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JP3328089B2 - Switching device control device and control method - Google Patents
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JP3328089B2 - Switching device control device and control method - Google Patents

Switching device control device and control method

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JP3328089B2 JP539395A JP539395A JP3328089B2 JP 3328089 B2 JP3328089 B2 JP 3328089B2 JP 539395 A JP539395 A JP 539395A JP 539395 A JP539395 A JP 539395A JP 3328089 B2 JP3328089 B2 JP 3328089B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電界放出型冷陰極を有
するスイッチング素子のゲート制御装置および制御方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gate control device and a control method for a switching element having a field emission cold cathode.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、発達したシリコン半導体加工技術
を応用して、電界放出型冷陰極の開発が活発になってき
た。電界放出型冷陰極は、表示装置、高速マイクロ波デ
バイス、電子線素子、パワー素子などのさまざまな応用
分野がある。
2. Description of the Related Art In recent years, field emission cold cathodes have been actively developed by applying advanced silicon semiconductor processing techniques. Field emission cold cathodes have various application fields such as display devices, high-speed microwave devices, electron beam devices, and power devices.

【0003】電界放出型冷陰極のパワー素子への応用の
一つとして、三極管と同様の構成になる真空マイクロス
イッチング素子が考えられている。この素子は高電圧の
素子であるために現状一個の耐圧が数KVであるサイリ
スタやGTOを数十個直列接続して得られる高電圧スイ
ッチング素子をこの素子では一個で製作可能になる。よ
って高電圧の直流送電などに用いられる変換器などのス
イッチング素子としてはたいへん適している。
As one application of the field emission type cold cathode to a power device, a vacuum microswitching device having a configuration similar to a triode has been considered. Since this element is a high-voltage element, a high-voltage switching element obtained by connecting tens of thyristors or GTOs each having a withstand voltage of several KV in series at present can be manufactured with one element. Therefore, it is very suitable as a switching element such as a converter used for high-voltage DC power transmission.

【0004】図3に真空マイクロスイッチング素子の概
略図を示す。図3において、真空マイクロスイッチング
素子1は、アノード電極2と、エミッタ電極3とゲート
電極4とを有している。
FIG. 3 is a schematic view of a vacuum microswitching device. In FIG. 3, the vacuum microswitching element 1 has an anode electrode 2, an emitter electrode 3, and a gate electrode 4.

【0005】ゲート電源5は、ゲートパルス発生器6の
電源として、ゲートパルス発生器6にゲートパルスを発
生させる。スイッチング素子には、主回路電源7と主回
路負荷8a,8bが接続されている。
[0005] The gate power supply 5 causes the gate pulse generator 6 to generate a gate pulse as a power supply for the gate pulse generator 6. The main circuit power supply 7 and main circuit loads 8a and 8b are connected to the switching elements.

【0006】次にこのスイッチング素子の動作原理を説
明する。ゲート電極4にエミッタ電極3に対して数Vの
正の電圧を印加することによって、非常に高い電界がエ
ミッタ電極円錐部の頂点において発生する。この高電界
によって、エミッタ電極円錐部頂点では、トンネル効果
で電子が引き出され、エミッタ電極3から放出された電
子がアノード電極2に到達することで主回路負荷8a,
8bに流す電流を制御できる。また、主回路負荷8a,
8bに流れる電流の量は前述の電子の量によって制御さ
れ、電子の量はゲート電極4の電位によって制御されて
いる。
Next, the operation principle of the switching element will be described. By applying a positive voltage of a few volts to the gate electrode 4 with respect to the emitter electrode 3, a very high electric field is generated at the apex of the emitter electrode cone. Due to this high electric field, electrons are extracted at the apex of the conical portion of the emitter electrode by a tunnel effect, and the electrons emitted from the emitter electrode 3 reach the anode electrode 2 so that the main circuit load 8a,
8b can be controlled. The main circuit loads 8a,
The amount of current flowing through 8 b is controlled by the amount of electrons described above, and the amount of electrons is controlled by the potential of the gate electrode 4.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記スイッチ
ング素子において、エミッタ電極から放出された電子が
アノード電極に到達するためには、ゲート電位がアノー
ド電位より低くなければならない。
However, in the above switching element, in order for the electrons emitted from the emitter electrode to reach the anode electrode, the gate potential must be lower than the anode potential.

【0008】なぜならゲート電位がアノード電位より高
ければエミッタ電極から放出された電子はアノード電極
に向かわずゲート電極に到達してしまい主回路電流が流
れなくなってしまうからである。ところが主回路電源は
変動もするし、主回路負荷も変動するのでアノード電位
は一定せず変動している。ところが従来のゲート制御は
アノード電位を無視してゲート電位を制御していたた
め、ゲート電位がアノード電位より高くなる場合が発生
してエミッタ電極から放出された電子がアノード電極に
向かわずゲート電極に到達して主回路電流が流れなくな
ってしまったり、ゲート電極を破壊してしまうなどの不
具合が発生した。
This is because if the gate potential is higher than the anode potential, electrons emitted from the emitter electrode do not go to the anode electrode but reach the gate electrode, so that the main circuit current stops flowing. However, the main circuit power supply fluctuates and the main circuit load also fluctuates, so that the anode potential fluctuates without being constant. However, conventional gate control ignores the anode potential and controls the gate potential, so that the gate potential may be higher than the anode potential, and electrons emitted from the emitter electrode reach the gate electrode without going to the anode electrode. As a result, problems such as the main circuit current not flowing or the gate electrode being destroyed occurred.

【0009】よって、本発明では、電界放出型冷陰極を
用いたスイッチング素子において、エミッタ電極から放
出された電子が確実にアノード電極に到達するようなス
イッチング素子のゲート制御装置および制御方法を提供
することを目的とする。
Therefore, the present invention provides a gate control device and a control method for a switching element using a field emission type cold cathode in which electrons emitted from an emitter electrode surely reach an anode electrode. The purpose is to:

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の請求項1に係るスイッチング素子の制御装置
では、電子を放出する第1の電極と、第1の電極に電子
の放出を促す第2の電極と、第1の電極の放出した電子
を捕獲する第3の電極とを有する電界放出型冷陰極を用
いたスイッチング素子の制御装置において、上記第2の
電極と前記第3の電極との電位とを比較する比較手段
と、この比較手段の出力が上記第3の電極が上記第2の
電極よりも高電位であるときに上記第2の電極に駆動信
号を与える駆動信号発生手段とを有したことを特徴とす
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a switching device control apparatus for controlling a switching element, comprising: a first electrode for emitting electrons; and a first electrode for emitting electrons to the first electrode. In a switching device control device using a field emission type cold cathode having a second electrode for promoting and a third electrode for capturing electrons emitted from the first electrode, the second electrode and the third electrode Comparing means for comparing the potential with the electrode; and generating a drive signal for providing a drive signal to the second electrode when the output of the comparing means is higher than the potential of the third electrode. Means.

【0011】本発明の請求項2に係るスイッチング素子
の制御装置では、電子を放出する第1の電極と、第1の
電極に電子の放出を促す第2の電極と、第1の電極の放
出した電子を捕獲する第3の電極とを有する電界放出型
冷陰極を用いたスイッチング素子の制御装置において、
上記第3の電極の電位を測定する測定手段と、この測定
手段の出力に応じて上記第3の電極の電位よりも低い電
位の電圧源となる電圧制御手段と、この電圧制御手段を
電圧源として上記第2の電極に駆動信号を出力する駆動
信号発生手段とを有したことを特徴とする。
In the control device for a switching element according to a second aspect of the present invention, the first electrode for emitting electrons, the second electrode for prompting the first electrode to emit electrons, and the emission of the first electrode. A switching device control device using a field emission cold cathode having a third electrode for capturing the captured electrons,
Measuring means for measuring the potential of the third electrode, voltage control means serving as a voltage source having a potential lower than the potential of the third electrode according to the output of the measuring means, and a voltage source And a drive signal generating means for outputting a drive signal to the second electrode.

【0012】[0012]

【0013】[0013]

【0014】[0014]

【作用】本発明の請求項1記載のスイッチング素子の制
御装置は、第2の電極と第3の電極との電位を比較する
比較手段が第3の電極の電位が第2の電極の電位より高
いと判断すると駆動信号発生手段より第2の電極に駆動
信号を与える。
In the control device for a switching element according to the first aspect of the present invention, the comparing means for comparing the potentials of the second electrode and the third electrode is such that the potential of the third electrode is higher than the potential of the second electrode. When it is determined that the voltage is high, a drive signal is given to the second electrode by the drive signal generation means.

【0015】本発明の請求項2記載のスイッチング素子
の制御装置では、電圧制御手段は第3の電極の電位を測
定する測定手段の出力に応じてそれよりも低い電位の電
圧源となる。駆動信号発生手段は上記電圧制御手段を電
圧源とするため、第2の電極の電位は第3の電極の電位
よりも低くなる。
In the control device for a switching element according to a second aspect of the present invention, the voltage control means is a voltage source having a lower potential according to the output of the measuring means for measuring the potential of the third electrode. Since the drive signal generating means uses the voltage control means as a voltage source, the potential of the second electrode is lower than the potential of the third electrode.

【0016】[0016]

【0017】[0017]

【実施例】本発明の実施例を図面を参照して説明する。
図1は本発明の第1の実施例を示す概略図である。図1
において、真空マイクロスイッチング素子1は、アノー
ド電極2と、エミッタ電極3と、ゲート電極4とを有し
ている。
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of the present invention. FIG.
1, the vacuum microswitching element 1 has an anode electrode 2, an emitter electrode 3, and a gate electrode 4.

【0018】スイッチング素子1には、ゲート電源5を
電圧源としてゲートパルスを発生させるゲートパルス発
生器6と、主回路電源7と、主回路負荷8a,8bとが
接続されている。
The switching element 1 is connected to a gate pulse generator 6 for generating a gate pulse using the gate power supply 5 as a voltage source, a main circuit power supply 7, and main circuit loads 8a and 8b.

【0019】電圧測定器9はアノード電極の電位を測定
し、電圧測定器10はゲート電極の電位を測定する。比較
器11は電圧測定器9と電圧測定器10の測定結果を基に、
電圧測定器9の出力が電圧測定器10の出力より大きいと
きには“1”を出力し、電圧測定器9の出力が電圧測定
器10の出力より小さいときは“0”を出力する。
The voltage measuring device 9 measures the potential of the anode electrode, and the voltage measuring device 10 measures the potential of the gate electrode. The comparator 11 is based on the measurement results of the voltage measurement device 9 and the voltage measurement device 10,
When the output of the voltmeter 9 is greater than the output of the voltmeter 10, “1” is output. When the output of the voltmeter 9 is smaller than the output of the voltmeter 10, “0” is output.

【0020】スイッチ12は、比較器11の出力が“1”の
ときには閉じられ、比較器11の出力が“0”のときには
開かれる。次にこのスイッチング素子の制御動作につい
て説明する。
The switch 12 is closed when the output of the comparator 11 is "1" and is opened when the output of the comparator 11 is "0". Next, the control operation of this switching element will be described.

【0021】電圧測定器9によってアノード電極の電位
が測定され、電圧測定器10によってゲート電極の電位が
測定される。電圧測定器9の出力と電圧測定器10の出力
は比較器11に入力される。比較器11は、電圧測定器9の
出力と電圧測定器10の出力とを比較し、電圧測定器9の
出力が電圧測定器10の出力より大きいとき、すなわちア
ノード電極の電位がゲート電極の電位より高いときには
“1”を出力し、スイッチ12はこの信号を受けて、閉じ
られる。よって、ゲート電極にはゲートパルス発生器6
からのゲートパルスが送られる。
The potential of the anode electrode is measured by the voltmeter 9, and the potential of the gate electrode is measured by the voltmeter 10. The output of the voltage measuring device 9 and the output of the voltage measuring device 10 are input to the comparator 11. The comparator 11 compares the output of the voltage measuring device 9 with the output of the voltage measuring device 10, and when the output of the voltage measuring device 9 is larger than the output of the voltage measuring device 10, that is, when the potential of the anode electrode is equal to the potential of the gate electrode. When it is higher, it outputs "1" and the switch 12 receives this signal and is closed. Therefore, the gate pulse generator 6 is connected to the gate electrode.
Is sent.

【0022】また、比較器11は、電圧測定器9の出力が
電圧測定器10の出力より小さいとき、すなわちアノード
電極の電位がゲート電極の電位より小さいときには
“0”を出力し、スイッチ12はこの信号を受けて開かれ
る。よってゲート電極にはゲートパルス発生器6からの
ゲートパルスは送られない。
When the output of the voltage measuring device 9 is smaller than the output of the voltage measuring device 10, that is, when the potential of the anode electrode is smaller than the potential of the gate electrode, the comparator 11 outputs "0". Opened in response to this signal. Therefore, the gate pulse from the gate pulse generator 6 is not sent to the gate electrode.

【0023】したがって、アノード電極の電位がゲート
電極の電位より低いときには、ゲート電極にゲートパル
スが送られることがなくなり、エミッタ電極から放出さ
れる電子がゲート電極に送られることがなくなる。
Therefore, when the potential of the anode electrode is lower than the potential of the gate electrode, a gate pulse is not sent to the gate electrode, and electrons emitted from the emitter electrode are not sent to the gate electrode.

【0024】図2は本発明の第2の実施例を示す概略図
である。図2において、真空マイクロスイッチング素子
1はアノード電極2と、エミッタ電極3と、ゲート電極
4とを有している。7は主回路電源で、8a,8bは主
回路負荷である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a second embodiment of the present invention. In FIG. 2, the vacuum micro-switching element 1 has an anode electrode 2, an emitter electrode 3, and a gate electrode 4. 7 is a main circuit power supply, and 8a and 8b are main circuit loads.

【0025】電圧測定器9はアノード電極の電位を測定
するもので、増幅ゲート電源13はゲインが1以下の増幅
機能を有するもので、ゲートパルス発生器6は増幅ゲー
ト電源13を電源としてゲートパルスを発生させる。
The voltage measuring device 9 measures the potential of the anode electrode, the amplification gate power supply 13 has an amplification function with a gain of 1 or less, and the gate pulse generator 6 uses the amplification gate power supply 13 as a power supply to supply gate pulses. Generate.

【0026】次にこのスイッチング素子の制御動作につ
いて説明する。まず、電圧測定器9によってアノード電
極の電位が測定され、その出力は増幅ゲート電源13の一
方の入力となり、他方の入力にはエミッタ電極が接続さ
れる。増幅ゲート電源13のゲインは1以下であるので、
ゲートパルス発生器6のゲート電源としてはアノード電
極の電位よりも低い電圧となる。よってゲート電極の電
位はアノード電極の電位より低くなる。
Next, the control operation of the switching element will be described. First, the potential of the anode electrode is measured by the voltage measuring device 9, and its output is one input of the amplification gate power supply 13, and the other input is connected to the emitter electrode. Since the gain of the amplification gate power supply 13 is 1 or less,
The gate power of the gate pulse generator 6 is lower than the potential of the anode electrode. Therefore, the potential of the gate electrode becomes lower than the potential of the anode electrode.

【0027】したがって、ゲート電極の電位は常にアノ
ード電極の電位よりも低くなるため、エミッタ電極から
放出される電子がゲート電極に送られることがなくな
り、確実にアノード電極へ到達する。
Therefore, since the potential of the gate electrode is always lower than the potential of the anode electrode, the electrons emitted from the emitter electrode are not sent to the gate electrode, and reach the anode electrode without fail.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上述べたように、本発明の請求項1に
係るスイッチング素子の制御装置では、第3の電極の電
位が第2の電極の電位よりも高いときに限り第2の電極
に駆動信号を与えるため、第3の電極に電位が第2の電
極の電位より低いときには第2の電極に駆動信号が与え
られることがなくなり、第1の電極から放出される電子
が第2の電極に送られることがなくなるので、確実に第
1の電極から放出される電子が第3の電極へ到達する。
As described above, in the switching device control device according to the first aspect of the present invention, the second electrode is connected to the second electrode only when the potential of the third electrode is higher than the potential of the second electrode. Since the driving signal is supplied, when the potential of the third electrode is lower than the potential of the second electrode, the driving signal is not supplied to the second electrode, and electrons emitted from the first electrode are discharged from the second electrode. Is not sent to the third electrode, so that the electrons emitted from the first electrode surely reach the third electrode.

【0029】本発明の請求項2に係るスイッチング素子
の制御装置では、第2の電極の電位が第3の電極の電位
よりも低くなるように第2の電極の電位を制御するた
め、第1の電極から放出される電子が第2の電極に送ら
れることがなくなるので、確実に第1の電極から放出さ
れる電子が第3の電極へ到達する。
In the control device for a switching element according to a second aspect of the present invention, the potential of the second electrode is controlled so that the potential of the second electrode is lower than the potential of the third electrode. Since the electrons emitted from the first electrode are not sent to the second electrode, the electrons emitted from the first electrode reliably reach the third electrode.

【0030】[0030]

【0031】[0031]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す概略図。FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例を示す概略図。FIG. 2 is a schematic diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図3】従来の真空マイクロスイッチング素子の制御装
置を示す概略図。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a conventional vacuum micro-switching device control device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…真空マイクロスイッチング素子 2…アノード電極 3…エミッタ電極 4…ゲート電極 5…ゲート電源 6…ゲートパルス発生器 9,10…電圧測定器 11…比較器 12…スイッチ 13…増幅ゲート電源 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum micro switching element 2 ... Anode electrode 3 ... Emitter electrode 4 ... Gate electrode 5 ... Gate power supply 6 ... Gate pulse generator 9,10 ... Voltage measuring instrument 11 ... Comparator 12 ... Switch 13 ... Amplification gate power supply

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 1/304 H01J 19/00 - 21/36 JICSTファイル(JOIS)────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01J 1/304 H01J 19/00-21/36 JICST file (JOIS)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 電子を放出する第1の電極と、第1の電
極に電子の放出を促す第2の電極と、第1の電極の放出
した電子を捕獲する第3の電極とを有する電界放出型冷
陰極を用いたスイッチング素子の制御装置において、前
記第2の電極と前記第3の電極との電位とを比較する比
較手段と、この比較手段の出力が前記第3の電極が前記
第2の電極よりも高電位であるときに前記第2の電極に
駆動信号を与える駆動信号発生手段とを具備したことを
特徴とするスイッチング素子の制御装置。
1. An electric field having a first electrode for emitting electrons, a second electrode for promoting emission of electrons to the first electrode, and a third electrode for capturing electrons emitted from the first electrode. In a control device for a switching element using an emission type cold cathode, comparing means for comparing the potential of the second electrode with the potential of the third electrode, and the output of the comparing means is such that the third electrode is connected to the third electrode. A driving signal generating means for supplying a driving signal to the second electrode when the potential is higher than that of the second electrode.
【請求項2】 電子を放出する第1の電極と、第1の電
極に電子の放出を促す第2の電極と、第1の電極の放出
した電子を捕獲する第3の電極とを有する電界放出型冷
陰極を用いたスイッチング素子の制御装置において、前
記第3の電極の電位を測定する測定手段と、この測定手
段の出力に応じて前記第3の電極の電位よりも低い電位
の電圧源となる電圧制御手段と、この電圧制御手段を電
圧源として前記第2の電極に駆動信号を出力する駆動信
号発生手段とを具備したことを特徴とするスイッチング
素子の制御装置。
2. An electric field having a first electrode for emitting electrons, a second electrode for prompting the first electrode to emit electrons, and a third electrode for capturing electrons emitted by the first electrode. In a control device for a switching element using an emission type cold cathode, a measuring means for measuring the potential of the third electrode, and a voltage source having a potential lower than the potential of the third electrode in accordance with an output of the measuring means And a drive signal generating means for outputting a drive signal to the second electrode using the voltage control means as a voltage source.
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