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JP3328375B2 - Heat treatment equipment - Google Patents
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JP3328375B2 - Heat treatment equipment - Google Patents

Heat treatment equipment

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JP3328375B2
JP3328375B2 JP15116193A JP15116193A JP3328375B2 JP 3328375 B2 JP3328375 B2 JP 3328375B2 JP 15116193 A JP15116193 A JP 15116193A JP 15116193 A JP15116193 A JP 15116193A JP 3328375 B2 JP3328375 B2 JP 3328375B2
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heat treatment
air layer
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treatment apparatus
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孝志 原
健 米沢
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板や液晶用又
はフォトマスク用ガラス基板等の薄板状基板(以下、単
に「基板」という。)を加熱または冷却などの熱処理を
するための熱処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus for performing heat treatment such as heating or cooling of a thin substrate (hereinafter simply referred to as "substrate") such as a semiconductor substrate or a glass substrate for liquid crystal or photomask. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、液晶基板製造におけるフォトリ
ソグラフィー工程においては、ガラス基板表面に塗布さ
れたレジストを乾燥するため、当該基板をホットプレー
トなどの発熱体を備えた加熱装置上に載置して加熱し、
高温で熱処理する工程が含まれる。この際、基板を加熱
装置の発熱体に直接接触させて載置すると、低温の基板
に急激な温度変化を加えることになって基板を傷める可
能性があり、さらに、吸着法などにより当該基板を前記
発熱体に密着させる場合には当該吸引孔の部分の温度分
布が異なるため、レジストに跡が残るという問題があ
る。また、基板を搬送装置などにより前記発熱体から離
間させる際に、当該基板に剥離帯電が生じて、基板に形
成された回路などが破損されるおそれがある。このよう
な問題を解消するため、当該発熱体から所定間隔をおい
て基板を保持し、発熱体と基板との間に形成された空気
層を介して当該基板を間接的に加熱するプロキシミティ
方式の熱処理装置が公知である。
2. Description of the Related Art For example, in a photolithography process in the manufacture of a liquid crystal substrate, in order to dry a resist applied to the surface of a glass substrate, the substrate is placed on a heating device having a heating element such as a hot plate. Heating,
A step of heat treatment at a high temperature is included. At this time, if the substrate is placed in direct contact with the heating element of the heating device, a sudden temperature change may be applied to the low-temperature substrate, which may damage the substrate. In the case of close contact with the heating element, there is a problem that a trace remains on the resist because the temperature distribution of the suction hole portion is different. Further, when the substrate is separated from the heating element by a transfer device or the like, the substrate may be separated and charged, and a circuit or the like formed on the substrate may be damaged. In order to solve such a problem, a proximity method in which a substrate is held at a predetermined distance from the heating element and the substrate is indirectly heated via an air layer formed between the heating element and the substrate. Is known.

【0003】図14は、従来のプロキシミティ方式の熱
処理装置の要部である加熱装置部分の縦断面図であり、
図15は、当該加熱装置の斜視図である。
FIG. 14 is a longitudinal sectional view of a heating device which is a main portion of a conventional proximity type heat treatment device.
FIG. 15 is a perspective view of the heating device.

【0004】図14に示すように加熱装置100は、ア
ルミなどの金属で形成された発熱プレート(載置台)1
01と押え板102とによって面発熱ヒータ103を挟
み込むようにして形成される。発熱プレート101に
は、その上面101bに対して垂直な方向に貫通穴10
1aが複数穿設されており、プロキシミティピン104
は、その軸部104aを前記貫通穴101aにそれぞれ
挿入し、図15に示すように当該発熱プレート101の
上面101bに基板Wの外形より若干小さい矩形状に配
列されて保持される。基板Wは、その外周部の下面を上
記プロキシミティピン104の頭部104bに当接する
ようにして載置される。
As shown in FIG. 14, a heating device 100 includes a heat generating plate (mounting table) 1 made of metal such as aluminum.
01 and the holding plate 102 so as to sandwich the surface heating heater 103. The heat generating plate 101 has a through hole 10 in a direction perpendicular to its upper surface 101b.
1a, a plurality of proximity pins 104 are provided.
Are inserted into the through-holes 101a, and are arranged and held on the upper surface 101b of the heat generating plate 101 in a rectangular shape slightly smaller than the outer shape of the substrate W as shown in FIG. The substrate W is placed so that the lower surface of the outer peripheral portion abuts on the head 104b of the proximity pin 104.

【0005】基板Wを加熱装置100により均一に加熱
するためには、当該基板Wが発熱プレート101の上面
101bに対して平行に保持される必要があり、プロキ
シミティピン104の頭部104bの高さdは全て等し
くされる。当該高さdは、例えば1mm程度に設定され
る。
In order to uniformly heat the substrate W by the heating device 100, the substrate W needs to be held in parallel with the upper surface 101 b of the heat generating plate 101, and the height of the head 104 b of the proximity pin 104 is high. D are all equal. The height d is set to, for example, about 1 mm.

【0006】基板のプロキシミティピン104の頭部1
04bが接触する部分は、その温度分布が他の部分と異
なるため、熱処理後のレジスト膜厚が変動するおそれが
ある。そこで、当該プロキシミティピン104による基
板支持の位置は、できるだけ基板Wの端に設定される方
が望ましい。通常、基板Wの非有効エリア、すなわち、
基板Wの端部からの距離kが、7〜10mmまでの位置
でプロキシミティピン104によって支持するようにし
ている。
The head 1 of the proximity pin 104 of the substrate
Since the temperature distribution of the portion in contact with the portion 04b is different from that of other portions, the resist film thickness after the heat treatment may vary. Therefore, it is desirable that the position of the substrate supported by the proximity pin 104 be set to an end of the substrate W as much as possible. Usually, the non-effective area of the substrate W, ie,
The proximity pin 104 supports the substrate W at a distance k from the end of the substrate W of 7 to 10 mm.

【0007】加熱装置100の面発熱ヒータ103に図
示しない電力供給装置から電力を供給すると、面発熱ヒ
ータ103が発熱して発熱プレート101が加熱され
る。図示しない搬送装置により基板Wがプロキシミティ
ピン104上に載置されると、当該基板W下面と発熱プ
レート101上面との間に空気層Sが形成され、当該空
気層Sを介して発熱プレート101からの輻射熱によ
り、基板Wが加熱される。
When power is supplied from a power supply device (not shown) to the surface heating heater 103 of the heating device 100, the surface heating heater 103 generates heat and the heating plate 101 is heated. When the substrate W is mounted on the proximity pins 104 by a transport device (not shown), an air layer S is formed between the lower surface of the substrate W and the upper surface of the heat generating plate 101, and the heat generating plate 101 is interposed via the air layer S. The substrate W is heated by the radiant heat from the substrate.

【0008】なお、発熱プレート101に貫通穴101
aを設けてプロキシミティピン104を取り付ける代わ
りに、例えば実開昭63−193833号公報に開示さ
れているように発熱プレート101の上面101bに複
数の小さな凹部を設けて、当該凹部に所定半径のボール
を嵌挿し、当該ボールの上に基板Wを載置して空気層S
を形成する方法もある。
The heat generating plate 101 has a through hole 101.
a, and instead of attaching the proximity pin 104, a plurality of small recesses are provided on the upper surface 101b of the heating plate 101 as disclosed in, for example, Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 63-193833, and a predetermined radius A ball is inserted and the substrate W is placed on the ball, and the air layer S
Is also available.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】加熱装置100は、外
気中に設置される場合はもちろん、ケーシング内部に収
納される場合であっても、当該ケーシングに基板の搬入
・搬送のための出入口が形成されてそこから外気が流入
し、また、その加熱処理の段階で蒸発するレジストの有
機溶媒などの有毒ガスを排気装置により排気するため、
加熱装置100の周囲には、どうしても気流が発生す
る。上述のように従来のプロキシミティ方式の熱処理装
置における基板支持構造にあっては、プロキシミティピ
ンやボール相互の間に沢山の隙間が存在するため、周囲
の気流が空気層S内に入り込み、この部分における温度
分布を乱すとともに、熱効率の低下を来して昇温速度を
劣化させるという問題が生じていた。
The heating apparatus 100 is provided with an inlet / outlet for loading / transporting a substrate in the casing, not only when the heating apparatus is installed in the outside air, but also when the heating apparatus 100 is housed inside the casing. The outside air flows in from there, and in order to exhaust the toxic gas such as the organic solvent of the resist which evaporates at the stage of the heat treatment by the exhaust device,
An airflow is inevitably generated around the heating device 100. As described above, in the substrate support structure in the conventional proximity type heat treatment apparatus, since there are many gaps between the proximity pins and balls, the surrounding air flow enters the air space S, and In addition to disturbing the temperature distribution in the portion, there has been a problem that the thermal efficiency is reduced and the rate of temperature rise is deteriorated.

【0010】このようなことは、上記面発熱ヒータなど
の加熱手段の代わりに冷却手段を付設した冷却装置の場
合においても同様に発生し、温度分布の乱れ、冷却速度
の劣化という問題が生じていた。
[0010] Such a problem also occurs in the case of a cooling device provided with a cooling means instead of a heating means such as the above-mentioned surface heating heater, and there is a problem that the temperature distribution is disturbed and the cooling rate is deteriorated. Was.

【0011】本発明は、上述のような問題を解消して、
プロキシミティ方式の熱処理装置において、気流による
外乱を排し、基板を均一に加熱または冷却するととも
に、昇温速度もしくは冷却速度の劣化を防ぐことができ
る熱処理装置を提供することを目的とする。
The present invention has solved the above-mentioned problems,
In a proximity type heat treatment apparatus, an object is to provide a heat treatment apparatus capable of eliminating disturbance due to an air current, uniformly heating or cooling a substrate, and preventing deterioration of a temperature rising rate or a cooling rate.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の熱処理装置は、基板を載置台に所定の間
隔をおいて載置し、加熱手段または冷却手段により熱処
理する熱処理装置において、前記基板と前記載置台との
間にほぼ密閉状態の空気層が形成されるように、前記基
板の外周部の下面をほぼ全周にわたって保持する基板保
持部と、前記載置台の内部に設けられ、一方端が前記空
気層内に開口し、他方端が排気手段に接続されて、前記
排気手段からの排気によって前記空気層内の気圧を低下
させる排気流路と、前記空気層内において、前記基板と
前記載置台との間隔を規制する間隔規制部材と、を備え
ている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus for mounting a substrate on a mounting table at a predetermined interval and performing heat treatment by a heating means or a cooling means. A substrate holding portion that holds a lower surface of an outer peripheral portion of the substrate over substantially the entire circumference so that an air layer in a substantially sealed state is formed between the substrate and the mounting table, and is provided inside the mounting table. is, one end opened before Symbol air layer, and the other end connected to the exhaust means, said
Air pressure in the air layer is reduced by exhaust from exhaust means
An exhaust flow path to be caused , and the substrate in the air layer.
An interval regulating member that regulates an interval with the mounting table .

【0013】また、請求項2の熱処理装置は、請求項1
の発明に係る熱処理装置において、前記載置台の上面に
は、前記基板の外形より小さな外形の凹部を形成し、前
記凹部の上部外縁に前記基板保持部を形成させている。
[0013] The heat treatment apparatus according to claim 2 is based on claim 1.
In the heat treatment apparatus according to the invention of the above,
Form a recess having an outer shape smaller than the outer shape of the substrate,
The substrate holding portion is formed on the upper outer edge of the concave portion.

【0014】また、請求項3の熱処理装置は、請求項1
の発明に係る熱処理装置において、前記載置台に、基台
と、中央部に前記基板の外形より小さな開口部を有して
前記基台の上面に載置されるスペーサと、を備え、前記
スペーサに前記基板保持部を形成させている。
[0014] The heat treatment apparatus of claim 3 provides the heat treatment apparatus of claim 1.
In the heat treatment apparatus according to the invention,
Having an opening in the center smaller than the outer shape of the substrate
A spacer placed on the upper surface of the base,
The substrate holding portion is formed on a spacer.

【0015】また、請求項4の熱処理装置は、請求項1
の発明に係る熱処理装置において、前記基板保持部を、
前記載置台の上面に形成された連続する突状部としてい
る。
Further, the heat treatment apparatus according to claim 4 is a heat treatment apparatus according to claim 1.
In the heat treatment apparatus according to the invention,
A continuous projection formed on the upper surface of the mounting table
You.

【0016】また、請求項5の熱処理装置は、請求項1
の発明に係る熱処理装置において、前記基板保持部の一
部に切欠を有している。
[0016] The heat treatment apparatus according to claim 5, claim 1
In the heat treatment apparatus according to the present invention, one of the substrate holding portions
The part has a notch.

【0017】なお、本明細書において「熱処理」とは、
加熱処理と冷却処理の両者を含む概念である。
In this specification, the term "heat treatment" refers to
This is a concept that includes both heating processing and cooling processing.

【0018】[0018]

【作用】請求項1の発明によれば、基板と載置台との間
にほぼ密閉状態の空気層が形成されるように、基板の外
周部の下面をほぼ全周にわたって保持する基板保持部
と、載置台の内部に設けられ、一方端が空気層内に開口
し、他方端が排気手段に接続されて、排気手段からの排
気によって空気層内の気圧を低下させる排気流路と、
気層内において基板と載置台との間隔を規制する間隔規
制部材と、を備えているため、外部の気流が混入せず、
外気の影響による昇温速度または冷却速度の低下を防止
できるともに、基板の温度分布を均一化できる。また、
基板の周囲での基板保持部との密着性が向上し、空気層
の気密性が向上して熱効率が向上する。さらに、吸引に
よって基板中央部が反ることが防止され、基板の温度分
布の不均一化が防止される。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a substrate holding section for holding the lower surface of the outer peripheral portion of the substrate over substantially the entire circumference so that an air layer in a substantially sealed state is formed between the substrate and the mounting table. the mounting provided inside the base, one end opens into the air layer, and the other end connected to the exhaust means, the exhaust from the exhaust means
An exhaust passage that reduces the pressure in the air layer with air,
An interval rule that regulates the distance between the substrate and the mounting table in the gas layer
And a control member, so that no external airflow enters,
It is possible to prevent a decrease in the temperature rising rate or the cooling rate due to the influence of the outside air and to make the temperature distribution of the substrate uniform. Also,
Adhesion with the board holding part around the board is improved,
Airtightness is improved, and thermal efficiency is improved. Furthermore, for suction
Therefore, the substrate central portion is prevented from warping, and the substrate temperature
Non-uniformity of the cloth is prevented.

【0019】請求項2の発明によれば、載置台の上面に
は、基板の外形より小さな外形の凹部が形成され、凹部
の上部外縁が基板保持部を形成しているため、当該凹部
内に熱処理のためのほぼ密閉された空気層が形成され
る。
According to the second aspect of the present invention, on the upper surface of the mounting table,
Is formed with a recess having an outer shape smaller than the outer shape of the substrate.
Since the upper outer edge of the substrate forms a substrate holding portion,
An almost closed air layer is formed inside for heat treatment
You.

【0020】請求項3の発明によれば、載置台が、基台
と、中央部に基板の外形より小さな開口部を有して基台
の上面に載置されるスペーサとを備えるとともに、その
スペーサが基板保持部を形成するため、当該スペーサの
開口部が熱処理のためのほぼ密閉された空気層を形成す
る。
According to the third aspect of the present invention, the mounting table is a base.
And a base with an opening smaller than the outer shape of the board in the center
And a spacer placed on the upper surface of the
Since the spacer forms the substrate holding portion, the spacer
Openings form an almost closed air layer for heat treatment
You.

【0021】請求項4の発明によれば、基板保持部が載
置台の上面に形成された連続する突状部であるため、当
該連続する突状部の内側に基板熱処理のためのほぼ密閉
された空気層が形成される。
According to the fourth aspect of the present invention, the substrate holding portion is mounted
Because it is a continuous projection formed on the top surface of the table,
Almost sealed inside the continuous protrusion for heat treatment of the substrate
A formed air layer is formed.

【0022】請求項5の発明によれば、基板保持部の一
部に切欠を有していても、内部の空気層の密閉性が実質
的に確保されておれば、十分その効果を発揮することが
できる。
According to the fifth aspect of the present invention, one of the substrate holding portions is provided.
Even if there is a notch in the part, the airtightness of the internal air layer is substantially
If it is secured, it will be possible to fully demonstrate its effect
it can.

【0023】[0023]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明するが、これにより本発明の技術的範囲が制限さ
れるものではない。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings, but the technical scope of the present invention is not limited thereby.

【0024】図1は、この発明の第1の実施例に係る熱
処理装置の構成を示す概要図であり、図2は、当該熱処
理装置の加熱装置の斜視図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a heat treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view of a heating apparatus of the heat treatment apparatus.

【0025】図1に示すように熱処理装置は、加熱装置
1とこれに電力を供給する電力供給装置6からなる。加
熱装置1は、アルミなどの金属で形成された発熱プレー
ト2と押え板3とにより面発熱ヒータ4を挟み込むよう
にして形成される。発熱プレート2の上面2aには底面
が平坦な凹部5が形成される。この凹部5の深さd1
は、例えば1mm程度であって、凹部5の外形(凹部5
の上縁部5aの形状)は、図2に示すように矩形の基板
Wの外形より一回り小さな矩形を形成しており、基板W
を載置したときに、基板Wの端部から凹部5の上縁部5
aまでの距離k1は,約7mm〜10mmに設定され、
発熱プレート2の上面2aが基板Wの周囲(非有効エリ
ア)のみに接触し、内部の有効エリアには接触しないよ
うになっている。このとき、発熱プレート2の上面2a
の基板Wに接触する部分(凹部5の上縁部分)が基板保
持部を形成する。
As shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus comprises a heating device 1 and a power supply device 6 for supplying power thereto. The heating device 1 is formed such that a surface heating heater 4 is sandwiched between a heating plate 2 and a holding plate 3 formed of a metal such as aluminum. A concave portion 5 having a flat bottom surface is formed on the upper surface 2a of the heat generating plate 2. The depth d1 of the recess 5
Is about 1 mm, for example, and the outer shape of the recess 5 (the recess 5
The shape of the upper edge portion 5a) forms a rectangle slightly smaller than the outer shape of the rectangular substrate W as shown in FIG.
Is placed on the upper edge 5 of the recess 5 from the end of the substrate W.
The distance k1 to a is set to about 7 mm to 10 mm,
The upper surface 2a of the heat generating plate 2 contacts only the periphery (non-effective area) of the substrate W and does not contact the inner effective area. At this time, the upper surface 2a of the heating plate 2
A portion (upper edge portion of the concave portion 5) that contacts the substrate W forms a substrate holding portion.

【0026】このような加熱装置において、電力供給装
置6より面発熱ヒータ4に電力を供給すると、発熱プレ
ート2が加熱され、基板Wの下面と凹部5の底面との間
に形成された空気層Sを介して基板Wが輻射加熱され
る。当初空気層Sの温度は発熱プレート2よりも低い
が、気体であるため比熱が小さく、すぐに加熱されて発
熱プレート2と同じ温度になる。図1の実施例では、電
力供給装置6しか設けていないが、発熱プレート2に温
度センサーを設置して、その検知信号により上記電力供
給装置6による電力供給量を制御する温度制御装置をさ
らに設けておけば、発熱プレート2の温度を所定の値に
精度よく制御することができる。
In such a heating device, when power is supplied to the surface heating heater 4 from the power supply device 6, the heating plate 2 is heated, and an air layer formed between the lower surface of the substrate W and the bottom surface of the recess 5 is formed. The substrate W is radiantly heated through S. Initially, the temperature of the air layer S is lower than that of the heat generating plate 2, but since it is a gas, the specific heat is small, and the air layer S is immediately heated to reach the same temperature as the heat generating plate 2. In the embodiment of FIG. 1, only the power supply device 6 is provided, but a temperature sensor is provided on the heating plate 2 and a temperature control device for controlling the amount of power supplied by the power supply device 6 based on the detection signal is further provided. By doing so, the temperature of the heat generating plate 2 can be accurately controlled to a predetermined value.

【0027】凹部5の上縁部5aは全て基板Wの下面に
接しているため、空気層Sは、ほぼ密閉な状態に維持さ
れ、外部の気流が入り込んで、空気層Sの温度を下げて
昇温速度を低下させたり、また、この部分の温度分布を
乱して基板の熱処理精度を劣化させるような問題がなく
なる。
Since the upper edge portion 5a of the concave portion 5 is entirely in contact with the lower surface of the substrate W, the air layer S is maintained in a substantially sealed state, and an external air current enters to lower the temperature of the air layer S. Problems such as lowering the rate of temperature rise or disturbing the temperature distribution in this portion and degrading the heat treatment accuracy of the substrate are eliminated.

【0028】また、熱処理された基板Wは図示しない搬
送装置により発熱プレート2より離脱されて搬出される
が、この際、発熱プレート2と基板Wの接触面積はわず
かなので、基板Wに剥離帯電はほとんど生ぜず、基板W
に形成された回路が帯電により破壊されるという事態は
生じない。
The heat-treated substrate W is separated from the heat-generating plate 2 by a transfer device (not shown) and carried out. At this time, the contact area between the heat-generating plate 2 and the substrate W is small. Almost no occurrence, substrate W
There is no occurrence of a situation in which the circuit formed in is destroyed by charging.

【0029】図3は、本発明の熱処理装置における加熱
装置の第2の実施例を示す縦断面図であり、図4はその
分解斜視図である。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a second embodiment of the heating apparatus in the heat treatment apparatus of the present invention, and FIG. 4 is an exploded perspective view thereof.

【0030】第1の実施例と異なるのは、発熱プレート
2の上面に凹部5を設けるのではなく、図4に示すよう
な中央部に大きな開口部を有する枠形状のスペーサ7を
発熱プレート2の上面に載置する点である。スペーサ7
の開口部はその上に載置する基板の外形より小さく設定
されており、図3に示すように当該スペーサ7の枠部が
基板保持部となり、その内側の開口部が空気層Sを形成
する。なお、スペーサ7の厚さd2およびスペーサ7の
内周と基板Wの端部との距離k2は、第1の実施例にお
ける凹部5の深さd1および基板Wの端部から凹部5の
上縁部5aまでの距離k1と同様な値に設定される。
The difference from the first embodiment is that, instead of providing the concave portion 5 on the upper surface of the heat generating plate 2, a frame-shaped spacer 7 having a large opening at the center as shown in FIG. Is placed on the upper surface of. Spacer 7
The opening of the spacer 7 is set smaller than the outer shape of the substrate mounted thereon. As shown in FIG. 3, the frame portion of the spacer 7 serves as a substrate holding portion, and the opening inside forms the air layer S. . The thickness d2 of the spacer 7 and the distance k2 between the inner periphery of the spacer 7 and the edge of the substrate W are the depth d1 of the recess 5 and the upper edge of the recess 5 from the edge of the substrate W in the first embodiment. A value similar to the distance k1 to the part 5a is set.

【0031】この第2の実施例の利点は、異なる大きさ
や異なる形状の開口部を有するスペーサ7を多数用意し
ておけば、当該スペーサ7の種類を変えるだけで、さま
ざまな形状や大きさを有する基板を保持して熱処理でき
るとともに、当該スペーサ7を取り去ってしまえば、基
板Wを直接発熱プレート2に接触させて加熱させること
ができ、加熱方式を容易に変更できる点にある。
The advantage of the second embodiment is that if a large number of spacers 7 having openings of different sizes and different shapes are prepared, various shapes and sizes can be changed only by changing the type of the spacers 7. Once the spacer 7 is removed, the substrate W can be brought into direct contact with the heat generating plate 2 and heated, and the heating method can be easily changed if the spacer 7 is removed.

【0032】なお、スペーサ7の厚さdは、上述のよ
うに1mm程度と大変薄いので、変形してその表面が平
坦性を維持できない場合も考えられる。このような場合
には、スペーサ7と発熱プレート2および基板Wとの接
触面に隙間が生じて空気層Sにおける気密性を維持する
ことができないので、発熱プレート2に複数の排気孔を
設けて、スペーサ7を発熱プレート2に真空吸着させる
ことによりスペーサ7表面の平坦性を確保するようにす
ればよい。
[0032] The thickness d 2 of the spacer 7, since very thin as about 1mm, as described above, the surface can be considered may not be able to maintain the flatness deformed. In such a case, a gap is formed in the contact surface between the spacer 7 and the heat generating plate 2 and the substrate W, and the airtightness in the air layer S cannot be maintained. The flatness of the surface of the spacer 7 may be ensured by vacuum-adsorbing the spacer 7 to the heating plate 2.

【0033】図5は、本発明の熱処理装置における加熱
装置の第3の実施例を示す縦断面図であり、図6は、そ
の斜視図である。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a third embodiment of the heating apparatus in the heat treatment apparatus of the present invention, and FIG. 6 is a perspective view thereof.

【0034】この第3の実施例の特徴は、基板保持部と
して図6に示すように発熱プレート2の上面に高さの一
律な連続した突状部8を形成している点である。当該突
状部8の断面形状は図5に示すように矩形状をしてお
り、その高さd3およびその内周部と基板Wの端部との
距離k3は、第1の実施例における凹部5の深さd1お
よび基板Wの端部から凹部5の上縁部5aまでの距離k
1と同様な値に設定される。
The feature of the third embodiment is that a continuous projection 8 having a uniform height is formed on the upper surface of the heating plate 2 as shown in FIG. The cross-sectional shape of the protruding portion 8 is rectangular as shown in FIG. 5, and the height d3 and the distance k3 between the inner peripheral portion thereof and the end of the substrate W are different from those of the first embodiment. 5 and a distance k from the edge of the substrate W to the upper edge 5a of the recess 5
It is set to the same value as 1.

【0035】この第3の実施例によれば、基板保持部と
しての突状部8と基板Wとの接触面積を小さくすること
ができるので、基板保持部によって基板Wの温度分布に
与える影響を低減することができる。
According to the third embodiment, the contact area between the projecting portion 8 as the substrate holding portion and the substrate W can be reduced, so that the influence of the substrate holding portion on the temperature distribution of the substrate W can be reduced. Can be reduced.

【0036】図7は、この第3の実施例における突状部
8の断面形状の変形例を示す部分縦断面図であって、図
7(a)に示すものは、突状部8の断面が三角形状をし
ており、その頂点で基板Wに線接触するため、基板Wと
基板保持部との接触面積を最小にすることができる。そ
れゆえ、基板保持部が基板Wの熱分布に与える影響が少
ない。また、線状に接触しているため基板Wの面ずれが
生じにくいという利点がある。図7(b)は、突状部8
の当接部の断面形状を半円状に形成しており、基板Wと
は線接触をするため、図7(a)と同様な利点が有する
が、半円状に形成されているため基板Wの裏面を傷付け
るおそれがなく、その点図7(a)の変形例に比べて優
れている。
FIG. 7 is a partial longitudinal sectional view showing a modified example of the cross-sectional shape of the protruding portion 8 in the third embodiment, and FIG. Has a triangular shape, and has a vertex in line contact with the substrate W, so that the contact area between the substrate W and the substrate holding portion can be minimized. Therefore, the substrate holder has little effect on the heat distribution of the substrate W. In addition, there is an advantage that the surface contact of the substrate W is less likely to occur due to the linear contact. FIG. 7 (b) shows the projection 8
Is formed in a semicircular shape, and has the same advantage as that of FIG. 7A because it is in line contact with the substrate W. There is no risk of damaging the back surface of W, which is superior to the modification of FIG. 7A.

【0037】一方、図8に示すものは、基板保持部を凸
状にするのではなく、発熱プレート2の上面2aより一
段下げて段部を形成するものであって、いわば、第1の
変形実施例といえるものであるが、基板Wの端部を当該
段部の側面5aで覆うようにしているため、基板Wの位
置決めが確実になり面ずれが起きにくいとともに、基板
側面での熱放出が少ないので、基板Wの温度分布の均一
性がさらに向上するという利点がある。
On the other hand, the one shown in FIG. 8 does not make the substrate holding portion convex, but forms a step portion one step lower than the upper surface 2a of the heat generating plate 2, so to speak, a first deformation. Although this embodiment can be said to be an example, since the end of the substrate W is covered with the side surface 5a of the step, the positioning of the substrate W is ensured, the surface is less likely to be displaced, and the heat release on the side surface of the substrate Therefore, there is an advantage that the uniformity of the temperature distribution of the substrate W is further improved.

【0038】以上述べた実施例は、おもにプリベーク用
の熱処理装置であって、レジスト膜にムラが生じないよ
うに基板Wの周囲部の非有効エリア以外には基板保持部
が接触しないように形成されている。そのため、基板W
の自重や、加熱時の基板Wの表裏の温度差により基板W
の中央部が若干下方に反る傾向がある。その反り量は、
実測によれば1mm未満なので、上述のように空気層S
の厚さを1mmに設定している以上、基板Wの中央部が
発熱プレート2に接触するおそれはない。しかし、乾燥
ベークやポストベークの段階においては、レジスト膜厚
にムラが生じるおそれはないので、図9に示すように中
央部にプロキシミティピン9を配設して、基板Wが中央
部で下方に反らないように支持することができる。この
場合には深さd4を1mm以下に小さくできるので、熱
効率を向上させることができる。
The above-described embodiment is mainly a heat treatment apparatus for pre-baking, and is formed so that the substrate holding portion does not come into contact with portions other than the non-effective area around the substrate W so that the resist film does not become uneven. Have been. Therefore, the substrate W
Substrate W due to its own weight and the temperature difference between the front and back of the substrate W during heating.
Has a tendency to slightly warp downward. The amount of warpage is
Since it is less than 1 mm according to the actual measurement, the air layer S
Since the thickness of the substrate W is set to 1 mm, there is no possibility that the central portion of the substrate W contacts the heat generating plate 2. However, at the stage of drying baking or post-baking, there is no possibility that unevenness occurs in the resist film thickness. Therefore, as shown in FIG. Can be supported without warping. In this case, since the depth d4 can be reduced to 1 mm or less, the thermal efficiency can be improved.

【0039】また、図10に示す加熱装置の第4の実施
例は、基板Wの周囲と発熱プレート2の基板保持部との
密着性を向上させるため、基板の吸引手段を設けたもの
である。すなわち、図10(a)においては、発熱プレ
ート2に空気層Sと連通する排気流路10を設け、この
排気流路10から図示しない排気装置により空気層S内
を排気して気圧を適当に下げることにより、基板Wが大
気圧により発熱プレート2方向に押え付けられてその周
囲での基板保持部との密着性がよくなる。そのため空気
層Sの気密性が向上し、外部の気流の影響をより一層受
けないようになる。基板Wが薄い場合には、吸引のため
中央部が下方に反るおそれがあるので、図9のようによ
うにプロキシミティピン9を空気層S内に配してやれば
よい。但し、前述したようにポストベ−クなどのレジス
ト膜厚にムラの生じるおそれがない場合に限られる。
In the fourth embodiment of the heating apparatus shown in FIG. 10, a substrate suction means is provided to improve the adhesion between the periphery of the substrate W and the substrate holding portion of the heat generating plate 2. . That is, in FIG. 10A, an exhaust passage 10 communicating with the air layer S is provided in the heat generating plate 2, and the inside of the air layer S is evacuated from the exhaust passage 10 by an exhaust device (not shown) so that the pressure is appropriately adjusted. By lowering, the substrate W is pressed down toward the heat generating plate 2 by the atmospheric pressure, and the adhesiveness with the substrate holding portion around the substrate W is improved. Therefore, the airtightness of the air layer S is improved, and the air layer S is less affected by an external airflow. When the substrate W is thin, the central portion may warp downward due to suction. Therefore, the proximity pins 9 may be arranged in the air space S as shown in FIG. However, as described above, this is limited to the case where there is no possibility that the resist film thickness such as post bake will cause unevenness.

【0040】図10(b)は、排気流路10の開口部1
0aを基板保持部に位置させた例である。直接基板Wの
保持部分を吸引するので、図10(a)の場合のように
吸引力により基板Wが反るおそれがなく、却って、基板
Wの端部を基板保持部に密着して、発熱プレート2の上
面と平行になるように作用するため、基板Wの反りが矯
正されるという利点がある。この場合、排気流路10の
開口部10aは基板保持部に沿って多数設けられる方が
望ましい。
FIG. 10B shows an opening 1 of the exhaust passage 10.
This is an example in which 0a is positioned on the substrate holding unit. Since the holding portion of the substrate W is directly sucked, there is no possibility that the substrate W is warped by the suction force as in the case of FIG. 10A. Since it acts so as to be parallel to the upper surface of the plate 2, there is an advantage that the warpage of the substrate W is corrected. In this case, it is desirable that a large number of openings 10a of the exhaust passage 10 be provided along the substrate holding portion.

【0041】なお、図10(a),図10(b)の実施
例において、排気流路10から図示しない排気装置にい
たる排気経路途中に真空センサを付設し、その検知信号
により基板W載置の有無を確認するようにしておけば、
熱処理の工程管理を確実に行なうことができる。
In the embodiment shown in FIGS. 10 (a) and 10 (b), a vacuum sensor is provided in the middle of the exhaust path from the exhaust flow path 10 to the exhaust device (not shown), and the substrate W is placed on the basis of the detection signal. If you make sure to check for
The process control of the heat treatment can be reliably performed.

【0042】また、基板Wが下方に反っても、空気層S
の厚さを十分大きくしておけば、その中央部で発熱プレ
ート2の上面2aと接触するおそれはなくなるが、基板
Wの場所によって発熱プレート2との距離が異なり、そ
のために基板Wの温度分布を厳密に維持するのが困難と
なる。したがって、基板Wの反りを想定して発熱プレー
ト2に適当な形状の凹部を設けておけば、さらに精度よ
く基板Wの温度分布の均一性を確保することができる。
Even if the substrate W warps downward, the air layer S
If the thickness of the substrate W is made sufficiently large, there is no danger that the central portion thereof will come into contact with the upper surface 2a of the heat generating plate 2; Is difficult to maintain strictly. Therefore, if a concave portion having an appropriate shape is provided in the heat generating plate 2 assuming the warpage of the substrate W, the uniformity of the temperature distribution of the substrate W can be more accurately secured.

【0043】図11は、発熱プレート2上面に形成され
た凹部の態様を示すものであり、説明の便宜上、当該凹
部の形状を誇張して示している。図11(a)には、台
形状の凹部11が形成されており、図11(b)には、
階段状の凹部12が形成されている。また、図11
(c)には、円錐状の凹部13が形成されており、図1
1(d)には、滑らかな曲面によって形成されたすり鉢
の凹部14が形成されている。図11(a)から図1
1(d)の順に、基板Wの反りにより近似した形状が形
成されており、これにより、当該凹部の底面から反り状
態にある基板Wまでの距離がほぼ均一化されて基板Wに
おける熱分布の均一性が増すと考えられるが、一方で
は、この順に加工が困難になってコストが高くなるとい
う問題がある。
FIG. 11 shows the form of the concave portion formed on the upper surface of the heat generating plate 2, and the shape of the concave portion is exaggerated for convenience of explanation. In FIG. 11A, a trapezoidal concave portion 11 is formed, and in FIG.
A stepped recess 12 is formed. FIG.
1C, a conical recess 13 is formed, and FIG.
1 (d) shows a mortar formed by a smooth curved surface
Jo recess 14 is formed. From FIG. 11 (a) to FIG.
In the order of 1 (d), a shape approximated by the warpage of the substrate W is formed, whereby the distance from the bottom surface of the concave portion to the warped substrate W is substantially uniform, and the heat distribution of the substrate W is reduced. Although it is considered that the uniformity is increased, on the other hand, there is a problem that processing becomes difficult in this order and the cost increases.

【0044】なお、以上の実施例においては、面発熱ヒ
ータ4を発熱プレート2と押え板3で挟み込むようにし
て保持しているが、図12に示すように、例えば弾性素
材に半導電性物質を混入して形成した弾性面発熱ヒータ
15を直接発熱プレート2の裏面に耐熱性の接着剤によ
り固着する方法であってもよい。当該面発熱ヒータ15
は伸縮自在なので、発熱プレート2の熱膨脹に応じて伸
縮し、接着部分で剥離するようなことがない。
[0044] In the above in the embodiments, but is held so as to sandwich the plane heater 4 by the heating plate 2 and the holding plate 3, as shown in FIG. 12, for example, semiconductive elastic material material May be directly fixed to the back surface of the heat generating plate 2 with a heat-resistant adhesive. The surface heating heater 15
Is extensible, so it expands and contracts in accordance with the thermal expansion of the heat generating plate 2 and does not peel off at the bonded portion.

【0045】また、本発明は、加熱装置により基板を加
熱する場合のみならず、冷却装置を用いて加熱された基
板Wを冷却する場合にも適用される。図13は、当該冷
却装置の例を示すものであって、図13(a)は、上面
に例えば図1の実施例と同様な空気層Sを形成するため
の凹部17を有する冷却プレート16を備え、この冷却
プレート16の下面に冷却ブロック19を接触させた冷
却装置の縦断面図を示すものである。冷却ブロック19
の内部には紙面に垂直な方向に複数の流路18が形成さ
れており、当該流路18に図示しない冷却水供給手段に
よって、所定温度、例えば23℃程度に温度調整された
水を供給することにより冷却プレート16を冷却し、こ
れにより基板Wが冷却される。なお、冷却プレート16
と冷却ブロック19は一体に成形されていてもよい。
The present invention is applicable not only to the case where the substrate is heated by the heating device, but also to the case where the heated substrate W is cooled by using the cooling device. FIG. 13 shows an example of the cooling device. FIG. 13A shows a cooling plate 16 having a concave portion 17 for forming an air space S similar to the embodiment of FIG. FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a cooling device provided with a cooling block 19 in contact with a lower surface of the cooling plate 16. Cooling block 19
Is formed with a plurality of flow paths 18 in a direction perpendicular to the plane of the drawing, and water whose temperature is adjusted to a predetermined temperature, for example, about 23 ° C., is supplied to the flow paths 18 by cooling water supply means (not shown). Thereby, the cooling plate 16 is cooled, whereby the substrate W is cooled. The cooling plate 16
And the cooling block 19 may be formed integrally.

【0046】図13(b)は、冷却手段としてサーモモ
ジュール20を使用した場合の実施例である。当該冷却
装置は、冷却プレート16と冷却ブロック19との間に
サーモモジュール20を、その吸熱側を上に、発熱側を
下にして挟み込むようにして形成される。当該サーモモ
ジュール20はペルチェ効果を利用した冷却素子を複数
個2次元的に配設して形成されたものであって、与える
電圧の大きさによって冷却能力を容易に調整できるの
で、冷却開始時には強く冷却し、基板Wが目的温度に近
づいたときに電圧を落として緩やか冷却するようにすれ
ば、図13(a)のものに比べ、冷却速度を大幅に促進
することができるという利点がある。
FIG. 13B shows an embodiment in which a thermo module 20 is used as the cooling means. The cooling device is formed such that a thermo module 20 is sandwiched between a cooling plate 16 and a cooling block 19 with its heat absorbing side up and its heat generating side down. The thermo module 20 is formed by arranging a plurality of cooling elements utilizing the Peltier effect in a two-dimensional manner. The cooling capacity can be easily adjusted by the magnitude of the applied voltage. When the substrate is cooled and the voltage is dropped to gradually cool the substrate W when the temperature approaches the target temperature, there is an advantage that the cooling rate can be greatly accelerated as compared with the case of FIG.

【0047】なお、冷却装置の場合であっても、加熱装
置の場合で述べた様々な基板保持部の変形例を適用でき
ることはいうまでもない。
It is needless to say that various modifications of the substrate holding section described in the case of the heating device can be applied to the case of the cooling device.

【0048】また、以上の実施例では、矩形の基板Wを
熱処理する場合について説明してきたが、円形その他の
形状の基板であっても、その外周の形状に併せて、基板
保持部の外形を変えることにより容易に適用できるもの
である。また、基板保持部は載置される基板の外周部に
沿って必ずしも完全に連続する必要はなく、搬送装置に
よる把持が容易なように一部に切欠を有していても、内
部の空気層の密閉性が実質的に確保されておれば、十分
その効果を発揮することができるものである。
In the above embodiment, the case where the rectangular substrate W is heat-treated has been described. However, even if the substrate has a circular or other shape, the outer shape of the substrate holding portion may be adjusted according to the outer peripheral shape. It can be easily applied by changing. In addition, the substrate holding portion does not necessarily need to be completely continuous along the outer peripheral portion of the substrate to be placed. If the hermeticity is substantially ensured, the effect can be sufficiently exhibited.

【0049】[0049]

【発明の効果】以上述べたように、請求項1の発明によ
れば、基板と載置台との間にほぼ密閉状態の空気層が形
成されるように、基板の外周部の下面をほぼ全周にわた
って保持する基板保持部と、載置台の内部に設けられ、
一方端が空気層内に開口し、他方端が排気手段に接続さ
て、排気手段からの排気によって空気層内の気圧を低
下させる排気流路と、空気層内において基板と載置台と
の間隔を規制する間隔規制部材と、を備えているため、
空気層に外部の気流が混入せず、外気の影響による昇温
速度または冷却速度の低下を防止できるともに、基板の
温度分布を均一化できる。また、基板の周囲での基板保
持部との密着性が向上し、空気層の気密性が向上して熱
効率が向上する。さらに、吸引によって基板中央部が反
ることが防止され、基板の温度分布の不均一化が防止さ
れる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, almost all the lower surface of the outer peripheral portion of the substrate is formed so that an air layer in a substantially sealed state is formed between the substrate and the mounting table. A substrate holding unit for holding the circumference, provided inside the mounting table,
One end opened to the air layer, and the other end connected to the exhaust means, the air pressure in the air layer by the exhaust from the exhaust means low
The exhaust flow path to be lowered, the substrate and the mounting table in the air layer
And an interval regulating member for regulating the interval of
External airflow does not enter the air layer, so that a decrease in the temperature rising rate or the cooling rate due to the influence of the outside air can be prevented, and the temperature distribution of the substrate can be made uniform. Also, keep the board around the board.
The airtightness of the air layer is improved,
Efficiency is improved. Furthermore, the central part of the substrate is
The temperature distribution of the substrate.
It is.

【0050】請求項2の発明によれば、載置台の上面に
は、基板の外形より小さな外形の凹部が形成され、凹部
の上部外縁が基板保持部を形成しているため、当該凹部
内に熱処理のためのほぼ密閉された空気層が形成され
る。
According to the second aspect of the present invention, on the upper surface of the mounting table
Is formed with a recess having an outer shape smaller than the outer shape of the substrate.
Since the upper outer edge of the substrate forms a substrate holding portion,
An almost closed air layer is formed inside for heat treatment
You.

【0051】請求項3の発明によれば、載置台が、基台
と、中央部に基板の外形より小さな開口部を有して基台
の上面に載置されるスペーサとを備えるとともに、その
スペーサが基板保持部を形成するため、当該スペーサの
開口部が熱処理のためのほぼ密閉された空気層を形成す
る。また、当該スペ−サは容易に交換できるので、開口
部の形状や大きさの異なるスペーサを複数用意しておけ
ば、さまざまな形状や大きさの基板に対応できる。
According to the third aspect of the present invention, the mounting table is a base.
And a base with an opening smaller than the outer shape of the board in the center
And a spacer placed on the upper surface of the
Since the spacer forms the substrate holding portion, the spacer
Openings form an almost closed air layer for heat treatment
You. Also, since the spacer can be easily replaced,
Prepare multiple spacers with different shapes and sizes.
If it can, it can correspond to substrates of various shapes and sizes.

【0052】請求項4の発明によれば、基板保持部が載
置台の上面に形成された連続する突状部であるため、当
該連続する突状部の内側に基板熱処理のためのほぼ密閉
された空気層が形成される。また、基板保持部と基板と
の接触面積が小さいので、当該基板保持部が基板の熱分
布に与える影響を小さくすることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, the substrate holder is mounted on
Because it is a continuous projection formed on the top surface of the table,
Almost sealed inside the continuous protrusion for heat treatment of the substrate
A formed air layer is formed. Also, the board holding part and the board
The contact area of the substrate is small.
The effect on the cloth can be reduced.

【0053】請求項5の発明によれば、基板保持部の一
部に切欠を有していても、内部の空気層の密閉性が実質
的に確保されておれば、十分その効果を発揮することが
できる。
According to the fifth aspect of the present invention, one of the substrate holding portions is provided.
Even if there is a notch in the part, the airtightness of the internal air layer is substantially
If it is secured, it will be possible to fully demonstrate its effect
it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例にかかる熱処理装置の構
成を示す概要図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a heat treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の熱処理装置の加熱装置の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a heating device of the heat treatment device of FIG.

【図3】本発明の第2の実施例にかかる熱処理装置の加
熱装置を示す縦断面図である。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a heating device of a heat treatment device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】図3の加熱装置の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of the heating device of FIG. 3;

【図5】本発明の第3の実施例にかかる熱処理装置の加
熱装置を示す縦断面図である。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a heating device of a heat treatment device according to a third embodiment of the present invention.

【図6】図5の加熱装置の斜視図である。6 is a perspective view of the heating device of FIG.

【図7】本発明の第3の実施例における突状部の変形実
施例を示す一部縦断面図である。
FIG. 7 is a partial longitudinal sectional view showing a modified example of the projection in the third embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第1の実施例にかかる基板保持部の変
形実施例を示す一部縦断面図である。
FIG. 8 is a partial longitudinal sectional view showing a modified example of the substrate holding section according to the first example of the present invention.

【図9】図1の実施例においてプロキシミティピンを併
設した場合の構成を示す縦断面図である。
FIG. 9 is a longitudinal sectional view showing a configuration in which a proximity pin is provided in the embodiment of FIG. 1;

【図10】図1の実施例において基板の吸引手段を設け
たときの構成を示す縦断面図である。
FIG. 10 is a longitudinal sectional view showing a configuration when a substrate suction means is provided in the embodiment of FIG. 1;

【図11】図1の実施例において発熱プレート上面の凹
部の底面の形状を変形する場合の実施例を示す縦断面図
である。
11 is a longitudinal sectional view showing an embodiment in the case of changing the shape of the bottom surface of the concave portion on the upper surface of the heating plate in the embodiment of FIG.

【図12】図1の実施例において弾性面発熱ヒータを発
熱プレートに接着して、押え板を省いた実施例を示す縦
断面図である。
12 is a longitudinal sectional view showing an embodiment in which an elastic surface heating heater is adhered to a heating plate in the embodiment of FIG. 1 and a pressing plate is omitted.

【図13】本発明を適用した冷却装置の例を示す図であ
る。
FIG. 13 is a diagram showing an example of a cooling device to which the present invention is applied.

【図14】従来の熱処理装置における加熱装置の構成を
示す縦断面図である。
FIG. 14 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a heating device in a conventional heat treatment device.

【図15】図14の加熱装置の斜視図である。FIG. 15 is a perspective view of the heating device of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 加熱装置 2 発熱プレート 3 押え板 4 面発熱ヒータ 5 凹部 6 電力供給装置 7 スペーサ 8 突状部 10 排気流路 16 冷却プレート 19 冷却ブロック 20 サーモモジュール W 基板 S 空気層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Heating device 2 Heating plate 3 Holding plate 4 Surface heating heater 5 Depression 6 Power supply device 7 Spacer 8 Projection 10 Exhaust flow path 16 Cooling plate 19 Cooling block 20 Thermo module W Substrate S Air layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−181717(JP,A) 特開 昭62−216328(JP,A) 特開 平4−127516(JP,A) 特開 平4−11721(JP,A) 実開 平3−56129(JP,U) 実開 昭56−52065(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/26 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) References JP-A-4-181717 (JP, A) JP-A-62-1216328 (JP, A) JP-A-4-127516 (JP, A) JP-A-4- 11721 (JP, A) Japanese Utility Model Hei 3-56129 (JP, U) Japanese Utility Model Application Showa 56-52065 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G03F 7 / 26

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板を載置台に所定の間隔をおいて載置
し、加熱手段または冷却手段により熱処理する熱処理装
置において、 前記基板と前記載置台との間にほぼ密閉状態の空気層が
形成されるように、前記基板の外周部の下面をほぼ全周
にわたって保持する基板保持部と、 前記載置台の内部に設けられ、一方端が前記空気層内に
開口し、他方端が排気手段に接続されて、前記排気手段
からの排気によって前記空気層内の気圧を低下させる
気流路と、前記空気層内において、前記基板と前記載置台との間隔
を規制する間隔規制部材と、 を備えることを特徴とする熱処理装置。
1. A heat treatment apparatus for mounting a substrate on a mounting table at a predetermined interval and performing heat treatment by heating means or cooling means, wherein an air layer in a substantially sealed state is formed between the substrate and the mounting table. as will be, a substrate holding portion for holding the lower surface of the outer peripheral portion of the substrate over substantially the entire circumference, is provided inside the mounting table, one end opened before Symbol air layer, the other end exhausting means Connected to the exhaust means
An exhaust passage for lowering the air pressure in the air layer by exhausting air from the space between the substrate and the mounting table in the air layer.
And a space regulating member for regulating the pressure.
【請求項2】 前記載置台の上面には、前記基板の外形
より小さな外形の凹部が形成され、前記凹部の上部外縁
が前記基板保持部を形成することを特徴とする請求項1
に記載の熱処理装置。
2. An outer shape of the substrate on an upper surface of the mounting table.
A recess with a smaller profile is formed, the upper outer edge of said recess
Forming the substrate holding portion.
3. The heat treatment apparatus according to item 1.
【請求項3】 前記載置台は、基台と、中央部に前記基
板の外形より小さな開口部を有して前記基台の上面に載
置されるスペーサと、を備え、前記スペーサが前記基板
保持部を形成することを特徴とする請求項1に記載の熱
処理装置。
3. The mounting table according to claim 1 , further comprising: a base;
It has an opening smaller than the outer shape of the plate and is mounted on the top of the base.
And a spacer that is placed on the substrate.
The heat according to claim 1, wherein the holding part is formed.
Processing equipment.
【請求項4】 前記基板保持部は、前記載置台の上面に
形成された連続する突状部であることを特徴とする請求
項1に記載の熱処理装置。
4. The substrate holding section is provided on an upper surface of the mounting table.
Claims characterized by a continuous projection formed
Item 2. The heat treatment apparatus according to Item 1.
【請求項5】 前記基板保持部は、その一部に切欠を有
することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか
に記載の熱処理装置。
5. The substrate holding portion has a notch in a part thereof.
The method according to any one of claims 1 to 4, wherein
3. The heat treatment apparatus according to item 1.
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