JP3336802B2 - Lead frame cladding material and lead frame manufacturing method - Google Patents
Lead frame cladding material and lead frame manufacturing methodInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、アウターリードの端部
にアウターリードと別の金属材料からなるエッチングス
トップ部を介してインナーリードを接続したリードフレ
ームの製造方法と、この製造に好適に用いられるリード
フレーム用クラッド材に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a lead frame in which an inner lead is connected to an end of the outer lead through an etching stop made of another metal material, and is preferably used for this manufacturing. And a clad material for a lead frame.
【0002】[0002]
【従来の技術】リードフレームとして、例えば図3に示
すように銅からなるアウターリード1と、その基部表面
に形成されたアルミニウムからなるエッチングストップ
部2と、該エッチングストップ部2に接続された銅から
なる薄肉のインナーリード3と、該インナーリード3の
先端部に形成されたアルミニウム等からなるバンプ4と
を有して構成されたものが知られている。このリードフ
レームは、通常、バンプ4を介して半導体チップ5の電
極パッド6にボンディングされ、封止樹脂7により半導
体チップ5が封止されることによって用いられる。2. Description of the Related Art As a lead frame, for example, as shown in FIG. 3, an outer lead 1 made of copper, an etching stop portion 2 made of aluminum formed on the base surface thereof, and a copper connected to the etching stop portion 2 are formed. And a thin inner lead 3 made of aluminum and a bump 4 made of aluminum or the like formed at the tip of the inner lead 3 are known. This lead frame is usually used by bonding to the electrode pads 6 of the semiconductor chip 5 via the bumps 4 and sealing the semiconductor chip 5 with a sealing resin 7.
【0003】このようなリードフレームを製造するにあ
たっては、従来、図4に示すように厚肉のアウターリー
ド用銅層8と、エッチングストップ用アルミニウム層9
と、薄肉のインナーリード用銅層10とを積層した三層
構造のクラッド材11を用い、これをエッチング加工す
るといった手法が知られている。すなわち、前記クラッ
ド材11に対し、アウターリード用銅層8を選択的にエ
ッチングし、さらにインナーリード用銅層10を選択的
にエッチングすることによってリードフレームを製造し
ているのである。そして、この製造に際し、エッチング
ストップ用のアルミニウム層9を設けたことにより、イ
ンナーリード用のエッチングによるアウターリードの侵
食、およびアウターリード用のエッチングによるインナ
ーリードの侵食がそれぞれ防止されているのである。In manufacturing such a lead frame, conventionally, as shown in FIG. 4, a thick outer lead copper layer 8 and an etching stop aluminum layer 9 are formed.
A method is known in which a three-layered clad material 11 in which a thin copper layer 10 for an inner lead is laminated with a thin layer is used and etched. That is, the lead frame is manufactured by selectively etching the outer lead copper layer 8 and selectively etching the inner lead copper layer 10 with respect to the clad material 11. By providing the etching stop aluminum layer 9 in this manufacturing, the erosion of the outer leads due to the etching for the inner leads and the erosion of the inner leads due to the etching for the outer leads are respectively prevented.
【0004】ところが、このような従来のリードフレー
ムでは、その製造にあたって、特にインナーリード3の
パターニングを片面エッチングにより形成せざるをえな
いことから、そのサイドエッチング量が大きくなること
を避けることができず、したがってインナーリード3に
ついてのファインピッチ化に限界があり、超高集積化の
要求に十分応えられないといった問題があった。すなわ
ち、従来ではインナーリードの幅、およびその間隔を7
5μm程度としていたのを、超高集積化に伴ってインナ
ーリードの幅および間隔を35μm程度にする必要が生
じていものの、これに対応するためには、エッチングに
よりインナーリードを形成する従来法では製造工程上極
めて難しくなっているのである。However, in such a conventional lead frame, since the patterning of the inner leads 3 must be formed by one-sided etching in the manufacture thereof, it is possible to avoid an increase in the amount of side etching. Therefore, there is a problem in that the fine pitch of the inner lead 3 is limited, and the demand for ultra-high integration cannot be sufficiently satisfied. That is, conventionally, the width of the inner lead and the interval between the inner lead are set to 7
Although it was about 5 μm, the width and spacing of the inner leads have to be reduced to about 35 μm in accordance with the ultra-high integration, but in order to cope with this, the conventional method of forming the inner leads by etching has It is extremely difficult in the process.
【0005】近年、このような問題を解決するため、前
記クラッド材11のインナーリード用銅層10をエッチ
ングしてこれから直接インナーリード3…を形成するの
でなく、レジスト膜をマスクとして前記インナーリード
用銅層10の上に銅を電解メッキすることにより、イン
ナーリードを形成する方法が提供されている。このよう
な方法においてクラッド材11のインナーリード用銅層
10は、その上にインナーリードを電解メッキ法で析出
形成する際の、該インナーリードとの密着性を良好にす
るための密着層として機能している。In recent years, in order to solve such a problem, the inner lead copper layer 10 of the clad material 11 is not etched to directly form the inner leads 3. A method of forming inner leads by electroplating copper on the copper layer 10 is provided. In such a method, the copper layer 10 for the inner lead of the clad material 11 functions as an adhesion layer for improving the adhesion to the inner lead when the inner lead is deposited thereon by electrolytic plating. are doing.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにインナーリード用銅層10の上にさらに銅をメッキ
してインナーリードを形成する方法では、インナーリー
ドを電解メッキした際、電解メッキにより析出形成され
たインナーリードに異常析出部分が形成され易くなって
いる。また、エッチングストップ用のアルミニウム層9
があるものの、このアルミニウム層9はその大部分がエ
ッチング除去されるものであることから、コスト上、お
よびエッチング処理工程上、その厚みを必要以上に厚く
することができず、したがってアウターリード用銅層8
を選択的にエッチングした際、アルミニウム層9が十分
バリヤ(エッチングストップ層)として機能せず、これ
によりアウターリード用銅層8と反対の側にあるインナ
ーリードに断線や欠けといった製造不良が生じ易くなっ
ている。そして、このように製造不良が生じ易くなって
いることから、歩留りの低さに起因して製造コストが高
くなっているのが現状であり、したがって前記したよう
な製造不良の防止が望まれているのである。However, in the method of forming an inner lead by further plating copper on the inner lead copper layer 10 as described above, when the inner lead is electrolytically plated, a deposit is formed by electrolytic plating. An abnormal precipitation portion is easily formed on the inner lead thus formed. Also, an aluminum layer 9 for etching stop
However, since most of the aluminum layer 9 is removed by etching, the thickness cannot be increased more than necessary in terms of cost and etching process. Layer 8
Is selectively etched, the aluminum layer 9 does not sufficiently function as a barrier (etching stop layer), and as a result, manufacturing defects such as disconnection or chipping are likely to occur in the inner lead on the side opposite to the outer lead copper layer 8. Has become. In addition, since manufacturing defects are liable to occur in this manner, the present situation is that manufacturing costs are high due to low yield, and thus prevention of manufacturing defects as described above is desired. It is.
【0007】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、インナーリードを電解メ
ッキにより析出形成した際の異常析出を防止し、さらに
アウターリード形成の際のエッチング処理においてイン
ナーリードに悪影響を及ぼさないようにしたリードフレ
ームの製造方法と、これに好適に用いられるリードフレ
ーム用クラッド材を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to prevent abnormal deposition when an inner lead is formed by electrolytic plating, and furthermore, in an etching process when forming an outer lead. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a lead frame which does not adversely affect inner leads, and a lead frame clad material suitably used for the method.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決するべく鋭意研究の結果、前記異常析出は以下の原
因によるものと推定した。クラッド材11におけるアル
ミニウム層9とインナーリード用銅層10との間におい
ては、例えば層間に残留した微量の水分などの影響によ
りこれら層9、10間にて局部電池が形成され、これに
起因して層9、10にピンホールが形成され、あるいは
局部電池形成以外の理由によりピンホールが形成され
る。そして、このようなピンホールの形成により、前記
異常析出が生じる。Means for Solving the Problems As a result of earnest studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have presumed that the abnormal precipitation is caused by the following causes. A local battery is formed between the aluminum layer 9 and the inner lead copper layer 10 in the clad material 11 between the layers 9 and 10 due to, for example, a small amount of moisture remaining between the layers. Pinholes are formed in the layers 9 and 10, or pinholes are formed for reasons other than local cell formation. The formation of such pinholes causes the abnormal precipitation.
【0009】また、アウターリード用銅層8の選択エッ
チングの際の前記インナーリードの製造不良は、以下の
原因によるものと推定した。前述した理由によるピンホ
ールの形成に加え、アウターリード形成のための選択エ
ッチング処理に先立ち、インナーリード形成などの工程
でインナーリード用銅層8側からの処理(例えばインナ
ーリード形成のための電解メッキ処理やその前処理)を
施すことから、これらの処理に起因してインナーリード
用銅層10、さらにはその下のアルミニウム層9にやは
りピンホールが形成され、これに起因して前記選択エッ
チングの際、アルミニウム層9、さらにはインナーリー
ド用銅層10がバリヤ(エッチングストップ層)として
十分に機能しなくなる。そして、このような推定のもと
にクラッド材を種々改良した結果、以下の構成のものが
前記課題を解決してインナーリードを良好に形成し得る
ことを見いだし、本発明を完成した。Further, it was presumed that the manufacturing defect of the inner lead during the selective etching of the outer lead copper layer 8 was caused by the following causes. In addition to the formation of the pinholes for the reasons described above, prior to the selective etching process for forming the outer leads, the process from the side of the inner lead copper layer 8 in the process of forming the inner leads (for example, electrolytic plating for forming the inner leads) Process and pre-process), a pinhole is also formed in the copper layer 10 for the inner lead and the aluminum layer 9 therebelow due to these processes. In this case, the aluminum layer 9 and the inner lead copper layer 10 do not sufficiently function as a barrier (etching stop layer). As a result of various improvements of the clad material based on such estimation, the inventors have found that the following structure can solve the above-mentioned problems and can form an inner lead well, and have completed the present invention.
【0010】すなわち、本発明における請求項1記載の
リードフレーム用クラッド材では、アウターリード形成
部材となる板状の金属ベースと、該金属ベースの一方の
面に該金属ベースと異なる金属材料から形成されたエッ
チングストップ層と、該エッチングストップ層の上に前
記金属ベース、エッチングストップ層と異なる金属材料
から形成されたバリヤ層と、該バリヤ層の上に形成され
て、インナーリードを電解メッキ法で析出形成する際の
該インナーリードとの密着性を良好にするための密着層
と、からなることを前記課題の解決手段とした。That is, in the lead frame clad material according to the first aspect of the present invention, a plate-shaped metal base serving as an outer lead forming member, and a metal material different from the metal base on one surface of the metal base. Etched stop layer, the metal base on the etch stop layer, a barrier layer formed of a metal material different from the etch stop layer, formed on the barrier layer, the inner lead by electrolytic plating An object of the present invention is to provide an adhesive layer for improving the adhesion to the inner lead during the deposition.
【0011】また、請求項4記載のリードフレームの製
造方法では、前記リードフレーム用クラッド材の密着層
上に、形成すべきインナーリードに対してネガのパター
ンを有するメッキマスク層を形成する工程と、前記密着
層上に前記メッキマスク層をマスクとしてメッキするこ
とによりインナーリードを形成する工程と、前記金属ベ
ースのアウターリードが配置される領域にアウターリー
ドを形成する工程と、前記金属ベースの前記インナーリ
ードが配設された領域の裏側をエッチングにより除去す
る工程と、前記エッチングストップ層をエッチングする
工程と、前記バリヤ層をエッチングする工程と、前記密
着層をエッチングする工程とを有することを前記課題の
解決手段とした。According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a lead frame, a plating mask layer having a negative pattern with respect to an inner lead to be formed is formed on the adhesion layer of the lead frame cladding material. Forming an inner lead by plating on the adhesion layer using the plating mask layer as a mask, forming an outer lead in a region where the outer lead of the metal base is disposed, and A step of etching the back side of the region where the inner lead is provided, a step of etching the etching stop layer, a step of etching the barrier layer, and a step of etching the adhesion layer. This was the solution to the problem.
【0012】[0012]
【作用】本発明における請求項1記載のリードフレーム
用クラッド材によれば、エッチングストップ層と密着層
との間に、エッチングストップ層と異なる金属材料から
なるバリヤ層を設けたことから、例えば該バリヤ層を、
エッチングストップ層を形成する金属のイオン化傾向
と、密着層を形成する金属のイオン化傾向との間のイオ
ン化傾向にある、すなわちイオン化列がその間に位置す
る金属によって形成すれば、エッチングストップ層と密
着層との間に局部電池が形成されることが防止されると
ともに、該バリヤ層とエッチングストップ層との間、あ
るいは該バリヤ層と密着層との間に局部電池が形成され
ても、エッチングストップ層と密着層との間に形成され
る局部電池に比べその起電力が小さくなり、したがって
エッチングストップ層等におけるピンホールの形成が従
来に比べ抑制される。また、バリヤ層が密着層とエッチ
ングストップ層との間に形成されていることから、イン
ナーリード形成工程等の密着層側からの処理に起因し
て、たとえ密着層にピンホール等が形成されても、該バ
リヤ層がエッチングストップ層を保護する層として機能
し、これによりエッチングストップ層にピンホールが形
成されることが防止される。According to the cladding material for a lead frame of the present invention, a barrier layer made of a metal material different from the etching stop layer is provided between the etching stop layer and the adhesion layer. The barrier layer
If there is an ionization tendency between the ionization tendency of the metal forming the etching stop layer and the ionization tendency of the metal forming the adhesion layer, that is, if the ionization column is formed by a metal located therebetween, the etching stop layer and the adhesion layer A local battery is prevented from being formed between the barrier layer and the etching stop layer, or even if a local battery is formed between the barrier layer and the adhesion layer, the etching stop layer The electromotive force is smaller than that of the local battery formed between the contact layer and the contact layer, and therefore, the formation of pinholes in the etching stop layer and the like is suppressed as compared with the related art. Further, since the barrier layer is formed between the adhesion layer and the etching stop layer, even if a pinhole or the like is formed in the adhesion layer due to processing from the adhesion layer side such as an inner lead forming step. Also, the barrier layer functions as a layer for protecting the etching stop layer, thereby preventing pinholes from being formed in the etching stop layer.
【0013】本発明のリードフレームの製造方法によれ
ば、前記請求項1記載のリードフレーム用クラッド材を
用いてリードフレームを製造するので、製造に際して、
該リードフレーム用クラッド材のエッチングストップ層
等にピンホールが形成されることに起因する、インナー
リード析出形成の際の異常析出や、アウターリード形成
時における選択エッチングの際のインナーリードの製造
不良が防止される。According to the method for manufacturing a lead frame of the present invention, the lead frame is manufactured using the clad material for a lead frame according to the first aspect.
Due to the formation of pinholes in the etching stop layer or the like of the cladding material for the lead frame, abnormal deposition at the time of forming the inner lead and defective production of the inner lead at the time of selective etching at the time of forming the outer lead. Is prevented.
【0014】[0014]
【実施例】以下、本発明を図面を参照して詳しく説明す
る。図1(a)は本発明のリードフレーム用クラッド材
の一実施例を示す要部斜視断面図であり、図1(a)中
符号20はリードフレーム用クラッド材(以下、クラッ
ド材と略称する)である。このクラッド材20は、板状
の金属ベース21と、該金属ベースの一方の面に形成さ
れたエッチングストップ層22と、該エッチングストッ
プ層22の上に形成されたバリヤ層23と、該バリヤ層
23の上に形成された密着層24とからなるものであ
り、金属ベース20上の所定位置に、これよりはるかに
小面積のエッチングストップ層22、バリヤ層23、密
着層24からなる三層の積層部が多数形成されて構成さ
れたものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 (a) is a perspective view of an essential part showing an embodiment of a clad material for a lead frame according to the present invention. In FIG. 1 (a), reference numeral 20 denotes a clad material for a lead frame (hereinafter abbreviated as a clad material). ). The clad material 20 includes a plate-shaped metal base 21, an etching stop layer 22 formed on one surface of the metal base, a barrier layer 23 formed on the etching stop layer 22, And a contact layer 24 formed on the metal base 20. At a predetermined position on the metal base 20, there are formed three layers of an etching stop layer 22, a barrier layer 23, and a contact layer 24 having a much smaller area. It is configured by forming a large number of laminated portions.
【0015】金属ベース21は、銅、銅合金あるいは4
2合金からなる厚さ150μm程度の板体であり、リー
ドフレームのアウターリードを形成するための部材とな
るものである。エッチングストップ層22は、従来と同
様にアルミニウムからなるものであり、厚さが1.0μ
mから5.0μmに形成されたものである。バリヤ層2
3は、クロムからなるものであり、厚さが0.1μmか
ら0.2μmに形成されたものである。密着層24は、
従来と同様に銅からなるものであり、厚さが1.0μm
から2.0μmに形成されたものである。The metal base 21 is made of copper, copper alloy or 4
It is a plate made of two alloys and having a thickness of about 150 μm, and serves as a member for forming outer leads of a lead frame. The etching stop layer 22 is made of aluminum as in the conventional case, and has a thickness of 1.0 μm.
m to 5.0 μm. Barrier layer 2
Reference numeral 3 is made of chromium and has a thickness of 0.1 μm to 0.2 μm. The adhesion layer 24
It is made of copper as before, and has a thickness of 1.0 μm.
To 2.0 μm.
【0016】このようなクラッド材20を製造するに
は、例えば金属ベース21として前記厚みのCu合金
〔(商品名;TAMAC−15材)三菱伸銅社製〕を用
意し、その表面層を蒸着イオンビーム法により12nm
程度エッチングしてクリーニング処理し、その表面酸化
膜を除去した後、これの所定位置にスパッタ法等によっ
てアルミニウム(Al)、クロム(Cr)、銅(Cu)
の順に蒸着(堆積)処理を行い、前記範囲の厚さのエッ
チングストップ層22、バリヤ層23、密着層24を形
成する。In order to manufacture such a clad material 20, for example, a Cu alloy (trade name: TAMAC-15 material, manufactured by Mitsubishi Shindoh Co., Ltd.) having the above thickness is prepared as the metal base 21, and its surface layer is deposited. 12 nm by ion beam method
After cleaning by etching to a certain extent and removing the surface oxide film, aluminum (Al), chromium (Cr), copper (Cu) is placed at a predetermined position by sputtering or the like.
Is performed in this order to form the etching stop layer 22, the barrier layer 23, and the adhesion layer 24 having the thicknesses in the above ranges.
【0017】ここで、バリア層23としてクロムを用い
たのは、イオン化列(イオン化傾向)において該クロム
が、エッチングストップ層22となるアルミニウムと、
密着層24となる銅との間に位置すること、さらには製
造工程上蒸着処理が容易であり、またアルミニウム、銅
との密着性が比較的良好であるなどの理由にもよるが、
最も大きな理由は、実際にクロムでバリヤ層23を形成
したクラッド材20を用いてリードフレームを製造した
ところ、従来に比べリードフレームの歩留りを格段に高
めることができたという経験的な理由からである。Here, the reason why chromium is used as the barrier layer 23 is that, in the ionization sequence (ionization tendency), the chromium is used as aluminum to become the etching stop layer 22;
Although it is located between the copper serving as the adhesion layer 24, and furthermore, the deposition process is easy in the manufacturing process, and the adhesion between the aluminum and the copper is relatively good.
The most significant reason is that the lead frame was manufactured using the clad material 20 in which the barrier layer 23 was actually formed of chromium, and the empirical reason that the yield of the lead frame could be remarkably increased as compared with the conventional case. is there.
【0018】また、エッチングストップ層22の厚さを
1.0μmから5.0μmとしたのは、1.0μm未満
では蒸着時にピンホールが形成されることなどからエッ
チングストップ層としての機能、すなわち金属ベース2
1を選択エッチングしてアウターリードを形成する際、
インナーリード側を保護する機能が十分に確保できなく
なるからであり、5μmを越えると、コスト面で不利に
なるとともに、最終的にこのエッチングストップ層22
をエッチングして除去する際、エッチング時間が長くな
ることなどによって製造上のロスが多くなるからであ
る。The reason why the thickness of the etching stop layer 22 is changed from 1.0 μm to 5.0 μm is that if the thickness is less than 1.0 μm, a pinhole is formed during vapor deposition. Base 2
When forming outer leads by selective etching of 1,
This is because the function of protecting the inner lead side cannot be sufficiently secured. If the thickness exceeds 5 μm, the cost is disadvantageous, and the etching stop layer 22
This is because when etching is removed, a loss in manufacturing increases due to an increase in etching time and the like.
【0019】バリア層23の厚さを0.1μmから0.
2μmとしたのは、エッチングストップ層22の場合と
同様に、0.1μm未満ではそのバリヤ層としての機能
が十分に発揮されず、0.2μmを越えるとコスト面で
不利になり、さらにエッチング除去時のロスが多くなる
からである。ただし、このバリア層23については、あ
くまでエッチングストップ層23に対して補助的に機能
させるものであるから、その厚さについては、前記した
ようにエッチングストップ層22に比べ格段に薄い厚さ
で十分にその機能を発揮するのである。The thickness of the barrier layer 23 ranges from 0.1 μm to 0.1 μm.
When the thickness is set to 2 μm, as in the case of the etching stop layer 22, if the thickness is less than 0.1 μm, the function as a barrier layer is not sufficiently exhibited. This is because the loss of time increases. However, since the barrier layer 23 functions only as an auxiliary to the etching stop layer 23, it is sufficient that the barrier layer 23 is much thinner than the etching stop layer 22 as described above. It performs its function in the first place.
【0020】密着層24の厚さを1.0μmから2.0
μmとしたのは、1.0μm未満では蒸着時にピンホー
ルが形成されることなどからその上に電解メッキ法で形
成するインナリードとの密着性が十分に確保されず、異
常析出を招くおそれがあるからであり、2.0μmを越
えると、最終的にこの密着層24をエッチングして除去
する際エッチング時間が長くなり、またこの密着層24
が形成するインナーリードと同じ材質であることに起因
して後述するエッチングの工程管理が困難になるからで
ある。The thickness of the adhesion layer 24 is set to 1.0 μm to 2.0 μm.
When the thickness is less than 1.0 μm, pinholes are formed at the time of vapor deposition, and the adhesion to the inner lead formed thereon by the electrolytic plating method is not sufficiently ensured, which may cause abnormal deposition. If the thickness exceeds 2.0 μm, the etching time will be long when the adhesion layer 24 is finally removed by etching.
This is because it is difficult to control the etching process described later due to the use of the same material as the inner lead to be formed.
【0021】次に、このような構造のクラッド材20を
用いたリードフレームの製造方法をもとに、本発明にお
ける請求項4記載の製造方法の一実施例を説明する。ま
ず、図1(a)に示したクラッド材20を用意し、続い
て、密着層24上のインナーリード形成箇所にドライフ
ィルム(図示略)を貼着し、さらにこのドライフィルム
に予め用意した露光マスクを用いて公知の露光・現像処
理を行い、形成すべきインナーリードに対してネガのパ
ターンを形成して本発明におけるメッキマスク層を得
る。Next, an embodiment of the manufacturing method according to claim 4 of the present invention will be described based on a manufacturing method of a lead frame using the clad material 20 having such a structure. First, the clad material 20 shown in FIG. 1A is prepared, and then a dry film (not shown) is adhered to the inner lead forming portion on the adhesion layer 24, and the exposure film prepared beforehand is applied to the dry film. A known exposure and development process is performed using a mask to form a negative pattern on the inner lead to be formed, thereby obtaining a plating mask layer according to the present invention.
【0022】そして、パターン形成後必要に応じて脱脂
処理を行い、さらに硫酸等により密着層24表面を活性
化し、その後硫酸銅メッキをすることによって図1
(b)に示すようにバリヤ層23表面の密着層24上に
銅製のインナーリード25…を形成する。硫酸銅メッキ
について具体的には、メッキ液としてCuSO4 が80
g/l、H2 SO4 が200g/l、Cl- イオンが5
0ppmのものを用い、電流密度を1.0〜4.0A/
dm2 程度として電気メッキを行う。このようにして形
成するインナーリード25…については、その線幅が3
5μm程度、リード間の間隔も35μm程度、厚みが3
0μm程度とされる。ここで、各インナーリード25に
ついては、図1(b)に示すようにその基端部が密着層
24(すなわちエッチングストップ層23)上から外側
にはみ出、金属ベース21に直接接合するようにして形
成する。Then, after the pattern is formed, a degreasing treatment is performed if necessary, and the surface of the adhesion layer 24 is activated with sulfuric acid or the like, followed by copper sulfate plating.
As shown in (b), inner leads 25 made of copper are formed on the adhesion layer 24 on the surface of the barrier layer 23. For copper sulfate plating, specifically, CuSO 4 is used as a plating solution.
g / l, H 2 SO 4 200 g / l, Cl − ion 5
And a current density of 1.0 to 4.0 A /
Electroplating is performed at about dm 2 . The inner leads 25 formed in this manner have a line width of 3
About 5 μm, spacing between leads is about 35 μm, thickness is 3
It is about 0 μm. Here, as shown in FIG. 1B, the base end of each inner lead 25 protrudes outward from the adhesive layer 24 (that is, the etching stop layer 23), and is directly bonded to the metal base 21. Form.
【0023】このようにしてインナーリード25…を形
成したら、前記ドライフィルム(メッキマスク層)を除
去し、必要に応じてインナーリード25…表面に補強テ
ープ(図示略)を該インナーリード25…と交差する方
向に接着し、インナーリード25、25を補強する。な
お、このようなインナーリード25…形成の処理等にお
いては、種々の薬液によって密着層24側が化学的に攻
撃されるものの、該密着層24の下でかつエッチングス
トップ層22の上にバリヤ層23が設けられていること
から、エッチングストップ層22にピンホールが形成さ
れることが防止されている。After the inner leads 25 are formed in this manner, the dry film (plating mask layer) is removed, and if necessary, a reinforcing tape (not shown) is provided on the surface of the inner leads 25. The inner leads 25 are reinforced by bonding in the crossing direction. In the process of forming the inner leads 25, etc., the chemical bonding of the barrier layer 23 under the adhesive layer 24 and on the etching stop layer 22, although various chemicals attack the adhesive layer 24 side chemically. Is provided, so that a pinhole is prevented from being formed in the etching stop layer 22.
【0024】次に、金属ベース21の裏面、すなわちイ
ンナーリード25…を形成した側と反対の側の面にレジ
ストパターン(図示略)を形成し、さらにこれをマスク
とし過酸化水素水と硫酸からなるエッチング剤を用いて
金属ベース21を選択エッチングすることにより、図1
(c)に示すようにアウターリード26…を形成する。
また、これと同時に、先にインナーリード25…を形成
した箇所の裏側Nについても金属ベース21部分を選択
的にエッチング除去する。このとき、インナーリード2
5…の裏側には密着層24、クロムからなるバリヤ層2
3、アルミニウムからなるエッチングストップ層22が
形成されていることから、インナーリード25…は前記
選択エッチング処理によって損傷されることなく保護さ
れたものとなっている。Next, a resist pattern (not shown) is formed on the back surface of the metal base 21, that is, on the surface opposite to the side on which the inner leads 25 are formed. By selectively etching the metal base 21 using an etching agent,
The outer leads 26 are formed as shown in FIG.
At the same time, the metal base 21 is also selectively etched away on the back side N of the portion where the inner leads 25 are formed first. At this time, inner lead 2
5 on the back side, the adhesion layer 24 and the barrier layer 2 made of chromium
3. Since the etching stop layer 22 made of aluminum is formed, the inner leads 25 are protected without being damaged by the selective etching process.
【0025】なお、インナーリード25…形成箇所の裏
側N部分におけるエッチングについては、特にその上に
形成されたエッチングストップ層22に対応する箇所全
てを除去するのではなく、エッチングストップ層22の
外周部の所定幅分に対応する箇所をそのまま残すように
して行う。したがって、前記アウターリード26…のパ
ターンについては、該アウターリード26…がそれぞれ
エッチングストップ層22における残された部分に対応
する箇所をその一部とするようにして形成される。In the etching of the N portion on the back side of the inner lead 25..., Not all the portions corresponding to the etching stop layer 22 formed thereon are removed, but the outer peripheral portion of the etching stop layer 22. Is performed so as to leave a portion corresponding to the predetermined width as it is. Therefore, the patterns of the outer leads 26 are formed such that the portions corresponding to the remaining portions of the etching stop layer 22 are part of the outer leads 26.
【0026】次いで、このようにして金属ベース21を
エッチング除去したら、インナーリード形成箇所の裏側
Nにおいて露出したエッチングストップ層22をエッチ
ング除去する。このエッチングについては、当然アルミ
ニウムを侵食し、アウターリード26、インナーリード
25を侵食しないように行う必要があり、例えばウェッ
トエッチングで行う場合には、リン酸系のエッチング液
を用いる。また、ドライエッチングで行う場合には、エ
ッチングガスとしてBCl3 (40SCCM)+Cl2
(100SCCM)+HeまたはN2 (1500SCC
M)を用い、RFパワーが220W、圧力1340P
a、テーブル温度5℃、エッチング速度7μm/240
secといった条件の反応性イオンエッチングによって
行う。Next, after the metal base 21 is removed by etching in this manner, the etching stop layer 22 exposed on the back side N of the location where the inner lead is formed is removed by etching. It is necessary to perform this etching so as to erode aluminum and not to erode the outer leads 26 and the inner leads 25. For example, when performing wet etching, a phosphoric acid-based etchant is used. When dry etching is performed, BCl 3 (40 SCCM) + Cl 2 is used as an etching gas.
(100 SCCM) + He or N 2 (1500 SCC
M), RF power is 220W, pressure is 1340P
a, table temperature 5 ° C., etching rate 7 μm / 240
This is performed by reactive ion etching under conditions such as sec.
【0027】このようにしてエッチングストップ層22
をエッチングすると、このエッチングストップ層22の
裏側にあるバリア層23も、その厚さがエッチングスト
ップ層22に比べ十分に薄いことなどから、同時に除去
される。ただし、エッチングに時間については、従来に
比べ長く行うのはもちろんである。なお、前述したよう
に金属ベース21が除去されずに残った箇所に対応す
る、外周部の所定部分においては、エッチングストップ
層22、バリア層23のいずれもが除去されずに部分的
に残る。そして、この残った部分が、図3に示したエッ
チングストップ部2となるのである。Thus, the etching stop layer 22
Is etched, the barrier layer 23 on the back side of the etching stop layer 22 is simultaneously removed because its thickness is sufficiently smaller than that of the etching stop layer 22. However, it goes without saying that the etching is performed for a longer time than before. As described above, in a predetermined portion of the outer peripheral portion corresponding to a portion where the metal base 21 remains without being removed, neither the etching stop layer 22 nor the barrier layer 23 partially remains without being removed. The remaining portion becomes the etching stop portion 2 shown in FIG.
【0028】その後、エッチングストップ層22が除去
されたことによりインナーリード25…と反対の側にも
露出した密着層24を、例えば過酸化水素水と硫酸とフ
ッ酸とからなるエッチング剤を用いてエッチング除去
し、これにより各隣接するインナーリード25、25間
を完全に分離した状態にする。(もちろん、樹脂封止後
アウターリードの不要部分をカットするまではアウター
リード26のダイバー部分26aによっては短絡された
状態になっている。)なお、ここでのエッチングについ
ては、密着層24がインナーリード25と同じに銅製で
あることから、密着層24のみを選択的にエッチング除
去するのは困難であり、したがってその厚さの違い(イ
ンナーリード25は約30μm、密着層24は1.0〜
2.0μm)を利用してこれらを同時にエッチングし、
密着層24が確実に除去され、かつインナーリード25
が例えば25μm程度の十分な厚さを残している時点で
エッチングを終了させるといった手法が採られる。そし
て、アルミニウムのスパッタリング、フォトエッチング
等によって各インナーリード25の先端部表面にバンプ
(図示略)を形成し、図3に示したような構成のリード
フレームを得る。Thereafter, the adhesion layer 24 exposed also on the side opposite to the inner leads 25... Due to the removal of the etching stop layer 22 is formed by using an etching agent composed of, for example, a hydrogen peroxide solution, sulfuric acid and hydrofluoric acid. This is removed by etching so that the adjacent inner leads 25 are completely separated from each other. (Of course, after the resin is sealed, the diver portion 26a of the outer lead 26 is short-circuited until the unnecessary portion of the outer lead is cut.) In the etching here, the inner layer 24 is formed by the inner layer. Since it is made of copper like the lead 25, it is difficult to selectively remove only the adhesion layer 24 by etching. Therefore, the difference in thickness (the inner lead 25 is about 30 μm, and the adhesion layer 24 is 1.0 to 1.0 μm).
2.0 μm) to etch them simultaneously.
The adhesion layer 24 is surely removed and the inner leads 25
For example, a method is adopted in which the etching is terminated when a sufficient thickness of about 25 μm is left. Then, bumps (not shown) are formed on the distal end surfaces of the inner leads 25 by aluminum sputtering, photoetching, or the like, to obtain a lead frame having a configuration as shown in FIG.
【0029】このようなリードフレームの製造方法にあ
っては、クラッド材20として、アルミニウムからなる
エッチングストップ層22と銅からなる密着層24との
間に、クロムからなるバリヤ層23を設けたものを用い
ていることから、以下の効果を奏する。バリヤ層23を
形成するクロムのイオン化傾向が、エッチングストップ
層22を形成するアルミニウムと密着層24を形成する
銅との間に位置することから、エッチングストップ層2
2と密着層24との間に局部電池が形成されることを防
止することができ、また、該バリヤ層23とエッチング
ストップ層22との間、あるいは該バリヤ層23と密着
層24との間に局部電池が形成されても、エッチングス
トップ層22と密着層24との間に形成される局部電池
に比べその起電力が小さくなり、したがってエッチング
ストップ層22等におけるピンホールの形成を従来に比
べ抑制することができ、これによりピンホールに起因し
て生じるインナーリード25の異常析出を防止すること
ができる。In such a method of manufacturing a lead frame, a cladding material 20 is provided with a barrier layer 23 made of chromium between an etching stop layer 22 made of aluminum and an adhesion layer 24 made of copper. The following effects can be obtained by using. Since the ionization tendency of chromium forming the barrier layer 23 is located between aluminum forming the etching stop layer 22 and copper forming the adhesion layer 24, the etching stop layer 2
2 and the adhesion layer 24 can be prevented from being formed, and between the barrier layer 23 and the etching stop layer 22, or between the barrier layer 23 and the adhesion layer 24. Even when a local battery is formed, the electromotive force is smaller than that of the local battery formed between the etching stop layer 22 and the adhesion layer 24, and therefore, the formation of a pinhole in the etching stop layer 22 and the like is smaller than that in the related art. Thus, abnormal deposition of the inner lead 25 caused by the pinhole can be prevented.
【0030】また、密着層24とエッチングストップ層
22との間にバリヤ層23を形成したので、インナーリ
ード形成工程等の密着層24側からの処理に際して、該
バリヤ23層がエッチングストップ層22を保護する層
として機能することにより、エッチングストップ層22
にピンホールが形成されることを防止することができ、
したがってアウターリード形成時における選択エッチン
グの際のインナーリードの製造不良も防止することがで
きる。Further, since the barrier layer 23 is formed between the adhesion layer 24 and the etching stop layer 22, the barrier layer 23 forms the etching stop layer 22 during processing from the adhesion layer 24 side such as an inner lead forming step. By functioning as a protective layer, the etching stop layer 22
Pinholes can be prevented from being formed in the
Therefore, it is possible to prevent the manufacturing defect of the inner lead during the selective etching at the time of forming the outer lead.
【0031】また、インナーリード25…を、その基端
部が金属ベース21に当接するようにして形成したの
で、得られたリードフレームは、そのアウターリード2
6…とインナーリード25…とが直接接続したものとな
る。したがって、このリードフレームは、アウターリー
ド26…とインナーリード25…との間の接合強度が高
くなるとともに、これらの間に電位差が生ずることがな
くなることから、このリードフレームに半導体チップが
搭載され、樹脂封止されてICとして使用に供された
際、経年劣化により水分が封止樹脂中に浸入しても、イ
ンナーリード25…やアウターリード26…とエッチン
グストップ部(エッチングストップ層22)との間に局
部電池が形成され、これによりエッチングストップ部の
腐食が促進されるといった不都合が防止されたものとな
る。Also, since the inner leads 25 are formed such that the base ends thereof are in contact with the metal base 21, the obtained lead frame is formed of the outer leads 2.
6 and the inner leads 25 are directly connected. Accordingly, in this lead frame, the bonding strength between the outer leads 26 and the inner leads 25 is increased, and a potential difference is not generated between them. Therefore, a semiconductor chip is mounted on the lead frame. When used as an IC after being sealed with a resin, even if moisture penetrates into the sealing resin due to aging, even if moisture enters the sealing resin, the inner leads 25 and / or the outer leads 26 and the etching stop portion (etching stop layer 22) may be in contact with each other. A local battery is formed in between, thereby preventing the disadvantage that corrosion of the etching stop portion is promoted.
【0032】なお、前記実施例ではインナーリード形成
に先立ち、ドライフィルムによってインナーリードのネ
ガパターンを形成したが、例えばこれに代えて、電着レ
ジスト(日本化学石油製オリゴEC−UV)等のレジス
ト材を用いてメッキレジスト層を形成し、これに公知の
露光・現像処理を施すことによってネガパターンを形成
し、本発明のメッキマスク層としてもよい。In the above-described embodiment, the negative pattern of the inner lead was formed by a dry film prior to the formation of the inner lead. For example, instead of this, a resist such as an electrodeposition resist (oligo EC-UV manufactured by Nippon Chemical Petroleum) may be used. A plating resist layer may be formed using a material, and a known pattern may be formed by subjecting the layer to a known exposure and development process to form a plating mask layer according to the present invention.
【0033】(実験例)正方形状の銅製の金属ベース上
にアルミニウム、クロム、銅を順次蒸着し、厚さ1.3
μmのアルミニウムからなるエッチングストップ層、厚
さ0.2μmのクロムからなるバリヤ層、厚さ2.0μ
mの銅からなる密着層をそれぞれ形成して、図1(a)
に示した本発明の層構成からなるクラッド材を8枚作製
した。また、これとは別に、前記金属ベースと同じ金属
ベース上にアルミニウム、銅を順次蒸着し、厚さ1.3
μmのアルミニウムからなるエッチングストップ層、厚
さ2.0μmの銅からなる密着層をそれぞれ形成して、
従来の層構成からなるクラッド材を6枚作製した。(Experimental example) Aluminum, chromium, and copper were sequentially deposited on a square copper metal base to have a thickness of 1.3.
etching stop layer made of aluminum with a thickness of 0.2 μm, barrier layer made of chromium with a thickness of 0.2 μm, thickness of 2.0 μm
Each of the adhesion layers made of copper is formed as shown in FIG.
Eight clad members having the layer structure of the present invention shown in FIG. Separately, aluminum and copper are sequentially deposited on the same metal base as the above-mentioned metal base to have a thickness of 1.3.
forming an etching stop layer made of μm aluminum and an adhesion layer made of copper having a thickness of 2.0 μm,
Six cladding materials having a conventional layer configuration were produced.
【0034】このようにして得られた各クラッド材の密
着層面を、図2に示すように中心側から順にA領域、B
領域、C領域とし、I/Lセンター露出部となるA領域
と、ボールグリッドエリアとなるC領域とにポッティン
グを行い、ポリイミドテープエリアとなるB領域にはポ
ッティング無しとした。なお、ポッティングについては
手塗りにて行った。次いで、各クラッド材に対して、そ
の金属ベース面にレジストパターンを形成し、その後金
属ベースを、過酸化水素水と硫酸とからなるエッチング
剤を用いて選択エッチングした。このようにしてエッチ
ング処理した後の各クラッド材の、エッチングにより露
出したエッチングストップ層(アルミニウム層)のピン
ホールの数を、電子顕微鏡写真から目視によってカウン
トした。As shown in FIG. 2, the adhesion layer surfaces of the respective cladding materials obtained in this manner are arranged in the order of A region, B region from the center side.
The area and the C area were potted to the A area serving as the I / L center exposed portion and the C area serving as the ball grid area, and no potting was applied to the B area serving as the polyimide tape area. Note that potting was performed by hand coating. Next, a resist pattern was formed on the metal base surface of each clad material, and thereafter, the metal base was selectively etched using an etching agent composed of a hydrogen peroxide solution and sulfuric acid. The number of pinholes of the etching stop layer (aluminum layer) exposed by the etching of each clad material after the etching treatment was visually counted from an electron microscope photograph.
【0035】本発明品のクラッド材では、A領域、B領
域、C領域のいずれにおいても、各領域で14〜70程
度のピンホールしか発生していなかった。一方従来のク
ラッド材では、6枚中3枚のクラッド材で全ての領域に
それぞれ150以上のピンホールが発生しており、残り
3枚のクラッド材でもA領域、C領域に150以上のピ
ンホールが発生していた。したがって、本発明品は従来
品に比べ、ピンホールの発生が1/3〜1/20に減少
していることが確認された。このような結果よりバリヤ
層を形成した本発明品は、ピンホールに起因する製造不
良を、従来品に比べ大幅に低減できることが判明した。In the clad material of the present invention, in each of the A region, the B region and the C region, only about 14 to 70 pinholes were generated in each region. On the other hand, in the conventional clad material, more than 150 pinholes are generated in all the regions in three out of the six clad materials, and more than 150 pinholes are formed in the A region and the C region in the remaining three clad materials. Had occurred. Therefore, it was confirmed that the occurrence of pinholes of the product of the present invention was reduced to 1/3 to 1/20 of that of the conventional product. From these results, it was found that the product of the present invention in which the barrier layer was formed was able to significantly reduce manufacturing defects caused by pinholes as compared with the conventional product.
【0036】[0036]
【発明の効果】以上説明したように本発明における請求
項1記載のリードフレーム用クラッド材は、エッチング
ストップ層と密着層との間に、エッチングストップ層と
異なる金属材料からなるバリヤ層を設けたものであるか
ら、例えば該バリヤ層を、エッチングストップ層を形成
する金属のイオン化傾向と、密着層を形成する金属のイ
オン化傾向との間のイオン化傾向にある金属によって形
成すれば、エッチングストップ層と密着層との間に局部
電池が形成されにくくなるなどといった作用により、エ
ッチングストップ層等におけるピンホールの形成を従来
に比べ抑制することができ、これによりインナーリード
析出形成の際の異常析出を防止して製造不良を低減し、
歩留りを高くすることによって製造コストの低減化を図
ることができる。また、密着層とエッチングストップ層
との間にバリヤ層を形成し、インナーリード形成工程等
の密着層側からの処理に際して、エッチングストップ層
を保護する層として該バリヤ層を機能させていることか
ら、この処理においてエッチングストップ層にピンホー
ルが形成されることを防止することができ、これにより
アウターリード形成時における選択エッチングの際のイ
ンナーリードの製造不良を防止して製造不良を低減し、
歩留りを高くすることによって製造コストの低減化を図
ることができる。As described above, in the clad material for a lead frame according to the first aspect of the present invention, a barrier layer made of a metal material different from the etching stop layer is provided between the etching stop layer and the adhesion layer. For example, if the barrier layer is formed of a metal having an ionization tendency between the ionization tendency of the metal forming the etching stop layer and the metal forming the adhesion layer, the etching stop layer By preventing local cells from being formed between the adhesion layer and the like, it is possible to suppress the formation of pinholes in the etching stop layer, etc., as compared with the conventional method, thereby preventing abnormal deposition during inner lead deposition. To reduce manufacturing defects,
The manufacturing cost can be reduced by increasing the yield. In addition, a barrier layer is formed between the adhesion layer and the etching stop layer, and the barrier layer functions as a layer for protecting the etching stop layer during processing from the adhesion layer side such as an inner lead forming step. In this process, it is possible to prevent a pinhole from being formed in the etching stop layer in this process, thereby preventing a manufacturing defect of the inner lead at the time of selective etching at the time of forming the outer lead and reducing a manufacturing defect,
The manufacturing cost can be reduced by increasing the yield.
【0037】本発明のリードフレームの製造方法は、前
記請求項1記載のリードフレーム用クラッド材を用いて
リードフレームを製造する方法であるから、製造に際し
て、該リードフレーム用クラッド材のエッチングストッ
プ層等にピンホールが形成されることに起因する、イン
ナーリード析出形成の際の異常析出や、アウターリード
形成時における選択エッチングの際のインナーリードの
製造不良を防止することができ、これにより歩留りを高
くして製造コストを低減することができる。The method for manufacturing a lead frame according to the present invention is a method for manufacturing a lead frame using the cladding material for a lead frame according to claim 1, so that the etching stop layer of the cladding material for the lead frame is used during the manufacturing. It is possible to prevent abnormal deposition at the time of forming the inner lead and defective manufacturing of the inner lead at the time of selective etching at the time of forming the outer lead due to the formation of pinholes at the same time. Higher cost can be reduced.
【図1】(a)は本発明のクラッド材の一実施例を示す
要部斜視断面図、(b)、(c)は(a)に示したクラ
ッド材を用いてなる本発明の製造方法の一実施例を説明
するための製造工程図である。FIG. 1 (a) is a perspective view of an essential part showing one embodiment of a clad material of the present invention, and FIGS. 1 (b) and 1 (c) show a production method of the present invention using the clad material shown in FIG. 1 (a). FIG. 6 is a manufacturing process diagram for explaining one embodiment.
【図2】ポッテイング領域を示すためのクラッド材の平
面図である。FIG. 2 is a plan view of a clad material for showing a potting region.
【図3】リードフレームの一例を示す側断面図である。FIG. 3 is a side sectional view showing an example of a lead frame.
【図4】従来の三層クラッド材の一例を示す側断面図で
ある。FIG. 4 is a side sectional view showing an example of a conventional three-layer clad material.
20 リードフレーム用クラッド材 21 金属ベース 22 エッチングストップ層 23 バリヤ層 24 密着層 25 インナーリード 26 アウターリード Reference Signs List 20 clad material for lead frame 21 metal base 22 etching stop layer 23 barrier layer 24 adhesion layer 25 inner lead 26 outer lead
Claims (4)
属ベースと、 該金属ベースの一方の面に該金属ベースと異なる金属材
料から形成されたエッチングストップ層と、 該エッチングストップ層の上に前記金属ベース、エッチ
ングストップ層と異なる金属材料から形成されたバリヤ
層と、 該バリヤ層の上に形成されて、インナーリードを電解メ
ッキ法で析出形成する際の該インナーリードとの密着性
を良好にするための密着層と、 からなることを特徴とするリードフレーム用クラッド
材。1. A plate-shaped metal base serving as an outer lead forming member; an etching stop layer formed on one surface of the metal base from a metal material different from the metal base; A metal base, a barrier layer formed of a metal material different from the etching stop layer, and a good adhesion between the inner lead and the inner lead when the inner lead is deposited and formed by electrolytic plating on the barrier layer. A cladding material for a lead frame, comprising:
ド材において、 前記金属ベースが銅あるいは銅合金からなり、 前記エッチングストップ層がアルミニウムからなり、 前記バリヤ層がクロムからなり、 前記密着層が銅からなる、 ことを特徴とするリードフレーム用クラッド材。2. The clad material for a lead frame according to claim 1, wherein the metal base is made of copper or a copper alloy, the etching stop layer is made of aluminum, the barrier layer is made of chromium, and the adhesion layer is copper. A cladding material for a lead frame, comprising:
ド材において、 前記エッチングストップ層が1.0μmから5.0μm
の厚さに形成されてなり、 前記バリヤ層が0.1μmから0.5μmの厚さに形成
されてなり、 前記密着層が1.0μmから2.0μmの厚さに形成さ
れてなる、 ことを特徴とするリードフレーム用クラッド材。3. The cladding material for a lead frame according to claim 2, wherein the etching stop layer has a thickness of 1.0 μm to 5.0 μm.
The barrier layer is formed to a thickness of 0.1 μm to 0.5 μm, and the adhesion layer is formed to a thickness of 1.0 μm to 2.0 μm. A clad material for a lead frame, characterized by the following.
属ベースと、 該金属ベースの一方の面に該金属ベースと異なる金属材
料から形成されたエッチングストップ層と、該エッチン
グストップ層の上に前記金属ベース、エッチングストッ
プ層と異なる金属材料から形成されたバリヤ層と、該バ
リヤ層の上に形成されて、インナーリードを電解メッキ
法で析出形成する際の該インナーリードとの密着性を良
好にするための密着層とからなるリードフレーム用クラ
ッド材を用いたリードフレームの製造方法であって、 前記リードフレーム用クラッド材の密着層上に、形成す
べきインナーリードに対してネガのパターンを有するメ
ッキマスク層を形成する工程と、 前記密着層上に前記メッキマスク層をマスクとしてメッ
キすることによりインナーリードを形成する工程と、 前記金属ベースのアウターリードが配置される領域にア
ウターリードを形成する工程と、 前記金属ベースの前記インナーリードが配設された領域
の裏側をエッチングにより除去する工程と、 前記エッチングストップ層をエッチングする工程と、 前記バリヤ層をエッチングする工程と、 前記密着層をエッチングする工程とを有することを特徴
とするリードフレームの製造方法。4. A plate-shaped metal base serving as an outer lead forming member; an etching stop layer formed on one surface of the metal base from a metal material different from the metal base; A metal base, a barrier layer formed of a metal material different from the etching stop layer, and formed on the barrier layer to improve the adhesion between the inner lead and the inner lead when the inner lead is formed by electrolytic plating. A method for manufacturing a lead frame using a lead frame clad material comprising an adhesion layer for forming a lead frame, comprising: a negative pattern with respect to an inner lead to be formed on the adhesion layer of the lead frame clad material. Forming a plating mask layer; and plating the inner surface by plating on the adhesion layer using the plating mask layer as a mask. Forming an outer lead in a region where the outer lead of the metal base is disposed; and etching away a back side of a region where the inner lead is disposed of the metal base. A method of manufacturing a lead frame, comprising: a step of etching the etching stop layer; a step of etching the barrier layer; and a step of etching the adhesion layer.
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