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JP3334835B2 - Displacement sensor device - Google Patents
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JP3334835B2 - Displacement sensor device - Google Patents

Displacement sensor device

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JP3334835B2
JP3334835B2 JP23085595A JP23085595A JP3334835B2 JP 3334835 B2 JP3334835 B2 JP 3334835B2 JP 23085595 A JP23085595 A JP 23085595A JP 23085595 A JP23085595 A JP 23085595A JP 3334835 B2 JP3334835 B2 JP 3334835B2
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礼三 金子
茂 梅村
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザの複合共振
を利用した変位センサー装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a displacement sensor device utilizing composite resonance of a laser.

【0002】[0002]

【従来の技術】磁気ディスク装置や光ディスク装置など
の記憶装置では、サブミクロン以下の精度が要求されて
いる。マイクロマシンも同様である。このような機器の
開発にはナノメートル精度の変位センサーが必要とな
る。また、変位検出は、センサーの基本である。弾性支
持される物体の変位を測定すれば加速度センサーになる
し、圧力によるダイアフラムの変形変位を測定すれば圧
力センサーになる。また、高精度の変位センサーを用い
れば用いるほど測定に必要な変位量は小さくてすむ。そ
の必要な変位量が小さければ小さいほど、これらのセン
サーの周波数帯域は拡大する。
2. Description of the Related Art In a storage device such as a magnetic disk device and an optical disk device, accuracy of sub-micron or less is required. The same applies to micromachines. Development of such devices requires a displacement sensor with nanometer accuracy. Also, displacement detection is the basis of a sensor. If the displacement of the elastically supported object is measured, it becomes an acceleration sensor, and if the deformation displacement of the diaphragm due to pressure is measured, it becomes a pressure sensor. Also, the more accurate the displacement sensor used, the smaller the amount of displacement required for measurement. The smaller the required displacement, the wider the frequency band of these sensors.

【0003】高精度の変位検出原理として光干渉法があ
る。しかし、光路系を含む検出機構は大形になってしま
う。最近、レーザの複合共振を利用した変位センサーが
開発された(片桐ほか、「結合共振器レーザーに基づく
高感度微小変位センサー」、計測と制御、34巻、6
号、1995、P.489)。
An optical interference method is a principle of detecting displacement with high accuracy. However, the detection mechanism including the optical path system becomes large. Recently, a displacement sensor using the complex resonance of a laser has been developed (Katagiri et al., "Highly Sensitive Micro Displacement Sensor Based on Coupled-Cavity Laser", Measurement and Control, 34, 6).
No. 1995, p. 489).

【0004】その構成を図4に示す。この変位センサー
は、半導体レーザ1と半導体フォトデテクタ2とマイク
ロ球レンズ3で構成され、レーザ1から発する光の観測
面4からの戻り光がレーザ発光と干渉し、発光強度が観
測面4の変位に従い、レーザ発光波長の半波長ごとに強
弱を繰り返すことを利用している。その強弱は半導体レ
ーザ1の背面(背面側にも発光する)にある半導体フォ
トデテクタ2で検出する。
FIG. 4 shows the configuration. This displacement sensor is composed of a semiconductor laser 1, a semiconductor photodetector 2, and a micro-sphere lens 3. The return light of the light emitted from the laser 1 from the observation surface 4 interferes with the laser light emission, and the light emission intensity changes the displacement of the observation surface 4. Is used to repeat the intensity for each half wavelength of the laser emission wavelength. The intensity is detected by a semiconductor photodetector 2 on the back surface of the semiconductor laser 1 (which also emits light on the back surface).

【0005】波長1.3ミクロンのレーザの場合の観測
面変位と発光強度の関係を図5に示す。λ/2=650
nmの変位ごとに発光強度は強弱を繰り返す。図5中A
のスロープを利用すると、数百ナノメートルの範囲で高
精度の変位測定が可能である。
FIG. 5 shows the relationship between the displacement of the observation surface and the emission intensity in the case of a laser having a wavelength of 1.3 μm. λ / 2 = 650
The emission intensity repeats strength and weakness for every displacement of nm. A in FIG.
With the use of a slope, displacement measurement with high accuracy in the range of several hundred nanometers is possible.

【0006】さらに、測定範囲を拡大するには、図6に
示すように、ピエゾ素子5を用いて、観測面変位に応じ
て半導体フォトデテクタ2の出力が一定になるようピエ
ゾ素子を駆動する制御回路6を設置する。ピエゾ素子5
の変位量すなわちピエゾ素子5に加えられる電圧は、観
測表面の変位を示している。この方法によりピエゾ素子
5の伸張範囲(通常数ミクロンから数十ミクロン)で変
位を測定することができる。
Further, in order to enlarge the measurement range, as shown in FIG. 6, control is performed by using a piezo element 5 to drive the piezo element so that the output of the semiconductor photodetector 2 becomes constant in accordance with the displacement of the observation plane. Circuit 6 is installed. Piezo element 5
, The voltage applied to the piezo element 5 indicates the displacement of the observation surface. With this method, the displacement can be measured in the extension range of the piezo element 5 (usually several microns to several tens microns).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記従来
の技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
SUMMARY OF THE INVENTION The present inventor has found the following problems as a result of studying the above conventional technology.

【0008】半導体レーザ1の発光強度は、温度によっ
て大きく変動する。この強度変動は、そのまま半導体フ
ォトデテクタ2の出力変動として現れ、その値は実験例
では変位換算で1度あたり数十ナノメートルに達するこ
とがわかった。すなわち、公知のこのセンサーは温度変
化に対して大きな誤差を生じるとの問題があった。
[0008] The emission intensity of the semiconductor laser 1 fluctuates greatly depending on the temperature. This intensity fluctuation appears as it is as an output fluctuation of the semiconductor photodetector 2, and it has been found that the value reaches several tens of nanometers per degree in terms of displacement in the experimental example. That is, this known sensor has a problem that a large error occurs with respect to a temperature change.

【0009】本発明の目的は、長時間にわたってナノメ
ートル精度の測定が可能な変位センサー装置を提供する
ことにある。
An object of the present invention is to provide a displacement sensor device capable of measuring with nanometer accuracy for a long time.

【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
にする。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本願に開示される発明の
うち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のと
おりである。
The following is a brief description of an outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application.

【0012】(1)半導体レーザ、半導体フォトデテク
タ、マイクロ球レンズ、及びピエゾ素子で構成される変
位センサー装置であって、前記ピエゾ素子を観測面に対
し、前記半導体フォトデテクタ出力の変位に対応する出
力電圧の最低値を中心に揺動させる手段と、その揺動手
段によるフォトデテクタ出力の積分値により揺動中心を
常に前記最低値に制御する手段とを具備する変位センサ
ー装置である。
(1) A displacement sensor device comprising a semiconductor laser, a semiconductor photodetector, a microsphere lens, and a piezo element, wherein the piezo element corresponds to a displacement of the output of the semiconductor photodetector with respect to an observation surface. A displacement sensor device comprising: means for oscillating around the lowest value of the output voltage; and means for constantly controlling the center of oscillation to the minimum value by an integrated value of a photodetector output by the oscillating means.

【0013】(2)前記(1)の変位センサー装置にお
いて、前記半導体レーザの温度による出力変動を検出
し、温度にかかわらずレーザ出力を一定にする制御手段
を具備するものである。
(2) The displacement sensor device according to (1), further comprising control means for detecting an output fluctuation due to the temperature of the semiconductor laser and keeping the laser output constant regardless of the temperature.

【0014】前述の手段によれば、前記ピエゾ素子の揺
動中心を常にそのピエゾ素子の出力が変位に対して不連
続的に変化する点(図2に示すB点)に保持するように
制御することにより、PZT揺動中心から観測面の変位
を検知でき、かつ、レーザ光の強度を制御することによ
りレーザ光の温度による測定誤差の発生を解消するの
で、長時間にわたるナノメートル精度の変位測定を可能
にすることができる。
According to the above-described means, control is performed such that the oscillation center of the piezo element is always maintained at a point where the output of the piezo element changes discontinuously with respect to the displacement (point B shown in FIG. 2). By doing so, the displacement of the observation surface can be detected from the center of PZT oscillation, and the occurrence of measurement errors due to the temperature of the laser beam is eliminated by controlling the intensity of the laser beam. Measurement can be enabled.

【0015】[0015]

【実施の形態】以下、本発明についてその実施の形態
(実施例)とともに図面を参照して詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings together with its embodiments (examples).

【0016】図1は、本発明の実施の形態(実施例)に
おける変位センサー装置の概略構成を示すブロック構成
図である。本実施形態(実施例)の変位センサー装置
は、半導体レーザ1、半導体フォトデテクタ2、マイク
ロ球レンズ3、観測面4、ピエゾ素子5、制御回路6、
レーザ制御回路7、積分回路8、PZT制御回路9、発
振器10で構成されている。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a displacement sensor device according to an embodiment (example) of the present invention. The displacement sensor device of this embodiment (example) includes a semiconductor laser 1, a semiconductor photodetector 2, a microsphere lens 3, an observation surface 4, a piezo element 5, a control circuit 6,
It comprises a laser control circuit 7, an integration circuit 8, a PZT control circuit 9, and an oscillator 10.

【0017】前記レーザ制御回路7は、半導体レーザ1
の発光強度が一定になるように半導体フォトデテクタ2
の出力の平均値(レーザの平均値)によりレーザ出力を
制御する制御回路である。
The laser control circuit 7 includes the semiconductor laser 1
Semiconductor photodetector 2 so that the light emission intensity of
Is a control circuit for controlling the laser output by the average value of the outputs (average value of the laser).

【0018】前記積分回路8は、ピエゾ素子5の揺動に
伴う正パルスON・負パルスOFFの正電圧の矩形波、
負パルスON・正パルスOFFの負電圧の矩形波の2種
のある定められた電圧の矩形波を積分する回路である。
The integrator circuit 8 has a positive voltage rectangular wave of a positive pulse ON and a negative pulse OFF associated with the oscillation of the piezo element 5,
This is a circuit for integrating two types of rectangular waves of a predetermined voltage, that is, a negative voltage rectangular wave having a negative pulse ON and a positive pulse OFF.

【0019】前記PZT制御回路9は、ピエゾ素子5を
揺動させる電圧を発生する発振器10と積分回路8の信
号を加算し、ピエゾ素子5を揺動させるとともに、常に
揺動中心を図2に示すB点に保持するように制御する回
路である。
The PZT control circuit 9 adds an oscillator 10 for generating a voltage for oscillating the piezo element 5 and a signal from the integration circuit 8 to oscillate the piezo element 5 and always keeps the oscillation center in FIG. This is a circuit that controls so as to be held at the indicated point B.

【0020】図2は本実施形態(実施例)の変位センサ
ー装置における半導体フォトデテクタ2の出力(以下、
PD出力という)と変位の関係を示す特性図であり、A
は変位に対してほぼリニアに出力が変化する部分、Bは
出力が変位に対して不連続的に変化する点である。
FIG. 2 shows the output of the semiconductor photodetector 2 in the displacement sensor device of the present embodiment (embodiment) (hereinafter referred to as the output).
FIG. 4 is a characteristic diagram showing a relationship between displacement and PD displacement.
Is a portion where the output changes almost linearly with respect to the displacement, and B is a point where the output changes discontinuously with respect to the displacement.

【0021】次に、本実施形態(実施例)の変位センサ
ー装置の動作を説明する。図1において、半導体レーザ
1から発する光をマイクロ球レンズ3を介して観測面4
に照射すると、半導体レーザ1から発するレーザ光とこ
のレーザ光の観測面4からの戻り光が干渉し、発光強度
が観測面4の変位に従い、レーザ発光波長の半波長ごと
に強弱を繰り返すことを利用している。その強弱は半導
体レーザ1の背面(背面側にも発光する)にある半導体
フォトデテクタ2で検出する。
Next, the operation of the displacement sensor device of this embodiment (example) will be described. In FIG. 1, light emitted from a semiconductor laser 1 is transmitted through a microsphere lens 3 to an observation surface 4.
Irradiates the laser light emitted from the semiconductor laser 1 and the return light of the laser light from the observation surface 4 to interfere with each other, and the light emission intensity repeats the intensity according to the displacement of the observation surface 4 every half wavelength of the laser emission wavelength. We are using. The intensity is detected by a semiconductor photodetector 2 on the back surface of the semiconductor laser 1 (which also emits light on the back surface).

【0022】図2に示すように、PD出力が変位に対し
て不連続的に変化するB点を中心にピエゾ素子(センサ
ー)5を微少間隔dで揺動させると、B点の左側ではゆ
るやかな変化の特性を示し、半導体フォトデテクタ2の
出力(以下、PD出力という)は図3に示すような特性
となる。
As shown in FIG. 2, when the piezo element (sensor) 5 is swung at a small interval d around the point B where the PD output changes discontinuously with respect to the displacement, the left side of the point B is gently moved. The output of the semiconductor photodetector 2 (hereinafter, referred to as PD output) has characteristics as shown in FIG.

【0023】そして、PD出力の微分をとると、B点近
くでは傾きはゆるやかになる。揺動波形を正弦波(si
nωt)にし、揺動中心をB点にとれば、PD出力及び
PD出力の微分波形は図3のようになる。前記揺動波形
を正弦波(sinωt)もしくはそれに類した波形が駆
動のしやすさと、あとで述べる位置の検出に望ましい。
When the derivative of the PD output is calculated, the inclination becomes gentle near point B. The sine wave (si
nωt) and the center of oscillation is point B, the PD output and the differential waveform of the PD output are as shown in FIG. A sine wave (sin ωt) or a waveform similar to the oscillating waveform is desirable for ease of driving and position detection described later.

【0024】本実施形態(実施例)の変位センサー装置
において、前記PD出力を時間微分した波形は、急激な
立上がりもしくは立下がりパルス波形が図2のB点の位
置で発生する。このパルスを用いてフリップ・フロップ
回路(図示していない)を動作させれば、図3に示すよ
うに、正パルスONの正電圧の矩形波、負パルスONの
負電圧の矩形波の2種のある定められた電圧の矩形波を
発生させることができる。
In the displacement sensor device of this embodiment (embodiment), as for the waveform obtained by time-differentiating the PD output, a sharp rising or falling pulse waveform is generated at the position of point B in FIG. When a flip-flop circuit (not shown) is operated using this pulse, as shown in FIG. 3, there are two types of a rectangular wave of a positive voltage of a positive pulse ON and a rectangular wave of a negative voltage of a negative pulse ON. It is possible to generate a rectangular wave having a predetermined voltage.

【0025】揺動が前記図2のB点を中心に行われる場
合は、両矩形波の波長は同一であり、両者を加算積分し
た出力は零となる。B点が揺動中心からずれた場合には
両矩形波の波長が異なり、両者を加算積分した出力は正
負いずれかの値となる。この信号を誤差信号とし、この
信号を常に零となるようにピエゾ素子5を動作させれ
ば、揺動中心は常に図2のB点の位置にとどまる。観測
面4の変位に応じてピエゾ素子5の動作電圧は変化し、
その変化動作電圧は、観測面4の変位を示すことにな
る。
When the swing is performed around the point B in FIG. 2, the wavelengths of the two rectangular waves are the same, and the output obtained by adding and integrating the two becomes zero. When the point B deviates from the center of oscillation, the wavelengths of the two rectangular waves are different, and the output obtained by adding and integrating the two becomes either a positive or negative value. If this signal is used as an error signal and the piezo element 5 is operated so that this signal is always zero, the center of swing always remains at the position of point B in FIG. The operating voltage of the piezo element 5 changes according to the displacement of the observation surface 4,
The change operating voltage indicates the displacement of the observation surface 4.

【0026】本実施形態の変位センサ装置では、前記積
分回路8で、ピエゾ素子5の揺動に伴う正パルスON・
負パルスOFFの正電圧の矩形波、負パルスON・正パ
ルスOFFの負電圧の矩形波の2種のある定められた電
圧の矩形波を積分し、前記PZT制御回路9で、ピエゾ
素子5を揺動させる電圧を発生する発振器10と積分回
路8の出力信号を加算し、ピエゾ素子5を揺動させると
ともに、常に揺動中心を図2に示すB点に保持するよう
に制御することにより、PZT揺動中心から観測面の変
位を検知でき、かつ、レーザ光の光強度を制御すること
により温度による測定誤差の発生を解消するので、長時
間にわたるナノメートル精度の測定を可能にすることが
できる。
In the displacement sensor device of the present embodiment, the integration circuit 8 uses the positive pulse ON / OFF associated with the oscillation of the piezo element 5.
The PZT control circuit 9 integrates the piezo element 5 with the PZT control circuit 9 by integrating two types of rectangular waves having a predetermined voltage, that is, a rectangular wave of a positive voltage with a negative pulse OFF and a rectangular wave of a negative voltage with a negative pulse ON and a negative voltage with a positive pulse OFF. By adding the output signal of the oscillator 10 that generates the voltage to be oscillated and the output signal of the integration circuit 8 to oscillate the piezo element 5 and always keeping the oscillation center at the point B shown in FIG. Since the displacement of the observation surface can be detected from the center of the PZT oscillation, and the occurrence of measurement errors due to temperature is eliminated by controlling the light intensity of the laser beam, it is possible to perform measurement with nanometer accuracy for a long time. it can.

【0027】以上、本発明を、前記実施形態(実施例)
に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施形態
(実施例)に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
As described above, the present invention is applied to the above embodiment (example).
However, the present invention is not limited to the above-described embodiment (example), and it is needless to say that various changes can be made without departing from the gist of the present invention.

【0028】[0028]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0029】ピエゾ素子の揺動中心を常にそのピエゾ素
子の出力が変位に対して不連続的に変化する点(図2に
示すB点)に保持するように制御することにより、PZ
T揺動中心から観測面の変位を検知でき、かつ、レーザ
光の強度を制御することによりレーザ光の温度による測
定誤差の発生を解消するので、長時間にわたるナノメー
トル精度の変位測定を可能にすることができる。
By controlling the oscillation center of the piezo element to be always maintained at a point where the output of the piezo element changes discontinuously with respect to the displacement (point B shown in FIG. 2), the PZ is controlled.
The displacement of the observation surface can be detected from the center of the T swing, and the occurrence of measurement errors due to the temperature of the laser beam is eliminated by controlling the intensity of the laser beam. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態(実施例)における変位セ
ンサー装置の概略構成を示すブロック構成図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a displacement sensor device according to an embodiment (example) of the present invention.

【図2】本実施形態(実施例)の変位センサー装置にお
ける半導体フォトデテクタ2の出力(以下、PD出力と
いう)と変位の関係を示す特性図である。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing a relationship between an output (hereinafter, referred to as a PD output) of a semiconductor photodetector 2 and a displacement in the displacement sensor device of the present embodiment (example).

【図3】本実施形態(実施例)の変位センサー装置の動
作を説明するための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the displacement sensor device of the present embodiment (example).

【図4】従来のレーザの複合共振を利用した変位センサ
ー装置の概略構成を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional displacement sensor device using composite resonance of a laser.

【図5】図4に示す従来のレーザの複合共振を利用した
変位センサー装置における光出力と変位の関係を示す特
性図である。
FIG. 5 is a characteristic diagram showing a relationship between optical output and displacement in the conventional displacement sensor device using composite resonance of a laser shown in FIG.

【図6】従来のレーザの複合共振を利用した変位センサ
ー装置の測定範囲を拡大した変位センサー装置の概略構
成を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of a displacement sensor device in which a measurement range of a conventional displacement sensor device using composite resonance of a laser is enlarged.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体レーザ、2…半導体フォトデテクタ、3…マ
イクロ球レンズ、4…観測面、5…ピエゾ素子、6…制
御回路、7…レーザ制御回路、8…積分回路、9…PZ
T制御回路、10…発振器。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor laser, 2 ... Semiconductor photodetector, 3 ... Microsphere lens, 4 ... Observation surface, 5 ... Piezo element, 6 ... Control circuit, 7 ... Laser control circuit, 8 ... Integration circuit, 9 ... PZ
T control circuit, 10 oscillator.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−95167(JP,A) 特開 平8−145634(JP,A) 特開 昭60−256079(JP,A) 特開 平4−116412(JP,A) 特開 平4−116402(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01B 11/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-5-95167 (JP, A) JP-A-8-145634 (JP, A) JP-A-60-256079 (JP, A) 116412 (JP, A) JP-A-4-116402 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G01B 11/00

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体レーザと半導体フォトデテクタと
マイクロ球レンズで構成される変位センサーと、該変位
センサーを観測面に対し、前記半導体フォトデテクタ出
力の変位に対応する出力電圧の最低値を中心に揺動させ
る手段と、その揺動手段によるフォトデテクタ出力の積
分値により揺動中心を常に前記最低値に制御する手段と
を具備することを特徴とする変位センサー装置。
1. A displacement sensor comprising a semiconductor laser, a semiconductor photodetector, and a microsphere lens, and the displacement sensor is positioned with respect to an observation surface with respect to a minimum value of an output voltage corresponding to a displacement of the output of the semiconductor photodetector. A displacement sensor device comprising: means for oscillating; and means for constantly controlling the center of oscillation to the minimum value by an integrated value of a photodetector output by the oscillating means.
【請求項2】 前記半導体レーザの温度による出力変動
を検出し、温度にかかわらずレーザ出力を一定にする制
御手段を具備することを特徴とする請求項1に記載され
る変位センサー装置。
2. The displacement sensor device according to claim 1, further comprising control means for detecting a change in output of the semiconductor laser due to a temperature and keeping the laser output constant regardless of the temperature.
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