JP3333623B2 - Ｘ線及び電子線リソグラフィ用マスクメンブレン材の製造方法 - Google Patents
Ｘ線及び電子線リソグラフィ用マスクメンブレン材の製造方法Info
- Publication number
- JP3333623B2 JP3333623B2 JP04228794A JP4228794A JP3333623B2 JP 3333623 B2 JP3333623 B2 JP 3333623B2 JP 04228794 A JP04228794 A JP 04228794A JP 4228794 A JP4228794 A JP 4228794A JP 3333623 B2 JP3333623 B2 JP 3333623B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- film
- ray
- beam lithography
- membrane material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】高エネルギー電子線やシンクロト
ロン放射光のような高エネルギービームを照射しても応
力の変化が少なく、しかも良好な可視光線透過性を有す
るＸ線及び電子線リソグラフィ用マスクメンブレン材の
製造方法に関する。
ロン放射光のような高エネルギービームを照射しても応
力の変化が少なく、しかも良好な可視光線透過性を有す
るＸ線及び電子線リソグラフィ用マスクメンブレン材の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスにおけるパターン形成の
微細化に伴ない、将来のリソグラフィ技術としてＸ線及
び電子線リソグラフィ技術が最も有望視されている。Ｘ
線及び電子線リソグラフィに用いられるマスクのＸ線透
過膜（別の表現をすればＸ線吸収体の支持膜、以下メン
ブレンと略称する。）に要求される重要な性能として
は、 （１）表面が平滑で傷やピンホールが無く実用的な強度
を有すること。 （２）高精度なアライメント（位置合せ）に必要な可視
光透過率を有すること。 （３）良好な耐薬品性や耐湿性を有し、エッチング工程
や洗浄工程で損傷されにくいこと。 （４）高エネルギー電子線やシンクロトロン放射光の様
な高エネルギービームの照射に耐えること、等が挙げら
れる。従来、Ｘ線及び電子線リソフラフィ用マスクメン
ブレンの材料として、ほう素ドープＳi、Ｓi Ｃ、Ｓi3
Ｎ4 、Ｓi Ｃ／Ｓi3Ｎ4 ハイブリッドが提案されてい
る。中でもＳi Ｃ／Ｓi3Ｎ4 ハイブリッド膜は高い可視
光透過性と高弾性を有し、さらに高エネルギービーム照
射耐性に優れた材料である。
微細化に伴ない、将来のリソグラフィ技術としてＸ線及
び電子線リソグラフィ技術が最も有望視されている。Ｘ
線及び電子線リソグラフィに用いられるマスクのＸ線透
過膜（別の表現をすればＸ線吸収体の支持膜、以下メン
ブレンと略称する。）に要求される重要な性能として
は、 （１）表面が平滑で傷やピンホールが無く実用的な強度
を有すること。 （２）高精度なアライメント（位置合せ）に必要な可視
光透過率を有すること。 （３）良好な耐薬品性や耐湿性を有し、エッチング工程
や洗浄工程で損傷されにくいこと。 （４）高エネルギー電子線やシンクロトロン放射光の様
な高エネルギービームの照射に耐えること、等が挙げら
れる。従来、Ｘ線及び電子線リソフラフィ用マスクメン
ブレンの材料として、ほう素ドープＳi、Ｓi Ｃ、Ｓi3
Ｎ4 、Ｓi Ｃ／Ｓi3Ｎ4 ハイブリッドが提案されてい
る。中でもＳi Ｃ／Ｓi3Ｎ4 ハイブリッド膜は高い可視
光透過性と高弾性を有し、さらに高エネルギービーム照
射耐性に優れた材料である。
【０００３】しかし、これまでのＳi Ｃ／Ｓi3Ｎ4 ハイ
ブリッド膜はＳi3Ｎ4 とＳi Ｃの各粉末を混合してホッ
トプレス、常圧焼結、マイクロ波焼結等により焼結した
ものをターゲット材料として使用（特開平03- 196149号
参照）していた。このターゲットはＳi3Ｎ4 の分解温度
1800℃より低温の1600℃〜1700℃で焼結したものであ
り、一方、Ｓi Ｃの通常の焼結温度は2200℃であり、17
00℃程度ではＳi Ｃが焼結しないため粒子間に充分な結
合力が得られない。そのため、ＳiＣとＳi ＣおよびＳi
ＣとＳi3Ｎ4 とは単にホットプレス加工により弱く結
合している成形体に過ぎず、密度も 1.68g/cm3と低く、
ターゲット中に水、空気等の不純物を吸収し易く、また
バルクでの酸素量は1.20重量％と非常に多く含むもので
あった。このターゲットを使用して得られるメンブレン
はスパッタリング法で成膜するとはいえ、ターゲット中
の不純物も混入されてしまうという欠点があった。SIMS
（Secondary Ion Mass Spectrometry の略称）分析によ
ると膜中酸素量は、4.0 × 1020atoms/cm3、膜中水素量
は 4.0×1020atoms/cm3 であった。これは、高エネルギ
ービーム照射耐性上非常に不利な値（荒川、他：第53回
応用物理学会学術講演会予稿集No.2(1992)P・491、荒
川、他：第40回応用物理関係連合講演会予稿集 Ｎｏ．
2(1993)P・508）である。
ブリッド膜はＳi3Ｎ4 とＳi Ｃの各粉末を混合してホッ
トプレス、常圧焼結、マイクロ波焼結等により焼結した
ものをターゲット材料として使用（特開平03- 196149号
参照）していた。このターゲットはＳi3Ｎ4 の分解温度
1800℃より低温の1600℃〜1700℃で焼結したものであ
り、一方、Ｓi Ｃの通常の焼結温度は2200℃であり、17
00℃程度ではＳi Ｃが焼結しないため粒子間に充分な結
合力が得られない。そのため、ＳiＣとＳi ＣおよびＳi
ＣとＳi3Ｎ4 とは単にホットプレス加工により弱く結
合している成形体に過ぎず、密度も 1.68g/cm3と低く、
ターゲット中に水、空気等の不純物を吸収し易く、また
バルクでの酸素量は1.20重量％と非常に多く含むもので
あった。このターゲットを使用して得られるメンブレン
はスパッタリング法で成膜するとはいえ、ターゲット中
の不純物も混入されてしまうという欠点があった。SIMS
（Secondary Ion Mass Spectrometry の略称）分析によ
ると膜中酸素量は、4.0 × 1020atoms/cm3、膜中水素量
は 4.0×1020atoms/cm3 であった。これは、高エネルギ
ービーム照射耐性上非常に不利な値（荒川、他：第53回
応用物理学会学術講演会予稿集No.2(1992)P・491、荒
川、他：第40回応用物理関係連合講演会予稿集 Ｎｏ．
2(1993)P・508）である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、膜中
の酸素および水素が少なく、高エネルギー電子線や SOR
光( シンクロトロン放射光）の様な高エネルギービーム
を照射しても、応力や可視光透過性に変化のない、優れ
た高エネルギービーム耐性を有するＸ線及び電子線リソ
グラフィ用マスクメンブレン材を製造する方法にある。
の酸素および水素が少なく、高エネルギー電子線や SOR
光( シンクロトロン放射光）の様な高エネルギービーム
を照射しても、応力や可視光透過性に変化のない、優れ
た高エネルギービーム耐性を有するＸ線及び電子線リソ
グラフィ用マスクメンブレン材を製造する方法にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、かかる課
題を解決するためにスパッタリング成膜法のターゲット
材に着目して鋭意検討した結果、本発明を完成したもの
で、その要旨とするところは、スパッタリング法によ
り、基板上にＳi ＣとＳi3Ｎ4 のハイブリッド膜を形成
することよりなるＸ線及び電子線リソグラフィ用マスク
メンブレン材の製造方法において、互いに接触して配置
され、それぞれ複数であるＳiＣ成形体とＳi3Ｎ4成形体
よりなるターゲットを用いることを特徴とするものであ
る。
題を解決するためにスパッタリング成膜法のターゲット
材に着目して鋭意検討した結果、本発明を完成したもの
で、その要旨とするところは、スパッタリング法によ
り、基板上にＳi ＣとＳi3Ｎ4 のハイブリッド膜を形成
することよりなるＸ線及び電子線リソグラフィ用マスク
メンブレン材の製造方法において、互いに接触して配置
され、それぞれ複数であるＳiＣ成形体とＳi3Ｎ4成形体
よりなるターゲットを用いることを特徴とするものであ
る。
【０００６】以下、本発明を詳細に説明する。Ｓi Ｃ／
Ｓi3Ｎ4 ハイブリッド膜の成膜をスパッタリング法で行
う際に次のようなターゲットを用いる。Ｓi3Ｎ4 とＳi
Ｃとをそれぞれ別々にホットプレス、常圧焼結、マイク
ロ波焼結等を用いた焼結法で作製し、各々の焼結体ブロ
ックを所定のＳi Ｃ／Ｓi3Ｎ4 比に応じた組成比と大き
さおよび形状（図１参照）として、しかもそれぞれが出
来る限り均一な分布となるように細かく分割して交互に
配置（図２参照）する。このとき各焼結体ブロックは、
隙間なく密着配置することが好ましい。分割数は細かけ
れば細かい程均一性が増すので好ましいが、作業性の点
から限度があり、それぞれ30以下が好ましい。また、各
ブロックを貼り合せる方法はＳi3Ｎ4 の分解温度未満の
温度で焼結して直接貼り合わせ接合すればよく、他に極
僅かなＳi 粉末をバインダーとして挟んで、Ｓi3Ｎ4 の
分解温度未満の温度で焼結し接合することも可能であ
る。
Ｓi3Ｎ4 ハイブリッド膜の成膜をスパッタリング法で行
う際に次のようなターゲットを用いる。Ｓi3Ｎ4 とＳi
Ｃとをそれぞれ別々にホットプレス、常圧焼結、マイク
ロ波焼結等を用いた焼結法で作製し、各々の焼結体ブロ
ックを所定のＳi Ｃ／Ｓi3Ｎ4 比に応じた組成比と大き
さおよび形状（図１参照）として、しかもそれぞれが出
来る限り均一な分布となるように細かく分割して交互に
配置（図２参照）する。このとき各焼結体ブロックは、
隙間なく密着配置することが好ましい。分割数は細かけ
れば細かい程均一性が増すので好ましいが、作業性の点
から限度があり、それぞれ30以下が好ましい。また、各
ブロックを貼り合せる方法はＳi3Ｎ4 の分解温度未満の
温度で焼結して直接貼り合わせ接合すればよく、他に極
僅かなＳi 粉末をバインダーとして挟んで、Ｓi3Ｎ4 の
分解温度未満の温度で焼結し接合することも可能であ
る。
【０００７】Ｓi ＣとＳi3Ｎ4 とのモル比は95：５〜3
0：70が好ましい。Ｓi Ｃが95より多くなると、可視光
透過率がＳi Ｃ単独と同等の低い値を示し、逆に、Ｓi
Ｃが30より少なくなると、耐薬品性がＳi3Ｎ4 単独の場
合と同等の不充分な性能を示すので好ましくない。Ｓi
ＣとＳi3Ｎ4 の好適なモル比としては、80：20〜40：60
である。特に50：50の場合は成膜速度が大きく、Ｓi Ｃ
単独の場合の約２倍となり、生産性の向上に役立つ。こ
のハイブリッドターゲットを用い、成膜して得られるメ
ンブレンには不純物の酸素や水素が少なく優れた高エネ
ルギービーム耐性を有することがわかった。
0：70が好ましい。Ｓi Ｃが95より多くなると、可視光
透過率がＳi Ｃ単独と同等の低い値を示し、逆に、Ｓi
Ｃが30より少なくなると、耐薬品性がＳi3Ｎ4 単独の場
合と同等の不充分な性能を示すので好ましくない。Ｓi
ＣとＳi3Ｎ4 の好適なモル比としては、80：20〜40：60
である。特に50：50の場合は成膜速度が大きく、Ｓi Ｃ
単独の場合の約２倍となり、生産性の向上に役立つ。こ
のハイブリッドターゲットを用い、成膜して得られるメ
ンブレンには不純物の酸素や水素が少なく優れた高エネ
ルギービーム耐性を有することがわかった。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施態様を実施例と比較例を
挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。 （実施例）スパッタリングには、R.F.マグネトロンスパ
ッタリング装置SPF-332H型（日電アネルバ社製商品名）
を用いた。ターゲットには直径が４インチで厚さが５mm
t、組成比はＳi Ｃ／Ｓi3Ｎ4 ＝１／１（モル比）のも
のを用いた。以下ハイブリッドターゲットの作製方法に
ついて述べる。まず、直径４インチ、厚さが５mmt のＳ
i3Ｎ4 円板状ターゲットを純度99.8％以上の金属けい素
粉末をプレス機で成形し、これを純度99.999容量％の窒
素ガス雰囲気中1600℃で４時間反応させて得た。この密
度は 3.40g/cm3、バルクでの酸素量は0.16重量％であっ
た。次にこの円板状ターゲットを中心角18.4°で扇面状
に15個切り出した。切断には切断代を少なくするためφ
180μｍのワイヤソーを用いた。同様にＳi Ｃ円板状タ
ーゲットを純度99.9％以上のＳi Ｃ粉末を2200℃、200k
gf/cm2のホットプレス条件で焼結して得た。その密度は
3.20g/cm3、バルクでの酸素量は0.07重量％であった。
これをワイヤソーを用いて中心角 5.6°で扇面状に15個
切り出した。切断に用いたスラリーは、粒径が極めて小
さいものを用いており切断面の面粗さはミラー研磨面程
度であり、Ｒa （中心線平均粗さ）＝1.2nm 程度であっ
た。これらの焼結体ブロックを洗浄後、図２の様にＳi3
Ｎ4、Ｓi Ｃを交互に15個ずつ密着貼り合わせた後1700
℃に加熱して焼結接合させ、ハイブリッドターゲットを
得、これをターゲットホルダーにセットした。
挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。 （実施例）スパッタリングには、R.F.マグネトロンスパ
ッタリング装置SPF-332H型（日電アネルバ社製商品名）
を用いた。ターゲットには直径が４インチで厚さが５mm
t、組成比はＳi Ｃ／Ｓi3Ｎ4 ＝１／１（モル比）のも
のを用いた。以下ハイブリッドターゲットの作製方法に
ついて述べる。まず、直径４インチ、厚さが５mmt のＳ
i3Ｎ4 円板状ターゲットを純度99.8％以上の金属けい素
粉末をプレス機で成形し、これを純度99.999容量％の窒
素ガス雰囲気中1600℃で４時間反応させて得た。この密
度は 3.40g/cm3、バルクでの酸素量は0.16重量％であっ
た。次にこの円板状ターゲットを中心角18.4°で扇面状
に15個切り出した。切断には切断代を少なくするためφ
180μｍのワイヤソーを用いた。同様にＳi Ｃ円板状タ
ーゲットを純度99.9％以上のＳi Ｃ粉末を2200℃、200k
gf/cm2のホットプレス条件で焼結して得た。その密度は
3.20g/cm3、バルクでの酸素量は0.07重量％であった。
これをワイヤソーを用いて中心角 5.6°で扇面状に15個
切り出した。切断に用いたスラリーは、粒径が極めて小
さいものを用いており切断面の面粗さはミラー研磨面程
度であり、Ｒa （中心線平均粗さ）＝1.2nm 程度であっ
た。これらの焼結体ブロックを洗浄後、図２の様にＳi3
Ｎ4、Ｓi Ｃを交互に15個ずつ密着貼り合わせた後1700
℃に加熱して焼結接合させ、ハイブリッドターゲットを
得、これをターゲットホルダーにセットした。
【０００９】基板として直径３インチ、厚さ 600μｍの
両面ミラー研磨したＳi ウェーハを用いて、 800℃に加
熱した状態でアルゴンガスを15cc／分の流量で流した。
成膜後の膜の応力がメンブレン化に適当な１〜２×109d
yn/cm2の引張応力となる様に排気系に通じるバタフライ
バルブでチャンバー内を 6.0×10-2Torrの圧力に調整し
た後、パワーを２W/cm3 として10〜15分間スパッタリン
グを行い、膜厚 1.0μｍのＳi Ｃ／Ｓi3Ｎ4 ハイブリッ
ド膜を作製した。得られた薄膜を XPS（X-rayPhotoelec
tron Spectroscopyの略称）法による元素組成分析を行
った結果、ハイブリッドターゲットのＳi ＣとＳi3Ｎ4
の等モル比に近い組成であるＳi1Ｃ0.2Ｎ0.7 から成る
薄膜であることを確認した。次にSIMS法により膜中の酸
素と水素の量を測定したところ、それぞれ 4.4×1018 a
toms/cm3、 4.0×1019 atoms/cm3であった。次いでこの
膜を、シリコン基板をバックエッチングして窓を開けて
メンブレン化したものに SOR光を 100MJ/cm3照射し、そ
の結果を表１に示した。これから SOR光照射によるダメ
ージが全く無いことが判り、極めて SOR光照射耐性に優
れたメンブレン材であることが確認できた。
両面ミラー研磨したＳi ウェーハを用いて、 800℃に加
熱した状態でアルゴンガスを15cc／分の流量で流した。
成膜後の膜の応力がメンブレン化に適当な１〜２×109d
yn/cm2の引張応力となる様に排気系に通じるバタフライ
バルブでチャンバー内を 6.0×10-2Torrの圧力に調整し
た後、パワーを２W/cm3 として10〜15分間スパッタリン
グを行い、膜厚 1.0μｍのＳi Ｃ／Ｓi3Ｎ4 ハイブリッ
ド膜を作製した。得られた薄膜を XPS（X-rayPhotoelec
tron Spectroscopyの略称）法による元素組成分析を行
った結果、ハイブリッドターゲットのＳi ＣとＳi3Ｎ4
の等モル比に近い組成であるＳi1Ｃ0.2Ｎ0.7 から成る
薄膜であることを確認した。次にSIMS法により膜中の酸
素と水素の量を測定したところ、それぞれ 4.4×1018 a
toms/cm3、 4.0×1019 atoms/cm3であった。次いでこの
膜を、シリコン基板をバックエッチングして窓を開けて
メンブレン化したものに SOR光を 100MJ/cm3照射し、そ
の結果を表１に示した。これから SOR光照射によるダメ
ージが全く無いことが判り、極めて SOR光照射耐性に優
れたメンブレン材であることが確認できた。
【００１０】（比較例）比較のため、純度99.9％以上の
Ｓi3Ｎ4 粉と純度99.9％以上のＳi Ｃ粉を等モル混合し
て1700℃、200kgf/cm2のホットプレスで成形した直径４
インチ、厚さ５mmのターゲットを作製し、これを用いて
実施例と同一の条件でスパッタリング法により薄膜を得
た所、これはＳi1Ｃ0.2 Ｎ0.7 の組成を示し、膜中の酸
素と水素の量を測定したところ、それぞれ 4.0×1020 a
toms/cm3、 4.0×1020 atoms/cm3であった。またこれを
実施例と同一の条件でメンブレン化し、 100MJ/cm3の S
OR光を照射した結果を表１に併記したが、 SOR光照射に
よって応力と可視光透過率の低下が見られることが判っ
た。
Ｓi3Ｎ4 粉と純度99.9％以上のＳi Ｃ粉を等モル混合し
て1700℃、200kgf/cm2のホットプレスで成形した直径４
インチ、厚さ５mmのターゲットを作製し、これを用いて
実施例と同一の条件でスパッタリング法により薄膜を得
た所、これはＳi1Ｃ0.2 Ｎ0.7 の組成を示し、膜中の酸
素と水素の量を測定したところ、それぞれ 4.0×1020 a
toms/cm3、 4.0×1020 atoms/cm3であった。またこれを
実施例と同一の条件でメンブレン化し、 100MJ/cm3の S
OR光を照射した結果を表１に併記したが、 SOR光照射に
よって応力と可視光透過率の低下が見られることが判っ
た。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【発明の効果】 膜中の不純物、特に酸素と水素とが極めて少ないマス
クメンブレンが得られる。高エネルギービーム照射に
よる応力変動や可視光透過性の低下の少ない高エネルギ
ービーム照射耐性に優れたマスクメンブレンが得られ
る。の２点で産業上その利用価値は極めて高い。
クメンブレンが得られる。高エネルギービーム照射に
よる応力変動や可視光透過性の低下の少ない高エネルギ
ービーム照射耐性に優れたマスクメンブレンが得られ
る。の２点で産業上その利用価値は極めて高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のハイブリッドターゲットの一例を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】本発明のハイブリッドターゲットの他の例を示
す平面図である。
す平面図である。
１ Ｓi Ｃ成形体 ２ Ｓi3Ｎ4 成形
体
体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−196149（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−17661（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−56660（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−15908（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−17076（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−34310（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16
Claims (1)
- 【請求項１】スパッタリング法により、基板上にＳi Ｃ
とＳi3Ｎ4 のハイブリッド膜を形成することよりなるＸ
線及び電子線リソグラフィ用マスクメンブレン材の製造
方法において、互いに接触して配置され、それぞれ複数
であるＳiＣ成形体とＳi3Ｎ4成形体よりなるターゲット
を用いることを特徴とするＸ線及び電子線リソグラフィ
用マスクメンブレン材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04228794A JP3333623B2 (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | Ｘ線及び電子線リソグラフィ用マスクメンブレン材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04228794A JP3333623B2 (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | Ｘ線及び電子線リソグラフィ用マスクメンブレン材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249565A JPH07249565A (ja) | 1995-09-26 |
| JP3333623B2 true JP3333623B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=12631835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04228794A Expired - Fee Related JP3333623B2 (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | Ｘ線及び電子線リソグラフィ用マスクメンブレン材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3333623B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100392191B1 (ko) * | 2001-04-30 | 2003-07-22 | 학교법인 한양학원 | 마스크 멤브레인의 제조방법 |
| KR100470833B1 (ko) * | 2002-08-24 | 2005-03-10 | 한국전자통신연구원 | 넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖는 실리콘 카본나이트라이드(ＳｉＣＮ) 박막 제조방법 |
| US11685012B2 (en) * | 2017-11-06 | 2023-06-27 | Axus Technology, Llc | Planarized membrane and methods for substrate processing systems |
-
1994
- 1994-03-14 JP JP04228794A patent/JP3333623B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07249565A (ja) | 1995-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20040169033A1 (en) | Holder for use in semiconductor or liquid-crystal manufacturing device and semiconductor or liquid-crystal manufacturing device in which the holder is installed | |
| CN109161858B (zh) | 一种掺氮的铝钪合金靶材及其制造方法 | |
| CN113186528B (zh) | 一种铂金薄膜及其制备方法和用途 | |
| JP3333623B2 (ja) | Ｘ線及び電子線リソグラフィ用マスクメンブレン材の製造方法 | |
| JPH02167890A (ja) | ニッケル膜およびそれを形成するスパッタリング方法 | |
| CN1607054A (zh) | 高纯金属Mo粗粉与由其制得的烧结溅射靶 | |
| KR20010039716A (ko) | 저산소 및 고밀도의 구리/크롬 스퍼터 타깃 제조방법 | |
| EP0743677A2 (en) | Dummy Wafer | |
| CN113073295B (zh) | 一种钨溅射靶材坯料的制备方法及应用 | |
| JPH022834B2 (ja) | ||
| JPH07243036A (ja) | Ｉｔｏスパッタリングタ−ゲット | |
| JP4135357B2 (ja) | 金属シリサイドスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| WO2001021862A1 (en) | Coated diamond, method for preparing the same and composite material comprising the same | |
| CN119061361A (zh) | 相移掩模基版合金靶材及其制造方法 | |
| JPH0712017B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ／Ｓｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼膜の成膜方法 | |
| JP3528980B2 (ja) | タングステンシリサイドターゲット材およびその製造方法 | |
| JPH07278805A (ja) | 低酸素窒化けい素スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| CN114231814A (zh) | 一种无源真空维持吸气合金的制备方法及其应用 | |
| JPH09143649A (ja) | 高放熱性金属複合板材及びそれを用いた高放熱性金属基板 | |
| US6953761B2 (en) | Aluminum nitride sintered body and substrate for electronic devices | |
| JP3414412B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP3772357B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP3368764B2 (ja) | パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JPH06281795A (ja) | 放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製造方法 | |
| JPH10172884A (ja) | Ｘ線リソグラフィー用マスクメンブレン及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080726 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110726 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120726 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |