複合
体がよい。エポキシアクリレートは、全エポキシ基の2
0〜80%がアクリル酸やメタクリル酸などと反応した
ものが望ましい。
Specifically, epoxy acrylate obtained by reacting an epoxy resin with acrylic acid or methacrylic acid, or a composite of epoxy acrylate and polyether sulfone is preferred. Epoxy acrylate has two of all epoxy groups.
It is desirable that 0 to 80% react with acrylic acid or methacrylic acid.

【0025】また耐熱性樹脂粒子としては、エポキシ樹
脂、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン
樹脂)などがよい。
As the heat resistant resin particles, epoxy resin, amino resin (melamine resin, urea resin, guanamine resin) and the like are preferable.

【0026】本願発明で使用される酸は、リン酸、塩
酸、硫酸、又は蟻酸、酢酸などの有機酸があるが、特に
有機酸が望ましい。これは、粗化処理した場合に、バイ
アホールから露出する金属導体層を腐食させにくいから
である。
The acid used in the present invention includes phosphoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, and organic acids such as formic acid and acetic acid, and organic acids are particularly preferable. This is because, when the roughening treatment is performed, the metal conductor layer exposed from the via hole is hardly corroded.

【0027】また、酸化剤は、クロム酸、過マンガン酸
塩(過マンガン酸カリウムなど)、が望ましい。特に、
アミノ樹脂を溶解除去する場合は、酸と酸化剤で交互に
粗化処理することが望ましい。なお、層間絶縁材層は、
1回の塗布で形成される必要はなく、複数回塗布するこ
とにより形成してもよい。
The oxidizing agent is preferably chromic acid or permanganate (such as potassium permanganate). In particular,
When dissolving and removing the amino resin, it is desirable to carry out roughening treatment alternately with an acid and an oxidizing agent. In addition, the interlayer insulating material layer
It does not need to be formed by one application, but may be formed by applying a plurality of times.

【0028】(b)層間樹脂絶縁材層38を乾燥する。
その後、図2(F)及び位置合わせを表す図5(A)に
示すように、フォトマスクフィルム60を基板120に
形成された基準マーク100に位置合わせする。該フォ
トマスクフィルム60には、バイアホール形成用の円パ
ターン61a、位置決めマーク61b、およびめっきレ
ジストとの位置決めマークを形成するためのリング状パ
ターン61cが描画されている。ここでは、図5(A)
に示すように下方から光を照射し、この透過光を用いて
CCDカメラ200で基準マーク100のシルエットを
認識し、このシルエットの円内に位置決めマーク61b
の黒円が入るようにフォトマスク60又は基板20の位
置を移動させながら調整するのである。ここで、フォト
マスクフィルム60は樹脂製でもよく、ガラス製でもよ
い。
(B) The interlayer resin insulating material layer 38 is dried.
Then, as shown in FIG. 2F and FIG. 5A showing the alignment, the photomask film 60 is aligned with the reference mark 100 formed on the substrate 120. On the photomask film 60, a circular pattern 61a for forming a via hole, a positioning mark 61b, and a ring-shaped pattern 61c for forming a positioning mark with a plating resist are drawn. Here, FIG.
Light is irradiated from below as shown in FIG. 4 and the silhouette of the reference mark 100 is recognized by the CCD camera 200 using the transmitted light, and the positioning mark 61b is placed in the circle of the silhouette.
The adjustment is made while moving the position of the photomask 60 or the substrate 20 so that the black circle of the above is included. Here, the photomask film 60 may be made of resin or glass.

【0029】次に露光、現像処理してバイアホール形成
用の開口36、リング状の凹部64を設ける(図2
(G)参照)。基板20に形成されたバイアホール形成
用の開口36、リング状の凹部64を図5(B)に示
す。この行程では、該フォトマスクフィルム60を密着
させた状態で、超高圧水銀灯により500mJ/cm2
で露光する。これをDMDG溶液でスプレー現像し、さ
らに、当該基板を超高圧水銀灯により3000mJ/c
2 で露光し、100℃で1時間、その後150℃で5
時間の加熱処理(ポストベーク)をすることにより、フ
ォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた開口3
6、リング状の凹部64を有する厚さ35μmの層間樹
脂絶縁層38を形成する。
Next, exposure and development are performed to provide an opening 36 for forming a via hole and a ring-shaped recess 64 (FIG. 2).
(G)). An opening 36 for forming a via hole and a ring-shaped recess 64 formed in the substrate 20 are shown in FIG. In this step, with the photomask film 60 in close contact with it, 500 mJ / cm 2 by an ultra-high pressure mercury lamp.
Exposure. This is spray-developed with a DMDG solution, and the substrate is further subjected to 3000 mJ / c with an ultra-high pressure mercury lamp.
exposed with m 2, 1 hour at 100 ° C., thereafter 0.99 ° C. 5
By performing heat treatment (post-bake) for a long time, the opening 3 having excellent dimensional accuracy equivalent to a photomask film
6. An interlayer resin insulating layer 38 having a thickness of 35 μm and having a ring-shaped recess 64 is formed.

【0030】ついで層間樹脂絶縁層38の表面を粗化し
た後(図2(H)参照)、触媒核を付与する。触媒核
は、貴金属イオンやコロイドなどが望ましく、一般的に
は、塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。
触媒核を固定するために加熱処理を行うことが望まし
い。触媒核はパラジウムがよい。
Next, after the surface of the interlayer resin insulation layer 38 is roughened (see FIG. 2H), a catalyst nucleus is provided. The catalyst nucleus is preferably a noble metal ion or a colloid, and generally uses palladium chloride or a palladium colloid.
It is desirable to perform a heat treatment to fix the catalyst core. The catalyst core is preferably palladium.

【0031】(c)触媒核を付与した後、無電解銅めっ
きを行い、層間樹脂絶縁層の表面全体に無電解銅めっき
膜40を形成する(図3(I)参照)。このめっきによ
りリング伏の凹部64の内部にもめっき膜が形成され
て、位置決めマーク66となる。
(C) After providing the catalyst core, electroless copper plating is performed to form an electroless copper plating film 40 on the entire surface of the interlayer resin insulating layer (see FIG. 3 (I)). By this plating, a plating film is also formed inside the concave portion 64 of the ring recess, and serves as a positioning mark 66.

【0032】(d)めっきレジストを形成するための感
光性樹脂製のドライフィルム41を熱圧着する(図3
(J)参照)、位置決めマーク66部分を拡大して図7
(A)に示す。ドライフィルムは、市販品を使用しても
よく、あるいは、エポキシ樹脂をアクリル酸やメタクリ
ル酸などと反応させたエポキシアクリレートとイミダゾ
ール硬化剤からなる組成物を使用できる。
(D) A dry film 41 made of a photosensitive resin for forming a plating resist is thermocompression-bonded (FIG. 3).
(See (J)), the positioning mark 66 is enlarged and shown in FIG.
It is shown in (A). As the dry film, a commercially available product may be used, or a composition comprising an epoxy acrylate obtained by reacting an epoxy resin with acrylic acid or methacrylic acid and an imidazole curing agent may be used.

【0033】エポキシ樹脂としては、ノボラック型エポ
キシ樹脂がよく、クレゾールノボラック型、フェノール
ノボラック型のエポキシ樹脂の使用が可能である。図7
(A)に示すように、本実施態様では、ドライフィルム
41を熱圧着しても、位置決めマーク66の凹部64の
幅Wを小さくしてあるため、ドライフィルム41が溶融
して凹部64に入り込まない。
As the epoxy resin, a novolak type epoxy resin is preferable, and a cresol novolak type or a phenol novolak type epoxy resin can be used. FIG.
As shown in (A), in this embodiment, even if the dry film 41 is thermocompression-bonded, the width W of the concave portion 64 of the positioning mark 66 is reduced, so that the dry film 41 is melted and enters the concave portion 64. Absent.

【0034】(e)フォトマスクフィルム70をドライ
フィルム41上に位置決めして載置する(図3(K)参
照)。該フォトマスクフィルム70には、導体パターン
71aおよびドライフィルム41側への位置決めマーク
である黒円71bが描画されている。フォトマスクフィ
ルム70と基板20との位置合わせは具体的には次のよ
うに行われる。
(E) The photomask film 70 is positioned and placed on the dry film 41 (see FIG. 3K). On the photomask film 70, a conductor pattern 71a and a black circle 71b as a positioning mark for the dry film 41 side are drawn. The alignment between the photomask film 70 and the substrate 20 is specifically performed as follows.

【0035】図7(B)は、該フォトマスクフィルム7
0の基板20への位置合わせを示す説明図であり、図6
は、CCDカメラ200にて撮像した画像を示してい
る。ここでは、ドライフィルム41が接触する無電解銅
めっき膜40の反射量とドライフィルム41が接触して
いない位置決めマーク66の無電解銅めっき膜40の反
射量の相違をCCDカメラ200により読み取り、位置
決めマーク66をリング状のマ−クとして認識する。該
位置決めマーク66をCCDカメラで撮影した画像を図
6(A)に示す。図中からも分かるように位置決めマー
ク66のリング部が光を強く反射するため、該リングの
輪郭を明瞭に識別できる。なお、図10(B)を参照し
て上述した単純な凹部の場合は、先に述べたようにドラ
イフィルムの樹脂が入り込み、位置決めマークとしては
っきり認識できない。
FIG. 7B shows the photomask film 7.
FIG. 6 is an explanatory view showing the alignment of the “0” with the substrate 20;
Indicates an image captured by the CCD camera 200. Here, the difference between the reflection amount of the electroless copper plating film 40 in contact with the dry film 41 and the reflection amount of the electroless copper plating film 40 in the positioning mark 66 not in contact with the dry film 41 is read by the CCD camera 200 and positioned. The mark 66 is recognized as a ring-shaped mark. FIG. 6A shows an image of the positioning mark 66 taken by a CCD camera. As can be seen from the figure, since the ring portion of the positioning mark 66 reflects light strongly, the contour of the ring can be clearly identified. In the case of the simple concave portion described above with reference to FIG. 10B, the resin of the dry film enters as described above and cannot be clearly recognized as the positioning mark.

【0036】該位置決めマーク66とフォトマスクフィ
ルム70側の黒円71bとを重ねてCCDカメラ200
で撮影した画像を図6(E)に示す。画像処理技術によ
り、フォトマスクフィルム70側の黒円71bの中心と
リングとして認識される位置決めマーク66の中心の位
置座標を求め、両中心が合うようにドライフィルム70
あるいは基板20を移動させて調整し、ドライフィルム
41上にフォトマスクフィルム70を載置する。位置決
めマーク66は、リングとして認識されるのであり、リ
ングの幅W(図7(A)参照)を小さくしてもマークの
大きさ自体を小さくすることにはならないため、通常の
画像処理技術に伴う量子化の誤差影響を少なくし、位置
決め精度を低下させることがない。
The positioning mark 66 and the black circle 71b on the photomask film 70 side are overlapped and the CCD camera 200
FIG. 6 (E) shows an image photographed by. The position coordinates of the center of the black circle 71b on the photomask film 70 side and the center of the positioning mark 66 recognized as a ring are determined by image processing technology, and the dry film 70 is positioned so that both centers are aligned.
Alternatively, the substrate 20 is moved and adjusted, and the photomask film 70 is placed on the dry film 41. The positioning mark 66 is recognized as a ring, and reducing the width W of the ring (see FIG. 7A) does not reduce the size of the mark itself. The influence of the accompanying quantization error is reduced, and the positioning accuracy is not reduced.

【0037】以下CCDカメラ200による読み取り、
画像処理技術について更に詳細に説明する。基板20に
光源202から光を照射すると、ドライフィルム41が
接触する無電解銅めっき膜40の表面で光が反射する。
また、ドライフィルム41が接触していない位置決めマ
ーク66の無電解銅めっき膜40でも光は反射するが、
位置決めマーク66は、凹部となっており、図7(B)
に示すように凹部の真上から入射してきた光だけでな
く、斜めから入射した光も凹部64の壁面で反射し、こ
の反射光が再び底面で反射して、真上から入射してきた
光とともに加算されて出射する。このため、ドライフィ
ルム41が接触する無電解銅めっき膜40(凹部64の
外部)での反射に比べてカメラに入射する反射量が多い
のである。この反射量の差を利用して図6に示すように
位置決めマーク66を認識するのである。
Hereinafter, reading by the CCD camera 200,
The image processing technique will be described in more detail. When the substrate 20 is irradiated with light from the light source 202, the light is reflected on the surface of the electroless copper plating film 40 with which the dry film 41 contacts.
Further, although light is reflected by the electroless copper plating film 40 of the positioning mark 66 where the dry film 41 is not in contact,
The positioning mark 66 is a recess, and is shown in FIG.
As shown in FIG. 5, not only the light incident from directly above the concave portion but also the light incident obliquely is reflected on the wall surface of the concave portion 64, and this reflected light is reflected again on the bottom surface, and together with the light incident from directly above. It is added and emitted. For this reason, the amount of reflection incident on the camera is larger than the reflection on the electroless copper plating film 40 (outside the concave portion 64) where the dry film 41 contacts. Utilizing this difference in the amount of reflection, the positioning mark 66 is recognized as shown in FIG.

【0038】位置決めマーク66を認識すると、その中
心点の位置座標を演算する。次に黒円71bの中心点の
位置座標を演算し、両者のずれ量を演算する、ずれ量か
ら基板またはフォトマスクフィルム70の駆動データを
発生させ、この駆動データに従い、基板20またはフォ
トマスクフィルム70を移動させて位置合わせし、両者
を密着させる。
When the positioning mark 66 is recognized, the position coordinates of the center point are calculated. Next, the position coordinates of the center point of the black circle 71b are calculated, and the shift amount between the two is calculated. Drive data for the substrate or the photomask film 70 is generated from the shift amount, and the substrate 20 or the photomask film is calculated in accordance with the drive data. 70 is moved and aligned, and both are brought into close contact with each other.

【0039】なお、本願発明で使用されるフォトマスク
フィルム70としては、ポリエチレンテレフタレートの
ような樹脂性でもよく、ガラス製でもよい。ついで、紫
外線露光する。さらにアルカリ性水溶液で現像処理し、
めっきレジスト42を形成する(図4(L)参照)。
The photomask film 70 used in the present invention may be made of resin such as polyethylene terephthalate, or may be made of glass. Next, ultraviolet exposure is performed. Further develop with alkaline aqueous solution,
A plating resist 42 is formed (see FIG. 4L).

【0040】(f)めっきレジスト42が形成されてい
ない部分に電解銅めっきを施し、厚付けとして電解銅め
っき膜44を設ける(図4(M)参照)。その後、めっ
きレジスト42を除去した後、めっきレジスト42の下
に存在する無電解めっき銅膜40をエッチング液で溶解
除去することで、導体回路46及びバイアホール47を
完成する(図4(N)参照)。なお、エッチング液とし
ては、硫酸−過酸化水素水、過硫酸塩水溶液、塩化第二
鉄、塩化第二銅の水溶液がよい。さらに、上述した行程
を繰り返し配線層をビルトアップすることにより多層プ
リント配線板を完成する。
(F) Electrolytic copper plating is applied to portions where the plating resist 42 is not formed, and an electrolytic copper plating film 44 is provided as a thick layer (see FIG. 4 (M)). Then, after removing the plating resist 42, the electroless plated copper film 40 under the plating resist 42 is dissolved and removed with an etchant, thereby completing the conductor circuit 46 and the via hole 47 (FIG. 4 (N)). reference). As the etchant, an aqueous solution of sulfuric acid-hydrogen peroxide, an aqueous solution of persulfate, an aqueous solution of ferric chloride and cupric chloride is preferable. Further, the above steps are repeated to build up a wiring layer, thereby completing a multilayer printed wiring board.

【0041】ここで、更に、該位置決めマーク66の大
きさについて、図6を参照して説明する。図6(A)
は、位置決めマーク66の外径を2φ(2mm)、リング
幅を150μに形成した際のCCDカメラ画像を示して
いる。また、図6(B)は、外径を2φ、リング幅を3
00μに形成した際の、図6(C)は、外径を2φ、リ
ング幅を500μに形成した際の、図6(D)は、外径
を2φ、リング幅を700μに形成した際の画像を示し
ている。
Here, the size of the positioning mark 66 will be further described with reference to FIG. FIG. 6 (A)
Shows a CCD camera image when the outer diameter of the positioning mark 66 is 2φ (2 mm) and the ring width is 150 μm. FIG. 6B shows an outer diameter of 2φ and a ring width of 3 mm.
FIG. 6 (C) shows the case where the outer diameter is 2φ and the ring width is 500μ when formed to 00μ, and FIG. 6 (D) shows the case where the outer diameter is formed to 2φ and the ring width is 700μ. An image is shown.

【0042】図6(B)、図6(C)及び図6(D)に
示すように、リング幅が300μよりも大きくなるとリ
ングが二重になる。これは、300μmを超えると、図
10(B)に示した単純な凹部にて位置決めマークを形
成した時と同様にめっきレジストが溶けて、該位置決め
マーク66内へ付着するようになるからである。他方、
リング幅が100μよりも狭いと、幅が小さすぎて読み
取り難くなる。このため、リング幅は、100〜300
μmが望ましい。
As shown in FIGS. 6 (B), 6 (C) and 6 (D), when the ring width exceeds 300 μm, the ring becomes double. This is because when the thickness exceeds 300 μm, the plating resist melts and adheres to the positioning mark 66 in the same manner as when the positioning mark is formed in the simple concave portion shown in FIG. . On the other hand,
If the ring width is smaller than 100 μ, the width is too small to make reading difficult. For this reason, the ring width is 100 to 300
μm is desirable.

【0043】また、リング状凹部の直径は、1〜3mm
がよい。この理由は、小さすぎると位置決め精度が低下
し、3mmを越えると、CCDカメラ倍率、占有面積等
の関係により実用的でなくなる。
The diameter of the ring-shaped recess is 1 to 3 mm.
Is good. The reason for this is that if it is too small, the positioning accuracy decreases, and if it exceeds 3 mm, it becomes impractical due to factors such as the CCD camera magnification and the occupied area.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上のように、本願発明の位置決めマー
クによれば、位置合わせ精度を低下させることなく、感
光性ドライフィルムを熱圧着しても読み取ることがで
き、信頼性の高いセミアディティブ配線板を製造でき
る。
As described above, according to the positioning mark of the present invention, it is possible to read even if the photosensitive dry film is thermocompression-bonded without deteriorating the positioning accuracy and to obtain a highly reliable semi-additive wiring. Can manufacture boards.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の1実施態様に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
FIG. 1 is a manufacturing process diagram of a multilayer printed wiring board according to one embodiment of the present invention.

【図2】本発明の1実施態様に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
FIG. 2 is a manufacturing process diagram of a multilayer printed wiring board according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の1実施態様に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
FIG. 3 is a manufacturing process diagram of a multilayer printed wiring board according to one embodiment of the present invention.

【図4】本発明の1実施態様に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
FIG. 4 is a manufacturing process diagram of the multilayer printed wiring board according to one embodiment of the present invention.

【図5】図5(A)、図5(B)は、フォトマスクフイ
ルムの位置合わせを示す斜視図である。
FIGS. 5A and 5B are perspective views showing alignment of a photomask film. FIGS.

【図6】図6(A)〜図6(E)は、CCDカメラで撮
像した位置決めマークの説明図である。
FIGS. 6A to 6E are explanatory diagrams of positioning marks imaged by a CCD camera.

【図7】図7(A)は、図3(J)中の位置決めマーク
を拡大して示す説明図であり、図7(B)は、CCDカ
メラによる位置決めマークの撮影を示す説明図である。
FIG. 7A is an explanatory view showing a positioning mark in FIG. 3J in an enlarged manner, and FIG. 7B is an explanatory view showing shooting of the positioning mark by a CCD camera. .

【図8】フルアディティブ法によるバイアホールの形成
を示す製造行程図である。
FIG. 8 is a manufacturing process diagram showing formation of via holes by a full additive method.

【図9】セミアディティブ法によるバイアホールの形成
を示す製造行程図である。
FIG. 9 is a manufacturing process diagram showing formation of via holes by a semi-additive method.

【図10】図10(A)は、凹部により形成した位置決
めマークをCCDカメラで撮像する際の説明図であり、
図10(B)は、凹部により形成した位置決めマークの
説明図である。
FIG. 10A is an explanatory diagram when a positioning mark formed by a concave portion is imaged by a CCD camera;
FIG. 10B is an explanatory diagram of a positioning mark formed by a concave portion.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 基板 22 銅箔 24a 導体回路 30 樹脂充填剤 38 層間樹脂絶縁剤 40 無電解めっき膜 41 ドライフィルム 42 めっきレジスト 44 電解めっき膜 47 バイアホール 60 バイアホール開口を形成するためのフォトマスク
フィルム 61a バイアホール形成のための黒円 61b 位置決めマーク形成のためのリング図形 64 位置決めマーク形成のためのリング状凹部 66 位置決めマーク 70 フォトマスクフィルム 71b フォトマスクフィルムに描画された位置決めの
ための黒円 200 CCDカメラ
Reference Signs List 20 substrate 22 copper foil 24a conductive circuit 30 resin filler 38 interlayer resin insulating material 40 electroless plating film 41 dry film 42 plating resist 44 electrolytic plating film 47 via hole 60 photomask film for forming via hole opening 61a via hole Black circle for forming 61b Ring figure for forming positioning mark 64 Ring-shaped recess for forming positioning mark 66 Positioning mark 70 Photomask film 71b Black circle for positioning drawn on photomask film 200 CCD camera

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−354396(JP,A) 特開 平7−142862(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 3/00 - 3/46 G03F 9/00 H05K 1/02 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-4-354396 (JP, A) JP-A-7-142862 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H05K 3/00-3/46 G03F 9/00 H05K 1/02

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 層間樹脂絶縁層にリング状に凹部が形成
され、該層間樹脂絶縁層表面および凹部内にめっき膜を
設けて形成されてなることを特徴とするレジストパター
ン形成のための位置決めマーク。
1. A positioning mark for forming a resist pattern, wherein a concave portion is formed in a ring shape in an interlayer resin insulating layer, and a plating film is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer and in the concave portion. .
【請求項2】 以下の(a)〜(f)の工程を含むこと
を特徴とする多層プリント配線板の製造方法。 (a)基準マークが設けられた基板に層間樹脂絶縁層を
形成する工程。 (b)前記基準マークを利用して層間樹脂絶縁層にバイ
アホール形成用の孔およびリング状の凹部を設ける工
程。 (c)層間樹脂絶縁層の表面、バイアホール形成用の孔
およびリング状の凹部にめっき膜を形成する工程。 (d)感光性ドライフィルムを圧着する工程。 (e)導体パターンおよび黒円が描画されたフォトマス
クフィルムを感光性ドライフィルム上に載置するにあた
り、リング状の凹部内に形成されためっき膜の反射光の
みを位置決めマークとして認識し、このリング状の位置
決めマークにフォトマスクフィルムの黒円を合わせて、
前記フォトマスクフィルムを感光性ドライフィルム上に
載置し、感光性ドライフィルムを露光、現像処理して、
導体パターンを形成するためのめっきレジストパターン
を形成する工程。 (f)電解めっきにより、導体パターンを形成し、つい
でめっきレジストを除去して、めっきレジスト下に存在
するめっき膜を溶解除去する工程。
2. A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising the following steps (a) to (f). (A) a step of forming an interlayer resin insulating layer on a substrate provided with a reference mark; (B) providing a hole for forming a via hole and a ring-shaped recess in the interlayer resin insulating layer using the reference mark; (C) a step of forming a plating film on the surface of the interlayer resin insulating layer, a hole for forming a via hole, and a ring-shaped concave portion; (D) a step of pressing the photosensitive dry film. (E) When placing the photomask film on which the conductor pattern and the black circle are drawn on the photosensitive dry film, only the reflected light of the plating film formed in the ring-shaped recess is recognized as a positioning mark. Align the black circle of the photomask film with the ring-shaped positioning mark,
The photomask film is placed on a photosensitive dry film, and the photosensitive dry film is exposed and developed.
A step of forming a plating resist pattern for forming a conductor pattern; (F) A step of forming a conductor pattern by electrolytic plating, removing the plating resist, and dissolving and removing the plating film present under the plating resist.
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