JP3330875B2 - 光中継器 - Google Patents
光中継器Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ファイバ通信シス
テムに適用されるもので、伝送線路内の損失を補償し、
誤り無く信号を伝送するために伝送線路内に配置された
光中継器に関するものである。
テムに適用されるもので、伝送線路内の損失を補償し、
誤り無く信号を伝送するために伝送線路内に配置された
光中継器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光中継器として、図６に等化増幅
（Reshaping）、クロック再生（Retiming）、識別再生
（Regeneration）の３つの機能を有する３Ｒ中継器を示
し、図８に光増幅器により等化増幅のみを行う線形中継
器を示した。図６の３Ｒ中継器は、伝送線路１ａ、光増
幅器２ａ、光／電気変換回路３ａ、超高速アナログ増幅
器からなる等化増幅回路３ｂ、受信データからクロック
信号を抽出するクロック信号抽出回路４ａ、ディジタル
識別回路５ａ、電気／光変換回路６ａ、伝送線路８ａで
構成されており、伝送により光データ信号に波形の歪み
や雑音が生じても、これを一旦電気のディジタル信号に
再生し、再び光信号に変換して送信するため、中継器前
段で生じた信号品質の劣化が解消される。すなわち、図
７（ａ）に示すように、光増幅器２ａの出力すなわち光
データ信号に光増幅によって発生する雑音（以下ＡＳＥ
雑音という）が重畳されていたとしても、図７（ｂ）、
（ｃ）に示すように、ディジタル識別回路５ａの出力、
電気／光変換回路６ａの出力すなわち認識再生された光
データ信号には雑音は重畳されない。一方、図８に示し
た線形中継器は、基本的には光増幅器２ｂのみで構成さ
れるアナログの中継器のため、３Ｒ中継器に比べて規模
も小さく、低コストである。
（Reshaping）、クロック再生（Retiming）、識別再生
（Regeneration）の３つの機能を有する３Ｒ中継器を示
し、図８に光増幅器により等化増幅のみを行う線形中継
器を示した。図６の３Ｒ中継器は、伝送線路１ａ、光増
幅器２ａ、光／電気変換回路３ａ、超高速アナログ増幅
器からなる等化増幅回路３ｂ、受信データからクロック
信号を抽出するクロック信号抽出回路４ａ、ディジタル
識別回路５ａ、電気／光変換回路６ａ、伝送線路８ａで
構成されており、伝送により光データ信号に波形の歪み
や雑音が生じても、これを一旦電気のディジタル信号に
再生し、再び光信号に変換して送信するため、中継器前
段で生じた信号品質の劣化が解消される。すなわち、図
７（ａ）に示すように、光増幅器２ａの出力すなわち光
データ信号に光増幅によって発生する雑音（以下ＡＳＥ
雑音という）が重畳されていたとしても、図７（ｂ）、
（ｃ）に示すように、ディジタル識別回路５ａの出力、
電気／光変換回路６ａの出力すなわち認識再生された光
データ信号には雑音は重畳されない。一方、図８に示し
た線形中継器は、基本的には光増幅器２ｂのみで構成さ
れるアナログの中継器のため、３Ｒ中継器に比べて規模
も小さく、低コストである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の光中継器においては、３Ｒ中継器は多くの機
能を実現するため装置が複雑になり、高コストになる問
題がある。一方、低コストの線形中継器のみの多中継伝
送により長い距離を伝送しようとして、線形中継器を多
段に接続した場合、図８に示した線形中継器では、図９
（ａ）に示すように、伝送線路１ｂを伝送されてきた光
データ信号に雑音が重畳されていなくても、図９（ｂ）
に示す様に、光増幅器２ｂの出力すなわち光増幅された
光データ信号にＡＳＥ雑音が重畳されるので、ＡＳＥ雑
音の蓄積により、符号誤り率が低下するという問題が生
じる。ＡＳＥ雑音は、伝送路損失により減衰した光信号
を、光増幅器によって増幅する際に発生する雑音であ
り、光増幅器１段での増幅につき、理論上最低３ｄＢの
信号対雑音比（以下ＳＮＲという）の低下をもたらす。
信号の識別再生機能が具備されていない線形中継器をＮ
段に接続した場合、ＡＳＥ雑音のショット雑音および信
号光−ＡＳＥ雑音間のビート雑音がＮ倍、さらにＡＳＥ
雑音間のビート雑音はＮ2倍で加算されるため、ＳＮＲ
の劣化が著しい。このため、実際の超高速の長距離基幹
伝送システムでは、例えば、線形中継器３台によって中
継される８０ｋｍ４区間のファイバ伝送路（合計３２０
ｋｍ）毎に、３Ｒ中継器を配置して信号の識別再生を行
い、ＡＳＥ雑音の影響を低減する必要があり、低コスト
化の制限要因の一つとなっている。
うな従来の光中継器においては、３Ｒ中継器は多くの機
能を実現するため装置が複雑になり、高コストになる問
題がある。一方、低コストの線形中継器のみの多中継伝
送により長い距離を伝送しようとして、線形中継器を多
段に接続した場合、図８に示した線形中継器では、図９
（ａ）に示すように、伝送線路１ｂを伝送されてきた光
データ信号に雑音が重畳されていなくても、図９（ｂ）
に示す様に、光増幅器２ｂの出力すなわち光増幅された
光データ信号にＡＳＥ雑音が重畳されるので、ＡＳＥ雑
音の蓄積により、符号誤り率が低下するという問題が生
じる。ＡＳＥ雑音は、伝送路損失により減衰した光信号
を、光増幅器によって増幅する際に発生する雑音であ
り、光増幅器１段での増幅につき、理論上最低３ｄＢの
信号対雑音比（以下ＳＮＲという）の低下をもたらす。
信号の識別再生機能が具備されていない線形中継器をＮ
段に接続した場合、ＡＳＥ雑音のショット雑音および信
号光−ＡＳＥ雑音間のビート雑音がＮ倍、さらにＡＳＥ
雑音間のビート雑音はＮ2倍で加算されるため、ＳＮＲ
の劣化が著しい。このため、実際の超高速の長距離基幹
伝送システムでは、例えば、線形中継器３台によって中
継される８０ｋｍ４区間のファイバ伝送路（合計３２０
ｋｍ）毎に、３Ｒ中継器を配置して信号の識別再生を行
い、ＡＳＥ雑音の影響を低減する必要があり、低コスト
化の制限要因の一つとなっている。
【０００４】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、簡易手段により、光増幅器によって発生す
るＡＳＥ雑音を低減し、低コスト化を実現した光中継器
を提供することを目的とする。
れたもので、簡易手段により、光増幅器によって発生す
るＡＳＥ雑音を低減し、低コスト化を実現した光中継器
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、入力される光データ信号を増幅
して出力する光増幅器と、上記光増幅器から出力される
光信号が入力され、該入力された光信号を電気信号に変
換する受光素子と、連続光を発生する入力光源と、光の
透過率が印加電圧に対し変化することで上記入力光源か
ら入射される光を変調して出射する光変調器と、を有す
る光中継器であって、上記光データ信号は、光の発光、
消光により生成された光強度に関するデジタルな光信号
であり、上記受光素子は、ある閾値以下の入射光強度に
対しては出力電圧が上記入射光強度に線形に増大し、か
つ、上記閾値以上の入射光強度に対しては出力電圧が飽
和する特性を有するとともに、上記閾値が入力される光
信号の最大ピーク光強度を下回る様に設定され、上記受
光素子の出力電圧により上記光変調器を駆動して上記光
データ信号を再生する。
め、本発明においては、入力される光データ信号を増幅
して出力する光増幅器と、上記光増幅器から出力される
光信号が入力され、該入力された光信号を電気信号に変
換する受光素子と、連続光を発生する入力光源と、光の
透過率が印加電圧に対し変化することで上記入力光源か
ら入射される光を変調して出射する光変調器と、を有す
る光中継器であって、上記光データ信号は、光の発光、
消光により生成された光強度に関するデジタルな光信号
であり、上記受光素子は、ある閾値以下の入射光強度に
対しては出力電圧が上記入射光強度に線形に増大し、か
つ、上記閾値以上の入射光強度に対しては出力電圧が飽
和する特性を有するとともに、上記閾値が入力される光
信号の最大ピーク光強度を下回る様に設定され、上記受
光素子の出力電圧により上記光変調器を駆動して上記光
データ信号を再生する。
【０００６】また、上記光変調器に、上記入力光源から
の光の透過率が印加電圧に対し非線形に変化する光変調
器を用いるまた、上記入力光源に、波長可変光源を用い
る。
の光の透過率が印加電圧に対し非線形に変化する光変調
器を用いるまた、上記入力光源に、波長可変光源を用い
る。
【０００７】また、上記受光素子に、単一走行キャリア
フォトダイオードを用いる。
フォトダイオードを用いる。
【０００８】また、上記受光素子を上記光変調器にモノ
リシックに集積する。
リシックに集積する。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る光中継器の第
１の実施の形態を示す構成図である。図に示すように、
光増幅器２、光データ信号を電気信号に変換する受光素
子３、ＤＣ電圧印加手段４、入力光源５、入力光源５か
らの光の透過率が印加電圧に対し非線形に変化する光変
調器６、光増幅器７からなる簡易手段により光中継器が
構成されている。伝送線路１に接続された光増幅器２の
後段に、高出力でかつ出力に飽和特性を有する受光素子
３が接続され、光増幅器２の出力は受光素子３で光／電
気変換されて電気信号となり、ＤＣ電圧印加手段４を介
して、光変調器６を変調する。入力光源５から入射され
た連続光が光変調器６により変調され、伝送されて来た
光データ信号と同一の光データ信号が再生され、光増幅
器７を経て伝送線路８に送信される。
１の実施の形態を示す構成図である。図に示すように、
光増幅器２、光データ信号を電気信号に変換する受光素
子３、ＤＣ電圧印加手段４、入力光源５、入力光源５か
らの光の透過率が印加電圧に対し非線形に変化する光変
調器６、光増幅器７からなる簡易手段により光中継器が
構成されている。伝送線路１に接続された光増幅器２の
後段に、高出力でかつ出力に飽和特性を有する受光素子
３が接続され、光増幅器２の出力は受光素子３で光／電
気変換されて電気信号となり、ＤＣ電圧印加手段４を介
して、光変調器６を変調する。入力光源５から入射され
た連続光が光変調器６により変調され、伝送されて来た
光データ信号と同一の光データ信号が再生され、光増幅
器７を経て伝送線路８に送信される。
【００１０】この実施の形態においては、受光素子３と
して、高出力をもつ単一走行キャリアフォトダイオード
（以下、ＵＴＣ−ＰＤと言う）を用いている。光変調器
６を、例えば１０Ｇbit／ｓ以上の速度で動作させるた
めには、現状で最低でも２Ｖ程度の駆動振幅が必要であ
り、この振幅を発生する手段として、ＵＴＣ−ＰＤを用
いる（特開平９−２７５２２４号公報参照）。ＵＴＣ−
ＰＤは、８０ＧＨｚの帯域を維持したまま、８０ｍＡｐ
ｐの光電流を流すことが出来るため、５０Ωの終端抵抗
を接続した場合、２Ｖ以上の電圧振幅を容易に発生でき
る。さらに、ＵＴＣ−ＰＤの大きな特徴として、出力に
飽和特性を有する点が挙げられる。このＵＴＣ−ＰＤの
飽和特性と、光変調器６の非線形性を用いて、ＡＳＥ雑
音を抑圧する課程を以下に詳しく述べる。図２（ａ）
は、図１の受光素子３（ＵＴＣ−ＰＤ）の負荷の状態を
示している。この場合、ＵＴＣ−ＰＤのアノード電極と
光変調器６が接続されており、カソード電極からは正の
電圧が印加される。図に示す受光素子３（ＵＴＣ−Ｐ
Ｄ）の負荷抵抗９は、光変調器６に内蔵された終端抵抗
に対応しており、これによって光電流が電圧に変換さ
れ、光変調器６に印加される。ＵＴＣ−ＰＤはその高出
力動作故、入射光強度が強まると、発生した出力電圧
が、印加電圧Ｖｂに到達してしまい、それ以上入射光強
度を増加しても、出力電圧レベルがＶｂ付近でクランプ
されたまま増大しない飽和特性を有する。この飽和特性
は図２（ｂ）に示すように、Ｖｂによって飽和電圧レベ
ルが決定されるので、ＵＴＣ−ＰＤの入力として、ＡＳ
Ｅ雑音が重畳された光データ信号が入力された場合、信
号のピーク強度に対応して適当なＶｂを選べば、ＡＳＥ
雑音をあるレベルにクランプすることが可能である。図
２（ｂ）においては、印加電圧Ｖｂ２がこれに当たる。
して、高出力をもつ単一走行キャリアフォトダイオード
（以下、ＵＴＣ−ＰＤと言う）を用いている。光変調器
６を、例えば１０Ｇbit／ｓ以上の速度で動作させるた
めには、現状で最低でも２Ｖ程度の駆動振幅が必要であ
り、この振幅を発生する手段として、ＵＴＣ−ＰＤを用
いる（特開平９−２７５２２４号公報参照）。ＵＴＣ−
ＰＤは、８０ＧＨｚの帯域を維持したまま、８０ｍＡｐ
ｐの光電流を流すことが出来るため、５０Ωの終端抵抗
を接続した場合、２Ｖ以上の電圧振幅を容易に発生でき
る。さらに、ＵＴＣ−ＰＤの大きな特徴として、出力に
飽和特性を有する点が挙げられる。このＵＴＣ−ＰＤの
飽和特性と、光変調器６の非線形性を用いて、ＡＳＥ雑
音を抑圧する課程を以下に詳しく述べる。図２（ａ）
は、図１の受光素子３（ＵＴＣ−ＰＤ）の負荷の状態を
示している。この場合、ＵＴＣ−ＰＤのアノード電極と
光変調器６が接続されており、カソード電極からは正の
電圧が印加される。図に示す受光素子３（ＵＴＣ−Ｐ
Ｄ）の負荷抵抗９は、光変調器６に内蔵された終端抵抗
に対応しており、これによって光電流が電圧に変換さ
れ、光変調器６に印加される。ＵＴＣ−ＰＤはその高出
力動作故、入射光強度が強まると、発生した出力電圧
が、印加電圧Ｖｂに到達してしまい、それ以上入射光強
度を増加しても、出力電圧レベルがＶｂ付近でクランプ
されたまま増大しない飽和特性を有する。この飽和特性
は図２（ｂ）に示すように、Ｖｂによって飽和電圧レベ
ルが決定されるので、ＵＴＣ−ＰＤの入力として、ＡＳ
Ｅ雑音が重畳された光データ信号が入力された場合、信
号のピーク強度に対応して適当なＶｂを選べば、ＡＳＥ
雑音をあるレベルにクランプすることが可能である。図
２（ｂ）においては、印加電圧Ｖｂ２がこれに当たる。
【００１１】このＡＳＥ雑音が抑圧されたＵＴＣ−ＰＤ
の出力で光変調器６を駆動する際にも、さらなるＡＳＥ
雑音抑圧が可能である。図３は、光変調器６におけるＡ
ＳＥ雑音抑制を説明する図である。図３（ａ）に示すよ
うに、受光素子３（ＵＴＣ−ＰＤ）から出力された電気
信号は、ＤＣ電圧印加手段４を経て、光変調器６へ導入
される。光変調器６として一般的に用いられる、マッハ
・ツェンダー型変調器や電界吸収型変調器は、図３
（ｂ）に示されるように、印加電圧Ｖｂに対して出力光
強度（Ａ．Ｕ．）が非線形性を持つため、電気信号の振
幅に対応して、適当なＤＣバイアス電圧をＤＣ電圧印加
手段４により印加すれば、ＵＴＣ−ＰＤの飽和特性だけ
では抑圧しきれないＡＳＥ雑音をさらに抑圧できる。
の出力で光変調器６を駆動する際にも、さらなるＡＳＥ
雑音抑圧が可能である。図３は、光変調器６におけるＡ
ＳＥ雑音抑制を説明する図である。図３（ａ）に示すよ
うに、受光素子３（ＵＴＣ−ＰＤ）から出力された電気
信号は、ＤＣ電圧印加手段４を経て、光変調器６へ導入
される。光変調器６として一般的に用いられる、マッハ
・ツェンダー型変調器や電界吸収型変調器は、図３
（ｂ）に示されるように、印加電圧Ｖｂに対して出力光
強度（Ａ．Ｕ．）が非線形性を持つため、電気信号の振
幅に対応して、適当なＤＣバイアス電圧をＤＣ電圧印加
手段４により印加すれば、ＵＴＣ−ＰＤの飽和特性だけ
では抑圧しきれないＡＳＥ雑音をさらに抑圧できる。
【００１２】図４は本発明に係る光中継器の第２の実施
の形態を示す構成図である。高出力受光素子３の出力の
極性と光データ信号の極性とを反転させた場合の実施の
形態例である。第１の実施の形態との相違点は、受光素
子３の電極の極性を反転させている点である。光データ
信号に重畳される雑音強度を、論理が“１（発光）”側
と“０（消光）”側とで比較すると、信号光−ＡＳＥ雑
音のビート雑音のため、“１”側がより大きい。一方、
図３（ｂ）に示した光変調器６の非線形性は、消光側
（出力強度０側）が強い。このため、図３（ｂ）の受光
素子３の出力の論理を反転し、ＡＳＥ雑音が大きい論理
“１”側を光変調器６の消光側に振り込むことで、雑音
抑圧の効果がさらに大きくなる。本実施の形態の光中継
器においては、受光素子３の出力の極性と光データ信号
の極性とを反転させているため、最終的に光中継器の出
力極性が、入力の光データ信号のそれと反転する。しか
しながら、例えば、この光中継器を２台シリーズに配置
したものを１ユニットとする、あるいは、最終段での光
中継器で極性を合わせる等の手段により対応が可能であ
る。
の形態を示す構成図である。高出力受光素子３の出力の
極性と光データ信号の極性とを反転させた場合の実施の
形態例である。第１の実施の形態との相違点は、受光素
子３の電極の極性を反転させている点である。光データ
信号に重畳される雑音強度を、論理が“１（発光）”側
と“０（消光）”側とで比較すると、信号光−ＡＳＥ雑
音のビート雑音のため、“１”側がより大きい。一方、
図３（ｂ）に示した光変調器６の非線形性は、消光側
（出力強度０側）が強い。このため、図３（ｂ）の受光
素子３の出力の論理を反転し、ＡＳＥ雑音が大きい論理
“１”側を光変調器６の消光側に振り込むことで、雑音
抑圧の効果がさらに大きくなる。本実施の形態の光中継
器においては、受光素子３の出力の極性と光データ信号
の極性とを反転させているため、最終的に光中継器の出
力極性が、入力の光データ信号のそれと反転する。しか
しながら、例えば、この光中継器を２台シリーズに配置
したものを１ユニットとする、あるいは、最終段での光
中継器で極性を合わせる等の手段により対応が可能であ
る。
【００１３】図５は本発明に係る光中継器の第３の実施
の形態を示す構成図である。ここでは、入力光源とし
て、波長可変光源１０を用いる。波長可変光源１０を用
いることで、波長多重伝送や伝送線路の分散に応じて所
望の波長を選択する機能をもたせることができる。
の形態を示す構成図である。ここでは、入力光源とし
て、波長可変光源１０を用いる。波長可変光源１０を用
いることで、波長多重伝送や伝送線路の分散に応じて所
望の波長を選択する機能をもたせることができる。
【００１４】また、受光素子３と光変調器６を同一基板
上にモノリシックに集積して製作することにより、一層
コンパクトな簡易な構成とすることができる。
上にモノリシックに集積して製作することにより、一層
コンパクトな簡易な構成とすることができる。
【００１５】上述のように、飽和特性を有する受光素子
３により光変調器６を駆動する極めて簡易な構成によ
り、従来問題であったＡＳＥ雑音の抑制が可能となると
同時に、低コスト化が可能となる。
３により光変調器６を駆動する極めて簡易な構成によ
り、従来問題であったＡＳＥ雑音の抑制が可能となると
同時に、低コスト化が可能となる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光中
継器においては、飽和特性を有する受光素子により光変
調器を駆動する極めて簡易な構成により、従来問題であ
ったＡＳＥ雑音の抑制が可能となり、低コスト化が実現
できる。
継器においては、飽和特性を有する受光素子により光変
調器を駆動する極めて簡易な構成により、従来問題であ
ったＡＳＥ雑音の抑制が可能となり、低コスト化が実現
できる。
【００１７】また、光の透過率が印加電圧に対し非線形
に変化する光変調器を用いることにより、ＡＳＥ雑音の
抑制効果を増大させることができる。
に変化する光変調器を用いることにより、ＡＳＥ雑音の
抑制効果を増大させることができる。
【００１８】また、入力光源として波長可変光源を用い
ることにより、波長多重伝送や伝送線路の分散に応じて
所望の波長を選択する機能をもたすことができる。
ることにより、波長多重伝送や伝送線路の分散に応じて
所望の波長を選択する機能をもたすことができる。
【００１９】また、受光素子に、単一走行キャリアフォ
トダイオードを用いることにより、ＡＳＥ雑音の抑制が
一層効果的に行える。
トダイオードを用いることにより、ＡＳＥ雑音の抑制が
一層効果的に行える。
【００２０】また、受光素子を光変調器にモノリシック
に集積させることにより、一層簡易な構成と低コスト化
が可能となる。
に集積させることにより、一層簡易な構成と低コスト化
が可能となる。
【図１】本発明に係る光中継器の第１の実施の形態を示
す構成図である。
す構成図である。
【図２】飽和特性を有する受光素子によるＡＳＥ雑音抑
圧の効果を示す図である。
圧の効果を示す図である。
【図３】光変調器によるＡＳＥ雑音抑圧の効果を示す図
である。
である。
【図４】本発明に係る光中継器の第２の実施の形態を示
す構成図である。
す構成図である。
【図５】本発明に係る光中継器の第３の実施の形態を示
す構成図である。
す構成図である。
【図６】従来技術による３Ｒ中継器の形態を示す構成図
である。
である。
【図７】従来技術による３Ｒ中継器の入出力信号を示す
説明図である。
説明図である。
【図８】従来技術による線形中継器の形態を示す構成図
である。
である。
【図９】従来技術による線形中継器の入出力信号を示す
説明図である。
説明図である。
１ 伝送線路 １ａ 伝送線路 ２ 光増幅器 ２ａ 光増幅器 ２ｂ 光増幅器 ３ 受光素子 ３ａ 光／電気変換回路 ３ｂ 等化増幅回路 ４ ＤＣ電圧印加手段 ４ａ クロック信号抽出回路 ５ 入力光源 ５ａ ディジタル識別回路 ６ 光変調器 ６ａ 電気／光変換回路 ７ 光増幅器 ８ 伝送線路 ８ａ 伝送線路 ９ 負荷抵抗 １０ 波長可変光源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石橋 忠夫 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日 本電信電話株式会社内 審査官 板橋 通孝 (56)参考文献 特開 昭64−16135（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04B 10/02 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (5)
- 【請求項１】入力される光データ信号を増幅して出力す
る光増幅器と、 上記光増幅器から出力される光信号が入力され、該入力
された光信号を電気信号に変換する受光素子と、 連続光を発生する入力光源と、 光の透過率が印加電圧に対し変化することで上記入力光
源から入射される光を変調して出射する 光変調器と、 を有する光中継器であって、 上記光データ信号は、光の発光、消光により生成された
光強度に関するディジタルな光信号であり、 上記受光素子は、ある閾値以下の入射光強度に対しては
出力電圧が上記入射光強度に線形に増大し、かつ、上記
閾値以上の入射光強度に対しては出力電圧が飽和する特
性を有するとともに、上記閾値が入力される光信号の最
大ピーク光強度を下回る様に設定され、 上記受光素子の出力電圧により上記光変調器を駆動して
上記光データ信号を再生することを特徴とする光中継
器。 - 【請求項２】上記光変調器に、上記入力光源からの光の
透過率が印加電圧に対し非線形に変化する光変調器を用
いることを特徴とする請求項１に記載の光中継器。 - 【請求項３】上記入力光源に、波長可変光源を用いるこ
とを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光中継
器。 - 【請求項４】上記受光素子に、単一走行キャリアフォト
ダイオードを用いることを特徴とする請求項１乃至請求
項３のいずれかに記載の光中継器。 - 【請求項５】上記受光素子が、上記光変調器にモノリシ
ックに集積されていることを特徴とする請求項１乃至請
求項４のいずれかに記載の光中継器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22251398A JP3330875B2 (ja) | 1998-08-06 | 1998-08-06 | 光中継器 |
Applications Claiming Priority (1)
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